CN107851721A - 光电转换元件用基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光电转换元件用基板,其与使用现有的ITO/玻璃基板的情况相比为低成本、同时操作容易,并且不会使太阳能电池的发电性能降低。一种光电转换元件用基板,其由在表面具有钝化膜的不锈钢板构成,所述钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上。
Description
技术领域
本发明涉及光电转换元件、特别是有机薄膜太阳能电池中所使用的基板。
背景技术
开发清洁且作为非枯竭性资源的太阳光能源的利用技术在解决将来的能源问题的方面是必不可少的。其中,有机薄膜太阳能电池与硅类太阳能电池等其它有效的太阳能电池相比,具有材料成本、制造成本低的优点,作为承担未来的太阳能电池而备受期待。
但是,对于有机薄膜太阳能电池而言,与已得到实用化的其它方式的太阳能电池相比,存在发电效率低的问题。因此,为了有机薄膜太阳能电池的实用化,要求提高发电效率。除此以外,为了使有机薄膜太阳能电池被广泛实用化,从克服发电效率低的观点出发,也需要进一步削减材料成本、制造成本。
作为有机薄膜太阳能电池的基材,通常使用玻璃基板。但是,有机薄膜太阳能电池的材料成本中,玻璃基板所占的比例少。另外,玻璃基板在制造、运输、设置时有时会破裂,因此,在操作上需要加以注意。此外,玻璃基板被保持于金属的框架、壳体上来使用,因此,还需要相应部分的费用。另外,在玻璃基板的表面形成透明电极,但作为透明电极的材料主要使用的ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)含有作为稀有金属的铟,因此,价格高而且不稳定。由于这些原因,难以削减使用了玻璃基板的有机薄膜太阳能电池的制造成本。
为了解决这样的问题,对使用由更廉价的材料构成的基材代替玻璃基板的方法进行了研究,例如,提出使用利用了PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯,PolyEthyleneTerephthalate)等塑料类材料的基板作为基材的方案。另外,在专利文献1中公开了使用铝基板代替现有的ITO/玻璃基板的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-35258号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,即使在使用塑料类基板作为基材的情况下,基材为大面积时,也需要支撑基材的支撑体,因此难以大幅削减成本。另外,在使用铝基板的情况下,不一定能够稳定地得到与使用现有的ITO/玻璃基板时同等的发电特性。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种光电转换元件用基板,其与使用现有的ITO/玻璃基板的情况相比为低成本、同时操作容易,并且不会使太阳能电池的发电性能降低。
用于解决问题的方法
为了解决上述问题,本发明的发明人对于代替现有的玻璃基板和透明电极的基板材料反复进行了深入研究。其结果,得出如下见解。
(1)如果使用不锈钢板作为基材,则与使用现有的ITO/玻璃基板的情况相比能够削减成本,并且操作容易。
(2)通过提高上述不锈钢板的钝化膜表面的Cr比率,可得到优良的发电特性。
基于上述见解进行了详细研究,从而完成了本发明。
即,本发明的主旨构成如下所述。
1.一种光电转换元件用基板,其由在表面具有钝化膜的不锈钢板构成,
上述钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上。
2.如上述1所述的光电转换元件用基板,其中,上述钝化膜的厚度小于2.3nm。
3.如上述1或2所述的光电转换元件用基板,其中,上述光电转换元件用基板表面的算术平均粗糙度Ra小于10nm。
发明效果
根据本发明,能够提供与现有的ITO/玻璃基板相比为低成本、同时操作容易、并且不会使太阳能电池的发电性能降低的光电转换元件用基板。该光电转换元件用基板能够适合用于有机薄膜太阳能电池等光电转换元件、以及使用了该元件的太阳光发电模块。
附图说明
图1是示出作为集电极的Au电极的配置的示意图。
具体实施方式
本发明的光电转换元件用基板(以下,有时简称为“基板”)由在表面具有钝化膜的不锈钢板构成,上述钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上。以下,对上述光电转换元件用基板具体地进行说明。
[不锈钢板]
本发明的光电转换元件用基板由不锈钢板构成。由于使用作为金属材料的不锈钢板,因此,本发明的基板能够担负作为机械性支撑光电转换元件的结构材料的作用和作为成为光电转换元件的一个构成要素的集电极的作用这两者。
在现有的有机薄膜太阳能电池中作为基材使用的玻璃基板通常具有强度,但韧性差,在制造、运输、设置时的操作中需要加以注意。另外,玻璃基板作为支撑体本身也不易操作,被保持于金属的框架、壳体上来使用。另外,在使用PET基板等塑料类基板代替玻璃基板的情况下,基板本身的强度弱,因此,在设置时需要一些支撑体。
与此相对,作为金属材料的不锈钢兼具强度和韧性,进而耐腐蚀性也优良,因此,在作为光电转换元件的基材使用的情况下,特别是在作为结构材料的功能的方面是有利的。另外,与玻璃、塑料、作为其它金属材料的铝或钛等相比,在原料成本、制造成本方面是有利的。
上述不锈钢板的厚度没有特别限定,可以根据所要求的特性等进行选择。在使用厚度薄的不锈钢板(不锈钢箔)的情况下,虽然强度降低,但具有轻和柔软性优良的优点。另一方面,在使用厚的不锈钢板的情况下,虽然重量增加,但根据用途也能够无问题地使用。从操作容易的观点出发,优选将不锈钢板的厚度设定为0.1mm以上且2.0mm以下。上述厚度更优选设定为0.2mm以上。另外,上述厚度更优选设定为1.5mm以下,进一步优选设定为1.0mm以下。
从耐腐蚀性的观点以及形成后述的Cr原子比高的钝化膜的观点出发,优选将上述不锈钢板的Cr含量设定为13质量%以上,更优选设定为16质量%以上。另一方面,Cr含量超过20质量%时,成本升高变得显著,因此,Cr含量优选设定为20质量%以下。
另外,从耐腐蚀性的观点出发,上述不锈钢板的C含量越少越好,优选设定为0.12质量%以下,更优选设定为0.08质量%以下。另一方面,过度地减少C含量时,生产率降低,并且制造成本增加,因此,优选将C含量设定为0.002质量%以上,更优选设定为0.005质量%以上。
特别是在要求高耐腐蚀性的情况下,在上述不锈钢板中可以进一步任选地含有选自由Ti、Nb、Mo组成的组中的至少一种。在添加Ti的情况下,Ti含量优选设定为1.0质量%以下。在添加Nb的情况下,Nb含量优选设定为1.0质量%以下。在添加Mo的情况下,Mo含量优选设定为3.0质量%以下。另一方面,Ti、Nb和Mo是可以任选地添加的元素,因此,它们的含量的下限可以为0,从提高耐腐蚀性的观点出发,优选将Ti含量设定为0.01质量%以上,优选将Nb含量设定为0.01质量%以上,优选将Mo含量设定为0.1质量%以上。
另外,从电阻的观点出发,作为上述不锈钢,优选使用铁素体系不锈钢。
[钝化膜]
不锈钢的表面通常被由稳定的氧化物等构成的钝化膜包覆,其结果是,不锈钢具有优良的耐腐蚀性。在本发明中,光电转换元件用基板中所使用的不锈钢板不仅只具有钝化膜,而且使该钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上是重要的。
在保持制造后状态的不锈钢板、在大气环境中研磨后的不锈钢板的表面也形成有钝化膜。但是,这样的钝化膜的表面主要由Fe系氧化物、氢氧化物构成,Cr含有率低,因此,导电性低。因此,在将这样的通常的不锈钢板用作光电转换元件用基板的情况下,不能得到良好的发电特性。
与此相对,在本申请发明的基板中,通过使钝化膜的最表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)提高至0.08以上,能够提高该基板表面的导电性,能够使使用了该基板的光电转换元件的特性良好。上述原子数比Cr/(Fe+Cr)优选设定为0.10以上,更优选设定为0.15以上,进一步优选设定为0.18以上,最优选设定为0.20以上。另一方面,上述原子数比Cr/(Fe+Cr)越高则导电性越提高,因此,其上限没有特别限定。但是,Cr/(Fe+Cr)增大时,生成富Cr的新氧化相,有可能使导电性降低。因此,Cr/(Fe+Cr)优选设定为0.90以下,更优选设定为0.70以下。需要说明的是,上述原子数比Cr/(Fe+Cr)的值可以通过实施例所记载的方法进行测定。
另外,上述钝化膜的厚度没有特别限定,可以设定为任意的厚度,优选设定为小于2.3nm。钝化膜的厚度根据不锈钢板的制造历程而不同,但在保持在通常的条件下制造后的状态的不锈钢板、在大气环境中研磨后的不锈钢板的情况下,有时钝化膜的厚度超过3.0nm。因此,如果将钝化膜的厚度设定为小于2.3nm,能够使基板表面的导电性进一步提高,能够使使用了基板的光电转换元件的特性更加良好。上述钝化膜的厚度更优选设定为2.2nm以下,进一步优选设定为2.1nm以下。另一方面,钝化膜的厚度的下限没有特别限定,但为了使其具有作为钝化膜充分的保护性,优选设定为0.8nm以上,更优选设定为1.0nm以上。需要说明的是,上述钝化膜的厚度可以通过实施例所记载的方法进行测定。
得到上述钝化膜的方法没有特别限定,可以使用任意的方法,例如,可以使用酸性环境下的表面处理。作为上述酸性环境下的表面处理,可以列举将在不锈钢板的表面在大气中生成的钝化膜利用在酸性溶液中的浸渍、酸性溶液中的阴极电解处理、阳极溶解处理等进行改性的方法。
[算术平均粗糙度Ra]
此外,对于本发明的光电转换元件用基板而言,优选将上述光电转换元件用基板表面的算术平均粗糙度Ra设定为小于10nm。形成光电转换元件时,在基板的表面形成具有各种功能的层,但是,基板表面的粗糙度大时,形成在该基板上的层的厚度容易产生不均匀,其结果是,光电转换元件的特性有时变得不稳定。另外,基板表面的粗糙度大时,经由基板表面的凸部产生短路的风险升高。因此,优选将Ra设定为小于10nm、更优选设定为9.5nm以下、进一步优选设定为9.0nm以下。作为得到Ra小于10nm的光电转换元件用基板的方法,例如可以列举对不锈钢板进行表面研磨、使用低粗糙度的辊对不锈钢板进行轧制这样的方法,在工业上,从生产率的观点出发,优选利用使用低粗糙度的辊的轧制。另一方面,Ra越低越优选,因此,其下限没有特别限定。但是,使Ra过度降低时,降低Ra所带来的效果饱和,而且制造成本增加,因此,Ra优选设定为1nm以上、更优选设定为2nm以上。需要说明的是,上述光电转换元件用基板表面的算术平均粗糙度Ra可以通过实施例所记载的方法进行测定。
[光电转换元件]
本发明的基板可以作为各种任意的光电转换元件用基板使用。其中,优选作为有机系太阳能电池用基板使用,更优选作为有机薄膜太阳能电池用基板使用。以下,以将本发明的基板用于有机薄膜太阳能电池的情况为例对本发明的一个实施方式进行说明,但本发明并非限定于下述说明,本发明的基板不仅能够用于有机薄膜太阳能电池,还能够用于例如染料敏化太阳能电池、光电二极管等具有类似形态的普遍的光电转换元件,能够得到本发明的效果。
[有机薄膜太阳能电池]
使用本发明的基板(以下,有时称为“不锈钢基板”)制作的有机薄膜太阳能电池的结构没有特别限定,可以设定为任意的结构,但至少具有作为第一电极发挥功能的不锈钢基板、具备有机半导体的有机发电层和第二电极。另外,上述有机薄膜太阳能电池优选进一步具备至少一组电子捕集层和空穴捕集层。这些层的层叠顺序没有特别限定,例如可以从上述不锈钢基板侧起以电子捕集层、有机发电层、空穴捕集层和第二电极的顺序进行层叠。对于以该顺序层叠而成的有机薄膜太阳能电池而言,上述不锈钢基板作为正极发挥功能,上述第二电极作为负极发挥功能。
上述有机薄膜太阳能电池可以制成电子捕集层、有机发电层和空穴捕集层一组(分别各一层)层叠而成的结构,也可以制成这些层两组或两组以上层叠而成的、被称为串联型的结构。
[[电子捕集层]]
上述电子捕集层是通常设置于负极与有机发电层之间的层,具有将电子高效地从有机发电层导入到负极的功能。不存在电子捕集层而将负极与有机发电层直接层叠时,不能从有机发电层有效地提取电子,提取至体系外的电力与本来发电的电力相比大幅减少。因此,优选设置电子捕集层。
构成上述电子捕集层的材料没有特别限定,优选使用n型半导体。作为上述n型半导体,可以列举例如钛氧化物、锌氧化物。上述n型半导体可以使用一种或组合使用两种以上。特别是在使用不锈钢基板作为负极并且在其上形成电子捕集层的情况下,通过使用锌氧化物作为该电子捕集层的材料,能够得到更良好的发电特性。在此,锌氧化物是指ZnO和具有一些O缺失的ZnO1-X这两者。
在使用锌氧化物作为上述电子捕集层的材料的情况下,该电子捕集层可以通过以溶胶凝胶法为代表的任意的方法进行成膜。在使用溶胶凝胶法的情况下,为了在成膜后不残留溶剂、水分,优选在约130℃~约300℃的温度下实施热处理。上述电子捕集层的厚度优选设定为30~100nm的范围内。另外,只要不损害本发明效果,在上述电子捕集层中可以含有除锌氧化物以外的其它物质,通常只要小于5质量%,则允许含有其它物质。
如下所述,锌氧化物适合作为电子捕集层的材料的原因认为与太阳光中所含的紫外线有关。在现有的有机薄膜太阳能电池中,使用玻璃等透明材料作为基板,从该基板侧照射太阳光。与此相对,本发明的基板不透射太阳光,因此,在使用本发明的基板的有机薄膜太阳能电池中,从基板的相反侧照射太阳光。因此,在上述结构的有机薄膜太阳能电池中到达电子捕集层的太阳光是穿过有机发电层和空穴捕集层后的光,在该过程中太阳光中所含的紫外线成分被吸收。虽然原因还不确定,但例如在使用钛氧化物作为电子捕集层的情况下,到达该电子捕集层的太阳光中所含的紫外线成分少时,发电特性有时降低。与此相对,在使用锌氧化物作为电子捕集层的材料的情况下,即使在紫外线成分少时也能够得到良好的发电特性。
但是,在锌氧化物为在高温下进行了处理的锌氧化物的情况下,有时得不到如上所述的特性。因此,为了稳定地得到良好的发电特性,优选如上所述的在130~300℃下进行形成使用了锌氧化物的电子捕集层时的热处理。推断该温度的影响起因于锌氧化物的结晶性的差异。
[[有机发电层]]
作为上述有机发电层,只要是具备有机半导体的有机发电层则可以使用任意类型的有机发电层,从发电效率的观点出发,优选使用基于电子受体和电子给体的本体异质结型的有机发电层。作为上述本体异质结型的有机发电层,例如可以使用作为p型有机半导体的P3HT(聚噻吩衍生物:聚(3-己基噻吩))与作为n型有机半导体的PCBM(富勒烯衍生物:[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯)混合而成的层。这种情况下,从得到良好的发电效率的观点出发,优选将上述有机发电层的厚度设定为70~300nm的范围内。
[[空穴捕集层]]
空穴捕集层是通常设置于有机发电层与作为正极发挥作用的电极之间的层,具有将空穴高效地从有机发电层导入到正极的功能。构成上述空穴捕集层的材料没有特别限定,可以使用作为导电性聚合物的PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚(4-苯乙烯磺酸))。
电子捕集层、有机发电层和空穴捕集层的构成并非限定于上述记载。即,利用光电转换效率更高的构成来代替上述构成,也不会损害本发明的效果。将来利用光电转换效率更高的材料等进行代替,由此使本发明的效果更高。
[[第二电极]]
如上所述,在使用不锈钢基板作为第一电极的有机薄膜太阳能电池中,不能从该不锈钢基板侧入射光,因此,从第二电极侧入射光。因此,第二电极不能是显著阻碍光向有机发电层的入射的电极。因此,作为上述第二电极,可以使用ITO等通常作为透明电极使用的电极。另外,也可以使用以极薄的层、或者具有网格或狭缝这样的开口部的结构的形式设置的金属电极作为第二电极。由此,能够防止金属电极显著阻碍光向有机发电层的入射。另外,在不显著阻碍光向有机发电层的入射的范围内,即使以例如保护等为目的在有机薄膜太阳能电池的表面、侧面以及背面进行包覆、涂装,也不会损害本发明的效果。
实施例
接着,基于实施例对本发明具体地进行说明。以下的实施例表示本发明的适合的一例,本发明不受该实施例的任何限定。本发明的实施方式在符合本发明的宗旨的范围内能够进行适当变更,这些都包含在本发明的技术范围内。
制作出由不锈钢板构成的光电转换元件用基板和使用了该光电转换元件用基板的有机薄膜太阳能电池,对其特性进行评价。另外,为了比较,制作出使用了现有的玻璃基板的有机薄膜太阳能电池,一起进行了评价。以下,对光电转换元件用基板和有机薄膜太阳能电池的制作步骤和评价方法进行说明。
[基板]
使用表1所示的A~C的不锈钢板(SUS430)作为原板,制作出有机薄膜太阳能电池用基板。原板A是通过低粗糙度轧制制造的钢板,原板B是利用电解磨料研磨将表面精加工为镜面后的钢板,原板C是在一般的轧制条件下制造的钢板。各原板的板厚和算术平均粗糙度Ra如表1所示。从上述原板A~C各自分别制作两张尺寸为2.5cm×4.0cm的基板,各组中的一个基板直接使用,另一个基板在实施用于控制钝化膜表面的Cr的原子数比的表面处理后使用。作为上述表面处理,在3%硫酸中以-5A/dm2进行1秒钟电解处理。各基板利用2-丙醇清洗后,供于有机薄膜太阳能电池的制作。确认到所得到的基板的Ra与所使用的原板的Ra相同。
[使用了不锈钢基板的有机薄膜太阳能电池]
[[电子捕集层]]
将双乙酰丙酮锌以0.35mol/1溶解在含有10.6质量%的乙酰丙酮的2-甲氧基乙醇混合溶剂中而制备氧化锌前体,将氧化锌前体旋涂于不锈钢基板上。之后,立即将基板在250℃下加热1小时,由此在不锈钢基板上形成锌氧化物层。锌氧化物层的厚度为约60nm。
[[有机发电层]]
将P3HT(聚噻吩衍生物:聚(3-己基噻吩))与PCBM(富勒烯衍生物∶[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯)以5∶4的质量比混合,将所得到的混合物以使浓度为3.9质量%的方式溶解在氯苯中而得到溶液。将上述溶液旋涂于作为电子捕集层的锌氧化物层之上,然后,在室温下干燥30分钟以上,由此形成有机发电层。旋涂的条件设定成干燥后的有机发电层的厚度为约200nm。
[[空穴捕集层]]
制备出含有质量比为1∶2.5、合计为1.3质量%的市售的PEDOT(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和PSS(聚(4-苯乙烯磺酸))的水分散液。将上述水分散液旋涂于有机发电层之上,使其干燥,由此形成空穴捕集层。旋涂的条件设定成干燥后的空穴捕集层的厚度为约190nm。
[[集电极(第二电极)]]
在上述空穴捕集层之上制作出一端被连接的狭缝状的Au电极作为集电极。具体而言,利用宽度为约0.5mm的狭缝状的开口以约0.5mm间隔排列的不锈钢制的掩模覆盖空穴捕集层,在真空钟罩中蒸镀Au,然后,在由Au形成的狭缝列的一端附近以横截狭缝列的方式以带状追加蒸镀Au,由此将各狭缝电连接,制作出如图1所示的狭缝状的Au蒸镀膜。Au蒸镀膜的厚度为约100nm。然后,在形成有上述集电极的表面上压接聚合物膜(クレハエクステツク株式会社制造,セレ一ルR1150阻气片,膜厚100μm)作为保护膜,由此制成有机薄膜太阳能电池。
[使用了玻璃基板的有机薄膜太阳能电池]
为了比较,代替上述不锈钢基板,以在单面形成有ITO膜的市售的玻璃板(株式会社仓元制作所制造,玻璃板厚度1mm,ITO厚度约200nm,薄层电阻约5Ω/sq)作为基板,制作出有机薄膜太阳能电池。即,将上述玻璃板切割成2.5cm×4.0cm的尺寸,利用2-丙醇进行清洗后,在与上述使用不锈钢基板的有机薄膜太阳能电池相同的条件下,形成电子捕集层、有机发电层、空穴捕集层以及集电极各层和保护膜,制成有机薄膜太阳能电池。
[算术平均粗糙度Ra]
针对作为原板使用的不锈钢板A~C分别测定表面的算术平均粗糙度Ra。测定中,使用触针式的表面粗糙度计,依据JIS B0601来进行。截止值λc设定为0.25mm,将与不锈钢板的轧制方向垂直的方向作为评价方向,将对各不锈钢板测定5次而得到的平均作为评价值。测定结果如表1所示。需要说明的是,如上所述,实施用于控制Cr的原子数比的表面处理后的基板的Ra与原板的Ra相同。
[原子数比Cr/(Fe+Cr)、钝化膜的厚度]
针对No.1~6的各例中作为基板使用的不锈钢板分别测定钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)。测定通过利用AES(俄歇电子能谱法)的深度方向分析来进行,由所得到的结果计算出钝化膜的最表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)。另外,在利用AES测定的深度方向上的氧浓度分布图中,将氧浓度为最表面处的值的1/2的深度作为钝化膜的厚度。厚度的值利用溅射速率计算出。原子数比Cr/(Fe+Cr)和钝化膜的厚度对各样品各测定5个点,使用其平均值。测定结果与所使用的原板的种类以及表面处理的有无一起示于表2中。
[[电池特性]]
最后,对于如上所述制作的有机薄膜太阳能电池分别通过下述步骤进行电池特性的评价。首先,在从有机薄膜太阳能电池的Au狭缝电极侧照射光的状态下,利用线性扫描伏安法(LSV)测定该有机薄膜太阳能电池的光电流-电压特性。作为上述光,使用显示AM1.5G的光谱分布、具有100mW/cm2的光强度的模拟太阳光。根据所测定的光电流-电压特性计算出能量转换效率η(%)、短路电流ISC(mA)、曲线因子FF。此时,作为太阳能电池的有效面积设定为1.8cm2。上述有效面积的值是考虑到因Au狭缝电极侧引起的遮蔽将具有元件结构的1.5cm×2.4cm的区域的面积3.6cm2乘以1/2而计算出的值。进而,对于使用不锈钢板作为基板的有机薄膜太阳能电池,将能量转换效率η为2.0%以上的样品设定为“○”、将能量转换效率η为2.5%以上的样品设定为“◎”,分别对发电特性进行评价。评价结果如表2所示。
如表2所示,对于满足本发明的条件的基板、即使用了进行表面处理而使钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上的不锈钢基板的No.1、3、5而言,得到了与以ITO/玻璃作为基板的No.7的有机薄膜太阳能电池同等的发电效率。其中,使用了基板表面的算术平均粗糙度Ra小的基板A或B的No.1和3的有机薄膜太阳能电池显示出特别优良的发电特性。
根据上述结果可知,通过使用满足本发明的条件的光电转换元件用基板,能够在维持与现有的ITO/玻璃基板同等的发电性能的同时,削减材料成本和制造成本,能够使制造、运输、设置时的操作变得容易。
[表1]
No. | 基板材料 | 板厚/mm | 算术平均粗糙度Ra/nm |
A | SUS430 | 0.3 | 8 |
B | SUS430 | 0.8 | 5 |
C | SUS430 | 0.8 | 19 |
[表2]
符号说明
1 有机薄膜太阳能电池
2 空穴捕集层
3 Au电极(集电极)
Claims (3)
1.一种光电转换元件用基板,其由在表面具有钝化膜的不锈钢板构成,
所述钝化膜的表面的原子数比Cr/(Fe+Cr)为0.08以上。
2.如权利要求1所述的光电转换元件用基板,其中,所述钝化膜的厚度小于2.3nm。
3.如权利要求1或2所述的光电转换元件用基板,其中,所述光电转换元件用基板表面的算术平均粗糙度Ra小于10nm。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110137285A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 光之科技发展(昆山)有限公司 | 一种用于建筑领域的太阳电池组件及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06306611A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-11-01 | Nippon Steel Corp | 表面性状の優れた絶縁材料の製造方法 |
CN102026743A (zh) * | 2008-05-16 | 2011-04-20 | 新日铁高新材料 | 柔性显示器用不锈钢箔 |
CN102460720A (zh) * | 2009-05-28 | 2012-05-16 | 东洋钢钣株式会社 | 化合物半导体型太阳能电池用基板 |
JP2012201950A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Nisshin Steel Co Ltd | 微細粗面化ステンレス鋼板および薄膜Si太陽電池の製造法 |
WO2015033088A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | Swansea University | Opto-electronic device module and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2117971A (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-19 | Hitachi Ltd | Amorphous silicon photovoltaic device |
JP4086629B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2008-05-14 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
DE10257165B4 (de) * | 2002-12-02 | 2004-09-23 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat |
DE102008030845B4 (de) * | 2008-03-28 | 2021-09-23 | Pictiva Displays International Limited | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements |
KR100993412B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2010-11-09 | 주식회사 포스코 | 고분자 연료전지 분리판용 스테인리스강 및 그 제조방법 |
JP2011035258A (ja) | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池及びその製造方法 |
JP4700130B1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁性金属基板および半導体装置 |
JP5170479B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2013-03-27 | Jfeスチール株式会社 | ステンレス箔製太陽電池基板材およびその製造方法 |
JP2012222046A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 有機デバイス用電極シート、有機デバイスモジュールおよびその製造方法 |
-
2016
- 2016-08-19 US US15/735,689 patent/US10636985B2/en active Active
- 2016-08-19 JP JP2016567282A patent/JP6249109B2/ja active Active
- 2016-08-19 CN CN201680045008.7A patent/CN107851721A/zh active Pending
- 2016-08-19 KR KR1020187002755A patent/KR102122192B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-19 EP EP16843898.4A patent/EP3349266A4/en active Pending
- 2016-08-19 WO PCT/JP2016/003792 patent/WO2017043025A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06306611A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-11-01 | Nippon Steel Corp | 表面性状の優れた絶縁材料の製造方法 |
CN102026743A (zh) * | 2008-05-16 | 2011-04-20 | 新日铁高新材料 | 柔性显示器用不锈钢箔 |
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JP2012201950A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Nisshin Steel Co Ltd | 微細粗面化ステンレス鋼板および薄膜Si太陽電池の製造法 |
WO2015033088A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | Swansea University | Opto-electronic device module and method for manufacturing the same |
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