CN107814494A - 一种黄光制程用刻蚀液配方 - Google Patents

一种黄光制程用刻蚀液配方 Download PDF

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司荣美
潘中海
刘彩风
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    • C03C23/0075—Cleaning of glass

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Abstract

本发明是一种黄光制程用刻蚀液配方，由如下重量份数的原料组成：氢氟酸12‑14份；氨水35‑55份；乙二酸2‑6份；甲基磺酸1‑4份；乙二胺四乙酸二钠盐2‑6份；表面活性剂0.001‑0.009份；甘油保护剂6‑9份；蒸馏水80‑100份；聚硅氧烷类消泡剂0.5‑0.8份。本发明提供一种黄光制程用刻蚀液配方，通过添加甲基磺酸和氢氟酸的共同作用，与金属离子形成稳定的水溶性盐，有效解决了在刻蚀过程中金属离子与乙二酸形成沉淀残渣的问题，添加乙二胺四乙酸二钠盐，有效络合金属离子，同时通过添加聚硅氧烷类消泡剂，避免了在刻蚀过程中产生的气泡，大大提高了刻蚀精度，进而提高了纳米银导电膜的刻蚀效率。

Description

一种黄光制程用刻蚀液配方
技术领域
本发明涉及刻蚀液技术领域，尤其涉及一种黄光制程用刻蚀液配方。
背景技术
黄光制程是通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后通过刻蚀液进行刻蚀脱模并最终获得永久性图形的过程。目前，现有的刻蚀液应用于纳米银导电膜刻蚀时，刻蚀液稳定性差，在刻蚀过程中因刻蚀产生的残渣和气泡，易引起刻蚀精度差，导致纳米银导电膜的雾度达不到要求，大大降低了纳米银导电膜的刻蚀效率。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种黄光制程用刻蚀液配方。
本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种黄光制程用刻蚀液配方，其特征在于，由如下重量份数的原料组成：
特别的，所述聚硅氧烷类消泡剂为聚二甲基硅氧烷。
特别的，所述表面活性剂是指脂肪酸甘油酯。
本发明的有益效果是：本发明提供一种黄光制程用刻蚀液配方，通过添加甲基磺酸和氢氟酸的共同作用，与金属离子形成稳定的水溶性盐，有效解决了在刻蚀过程中金属离子与乙二酸形成沉淀残渣的问题，添加乙二胺四乙酸二钠盐，有效络合金属离子，同时通过添加聚硅氧烷类消泡剂，避免了在刻蚀过程中产生的气泡，大大提高了刻蚀精度，使得纳米银导电膜的雾度达到规定要求，进而提高了纳米银导电膜的刻蚀效率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明：
实施例1
一种黄光制程用刻蚀液配方，由如下重量份数的原料组成：
实施例2
一种黄光制程用刻蚀液配方，由如下重量份数的原料组成：
实施例3
一种黄光制程用刻蚀液配方，由如下重量份数的原料组成：
上面对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种黄光制程用刻蚀液配方，其特征在于，由如下重量份数的原料组成：
2.根据权利要求1所述的一种黄光制程用刻蚀液配方，其特征在于，所述聚硅氧烷类消泡剂为聚二甲基硅氧烷。
3.根据权利要求1所述的一种黄光制程用刻蚀液配方，其特征在于，所述表面活性剂是指脂肪酸甘油酯。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication
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