CN104674220A - 一种蚀刻方法 - Google Patents

一种蚀刻方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104674220A
CN104674220A CN201510078773.6A CN201510078773A CN104674220A CN 104674220 A CN104674220 A CN 104674220A CN 201510078773 A CN201510078773 A CN 201510078773A CN 104674220 A CN104674220 A CN 104674220A
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
substrate
engraving method
drying
washing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510078773.6A
Other languages
English (en)
Inventor
何荣特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Riverhead Xi Pu Electronics Co Ltd
Original Assignee
Riverhead Xi Pu Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Riverhead Xi Pu Electronics Co Ltd filed Critical Riverhead Xi Pu Electronics Co Ltd
Priority to CN201510078773.6A priority Critical patent/CN104674220A/zh
Publication of CN104674220A publication Critical patent/CN104674220A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤:步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为20-35℃;步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品。本发明的蚀刻方法采用过氧化氢、过硫酸铵、氨基酸、磷酸、磷酸铵、去离子水作为蚀刻液,采用光致抗蚀油墨作为保护层,原料易得、价格便宜、抗蚀性也好、去膜方便,本发明的蚀刻方法蚀刻速度快、蚀刻效果好、蚀刻完全且均匀。

Description

一种蚀刻方法
技术领域
本发明涉及一种蚀刻方法,特别是针对金属基材的蚀刻方法。
背景技术
蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分,而达到蚀刻的目的,这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除。现有技术中化学蚀刻存在以下问题:蚀刻速率低,成本高,蚀刻效果差,蚀刻不均匀。
发明内容
本发明的一个目的是提出了一种蚀刻方法,解决了现有技术中的蚀刻方法蚀刻速度低,蚀刻效果不佳,蚀刻不均匀等问题。
本发明的技术方案是这样实现的:一种蚀刻方法,包括以下步骤:
步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;
步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;
步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为20-35℃;
步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品。
优选的,所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
优选的,所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
优选的,所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
优选的,蚀刻的温度为25-30℃。
优选的,所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为2-6。
优选的,所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为2-4。
优选的,所述光致抗蚀油墨是包括光聚合树脂、光交联剂、光引发剂。
优选的,所述基材为金属基材。
本发明的有益效果为:本发明的蚀刻方法采用过氧化氢、过硫酸铵、氨基酸、磷酸、磷酸铵、去离子水作为蚀刻液,采用光致抗蚀油墨作为保护层,原料易得、价格便宜、抗蚀性也好、去膜方便,本发明的蚀刻方法蚀刻速度快、蚀刻效果好、蚀刻完全且均匀。
具体实施方式
为更好地理解本发明,下面通过以下实施例对本发明作进一步具体的阐述,但不可理解为对本发明的限定,对于本领域的技术人员根据上述发明内容所作的一些非本质的改进与调整,也视为落在本发明的保护范围内。
实施例1
发明人按照以下蚀刻方法,对金属基材进行蚀刻,得到产品1:
步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;
步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;
步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为20℃;
步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品1。
所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为2。
所述光致抗蚀油墨是包括光聚合树脂、光交联剂、光引发剂。
实施例2
发明人按照以下蚀刻方法,对金属基材进行蚀刻,得到产品2:
步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;
步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;
步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为35℃;
步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品2。
所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为6。
所述光致抗蚀油墨是包括光聚合树脂、光交联剂、光引发剂。
实施例3
发明人按照以下蚀刻方法,对金属基材进行蚀刻,得到产品3:
步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;
步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;
步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为25℃;
步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品3。
所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为4。
所述光致抗蚀油墨是包括光聚合树脂、光交联剂、光引发剂。
采用本发明的蚀刻方法蚀刻速度快,蚀刻得到的产品1、产品2、产品3的蚀刻图案均匀,成品率高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:提供待蚀刻的基板,并对基板进行清洗;
步骤二:在基板表面网印液态光致抗蚀油墨,用以遮蔽不需要蚀刻的部分,并进行干燥、曝光、显影、水洗、干燥;
步骤三:将基板放入蚀刻机,蚀刻的温度为20-35℃;
步骤四:去除保护层,水洗,干燥得到成品。
2.如权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
3.如权利要求2所述的蚀刻方法,其特征在于:所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
4.如权利要求2所述的蚀刻方法,其特征在于:所述蚀刻机中的蚀刻液包括以下重量百分比的各组分:
5.如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法,其特征在于:蚀刻的温度为25-30℃。
6.如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法,其特征在于:所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为2-6。
7.如权利要求6任一所述的蚀刻方法,其特征在于:所述蚀刻机中的蚀刻液的PH值为2-4。
8.如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法,其特征在于:所述光致抗蚀油墨是包括光聚合树脂、光交联剂、光引发剂。
9.如权利要求1-4任一所述的蚀刻方法,其特征在于:所述基材为金属基材。
CN201510078773.6A 2015-02-13 2015-02-13 一种蚀刻方法 Pending CN104674220A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510078773.6A CN104674220A (zh) 2015-02-13 2015-02-13 一种蚀刻方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510078773.6A CN104674220A (zh) 2015-02-13 2015-02-13 一种蚀刻方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104674220A true CN104674220A (zh) 2015-06-03

Family

ID=53309785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510078773.6A Pending CN104674220A (zh) 2015-02-13 2015-02-13 一种蚀刻方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104674220A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106283055A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 河源西普电子有限公司 一种印刷板的蚀刻方法
CN107699895A (zh) * 2017-08-28 2018-02-16 上海利正卫星应用技术有限公司 一种镁合金蚀刻板的蚀刻工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1566400A (zh) * 2003-06-25 2005-01-19 铼宝科技股份有限公司 银合金蚀刻液
CN101440492A (zh) * 2008-12-09 2009-05-27 彩虹集团电子股份有限公司 一种减小腐蚀余量的栅网类金属件蚀刻生产工艺
CN102102205A (zh) * 2009-12-17 2011-06-22 安禾耐金科技股份有限公司 镁锂合金的表面蚀刻方法
CN102345125A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 比亚迪股份有限公司 一种金属基材表面形成多层次图案的方法
CN103374725A (zh) * 2013-06-27 2013-10-30 天长市京发铝业有限公司 铝板化学蚀刻工艺

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1566400A (zh) * 2003-06-25 2005-01-19 铼宝科技股份有限公司 银合金蚀刻液
CN101440492A (zh) * 2008-12-09 2009-05-27 彩虹集团电子股份有限公司 一种减小腐蚀余量的栅网类金属件蚀刻生产工艺
CN102102205A (zh) * 2009-12-17 2011-06-22 安禾耐金科技股份有限公司 镁锂合金的表面蚀刻方法
CN102345125A (zh) * 2010-07-28 2012-02-08 比亚迪股份有限公司 一种金属基材表面形成多层次图案的方法
CN103374725A (zh) * 2013-06-27 2013-10-30 天长市京发铝业有限公司 铝板化学蚀刻工艺

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106283055A (zh) * 2016-08-31 2017-01-04 河源西普电子有限公司 一种印刷板的蚀刻方法
CN107699895A (zh) * 2017-08-28 2018-02-16 上海利正卫星应用技术有限公司 一种镁合金蚀刻板的蚀刻工艺
CN107699895B (zh) * 2017-08-28 2019-10-29 上海利正卫星应用技术有限公司 一种镁合金蚀刻板的蚀刻工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102540284B (zh) 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
CN102361542B (zh) 具台阶的印刷电路板制作工艺
JP2009060084A5 (zh)
Ouyang et al. Surface patterning of PEDOT: PSS by photolithography for organic electronic devices
TW200510937A (en) Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same
JP2015021132A5 (ja) 有機膜研磨に用いられるcmp用スラリー組成物を利用してcmp工程を行う方法及びこれを利用する半導体装置の製造方法
WO2013134104A3 (en) Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
JP6336608B2 (ja) フォトレジスト用ストリッパー廃液の再生方法
CN104674220A (zh) 一种蚀刻方法
CN104102094A (zh) 掩模挡板及其制造方法
CN103397329B (zh) 一种不锈钢点阵摩擦板的生产工艺
CN103108490B (zh) 一种超厚铜线路板的线路加工方法
CN107942625B (zh) 一种面板行业铜制程用新型剥离液
CN107225692A (zh) 一种手机镜头保护片加工方法
JP2007325859A (ja) ゴルフクラブヘッドのエッチング方法
CN102978567A (zh) 一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法
CN107850840B (zh) 感光性树脂组合物
CN103098180A (zh) 用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用该处理液的微细结构体的制造方法
CN107403719B (zh) 在半导体器件中形成图形的方法
CN104779151B (zh) 一种多晶硅刻蚀方法
WO2020022491A1 (ja) 洗浄方法
CN106676524A (zh) 一种铝板化学蚀刻工艺
CN102096308A (zh) 掩模版图、掩模版制造方法和掩模版图校正方法
CN104166307A (zh) 一种石墨烯薄膜的图形化方法、功能器件及其用途
CN104425216A (zh) 具有沟槽的半导体衬底的光刻方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150603