CN107799631A - 高亮度led制备工艺 - Google Patents
高亮度led制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107799631A CN107799631A CN201710816673.8A CN201710816673A CN107799631A CN 107799631 A CN107799631 A CN 107799631A CN 201710816673 A CN201710816673 A CN 201710816673A CN 107799631 A CN107799631 A CN 107799631A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type
- gan
- gan layer
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种高亮度LED制备工艺，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，高掺N型GaN层Si浓度高于低掺N型GaN层Si浓度，高掺N型GaN层与低掺N型GaN层之间插入AlGaN层，高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，nGaN层与未掺杂GaN层接触，uGaN层与nGaN层接触。将N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，可以在高掺N型GaN层中积聚较高电子浓度，使得电子从高掺N型GaN层向低掺N型GaN层跃迁，再向后面生长的多量子阱层跃迁，在多量子阱层中与空穴复合发光，提高了多量子阱层的发光效率，进而提高了LED的发光强度。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种高亮度LED制备工艺。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diodes，简称LED)具有体积小、颜色丰富多彩、使用寿命长等优点，是信息光电子新兴产业中极具影响力的新产品，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。以GaN为代表的Ⅲ族氮化物是直接带隙的宽禁带半导体，具有导热率高、发光效率高、物理化学性质稳定、能实现P型或N型掺杂的优点，而且GaN的多元合金InGaN和GaN构成的量子阱结构，发光波长可覆盖整个可见光区域，还具有较高的内量子效率，因此GaN 是制作LED的理想材料。
GaN基LED外延片通常生长在蓝宝石衬底上，通过在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层得到外延层，但是现有技术制得的LED外延片依然存在亮度低等不足，需要作进一步的改善和提高。
发明内容
本发明目的就是为解决上述技术问题，提供一种高亮度LED制备工艺，旨在解决现有技术所得到的LED亮度低等不足。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：
一种高亮度LED制备工艺，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂 GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN 层，所述N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，高掺N型GaN 层Si浓度高于低掺N型GaN层Si浓度，高掺N型GaN层与低掺N型GaN层之间插入AlGaN层，高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，nGaN层与未掺杂GaN层接触，uGaN层与nGaN层接触。
可选的，所述叠层结构分别包括5-20个nGaN层与uGaN层。
可选的，所述高掺N型GaN层Si浓度为所述低掺N型GaN层Si浓度的 2-4倍。
可选的，所述高掺N型GaN层与低掺N型GaN层厚度比为2-3:1。
可选的，所述AlGaN层厚度为高掺N型GaN层厚度的1/20-1/30。
可选的，所述AlGaN层掺Si，AlGaN层中Si浓度低于高掺N型GaN层中 Si浓度，高于低掺N型GaN层中Si浓度。
本发明的优点是：将N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，可以在高掺N型GaN层中积聚较高电子浓度，使得电子从高掺N型GaN层向低掺N 型GaN层跃迁，再向后面生长的多量子阱层跃迁，在多量子阱层中与空穴复合发光，提高了多量子阱层的发光效率，进而提高了LED的发光强度；高掺N型GaN 层与低掺N型GaN层之间插入AlGaN层可以减少整个N型GaN层内部产生的应力，降低外延片的翘曲；高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，可以提高N型GaN层结晶质量，在做成的芯片中通入电流后产生压降，降低发光二极管正向电压。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种高亮度LED制备工艺，采用金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal organic Chemical Vapor Deposition，简称：MOCVD) 技术生长外延片，采用三甲基镓或者三乙基镓作为镓源，高纯氨气(NH3)作为氮源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，采用硅烷作为N型掺杂剂，采用二茂镁作为P型掺杂剂。该生长方法包括：
步骤(1)：在衬底上外延生长缓冲层。
在本实施例中，衬底可以为蓝宝石衬底。
可选地，衬底可以为尺寸大于2英寸的大尺寸衬底，如4英寸衬底。
具体地，缓冲层为不同生长温度梯度下的GaN叠层，且生长温度依次升高，相邻温度相差20-50℃，GaN叠层可以包括2-10个GaN缓冲层。
优选的，GaN叠层包括两个GaN缓冲层，分别为第一GaN缓冲层、第二GaN 缓冲层，第一GaN缓冲层与第二GaN缓冲层生长气氛相同，均为由N2、H2和NH3 构成的氛围，均采用三甲基镓作为镓源，第一GaN缓冲层三甲基镓流量为 40-100sccm，第二GaN缓冲层三甲基镓流量为100-200sccm，第一GaN缓冲层生长温度为500-600℃，第二GaN缓冲层生长温度为600-650℃。
现有技术中缓冲层主要采用单层的低温GaN层，厚度在20-50nm,生长完缓冲层后会进行退火的步骤，退火温度一般在900-1100℃，由于缓冲层厚度较薄，直接在高温下进行退火容易将生长在衬底上的缓冲层烤去，致使缓冲层表面不平、形貌差，进而导致生长在缓冲层上的未掺杂GaN层、N型GaN层等层等层以及最后得到的外延片表面凹凸不平，采用不同生长温度梯度下的GaN叠层作为缓冲层，可以有效的避免高温退火时产生的表面不平整，在异质外延结构中更好的起到减少衬底与GaN材料之间的晶格失配以及由此产生的应力，得到的外延片表面平整、均匀性好，缺陷少，同时光电参数均匀性也好于单层缓冲层。
优选的，GaN叠层中至少其中之一掺杂铝，在GaN叠层中掺杂铝可以进一步减少衬底与GaN材料之间的晶格失配以及由此产生的应力，同时可降低大尺寸外延片生长过程中产生的翘曲，提高外延片边缘均匀性。
步骤(2)：在缓冲层上外延生长未掺杂GaN层。
具体地，未掺杂GaN层为多层没有掺杂的U-GaN层，可以为2-5层没有掺杂的U-GaN层，生长相邻U-GaN层时生长速率依次增加，生长温度逐渐升高。
其中与缓冲层接触的U-GaN层为第一U-GaN层，生长在第一U-GaN层上的 U-GaN层为第二U-GaN层，生长在第二U-GaN层上的U-GaN层为第三U-GaN层，生长在第三U-GaN层上的U-GaN层为第四U-GaN层，生长在第四U-GaN层上的 U-GaN层为第五U-GaN层，生长第一U-GaN层、第二U-GaN层、第三U-GaN层、第四U-GaN层、第五U-GaN层、三甲基镓流量逐渐增大，生长速率依次增加，生长温度逐渐升高。
第一U-GaN层生长条件为，氨气流量60-80slm，三甲基镓流量240-320sccm，反应温度900-1100℃。
优选的，生长相邻U-GaN层时生长速率以0.2-0.6um/h速度增加，温度以 20-30℃梯度递增。
优选的，生长相邻U-GaN层时氨气流量不变，三甲基镓流量按照30-50sccm 增加，温度以20-30℃梯度递增，保持与生长速率以0.2-0.6um/h速度增加相匹配。
优选的，生长相邻U-GaN层时三甲基镓流量不变，氨气流量按照10-20slm 增加，温度以20-30℃梯度递增，保持与生长速率以0.2-0.6um/h速度增加相匹配。
通过将未掺杂GaN层以速率渐增的方式生长，同时温度逐渐增高，一方面可以与前面的缓冲层相匹配，减少高温对缓冲层造成的破坏，同时为后面高温条件下生长的N型GaN层过渡，得到的底层结晶质量更好；目前所使用的衬底大多是图形化衬底，与平片相比，图形化衬底在生长过程中需要通过未掺杂GaN层将凸起的图形填平，速率渐增式生长更符合图形化衬底的工艺需求，能够以渐变的方式将图形逐步填平，减少外延层形成过程中产生的缺陷，直接使用同一生长速率生长，生长过程中极易产生大量的缺陷和位错，降低结晶质量。
优选的，生长相邻U-GaN层之间至少其中之一插入AlGaN层，由于未掺杂 GaN层占整个外延层厚度较厚(约为3/5-4/5)，生长温度较高，生长过程中容易产生较大的翘曲，特别是大尺寸外延片生长过程中，插入AlGaN层可以改善底层翘度，提高外延片均匀性。
步骤(3)：在未掺杂GaN层上外延生长N型GaN层。
具体地，N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，高掺N型GaN 层Si浓度高于低掺N型GaN层Si浓度，高掺N型GaN层与低掺N型GaN层之间插入AlGaN层，高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，nGaN层与未掺杂GaN层接触，uGaN层与nGaN层接触，所述叠层结构分别包括5-20个nGaN层与uGaN层。
将N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，可以在高掺N型GaN 层中积聚较高电子浓度，使得电子从高掺N型GaN层向低掺N型GaN层跃迁，再向后面生长的多量子阱层跃迁，在多量子阱层中与空穴复合发光，提高了多量子阱层的发光效率，进而提高了LED的发光强度，高掺N型GaN层与低掺N型GaN 层之间插入AlGaN层可以减少整个N型GaN层内部产生的应力，降低外延片的翘曲，高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，可以提高N型GaN层结晶质量，在做成的芯片中通入电流后产生压降，降低发光二极管正向电压。
可选的，高掺N型GaN层Si浓度为低掺N型GaN层Si浓度的2-4倍。较低的Si浓度差难以产生明显的Si浓度势磊，较高的Si浓度差则容易产生漏电等电性异常。
可选的，高掺N型GaN层与低掺N型GaN层厚度比为2-3:1。适宜的厚度比以便产生适合的Si浓度差以及较小的应力。
可选的，AlGaN层厚度为高掺N型GaN层厚度的1/20-1/30。AlGaN层起减少N型GaN层内部产生的应力以及降低外延片的翘曲的作用，厚度过薄难以起到有效正向作用，厚度过后则容易阻挡高掺N型GaN层中电子的跃迁。
可选的，AlGaN层掺Si，AlGaN层中Si浓度低于高掺N型GaN层中Si浓度，高于低掺N型GaN层中Si浓度，以便产生连续的Si浓度差。
步骤(4)：在N型GaN层上外延生长应力释放层。
在本实施例中，应力释放层包括依次生长的第一GaN垒层、由交替层叠的 InGaN层和GaN层组成的超晶格阱层、第二GaN垒层，第一GaN垒层生长采用的载气为纯净的N2或者H2和N2的混合气体，超晶格阱层生长采用的载气为纯净的N2，第二GaN垒层生长采用的载气为H2和N2的混合气体。
需要说明的是，无论采用何种载气，载体的总体积是保持不变的。
可选地，第一GaN垒层生长采用的H2和N2的混合气体中，H2和N2的流量比可以为1:4～1:10。
可选地，第二GaN垒层生长采用的H2和N2的混合气体中，H2和N2的流量比可以为1:4～1:7。
可选地，第二GaN垒层的厚度可以大于第一GaN垒层的厚度。
可选地，第二GaN垒层的厚度可以为800～1600nm。
可选地，第一GaN垒层、超晶格阱层、第二GaN垒层中可以均掺有Si。
优选地，超晶格阱层中Si的掺杂浓度可以为第一GaN垒层中Si的掺杂浓度的1/10。
优选地，第二GaN垒层中Si的掺杂浓度可以大于超晶格阱层中Si的掺杂浓度。
优选地，第二GaN垒层中Si的掺杂浓度与第一GaN垒层中Si的掺杂浓度可以不同。
可选地，应力释放层的生长温度可以为900～1050℃。
步骤(5)：在应力释放层上外延生长多量子阱层。
在本实施例中，多量子阱层可以由InGaN量子阱层和GaN量子垒层组成。
步骤(6)：在多量子阱层上外延生长P型电子阻挡层。
具体地，P型电子阻挡层可以为P型掺杂的AlGaN层，也可以由P型掺杂的AlGaN层和P型掺杂的GaN层交替层叠而成。
步骤(7)：在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
具体地，P型GaN层可以为单层掺杂Mg的GaN层，也可以为多层掺杂Mg的 GaN层，各层GaN层中Mg的掺杂浓度不同。
本发明实施例通过在纯净的N2气氛下生长应力释放层中的超晶格阱层，有利于阱中In更好地渗入，为后面的应力释放打好基础；同时在纯净的N2或者 H2和N2的混合气体气氛下生长第一GaN垒层，在H2和N2的混合气体气氛下生长第二GaN垒层，一方面，适量引入的H2能与一些杂质元素反应并将其携带扩散出来，使得GaN垒层在生长的过程中可以适时地缓解应力；另一方面，H2会引起台阶效应，GaN在生长的过程中受到H2择优取向的影响，增加缺陷的填补效应，提高晶体质量，制成的芯片在4000v测试条件下测得抗静电能力提升30％左右。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高亮度LED制备工艺，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述N型GaN层分为高掺N型GaN层和低掺N型GaN层，高掺N型GaN层Si浓度高于低掺N型GaN层Si浓度，高掺N型GaN层与低掺N型GaN层之间插入AlGaN层，高掺N型GaN层由掺杂的nGaN层与未掺杂的uGaN层构成的叠层结构，nGaN层与未掺杂GaN层接触，uGaN层与nGaN层接触。
2.根据权利要求1所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于：所述叠层结构分别包括5-20个nGaN层与uGaN层。
3.根据权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于：所述高掺N型GaN层Si浓度为所述低掺N型GaN层Si浓度的2-4倍。
4.根据权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于：所述高掺N型GaN层与低掺N型GaN层厚度比为2-3:1。
5.根据权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于：所述AlGaN层厚度为高掺N型GaN层厚度的1/20-1/30。
6.根据权利要求1或2所述的高亮度LED制备工艺，其特征在于：所述AlGaN层掺Si，AlGaN层中Si浓度低于高掺N型GaN层中Si浓度，高于低掺N型GaN层中Si浓度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710816673.8A CN107799631B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 高亮度led制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710816673.8A CN107799631B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 高亮度led制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107799631A true CN107799631A (zh) | 2018-03-13 |
| CN107799631B CN107799631B (zh) | 2019-06-25 |
Family
ID=61531825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710816673.8A Active CN107799631B (zh) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 高亮度led制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107799631B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109768141A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-05-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管倒装芯片、其外延片及制备方法 |
| CN114335267A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管 |
| CN116130569A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-05-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种高效发光二极管及制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070090384A1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-26 | Liang-Wen Wu | Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof |
| CN101026217A (zh) * | 2006-02-20 | 2007-08-29 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光装置及其制造方法 |
| CN101212000A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管器件结构及其制作方法 |
| CN105633235A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-06-01 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 |
| CN106328777A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-01-11 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种发光二极管应力释放层的外延生长方法 |
| CN106784183A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
-
2017
- 2017-09-12 CN CN201710816673.8A patent/CN107799631B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070090384A1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-26 | Liang-Wen Wu | Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof |
| CN101026217A (zh) * | 2006-02-20 | 2007-08-29 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光装置及其制造方法 |
| CN101212000A (zh) * | 2006-12-29 | 2008-07-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 发光二极管器件结构及其制作方法 |
| CN105633235A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-06-01 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种n型GaN结构的GaN基LED外延结构及生长方法 |
| CN106328777A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-01-11 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种发光二极管应力释放层的外延生长方法 |
| CN106784183A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109768141A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-05-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管倒装芯片、其外延片及制备方法 |
| CN114335267A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管 |
| CN114335267B (zh) * | 2022-03-14 | 2023-02-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管 |
| CN116130569A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-05-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种高效发光二极管及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107799631B (zh) | 2019-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101485890B1 (ko) | 3족 질화물계 백색 발광 다이오드 및 양자 우물 구조 | |
| US20090206320A1 (en) | Group iii nitride white light emitting diode | |
| US20080191191A1 (en) | Light Emitting Diode of a Nanorod Array Structure Having a Nitride-Based Multi Quantum Well | |
| CN108336198B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| JP2010098336A (ja) | ＧａＮ半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN107799631B (zh) | 高亮度led制备工艺 | |
| CN114927601B (zh) | 一种发光二极管及其制备方法 | |
| CN106876540A (zh) | 一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法 | |
| CN116154072B (zh) | 调控量子阱碳杂质的led外延片及其制备方法、led | |
| CN117410402A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法、Micro-LED芯片 | |
| CN108281519A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN107799632A (zh) | 一种提高led外延层结晶质量的方法 | |
| CN116565097A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
| CN106711297B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片的生长方法 | |
| CN111244233B (zh) | Led制备工艺 | |
| CN109449268B (zh) | 一种降低P型GaN层电阻率的LED外延结构及其生长方法 | |
| JPH0997921A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| CN107546305A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构 | |
| JPH10163523A (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法および発光素子 | |
| JPH0760903B2 (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
| KR20000074844A (ko) | 질화인듐갈륨 활성 우물을 포함하는 양자우물 구조를 이용한백색 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| CN116230824B (zh) | 一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、led芯片 | |
| CN107768493A (zh) | 一种发光效率高的led外延结构的制作方法 | |
| KR100312019B1 (ko) | 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법 | |
| RU2392695C1 (ru) | Светодиод белого свечения на основе нитрида элементов iii группы |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191226 Address after: 239000 No. 101 Suchu Avenue, Chuzhou Economic and Technological Development Zone, Chuzhou City, Anhui Province Patentee after: Chuzhou Huike Photoelectric Technology Co., Ltd. Address before: The New District of Hefei City, Anhui province 230000 nine Top Road and intersection of the northeast corner of Kui he Lu Patentee before: HEFEI HUIKE JINYANG TECHNOLOGY CO., LTD. |