CN107741675A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示装置,显示面板包括:阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括多畴区的像素单元,该像素单元的第二信号线有拐角,阵列基板上的有源层通过第一过孔与第二信号线电连接,其中第一过孔设置在第二信号线拐角处;彩膜基板包括黑矩阵,在黑矩阵对应拐角处设置凸部。本发明可以有效降低显示面板的串扰现象,降低显示面板的漏光风险,提高显示面板的对比度,提升显示装置的良率,提升用户的使用感受。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,更具体地,涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,各类显示器应运而生。液晶显示器因其具有轻薄、环保、高性能等一系列优点,而获得广泛的应用,成为时下显示行业的主流产品。在液晶显示器中,基于边缘场效应(FringeFieldSwitching,FFS)技术的广视角液晶显示器,在传统的平面转换(In-PlaneSwitching,IPS)技术的基础上作出进一步改进,使得显示器在具有宽视角的同时,具有更高的光透过率、因此,FFS显示器成为显示领域研究和开发的热点。
在液晶显示面板的内部结构中,像素单元与显示面板的对比度息息相关,进行像素单元的优化能够进一步提升显示面板的对比度,并且能够改善显示面板的显示效果,进而能够为用户提供更佳的视觉体验。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板与显示装置,提升显示装置的对比度,减少串扰现象,获得更佳的显示效果。
为了解决上述技术问题,本发明提出一种显示面板,其包括阵列基板和彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,所述阵列基板包括第一基板,多条第一信号线和多条第二信号线,其中所述第一信号线和所述第二信号线设置在所述第一基板上靠近所述彩膜基板一侧,相邻的两条所述第一信号线和相邻的两条所述第二信号线交叉限定一个像素单元,在所述像素单元中所述第二信号线至少有一个拐角,所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵层,所述黑矩阵层设置在所述第二基板靠近所述阵列基板的一侧,所述黑矩阵层包括第一黑矩阵与第二黑矩阵,所述第一黑矩阵延伸方向与所述第一信号线延伸方向相同,所述第二黑矩阵延伸方向与所述第二信号线延伸方向相同,所述黑矩阵层覆盖所述第一信号线和所述第二信号线在所述彩膜基板上的正投影,其中对应所述第二信号线拐角处设置的所述第二黑矩阵具有凸部。
可选的,所述阵列基板还包括有源层,所述有源层设置在所述第一基板上靠近所述彩膜基板的一侧,所述有源层包括源极区,所述源极区通过第一过孔与所述第二信号线电连接,所述第一过孔位于所述拐角处。
可选的,所述凸部设置在所述第二黑矩阵的一侧。
可选的,所述凸部设置在所述第二黑矩阵的两侧。
可选的,所述凸部在所述第二基板上的正投影是线段围成的图形或者线段与曲线段围成的图形。
可选的,所述凸部在所述第一黑矩阵延伸方向上的宽度为d1um,所述第二黑矩阵的宽度为d2um,其中d1,d2为正数,且满足1/3d2≤d1≤d2。
可选的,所述像素单元包括像素电极,所述像素单元为多畴结构,所述像素单元中的像素电极梳齿为具有至少一个电极拐角的折线状电极。
可选的,所述像素单元为双畴结构,所述像素电极梳齿为具有一个电极拐角的折线状电极,所述折线状电极由两个直线形子电极构成,所述两个直线形子电极之间具有一预设角度的电极拐角。
可选的,所述有源层包括漏极区,所述漏极区通过第二过孔与所述像素电极电连接。
另一方面,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
与现有技术相比,本发明的显示面板和显示装置,实现了如下的有益效果:
本发明通过改变多畴区的像素单元设计,将第一过孔设置在远离第二过孔的第二信号线拐角位置,有效的减小了第一过孔和第二过孔间的信号串扰现象,同时本发明通过改变对应第二信号线拐角处设置的第二黑矩阵形貌能有效的减少显示装置在暗态下的漏光不良发生率,提升显示装置的对比度,获得更佳的显示效果,提升用户使用感受。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明的一个实施例提供的一种显示面板的截面示意图;
图2为本发明的一个实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图3为图2所示的阵列基板的一种实施方式的局部放大图;
图4为本发明的一个实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图;
图5为图4所示的彩膜基板的一种实施方式的局部放大图;
图6为图4所示的彩膜基板的另一种实施方式的局部放大图;
图7为图4所示的彩膜基板的又一种实施方式的局部放大图;
图8为本发明一种实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本发明的一个实施例提供了一种显示面板,参考图1至图5,图1为本发明的一个实施例提供的一种显示面板的截面示意图,图2为本发明的一个实施例提供的一种阵列基板的结构示意图,图3为图2所示的阵列基板的一种实施方式的局部放大图,图4为本发明的一个实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图,图5为图4所示的彩膜基板的一种实施方式的局部放大图。
该显示面板包括阵列基板10和彩膜基板20,彩膜基板20与阵列基板10相对设置,阵列基板10包括第一基板1,多条第一信号线14和多条第二信号线13,其中第一信号线14和第二信号线13设置在第一基板1上靠近彩膜基板20一侧,相邻的两条第一信号线14和相邻的两条第二信号线13交叉限定一个像素单元18,在像素单元18中第二信号线13至少有一个拐角,彩膜基板20包括第二基板2和黑矩阵层,黑矩阵层设置在第二基板2靠近阵列基板10的一侧,黑矩阵层包括第一黑矩阵24与第二黑矩阵23,第一黑矩阵24延伸方向与第一信号线14延伸方向相同,第二黑矩阵23延伸方向与第二信号线13延伸方向相同,黑矩阵层覆盖所述第一信号线14和第二信号线13在彩膜基板20上的正投影,其中对应第二信号线13拐角处设置的第二黑矩阵23具有凸部231。
继续参照图1,其中显示面板还包括夹持在阵列基板10和彩膜基板20之间的液晶分子3,液晶分子在像素电极(未示出)与公共电极(未示出)产生的电场作用下发生偏转,进而控制穿透过显示面板的光实现显示。其中第二信号线13可以直接设置在第一基板1上也可以间接设置在第一基板1上,比如第二信号线13和第一基板1之间还有其他膜层,在此不做限定,第二黑矩阵23可以直接设置第二基板2上,也可以间接设置在第二基板2上,比如第二黑矩阵23和第二基板2之间还有其他膜层,在此不做限定,诚然在阵列基板1上还可以有其他膜层包括但不限于遮光层,有源层,第一绝缘层,栅极层,第二绝缘层,有机层,第三信号线层,第三绝缘层等,在彩膜基板2上还可以有其他膜层包括但不限于彩色色阻层,平坦层等,因本实施例中对其他膜层变化较小,故不做详述。
本实施例中,可选的,像素单元为多畴结构,像素电极梳齿为具有至少一个电极拐角的折线状电极。其中,所述多畴结构可以为双畴结构、三畴结构、四畴结构或五畴结构,当然,本申请并不仅限于此。其中,双畴结构的像素单元中的像素电极为具有一个电极拐角的折线状电极,三畴结构的像素单元中的像素电极梳齿为具有两个电极拐角的折线状电极,四畴结构或五畴结构以此类推,在此不再赘述。
以双畴结构的像素单元为例,具体地,请参照图3,相邻的两条第一信号线14和相邻的两条第二信号线13交叉限定一个像素单元内有像素电极19,像素电极19的梳齿为具有一个电极拐角的折线状电极,该折线状电极由两个直线形子电极构成,这两个直线形子电极之间具有一预设角度的电极拐角。可选地第一信号线14为栅极线,用于传递栅极信号来控制薄膜晶体管栅极的打开与关闭,第二信号线为数据线,用于控制提供给像素电极预定电压。其中,像素电极19的梳齿延伸方向和第二信号线13的延伸方向相同。阵列基板10还包括有源层15,有源层15设置在第一基板1上靠近彩膜基板2的一侧,有源层包15括源极区151,源极区151通过第一过孔12与第二信号线13电连接,第一过孔12位于第二信号线13的拐角处,第一过孔12暴露源极区151,使第二信号线13与源极区151实现电连接,第一过孔12可以是设置在单个膜层上的通孔,也可以是设置在多个膜层上的通孔叠套形成,在此不做限定,只要能实现第二信号线13与源极区151之间电导通即可。进一步地,有源层还包括漏极区152,漏极区152通过第二过孔16与像素电极19电连接,第二过孔16可以是设置在单个膜层上的通孔,也可以是设置在多个膜层上的通孔叠套形成,在此不做限定,只要能实现像素电极19与漏极区152之间电导通即可。该实施例通过把第一过孔12设置在第二信号线13的拐角处,相对于现有技术增大了第一过孔12与第二过孔16之间的距离,增大了第一过孔12与第二过孔16之间电容串扰的难度,即减小了第一过孔12与第二过孔16之间的电容串扰,可以有效避免该像素单元被意外供电的情况,防止液晶分子意外偏转,减少显示面板漏光现象的发生,提升用户的使用感受。
继续参照图4和图5,其中彩膜基板20上相邻的两条第一黑矩阵24与相邻的两条第二黑矩阵23交叉限定出像素单元28,像素单元28与阵列基板10上的像素单元18相对应,一般像素单元28内包括相应的色阻单元,例如如红色色阻单元,绿色色阻单元,蓝色色阻单元。在多畴像素单元中,由于像素拐角处的电场并非理想的平行电场,因此,当公共电极与像素电极形成的电场驱动液晶分子偏转时,液晶分子的偏转方向也不能达到理想的方向上,进而导致液晶分子对光线的折射发生偏差,使得拐角区域透过率较低,即拐角区域出现黑畴,影响光线的透过率。图5中第二黑矩阵23的凸部231设置在第二黑矩阵23的一侧,凸部231在第二基板2上的正投影是线段围成的图形,凸部231在第一黑矩阵24延伸方向上的宽度为d1um,第二黑矩阵23的宽度为d2um,其中d1,d2为正数,凸部231在第一黑矩阵24延伸方向上的宽度d1定义为凸部231在该方向上最远的两个点之间的距离,第二黑矩阵23的宽度d2定义为垂直第二黑矩阵23延伸的方向上的非拐角处的宽度,且满足1/3d2≤d1≤d2,当实际产品中凸部231的宽度d2难以确认时可以测量第二黑矩阵23的拐角处在第一黑矩阵24延伸方向上的宽度d3,此时d3=d1+d2。发明人经过大量实验发现,当1/3d2≤d1≤d2时,能不影响拐角区域的透过率。本实施例中第一黑矩阵24和第二黑矩阵23可在同一制程中形成,也可以在不同制程中形成,凸部231与第二黑矩阵23在同一制程中形成,不增加制作工艺,不增加生产成本。通过在对应第二信号线13拐角处设置不透光的凸部231,可以在减少串扰的同时降低显示面板的漏光风险。
如图6所示,图6为图4所示的彩膜基板的另一种实施方式的局部放大图,其中凸部231在所述第二基板2上的正投影是线段与曲线段围成的图形,通过设置具有曲线形貌的凸部231,使黑畴区光线过度更均匀,减弱黑畴的影响效果,提高显示品质。
如图7所示,图7为图4所示的彩膜基板的又一种实施方式的局部放大图,其中凸部231设置在第二黑矩阵23的两侧,这种设置的好处是在阵列基板10与彩膜基板20对位发生较大偏差时仍能有效防止阵列基板10上第一过孔12的位置发生漏光,同时把凸部231的宽度分布设置在第二黑矩阵23的两侧能更小的降低凸部231的设置对显示面板透过率的影响。
以上为本发明提供的显示面板,本发明还提出一种显示装置,图8为本申请一种实施例提供的显示装置的结构示意图,本申请提出的显示装置包括本发明中提出的任意一个显示面板100,图8只作为手机的一种示例,并不对本发明的显示装置做任何限定,该显示装置还可以是其他移动通讯设备,可以是具有触控功能的显示装置,也可以是非触控显示装置,而由于该实施例提供的显示装置包含了上述实施例中描述的显示面板,因此,也相应地具有上述显示面板的相关优势,该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
通过上述实施例可知,本发明的显示面板及显示装置,达到了如下的有益效果:
在多畴结构的像素单元中通过把第一过孔设置在第二信号线的拐角处,相对于现有技术增大了第一过孔与第二过孔之间的距离,增大了第一过孔与第二过孔之间产生电容串扰的难度,即减小了第一过孔与第二过孔之间的电容串扰,可以有效避免该像素单元被意外供电的情况,防止液晶分子意外偏转,减少显示面板漏光现象的发生,提升用户的使用感受,同时通过黑矩阵层上凸部的设置可以在不影响显示面板的透过率的情况下进一步降低显示面板的漏光风险,提高显示面板的对比度,提升显示装置的良率,提升用户的使用感受。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板和彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置,
所述阵列基板包括第一基板,多条第一信号线和多条第二信号线,其中所述第一信号线和所述第二信号线设置在所述第一基板上靠近所述彩膜基板一侧,相邻的两条所述第一信号线和相邻的两条所述第二信号线交叉限定一个像素单元,在所述像素单元中所述第二信号线至少有一个拐角;
所述彩膜基板包括第二基板和黑矩阵层,所述黑矩阵层设置在所述第二基板靠近所述阵列基板的一侧,所述黑矩阵层包括第一黑矩阵与第二黑矩阵,所述第一黑矩阵延伸方向与所述第一信号线延伸方向相同,所述第二黑矩阵延伸方向与所述第二信号线延伸方向相同;
所述黑矩阵层覆盖所述第一信号线和所述第二信号线在所述彩膜基板上的正投影,其中对应所述第二信号线拐角处设置的所述第二黑矩阵具有凸部。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括有源层,所述有源层设置在所述第一基板上靠近所述彩膜基板的一侧,所述有源层包括源极区,所述源极区通过第一过孔与所述第二信号线电连接,所述第一过孔位于所述拐角处。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸部设置在所述第二黑矩阵的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸部设置在所述第二黑矩阵的两侧。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸部在所述第二基板上的正投影是线段围成的图形或者线段与曲线段围成的图形。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述凸部在所述第一黑矩阵延伸方向上的宽度为d1um,所述第二黑矩阵的宽度为d2um,其中d1,d2为正数,且满足1/3d2≤d1≤d2。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括像素电极,所述像素单元为多畴结构,所述像素单元中的像素电极梳齿为具有至少一个电极拐角的折线状电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元为双畴结构,所述像素电极梳齿为具有一个电极拐角的折线状电极,所述折线状电极由两个直线形子电极构成,所述两个直线形子电极之间具有一预设角度的电极拐角。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括漏极区,所述漏极区通过第二过孔与所述像素电极电连接。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的显示面板。
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