CN107728834A - 输入检测装置 - Google Patents

Abstract

一种输入检测装置，可以抑制检测灵敏度随着位置而变化。输入检测装置包括：信号配线(TSVR)，具有被供给驱动信号的端部，并在第1方向延伸；多个驱动电极(TL((0)～TL(p))，在与第1方向交叉的第2方向延伸，在第1方向平行地配置；选择驱动电路，从多个驱动电极选择驱动电极，将被选择的驱动电极的端部连接于信号配线；驱动信号电路，向信号配线的端部供给驱动信号；以及多个配线图案(AU)，分别连接于多个驱动电极。与靠近信号配线的端部并连接的驱动电极(TL(p))连接的配线图案(AU)的配线密度比与远离信号配线的端部并连接的驱动电极(TL(0))连接的配线图案(AU)的配线密度小。

Description

输入检测装置

技术领域

本发明涉及一种输入检测装置，特别是具有可以检测外部物体的接近的触摸检测功能的输入检测装置。

背景技术

近几年，作为输入检测装置，被称为所谓触摸面板的具有可以检测外部物体的接近(在下文中也包含接触)的触摸检测功能的输入检测装置受到瞩目。触摸面板安装于显示装置例如液晶显示装置上或与液晶显示装置一体地形成，作为带触摸检测功能显示装置被提供。

存在作为外部物体例如可以使用笔的触摸面板。通过使用笔，例如可以指定较小的区域，或者能够实现手写文字的输入。检测笔的触摸的技术有很多种。作为现有的多种技术中的一种，有电磁感应方式。电磁感应方式可以实现高精度、高笔压检测精度，还可以实现外部物体与触摸面板表面不接触的悬停检测功能，因此作为检测笔的触摸的技术是一种强大的技术。

而且，存在可以实现作为外部物体的手指的检测的检测装置。此时，由于检测对象与笔不同，所以作为检测触摸的技术，采用和电磁感应方式不同的方式。例如，存在检测由手指等的触摸引起的光学变化、电阻值变化或电场变化的方式。这些方式中，检测电场变化的方式例如存在使用电容的电容方式。电容方式具有比较简单的构造，低功耗，所以被用于便携式信息终端等。

电磁感应方式的触摸面板的相关技术例如记载于专利文献1中。

先行技术文献

专利文献

专利文献1 日本特开平10-49301号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在电磁感应方式中，例如，在输入检测装置设置产生磁场的线圈(在下文中也称为磁场产生线圈)和检测磁场的线圈(在下文中也称为磁场检测线圈)。而且，在外部物体即笔内置构成谐振电路的线圈和电容元件。通过磁场产生线圈产生的磁场，笔内的线圈产生感应电压，电容元件被充电。通过磁场检测线圈检测基于电容元件中储存的电荷量在笔内的线圈产生的磁场。由此，可以检测笔是否接近。

为了提取笔接近的位置(区域)，输入检测装置具有配置于互不相同位置的多个磁场产生线圈，通过磁场驱动信号驱动多个磁场产生线圈，使得各个磁场产生线圈在不同的时间产生磁场。由于磁场产生线圈配置于互不相同的位置，所以在俯视图中观察磁场产生线圈和形成磁场驱动信号的驱动信号电路的配置时，存在离驱动信号电路较近的磁场产生线圈和离驱动信号电路较远的磁场产生线圈。由此，从驱动信号电路向离得较远的磁场产生线圈供给驱动信号的信号配线比向离得较近的磁场产生线圈供给驱动信号的信号配线长。由于信号配线变长，信号配线带有的电阻变大，所以在离得较远的磁场产生线圈产生磁场时流经的电流比流经离得较近的磁场产生线圈的电流小。根据流经的电流的大小，磁场产生线圈产生的磁场有强有弱，所以在输入检测装置，不同位置(区域)产生的磁场的强弱不均。即，在检测触摸的面内，产生的磁场随着位置的变化产生强弱变化。

在产生的磁场的强弱随着位置的变化而变化时，笔内的电容元件中储存的电荷量也随着触摸位置的变化而变化。其结果就是，笔内的线圈产生的磁场也因位置的变化产生强弱变化，检测灵敏度因位置的变化而变化，这是不可取的。

专利文件1中，记载了电磁感应方式的触摸面板的相关技术，但是没有公开或意识到检测灵敏度随着位置的变化而变化。

本发明的目的在于提供一种可以抑制检测灵敏度随着位置的变化而变化的输入检测装置。

解决课题的手段

本发明的一个方式所涉及的输入检测装置包括：基板；信号配线，具有与供给驱动信号的驱动信号电路连接的端部，并在基板上的第1方向延伸；多个驱动电极，在基板上的第1方向排列；选择驱动电路，在基于磁场的变化检测外部物体的接近时，将从多个驱动电极中选择的驱动电极的端部连接至信号配线；以及第1配线图案，在俯视下分别与多个驱动电极重叠，并电连接于的驱动电极。其中，与靠近与驱动信号电路连接的信号配线的端部的、驱动电极连接的第1配线图案的配线密度比与远离与驱动信号电路连接的信号配线的端部的、驱动电极连接的第1配线图案的配线密度小。

附图说明

图1的(A)以及(B)为示出显示装置的构成的俯视图以及截面图。

图2的(A)～(C)为示出磁场检测的原理的说明图。

图3的(A)～(C)为示出电场检测的原理的说明图。

图4为示出实施方式1所涉及的显示装置的构成的框图。

图5为示出实施方式1所涉及的模块的构成的俯视图。

图6的(A)以及(B)为为了说明磁场产生期间的动作的俯视图。

图7的(A)以及(B)为示出驱动电路和驱动电极的构成的俯视图。

图8为示出在磁场产生期间流经驱动电极的电流的特性图。

图9的(A)以及(B)为示出实施方式1所涉及的驱动电路和驱动电极的构成的俯视图。

图10为示出实施方式1所涉及的驱动电路和驱动电极的构成的俯视图。

图11为示出实施方式1所涉及的电流路径的组合电阻的构成的图。

图12为示出实施方式1所涉及的路径的组合电阻的构成的图。

图13为示出实施方式1所涉及的模块的构成的俯视图。

图14为示出实施方式1所涉及的时间常数的特性的特性图。

图15为示出实施方式1所涉及的显示装置的截面的截面图。

图16的(A)以及(B)为示出实施方式1所涉及的显示装置的平面的俯视图。

图17的(A)至(C)为示出实施方式2所涉及的显示装置的平面的俯视图。

图18的(A)至(C)为示出实施方式3所涉及的显示装置的平面的俯视图。

图19为示出实施方式3所涉及的显示装置的截面的截面图。

图20为示出实施方式3所涉及的显示装置的截面的截面图。

附图标记说明

1带触摸功能液晶显示装置；2显示区域；3控制装置；AU配线图案；CT连接器；DRVL、DRVR驱动电路；FB2挠性电缆；nLL、nLR、nVL、nVR端部；OP开口部；RL(0)～RL(p)检测电极；S10L、S10R第1开关；S11L、S11R第2开关；SELL、SELR选择电路；SDL、SDR选择驱动电路；TL(0)～TL(p)驱动电极；TPLL、TPLR、TSVL、TSVR信号配线。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。另外，以下公开的内容终归只是一个例子，本领域技术人员在不脱离发明主旨的情况下容易想到的适当的变更当然属于本发明的范围所包含的内容。而且，附图有时为了更清楚地对发明进行说明，与实物相比，示意性地示出各部件的宽、厚、形状等，终归只是一个例子，不是对本发明的解释进行限定。

而且，在本说明书和各附图中，有时给和前面附图中的前述构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记，适当省略其详细说明。在下面的说明中，作为输入检测装置，将带触摸检测功能液晶显示装置作为例子进行了阐述，但是不仅仅局限于此。例如，输入检测装置还可以为带触摸检测功能OLED显示装置，还可以为不具有显示功能的触摸面板等。

实施方式1

在实施方式1中，提供可以检测笔的接触和手指的接触者两者的带触摸检测功能液晶显示装置(在下文中也称为显示装置)。首先，对显示装置的基本构成进行说明，然后，基于该基本构成，对检测笔的触摸的磁场检测(在下文中也称为磁场触摸检测)以及检测手指的触摸的电场检测(在下文中也成为电场触摸检测)的原理进行说明。

<显示装置的基本构成>

图1为示意性地示出显示装置的构成的图。在图1中，1表示显示装置，图1的(A)为示出显示装置1的平面的俯视图，图1的(B)为示出显示装置1的截面的截面图。显示装置1包括：薄膜晶体管(TFT；ThinFilm Transistor)玻璃基板(在下文中也称为绝缘性第1基板或简称为第1基板)TGB；层积于第1基板TGB的层；彩色滤光片CFT；彩色滤光片(Color Filter)玻璃基板(在下文中也称为绝缘性第2基板或简称为第2基板)CGB；层积于第2基板CGB的层。

在图1的(A)中，TL(0)～TL(p)表示由形成于第1基板TGB的第1主面TSF1的层构成的驱动电极。而且，RL(0)～RL(p)表示由形成于第2基板CGB的第1主面CSF1的层构成的检测电极。为了便于理解，在图1的(A)中，分开绘制了第1基板TGB和第2基板CGB，但实际上，如图1的(B)所示，第1基板TGB和第2基板CGB被配置为，使得第1基板TGB的第1主面TSF1和第2基板CGB的第2主面CSF2夹着液晶层相向配置。

第1基板TGB的第1主面TSF1和第2基板CGB的第2主面CSF2之间夹着多个层和液晶层等，但是在图1的(B)中只示出了第1主面TSF1和第2主面CSF2之间夹着的驱动电极TL(0)～TL(n+2)、液晶层以及彩色滤光片CFT。而且，如图1的(A)所示，在第2基板CGB的第1主面CSF1配置多个检测电极RL(0)～RL(p)和偏光片。而且，在图1的(B)中，13表示连接于检测电极RL(n)的单位检测电路。

在本说明书中，如图1的(B)所示，将从第2基板CGB以及第1基板TGB的第1主面CSF1、TSF1一侧观察显示装置1的状态作为俯视图进行说明。在从第1主面CSF1以及TSF1一侧观察的俯视图中，如图1的(A)所示，驱动电极TL(0)～TL(p)在第1基板TGB的第1主面CSF1上，在行方向(横向)延伸，在列方向(纵向)平行地配置。而且，如图1的(A)所示，检测电极RL(0)～RL(p)在第2基板CGB的第1主面CSF1上，在列方向(纵向)延伸，在行方向(横向)平行地配置。

驱动电极TL(0)～TL(p)和检测电极RL(0)～RL(p)之间存在第2基板CGB、液晶层等。所以，驱动电极TL(0)～TL(p)和检测电极RL(0)～RL(p)虽然在俯视图中是交叉的，但是是相互电分离的。由于驱动电极和检测电极之间存在电容，所以在图1的(B)中，将该电容作为电容元件用虚线表示。

驱动电极TL(0)～TL(p)和检测电极RL(0)～RL(p)最好在俯视图中垂直，但是在俯视图中，驱动电极和检测电极斜交也可以。因此，下文的说明中使用的“垂直”应当理解为包括“交叉”。

<磁场检测的原理>

图2为示出磁场检测的原理的说明图。磁场检测的期间由产生磁场的磁场产生期间和检测磁场的磁场检测期间构成。图2的(A)以及(C)示出磁场产生期间时的动作，图2的(B)示出磁场检测期间时的动作。为了方便说明，图2的(A)～(C)示出将图1的(A)旋转90度的状态。

在磁场产生期间，驱动电极TL(0)～TL(p)中的规定的驱动电极间的端部被电连接，向端部被连接的驱动电极供给规定电压(例如接地电压Vs)和磁场驱动信号。例如，将图1所示的驱动电极TL(0)、TL(2)各自的端部中，另一端部在图1的右侧电连接。由此，相互平行配置的驱动电极TL(0)、TL(2)被串联连接。在图1的左侧，向驱动电极TL(0)的一端部供给接地电压Vs，在图1的左侧，向驱动电极TL(2)的一端部供给磁场驱动信号。在此，磁场驱动信号为其电压周期性变化的信号。驱动电极TL(0)、TL(2)构成将该驱动电极夹着的区域(形成的区域)作为内侧的磁场产生线圈，该磁场产生线圈在其内侧产生基于磁场驱动信号的电压变化的磁场。

在图2的(A)中，GX(n-1)表示由驱动电极TL(0)、TL(2)构成的磁场产生线圈，与磁场产生线圈GX(n-1)一样，GX(n)～GX(n+4)分别表示由驱动电极TL(1)、TL(3)～TL(p)构成的磁场产生线圈。

在图2的(A)中，C以及L1表示内置于笔Pen的电容元件和线圈。电容元件C和线圈L1并联连接，形成谐振电路。在磁场产生期间，向磁场产生线圈GX(n-1)～GX(n+3)的各自的一端部供给接地电压Vs。向磁场产生线圈GX(n)的另一端部供给磁场驱动信号CLK。由此，磁场产生线圈GX(n)产生基于磁场驱动信号CLK的电压变化的磁场φ1。笔Pen接近磁场产生线圈GX(n)时，磁场产生线圈GX(n)和线圈L1之间发生电磁耦合，通过磁场φ1在线圈L1产生由互感引起的感应电压，电容元件C被充电。

然后，进入图2的(B)所示的磁场检测期间。在磁场检测期间，用检测电极RL(0)～RL(p)进行磁场的检测。检测电极RL(0)～RL(p)有一对端部。检测电极RL(0)～RL(p)中，规定的检测电极间的另一端部被相互电连接。例如，图1所示的检测电极RL(0)、RL(3)各自的另一端部在图1的上方电连接。由此，平行配置的检测电极RL(0)、RL(3)被串联连接。在磁场检测期间，向检测电极RL(3)的一端部供给规定的电压Vs，检测电极RL(0)的一端部连接于单位检测电路。由此，形成将检测电极RL(0)、RL(3)夹着的区域(形成的区域)作为内侧的磁场检测线圈，通过该磁场检测线圈进行来自笔Pen的磁场的检测。

在图2的(B)中，DY(n-2)表示由检测电极RL(0)、RL(3)构成的磁场检测线圈，同样，DY(n-1)～DY(n+1)表示由检测电极RL(2)～RL(p)构成的磁场检测线圈。在磁场检测期间，向磁场检测线圈DY(n-1)～DY(n+1)各自的一端部供给规定的电压Vs，其各自的另一端部的信号Rx(n-2)～Rx(n+1)被供给至单位检测电路。

如果在磁场产生期间，向电容元件C进行充电，那么在磁场检测期间，线圈L1基于被充电至电容元件C的电荷产生随着谐振电路的谐振频率而变化的磁场φ2。在图2的(B)中，在磁场检测线圈DY(n)的内侧，存在线圈L1的中心(单点划线)。所以，磁场检测线圈DY(n)和线圈L1之间发生电磁耦合并互感，从而在磁场检测线圈DY(n)产生感应电压。其结果就是，磁场检测线圈DY(n)的另一端部的信号Rx(n)随着被充电至电容元件C的电荷量而变化。连接于磁场检测线圈DY(n)的单位检测电路将该信号Rx(n)的变化作为检测信号输出。由此，可以提取笔Pen是否接近(触摸)以及坐标。而且，由于检测信号随着电荷量而变化，所以可以求出距笔Pen的距离。

图2的(C)示出图2的(B)之后进入的磁场产生期间。与图2的(A)不同的是，向磁场产生线圈GX(n+1)供给磁场驱动信号CLK。由于笔Pen的位置不变化，所以在图2的(C)所示的磁场产生期间，在线圈L1不产生感应电压，容量元件C不被充电。由此，在图2的(C)之后进入的磁场检测期间，检测出笔Pen没有接近。之后，同样地，进行笔Pen的检测。

<电场检测的原理>

图3为示出电场检测的原理的说明图。在图3的(A)中，12-0～12-p分别表示输出电场驱动信号的单位驱动电路，13-0～13-p分别表示单位检测电路。而且，在图3的(A)中，实线的○围住的脉冲信号表示向驱动电极TL(2)供给的电场驱动信号Tx(2)的波形。作为外部物体，示出手指FG。

如图3的(B)所示，向驱动电极TL(2)供给电场驱动信号Tx(2)时，在驱动电极TL(2)和与该驱动电极TL(2)垂直的检测电极RL(n)之间产生电场。此时，如果手指FG触摸驱动电极TL(2)附近，在手指FG和驱动电极TL(2)之间也产生电场，在驱动电极TL(2)和检测电极RL(n)之间产生的电场减弱。由此，驱动电极TL(2)和检测电极RL(n)之间的电荷量减少。如图3的(C)所示，其结果就是，响应于驱动信号Tx(2)的供给而产生的电荷量在手指FG触摸时与不触摸时相比减少ΔQ。电荷量的差表现为电压的差，被供给至单位检测电路13-n，作为检测信号被输出。

其他的驱动电极也是一样，通过供给电场驱动信号，基于手指FG触摸与否的信号的电压变化产生于检测电极RL(0)～RL(p)，作为检测信号被输出。由此，可以提取手指FG是否触摸以及坐标。

如上所述，在磁场检测的时候，向驱动电极TL(0)～TL(p)中被选择的驱动电极供给磁场驱动信号，在电场检测的时候，向被选择的驱动电极供给电场驱动信号。另一方面，显示的时候，向驱动电极TL(0)～TL(p)供给显示驱动信号。通过显示驱动信号，使驱动电极TL(0)～TL(p)各自变为相同电压，所以可以将驱动电极TL(0)～TL(p)看作1个公共电极。

<显示装置的整体构成>

图4为示出实施方式1所涉及的显示装置1的构成的框图。在图4中，显示装置1包括：显示面板(液晶面板)；控制装置3；栅极驱动器4；触摸控制装置5。而且，显示装置1包括：选择驱动电路SDL、SDR；检测电路DET。显示面板包括：进行显示的显示区域(显示部)；周边区域(周边部)。从显示的观点来看，显示区域为活跃区域，包围显示区域的周边区域为非活跃区域。在图4中，2表示显示区域。

显示区域2具有将多个像素配置为矩阵状的像素阵列。在像素阵列配置多条信号线、多个驱动电极、多条扫描线以及多个检测电极。参照图4，在像素阵列，信号线SL(0)～SL(p)在纵向(列方向)延伸，在横向(行方向)平行地配置。而且，驱动电极TL(0)～TL(p)在横向延伸，在纵向平行地配置。而且，扫描线在横向延伸，在纵向平行地配置，检测电极在纵向延伸，在横向平行地配置。此时，像素配置于由相关的多条信号线和多条扫描线交叉形成的空间内。在显示的期间(显示期间)，通过信号线和扫描线，像素被选择，向被选中的像素施加当时的信号线的电压和驱动电极的电压，进行基于信号线和驱动电极之间的电压差的显示。

控制装置3接收向外部端子Tt供给的定时信号和向输入终端Ti供给的图像信息，在显示期间，基于图像信息形成图像信号，将其供给至多条信号线SL(0)～SL(p)。而且，控制装置3接收向外部端子Tt供给的定时信号和来自触摸控制装置5的控制信号SW，形成各种信号。在图4中，在通过控制装置3形成的信号中，只画出作为代表而说明所必须的信号。即，控制装置3形成同步信号TSHD以及控制信号CNTL、CNTR。而且，没有特别的限定，控制装置3形成驱动信号TPL、TSV。即，控制装置3包含形成驱动信号TPL、TSV的驱动信号电路6。

同步信号TSHD为用于识别在显示区域2进行显示的显示期间和进行触摸检测(磁场触摸检测以及电场触摸检测)的触摸检测时间的同步信号。控制装置3通过该同步信号TSHD对触摸控制装置5进行控制，使触摸控制装置5在触摸检测时间进行工作。

栅极驱动器4在显示时根据来自控制装置3的定时信号形成扫描线信号Vs0～Vsp，将其供给至显示区域2内的扫描线。在显示期间，与被供给高电平的扫描线信号的扫描线连接的像素被选择，被选择的像素根据当时向信号线SL(0)～SL(p)供给的图像信号进行显示。

检测电路DET在磁场触摸检测以及电场触摸检测的时候，检测检测电极RL(0)～RL(p)的信号变化，将其作为检测信号Rx(0)～Rx(p)输出。

触摸控制装置5接收检测信号Rx(0)～Rx(p)，提取被触摸的位置的坐标，将其从外部端子To输出。而且，触摸控制装置5在输出控制信号SW的同时，接收同步信号TSHD，与显示控制装置3同步地工作。

显示区域2具有与像素阵列的行平行的边2-U、2-D和与像素阵列的列平行的边2-R、2-L。在此，边2-U、2-D为相对的边，在这2条边之间配置有像素阵列上的多个驱动电极和多条扫描线。而且，边2-R、2-L也为相对的边，在这2两条边之间配置有像素阵列上的多条信号线和多个检测电极。

选择驱动电路SDL、SDR具有选择电路SELL、SELR以及驱动电路DRVL、DRVR。选择电路SELL、SELR基于控制信号CNTL、CNTR，在磁场触摸检测以及电场触摸检测时，形成从驱动电极TL(0)～TL(p)中选择驱动电极的选择信号。

在图4中，TPLL、TPLR以及TSVL、TSVR分别表示信号配线。信号配线TPLL、TSVL沿显示区域2的边2-L延伸，贯穿驱动电路DRVL。同样，信号配线TPLR、TSVR沿显示区域2的边2-R延伸，贯穿驱动电路DRVR。驱动电路DRVL对应于选择电路SELL，在磁场触摸检测以及电场触摸检测时，将基于来自选择电路SELL的选择信号指定的驱动电极连接至信号配线TPLL或信号配线TSVL。同样，驱动电路DRVR对应于选择电路SELR，在磁场触摸检测以及电场触摸检测时，将基于来自选择电路SELR的选择信号指定的驱动电极连接至信号配线TPLR或信号配线TSVR。

向信号配线TPLL、TPLR以及信号配线TSVL、TSVR各自的端部供给由控制装置3所具有的驱动信号电路6形成的驱动信号TPL、TSV。在后文中会进行详细的说明，在磁场触摸检测时，在信号配线TPLL、TPLR以及信号配线TSVL、TSVR中传播的驱动信号TPL、TSV经由驱动电路DRVL、DRVR被供给至被选择的驱动电极，产生磁场。而且，在磁场触摸检测时，在信号配线TPLL、TPLR中传播的驱动信号TSV经由驱动电路DRVL、DRVR被供给至被选择的驱动电极，产生电场。而且，在本说明书中，有时也将信号配线TPLL、TPLR称为第1信号配线(或第2信号配线)，将信号配线TSVL、TSVR称为第2信号配线(或第1信号配线)。

<显示装置1的模块构成>

图5为示意性地示出安装了显示装置1的模块500的整体构造的俯视图。虽然是示意性的，图5也是按照实际配置进行绘制的。在该图中，501表示图1所示的第1基板TGB的区域，502表示第1基板TGB和第2基板CGB层积的区域。在模块500中，第1基板TGB在区域501和区域5502中是一体的。而且，区域502中，以使得第1基板的第1主面TSF1和第2基板CGB的第2主面CSF2相向的方式，在第1基板TGB上搭载第2基板CGB。在图5中，500-U、500-D表示模块500的短边，500-L、500-R表示模块500的长边。

在区域502且是显示区域2的边2-L和模块500的长边500-L之间的区域，配置图4所示的栅极驱动器4、选择驱动电路SDL。在显示区域2的边2-R和模块500的长边500-R之间的区域，配置图4所示的选择驱动电路SDR。在显示区域2的边2-D和模块500的短边500-D之间的区域，配置图4所示的检测电路DET以及控制装置3。检测电路DET由形成于区域501的第1基板TGB的第1主面TSF1的配线以及部件构成。以在俯视下控制装置3覆盖检测电路DET的方式，控制装置3安装于第1基板TGB。而且，构成选择驱动电路SDL、SDR的配线和部件也形成于区域502中的第1基板TGB的第1主面TSF1。

在图4中说明的检测信号Rx(0)～Rx(p)通过挠性电缆FB1内的配线被供给至触摸控制装置5。与区域501连接有挠性电缆FB2，通过设置于该挠性电缆FB2的连接器CN进行触摸控制装置5和控制装置3之间的信号的发送和接收。

如上所述。在显示区域2，存在将多个像素排列为矩阵状的像素阵列，具有沿像素阵列的行配置的多个驱动电极TL(0)～TL(p)以及扫描线、沿像素阵列的列配置的多条信号线SL(0)～SL(p)和多个检测电极RL(0)～RL(p)。图5中，作为例子，示出2个驱动电极TL(n)、TL(m)和2条信号线SL(k)、SL(n)和3个检测电极RL(n-2)～RL(n)。在图5中，横向为像素阵列的行方向，纵向为像素电极的列方向。因此，例示的驱动电极TL(n)、TL(m)在横向延伸，在纵向平行地配置。而且，例示的信号线SL(k)、SL(n)在纵向延伸，在横向平行配置。例示的检测电极RL(n-2)～RL(n)分别在纵向延伸，在横向平行地配置。另外，在图5中省略了扫描线，扫描线与例示的驱动电极TL(n)、TL(m)平行地延伸。

而且，在图5中，将像素阵列表示为虚线PDM，将配置于像素阵列PDM的多个像素中，配置于显示区域2的4个角的像素和配置于与例示的驱动电极以及信号线的交叉部的像素区域表示为Pix。

图4所示的信号配线TPLL、TSVL分别在模块500的长边500-L和显示区域2的边2-L之间的区域纵向(像素阵列的列方向)延伸。同样，信号配线TPLR、TSVR分别在模块500的长边500-R和显示区域2的边2-R之间的区域纵向(像素阵列的列方向：第1方向)延伸。将驱动电极TL(0)～TL(p)的延伸方向即横向作为第2方向时，信号线SL(0)～SL(p)、检测电极RL(0)～RL(p)以及信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR在与该第2方向垂直(包含交叉)的第1方向延伸。此时，省略掉的扫描线沿第2方向延伸。

图4示出控制装置3形成驱动信号TPL、TSV的例子，但是不是仅仅局限于此，也可以由其他的电路块等形成。由其他的电路块形成时，例如，信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR在第1基板TGB的第1主面TSF1上，连接于挠性电缆FB2内的配线，并连接于其他电路块。在图5中，控制装置3上示出的虚线表示由其他的电路块形成驱动信号TPL、TSV的情况。即，在传递由其他的电路块(驱动信号电路)形成的驱动信号的信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR中，被控制装置3覆盖的部分表示为虚线。

<磁场产生期间的概要>

用图2对使用驱动电极进行磁场检测时的原理进行说明。为了便于理解，图2示出通过将驱动电极间电连接来构成磁场产生线圈的例子。本发明的发明人等考虑到不将驱动电极间电连接就产生磁场的构成，将其适用于显示装置1。在对显示装置1进行更具体的说明之前，先对本发明的发明人等考虑的磁场产生进行说明。

图6为用于说明磁场产生期间的动作的俯视图。在图6中，TL(n-4)～TL(n+5)表示驱动电极。驱动电极TL(n-4)～TL(n+5)配置为在俯视下相互平行，各个驱动电极具有一对端部n1、n2。在此，驱动电极TL(n-4)～TL(n+5)各自的一端部n1沿显示区域2的边2-L配置，驱动电极TL(n-4)～TL(n+5)各自的另一端部n2沿显示区域2的边2-R配置。

在此，将检测在驱动电极TL(n)的区域笔Pen(图2)是否接触的磁场触摸检测的期间(在下文中也称为磁场触摸检测期间)作为例子进行说明。在该磁场触摸检测期间，在磁场产生期间，驱动驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)以及驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)，以使得图6的(A)所示的驱动状态和图6的(B)所示的驱动状态产生包括一次在内的多次。

在磁场产生期间，在俯视下，在其中间夹着产生磁场的驱动电路TL(n)的区域配置的一对驱动电极被选择，以使得流经被选择的一对驱动电极的电流的方向相反的方式，驱动驱动电极。在图6中，在俯视下，将相邻的3个驱动电极作为束，束的驱动电极(在下文中也称为束驱动电极)用作构成对的驱动电极。即，将驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)作为束，构成束驱动电极，将驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)作为束，构成束驱动电极。

在图6的(A)中，向驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)的一端部n1供给接地电压这样的第1电压Vs，向其另一端部n2供给比第1电压Vs大绝对值的第2电压Vd。由此，从另一端部n2流向一端部n1方向的电流I1流经各个驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)。其结果就是，由驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)构成的束驱动电极产生图6的(A)中用虚线表示的方向的磁场φ11。此时，在驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)中，向其一端部n1供给第2电压Vd，向其另一端部n2供给第1电压Vs。由此，从一端部n1流向另一端部n2的电流I2流经各个驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)。其结果就是，由驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)构成的束驱动电极产生图6(A)中用虚线表示的方向的磁场φ12。

由于电流I1和电流I2方向相反，所以各个束驱动电极产生的磁场φ11、φ12的方向也相反，在驱动电极TL(n)的区域重叠，所以在该驱动电极TL(n)的区域，可产生强磁场。

在图6的(B)中，向束驱动电极供给的电压与图6的(A)的相反。即，向驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)的一端部n1供给第2电压Vd，向其另一端部n2供给第1电压Vs。此时，向驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)的一端部n1供给第1电压Vs，向其另一端部n2供给第2电压Vd。由此，流经驱动电极TL(n-3)～TL(n-1)的电流的方向与图6的(A)时的电流方向相反，变成电流I2。由此，产生的磁场的方向也相反，产生虚线表示的方向的磁场φ12。同样，流经驱动电极TL(n+1)～TL(n+3)的电流的方向翻转，磁场的方向也翻转，变成虚线表示的磁场φ11。其结果就是，在驱动电极TL(n)的区域，磁场φ11、φ12重叠，产生强磁场。

由此，即使不将驱动电极间电连接，也可以在所期望的驱动电极的区域产生强磁场。另外，在图6中，用0表示第1电压Vs，用+表示第2电压Vd

通过在磁场产生期间产生的磁场，在笔Pen的电容元件储存电荷，在磁场检测期间，通过磁场检测线圈检测笔Pen产生的磁场，这与之前用图2说明过的内容相同。

<驱动电极以及选择驱动电路SDL、SDR的构成>

在磁场产生期间，如用图6说明那样，向被选择的驱动电极的端部n1、n2交替供给第1电压Vs和第2电压Vd，通过选择电路SELL、SELR对图4所示的驱动电路DRVL、DRVR进行控制。此时，控制装置3向第1信号配线TPLL、TPLR各自的端部供给具有第1电压Vs的驱动信号TPL，向第2信号配线TSVL、TSVR各自的端部供给具有第2电压Vd的驱动信号TSV。

驱动电路DRVL可以由连接于各个驱动电极的一端部n1和第1信号配线TPLL之间的多个第1开关和连接于各个驱动电极的一端部n1和第2信号配线TSVL之间的多个第2开关构成。此时，通过来自对应的选择电路SELL的选择信号，第1开关或第2开关变为接通状态(导通状态)。由此，可以向被选择的驱动电极的一端部n1供给第1电压Vs或第2电压Vd。同样，驱动电路DRVR也可以由连接于各个驱动电极的另一端部n2和第1信号配线TPLR之间的多个第1开关和连接于各个驱动电极的另一端部n2和第2信号配线TSVR之间的多个第2开关构成。通过来自对应的选择电路SELR的选择信号对构成驱动电路DRVR的多个第1开关和第2开关进行开关控制，从而向被选择的驱动电极的另一端部n2供给第2电压Vd或第1电压Vs。

本发明的发明人等首先想到将各个驱动电极TL(0)～TL(p)设定为相同的形状，以使它们具有相同的电阻值。而且还想到，使上述第1开关和第2开关也具有相同的尺寸。由此，在俯视下，在图5所示的显示区域2，可以重复(周期性)配置相同形状的驱动电极。而且，由于第1开关以及第2开关的尺寸也相同，所以可以通过重复配置相同形状的开关，构成驱动电路DRVL、DRVR。

图7为示出如上述构成的驱动电路DRVL、DRVR和驱动电极的构成的俯视图。为了避免附图变得复杂，在显示区域2，将边2-U和边2-D之间纵向平行配置的多个驱动电极TL(0)～TL(p)分开绘制在图7的(A)和(B)中。在此，在图7的(A)中示出靠近边2-U一侧的驱动电极TL(0)～TL(n)，在图7的(B)中示出靠近边2-D一侧的驱动电极TL(n+1)～TL(p)。通过将图7的(A)放在图7的(B)的上面，完成驱动电极TL(0)～TL(p)的俯视图。

在图7的(A)以及(B)中，连接于第1信号配线TPLL和驱动电极TL(0)～TL(p)各自的一端部n1之间的开关相当于构成驱动电路DRVL的第1开关S10L。而且，连接于第2信号配线TSVL和驱动电极TL(0)～TL(p)各自的一端部n1之间的开关相当于构成驱动电路DRVL的第2开关S11L。同样，在图7的(A)以及(B)中，连接于第1信号配线TPLR和驱动电极TL(0)～TL(p)各自的另一端部n2之间的开关相当于构成驱动电路DRVR的第1开关S10R。而且，连接于第2信号配线TSVR和驱动电极TL(0)～TL(p)各自的另一端部n2之间的开关相当于构成驱动电路DRVR的第2开关S11R。另外，在图7中，只对一部分第1开关以及第2开关标注附图标记S10L、S11L、S10R、S11R。

在图7的(A)以及(B)中，nVL、nVR表示第2信号配线TSVL、TSVR的端部，nLL、nLR表示第1信号配线TPLL、TPLR的端部。如图5所示，控制装置3以及挠性电缆FB2配置于显示区域2的边2-D一侧，端部nLL、nLR、nVL、nVR连接于控制装置3所包含的驱动信号电路6(图4)或配置于挠性电缆FB2的电路块。因此，在俯视下，按照图7所示的从驱动电极TL(0)到驱动电极TL(p)的顺序，离控制装置3和挠性电缆FB2越来越近。例如，图7的(A)所示的驱动电极TL(0)配置于离控制装置3和挠性电缆FB2最远的位置，图7的(B)所示的驱动电极TL(p)配置于离控制装置3和挠性电缆FB2最近的位置。

在磁场产生期间，控制装置3通过驱动信号电路6向第2信号配线TSVL、TSVR的端部nVL、nVR供给具有第2电压Vd的驱动信号TSV，向第1信号配线TPLL、TPLR的端部nLL、nLR供给具有第1电压Vs的驱动信号TPL。

在图7的(A)中示出在靠近边2-U一侧的驱动电极TL(4)的区域产生磁场时的第1开关S10L、S10R以及第2开关S11L、S11R的状态。与此相对，在图7的(B)中示出在靠近边2-D一侧的驱动电极TL(p-4)的区域产生磁场时的第1开关S10L、S10R以及第2开关S11L、S11R的状态。

在图7中，在信号配线TSVL、TSVR、TPLL、TPLR上示出的R是将各条信号配线所带有的电阻成分作为分布常数的电阻示出。为了避免附图变得复杂，附图标记R也只给一部分电阻标注。

如图7的(A)所示，在驱动电极TL(4)的领域产生磁场时，连接于驱动电极TL(1)～TL(3)的端部n1、n2的第1开关S10L、第2开关S11R变成接通状态，连接于驱动电极TL(5)～TL(7)的端部n1、n2的第2开关S11L、第1开关S10R变成接通状态。由此，驱动电极TL(1)～TL(3)中流经在驱动电极TL(2)例示那样的方向的电流I1F，驱动电极TL(5)～TL(7)中流经在驱动电极TL(6)例示那样的方向的电流I2F，在驱动电极TL(4)的区域产生磁场。

同样，如图7的(B)所示，在驱动电极TL(p-4)的领域产生磁场时，连接于驱动电极TL(p-7)～TL(p-5)的端部n1、n2的第1开关S10L、第2开关S11R变成接通状态，连接于驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)的端部n1、n2的第2开关S11L、第1开关S10R变成接通状态。由此，在驱动电极TL(p-7)～TL(p-5)中流经在驱动电极TL(p-6)例示那样的方向的电流I1N，在驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)中流经在驱动电极TL(p-2)例示那样的方向的电流I2N，在驱动电极TL(p-4)的区域产生磁场。

在驱动电极TL(p-4)的区域产生磁场时，由于驱动电极TL(p-7)～TL(p-5)以及驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)在俯视下靠近并连接于被供给驱动信号TPL、TSV的信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部nLL、nLR、nVL、nVR，所以连接于这些驱动电极的端部n1、n2和信号配线的端部之间的电阻R变小。所以，在磁场产生期间，与流经端部nLL、nLR、nVL、nVR的电流I1NL、I1NR、I2NL、I2NR数值大致相同的电流作为电流I1N、I2N流经这些驱动电极。与此相对，在驱动电极TL(4)的区域产生磁场时，由于驱动电极TL(1)～TL(3)以及驱动电极TL(5)～TL(7)在俯视下远离并连接于信号配线的端部nLL、nLR、nVL、nVR，所以连接于这些驱动电极的端部n1、n2和信号配线的端部之间的电阻R变大。所以，在磁场产生期间，比流经端部nLL、nLR、nVL、nVR的电流I1NL、I1NR、I2NL、I2NR小值的电流作为电流I1F、I2F流经这些驱动电极。

即，供给驱动信号的信号配线的长度随着从具有驱动信号电路6的控制装置3以及挠性电缆FB2到驱动电极的距离而改变，从驱动信号电路6到驱动电极的信号配线越长，信号线带有的电阻R越大。

流经驱动电极TL(1)～TL(3)以及驱动电极TL(5)～TL(7)的电流比流经驱动电极TL(p-7)～TL(p-5)以及驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)的电流小，所以由驱动电极TL(1)～TL(3)以及驱动电极TL(5)～TL(7)产生的磁场比由TL(p-7)～TL(p-5)以及驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)产生的磁场弱。其结果就是，在驱动电极TL(4)的区域产生的磁场比在驱动电极TL(p-4)的区域产生的磁场弱。即，由在在俯视下离连接于驱动信号电路6的端部nLL、nLR、nVL、nVR较远的位置连接的驱动电极产生的磁场比由在离端部nLL、nLR、nVL、nVR较近的位置连接的驱动电极产生的磁场弱。换言之，在俯视下，由在离配置驱动信号电路6的控制装装置3以及挠性电缆FB2较远的位置配置的驱动电极产生的磁场比由在较近的位置配置的驱动电极产生的磁场弱。

图8为示出在磁场产生期间流经驱动电极的电流的值的特性图。图8为本发明的发明人等进行测定制成的特性图。在图8中，横轴表示驱动电极的位置，近端表示靠近被供给驱动信号TPL、TSV的端部nLL、nLR、nVL、nVR配置的驱动电极TL(p)，远端表示远离端部nLL、nLR、nVL、nVR配置的驱动电极TL(0)。按照从驱动电极TL(p)到驱动电极TL(0)的顺序，逐渐远离信号配线的端部地配置。图8的纵轴表示流经驱动电极的电流的值。从图8可以看出，在磁场产生期间，从近端到远端，流经驱动电极的电流逐渐变小。而且，根据本发明的发明人等的测定结果，流经近端的驱动电极的电流的值相对于流经远端的驱动电极的电流为约3倍的值。

流经驱动电极的电流的值从近端向远端逐渐变小时，产生的磁场也从近端向远端逐渐变弱。因此，在磁场产生期间，笔Pen的电容元件中储存的电荷量也随着触摸位置而变化。其结果就是，在磁场检测期间，由磁场检测线圈检测的变化量也变化，检测灵敏度因位置不同而产生差异。例如，可考虑到在图4所示的触摸控制装置5中，通过调整接收的检测信号Rx(0)～Rx(p)，减少检测灵敏度的差异，使其对位置恒定，但是，如图8所示，流经驱动电极的电流有3倍之差，产生的磁场变化比较大，所以进行调整使得灵敏度恒定比较难。

图9为示出实施方式1所涉及的驱动电路DRVL、DRVR和驱动电极的构成的俯视图。为了避免附图变得复杂，和图7一样，在图9的(A)中示出在俯视下远离被供给驱动信号TPL、TSV的信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部nLL、nLR、nVL、nVR配置的驱动电极TL(0)～TL(n)以及对应的驱动电路。而且，在图9的(B)中示出在俯视下靠近信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部nLL、nLR、nVL、nVR配置的驱动电极TL(n+1)～TL(p)以及对应的驱动电路。通过将图9的(A)放在图9的(B)的上面，完成在显示区域2的边2-U和边2-D之间纵向平行配置的驱动电极TL(0)～TL(p)及其对应的驱动电路DRVL、DRVR的俯视图。另外，完成后的俯视图是按照实际的配置绘制的。

和图7的(A)一样，图9的(A)示出如下状态：连接于驱动电极TL(1)～TL(3)的第1开关S10L以及第2开关S11R为接通状态，并且连接于驱动电极TL(5)～TL(7)的第2开关S11L以及第1开关S10R为接通状态，以使得在驱动电极TL(4)的区域产生磁场。而且，和图7的(B)一样，图9的(B)示出如下状态：连接于驱动电极TL(p-7)～TL(p-5)的第1开关S10L以及第2开关S11R为接通状态，并且连接于驱动电极TL(p-3)～TL(p-1)的第2开关S11L以及第1开关S10R为接通状态，以使得在驱动电极TL(p-4)的区域产生磁场。

与图7不同，在本实施方式1中，在俯视下，针对各个驱动电极TL(0)～TL(p)，具有规定图案形状且具有导电性的配线图案AU以与各个驱动电极叠加(重叠)的方式相向，并电欧姆接触。配线图案AU在图9中用单点划线表示，与驱动电极TL(0)～TL(p)一样，在横向(行方向)延伸，在纵向(列方向)平行配置。在图9，只画出连接于驱动电极TL(0)、TL(1)、TL(n)、TL(n+1)、TL(p-1)、TL(p)的配线图案AU，在各个驱动电极TL(0)～TL(p)连接多个配线图案AU，连接于驱动电极的配线图案AU的个数从驱动电极TL(0)向驱动电极TL(p)去逐渐减少。

对图9所示的配线图案AU进行说明，连接于靠近显示区域2的边2-U配置的驱动电极TL(0)的配线图案AU的个数最多，连接于靠近边2-D配置的驱动电极TL(p)的配线图案AU的个数最少。连接于配置于显示区域2的边2-U和边2-D之间的驱动电极(例如TL(n))的配线图案AU的个数为介于连接于驱动电极TL(0)的配线图案AU的个数和连接于驱动电极TL(p)的配线图案AU的个数之间的个数。

即，从在离被供给驱动信号TPL、TSV的信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部nLL、nLR、nVL、nVR较远的位置连接的驱动电极TL(0)开始向在离这些端部nLL、nLR、nVL、nVR较近的位置连接的驱动电极TL(p)去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数逐渐减少。

由于配线图案AU具有导电性，所以通过与驱动电极连接，作为减小驱动电极的组合电阻的辅助电极发挥作用。因此，即使驱动电极TL(0)～TL(p)具有彼此相同的电阻值，由于从驱动电极TL(0)向驱动电极TL(p)去所连接的配线图案AU的个数逐渐减少，所以从驱动电极TL(0)向驱动电极TL(p)去，组合电阻的值逐渐增大。即，在俯视下，从远离信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部nLL、nLR、nVL、nVR连接的驱动电极TL(0)向靠近端部nLL、nLR、nVL、nVR连接的驱动电极TL(p)去，驱动电极的组合电阻逐渐增大。

如上所述，虽然从靠近端部nLL、nLR、nVL、nVR的位置向远离的位置去，信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR所具有的电阻R逐渐增加，但是驱动电极的组合电阻从远离端部nLL、nLR、nVL、nVR的位置向接近的位置去，逐渐变大。其结果就是，可以减小在靠近端部nLL、nLR、nVL、nVR连接的驱动电极(例如，TL(p))中产生磁场时形成的电流路径中组合电阻和在远离端部nLL、nLR、nVL、nVR连接的驱动电极(例如，TL(0))中产生磁场时形成的电流路径中组合电阻的差。由此，在磁场产生期间，可以减小流经靠近端部连接的驱动电极TL(p)的电流和流经远离端部连接的驱动电极TL(0)的电流的差，可以使产生的磁场的强弱相同。

由于可以产生强度不因俯视下距端部nLL、nLR、nVL、nVR的距离而变化的磁场，所以可以减轻检测敏感度因位置而变化。驱动电极TL(0)～TL(p)具有彼此相同的平面形状。在图6已经说明，磁场触摸检测时，在俯视下，在夹在产生磁场的驱动电极间的驱动电极的区域产生强磁场。通过使各个驱动电极的平面形状相同，可以防止产生强磁场的区域范围因在显示区域中的位置而变化，可以防止磁场触摸检测的分辨率因位置而变化。

<驱动电极以及选择驱动电路SDL、SDR的详细构成>

图10为示出实施方式1所涉及的驱动电极以及驱动电路的构成的俯视图。图10为从图9所示的驱动电极TL(0)～TL(p)省去驱动电极TL(9)～TL(p-1)的俯视图。图10中还省略了对应于被省略的驱动电极的驱动电路。虽然省略了驱动电极和对应的驱动电路，附图中示出的驱动电极、信号配线等是按照实际的配置进行绘制的。

而且，在图9中，作为信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部而示出nLL、nLR、nVL、nVR，在图10中，设置于挠性电缆FB2(参照图5)的其他电路块7的输出连接至信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部。在图5已经说明过，其他电路块7形成驱动信号TPL、TSV时，没有特别限制，信号配线的一部分在俯视下被控制装置3覆盖。在此，作为其他电路块7，有时说明使用形成第1电压Vs和第2电压Vd的电源电路。

在图10中，与驱动电极欧姆接触的配线图案AU用单点划线表示。为了避免附图变得复杂，在图10中，只给连接于驱动电极TL(0)、TL(p)的多个配线图案中的1个配线图案标注附图标记AU。

没有特别的限制，在图10中，在驱动电极TL(0)、TL(1)分别平行连接8个配线图案AU，在驱动电极TL(2)、(3)分别平行连接7个配线图案AU，在驱动电极TL(4)～TL(6)分别平行连接6个配线图案AU。而且，在驱动电极TL(7)、TL(8)分别平行连接3个配线图案AU，在驱动电极TL(p)连接2个配线图案AU。当然，连接于各个驱动电极的配线图案AU的个数不仅仅局限于该个数，只要从显示区域2的边2-U向边2-D去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数减少即可。而且，如图10所示，也可以在相邻的驱动电极连接相同个数的配线图案AU。而且，在离边2-D最近的驱动电极也可以不连接配线图案AU。

在图10中，连接于驱动电极TL(0)～TL(8)的第1开关S10L、S10R以及第2开关S11L、S11R为和图9的(A)所示的状态相同的状态。是图6的(A)所示的驱动状态，省略其详细的说明，由驱动电极TL(1)～TL(3)形成的束驱动电极所产生的磁场和由驱动电极TL(5)～TL(7)形成的束驱动电极所产生的磁场在驱动电极TL(4)重叠，产生强磁场。

由于多个配线图案AU与驱动电极TL(0)～TL(8)、TL(p)分别欧姆接触，所以驱动电极和配线图案AU为并联连接状态。因此，驱动电极的组合电阻为驱动电极的电阻和配线图案AU的电阻组合的值。在图10中，驱动电极TL(6)的组合电阻表示为附图标记RT(6)。而且，在图10中，RTR表示第1开关或第2开关为接通状态时的导通电阻。

和图9相同，在图10中，R表示将信号配线TSVL、TSVR、TPLL、TPLR带有的电阻作为分布常数电阻分量示出的电阻。而且，在图10中，RD表示信号配线TSVL、TSVR、TPLL、TPLR的引出部分的电阻，RP表示安装电阻和源阻抗。如图4所示，信号配线TSVL、TSVR、TPLL、TPLR具有：显示区域2的边2-L、2-R和模块500的长边500-L、500-R之间的区域延纵向延伸的部分；将该纵向延伸的部分和挠性电缆FB2的端部连接的引出部分。该引出部分的电阻在图10中用附图标记RD表示。而且，具备包含将挠性电缆FB2安装于区域501(图5)时产生的电阻等在内的安装电阻和电源电路的源阻抗的电阻在图10中表示为电阻RP。

<磁场产生期间的组合电阻的构成>

图11为示出磁场触摸检测时由被选择的驱动电极形成的电流路径的组合电阻的构成的图。在该图中示出，形成于远端的电流路径和形成于近端的电流路径的组合电阻的构成。在此，形成于远端的电流路径表示在俯视下远离挠性电缆FB2配置的驱动电极(例如，TL(0))被选择，由被选择的驱动电极TL(0)形成的电流路径。而且，形成于近端的电流路径表示，靠近挠性电缆FB2配置的驱动电极(例如，TL(p))被选择，由被选择的驱动电极TL(p)形成的电流路径。

在图11中，作为形成于近端的电流路径，示出近端和调整后近端2种。在图11中如下情况：调整后近端以及远端如图9、图10所示那样，连接配线图案AU，以使得从远离挠性电缆FB2(或信号配线的端部)连接的驱动电极向靠近连接的驱动电极去，其个数逐渐减少。与此相对，近端连接有和远端相同个数的配线图案AU。

图11中，形成于远端的电流路径的组合电阻表示为1，电阻成分的内容表示为柱的长度。在图11所示的柱中，画有右上斜线的部分表示电阻R的组合值，画有右下斜线的部分表示驱动电极的组合电阻(图11中，TL电阻)。而且，在柱中，画有点的部分表示第1开关或第2开关的导通电阻RTR(图11中，开关接通电阻)，画有菱形的部分表示引出部分的电阻RD，画有横线的部分表示安装电阻以及源阻抗的电阻RP。

如图11所示，在远端、近端以及调整后近端的各个，第1开关或第2开关的导通电阻(开关接通电阻)、引出部分的电阻RD(画有菱形的部分)以及安装电阻·源阻抗的电阻RP(画有横线的部分)的占比大致相同。与此相对，信号配线的电阻R随着连接有被选择的驱动电极的信号配线的位置而变化，与近端以及调整后近端相比，在远端较大。

因此，如图11所示，驱动电极的电阻(TL电阻)在近端和远端相同时，形成于近端的电流路径的组合电阻比形成于远端的电流路径的组合电阻小。其结果就是，在磁场产生期间，流经形成于近端的电流路径的电流较大，生的磁场的强度因位置而变化。与此相对，在调整后近端，由于连接于配置在近端的驱动电极的配线图案的个数比远端少，所以如调整后近端所示那样，可以使配置于近端的驱动电极的组合电阻(TL电阻)变大。其结果就是，在磁场产生期间，可以抑制产生的磁场的强度因位置而变化，可以减少检测灵敏度的位置依赖性。

<电场触摸检测>

在本实施方式1所涉及的显示装置1中，也可以进行电场触摸检测。电场触摸检测的期间(在下文中也称为电场触摸检测期间)，图4所示的控制装置3将第1电压Vs作为驱动信号TPL输出，将电压周期性变化的信号作为驱动信号TSV输出。没有特别的限制，驱动信号TSV的电压在电场触摸检测时，在第1电压Vs和第2电压Vd之间周期性变化。另外，作为形成驱动信号TPL、TSV的驱动信号电路，不使用控制装置3而使用电源电路时，电源电路在电场触摸检测时输出具有第1电压Vs的驱动信号TPL和电压周期性变化的驱动信号TSV。

图4所示的选择电路SELL、SELR在电场触摸检测时，输出从驱动电极TL(0)～TL(p)中选择所期望的1个驱动电极的选择信号。即，在磁场触摸检测时，选择构成一对束驱动电极的6个驱动电极，在电场触摸检测时，选择比磁场触摸检测时个数少的驱动电极。驱动电路DRVL将基于选择信号指定的1个驱动电极的一端部n1连接于第2信号配线TSVL，驱动电路DRVR也将基于选择信号指定的1个驱动电极的另一端部n2连接于第2信号配线TSVR。

例如，在图9的(A)以及图10中，在电场触摸检测时，选择电路SELL、SELR输出选择驱动电极TL(4)的选择信号。基于该选择信号，连接于驱动电极TL(4)的一端部n1和第2信号配线TSVL之间的第2开关S11L变成接通状态。此时，连接于驱动电极TL(4)的另一端部n2和第2信号配线TSVR之间的第2开关S11R变成接通状态。由此，通过第2信号配线TSVL、TSVR向被选择的驱动电极TL(4)的两端部n1、n2供给驱动信号TSV。其结果就是，被选择的驱动电极TL(4)的电压随着驱动信号TSV的电压变化而变化，产生随着驱动信号TSV的变化而变化的电场。像在图3中说明的那样，检测手指是否触摸了靠近被选择的驱动电极TL(4)区域的位置。

在本实施方式1中，在磁场触摸检测时，在俯视下，在被束驱动电极夹着的1个驱动电极的区域产生强磁场。即，在磁场触摸检测时产生强磁场的区域和在电场触摸检测时产生电场的区域为同1个驱动电极的区域。由此，可以以磁场触摸检测时和电场触摸检测时组合检测分辨率。

另外，没有特别的限制，在电场触摸检测时，关于没有被选择的驱动电极即非选择的驱动电极，连接于驱动电极的一端部n1和第1信号配线TPLL之间的第1开关S10L和连接于驱动电极的另一端部n2和第1信号配线TPLR之间的第1开关S10R变成接通状态。由此，非选择的驱动电极的两端部n1、n2通过第1开关S10L、S10R与第1信号配线TPLL、TPLR连接。在电场触摸检测期间，由于向第1信号配线TPLL、TPLR供给具有第1电压Vs的驱动信号TPL，所以可以抑制非选择的驱动电极的电压波动，减少噪音的产生。此时，也可以向驱动信号TPL供给与第1电压Vs不同的直流电压。该直流电压的值是什么样都可以，也可以是显示期间的公共电极电压。

<磁场触摸检测以及电场触摸检测的组合电阻的构成>

如图9以及图10所示，在磁场触摸检测中，由相邻的3个驱动电极形成1个束驱动电极。如此，通过将多个驱动电极作为束，可以减小电流路径的组合电阻，增大流经的电流。与此相对，在电场触摸检测中，形成包含1个驱动电极的路径，向该路径供给驱动信号(电场驱动信号)TSV。即，与在磁场触摸检测时3个电流路径并列形成的情况相比，在电场触摸检测时，只形成1个路径。

图12为示出在磁场触摸检测的磁场产生期间形成的电流路径的组合电阻的构成和在电场触摸检测中形成的路径的组合电阻的构成的图。和图11一样，图12用柱的长度表示组合电阻的构成。在图12中，纵轴也表示各个电阻成分的占比。在图12中，横轴所示的远端TP表示在磁场产生期间形成于远端的电流路径，近端TP表示在磁场产生期间形成于近端的电流路径。

而且，在图12的横轴，远端TC表示在电场触摸检测时包含在远离挠性电缆FB2的端部(或第2信号配线的端部)的位置连接的驱动电极在内的路径。在图12中，近端TC表示在电场触摸检测时，包含在靠近挠性电缆FB2的端部(或第2信号配线的端部)的位置连接的驱动电极在内的路径。

远端TC表示包含例如图10所示驱动电极TL(0)的路径。此时的路径包含将图10所示的第2信号配线TSVL、第2开关S11L、驱动电极TL(0)、第2开关S11R以及第2信号配线TSVR串联连接的路径。而且，近端TC表示包含例如图10所示驱动电极TL(p)的路径。此时的路径包含将图10所示的第2信号配线TSVL、第2开关S11L、驱动电极TL(p)、第2开关S11R以及第2信号配线TSVR串联连接的路径。

图12所示的远端TP和图11所示的远端一样，近端TP和图11所示的调整后近端一样，所以省略其说明。在图12中也将远端TP的组合电阻作为基准值1，分别示出远端TC、近端TP以及近端TC的组合电阻。而且，在图12所示的柱中，也用和图11同样的表示方法示出电阻R、TL电阻，开关接通电阻，电阻RD以及电阻RP。

在图12中，远端TP和远端TC相比时，在远端TC，TL电阻和开关接通电阻的占比较大，所以远端TC与远端TP相比组合电阻较大。与在远端TP，在磁场产生期间，将多个驱动电极作为束连接于信号配线相比，在远端TC，将1个驱动电极连接于信号配线，所以产生如图12所示的差异。同样的理由，近端TP和近端TC相比时，在近端TC，TL电阻和开关接通电阻的占较大，所以近端TC与近端TP相比组合电阻较大。

远端TC和近端TC相比时，如上所述，由于从远离挠性电缆FB2的位置向靠近的位置去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数逐渐减少，所以TL电阻的占比变大，近端TC的组合电阻比远端TC的组合电阻大。而且，由于在电场触摸检测中，驱动电极没有被作为束，所以与远端TP相比，TL电阻具有近3倍的电阻值。

即，在电场触摸检测时，靠近挠性电缆FB2形成的路径的组合电阻(近端TC)比远离形成的路径的组合电阻(远端TC)大。但是，在电场触摸检测中，理论上电流不流经形成的路径，被选择的驱动电极的电压变化较重要。即，表示被选择的驱动电极的电压变化的时间常数不因距挠性电缆FB2的距离而变化，保持恒定是重要的。

<电场触摸检测的时间常数>

图13为将图5所示的模块500进一步简化表示的俯视图。在图13中，TL(0)～TL(p)表示配置于显示区域2的驱动电极。而且，图13示出电场触摸检测期间的状态。

在图13中，只给配置于最上方的第2开关标注了附图标记S11L、S11R，省略了其他的第2开关的附图标记。而且，在图13中，通过并联连接于1个驱动电极和第2信号配线TSVL、TSVR之间第2开关S11L、S11R的个数表示配线图案AU的个数。即，连接的开关的个数越多就表示连接的配线图案AU个数越多。而且，在图13中，R为将信号配线TSVL、TSVR的电阻用分布常数示出的电阻，Cp1为将信号配线TSVL、TSVR的电容用分布常数示出的电容。

而且，RT1为将连接有配线图案AU的驱动电极TL(0)～TL(p)的电阻用分布常数示出的电阻，Cp2为将连接有配线图案的驱动电极TL(0)～TL(p)的电容用分布常数示出的电容。另外，图13中示出连接于驱动电极TL(0)～TL(2)以及驱动电极TL(p-1)～TL(p)的第2开关全部为接通状态，在电场触摸检测期间，1个驱动电极连接于信号配线TSVL、TSVR，产生电场。

配线图案AU在与驱动电极相同的方向延伸，且连接于驱动电极。因此，也可以用分布常数表示配线图案AU的电容和电阻。图13所示的电阻RT1以及容量Cp2表示各个驱动电极和连接于该各个驱动电极的配线图案AU的电阻以及电容的组合。即，分布常数电阻RT1随着被连接的配线图案AU的个数而变化，作为分布常数发挥作用。在近端TC，由于连接的配线图案AU的个数较少，所以与远端TC相比，电阻RT1较大(在图12所示的例子中，大约4倍左右)。但是，电阻RT1作为分布常数对电容Cp2产生作用，所以对时间常数的影响大致为1/2。因此，远端TC的电阻RT1和近端TC的电阻RT1的差不会直接表现为远端TC的时间常数和近端TC的时间常数的差(时间常数差)。进而，由于近端TC与远端TC相比，是靠近挠性电缆FB2形成的路径，所以信号配线的电阻R本来就较小。因此，可以使近端TC的时间常数和远端TC的时间常数大致相同。

图14为示出电场触摸检测期间的驱动电极的时间常数的特性图。在图14中，横轴上所示的远端表示配置于远离挠性电缆FB2的位置的驱动电极(例如TL(0))，近端表示配置于靠近挠性电缆FB2的位置的驱动电极(例如TL(p))。纵轴表示时间常数比。在图14中，将在电场触摸检测期间向远端的驱动电极供给驱动信号TSV时的时间常数作为基准1，来确定纵轴的时间长数比。如图14所示，向配置于近端的驱动电极供给驱动信号TSV时的时间常数为接近基准1的值，在近端，时间常数的恶化较少。即，即使如图9和图10所示，从配置于远离挠性电缆FB2(或信号配线的端部)的位置的驱动电极向配置于靠近位置的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数逐渐减少，也可以抑制电场触摸检测性能的劣化。

<配线图案的构成>

图15为示出实施方式1所涉及的显示装置1的截面的截面图。在此，将作为上述第1开关S10L、S10R以及第2开关S11L、S11R使用场效应晶体管(在下文中也简称为晶体管)的情况作为例子进行说明。在该图中，箭头A-A’示出的右侧的区域表示显示区域2，箭头A-A’的左侧的区域表示包围显示区域2的周边区域。在图15中，显示区域2的边2-L一侧作为例子被示出，显示区域2的边2-R一侧也具有左右相反的相同构成。

在图15中，TGB表示在图1的(B)等说明的第1基板。在周边区域，在第1基板TGB的第1主面TSF1形成用附图标记G1、G2表示的导电层。该导电层G1、G2为构成第1开关S10L和第2开关S11L的晶体管的栅电极。在下文中G1、G2也称为栅电极。在图15中，GI表示栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜GI，在栅电极G1、G2的上方形成半导体层SMR5、SMR4，在半导体层SMR4和半导体层SMR5之间形成作为晶体管的公共漏极区域发挥作用的半导体层SMR2。而且，形成半导体层SMR1以使得在半导体层SMR1和成为公共漏极区域的半导体层SMR2之间夹着半导体层SMR4，形成半导体层SMR3以使得在半导体层SMR3和成为公共漏极区域的半导体层SMR2之间夹着半导体层SMR5。

半导体层SMR1作为构成第2开关S11L的晶体管的源极区域发挥作用，半导体层SMR3作为构成第1开关S10L的晶体管的源极区域发挥作用。在图15中，SI表示层间绝缘膜，在层间绝缘膜SI设置开口部，通过开口部，导电层E1连接于半导体层SMR1，导电层E2连接于半导体层SMR2，导电层E3连接于半导体层SMR3。在此，导电层E1构成第2信号配线TSVL，导电层E3构成第1信号配线TPLL。在图15中，PI为用于实现平坦化的有机膜，在有机膜PI设置开口部，通过该开口部，导电层E2连接于形成于有机膜PI上的驱动电极TL。而且，在驱动电极TL上，形成配线图案AU。在本实施方式1中，在驱动电极TL上形成配线图案AU，以使得驱动电极TL和配线图案AU以面接触进行欧姆接触。没有特别的限定，优选的是，驱动电极TL在本实施方式1中由氧化铟锡(IndiumTin Oxide：ITO)这样的透明导电性材料形成，配线图案AU由导电率比驱动电极TL更高的材料形成。配线图案AU优选含有例如铝等金属。即，配线图案AU优选为铝等的金属或合金。而且，配线图案AU也可以由ITO这样的透明导电性材料形成。

在图15中，II表示绝缘膜。在显示区域2，在绝缘膜II上形成像素电极GDE。在该像素电极GDE的上方，形成图1的(B)所示的液晶层。另外，像素电极GDE包含于上述像素Pix，在显示期间被连接于信号线SL，被供给像素信号。在显示期间，通过使液晶层根据该像素电极GDE和驱动电极TL之间电位差进行位移，从而进行基于像素信号的显示。

图16为示出实施方式1所涉及的显示区域2的一部分的俯视图。图16的(A)示出在俯视下远离挠性电缆FB2(信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部)配置的驱动电极TL(例如，图10的TL(0))部分的平面。而且，图16的(B)示出在俯视下靠近挠性电缆FB2(信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部)配置的驱动电极TL(例如，图10的TL(p))部分的平面。在图15中，在箭头A-A’的右侧示出的驱动电极TL的部分相当于图16的(A)以及(B)所示的驱动电极TL。而且，在图15中，在箭头A-A’的右侧示出的配线图案AU的部分相当于图16的(A)以及(B)所示的多个配线图案AU中的1个配线图案AU。

在图16中，画有点的区域表示对应于上述像素Pix的像素区域。在本说明书中，对像素区域也使用和像素一样的附图标记Pix进行说明。另外，在图16中，只给一部分的像素区域标注了附图标记Pix。像素区域Pix在俯视下，在显示区域2配置为矩阵状，各个像素区域Pix包含图15所示的像素电极GDE。各个像素区域Pix在横向(第1方向)具有宽度PixX，在纵向(第2方向)具有宽度PixY。即，在横向，将宽度PixX作为间距，周期性地排列像素区域Pix，在纵向，将宽度PixY作为间距，周期性地排列像素区域Pix。在本说明书中，宽度PixX、PixY也被称为像素区域Pix的间距。

在图16中，配线图案AU表示为画有右上斜线的区域。在俯视下，配线图案AU在与驱动电极TL相同的方向延伸，具有规定的宽度AUB。在本实施方式1中，配线图案AU在俯视下与在纵向相邻的像素区域Pix的交界区域重叠地相互平行配置。如图16的(A)所示，在远离挠性电缆FB2配置的驱动电极TL，给1个驱动电极TL配置多个配线图案AU，彼此平行地相邻配置的配线图案AU之间的距离(间距)AUP与像素区域Pix间的间距PixY相同。

另一方面，如图16的(B)所示，在靠近挠性电缆FB2配置的驱动电极TL，针对1个驱动电极，个数较少的配线图案AU在俯视下重叠地配置。此时，配线图案AU也与纵向相邻的像素区域Pix的交界区域重叠地配置。如图16的(B)所示，由于配置的配线图案AU的个数较少，所以在俯视下，产生配线图案AU与纵向相邻的像素区域Pix间的交界区域不重叠的部分。从另一个角度来看，从图16的(A)所示的状态将配线图案AU间拔之后的状态是图16的(B)。

另外，在俯视下观察显示区域2时，像素区域Pix之间存在遮光膜(黑色矩阵)。在俯视下，配线图案AU在该遮光膜的下方重叠地配置。而且，在图16中，用虚线表示的SL例示信号线。

在实施方式1中，在磁场触摸检测时，从远离挠性电缆FB2(信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR的端部)连接的驱动电极向靠近连接的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数逐渐减少。由此，在磁场触摸检测时，可以抑制检测灵敏度随位置而变化。

实施方式2

图17为示出实施方式2所涉及的显示区域2的一部分的俯视图。图17与图16类似，TL表示驱动电极，画有点的区域Pix表示像素区域，AU表示配线图案。在此，在图15中，箭头A-A’的右侧所示的驱动电极TL的部分相当于图17的(A)～(C)所示的驱动电极TL。另外，在图15中，箭头A-A’的右侧所示的配线图案AU的部分相当于图17的(A)～(C)所示的多个配线图案AU中的1个配线图案AU。

图17的(A)为示出远离挠性电缆FB2(信号配线的端部)配置于远端的驱动电极TL(例如，图9以及图10的TL(0))和连接于该驱动电极TL的配线图案AU的俯视图。另外，图17的(C)为示出靠近挠性电缆FB2配置于近端的驱动电极TL(例如，图9以及图10的TL(p))和连接于该驱动电极TL的配线图案AU的俯视图。进而，图17的(B)为示出配置于远端和近端之间的位置(为了方便，称为中间)的驱动电极TL(例如，图9以及图10的TL(n))和连接于该驱动电极TL的配线图案AU的俯视图。与图16相同，在本实施方式2中，配线图案AU与纵向相邻的像素区域Pix的交界区域重叠地配置。

在实施方式1中，从远离挠性电缆FB2(信号配线的端部)配置的驱动电极向靠近配置的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU个数逐渐减少。与此相对，在实施方式2中，从远离挠性电缆FB2(信号配线的端部)配置的驱动电极向靠近配置的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的宽度AUB逐渐减小(变窄)。

如图17的(A)所示，在配置于远端的驱动电极TL连接有分别具有规定宽度AUB1的多个配线图案AU。与此相对，如图17的(C)所示，连接有具有比宽度AUB1窄的宽度AUB3的多个配线图案AU。而且，在配置于中间的驱动电极TL连接有具有介于宽度AUB1和宽度AUB3之间的宽度AUB2的多个配线图案AU。

和距挠性电缆FB2的距离无关，配线图案AU的厚度在各个配线图案AU都是一样的。因此，从连接于配置于远端的驱动电极TL的配线图案AU向连接于配置于近端的驱动电极的配线图案AU去，连接于驱动电极的配线图案AU与驱动电极重叠的面积越来越小。由此，从连接于配置于远端的驱动电极TL的配线图案AU向连接于配置于近端的驱动电极的配线图案AU去，配线图案AU的电阻逐渐增大。其结果就是，从配置于远端的驱动电极向配置于近端的驱动电极去，驱动电极的组合电阻逐渐增大。由此，与实施方式1一样，可以抑制在磁场产生期间产生的磁场的强度因位置而变化，可以降低检测灵敏度的位置依赖性。

在图17中，分别连接于配置于远端的驱动电极、配置于中间的驱动电极以及配置于近端的驱动电极的配线图案AU的个数相同。换言之，连接于1个驱动电极的配线图案AU的个数不因位置而变化，都是相同的。但是，也可以与实施方式1组合，使连接于1个驱动电极的配线图案AU的个数改变。

实施方式3

图18为示出实施方式3所涉及的显示装置的平面的一部分的俯视图。图18中示出1个驱动电极TL和在俯视下与该1个驱动电极重叠地配置的多个配线图案AU。在图18中，省略了图16以及图17中示出的像素区域Pix，在图4以及图5中说明的显示区域2用双点划线表示。图18的(A)为示出在俯视下配置于远离挠性电缆FB2的远端的驱动电极TL和与该驱动电极TL重叠配置的多个配线图案AU的俯视图。而且，图18的(C)为示出配置于靠近挠性电缆FB2的近端的驱动电极TL和与该驱动电极TL重叠配置的多个配线图案AU的俯视图。而且，图18的(B)为示出配置于介于远端和近端之间的中间的驱动电极TL和与该驱动电极TL重叠配置的多个配线图案AU的俯视图。

在本实施方式3也和实施方式1、2一样，配线图案AU与纵向相邻的像素区域之间的交界区域重叠地配置。在本实施方式3中，与实施方式1不同的是，在各个驱动电极，按照与像素区域的纵向间距(图16的PixY)相同的间距配置配线图案AU。即，与在俯视下距挠性电缆FB2的距离无关，驱动电极重叠地配置的配线图案AU之间的距离与像素区域的间距PixY相同。将图18的(A)所示的配置于远端的驱动电极TL、图18的(B)所示的配置于中间的驱动电极TL以及图18的(C)所示的配置于近端的驱动电极TL作为例子进行说明时，与各个驱动电极TL重叠的配线基板AU的个数相同，相邻配线图案AU之间的间距AUP和像素区域间的间距PixY相同。

而且，与实施方式2不同，多个配线图案AU分别具有相同的宽度AUB，各个截面积也相同。

如图15所示，在实施方式1、2中，在驱动电极TL上形成配线图案AU，以使得驱动电极TL和与驱动电极TL重叠地配置的配线图案AU以面接触电连接。与此相对，在实施方式3中，在后文中将会进行说明，驱动电极TL和配线图案AU之间存在绝缘膜。驱动电极TL和配线图案AU之间的电连接在显示区域2的周边区域选择性进行。

在图18中，设置于显示区域2的边2-L、2-R的外侧的●标记表示将配线图案AU和驱动电极TL电连接的连接器CT。如图18的(A)所示，在配置于远端的驱动电极TL，与驱动电极TL重叠地配置的8个配线图案AU各自的端部通过连接器CT与驱动电极TL电连接。与此相对，如图18的(C)所示，在配置于近端的驱动电极TL，与驱动电极TL重叠地配置的8个配线图案AU中2个配线图案AU各自的端部通过连接器CT与驱动电极TL连接。而且，在配置于中间的驱动电极TL，与该驱动电极TL重叠地配置的8个配线图案AU中5个配线图案AU各自的端部通过连接器CT与驱动电极TL连接。

由此，从配置于远端的驱动电极向配置于近端的驱动电极去，在驱动电极上并联连接的配线图案AU的个数逐渐减少。其结果就是，从配置于远端的驱动电极向配置于近端的驱动电极去，驱动电极的组合电阻变大，可以抑制产生的磁场的强度随位置而变化，可以减少检测灵敏度的位置依赖性。

图19以及图20为示出实施方式3所涉及的显示装置的截面的截面图。图19以及图20示出图18中的边2-L一侧的部分的截面。在此，图19示出没有形成连接器CT的部分的截面，图20示出形成有连接器CT的部分的截面。

由于图19以及图20与之前说明过的图15类似，所以对其区别进行说明。在图15中，在驱动电极TL上形成配线图案AU。即，在有机膜PI上形成ITO的层，通过该ITO层形成驱动电极TL，在ITO层上形成导电率比ITO层高的导电层，通过该导电层形成配线图案AU。与此相对，在图19以及图20中，在ITO层上形成绝缘膜II2。在该绝缘膜II2上，形成导电率比ITO层高的导电层，通过该导电层形成配线图案AU。

在图20中，为了将驱动电极TL和配线图案AU电连接，在边2-L的外侧即周边区域，在绝缘膜II2形成开口部OP。通过该开口部OP，形成配线图案AU的导电层连接于驱动电极TL。在图19中，由于没有形成连接驱动电极TL和配线图案AU的连接器CT，所以没有形成开口部OP。

在从远端向近端排列的多个驱动电极(图9以及图10的TL(0)～TL(p))的各个中，在绝缘膜II2形成开口部OP，以使得从与驱动电极重叠配置的多个配线图案(整体配线图案)AU选择所期望个数的配线图案(第1配线图案)AU，被选择的配线图案AU的两端部连接于驱动电极。由此，被选择的个数的配线图案AU与驱动电极并联连接。此时所期望的个数是以使得在磁场产生期间形成的电流路径的组合电阻相等的方式确定。

例如，作为连接于配置于近端的驱动电极(例如TL(p))的配线图案AU，第1个数的配线图案AU被选择，被选择的第1个数的配线图案AU通过开口部OP连接于驱动电极TL(p)。此时，将连接于配置于远端的驱动电极(例如TL(0))的配线图案AU的个数设定为比上述第1个数多的第2个数。该第2个数的配线图案AU通过开口部OP连接于驱动电极TL(0)。由此，可以使连接于配置于近端的驱动电极TL(p)的配线图案AU比连接于配置于远端的驱动电极TL(p)的配线图案AU少。其结果就是，可以使包含驱动电极TL(p)的电流路径的组合电阻和包含驱动电极TL(0)的电流路径的组合电阻相等。

在本实施方式3中，具有相同平面形状的多个配线图案AU作为整体配线图案AU，在显示区域2周期性地排列。配线图案AU通过对导电率比ITO高的导电层进行例如蚀刻而形成。由于在周期性地形成配线图案AU的情况下，可以使对各个配线图案AU实施的蚀刻量相同，所以可以抑制配线图案AU的制造不均。而且，由于周期性地进行排列，还以实现平坦化。

此时，在显示区域2的整个面，配线图案AU的配线密度均匀。即，与1个驱动电极重叠的配线图案AU的面积之和不论在哪个驱动电极实质上都相等。

在俯视下，多个配线图案AU在显示区域2的整个面例如隔开相等的间隔配置，配线密度均匀。将配置于该显示区域2的整个面的多个配线图案AU作为整体的配线图案。在俯视下，例如与1个驱动电极叠加(重叠)的配线图案AU中，规定个数的配线图案AU通过开口部OP与重叠的驱动电极电连接。此时，存在在俯视下与驱动电极重叠但是没有通过开口部OP与驱动电极电连接的配线图案AU。将在俯视下与驱动电极重叠且与驱动电极电连接的配线图案AU看作第1配线图案，将与驱动电极重叠但不与驱动电极电连接的配线图案AU看作第2配线图案。

在这样看待的情况下，在配置于近端的驱动电极和配置于远端的驱动电极之间，与驱动电极重叠的第1配线图案的个数和第2配线图案的个数之和相等。由于多个配线图案的面积相等，所以与配置于近端的驱动电极重叠的配线图案AU的面积即第1配线图案和第2配线图案的总面积和与配置于远端的驱动电极重叠的配线图案AU的面积(第1配线图案和第2配线图案的总面积)实质上相等。而且，这些配线图案形成于同一层。

在实施方式1、3中，从在远离挠性电缆FB2(信号配线的端部)的位置连接的驱动电极向在靠近的位置连接的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的个数逐渐减少。而且，在实施方式2中，从在远离的位置连接的驱动电极向在靠近的位置连接的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的截面积逐渐减小。即，在这些实施方式中，从在远离的位置连接的驱动电极向在靠近的位置连接的驱动电极去，连接于驱动电极的配线图案AU的配线量逐渐减少。将连接于驱动电极的配线图案AU的配线量理解为每个驱动电极的配线图案AU的配线密度时，从在远离的位置连接的驱动电极向在靠近的位置连接的驱动电极去，每个驱动电极的配线图案AU的配线密度逐渐减小。例如，连接于在靠近的位置连接的驱动电极的配线图案AU的配线密度比连接于在远离的位置连接的驱动电极的配线图案AU的配线密度小。

在实施方式中，在排列于显示区域2的多个驱动电极，通过调整每个驱动电极的配线图案AU的配线密度，可以抑制产生的磁场的强度随着位置而变化。因此，可以抑制模块500的长边侧的边框变大，且可以减小检测灵敏度的位置依赖性。

在本发明的构思范畴，本领域技术人员容易想到各种变形例和修改例，可以理解为这些变形例和修改例也属于本发明的范围。

例如，本领域技术人员对所述的各个实施方式适当地追加或削减构成要素或进行设计变更，或进行步骤的追加、省略或条件变更之后得到的技术方案，只要具有本发明的主旨，就包含在本发明的范围之内。

例如，对信号配线TPLL、TPLR、TSVL、TSVR纵向延伸，驱动电极TL(0)～TL(p)横向延伸，纵向平行地配置的情况进行了说明，纵向以及横向因观察的视角不同而不同。即使改变视角，信号配线以及驱动电极的延伸方向改变，也包含在本发明的范围之内。而且，在本说明书中使用的“平行”的意思是从一端到另一端互相不相交地延伸。因此，即使一条线(或电极)的一部分或全部相对于另一条线(或电极)倾斜地设置，只要这些线从一端到另一端不相交，在本发明书就将该状态视为“平行”。

Claims (11)

1.一种输入检测装置，包括：

基板；

信号配线，具有与供给驱动信号的驱动信号电路连接的端部，并在所述基板上的第1方向延伸；

多个驱动电极，在所述基板上的第1方向排列；

选择驱动电路，在基于磁场的变化检测外部物体的接近时，将从所述多个驱动电极中选择的驱动电极的端部连接至所述信号配线；以及

第1配线图案，在俯视下分别与所述多个驱动电极重叠，并电连接于的所述驱动电极，

与靠近与所述驱动信号电路连接的所述信号配线的端部的、驱动电极连接的第1配线图案的配线密度比与远离与所述驱动信号电路连接的所述信号配线的端部的、驱动电极连接的第1配线图案的配线密度小。

2.根据权利要求1所述的输入检测装置，其中，

多个所述第1配线图案分别在俯视下具有在与所述第1方向交叉的第2方向延伸的形状。

3.根据权利要求2所述的输入检测装置，其中，

在靠近所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接个数比与远离所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接的第1配线图案的个数少的第1配线图案，从而使第1配线图案的配线密度小。

4.根据权利要求2所述的输入检测装置，其中，

在靠近所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接具有比与远离所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接的第1配线图案的面积小的面积的第1配线图案，从而使第1配线图案的配线密度小。

5.根据权利要求2所述的输入检测装置，其中，

所述输入检测装置具有与所述多个驱动电极不连接的第2配线图案，

所述第2配线图案在与所述第1配线图案相同的层，在第1方向上平行地配置，

在俯视下与驱动电极重叠的所述第1配线图案和所述第2配线图案的总面积在靠近所述信号配线的所述端部配置的驱动电极和远离所述信号配线的所述端部配置的驱动电极之间实质上相等。

6.根据权利要求5所述的输入检测装置，其中，

所述输入检测装置具有介于驱动电极和所述第1配线图案之间以及介于所述驱动电极和所述第2配线图案之间的绝缘膜，

第1个数的第1配线图案通过形成于所述绝缘膜的开口部与靠近所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接，

比所述第1个数多的第2个数的第2配线图案通过形成于所述绝缘膜的开口部与远离所述信号配线的端部并连接的驱动电极连接。

7.根据权利要求2所述的输入检测装置，其中，

多个所述第1配线图案与所述多个驱动电极相向配置，以使得多个所述第1配线图案与被连接的驱动电极在俯视下重叠。

8.根据权利要求2所述的输入检测装置，其中，

在基于磁场的变化检测所述外部物体的接近时，在所述多个驱动电极中，选择在俯视下相邻的多个驱动电极，并连接至所述信号配线。

9.根据权利要求8所述的输入检测装置，其中，

与基于磁场的变化检测所述外部物体的接近时相比，在基于电场的变化检测所述外部物体的接近时，选择个数少的驱动电极，并连接至所述信号配线。

10.根据权利要求1所述的输入检测装置，其中，

所述输入检测装置具有在俯视下与所述多个驱动电极交叉地配置的多个检测电极，

通过所述多个检测电极检测所述外部物体的接近所带来的磁场变化。

11.根据权利要求1所述的输入检测装置，其中，

所述第1配线图案为金属。