JP6647173B2 - 入力検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、入力検出装置に関し、特に外部物体の近接を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置に関する。

近年、入力検出装置として、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部物体の近接（以下、接触も含む）を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。

外部物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。

また、外部物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用される。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。

電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術は、例えば特許文献１に記載されている。

特開平１０−４９３０１号公報

電磁誘導方式においては、例えば、入力検出装置に、磁界を発生するコイル（以下、磁界発生コイルとも称する）と磁界を検出するコイル（以下、磁界検出コイルとも称する）が設けられる。また、外部物体であるペンには、共振回路を構成するコイルと容量素子とが内蔵される。磁界発生コイルで発生した磁界によって、ペン内のコイルが誘起電圧を発生し、容量素子が充電される。容量素子に蓄積された電荷量に従ってペン内のコイルが発生した磁界を磁界検出コイルで検出する。これにより、ペンが近接しているか否かの検出が可能となる。

ペンが近接している位置（領域）を抽出するために、入力検出装置は、互いに異なる位置に配置された複数個の磁界発生コイルを備え、それぞれが異なるタイミングで磁界を発生するように、磁界駆動信号によって駆動される。互いに異なる位置に磁界発生コイルが配置されるため、磁界発生コイルと磁界駆動信号を形成する駆動信号回路との配置を、平面視で見た場合、駆動信号回路に近接した磁界発生コイルと、駆動信号回路から離れた磁界発生コイルとが生じることになる。これにより、離れた磁界発生コイルに、駆動信号回路から駆動信号を供給する信号配線は、近接した磁界発生コイルに駆動信号を供給する信号配線に比べて、長くなる。信号配線が長くなることにより、信号配線に付随する抵抗が大きくなるため、離れた磁界発生コイルにおいて、磁界を発生するときに流れる電流は、近接した磁界発生コイルを流れる電流よりも、小さくなってしまう。流れる電流の大小によって、磁界発生コイルが発生する磁界に強弱が発生することになるため、入力検出装置において、位置（領域）に応じて発生する磁界に強弱のバラツキが生じることになる。すなわち、タッチを検出する面内において、発生する磁界に、位置に依存した強弱の変化が発生することになる。

位置に依存して発生する磁界に強弱が、生じると、ペン内の容量素子に蓄積される電荷量も、タッチする位置に依存して変わることになる。その結果、ペン内のコイルが発生する磁界も、位置に依存して、強弱が発生することになり、検出感度が、位置に依存して変化してしまい、望ましくない。

特許文献１には、電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術が記載されているが、位置に応じて検出感度が変わることは、記載も認識もされていない。

本発明の目的は、位置に依存する検出感度の変化を抑制することが可能な入力検出装置を提供することにある。

本発明の一態様に係わる入力検出装置は、基板と、駆動信号を供給する駆動信号回路に接続された端部を有し、基板の第１方向に延在するように配置された第１信号配線および第２信号配線と、基板の第１方向と交差する第２方向に延在し、第１方向に配列する複数の駆動電極と、第１信号配線に沿って配置され、複数の駆動電極の端部と第１信号配線との間を接続可能な複数の第１スイッチと、第２信号配線に沿って配置され、複数の駆動電極の端部と第２信号配線との間を接続可能な複数の第２スイッチと、外部物体の近接を検出するとき、複数の第１スイッチおよび複数の第２スイッチを制御する選択回路を備える。ここで、第１信号配線の、駆動信号回路に接続された端部に近接して配置された第１スイッチのサイズは、端部から離れて配置された第１スイッチのサイズよりも、小さくされている。

（Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、磁界検出の原理を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、電界検出の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わるモジュールの構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流を示す特性図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わるトランジスタの構成を示す平面図および断面図である。 実施の形態１に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる電流経路の合成抵抗の内訳を示す図である。 新たな課題を説明するための図である。 磁界タッチ検出および電界タッチ検出において形成される経路の合成抵抗の内訳を示す図である。 実施の形態２に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係わる磁界タッチ検出の動作を説明する波形図である。 実施の形態２に係わる電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。以下の説明は、入力検出装置として、タッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べるが、これに限定されるものではない。例えば、入力検出装置は、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置でもよいし、表示機能を有していないタッチパネル等であってもよい。

（実施の形態１）
実施の形態１では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、表示装置とも称する）が提供される。先ず、表示装置の基本的な構成を説明し、次に、この基本的な構成を基にして、ペンによるタッチを検出する磁界検出（以下、磁界タッチ検出とも称する）および指によるタッチを検出する電界検出（以下、電界タッチ検出とも称する）の原理を説明する。

＜表示装置の基本的な構成＞
図１は、表示装置の構成を模式的に示す図である。図１において、１は、表示装置を示しており、図１（Ａ）は、表示装置１の平面を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、表示装置１の断面を示す断面図である。表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第１基板または単に第１基板とも称する）ＴＧＢと、第１基板ＴＧＢに積層されたレイヤ（層）、カラーフィルタＣＦＴ、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第２基板または単に第２基板とも称する）ＣＧＢおよび第２基板ＣＧＢに積層されたレイヤ（層）を備えている。

図１（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。理解を容易にするために、図１（Ａ）では、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、実際には、図１（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。

第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図１（Ｂ）では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタＣＦＴのみが示されている。また、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図１（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。また、図１（Ｂ）において、１３は検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された単位検出回路を示している。

本明細書では、表示装置１を、図１（Ｂ）に示すように、第２基板ＣＧＢおよび第１基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、第２基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図１（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とは、平面視で見たとき、直交していることが望ましいが、平面視で見たときに、駆動電極と検出電極とは傾きを持って交差していてもよい。そのため、以下の説明で用いる「直交」は「交差」も含むものと理解されるべきである。

＜磁界検出の原理＞
図２は、磁界検出の原理を示す説明図である。磁界検出の期間は、磁界を発生する磁界発生期間と磁界を検出する磁界検出期間とによって構成される。図２（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間のときの動作を示しており、図２（Ｂ）は、磁界検出期間のときの動作を示している。説明の都合上、図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１（Ａ）を９０度回転させた状態が示されている。

磁界発生期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、所定の駆動電極間の端部が、電気的に接続され、端部が接続された駆動電極に、所定の電圧（例えば接地電圧Ｖｓ）と磁界駆動信号が供給される。例えば、図１に示した駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）のそれぞれの端部のうち、他方の端部が、図１の右側において電気的に接続される。これにより、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）が、直列的に接続される。駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部に、図１の左側において、接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部に、図１の左側において、磁界駆動信号を供給する。ここで、磁界駆動信号は、その電圧が周期的に変化する信号である。駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）により、この駆動電極により挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界発生コイルが構成され、この磁界発生コイルは、磁界駆動信号の電圧の変化に応じた磁界を、その内側で発生する。

図２（Ａ）において、ＧＸ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）によって構成された磁界発生コイルを示し、ＧＸ（ｎ）〜ＧＸ（ｎ＋４）のそれぞれは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）と同様に、駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（ｐ）によって構成された磁界発生コイルを示している。

図２（Ａ）において、ＣおよびＬ１は、ペンＰｅｎに内蔵されている容量素子およびコイルを示している。容量素子ＣとコイルＬ１は、共振回路を構成するように、並列接続されている。磁界発生期間において、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。磁界駆動信号ＣＬＫが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が、磁界駆動信号ＣＬＫの電圧変化に応じた磁界φ１を発生する。ペンＰｅｎが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）に近接していれば、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）とコイルＬ１との間は電磁結合され、磁界φ１によってコイルＬ１に相互誘導による誘起電圧が発生し、容量素子Ｃが充電される。

次に、図２（Ｂ）に示す磁界検出期間に移行する。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界の検出が行われる。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は一対の端部を有している。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、所定の検出電極間の他方の端部が、互いに電気的に接続される。例えば、図１に示した検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）のそれぞれの他方の端部が、図１の上側において電気的に接続される。これにより、平行に配置された検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）が直列的に接続される。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（３）の一方の端部に所定の電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部が、単位検出回路に接続される。これにより、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）とによって挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界検出コイルが形成され、この磁界検出コイルによって、ペンＰｅｎからの磁界の検出が行われる。

図２（Ｂ）において、ＤＹ（ｎ−２）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）によって構成された磁界検出コイルを示しており、ＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）は、同様に検出電極ＲＬ（２）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルを示している。磁界検出期間のとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部に、所定の電圧Ｖｓが供給され、それぞれの他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ−２）〜Ｒｘ（ｎ＋１）が、単位検出回路に供給される。

磁界発生期間において、容量素子Ｃに充電が行われていれば、磁界検出期間のとき、コイルＬ１は、容量素子Ｃに充電されている電荷に従って、共振回路の共振周波数に応じて変化する磁界φ２を発生する。図２（Ｂ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に、コイルＬ１の中心（一点鎖線）が存在している。そのため、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で電磁結合が発生し、相互誘導によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に誘起電圧が発生する。その結果、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ）は、容量素子Ｃに充電されている電荷量に応じて変化することになる。磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路は、この信号Ｒｘ（ｎ）の変化を検出信号として出力する。これにより、ペンＰｅｎが近接（タッチ）しているか否か、および座標を抽出することが可能となる。また、電荷量に応じて検出信号が変化するため、ペンＰｅｎとの距離を求めることが可能となる。

図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）に続いて移行した磁界発生期間を示している。図２（Ａ）と異なるのは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ＋１）に磁界駆動信号ＣＬＫが供給されていることである。ペンＰｅｎの位置は変化していないため、図２（Ｃ）に示した磁界発生期間においては、コイルＬ１に誘起電圧が発生せず、容量素子Ｃは充電されない。これにより、図２（Ｃ）に続いて移行する磁界検出期間においては、ペンＰｅｎが近接していないと検出される。以降、同様にして、ペンＰｅｎの検出が行われる。

＜電界検出の原理＞
図３は、電界検出の原理を示す説明図である。図３（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、電界駆動信号を出力する単位駆動回路を示し、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位検出回路を示している。また、図３（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動電極ＴＬ（２）へ供給される電界駆動信号Ｔｘ（２）の波形を示している。外部物体として、指がＦＧとして示されている。

駆動電極ＴＬ（２）に、電界駆動信号Ｔｘ（２）が供給されると、図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と、この駆動電極ＴＬ（２）と直交する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、駆動電極ＴＬ（２）の近傍をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として表れ、単位検出回路１３−ｎに供給され、検出信号として出力される。

他の駆動電極についても、同様にして、電界駆動信号を供給することにより、指ＦＧがタッチしているが否かに応じた信号の電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に生じ、検出信号として出力されることになる。これにより、指ＦＧがタッチしているか否か、および座標を抽出することが可能となる。

上記したように、磁界検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、選択された駆動電極に磁界駆動信号が供給され、電界検出の際には、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。一方、表示の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、表示駆動信号が供給される。表示駆動信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、同じ電圧とされるため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、１個の共通電極と見なすことができる。

＜表示装置の全体構成＞
図４は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図４において、表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、制御装置３、ゲートドライバ４およびタッチ制御装置５を備えている。また、表示装置１は、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲ、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲおよび検出回路ＤＥＴを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、表示領域を包囲する周辺領域は非アクティブ領域である。図４では、２が、表示領域を示している。

表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有している。画素配列には、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。図４を参照して述べると、画素配列において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、かかる複数の信号線と複数の走査線とが交差することにより形成される空間に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示が行われる。

制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、表示期間のとき、画像情報に従った画像信号を形成し、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給する。また、制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置５からの制御信号ＳＷとを受け、種々の信号を形成する。図４には、制御装置３により形成される信号のうち、説明に必要な信号のみが、代表として描かれている。すなわち、制御装置３は、同期信号ＴＳＨＤおよび制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲを形成する。また、特に制限されないが、制御装置３は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する駆動信号回路６を備える。

同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う表示期間とタッチ検出（磁界タッチ検出および電界タッチ検出）を行うタッチ検出期間とを識別する同期信号である。制御装置３は、この同期信号ＴＳＨＤによって、タッチ制御装置５が、タッチ検出期間の際に動作するように制御する。

ゲートドライバ４は、表示のとき、制御装置３からのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給されている画像信号に従った表示を行う。

検出回路ＤＥＴは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として出力する。

タッチ制御装置５は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受け、タッチされた位置の座標を抽出し、外部端子Ｔｏから出力する。また、タッチ制御装置５は、制御信号ＳＷを出力するとともに、同期信号ＴＳＨＤを受け、表示制御装置３に同期して動作する。

表示領域２は、画素配列の行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列の列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の駆動電極と複数の走査線が配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の信号線と複数の検出電極が配置されている。

選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲに基づいて、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、駆動電極を選択する選択信号を形成する。

図４において、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれは、信号配線を示している。信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬは、表示領域２の辺２−Ｌに沿って延在しており、駆動回路ＤＲＶＬを貫通している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲは、表示領域２の辺２−Ｒに沿って延在しており、駆動電極ＤＲＶＲを貫通している。駆動回路ＤＲＶＬは、選択回路ＳＥＬＬに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＬまたはＴＳＶＬに接続する。同様に、駆動回路ＤＲＶＲは、選択回路ＳＥＬＲに対応しており、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によって指定された駆動電極を、信号配線ＴＰＬＲまたはＴＳＶＲに接続する。

制御装置３に備えられた駆動信号回路６によって形成された駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給される。後で詳しく説明するが、磁界タッチ検出のときには、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶが、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、磁界が発生する。また、電界タッチ検出の際には、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲを伝搬している駆動信号ＴＳＶが、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを介して、選択された駆動電極に供給され、電界が発生する。また、信号配線ＴＰＬＬおよびＴＰＬＲは第１信号配線、信号配線ＴＳＶＲおよびＴＳＶＬは第２信号配線とも称する。さらに、信号配線ＴＰＬＬとＴＰＬＲを区別する場合には、信号配線ＴＰＬＬは第１信号配線と称し、信号配線ＴＰＬＲは第４信号配線と称する場合がある。同様に、信号配線ＴＳＶＲとＴＳＶＬを区別する場合には、信号配線ＴＳＶＲは第２信号配線と称し、信号配線ＴＳＶＬは、第３信号配線と称する場合がある。

＜表示装置１のモジュール構成＞
図５は、表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図１で示した第１基板ＴＧＢの領域を示し、５０２は、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール５００において、第１基板ＴＧＢは、領域５０１と５０２において一体となっている。また、領域５０２では、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、第１基板ＴＧＢに第２基板ＣＧＢが搭載されている。図５において、５００−Ｕ、５００−Ｄは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｌ、５００−Ｒは、モジュール５００の長辺を示している。

領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域には、図４で示したゲートドライバ４、選択回路ＳＥＬＬおよび駆動回路ＤＲＶＬが配置されている。表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の長辺５００−Ｒとの間の領域には、図４で示した選択回路ＳＥＬＲおよび駆動回路ＤＲＶＲが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の短辺５００−Ｄとの間の領域には、図４で示した検出回路ＤＥＴおよび制御装置３が配置されている。検出回路ＤＥＴは、領域５０１の第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。平面視で見たとき、検出回路ＤＥＴを覆うように、制御装置３が、第１基板ＴＧＢに実装されている。また、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲおよび駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＢＲを構成する配線および部品も、領域５０２における第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。

図４において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置５に供給される。領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２に設けられたコネクタＣＮを介して、タッチ制御装置５と制御装置３との間で信号の送受信が行われる。

表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配列された画素配列を有しており、画素配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線と、画素配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図５には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と３個の検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）が示されている。図５では、横方向が、画素配列の行方向であり、縦方向が、画素配列の列方向である。そのため、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ），ＴＬ（ｍ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。また、例示した信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置され、例示した検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）のそれぞれは、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。なお、図５では走査線は、省略されているが、走査線は、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在している。

また、図５には、画素配列が、破線ＰＤＭとして示されており、画素配列ＰＤＭに配置されている複数の画素のうち、表示領域２の４個の角に配置されている画素と、例示した駆動電極および信号線との交差部に配置された画素が、Ｐｉｘとして示されている。

図４に示した信号配線ＴＰＬＬおよびＴＳＶＬのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｌと表示領域２の辺２−Ｌとの間の領域において、縦方向（画素配列の列方向）に延在している。同様に、信号配線ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲのそれぞれは、モジュール５００の長辺５００−Ｒと表示領域２の辺２−Ｒとの間の領域において、縦方向（画素配列の方向：第１方向）に延在している。駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の延在方向、すなわち、横方向を第２方向として見た場合、この第２方向と直交（交差を含む）する第１方向に、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）および信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲが延在することになる。このとき、省略されている走査線は、第２方向に沿って延在していることになる。

図４では、制御装置３が、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶを形成する例を示したが、これに限定されず、他の回路ブロック等によって形成してもよい。他の回路ブロックで形成する場合、例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、フレキシブルケーブルＦＢ２内の配線に接続され、他の回路ブロックに接続される。図５において、制御装置３に示した破線は、他の回路ブロックによって、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する場合を示している。すなわち、他の回路ブロック（駆動信号回路）によって形成された駆動信号を伝達する信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲにおいて、制御装置３により覆われている部分が、破線として示されている。

＜磁界発生期間の概要＞
駆動電極を用いて磁界検出を行う場合の原理を、図２で説明した。理解を容易にするために、図２では、駆動電極間を電気的に接続することにより、磁界発生コイルを構成する例を示した。本発明者らは、駆動電極間を電気的に接続せずに、磁界を発生する構成を考え、表示装置１に適用している。表示装置１のより具体的な説明をする前に、本発明者らが考えた磁界発生を、説明しておく。

図６は、磁界発生期間の動作を説明するための平面図である。図６において、ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、駆動電極を示している。駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、平面視で見たとき、互いに平行に配置されており、それぞれの駆動電極が、一対の端部ｎ１、ｎ２を備えている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、それぞれの一方の端部ｎ１が、表示領域２の辺２−Ｌに沿い、それぞれの他方の端部ｎ２が、表示領域２の辺２−Ｒに沿うように配置されている。

ここでは、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、ペンＰｅｎ（図２）がタッチしているか否かを検出する磁界タッチ検出の期間（以下、磁界タッチ検出期間とも称する）を例にして説明する。この磁界タッチ検出期間において、磁界発生期間のとき、図６（Ａ）に示す駆動状態と図６（Ｂ）に示す駆動状態が、１回を含む複数回路発生するように、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）およびＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が駆動される。

磁界発生期間のとき、磁界を発生する駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域を、その間に挟むように配置された一対の駆動電極が選択され、選択された一対の駆動電極において流れる電流の方向が反対になるように、駆動電極が駆動される。図６においては、隣り合った（隣接した）３個の駆動電極が、束とされ、束の駆動電極（以下、束駆動電極とも称する）が、対を構成する駆動電極として用いられる。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）が束とされ、束駆動電極が構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）が束とされ、束駆動電極が構成されている。

図６（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に、接地電圧のような第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に、第１電圧Ｖｓよりも電圧値の絶対値の大きな第２電圧Ｖｄが供給される。この実施の形態１においては、第１電圧Ｖｓおよび第２電圧Ｖｄは、電圧値が時間に対して変化しない直流電圧である。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）のそれぞれにおいて、他方の端部ｎ２から一方の端部ｎ１へ向かう方向の電流Ｉ１が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１１を発生することになる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）では、その一方の端部ｎ１に、第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部２に、第１電圧Ｖｓが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれにおいて、一方の端部ｎ１から他方の端部ｎ２へ向かう方向の電流Ｉ２が流れることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）によって構成された束駆動電極は、図６（Ａ）に破線で示す方向の磁界φ１２を発生することになる。

それぞれの束駆動電極が発生した磁界φ１１、φ１２の方向は、電流Ｉ１と電流Ｉ２の方向が反対のため、反対となり、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域においては重畳されることになるため、この駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。

図６（Ｂ）では、束駆動電極に供給される電圧が、図６（Ａ）とは反対となるようにする。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）の一方の端部ｎ１に第２電圧Ｖｄが供給され、その他方の端部ｎ２に第１電圧Ｖｓが供給される。このとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）の一方の端部ｎ１に第１電圧Ｖｓが供給され、その他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄが供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）を流れる電流の方向が、図６（Ａ）のときの電流の方向とは反転し、電流Ｉ２となる。これにより、発生する磁界の方向も反転し、破線で示す方向の磁界φ１２が発生する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流の方向が反転し、磁界の方向も反転して、破線で示す磁界φ１１となる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）の領域において、磁界φ１１とφ１２とが重畳され、強い磁界が発生することになる。

これにより、駆動電極間を電気的に接続しなくても、所望の駆動電極の領域において、強い磁界を発生することが可能となる。なお、図６では、第１電圧Ｖｓは、０で示され、第２電圧Ｖｄは、＋で示されている。

磁界発生期間において発生した磁界によって、ペンＰｅｎの容量素子に電荷が蓄積され、磁界検出期間において、ペンＰｅｎが発生する磁界を、磁界検出コイルで検出するのは、先に図２を用いて説明したのと同様である。

＜駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲの構成＞
磁界発生期間のとき、図６で説明したように、選択された駆動電極の端部ｎ１、ｎ２に、第１電圧Ｖｓと第２電圧Ｖｄを、交互に供給するよう、図４に示した駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲは、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲによって制御される。このとき、制御装置３は、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを、信号配線ＴＰＬＬおよびＴＰＬＲのそれぞれの端部に供給し、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲのそれぞれの端部に供給する。

駆動回路ＤＲＶＬは、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された複数の第１スイッチと、それぞれの駆動電極の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＳＶＬとの間に接続された複数の第２スイッチによって構成することができる。この場合、対応する選択回路ＳＥＬＬからの選択信号によって、第１スイッチまたは第２スイッチがオン状態（導通状態）となる。これにより、選択された駆動電極の一方の端部ｎ１に、第１電圧Ｖｓまたは第２電圧Ｖｄを供給することができる。同様に、駆動回路ＤＲＶＲも、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＰＬＲとの間に接続された複数の第１スイッチと、それぞれの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲとの間に接続された複数の第２スイッチによって構成することができる。駆動回路ＤＲＶＲを構成する複数の第１スイッチと第２スイッチを、対応する選択回路ＳＥＬＲからの選択信号によってスイッチング制御することにより、選択された駆動電極の他方の端部ｎ２に第２電圧Ｖｄまたは第１電圧Ｖｓを供給する。

本発明者らは、先ず、上記した第１スイッチおよび第２スイッチを同じサイズにすることを考えた。

図７は、上記した複数の第１スイッチと第２スイッチを同じサイズにした場合の駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図面が複雑になるのを避けるために、表示領域２において、辺２−Ｕと辺２−Ｄとの間に、縦方向に平行に配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、図７（Ａ）と図７（Ｂ）に分けて描かれている。ここでは、辺２−Ｕ側に近接した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）が、図７（Ａ）に示されており、辺２−Ｄ側に近接した駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｐ）が、図７（Ｂ）に示されている。図７（Ａ）を図７（Ｂ）の上側に配置することにより、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の平面図が完成する。

図７（Ａ）および（Ｂ）において、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部ｎ１との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第１スイッチＳ１０Ｌに該当する。また、信号配線ＴＳＶＬと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの一方の端部ｎ１との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第２スイッチＳ１１Ｌに該当する。同様に、図７（Ａ）および（Ｂ）において、信号配線ＴＰＬＲと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部ｎ２との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第１スイッチＳ１０Ｒに該当する。また、信号配線ＴＳＶＲと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの他方の端部ｎ２との間に接続されたスイッチが、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第２スイッチＳ１１Ｒに該当する。なお、図７では、一部の第１スイッチおよび第２スイッチに対してのみ、符合Ｓ１０Ｌ、Ｓ１１Ｌ、Ｓ１０Ｒ、Ｓ１１Ｒが付されている。

また、本明細書において、信号配線ＴＳＶＬを第３信号配線と称し、信号配線ＴＰＬＲを第４信号配線と称する場合、信号配線ＴＳＶＬに接続された第２スイッチＳ１１Ｌを第３スイッチと称し、信号配線ＴＰＬＲに接続された第１スイッチＳ１０Ｒを第４スイッチと称する場合がある。図７（Ａ）および（Ｂ）に示すように、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＰＬＬは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の一方（または他方）の端部ｎ１の配列方向、すなわち表示領域２の辺２−Ｌに沿って延在しており、信号配線ＴＳＶＲ、ＴＰＬＲは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の他方（または一方）の端部ｎ２の配列方向、すなわち表示領域２の辺２−Ｒに沿って延在している。

図７（Ａ）および（Ｂ）において、ｎＶＬ、ｎＶＲは、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの駆動信号回路６に接続されている方の端部を示しており、ｎＬＬ、ｎＬＲは、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの駆動信号回路６に接続されている方の端部を示している。すなわちこれらの端部の先は図４で示した駆動信号回路６に接続されている。磁界発生期間において、制御装置３は、駆動信号回路６から信号配線ＴＳＶＬの端部ｎＶＬおよび信号配線ＴＳＶＲの端部ｎＶＲに、第２電圧Ｖｄを有する駆動信号ＴＳＶを供給し、信号配線ＴＰＬＬの端部ｎＬＬおよび信号配線ＴＰＬＲの端部ｎＬＲに、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを供給する。

図７（Ａ）には、辺２−Ｕ側に近接した駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。これに対して、図７（Ｂ）には、辺２−Ｄ側に近接した駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生する場合の第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの状態が示されている。

図７において、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ上に示されているＲは、それぞれの信号配線に付随する抵抗成分を、分布定数の抵抗として示している。図面が複雑になるのを避けるために、符合Ｒも、一部の抵抗についてのみ、付されている。

図７（Ａ）に示すように、駆動電極ＴＬ（４）の領域において磁界を発生するとき、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態となり、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）には、駆動電極ＴＬ（２）に例示しているような方向の電流Ｉ１Ｆが流れ、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）には、駆動電極ＴＬ（６）に例示しているような方向の電流Ｉ２Ｆが流れることになり、駆動電極ＴＬ（４）の領域を中心に磁界が発生することになる。このとき、駆動電極ＴＬ（４）は、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとは接続されておらず、フローテイング状態となっている。

同様に、図７（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において磁界を発生するとき、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態となり、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）の端部ｎ１、ｎ２に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）には、駆動電極ＴＬ（ｐ−６）に例示しているような方向の電流Ｉ１Ｎが流れ、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）には、駆動電極ＴＬ（ｐ−２）に例示しているような方向の電流Ｉ２Ｎが流れることになり、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域を中心に磁界が発生することになる。このとき、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）も、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ、ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとは接続されておらず、フローテイング状態となっている。

駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において、磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの駆動信号回路６に接続される端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに、平面視において近接しているため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒは少なくなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒとほぼ同じ値の電流が、電流Ｉ１Ｎ、Ｉ２Ｎとして、これらの駆動電極を流れることになる。これに対して、駆動電極ＴＬ（４）の領域において、磁界を発生する場合、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、駆動信号回路６に接続された信号配線の端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから、平面視において離れているため、これらの駆動電極の端部ｎ１、ｎ２と信号配線の端部との間に接続される抵抗Ｒが多くなる。そのため、磁界発生期間において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲを流れる電流Ｉ１ＮＬ、Ｉ１ＮＲ、Ｉ２ＮＬ、Ｉ２Ｒに比べて小さな値の電流が、電流Ｉ１Ｆ、Ｉ２Ｆとして、これらの駆動電極を流れることになる。

駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）を流れる電流の値が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）を流れる電流の値に比べ、小さくなるため、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）によって発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）およびＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）によって発生する磁界に比べて弱くなる。その結果として、駆動電極ＴＬ（４）の領域において発生する磁界が、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域において発生する磁界よりも弱くなる。すなわち、駆動信号回路６に接続された端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから平面視において離れた位置に配置されている駆動電極によって発生する磁界は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲの近傍の位置に配置されている駆動電極によって発生する磁界よりも弱くなる。

図８は、磁界発生期間において、駆動電極を流れる電流の値を示す特性図である。図８は、本発明者らが測定して、作成した特性図である。図８において、横軸は、駆動電極の位置を示しており、近端は、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｐ）を示しており、遠端は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）を示している。駆動電極ＴＬ（ｐ）からＴＬ（０）の順に、信号配線の端部から離れて配置されている。図８の縦軸は、駆動電極を流れている電流の値を示している。図８から理解されるように、磁界発生期間においては、近端から遠端に向かって、駆動電極を流れる電流の値が小さくなっている。また、本発明者らが測定した結果では、近端の駆動電極を流れる電流の値は、遠端の駆動電極を流れる電流に対して、約３倍の値を有している。

駆動電極を流れる電流の値が、近端から遠端に向かって小さくなると、発生する磁界も、近端から遠端に向かって弱くなる。そのため、磁界発生期間において、ペンＰｅｎの容量素子に蓄積される電荷量も、タッチしている位置によって異なることになる。その結果、磁界検出期間において、磁界検出コイルにより検出される変化量も変わることになり、検出感度が位置に依存してばらつくことになる。例えば、図４に示したタッチ制御装置５において、受信した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を調整することにより、検出感度のバラツキを低減し、位置に対して一定にすることが考えられるが、図８に示すように、駆動電極を流れる電流が３倍も異なると、発生する磁界の変化が大きく、検出感度が一定となるように、調整するのは容易ではない。

図９は、実施の形態１に係わる駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図面が複雑になるのを避けるために、図７と同様に、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが供給される信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから平面視において離れて配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ）および対応する駆動回路が、図９（Ａ）に示されている。また、平面視において、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｐ）および対応する駆動回路が、図９（Ｂ）に示されている。図９（Ａ）を図９（Ｂ）の上側に配置することにより、表示領域２の辺２−Ｕと辺２−Ｄの間に、縦方向に平行に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、それに対応する駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲの平面図が完成する。なお、完成した平面図は、実際の配置に合わせて描かれている。

図９（Ａ）には、図７（Ａ）と同様に、駆動電極ＴＬ（４）の領域で磁界が発生するように、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされ、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）に接続された第２スイッチＳ１１Ｌおよび第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態にされたときの状態が示されている。また、図９（Ｂ）には、図７（Ｂ）と同様に、駆動電極ＴＬ（ｐ−４）の領域で磁界が発生するように、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされ、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）に接続された第２スイッチＳ１１Ｌおよび第１スイッチＳ１０Ｒがオン状態にされたときの状態が示されている。

この実施の形態１においては、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｌと、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第１スイッチＳ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｒのサイズが、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに接続されている位置に応じて異なっている。駆動回路ＤＲＶＬを構成する第１スイッチＳ１０Ｌを例にして説明すると、平面視において、信号配線ＴＰＬＬの端部ｎＬＬから離れた位置に接続されている第１スイッチから、端部ｎＬＬに近接した位置に接続されている第１スイッチに向けて、そのサイズが小さくされている。同様に、駆動回路ＤＲＶＬを構成する第２スイッチＳ１１Ｌ、駆動回路ＤＲＶＲを構成する第１スイッチＳ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｒも、それぞれが接続される信号配線ＴＳＶＬ、ＴＰＬＲおよびＴＳＶＲにおいて、端部ｎＶＬ、ｎＬＲおよびｎＶＲから離れた位置に接続されているスイッチから、端部に近接した位置で接続しているスイッチに向けて、サイズが小さくされている。

なお、図９（Ａ）および（Ｂ）では、第１スイッチおよび第２スイッチのサイズを、スイッチを示す記号において、○印間の距離で概念的に表している。すなわち、スイッチのサイズが大きくなるほど、スイッチ記号の○印間の距離が大きくなるように表している。これにより、平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＶＬ、ｎＬＲおよびｎＶＲから離れて接続されている第１スイッチおよび第２スイッチから、これらの端部に近接して接続されている第１スイッチおよび第２スイッチに向けて、スイッチのサイズが、次第に小さくなっていることが、スイッチを示す記号の○印間の距離によって、図９では明示されている。

第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒは、この実施の形態１においては、特に制限されないが、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下、トランジスタとも称する）によって構成されている。図１０は、トランジスタの構成を示す模式図である。図１０（Ａ）は、トランジスタの平面図であり、図１０（Ｂ）は、トランジスタの断面図である。

トランジスタは、図１０（Ｂ）に示すように、第１基板ＴＧＢに形成されたＰ型の半導体層ＰＳＢに形成されたＮ型半導体領域ＳＥ、ＤＥと、ゲート絶縁膜ＧＳＯを介してＰ型の半導体層ＰＳＢ上に形成されたゲート電極ＧＥを備えている。Ｎ型半導体領域ＳＥは、トランジスタのソースとして機能し、Ｎ型半導体領域ＤＥは、トランジスタのドレインとして機能する。トランジスタのゲート電極ＧＥに、上記した選択回路ＳＥＬＬ（またはＳＥＬＲ）からの選択信号が供給され、ソースＳＥ（またはドレインＤＥ）が、信号配線（例えばＴＰＬＬ）に接続され、ドレインＤＥ（またはソースＳＥ）が、駆動電極の端部ｎ１（またはｎ２）に接続される。

図１０（Ａ）において、Ａ−Ａ’の部分の断面が、先に説明した図１０（Ｂ）に示した断面を有している。図１０（Ａ）において、Ｌは、ソース領域ＳＥとドレイン領域ＤＥとの間の長さを示すチャンネル長を表し、Ｗは、ソース領域ＳＥおよびドレイン領域ＤＥの幅を示すチャンネル幅を表している。この実施の形態１においては、チャンネル幅Ｗを変更することにより、トランジスタのサイズが変更される。すなわち、トランジスタのチャンネル幅Ｗを大きく（広く）することにより、トランジスタのサイズを大きくし、チャンネル幅Ｗを小さく（狭く）することにより、トランジスタのサイズを小さくする。

この実施の形態１においては、第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズは、トランジスタのサイズを意味している。そのため、平面視において、信号線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて接続されているトランジスタから、これらの端部に近接して接続されているトランジスタに向けて、トランジスタのチャンネル幅が、小さくなっている。

例えば、大きな（広い）チャンネル幅Ｗを有するトランジスタが、図９（Ａ）に示した駆動電極ＴＬ（１）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された第１スイッチＳ１０Ｌを構成し、小さな（狭い）チャンネル幅Ｗを有するトランジスタが、図９（Ｂ）に示した駆動電極ＴＬ（ｐ−１）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された第１スイッチＳ１０Ｌを構成する。また、駆動電極ＴＬ（ｐ−１）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌを構成するトランジスタのチャンネル幅Ｗと、駆動電極ＴＬ（１）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌを構成するトランジスタのチャンネル幅Ｗとの間の大きさのチャンネル幅Ｗを有するトランジスタが、例えば、図９（Ａ）の示した駆動電極ＴＬ（ｎ）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された第１スイッチＳ１０Ｌを構成する。

トランジスタは、そのゲート電極に供給される選択信号によってオン状態にされたとき、オン抵抗が、チャンネル幅Ｗの大きさによって変化する。すなわち、チャンネル幅Ｗを小さく（狭く）すると、オン抵抗が大きくなり、チャンネル幅Ｗを大きく（広く）すると、オン抵抗が小さくなる。

磁界発生期間において、図９（Ａ）に示すように、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされると、これらの第１スイッチおよび第２スイッチは、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＶＲから離れた位置に接続されているため、これらの第１スイッチおよび第２スイッチはサイズが大きく、オン抵抗が小さい。その結果、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬの端部ｎＬＬとの間の合成抵抗は小さくなり、これらの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲの端部ｎＶＲとの間の合成抵抗も小さくなる。

同様に、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）に接続された第１スイッチＳ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌがオン状態にされると、これらの第１スイッチおよび第２スイッチは、信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬの端部ｎＬＲ、ｎＶＬから離れた位置に接続されているため、これらの第１スイッチおよび第２スイッチはサイズが大きく、オン抵抗が小さい。その結果、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＲの端部ｎＬＲとの間の合成抵抗は小さくなり、これらの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＬの端部ｎＶＬとの間の合成抵抗も小さくなる。

これにより、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）を流れる電流Ｉ１Ｆおよび駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）を流れる電流Ｉ２Ｆを大きくすることが可能となる。

これに対して、磁界発生期間において、図９（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌおよび第２スイッチＳ１１Ｒがオン状態にされると、これらの第１スイッチおよび第２スイッチは、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＶＲに近接して接続されているため、これらの第１スイッチおよび第２スイッチはサイズが小さく、オン抵抗が大きい。その結果、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＬの端部ｎＬＬとの間の合成抵抗は大きくなり、これらの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＲの端部ｎＶＲとの間の合成抵抗も大きくなる。

同様に、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）に接続された第１スイッチＳ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌがオン状態にされると、これらの第１スイッチおよび第２スイッチは、信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬの端部ｎＬＲ、ｎＶＬに近接した位置に接続されているため、これらの第１スイッチおよび第２スイッチのサイズは小さく、オン抵抗が大きい。その結果、駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）の一方の端部ｎ１と信号配線ＴＰＬＲの端部ｎＬＲとの間の合成抵抗は大きくなり、これらの駆動電極の他方の端部ｎ２と信号配線ＴＳＶＬの端部ｎＶＬとの間の合成抵抗も大きくなる。

これにより、駆動電極ＴＬ（ｐ−７）〜ＴＬ（ｐ−５）を流れる電流Ｉ１Ｎおよび駆動電極ＴＬ（ｐ−３）〜ＴＬ（ｐ−１）を流れる電流Ｉ２Ｎを小さくすることが可能となる。

すなわち、信号配線に沿って接続される各スイッチのうち、駆動信号回路６に近く抵抗が少ない場所に接続されるスイッチのオン抵抗は大きく、駆動信号回路６から離れて抵抗が大きい場所に接続されるスイッチのオン抵抗は小さくなるようにスイッチのサイズを調節する。

この結果、いずれの場所に配置された駆動電極においても信号配線から供給される電流の量が均一となるから平面視において、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて配置されている駆動電極ＴＬ（４）において発生する磁界と、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置されている駆動電極ＴＬ（ｐ−４）において発生する磁界の強度の差が低減される。これにより、磁界発生期間において、検出感度が、表示領域内の駆動電極の位置に依存して変化するのを低減することが可能となる。

スイッチのオン抵抗はスイッチを構成するトランジスタのチャンネル長によって調節することもできる。トランジスタのチャンネル長Ｌが長いとスイッチのオン抵抗は大きくなるので、例えばチャンネル幅Ｗが同じ場合はチャンネル長Ｌが長い、すなわちＷ／Ｌ値が小さいトランジスタを信号配線の抵抗が小さい駆動信号回路６の近端に配置し、Ｗ／Ｌ値の大きなトランジスタを信号配線の抵抗が大きい駆動信号回路６の遠端に配置してもよい。この場合Ｗ／Ｌ値がスイッチのサイズに相当する。駆動信号回路に近接する信号配線に接続されるスイッチが、遠端に接続されるスイッチのサイズよりも小さければいいので、この時チャンネル幅Ｗは必ずしも一定でなくともよく、チャンネル長とともに適宜任意の値とすることができる。

＜磁界発生期間における合成抵抗内訳＞
次に、磁界発生期間において、選択された駆動電極およびスイッチを含む合成抵抗の内訳を説明する。図１１は、実施の形態１に係わる駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図１１は、図９に類似しているが、図１１では、図９（Ａ）および（Ｂ）に示した駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｐ−１）が省略されている。また、図１１は、図５に示した表示モジュール５００の配置に合わせて描かれている。

図１１では、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬおよびｎＶＲは、フレキシブルケーブルＦＢ２の領域として示されている。すなわち、図１１は、制御装置３ではなく、図５で述べた他の回路ブロックによって、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶが形成される場合を示している。そのため、図５において説明したように、制御装置３によって覆われた部分（図５の破線部）にも、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲが形成され、これらの信号配線は、フレキシブルケーブルＦＢ２に接続されている。

図１１では、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶを形成する駆動信号回路６として電源回路７が用いられている。すなわち、図１１に示した信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに、電源回路により形成された第１電圧Ｖｓおよび第２電圧Ｖｄが、駆動信号ＴＰＬ、ＴＳＶとして供給される。この電源回路７は、特に制限されないが、フレキシブルケーブルＦＢ２に搭載されている。

図１１においても、図９と同様に、信号配線ＴＰＬＬと駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に第１スイッチが接続されている。図１１では、この第１スイッチの符合が、第１スイッチを示す符合と、接続している駆動電極の番号の組合せによって表されている。例えば、駆動電極ＴＬ（０）と信号配線ＴＰＬＬとの間に接続された第１スイッチは、駆動電極の番号（０）と第１スイッチを示す符合Ｓ１０Ｌとを組み合わせて、Ｓ１０Ｌ（０）として表されている。他の第１スイッチおよび第２スイッチについても、同様である。また、第１スイッチおよび第２スイッチのサイズは、図９と同様に、スイッチの記号において、○印間の距離によって表されている。平面視において、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れて接続されている第１スイッチＳ１０Ｌ（０）、Ｓ１０Ｒ（０）および第２スイッチＳ１１Ｌ（０）、Ｓ１１Ｒ（０）から、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して接続されている第１スイッチＳ１０Ｌ（ｐ）、Ｓ１０Ｒ（ｐ）および第２スイッチＳ１１Ｌ（ｐ）、Ｓ１１Ｒ（ｐ）に向けて、第１スイッチおよび第２スイッチのサイズは、次第に小さくなっている。

図１１では、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲによって、第１スイッチＳ１０Ｌ（１）〜Ｓ１０Ｌ（３）、Ｓ１０Ｒ（５）〜Ｓ１０Ｒ（７）および第２スイッチＳ１１Ｒ（１）〜Ｓ１１Ｒ（３）、Ｓ１１Ｌ（５）〜Ｓ１１Ｌ（７）が、オン状態にされ、図９（Ａ）と同様に、駆動電極ＴＬ（４）の領域で磁界を発生している。

上記したように、第１スイッチおよび第２スイッチがオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）のそれぞれを含む、複数の電流経路が形成される。図１１では、代表として、駆動電極ＴＬ（２）を含む電流経路が一点鎖線ＲＣ（２）で示され、駆動電極ＴＬ（６）を含む電流経路が二点鎖線ＲＣ（６）で示されている。磁界発生期間に形成される電流経路を、１周分流れる電流が、位置に依存せずに、等しくなるように、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接した第１スイッチおよび第２スイッチほど、サイズが小さくされている。言い換えるならば、それぞれの電流経路の合成抵抗が、互いに等しくなるように、第１スイッチおよび第２スイッチのオン抵抗が調整されている。例えば、図１１に示した電流経路ＲＣ（２）の１周分の合成抵抗と、電流経路ＲＣ（６）の１周分の合成抵抗が等しくなるように、駆動電極ＴＬ（２）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ（２）および第２スイッチＳ１１Ｒ（２）と、駆動電極ＴＬ（６）に接続された第１スイッチＳ１０Ｒ（６）および第２スイッチＳ１１Ｌ（６）のサイズが調整されている。

電流経路ＲＣ（２）の合成抵抗に含まれる抵抗成分は、図１１に示す抵抗成分Ｒ、ＲＴＲ、ＲＴ（２）、ＲＤおよびＲＰとなる。同様に、電流経路ＲＣ（６）の合成抵抗に含まれる抵抗成分は、抵抗成分Ｒ、ＲＴＲ、ＲＴ（６）、ＲＤおよびＲＰとなる。ここで、破線で示した抵抗成分ＲＴ（２）、ＲＴ（６）は、駆動電極ＴＬ（２）、ＴＬ（６）の抵抗を示している。すなわち、駆動電極の端部ｎ１、ｎ２間の抵抗を示している。また、破線で示した抵抗成分ＲＴＲは、オン状態となっている第１スイッチまたは第２スイッチのオン抵抗を示している。

抵抗成分Ｒと、破線で示した抵抗成分ＲＤ、ＲＰについては、図５を参照にして説明する。先ず、抵抗成分Ｒは、図５に示した表示領域２の辺と表示モジュール５００の長辺との間の領域を、縦方向に直線状に延在している信号配線の部分における抵抗成分を、分布定数的に表した抵抗成分である。例えば表示領域２の辺２−Ｌと表示モジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域を、縦方向に直線状に延在している信号配線ＴＰＬＬの部分の抵抗を、分布定数的に表した抵抗成分が、抵抗成分Ｒに相当する。他の信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲのそれぞれの上に示した抵抗成分Ｒについても、同様である。

抵抗成分ＲＤは、表示領域２の辺と表示モジュール５００の長辺との間の領域を、直線状に延在している信号配線の部分と、フレキシブルケーブルＦＢ２との間を接続する信号配線に付随する抵抗成分を示している。ここでも、信号配線ＴＰＬＬを例にして述べると、表示領域２の辺２−Ｌと表示モジュール５００の長辺５００−Ｌとの間の領域を、直線状に延在している信号配線ＴＰＬＬの部分と、フレキシブルケーブルＦＢ２とを接続する信号配線ＴＰＬＬの引き出し部分の抵抗を示している。他の信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲのそれぞれの上に示した抵抗成分ＲＤについても、同様である。

抵抗成分ＲＰは、フレキシブルケーブルＦＢ２を、第１基板ＴＧＢに実装するときの実装抵抗および電源回路の出力インピーダンスを示している。すなわち、抵抗成分ＲＰは、電源回路によって形成される第１電圧の電源インピーダンスと第２電圧Ｖｄの電源インピーダンスとを含んでいる。

図１２は、電流経路含まれる合成抵抗の内訳を示す図である。同図には、遠端に形成される電流経路と、近端に形成される電流経路の合成抵抗の内訳が示されている。ここで、近端に形成される電流経路は、フレキシブルケーブルＦＢ２に近接して接続された第１スイッチおよび第２スイッチによって、駆動信号（第１電圧Ｖｓ、第２電圧Ｖｄ）が供給される駆動電極を含む電流経路を示している。近端に形成される電流経路としては、近端と調整後近端の２種類が、図１２に示されている。図１２において、近端として示した電流経路は、図７で述べたように、第１スイッチおよび第２スイッチのそれぞれのサイズを同じにした場合を示しており、調整後近端として示した電流経路は、図９、図１１に示したように、第１スイッチおよび第２スイッチのサイズを、遠端から近端に向けて、小さくした場合の電流経路を示している。

図１２では、遠端に形成される電流経路の合成抵抗を１として、抵抗成分の内訳を、棒の長さで表している。図１２に示した棒において、右上がりの斜線で埋めた部分は、抵抗成分Ｒの合成値を示し、右下がりの斜線で埋めた部分は、駆動電極の抵抗成分（図１２では、ＴＬ抵抗）を示している。また、棒において、ドットで埋めた部分は、第１スイッチまたは第２スイッチのオン抵抗ＲＴＲ（図１２では、スイッチオン抵抗）を示し、菱形で埋められた部分は、引き出し部分の抵抗成分ＲＤを示し、横線で埋められた部分は、実装抵抗および電源インピーダンスの抵抗成分ＲＰを示している。

図１２に示すように、近端に形成される電流経路と遠端に形成される電流経路との間を見比べた場合、駆動電極の抵抗成分（ＴＬ抵抗）、第１スイッチまたは第２スイッチのオン抵抗（スイッチオン抵抗）、引き出し部分の抵抗成分ＲＤ（菱形で埋めた部分）および実装抵抗・電源インピーダンスの抵抗成分ＲＰ（横線で埋めた部分）の占有比は、ほぼ同じである。これに対して、表示領域２の辺２−Ｌ、２−Ｒに沿って配置されている部分の抵抗成分Ｒは、遠端に比べ、近端に形成される電流経路では、占有比が小さくなっている。実施の形態１においては、近端に形成される電流経路に含まれる第１スイッチおよび第２スイッチのサイズが小さくされ、そのオン抵抗が大きくされる。これにより、調整後近端として示すように、第１スイッチおよび第２スイッチのオン抵抗（ドットで埋めた部分）が大きくなり、第１スイッチおよび第２スイッチのオン抵抗の占有比が大きくなっている。その結果、近端に形成される電流経路と、遠端に形成される電流経路との間で、合成抵抗を、実質的に同じにすることが可能となる。

磁界発生期間において、近端に形成される電流経路と、遠端に形成される電流経路との間で、実質的に合成抵抗を同じにすることにより、同じ値の電流が流れるようにすることが可能となる。その結果、検出感度が位置に依存して変化するのを低減ことが可能となる。また、図１１を例として述べると、磁界発生期間のとき、電流経路ＲＴ（２）およびＲＴ（６）のそれぞれを流れる電流を、実質的に同じにすることが可能となる。その結果、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）によって構成される束駆動電極が発生する磁界の強さと、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）によって構成される束駆動電極が発生する磁界の強さとを、実質的に同じにすることが可能となる。

（実施の形態２）
この実施の形態２においては、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の両方に適した構成が提供される。

本発明に係る表示装置は、表示領域に配置した駆動電極を磁界発生用の電極または電界発生用の電極として使用し、磁界タッチ検出と電界タッチ検出とを時分割で行うことができる。しかし、上述したように磁界と電界では発生原理が異なり、表示装置における駆動方法も異なる為、磁界タッチ検出と電界タッチ検出の双方に適したスイッチサイズの設計が求められる。

この課題について図１３示した電界タッチ検出時の液晶モジュールの簡略図により説明する。

電界タッチ検出のときには、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに沿って配置された複数の第２スイッチＳ１１ＬおよびＳ１１Ｒのうち、選択する駆動電極の一方の端部及び他方の端部に接続された第２スイッチＳ１１ＬおよびＳ１１Ｒをオン状態にする。このとき、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶを供給する。これにより、電界タッチ検出のときには、第２スイッチを介して、選択する駆動電極の両端部に、信号配線ＴＳＶＬおよびＴＳＶＲから駆動信号ＴＳＶが電界駆動信号として供給されることになる。

図１３には、一番上側に配置された第２スイッチについてのみ、符合Ｓ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒが付されており、他の第２スイッチについては符合が省略されている。また、図１３では、１個の駆動電極に接続されている第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒの個数によって、それぞれのスイッチのサイズが示されている。すなわち、接続されているスイッチの数が多いほど、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズが大きいことを示している。また、図１３において、Ｒは、信号配線ＴＳＶＬ、ＳＴＶＲの抵抗を分布定数的に示す抵抗成分であり、Ｃｐ１は、信号配線ＴＳＶＬ，ＴＳＶＲの容量を分布定数的に示す容量成分である。さらに、ＲＴ１は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の抵抗を分布定数的に示す抵抗成分であり、Ｃｐ２は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の容量を分布定数的に示す容量成分である。なお、図１３では、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（２）およびＴＬ（ｐ−１）〜ＴＬ（ｐ）に接続された第２スイッチが、全てオン状態になっているように示されているが、電界タッチ検出のときには、１個の駆動電極が、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに接続され、電界を発生する。

図１３では、実施の形態１で示したように、駆動信号回路６に接続された信号配線の端部に近い駆動電極に接続される第２スイッチのサイズは小さく、駆動信号回路６に接続された信号配線の端部に遠い駆動電極に接続される第２スイッチのサイズは大きくなっている。電界タッチ検出のとき、信号配線の端部に近接して配置された駆動電極には、端部から離れて配置された駆動電極に比べて、大きなオン抵抗を有する第２スイッチを介して、電界駆動信号ＴＳＶが供給されることになる。また、第２スイッチを構成するトランジスタのサイズ（例えば、図１０に示したチャンネル長Ｌ）は、駆動電極の長さに比べて十分に短いため、第２スイッチのオン抵抗は、駆動電極の容量（分布定数で表した容量成分Ｃｐ２の合成値）に対して集中定数の抵抗成分として作用する。そのため、信号配線の端部に近接して配置された駆動電極における信号変化は、端部から離れて配置された駆動電極における信号変化に比べると、遅くなり、劣化することになる。

図９および図１１で示したように、磁界タッチ検出においては、磁界発生期間に発生する磁界の強度を上げる為に複数の駆動電極が束にして同時に駆動する。電界タッチ検出においても、複数の駆動電極を束として駆動することができるが、磁界タッチ検出時と同一の本数で束とするとは限らず、磁界タッチ検出時よりも多い本数または少ない本数で駆動することが考えられる。また、タッチ検出の解像度の観点から、駆動電極を束ねずに一本ずつ駆動することが考えられる。

例えば図９および図１１で示した磁界タッチ検出の時、１個の駆動電極（例えばＴＬ（４））の領域で磁界を発生させるときと同一のタッチの解像度は電界タッチ検出では一本の駆動電極を駆動した時と同等になる。

しかし、複数本の駆動電極を束ねる、すなわち隣接する第２スイッチ同士を同時に接続すると、その数に応じて第２スイッチのオン抵抗は下がることになるので、磁界タッチ検出の束ね本数に合わせて駆動信号回路６に接続された信号配線の端部に近接した第２スイッチのサイズを小さくした場合、電界タッチ検出において端部に近接した駆動電極を磁界タッチ検出よりも少ない本数で駆動する時の抵抗が高くなりタッチ検出性能が低下する場合がある。また表示領域内において電界タッチ検出の検出感度が不均一となる場合がある。

＜＜磁界タッチ検出および電界タッチ検出における合成抵抗内訳＞＞
図１４は、磁界タッチ検出の磁界発生期間において形成される電流経路の合成抵抗の内訳と、電界タッチ検出において形成される経路の合成抵抗の内訳を示す図である。図１４は、図１２と同様に、棒の長さによって、合成抵抗の内訳が示されている。図１４において、横軸に示した遠端ＴＰと近端ＴＰは、それぞれ磁界発生期間において、電源回路の出力端部から見たときの信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの遠端と近端に形成された電流経路の合成抵抗を示しており、これは図１２と同一の値である。また、図１４の横軸において、遠端ＴＣは、電界タッチ検出のときに、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部（電源回路の出力端部）から離れて接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒがオン状態となることによって形成される経路の合成抵抗を示している。また、近端ＴＣは、電界タッチ検出のときに、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部に近接して接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒがオン状態となることによって形成される経路の合成抵抗を示している。

遠端ＴＣは、例えば図１３に示した駆動電極ＴＬ（０）と信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとの間に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒがオン状態にされたときに形成される経路の合成抵抗を示している。この場合の経路は、図１３に示した信号配線ＴＳＶＬ、第２スイッチＳ１１Ｌ、駆動電極ＴＬ（０）、第２スイッチＳ１１Ｒおよび信号配線ＴＳＶＲが直列的に接続された経路を含むことになる。また、近端ＴＣは、例えば図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｐ）と信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲとの間に接続された第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒがオン状態にされたときに形成される経路の合成抵抗を示している。この場合の経路は、図１３に示した信号配線ＴＳＶＬ、第２スイッチＳ１１Ｌ、駆動電極ＴＬ（ｐ）、第２スイッチＳ１１Ｒおよび信号配線ＴＳＶＲが直列的に接続された経路を含むことになる。

図１４において、遠端ＴＰと遠端ＴＣを比べると、遠端ＴＣにおいては、ＴＬ抵抗とスイッチオン抵抗の占有比が大きくなっているため、遠端ＴＣの方が、遠端ＴＰに比べて合成抵抗が、大きくなっている。遠端ＴＰにおいては、磁界発生期間のとき、複数の駆動電極が束として、信号配線に接続されるのに対して、遠端ＴＣでは、１個の駆動電極が、信号配線に接続されるため、図１４に示すような差が生じている。同様の理由で、近端ＴＰと近端ＴＣを比べた場合にも、近端ＴＣにおいては、ＴＬ抵抗とスイッチオン抵抗の占有比が大きくなっているため、近端ＴＣの方が、近端ＴＰに比べて合成抵抗が、大きくなっている。

遠端ＴＣと近端ＴＣを比べた場合、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズが、実施の形態１で述べたように、フレキシブルケーブルＦＢ２から離れた接続位置から近接した接続位置に向けて小さくされ、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのオン抵抗が大きくなるように調整されている。そのため、スイッチオン抵抗の占有比が大きくなり、近端ＴＣの合成抵抗が、遠端ＴＣの合成抵抗よりも大きくなっている。また、電界タッチ検出においては、駆動電極は束にされないため、遠端ＴＰに比べて３倍に近い抵抗値を有している。

このように、磁界タッチ検出の検出感度に合わせて第１スイッチおよび第２スイッチを、フレキシブルケーブルＦＢ２（または信号配線の端部）から離れた接続位置から、近接した接続位置に向かって、オン抵抗が大きくなるように、そのサイズを調整すると、電界タッチ検出の検出感度が表示領域内の駆動電極の場所によって不均一となる。

＜駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲの構成＞
図１５は、実施の形態２に係わる駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲと駆動電極の構成を示す平面図である。図１５（Ａ）は、図９（Ａ）と同様に、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲから離れて配置された駆動電極および対応する駆動回路の平面図を示しており、図１５（Ｂ）は、端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに近接して配置された駆動電極および対応する駆動回路の平面図を示している。

この実施の形態２においても、図４に示した制御装置３は、磁界タッチ検出のときには、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲへ供給し、高い第２電圧を有する駆動信号ＴＳＶを信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＶＬ、ｎＶＲに供給する。

一方、電界タッチ検出のとき、制御装置３は、周期的に電圧が変化する駆動信号ＴＳＶを形成して、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＶＬ、ｎＶＲに供給する。このときの駆動信号ＴＳＶの電圧は、特に制限されないが、第１電圧Ｖｓと第２電圧Ｖｄとの間で変化する。また、制御装置３は、電界タッチ検出のときには、特に制限されないが、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを形成して、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲに供給する。

実施の形態２においては、それぞれの駆動電極に接続可能な第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒのサイズが信号配線の遠端と近端とで異なり、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズは、それぞれの駆動電極に対して等しくなるようにする。すなわち、電界タッチ検出のときに駆動信号（電界駆動信号）ＴＳＶが供給される信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに接続される第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズのみを信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＶＬ、ｎＶＲからの距離にかかわらず同一にする。

これにより、第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒのサイズを信号配線の端部ｎＬＬ、ｎＬＲからの距離に応じて大きくしているので磁界タッチ検出における検出感度のばらつきが改善されるとともに、第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒのサイズは同一なので電界タッチ検出時においても検出感度のばらつきが起こりにくい。すなわち磁界タッチ検出と電界タッチ検出の双方の動作において、駆動電極の配置場所による検出感度のばらつきを抑制できる。

＜磁界タッチ検出および電界タッチ検出の動作＞
次に、実施の形態２に係わる表示装置における磁界タッチ検出および電界タッチ検出の動作を説明する。ここでは、図１５に示した駆動電極のうち、代表として駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）を用いて説明する。

図１６は、実施の形態２に係わる駆動回路と駆動電極の構成を示す平面図である。図１６では、図１１と同様に第１スイッチのサイズがフレキシブルケーブルＦＢ２から離れた第１スイッチＳ１０Ｌ（０）、Ｓ１０Ｒ（０）から、近接した第１スイッチＳ１０Ｌ（ｐ）、Ｓ１０Ｒ（ｐ）に向けて徐々に小さくなっている。また、図１１と異なり第２スイッチＳ１１Ｌ（０）〜Ｓ１１（ｐ）、Ｓ１１Ｒ（０）〜Ｓ１１（ｐ）のサイズが、平面視で見たとき、フレキシブルケーブルＦＢ２からの距離とは無関係に、等しくなっている。

図１６においても、図１１と同様に、電源回路７が、駆動信号ＴＰＬおよびＴＳＶを形成し、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに供給する。電源回路７は、フレキシブルケーブルＦＢ２に実装されており、電源回路７の出力部が、図１５に示した信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲの端部ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲに相当する。

図１６において、第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（０）〜ＳＳ１０Ｌ（８）およびＳＳ１０Ｌ（ｐ）、第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（０）〜ＳＳ１１Ｌ（８）およびＳＳ１１Ｌ（ｐ）が、図４に示した選択回路ＳＥＬＬから出力される。同様に、第１選択信号ＳＳ１０Ｒ（０）〜ＳＳ１０Ｒ（８）およびＳＳ１０Ｒ（ｐ）、第２選択信号ＳＳ１１Ｒ（０）〜ＳＳ１１Ｒ（８）およびＳＳ１１Ｒ（ｐ）が、図４に示した選択回路ＳＥＬＲから出力される。

選択回路ＳＥＬＬから出力される第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（０）〜ＳＳ１０Ｌ（８）、ＳＳ１０Ｌ（ｐ）および第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（０）〜ＳＳ１１Ｌ（８）、ＳＳ１１Ｌ（ｐ）は、表示領域の辺２−Ｌに沿って配置された信号配線ＴＰＬＬ、ＴＳＶＬと接続される第１スイッチＳ１０Ｌ（０）〜ＳＳ１０Ｌ（８）、Ｓ１０Ｌ（ｐ）および第２スイッチＳ１１Ｌ（０）〜Ｓ１１Ｌ（８）、Ｓ１１（ｐ）を制御し、対応する駆動電極に接続する。同様に、選択回路ＳＥＬＲから出力される第１選択信号ＳＳ１０Ｒ（０）〜ＳＳ１０Ｒ（８）、ＳＳ１０Ｒ（ｐ）および第２選択信号ＳＳ１１Ｒ（０）〜ＳＳ１１Ｒ（８）、ＳＳ１１Ｒ（ｐ）は、表示領域の辺２−Ｒに沿って配置された信号配線ＴＰＬＲ、ＴＳＶＲと接続される第１スイッチＳ１０Ｒ（０）〜Ｓ１０Ｒ（８）、Ｓ１０Ｒ（ｐ）および第２スイッチＳ１１Ｒ（０）〜Ｓ１１Ｒ（８）、Ｓ１１（ｐ）を制御し、対応する駆動電極に接続する。特に制限されないが、第１スイッチおよび第２スイッチは、対応する第１選択信号および第２選択信号が、ハイレベルのとき、オン状態となり、ロウレベルのとき、オフ状態となる。駆動電極ＴＬ（０）を例にして説明したが、残りの駆動電極のそれぞれについても同様である。

＜＜磁界タッチ検出の動作＞＞
図１７は、実施の形態２に係わる磁界タッチ検出の動作を説明するための波形図である。図１７には、表示と磁界タッチ検出が、交互に行われる場合が示されている。図１７において、ＤＰは、表示期間を示し、ＴＰ（４）およびＴＰ（５）は、磁界タッチ検出期間を示している。磁界タッチ検出期間ＴＰ（４）は、駆動電極ＴＬ（４）の領域を中心に磁界を発生し、ペンＰｅｎ（図２）によるタッチを検出する期間を示している。磁界タッチ検出期間ＴＰ（４）の後に配置される表示期間ＤＰにおいて、表示領域２に画像表示が行われる。表示期間Ｄに続いて、駆動電極ＴＬ（４）と隣り合った駆動電極ＴＬ（５）の領域を中心に磁界を発生し、ペンＰｅｎによるタッチを検出する磁界タッチ検出期間ＴＰ（５）が配置される。

この実施の形態２においては、表示期間および磁界タッチ検出期間のとき、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲに供給される駆動信号ＴＰＬは、第１電圧Ｖｓに維持され、信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲに供給される駆動信号ＴＳＶは、第２電圧Ｖｄに維持される。この時駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を表示用の共通電極として使用し第１電圧Ｖｓを共通電位とすることができる。

図１７において、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間は、表示期間ＤＰであり、表示が行われる。時刻ｔ１に到達すると、制御装置３は、磁界タッチ検出期間ＴＰ（４）を開始する。磁界タッチ検出期間ＴＰ（４）は、図２で説明したように、磁界発生期間ＴＧＤと磁界検出期間ＴＤＤとを備えている。

タッチ検出期間ＴＰ（４）の磁界発生期間ＴＧＤにおいて、制御装置３は、駆動電極ＴＬ（４）の領域を中心に磁界を発生するように、制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲ（図４）によって選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲを制御する。この制御により、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、駆動電極ＴＬ（４）を挟むように配置されている駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）を選択する第１選択信号および第２選択信号を出力する。

図１７では、図面が複雑になるのを避けるために、駆動電極ＴＬ（２）、ＴＬ（４）およびＴＬ（６）に対応する第１選択信号および第２選択信号のみが示されている。タッチ検出期間ＴＰ（４）においては、駆動電極ＴＬ（１）およびＴＬ（３）は、駆動電極ＴＬ（２）と同様に選択され、駆動電極ＴＬ（５）およびＴＬ（７）は、駆動電極ＴＬ（６）と同様に選択されるため、ここでは、駆動電極ＴＬ（２）およびＴＬ（４）を代表として、説明する。

選択回路ＳＥＬＬおよびＳＥＬＲは、選択する駆動電極に対応した第１選択信号および第２選択信号の電圧を、磁界発生期間ＴＧＤの間、２回以上の複数回変化させる。この場合、選択回路ＳＥＬＬは、第１選択信号と第２選択信号とが、互いに相補的になるように、変化させる。すなわち、第１選択信号をハイレベル（またはロウレベル）にするときには、第２選択信号をロウレベル（またはハイレベル）にする。選択回路ＳＥＬＲも、同様に、第１選択信号と第２選択信号が、互いに相補的になるように、変化させる。さらに、選択回路ＳＥＬＬが、第１選択信号（または第２選択信号）をハイレベルにするとき、選択回路ＳＥＬＲは、第２選択信号（または第１選択信号）をハイレベルにするように、変化させる。

図１７では、時刻ｔ２から時刻ｔ３の間、選択回路ＳＥＬＬは、第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（２）および第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（６）をハイレベルにし、第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（２）および第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（６）をロウレベルにする。また、この期間、選択回路ＳＥＬＲは、第１選択信号ＳＳ１０Ｒ（２）および第２選択信号ＳＳ１１Ｒ（６）をハイレベルにし、第１選択信号ＳＳ１０Ｒ（６）および第２選択信号ＳＳ１１Ｒ（２）をロウレベルにする。これにより、図１６に示した駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部ｎ１は、第２スイッチＳ１１Ｌ（２）を介して信号配線ＴＳＶＬに接続され、他方の端部ｎ２は、第１スイッチＳ１０Ｒ（２）を介して信号配線ＴＰＬＲに接続されることになる。このとき、駆動電極ＴＬ（６）の一方の端部ｎ１は、第１スイッチＳ１０Ｌ（６）を介して信号配線ＴＰＬＬに接続され、他方の端部ｎ２は、第２スイッチＬ１１Ｒ（６）を介して信号配線ＴＳＶＲに接続されることになる。

信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲには、第２電圧Ｖｄが供給され、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲには、第１電圧Ｖｓが供給されているため、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部ｎ１および駆動電極ＴＬ（６）の他方の端部ｎ２には、第２電圧Ｖｄが供給され、駆動電極ＴＬ（２）の他方の端部ｎ２および駆動電極ＴＬ（６）の一方の端部ｎ１には、第１電圧Ｖｓが供給された状態となる。駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）は、駆動電極ＴＬ（２）と同じ状態となり、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（７）は、駆動電極ＴＬ（６）と同じ状態になる。そのため、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、図６（Ｂ）に示した状態となり、駆動電極ＴＬ（４）の領域において、磁界が発生することになる。

次に、時刻ｔ３〜ｔ４の間では、図１７に示すように、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（２）、ＳＳ１０Ｒ（６）および第２選択信号ＳＳ１１Ｒ（２）、ＳＳ１１Ｌ（６）をハイレベルにし、第１選択信号ＳＳ１０Ｒ（２）、ＳＳ１０Ｌ（６）および第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（２）、ＳＳ１１Ｒ（６）をロウレベルにする。これにより、駆動電極ＴＬ（２）およびＴＬ（６）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ（２）、Ｓ１０Ｒ（６）および第２スイッチＳ１１Ｒ（２）、Ｓ１１Ｌ（６）が、図１６に示すようにオン状態となる。駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）は、駆動電極ＴＬ（２）と同じ状態になり、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（７）は、駆動電極ＴＬ（６）と同じ状態になる。そのため、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、図６（Ａ）に示した状態になり、駆動電極ＴＬ（４）において磁界が発生することになる。

以降、磁界発生期間ＴＧＤにおいては、上記した動作が繰り返され、その都度、駆動電極ＴＬ（４）の領域で磁界が発生することになる。図１７では、第１選択信号および第２選択信号を４回変化させる例を示したが、これに限定されるものではなく、１回でもよいし、２回以上変化させるようにしてもよい。

時刻ｔ７から時刻ｔ８は、磁界検出期間ＴＤＤに割り当てられており、この磁界検出期間ＴＤＤにおいて、図２（Ｂ）で示したように、検出電極を用いて、ペンＰｅｎからの磁界が検出される。

なお、磁界タッチ検出期間ＴＰ（４）のとき、選択する駆動電極を除いた駆動電極、例えば駆動電極ＴＬ（４）に接続された第１スイッチＳ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒおよび第２スイッチＳ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒには、ロウレベルの第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（４）、ＳＳ１０Ｒ（４）およびロウレベルの第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（４）、ＳＳ１１Ｒ（４）が供給され、第１スイッチおよび第２スイッチはオフ状態となっている。これにより、選択した駆動電極の電圧が変化する際に、充放電する容量を低減することが可能となる。

磁界タッチ検出期間ＴＰ（５）に移ると、制御装置３は、駆動電極ＴＬ（５）の領域で磁界を発生するように、この駆動電極ＴＬ（５）を挟むように配置された駆動電極ＴＬ（２）〜ＴＬ（４）およびＴＬ（６）〜ＴＬ（８）を選択するような第１選択信号および第２選択信号を形成するように、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲを制御する。これにより、磁界発生期間ＴＧＤにおいて、駆動電極（２）〜ＴＬ（４）およびＴＬ（６）〜ＴＬ（８）に対応する第１選択信号および第２選択信号を、上記したのと同様に、複数回変化させて、磁界を発生させる。その後、磁界検出期間ＴＤＤにおいて、ペンＰｅｎからの磁界を検出する。以降、上記した動作を繰り返すことにより、ペンＰｅｎのタッチを検出し、タッチした座標の抽出が行われる。

＜＜電界タッチ検出の動作＞＞
次に、電界タッチ検出の動作を説明する。図１８は、実施の形態２に係わる電界タッチ検出の動作を示す波形図である。ここでも、表示と電界タッチ検出が交互に行われる場合を説明する。図１８では、駆動電極ＴＬ（４）の領域において指のタッチを検出する電界タッチ検出期間ＴＣ（４）と駆動電極ＴＬ（５）の領域において指のタッチを検出する電界タッチ検出期間ＴＣ（５）の波形が示されている。なお、ＤＰは、図１７と同様に、表示期間を示している。また、図１８には、図１７と同様に、駆動電極に対応した第１選択信号および第２選択信号のうち、駆動電極ＴＬ（２）、ＴＬ（４）およびＴＬ（６）に対応した第１選択信号および第２選択信号のみが示されている。なお、図１８において、第２選択信号に記載されているＬは、ロウレベルを意味している。

電界タッチ検出のとき、電界タッチ検出期間において、電源回路から出力される駆動信号ＴＳＶが、周期的に変化するように、制御装置３が電源回路を制御する。また、電源回路は、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを出力する。勿論、制御装置３が、電界タッチ検出期間において、周期的に変化する駆動信号ＴＳＶと、第１電圧Ｖｓを有する駆動信号ＴＰＬを形成するようにしてもよい。

時刻ｔ０から時刻ｔ１の間において、表示が行われ、時刻ｔ１において、電界タッチ検出期間ＴＣ（４）に移行すると、制御装置３は、選択する駆動電極に対応する第２選択信号をハイレベルにし、非選択の駆動電極に対応する第１選択信号をハイレベルするように、制御信号ＣＮＴＬ、ＣＮＴＲによって、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲを制御する（図４）。この制御により、選択回路ＳＥＬＬおよびＳＥＬＲは、時刻ｔ２において、選択する駆動電極ＴＬ（４）に対応する第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（４）およびＳＳ１１Ｒ（４）をハイレベルにし、第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（４）およびＳＳ１０Ｒ（４）をロウレベルにする。

また、選択回路ＳＥＬＬおよびＳＥＬＲは、時刻ｔ２において、非選択の駆動電極ＴＬ（２）に対応する第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（２）およびＳＳ１０Ｒ（２）をハイレベルにし、第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（２）およびＳＳ１１Ｒ（２）をロウレベルにする。同様に、時刻ｔ２において、非選択の駆動電極ＴＬ（６）に対応する第１選択信号ＳＳ１０Ｌ（６）およびＳＳ１０Ｒ（６）をハイレベルにし、第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（６）およびＳＳ１１Ｒ（６）をロウレベルにする。

駆動電極ＴＬ（４）に対応する第２選択信号ＳＳ１１Ｌ（４）、ＳＳ１１Ｒ（４）がハイレベルとなることにより、駆動電極ＴＬ（４）の一方の端部ｎ１は、第２スイッチＳ１１Ｌ（４）を介して信号配線ＴＳＶＬに接続され、他方の端部ｎ２は、第２スイッチＳ１１Ｒ（４）を介して信号配線ＴＳＶＲに接続される。この信号配線ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲには、周期的に電圧が変化する駆動信号（電界駆動信号）ＴＳＶが供給されているため、選択された駆動電極ＴＬ（４）の両端部ｎ１、ｎ２には、第２スイッチＳ１１Ｌ（４）、Ｓ１１Ｒ（４）を介して、周期的に変化する駆動信号が供給されることになるため、この駆動信号変化に従って変化する電界を発生することになる。

電界タッチ検出期間ＴＣ（４）においては、指によって電界が変化しているか否かが、図３で説明したように検出される。これにより、指のタッチを検出することが可能となる。

また、特に限定されるものではないが、電界タッチ検出期間ＴＣ（４）において、非選択の駆動電極（例えば、ＴＬ（２））は、その両端部ｎ１、ｎ２と信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲとの間に接続された第１スイッチ（例えばＳ１０Ｌ（２）、Ｓ１０Ｒ（２））がオン状態となり駆動信号ＴＰＬが供給される。その結果、ノイズが発生することを抑制することが可能となる。また、この実施の形態２において、制御装置３は、電界タッチ検出期間のとき、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）を所定の電圧に固定してもよい。これにより、さらにノイズの発生が低減される。

時刻ｔ３において、選択回路ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲは、第１選択信号および第２選択信号をロウレベルにし、時刻ｔ４において、電界タッチ検出期間ＴＣ（４）が終わる。その後、表示期間ＤＰおよび電界タッチ検出期間を経過して、時刻ｔ５に到達すると、電界タッチ検出期間ＴＣ（６）に移行する。電界タッチ検出期間ＴＣ（６）においては、駆動電極ＴＬ（６）が選択され、この選択された駆動電極に対応する第２選択信号がハイレベルにされ、残りの駆動電極に対応した第１選択信号がハイレベルにされる。これにより、電界タッチ検出期間ＴＣ（４）のときと同様に、選択された駆動電極ＴＬ（６）において電界が発生し、指のタッチが検出される。以降、同様にして、電界タッチ検出が行われることになる。

なお、図１６に示した駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）は、第１の駆動電極と見なし、駆動電極ＴＬ（５）〜ＴＬ（７）は、第２の駆動電極と見なし、駆動電極ＴＬ（４）は、第３の駆動電極と見なすことができる。磁界発生期間のとき、第３の駆動電極の領域を中心にして、第１の駆動電極および第３の駆動電極によって発生した磁界が重畳することになる。図１８では、駆動電極ＴＬ（４）およびＴＬ（５）を用いて、電界タッチ検出を説明したが、勿論、駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（３）等においても、同様にして、電界タッチ検出が行われる。実施の形態においては、磁界タッチ検出のとき、隣接した３個の駆動電極が第１の駆動電極（第２の駆動電極）として用いられる。これに対して、電界タッチ検出のときには、１個の駆動電極が用いられる。すなわち、同時に駆動信号が供給される駆動電極の本数が、電界タッチ検出のときに比べて、磁界タッチ検出のときは、多くなっている。

実施の形態１および２においては、図５で説明したように、表示領域２の辺２−Ｌと表示モジュール５００の長辺５００−Ｌとの間に、第１スイッチおよび第２スイッチを有する駆動回路ＤＲＶＬが配置され、表示領域２の辺２−Ｒと表示モジュール５００の長辺５００−Ｒとの間に、第１スイッチおよび第２スイッチを有する駆動回路ＤＲＶＲが配置される。長辺側に額縁に、部品および／または配線を追加しなくても、駆動回路ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲを構成するスイッチのサイズを調整するだけで、位置に依存した検出感度の変化を低減することが可能である。そのため、長辺側の額縁が大きくなるのを防ぐことが可能となる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、信号配線ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲは、縦方向に延在し、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている場合を説明したが、縦方向および横方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、信号配線および駆動電極の延在方向が変わっても、本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。

１ タッチ機能付き液晶表示装置
２ 表示領域
３ 制御装置
ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲ 駆動回路
ｎＬＬ、ｎＬＲ、ｎＶＬ、ｎＶＲ 端部
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
Ｓ１０Ｌ、Ｓ１０Ｒ 第１スイッチ
Ｓ１１Ｌ、Ｓ１１Ｒ 第２スイッチ
ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲ 選択回路
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＴＰＬＬ、ＴＰＬＲ、ＴＳＶＬ、ＴＳＶＲ 信号配線

Claims (11)

1. 基板と、
   駆動信号を供給する駆動信号回路に接続された端部を有し、前記基板の第１方向に延在するように配置された第１信号配線および第２信号配線と、
   前記基板の第１方向と交差する第２方向に延在し、前記第１方向に配列する複数の駆動電極と、
   前記第１信号配線に沿って配置され、前記複数の駆動電極の端部と前記第１信号配線との間を接続可能な複数の第１スイッチと、
   前記第２信号配線に沿って配置され、前記複数の駆動電極の端部と前記第２信号配線との間を接続可能な複数の第２スイッチと、
   外部物体の近接を検出するとき、前記複数の第１スイッチおよび前記複数の第２スイッチを制御する選択回路と、
   を備え、
   前記第１信号配線の、前記駆動信号回路に接続された端部に近接して配置された第１スイッチのサイズは、前記端部から離れて配置された第１スイッチのサイズよりも、小さくされており、
   前記第１信号配線および前記第２信号配線は、前記複数の駆動電極の一方の端部と他方の端部とに沿って延在し、
   前記複数の第１スイッチは、前記複数の駆動電極の一方の端部および他方の端部と前記第１信号配線との間を接続可能であり、前記複数の第２スイッチは、前記複数の駆動電極の一方の端部および他方の端部と前記第２信号配線との間を接続可能であり、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記複数の駆動電極のうちの第１の駆動電極の一方の端部と前記第１信号配線とが前記第１スイッチにより接続され、前記第１の駆動電極の他方の端部と前記第２信号配線とが前記第２スイッチにより接続され、
   電界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記第１の駆動電極の一方の端部と他方の端部とは前記第２スイッチにより前記第２信号配線に接続される、入力検出装置。
2. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   前記第２信号配線の、前記駆動信号回路に接続された端部に近接して配置された第２スイッチのサイズと、前記駆動信号回路に接続された端部から離れて配置された第２スイッチのサイズとは同じである、入力検出装置。
3. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   前記第１スイッチおよび第２スイッチのサイズは、前記第１スイッチおよび第２スイッチを構成するトランジスタのチャンネル幅のサイズである、入力検出装置。
4. 請求項２に記載の入力検出装置において、
   前記第１信号配線に供給される駆動信号は、第１電圧を有し、
   前記第２信号配線に供給される駆動信号は、前記第１電圧よりも電圧値の絶対値が大きい第２電圧を有する、入力検出装置。
5. 請求項４に記載の入力検出装置において、
   前記第１電圧および前記第２電圧は直流電圧である、入力検出装置。
6. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記第１の駆動電極は隣接する複数の駆動電極を備える、入力検出装置。
7. 請求項６に記載の入力検出装置において、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うときの前記第１の駆動電極に含まれる駆動電極の本数が、電界変化に基づき外部物体の入力検出を行うときの前記第１の駆動電極に含まれる駆動電極の本数よりも多い、入力検出装置。
8. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記複数の駆動電極のうちの第１の駆動電極の一方の端部は、前記第１スイッチにより、前記複数の駆動電極の一方の端部に沿って延在している第１信号配線に接続され、前記第１の駆動電極の他方の端部は、前記第２スイッチにより、前記複数の駆動電極の他方の端部に沿って延在している第２信号配線に接続され、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記複数の駆動電極のうちの第２の駆動電極の一方の端部は、前記第２スイッチにより、前記複数の駆動電極の一方の端部に沿って延在している第２信号配線に接続され、前記第２の駆動電極の他方の端部は、前記第１スイッチにより、前記複数の駆動電極の他方の端部に沿って延在している第１信号配線に接続され、
   磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記第１の駆動電極と前記第２の駆動電極とに間に、前記第１信号配線および前記第２信号配線に接続されていない第３の駆動電極が存在する、入力検出装置。
9. 請求項８に記載の入力検出装置において、
   前記第１の駆動電極および前記第２の駆動電極は、隣接した複数の駆動電極を備えている、入力検出装置。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の入力検出装置において、
    前記複数の第１スイッチおよび前記複数の第２スイッチのそれぞれは、トランジスタを含み、
    前記第１信号配線の端部に近接して接続された第１スイッチのトランジスタは、前記第１信号配線の端部から離れて接続された第１スイッチのトランジスタよりも、狭いチャンネル幅を有しており、
    前記第２信号配線の端部に近接して接続された第２スイッチのトランジスタは、前記第２信号配線の端部から離れて接続された第２スイッチのトランジスタと同じチャンネル幅を有している、入力検出装置。
11. 基板と、
    駆動信号を供給する駆動信号回路に接続された端部を有し、前記基板の第１方向に延在するように配置された第１信号配線および第２信号配線と、
    前記基板の第１方向と交差する第２方向に延在し、前記第１方向に配列する複数の駆動電極と、
    前記第１信号配線に沿って配置され、前記複数の駆動電極の端部と前記第１信号配線との間を接続可能な複数の第１スイッチと、
    前記第２信号配線に沿って配置され、前記複数の駆動電極の端部と前記第２信号配線との間を接続可能な複数の第２スイッチと、
    外部物体の近接を検出するとき、前記複数の第１スイッチおよび前記複数の第２スイッチを制御する選択回路と、
    を備え、
    前記第１信号配線および前記第２信号配線は、前記複数の駆動電極の一方の端部と他方の端部とに沿って延在し、
    前記複数の第１スイッチは、前記複数の駆動電極の一方の端部および他方の端部と前記第１信号配線との間を接続可能であり、前記複数の第２スイッチは、前記複数の駆動電極の一方の端部および他方の端部と前記第２信号配線との間を接続可能であり、
    磁界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記複数の駆動電極のうちの第１の駆動電極の一方の端部と前記第１信号配線とが前記第１スイッチにより接続され、前記第１の駆動電極の他方の端部と前記第２信号配線とが前記第２スイッチにより接続され、
    電界変化に基づき外部物体の入力検出を行うとき、前記第１の駆動電極の一方の端部と他方の端部とは前記第２スイッチにより前記第２信号配線に接続される、入力検出装置。

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