CN107686132B - 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法 - Google Patents

一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107686132B
CN107686132B CN201710607612.0A CN201710607612A CN107686132B CN 107686132 B CN107686132 B CN 107686132B CN 201710607612 A CN201710607612 A CN 201710607612A CN 107686132 B CN107686132 B CN 107686132B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
moo
solution
rare earth
electric depositing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710607612.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107686132A (zh
Inventor
武晓鹂
龙飞
张铁
王吉林
吴一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Technology
Original Assignee
Guilin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Technology filed Critical Guilin University of Technology
Priority to CN201710607612.0A priority Critical patent/CN107686132B/zh
Publication of CN107686132A publication Critical patent/CN107686132A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107686132B publication Critical patent/CN107686132B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00—Compounds of molybdenum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Eu(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得Eu2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。

Description

一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
技术领域
本发明属于材料学技术领域，具体涉及一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。
背景技术
钼酸盐体系的稀土发光材料因其具有良好的化学稳定性和较高的荧光量子效率等优点被作为固体照明、平板显示、激光器等领域的荧光材料，而将荧光材料制备成相应的薄膜是发光材料器件化的一个重要的前提。目前有多种方法可制备出不同形貌的稀土钼酸盐材料，例如溶胶-凝胶法、水热法、固相法、微波法等。溶胶凝胶法的原理是醇盐或酯类化合物溶解在有机溶剂中，经过水解反应，形成活性单体，单体进而聚合形成溶胶，令溶胶聚合形成具有一定空间结构的凝胶，再经过干燥及热处理去除其中的有机物，烧结固化形成所需的纳米材料，该方法制备的钼酸盐体系的纳米材料多为表面不均一的纳米棒，且容易发生团聚，此种形貌的材料不适合做成薄膜；水热法是创造一个高温高压的环境，使那些大气条件下不溶或者难溶的物质溶解，或反应生成该物质的溶解产物，通过控制高压釜内溶液的温差使反应物发生对流以形成过饱和状态而析出生长晶体，该方法制备的钼酸盐体系的纳米材料多呈现为花朵状，每个花朵都是由多个纳米片组成，且这些纳米片足够稳定，不易分散，因而此类形貌也不适合做成薄膜；固相法一般指利用固相物质参加并由相的变化来制造粉体的一种方法，该方法制备出的粉体粒度不够细，且不均一，因而也不能获得制备高质量薄膜的理想形貌；微波合成法因其技术特点具有加热速度快、反应速率大、加热均匀、产品纯度高以及反应物可以有选择地调节加热等优点被广泛应用于纳米材料的合成过程中，但是微波法制备的产物的形貌容易出现团聚现象，因此获得的产品仍然不是制备高质量薄膜的理想选择。
综上，以上方法合成条件相对较高，表现在合成温度高和对反应容器的要求也较高两个方面；除微波法外，其他方法的合成过程耗时较长；最重要的是利用上述方法所得纳米材料的形貌不适合制备高质量发光薄膜，这使得其应用受到了极大的局限。
Eu2(MoO4)3具有良好的化学稳定性和较高的荧光量子效率。本发明采用三电极电化学沉积法在镀有导电膜的玻璃基板上直接制备出相应薄膜，且制备出的薄膜具有特殊微观形貌，易与其它物质进行复合，这对于材料的器件化具有重要意义。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本发明的目的是提供一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法，该方法采用三电极电化学沉积技术直接在镀有导电层的玻璃上获得一层薄膜，过程简单、耗时较短，所得薄膜平整且致密。
具体步骤为：
(1)将Eu(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的稀土离子溶液，然后将EDTA或者柠檬酸按照与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1的比例加入到上述稀土离子溶液中，再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH值达到12~13，最后再加入Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，其中Na2MoO4·2H2O的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1，KCl的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~50:1，HNO3的加入量用于调节混合溶液的pH值为4~6，混合均匀后获得电沉积溶液。
(2)将步骤(1)制得的电沉积溶液置于水浴中，搅拌使电沉积溶液的温度达到30~80℃，获得备用电沉积溶液。
(3)以表面镀有透明导电层的玻璃作为工作电极即阳极，Pt网作为对电极即阴极，Ag/AgCl/Cl-电极作为参比电极，组成三电极体系。
(4)将步骤(3)组成的三电极体系插入步骤(2)获得的备用电沉积溶液中，设置沉积电压为1.3~3V，沉积时间为15min~3h，在透明导电层上沉积一层电沉积薄膜。
(5)将步骤(4)制得的电沉积薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于30~80℃的鼓风干燥箱中干燥5min~24h。
(6)将步骤(5)干燥好的电沉积薄膜置于管式炉中进行热处理，设置升温速率为1~10℃/min，升温至300~700℃保温0.5~10h，即制得Eu2(MoO4)3薄膜。
所述透明导电层为ITO、FTO或者AZO。
与现有技术相比，本发明的特点和有益效果是：
本发明操作简单，利用电化学沉积法在镀有导电层的玻璃基板上直接制备出了Eu2(MoO4)3薄膜，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
附图说明
图1 为本发明实施例制备的Eu2(MoO4)3薄膜的XRD图谱。
图2 为本发明实施例制备的Eu2(MoO4)3薄膜的实物图。
图3 为本发明实施例制备的Eu2(MoO4)3薄膜的SEM图谱。
具体实施方式
实施例：
本实施例采用的铕（Eu）的硝酸化合物、乙二胺四乙酸（EDTA）、NaOH、Na2MoO4·2H2O、KCl、HNO3 均为市售的分析纯化学试剂。
具体制备步骤如下：
(1)将Eu(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.05mol/L的稀土离子溶液，然后将EDTA按照与稀土离子总量的摩尔比为5:1的比例加入到上述稀土离子溶液中，再滴加0.5mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH值达到12.2，最后再加入Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，其中Na2MoO4·2H2O的加入量与稀土离子总量的摩尔比为3:1，KCl与稀土离子总量的摩尔比为15:1，HNO3的加入量用于调节混合溶液的pH值为6，混合均匀后获得电沉积溶液。
(2)将步骤(1)制得的电沉积溶液置于水浴中，搅拌使电沉积溶液的温度达到80℃，获得备用电沉积溶液.
(3)以表面镀有透明导电层ITO的玻璃作为工作电极即阳极，Pt网作为对电极即阴极，Ag/AgCl/Cl-电极作为参比电极，组成三电极体系。
(4)将步骤(3)组成的三电极体系插入步骤(2)获得的备用电沉积溶液中，设置沉积电压为1.9V，沉积时间为1.5h，在透明导电层上沉积一层电沉积薄膜。
(5)将步骤(4)制得的电沉积薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于40℃的鼓风干燥箱中干燥15min。
(6)将步骤(5)干燥好的电沉积薄膜置于管式炉中进行热处理，设置升温速率为5℃/min，升温至500℃保温1.5h，即制得Eu2(MoO4)3薄膜。
本发明实施例制得的Eu2(MoO4)3薄膜采用X射线衍射仪进行XRD物相分析，采用场发射扫描电镜进行形貌观察和分析，具体见说明书附图1、2和3。

Claims (1)

1.一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法，其特征在于具体步骤为：
(1)将Eu(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子浓度为0.005~1mol/L的稀土离子溶液，然后将乙二胺四乙酸（EDTA）或者柠檬酸按照与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1的比例加入到上述稀土离子溶液中，再滴加0.1~1mol/L的NaOH溶液直至混合溶液的pH达到12.0~13.0，最后再加入Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，其中Na2MoO4·2H2O的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~5:1，KCl的加入量与稀土离子总量的摩尔比为1~50:1，HNO3的加入量用于调节混合溶液的pH值为4~6，混合均匀后获得电沉积溶液；
(2)将步骤(1)制得的电沉积溶液置于水浴中，搅拌使电沉积溶液的温度达到30~80℃，获得备用电沉积溶液；
(3)以表面镀有透明导电层的玻璃作为工作电极即阳极，Pt网作为对电极即阴极，Ag/AgCl/Cl-电极作为参比电极，组成三电极体系；
(4)将步骤(3)组成的三电极体系插入步骤(2)获得的备用电沉积溶液中，设置沉积电压为1.9~3V，沉积时间为15min~3h，在透明导电层上沉积一层电沉积薄膜；
(5)将步骤(4)制得的电沉积薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于30~80℃的鼓风干燥箱中干燥5min~24h；
(6)将步骤(5)干燥好的电沉积薄膜置于管式炉中进行热处理，设置升温速率为1~10℃/min，升温至300~700℃保温0.5~10h，即制得Eu2(MoO4)3薄膜；
所述透明导电层为ITO、FTO或者AZO。
CN201710607612.0A 2017-07-24 2017-07-24 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法 Active CN107686132B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710607612.0A CN107686132B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710607612.0A CN107686132B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107686132A CN107686132A (zh) 2018-02-13
CN107686132B true CN107686132B (zh) 2019-07-23

Family

ID=61152962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710607612.0A Active CN107686132B (zh) 2017-07-24 2017-07-24 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107686132B (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101962805B (zh) * 2010-10-15 2012-04-25 浙江大学 一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107686132A (zh) 2018-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104911629B (zh) 一种复合电极的合成方法
CN101962805B (zh) 一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法
CN100417749C (zh) 一种氧化钛纳米材料薄膜的制备方法
CN102534731B (zh) 一种通过电泳沉积制备二氧化钒薄膜的方法
CN104532290B (zh) 一种Fe2O3/ZnO同质结材料及其制备方法和用途
CN107829119B (zh) 一种稀土层状氢氧化物薄膜的直接制备方法
CN107829120B (zh) 一种利用lrh的煅烧记忆性制备片状稀土氧化物薄膜的方法
CN109881198A (zh) 二氧化锡/五氧化二钒核壳结构的多色电致变色薄膜的制备方法
CN107686132B (zh) 一种Eu2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN109319817A (zh) 一种快速沉淀制备二维BaF2的方法
CN107557833B (zh) 一种Tb2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107366009B (zh) 一种Dy2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107574467B (zh) 一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107574466B (zh) 一种Pr2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107686131B (zh) 一种Sm2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107522229B (zh) 一种(Y1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107620102B (zh) 一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN103320828B (zh) 一种六次甲基四胺掺杂纳米氧化锌薄膜的电化学制备方法
CN107620101B (zh) 一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107572837B (zh) 一种Er2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107033907B (zh) 稀土掺杂的纳米晶体及其制备方法
CN106098502B (zh) 一种以钛酸钡为主相的场致发射阴极及其制备方法
CN102690655A (zh) 一种掺铕硼酸钇红光发光薄膜及其制备方法
CN102745747A (zh) 一种棒状Sc2W3O12负热膨胀材料的制备方法
CN101462893B (zh) 一种氧化钇薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20180213

Assignee: Guangxi aid Energy Technology Co.,Ltd.

Assignor: GUILIN University OF TECHNOLOGY

Contract record no.: X2022450000464

Denomination of invention: A Direct Preparation Method of Eu2(MoO4)3Films

Granted publication date: 20190723

License type: Common License

Record date: 20221228

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20180213

Assignee: Guangxi pinri Electronic Technology Co.,Ltd.

Assignor: GUILIN University OF TECHNOLOGY

Contract record no.: X2022450000634

Denomination of invention: A direct preparation method of Eu2(MoO4)3film

Granted publication date: 20190723

License type: Common License

Record date: 20221230

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract