CN107667315A - 使用对源辐射的角分布的多次采样的光刻术模拟 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种计算机实施的方法，该方法包括：确定通过光刻投影设备由沿着第一组一个或更多个方向传播的第一辐射部分所形成的第一分图像；确定通过光刻投影设备由沿着第二组一个或更多个方向传播的第二辐射部分所形成的第二分图像；通过以非相干的方式将第一分图像和第二分图像相加来确定一图像；其中第一组一个或更多个方向和第二组一个或更多个方向是不同的。

Description

使用对源辐射的角分布的多次采样的光刻术模拟
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年5月29日递交的美国申请62/168,441的优先权，并且其通过引用全文并入本发明中。
技术领域
背景技术
可以将光刻投影设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，图案形成装置(例如掩模)可以包括或提供与IC的单个层的至少一个部分对应的电路图案(“设计布局”)，并且这一电路图案可以通过例如穿过图案形成装置上的电路图案辐射目标部分的方法，被转移到已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)上。通常，单个衬底包括被光刻投影设备连续地、一次一个目标部分地将电路图案转移到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的电路图案被一次转移到一个目标部分上，这样的设备通常称作为晶片步进机。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分被逐渐地转移到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有放大系数M(通常<1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的M倍。关于在此处描述的光刻装置的更多的信息可以例如从美国专利No.6,046,792而被收集到，通过参考将其并入本发明中。
在将电路图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底(priming)、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序，例如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转移的电路图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为用来制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些工序都是旨在最终完成器件的单个层。如果器件中需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将被设置在衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或切割等技术，将这些器件互相分开，据此独立的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。
如注意到的，微光刻术是集成电路的制造中的核心步骤，其中在衬底上所形成的图案限定了IC的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)以及其它器件。
随着半导体制造过程不断进步，数十年来，功能元件的尺寸被不断地降低，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量一直遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在当前技术情形下，通过使用光刻投影设备来制造器件的层，所述光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影到衬底上，从而产生具有远低于100nm的尺寸的独立的功能元件，即所述功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半。
印刷具有小于光刻投影设备的经典分辨率极限的尺寸的特征的这种过程，通常被称为低k1光刻术，其基于分辨率公式CD＝k1×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长(当前在大多数情形中是248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学装置的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸)，以及k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，在晶片上复现图案(类似由电路设计者为获得特定的电学功能和性能而规划的形状和尺寸)变得越困难。为了克服这些困难，复杂的精细调节步骤被应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些例如包括但不限于NA和光学相干性设定的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、诸如在设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时称为“光学和过程校正”)的设计布局的各种优化、或通常被定义成“分辨率增强技术(RET)”的其它方法等。
作为简短介绍，图1示出了示例性的光刻投影设备10。主要部件是：辐射源12A，其可以是深紫外准分子激光源或包括极紫外(EUV)源(如上所讨论，所述光刻投影设备本身不需要具有辐射源)在内的其它类型的源；照射光学装置，其限定了部分相干性(标记是σ)且可以包括光学装置14A、16Aa和16Ab，其对来自源12A的辐射成形；图案形成装置18A；以及透射光学装置16Ac，其将图案形成装置图案的图像投影到衬底平面22A上。在投影光学装置的光瞳面处的可调整的滤光片或孔阑20A可以限制射到衬底平面22A上的束角的范围，其中最大的可能的角度限定了投影光学装置的数值孔径NA＝sin(Θmax)。
在光刻投影设备中，源提供了照射(即光)；投影光学装置将照射经由图案形成装置引导到衬底上，并且对照射进行成形。如此处使用的术语“投影光学装置”应当被广义地解释成包括各种类型的光学系统，例如包括折射式光学装置、反射式光学装置、孔阑和折射反射式光学装置。术语“投影光学装置”还可以统一地或单独地包括根据用于引导、成形或控制辐射投影束的这些设计类型中的任一种进行操作的部件。术语“投影光学装置”可以包括在光刻投影设备中的任何光学部件，而不管光学部件处于光刻投影设备的光路上的哪一位置上。投影光学装置可以包括用于在辐射穿过图案形成装置之前成形、调整和/或投影来自源的辐射的光学部件，和/或用于在辐射穿过图案形成装置之后成形、调整和/或投影辐射的光学部件。投影光学装置通常不包括源和图案形成装置。例如，投影光学装置可以包括部件14A,16Aa,16Ab和16Ac中的至少一些部件。空间图像(AI)是衬底高度水平处的辐射强度分布。衬底上的抗蚀剂层被曝光，并且空间图像被转移至抗蚀剂层，作为其中的潜在的“抗蚀剂图像”(RI)。抗蚀剂图像(RI)可以被定义为抗蚀剂层中的抗蚀剂的溶解度的空间分布。光刻投影设备的光学性质(例如源、图案形成装置和投影光学装置的性质)规定了空间图像。
发明内容
本文公开了一种计算机实施的方法，包括：
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第一组一个或更多个方向传播并且照射到图案形成装置上的第一辐射部分所形成的第一分图像，所述第一分图像由光刻投影设备形成；
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第二组一个或更多个方向传播并且照射到所述图案形成装置上的第二辐射部分所形成的第二分图像，所述第二分图像由光刻投影设备形成；和
由计算机模拟通过相加(例如以非相干的方式相加)第一分图像和第二分图像来确定一图像，
其中所述第一组一个或更多个方向和所述第二组一个或更多个方向是不同的。
根据一实施例，第一组一个或更多个方向和第二组一个或更多个方向不包括相同的方向。
根据一实施例，所述图像是掩模透射图像。
根据一实施例，所述图像是空间图像。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，所述源是离散源。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，所述源是连续源。
根据一实施例，所述方法还包括从光刻投影设备的源的光瞳的连续区域选择第一组一个或更多个方向。
根据一实施例，第一辐射部分和第二辐射部分来自EUV源或DUV源。
根据一实施例，所述第一分图像和第二分图像由图案形成装置形成。
根据一实施例，所述图案形成装置是反射式图案形成装置。
根据一实施例，所述图案形成装置是透射式图案形成装置。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分相对于图案形成装置是倾斜的。
根据一实施例，所述第一分图像和第二分图像至少部分地由衬底上的抗蚀剂层下方的结构形成。
根据一实施例，所述方法还包括基于所述图像调整所述图案形成装置的一个或更多个参数。
根据一实施例，所述图案形成装置的一个或更多个参数包括：辅助特征的数量，辅助特征的形状、主特征的形状、或从它们中选择的任何组合。
根据一实施例，所述方法还包括基于所述图像调整所述光刻投影设备的一个或更多个参数。
根据一实施例，所述光刻投影设备的一个或更多个参数包括：光刻投影设备的源的参数、光刻投影设备的投影光学装置的参数、第一辐射部分的参数、第二辐射部分的参数、或从它们中选择的任何组合。
根据一实施例，所述方法还包括基于图像的特性计算成本函数。
本文公开了一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索设计布局中的图案的分图像，所述分图像由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分形成；和
在数据库中找到图案的分图像的情况下，那么至少由所述图案的分图像来构造所述设计布局的分图像，所述设计布局的分图像由所述辐射部分形成。
本文公开了一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索针对、沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分的、用于设计布局中的图案的透射函数；和
在数据库中找到所述透射函数的情况下，通过使用所找到的透射函数来构造所述图案的分图像。
根据一实施例，所述方法还包括通过使用所述图案的分图像来构造设计布局的分图像。
本文公开了一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索针对沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分的、光刻投影设备的投影光学装置的透射函数；和
在数据库中找到所述投影光学装置的透射函数的情况下，那么针对于所述辐射部分来构造由所述投影光学装置所形成的设计布局的分图像。
根据一实施例，所述方法还包括通过使用设计布局的分图像构造设计布局的图像。
本文公开了一种计算机程序产品，包括计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令在被计算机执行时实施本文所述的方法。
附图说明
图1是光刻系统的各种子系统的框图。
图2是与图1中的子系统对应的模拟模型的框图。
图3A示意性地示出根据实施例的来自光刻投影设备的源的、照射到图案形成装置或衬底上的辐射。
图3B、图3C、图3D和图3E示出根据实施例的来自源的辐射的角强度分布的三个示例。
图4A和图4B示意性地示出根据实施例的沿着不同方向传播的辐射可由于散射而以不同方式与(图案形成装置上或衬底上的)特征相互作用。
图5A和图5B示意性地示出根据实施例的沿着不同方向传播的辐射可由于遮蔽效应或阴影效应(shadowing effect)而以不同方式与特征相互作用。
图6示意性地示出根据实施例的用于应用于光刻投影设备或设计布局的精细调节步骤的流程图。
图7A和图7B在下文示出根据实施例的在单方向假设下模拟的行为可以是以定性的方式不同于在考虑两个传播方向的情况下模拟的行为。
图8示意性地示出根据实施例的用于由使分图像非相干地相加来模拟图像的流程图。
图9示出根据实施例的具有非零强度的源光瞳的每一区域可被包括于用以模拟分图像的部分中。
图10示出根据实施例的图8中的流程的简化形式，其中对称性用以减小模拟的量。
图11示出根据实施例的使用图8或图10的方法的示例流程。
图12示出根据实施例的步骤1140的细节。
图13A示意性地示出根据实施例的确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局的分图像的方法。
图13B示意性地示出根据实施例的确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局的分图像的方法。
图13C示意性地示出根据实施例的确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局的分图像的方法。
图14A和图14B将在离散源中在单方向的假设下的模拟与与考虑六个传播方向的情况下的模拟进行对比。
图15为示例性计算机系统的方框图。
图16为另一光刻投影设备的示意图。
具体实施方式
应用于光刻投影设备或设计布局的精细调节步骤常常依赖于制造过程(例如，半导体制造过程)在各种条件如何表现的知识。所述知识可确定来自许多实验，但进行实验常常昂贵且耗时。知识的另一来源是模拟。模拟并不必须涉及实体样本，且条件可易于改变。然而，模拟使用数学模型，且数学模型不可能考虑所有物理和化学过程。因此，经常在模拟的准确度与模拟使用的资源之间作出折衷。即，容许一定量的模拟的不准确度和精细调节的最终的不准确度，以便减小模拟使用的资源。然而，模拟的不准确度确实不利地影响到依赖于模拟的精细步骤。可容许的不准确度可能依赖于由制造过程制造的器件。例如，具有较大特征大小和间距的器件可容许较大的不准确度。相反，在一种类型的器件中可容许的相同量的不准确度可能在另一类型中是不可容许的。
作为制造过程的模拟示例，在图2中示出了在光刻投影设备(例如图1中的设备)中用于模拟光刻术的流程图。源模型31表示源的光学特性(包括辐射强度分布和/或相位分布)。投影光学模型32表示投影光学装置的光学特性(包括由投影光学装置所引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)。设计布局模型35表示设计布局的光学特性(包括由给定的设计布局33所引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)，其是图案形成装置上的、或由图案形成装置所形成的特征的布置的表示。因为可以改变用在光刻投影设备中的图案形成装置，所以期望将图案形成装置的光学性质与包括至少所述源和所述投影光学装置的光刻投影设备的剩余部分的光学性质分离开。空间图像36可以由设计布局模型35、投影光学装置模型32和设计布局模型35模拟。抗蚀剂图像38可以使用抗蚀剂模型37由空间图像36来模拟。可以在共同受让的美国专利申请公开出版物No.US2009-0157360中找到抗蚀剂模型的示例，它的公开内容通过引用全文并入本文中。抗蚀剂模型仅与抗蚀剂层的性质(例如在曝光期间、曝光后焙烤(PEB)和显影中发生的化学过程的效用)相关。
更具体地，注意到，源模型31可以表示源的光学特性，包括但不限于数值孔径(NA)设定、西格玛(σ)设定以及任何特定的照射源形状(例如，诸如环形的、四极、双极等的离轴辐射源)。投影光学装置模型32可以表示投影光学装置的光学特性，其包括像差、变形、折射率、物理大小、物理尺寸等。设计布局模型35也可以表示物理图案形成装置的物理性质，如所描述的，例如在美国专利No.7,587,704中所描述的，通过引用将其全部内容并入本发明中。模拟的目的是精确地预测例如边缘的定位、空间图像强度斜率和临界尺寸(CD)，其可以随后与期望的设计相比较。所述期望的设计通常定义是预先的光学邻近效应校正(OPC)设计布局，其可以被提供成标准数字文件格式(诸如GDSII或OASIS)或其它文件格式。
可以根据这一设计布局识别一个或更多的部分，这些一个或更多的部分被称作为“片段(clip)”。在实施例中，提取一组片段，其表示设计布局中的复杂的图案(通常大约50至1000个片段，尽管可以使用任何数量的片段)。如本领域技术人员所认识到的，这些图案或片段表示设计的小的部分(即电路、单元或图案)，并且更具体地是片段代表了需要特别关注和/或验证的小的部分。换言之，片段可以是设计布局的部分或可以类似于设计布局的部分或具有与设计布局的部分相类似的行为，其中通过经验(包括由客户提供的片段)、通过反复试验、或通过运行全芯片模拟来识别关键特征。片段可包括一个或更多的测试图案或测规图案/量测器图案(gauge pattern)。
可以基于设计布局中已知的关键特征区域由客户先验地提供初始的较大组的片段，其需要特定的图像优化。可替代地，在另一实施例中，可以通过使用一些类型的识别所述关键特征区域的自动化的(诸如机器视觉)或手工的算法来从整个设计布局提取初始的较大组的片段。
作为应用于光刻投影设备或设计布局的精细调节步骤的示例，OPC解决如下事实：投影于衬底上的设计布局的图像的最终大小和放置将不会等同于、或简单地仅取决于图案形成装置上的所述设计布局的大小和放置。应注意，术语“掩模”、“掩模版”、“图案形成装置”在本文中可被互换地使用。此外，掩模和掩模版可被广义地称为“图案形成装置”。另外，本领域技术人员将认识到，尤其是在光刻术模拟/优化的情形中，术语“掩模”、“图案形成装置”以及“设计布局”能够被可互换地使用，这是因为：在光刻术模拟/优化中，未必使用实体的图案形成装置，而是可使用设计布局来表示实体的图案形成装置。对于存在于某一设计布局上的小的特征尺寸以及高特征密度，给定的特征的特定边缘的位置将在某种程度上受到其它相邻特征的存在或不存在的影响。这些邻近效应起因于从一个特征耦合至另一特征的微小量的辐射和/或诸如衍射和干涉这样的非几何光学效应。相似地，邻近效应可起因于在通常在光刻术之后的曝光后焙烤(PEB)、抗蚀剂显影以及蚀刻期间的扩散及其它化学效应。
为了确保设计布局的投影后的图像根据给定目标电路设计的要求，应使用设计布局的复杂数值模型、校正或预先变形来模拟(例如，通过使用图2的流程)和补偿邻近效应。文章“Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is ChangingIC Design”(C.Spence，Proc.SPIE，第5751卷，第1至14页(2005年))提供“基于模型”的光学邻近效应校正过程的概述。在典型高端设计中，设计布局的几乎每一特征都有一些修改，以便实现投影至目标设计的图像具有高的保真度。这些修改可以包括边缘位置或线宽的移位或偏置，以及预期辅助其他特征的投影的“辅助”特征的应用。
也可以与图案形成装置优化联合地或分离地优化照明光源，以致力于改善总的光刻术保真度。术语“照射源”和“源”在本文中可互换地使用。可使用诸如环形、四极以及偶极的许多离轴照射源，许多离轴照射源为OPC设计提供更多自由度，由此改善成像结果。离轴照射是用以分辨或解析所述图案形成装置中所含有的精细结构(即，目标特征)的方式。然而，当与传统照射源相比时，离轴照射源通常提供针对空间图像(AI)的较小辐射强度。因此，变得需要尝试优化所述照射源，以在更精细的分辨率与减小的辐射强度之间实现最佳平衡。
可例如在Rosenbluth等人的标题为“Optimum Mask and Source Patterns toPrint A Given Shape”(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 1(1)，第13至20页(2002年))的文章中找到众多的照射源优化方法。在Granik的标题为“Source Optimization for Image Fidelity and Throughput”(Journalof Microlithography,Microfabrication，Microsystems 3(4)，第509至522页(2004年))的文章中所阐述的另一示例中，综述若干现有的源优化方法。
对于低k1光刻术，源和图案形成装置两者的优化在用于确保用于临界电路图案的投影的可行的过程窗口方面是有用的。一些算法(例如，Socha等人的Proc.SPIE，第5853卷，2005年，第180页)在空间频域中将照射离散化成独立的源点和将图案形成装置的图案离散化成衍射阶，且基于可通过光学成像模型从源点强度和图案形成装置衍射阶而预测出的过程窗口指标(诸如曝光宽容度)来单独地公式化成本函数(其被定义为选定的设计变量的函数)。如本发明中所使用的术语“设计变量”包括光刻投影设备的参数的集合，例如，光刻投影设备的用户可调整的参数。应认识到，光刻投影过程的任何特性(包括源、图案形成装置、投影光学装置和/或抗蚀剂特性的特性)可在优化中的设计变量之中。成本函数通常是设计变量的非线性函数。之后，使用标准优化技术以最小化所述成本函数。
美国专利申请公开出版物US 2011-0230999中描述了允许在无约束的情况下且在可实行的时间量内使用成本函数来同时优化所述源和所述图案形成装置的一种源和图案形成装置优化方法和系统，该专利申请被通过引用全文并入本文中。美国专利申请公开出版物US 2010-0315614中描述了通过调整所述源的像素来对所述源进行优化的另外的源和图案形成装置优化方法和系统，该专利申请被通过引用全文并入本文中。
在系统的优化过程中，可将系统的品质因数表示为成本函数。优化过程归结为找到(例如)使得所述成本函数最小化或最大化的系统的参数(设计变量)的集合的过程。成本函数可以具有取决于优化的目标的任何合适形式。例如，成本函数可以是系统的某些特性(评价点)相对于这些特性的预期值(例如，理想值)的偏差的加权均方根(RMS)；成本函数也可以是这些偏差的最大值(即，最差偏差)。本文中的术语“评估点”应被广泛地解释为包括系统的任何特性。由于系统的实施方式的实务性或实用性，系统的设计变量可限于有限范围和/或可相互依赖。在光刻投影设备的情形中，约束条件通常与硬件的物理属性以及特性(诸如可调谐的范围，和/或图案形成装置可制造性设计规则)相关联，且评价点可以包括衬底上的抗蚀剂图像上的实体点，以及诸如剂量及焦点这样的非物理特性。
应用于光刻投影设备或设计布局的精细调节步骤的另一示例解决如下事实：由沿着不同方向传播的辐射形成的图像(例如，抗蚀剂图像、空见图像)可以是不同的。这样的差异可存在于使用DUV或EUV辐射的制造过程中。这种差异的一个来源是：图案形成装置上的特征具有有限厚度。另一来源是：衬底在抗蚀剂下方具有有限厚度的结构。
图3A示意性地示出射到图案形成装置或衬底上的来自光刻投影设备1000的源的辐射可以包括沿着不同方向传播的辐射，且辐射的强度可取决于方向。尽管图3A中图示的光刻投影设备1000具有EUV源，但使用其它波长的光刻投影设备也可以具有来自不同方向的入射于图案形成装置或衬底上的辐射。
所述光刻投影设备1000包括：
源收集器模块SO；
照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置用于调节辐射束B(例如，EUV辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并与被配置用于精确地定位所述图案形成装置的第一定位装置PM相连；
衬底台(例如晶片台)WT，所述衬底台被构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与被配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
投影光学装置(例如反射式投影光学装置)PS，所述投影光学装置PS被配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
如这里所示的，所述设备1000是反射型的(例如，采用反射式掩模)。应当注意，由于大多数材料在EUV波长范围内是吸收性的，因此掩模可以具有多层反射器，包括例如钼和硅的多叠层。在一个示例中，多叠层反射器具有40层成对的钼和硅，其中每层的厚度是四分之一波长。用X射线光刻术可以产生甚至更小的波长。由于大多数材料在EUV和X射线波长中是吸收性的，所以在图案形成装置形貌上(例如，在多层反射器的顶部上的TaN吸收器)的经图案化的吸收材料的薄片定义了特征将会印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)的区域。
照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用以产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换成等离子体状态，所述材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所述等离子体可以通过使用激光束照射燃料来产生，燃料诸如是具有线发射元素的材料的液滴、束流或簇团。源收集器模块SO可以是包括用于提供用于激发燃料的激光束的激光器的EUV辐射系统的一部分。所产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。源/激光器和源收集器模块可以是分离的实体，例如当使用CO2激光器提供激光束用于燃料激发时。
在这种情况下，源/激光器不被认为形成所述光刻设备的一部分，并且，借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，辐射束被从源/激光器传递至源收集器模块。在其他情况下，所述源/激光器可以是源收集器模块的组成部分，例如当源是放电产生等离子体EUV产生器，通常称为DPP源。
照射器IL可以包括调节器，所述调节器被配置成用于调节来自源的辐射的角强度分布。角强度分布可以由光瞳图像表示(即在照射器IL的后焦面处的像)。所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场和光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节来自源的辐射，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。图3B、图3C、图3D和图3E显示出来自源的辐射的角强度分布的三个示例。图3B是双极源。图3C是四极源。图3D是非对称源。图3E是离散源。
由照射器IL调节的所述辐射可以包括沿着许多不同的方向传播的辐射。孔阑可以阻挡沿着特定方向传播的辐射，以及通过沿着其他方向传播的辐射。沿着多个方向的辐射可以入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置MA上，并且由所述图案形成装置来形成图案。在已经由图案形成装置(例如，掩模)MA改变方向之后，所述辐射可以仍然包括沿着多个方向传播的辐射，并且通过所述投影光学装置PS，所述投影光学装置PS将辐射聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用来相对于所述辐射束B的路径精确地定位所述图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
图4A和图4B示意性地示出沿着不同方向传播的辐射可能由于散射而以不同方式与特征300(要么在图案形成装置上或在衬底上)相互作用。当特征具有有限厚度且可以影响由特征所形成或在特征附近所形成的图像时，散射可能是显著很大的。在图4A中，辐射沿着方向351入射于特征300上；在图4B中，辐射沿着方向352入射于特征300上。方向352垂直于特征300的顶表面且平行于侧表面。方向351并不垂直于或平行于所述顶表面或侧表面。图4A中的从所述顶表面的散射311可能比图4B中的从所述顶表面的散射312更弱，这是因为所述顶表面在图4A中垂直于辐射但在图4B中不垂直于辐射。图4A中从介于所述侧表面之一与所述顶表面之间的边缘的散射321可能比图4B中从所述侧表面中之一与所述顶表面的散射322更强，这是因为所述边缘在图4A中相对于辐射是领先的或为前边缘，但在图4B中相对于辐射不是领先的或不为前边缘。图4A中从部分地面对辐射的侧表面的散射331可能比图4B中从平行于辐射的侧表面的散射332更强。图4A中从部分地在辐射之后的侧表面的散射341可能比图4B中从平行于辐射的侧表面的散射342更弱。
图5A和图5B示意性地示出沿着不同方向传播的辐射可由于阴影效应或遮蔽效应(shadowing effect)而以不同方式与特征520相互作用。如图5A中示意性地图示的，特征520在宽度550内阻挡沿着方向530传播的入射辐射(即，投射具有宽度550的阴影)。如图5B中示意性地图示的，相同特征520在宽度560内阻挡沿着方向540传播的入射辐射(即，投射具有宽度560的阴影)。宽度560大于宽度550，这是因为方向540比方向530更倾斜。因此，由相同特征520通过沿着不同方向传播的辐射所形成的图像可以具有不同宽度。
图6示意性地示出应用于所述光刻投影设备或设计布局的精细调节步骤的流程图。在步骤6100中，在一条件下，模拟了制造过程的行为(例如，产品的特性，或图像)。在步骤6200中，基于所模拟的行为来调整了条件。可反复进行这两个步骤，直至满足终止准则为止。条件可包括所述设计布局的特征的位置或形状、所述源的特性、和/或所述投影光学装置的特性。可通过计算一个或更多个评价点的成本函数(例如，边缘位置误差(EPE)、过程窗口、生产率)来调整所述条件。在一示例中，所述模拟可以模拟所述图案形成装置的形貌效应。所述制造过程的行为可以包括图像。图像的形成可以是许多物理效应的结果，诸如衬底的形貌效应和图案形成装置的形貌效应。行为的模拟可以考虑到辐射传播所沿的所有可能方向(即，严格模拟)。严格模拟更准确，但使用较大量的资源。替代地，可根据来自源的辐射沿着单一方向传播的假设(“单方向假设”)进行所述行为的模拟。根据单方向假设的所述模拟对资源要求较低，但可能不足够准确。如果根据所述单方向假设的所述模拟是准确的，则经这样模拟的所述行为应当至少以定性方式类似于在考虑一个以上传播方向的情况下所模拟(例如，严格地模拟)的行为。
下文图7A和图7B示出根据所述单方向假设而模拟的行为可以定性的方式不同于在考虑两个传播方向的情况下所模拟的行为。
图7A示出在存在有两个辅助特征730和740的情况下由两个长矩形特征710和720的模拟图像获得的Bossung曲线(50纳米±70纳米离焦、±10％差值剂量)。根据所述单方向假设(由源光瞳中的十字准线来加以标记的方向)根据偶极源750的条件来模拟所述模拟的图像。根据所述单方向假设而进行的图像的模拟可基于如下模型：
pol是辐射的偏振；是辐射的传播方向；spol是作为可由源光曈表示的传播方向的函数的源辐射强度；Ppol是投影光学装置的透射函数(例如，衍射图案的电场)；且tpol是图案形成装置(例如，包括特征710至740)的透射函数(例如，衍射图案的电场)。所述单方向假设被反映在tpol和Ppol不依赖于可根据所述单方向假设计算tpol和Ppol，即，所有来自源的辐射沿着单个方向(例如，由十字准线标记的传播方向)传播。
图7B示出在存在有相同两个辅助特征730和740的情况下由相同两个长矩形特征710和720的模拟的图像所获得的Bossung曲线(50纳米±70纳米离焦、±10％差值剂量)，但是根据相同偶极源750的条件在考虑来自偶极源750的辐射的两个传播方向(由源光瞳中的十字准线所标记)的情况下模拟了所述模拟的图像除外。图7A中的Bossung曲线以定性的方式不同于图7B中的Bossung曲线，其指示根据所述单方向假设的模拟并不十分准确。在考虑多个传播方向的情况下图像的模拟可以基于如下模型：
其中，spol,i是作为传播方向的函数的、源光瞳的第i部分的源辐射强度；且是由源光瞳的第i部分中的辐射单独形成的分图像。源光瞳的不同部分可不具有任何共同的方向(即，不同部分根本不重叠)。源光瞳的第i部分可以是紧接在源光瞳上的由表示的点周围的区域，其中是第i部分中的辐射的代表性传播方向。多个传播方向被考虑，这是因为图案形成装置的透射函数和投影光学装置的透射函数针对不同部分可以不同。对于源光瞳的一部分特定的透射由图案形成装置或投影光学装置捕捉所述部分中的辐射的透射特性。
图8示意性地示出根据实施例的用于通过使分图像非相干地相加来模拟图像的流程图。源光瞳(例如，图7A和图7B中的偶极光瞳750)可在这一示例中被划分成多个部分(片段(slice))，诸如部分750A、750B、750C、750D。通过定义，源光瞳上的点表示沿着单一方向传播的辐射的强度。因此，源光瞳上的一部分是沿着方向的组而传播的辐射的强度。源光瞳有时可简单地被称为“照射”。在一部分内，辐射强度未必均一。每一部分未必局部化。对于每一部分，可选择代表性的方向(例如，通过将所述部分中的一些或所有点平均化)。可模拟针对每一部分的分图像，而不考虑其他部分。即，针对一部分的分图像是好像源光瞳仅具有所述部分的情况下产生的图像。可仅使用在所述一部分中的传播方向来模拟针对该部分的分图像。可使用所述一部分中的传播方向的全部或一些传播方向、或使用针对该部分而选择的代表性方向，来模拟针对该部分的分图像。之后，可通过使分图像非相干地相加(即，使分图像的强度相加)来获得由整个源产生的图像，这是因为沿着不同方向传播的辐射可以不是相干的。图像和分图像可以是任何合适表面上的空间强度分布。例如，所述图像和所述分图像可以是衬底上的空间图像、掩模透射图像(在所述图案形成装置之后的辐射的强度或电场分布)，或在图案形成装置与衬底之间的表面上的任何空间强度分布。所述源可以是EUV或DUV源。所述图像和所述分图像可以是在所述辐射到达衬底之前由图案形成装置所形成的图像。所述图像和所述分图像可以是至少部分由衬底上的抗蚀剂层下方的(例如，由衬底上的抗蚀剂层所覆盖的)结构所形成的图像。抗蚀剂层下方的结构可以是具有有限高度的结构且突出至所述抗蚀剂层中。所述分图像可以是设计布局的全部或一部分的分图像。设计布局可包括一个或更多个辅助特征(即，并不预期被印刷至衬底上而是预期对其他特征的印刷造成影响的特征)。可通过使由相同辐射部分所形成的设计布局的所有部分的分图像非相干地相加来获得由沿着方向的组而传播的辐射部分所形成的所述设计布局的全部的分图像。
源可以是连续源(所述源光瞳未被像素化)或离散源(源光瞳是经像素化的)。每一部分可以是源光瞳上的连续区域(即，不为两个不同且断开的区域的组合)。
在图8的示例中，针对部分750A、750B、750C和750D中的每一个，可构造部分源模型(分别为31A、31B、31C和31D)。在使用部分源模型、合适的投影光学装置模型32以及合适的设计布局模型35的情况下，可模拟出部分空间图像(分别为36A、36B、36C以及36D)。之后，可使所述部分空间图像非相干地相加(即，在不具有任何干涉效应的情况下使所述部分空间图像的强度相加)以获得由整个源光瞳750产生的空间图像36。可使用抗蚀剂模型37由空间图像36来模拟出抗蚀剂图像38。
图9示出具有非零强度的源光瞳的每一区域可被包括在用于模拟分图像的部分中。可能的情况是，并非具有非零强度的所有区域都被包括在用于模拟分图像的部分中。
图10示出图8中的流程的简化形式，其中对称性用以减小模拟的量。例如，如果源光瞳的两个部分相对于所述图案形成装置或所述衬底上的特征而言是对称的(例如，750A可与750D是对称的，750B可与750C是对称的)，则可足以模拟针对所述两个部分中之一的(例如，750A)的分图像且使用对称性而不运用模拟来导出针对另一个(例如，750D)的分图像。例如，在图10的流程中，针对部分750A来模拟出部分空间图像36A，且针对部分750D使用对称性而不使用模拟来导出部分空间图像36D。图10的流程可应用于的一个示例是用于DUV辐射的双侧远心光学系统。这一系统在图案形成装置侧、衬底侧或其两者处具有对称性。
图11示出使用图8或图10的方法的示例流程。在1110中，使用通过图8和图10的方法获得的空间图像36或抗蚀剂图像37来将连续源(其可由源下方的平面(诸如光瞳平面)处的强度和/或相位分布表示)及设计布局进行共同优化。例如，可将成本函数用于共同优化中，其中成本函数是空间图像36或抗蚀剂图像37的一个或更多个特性的函数。辐射部分的光瞳上的数量和部位可以是共同优化中的设计变量。
在1120中，可基于1110中获得的源和设计布局来优化所述光刻过程的剂量。
在1130中，使用在1110中获得的源和设计布局来优化焦点。这一步骤允许调整焦点以适应由1110中的优化所造成的源和设计布局的改变。
在可选的1140中，将在1110中所获得的连续源映射成离散源。可再次使用图8和图10的方法将离散源和设计布局共同优化。
在步骤1150中，可针对所述图案形成装置处的源的很多个狭缝位置中的每一个狭缝位置来优化所述设计布局。在EUV光刻设备中，贯通狭缝像差(through slitaberration)趋于随着狭缝位置而变化。狭缝像差可能是由于诸如衬底离焦、剂量漂移、图案形成装置尺寸改变、加热等等的许多效应而造成。这一步骤允许补偿所述狭缝像差。例如，可在这一步骤中使用一种测量出用于改变狭缝位置的评价点的成本函数。
在选用步骤1160中，针对所述狭缝位置中的每一个狭缝位置来确定过程窗口。
图12示出根据实施例的步骤1140的细节。并不可以用光刻投影设备中的某一硬件来直接地提供/呈示(renderalbe)在1110中优化的连续源。在1141中，将所述连续源映射成离散源。所述离散源具有类似于所述连续源的光瞳轮廓的离散的光瞳轮廓，且离散源可由光刻投影设备的硬件提供/呈示(例如，可由可编程的反射镜阵列提供/呈示)。可使用基于连续源的光瞳轮廓的任何合适方法来计算所述离散源。
在1142中，可优化所述光刻过程的所述剂量。这一步骤允许补偿由于所述连续源至所述离散源的映射而造成的剂量改变。
在1143中，使用通过图8和图10的方法所获得的空间图像36或抗蚀剂图像37将所述设计布局和所述离散源共同优化。例如，可将成本函数用于共同优化中，其中所述成本函数是空间图像36或抗蚀剂图像37的一个或更多个特性的函数。
在可选用的1144中，可基于在1143中经共同优化的所述离散源和设计布局来优化所述投影光学装置。例如，可通过使用(例如)ASML的FlexWaveTM光学装置来调整波前。这一步骤允许调整所述投影光学装置以适应步骤760中经优化的所述离散源和所述设计布局。例如，可在这一优化中使用作为表征所述投影光学装置的设计变量的函数的成本函数。
在可选用的1150中，可通过使用在1143中经共同优化的所述离散源和所述设计布局来优化所述光刻过程的剂量。
图13A示意性地示出确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局的分图像的方法。设计布局1310的图案1320的特性(例如，大小、形状、高度、几何形状)可与方向的组一起被使用以查询数据库1330。数据库1330可包含由沿着多个方向传播的辐射部分所形成的图案的分图像。如果在用于图案1320和沿着方向的组传播的辐射部分的数据库1330中找到分图像1340，则所述分图像1340可作为图案1320的分图像1350而被包括于所述设计布局1310的所述分图像中。
图13B示意性地示出确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局的分图像的方法。设计布局1410的图案1420的特性(例如，大小、形状、高度、几何形状)可与方向的组一起被使用以查询数据库1430。数据库1430可包含有针对沿着多个方向传播的辐射部分而言的图案的透射函数。如果在用于图案1420和沿着方向的组传播的辐射部分的数据库1430中找到透射函数tpol,i1435，则可通过使用所述透射函数1435来计算出所述图案的分图像1440，且使所述分图像1440作为图案1420的分图像而被包括于所述设计布局1410的分图像1450中。
图13C示意性地示出确定通过光刻投影设备由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分所形成的设计布局1510的分图像的方法。光刻投影设备的投影光学装置1520的光学特性可与方向的组一起被使用以查询数据库1530。数据库1530可包含有针对沿着多个方向传播的辐射部分而言的多个投影光学装置的透射函数。如果在用于沿着方向的组传播的辐射部分的数据库1530中找到投影光学装置1520的透射函数Ppol,i1535，则可计算出针对沿着方向的组传播的辐射部分的由投影光学装置1520所形成的设计布局1510的分图像1550。可通过使针对所有辐射部分由投影光学装置1520所形成的设计布局1510的分图像(例如，1550)非相干地相加来计算出整个设计布局1510的图像。
图14A和图14B将在离散源中根据所述单方向假设的模拟与在考虑六个传播方向的情况下的模拟进行对比。
图14A示出由两个长矩形特征1410和1420的经模拟的图像所获得的Bossung曲线(±70纳米差值离焦、±12％差值剂量)。根据所述单方向假设(即由离散源光瞳中的十字准线所标记的方向)根据相同的离散源1400来模拟所述模拟的图像。
图14B示出由相同两个长矩形特征1410和1420的经模拟的图像所获得的Bossimg曲线(±70纳米离焦、±12％差值剂量)，但是根据相同的离散源1400在考虑来自所述离散源1400的辐射的六个传播方向(由离散源光瞳中的十字准线加以标记)的情况下来模拟所述模拟的图像除外。图14A中的Bossung曲线以定性的方式不同于图14B中的Bossung曲线，其显示出根据所述单方向假设的模拟并不十分准确。
根据一实施例，一种计算机实施的方法可以包括：
确定由光刻投影设备通过沿着第一组一个或更多个方向传播的第一辐射部分所形成的第一分图像；
确定由光刻投影设备通过沿着第二组一个或更多个方向传播的第二辐射部分所形成的第二分图像；和
通过相加第一分图像和第二分图像确定一图像，
其中所述第一组一个或更多个方向和所述第二组一个或更多个方向是不同的。
根据一实施例，第一组一个或更多个方向和第二组一个或更多个方向不包括相同的方向。
根据一实施例，所述图像是掩模透射图像。
根据一实施例，所述图像是空间图像。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，且所述源是离散源。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，且所述源是连续源。
根据一实施例，所述方法可以还包括从光刻投影设备的源的光瞳的连续区域选择第一组一个或更多个方向。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分来自EUV源。
根据一实施例，所述第一分图像和第二分图像由图案形成装置形成。
根据一实施例，所述图案形成装置是反射式图案形成装置。
根据一实施例，所述图案形成装置是透射式图案形成装置。
根据一实施例，所述第一辐射部分和第二辐射部分相对于图案形成装置是倾斜的。
根据一实施例，所述第一分图像和第二分图像至少部分地通过衬底上抗蚀剂层下方的结构而形成。
根据一实施例，所述方法可以还包括基于所述图像来调整图案形成装置的一个或更多个参数。
根据一实施例，所述图案形成装置的一个或更多个参数包括：辅助特征的数量、辅助特征的形状、主特征的形状、或从它们中选择的任何组合。
根据一实施例，所述方法还可以包括基于所述图像来调整光刻投影设备的一个或更多个参数。
根据一实施例，所述光刻投影设备的一个或更多个参数包括：光刻投影设备的源的参数、光刻投影设备的投影光学装置的参数、第一辐射部分的参数、第二辐射部分的参数、或从它们中选择的任何组合。
根据一实施例，所述方法还可以包括基于图像的特性来计算成本函数。
图15为图示出计算机系统100的示例性方块图，其可以辅助体现和/或执行本文公开的方法。计算机系统100包括：总线102或被配置成用于信息通信的其它通信机制；和与总线102耦接/联接的用于处理信息的一个或更多个处理器104(和105)。计算机系统100还包括主存储器106(诸如随机存取存储器(RAM)或其它动态储存装置，所述主存储器106耦接至总线102用于储存将要被处理器104执行的信息和指令。主存储器106还可以用于在由处理器104执行的指令的执行期间储存临时变量或其它中间信息。计算机系统100还包括被耦接至总线102的只读存储器(ROM)108或其它静态储存装置，其用于存储用于处理器104的静态信息和指令。存储装置110(诸如磁盘或光盘)被提供并耦接至总线102，用于存储信息和指令。
计算机系统100可以经由总线102耦接至显示器112(诸如阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器)，用于给计算机使用者显示信息。输入装置114(包括字母数字键和其它键)被耦接至总线102用于将信息和命令选择与处理器104通信。另一类型的使用者输入装置是光标控制器116(诸如鼠标、轨迹球、或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择与处理器104通信和用于控制显示器112上的光标移动。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。
根据一个实施例，模拟过程的部分可以由计算机系统100响应于处理器104执行包含在主储存器106中的一个或更多的指令的一个或更多的序列而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如储存装置110)读取到主储存器106中。包含在主存储器106中的指令的序列的执行使得处理器104执行此处描述的过程步骤。在多处理布置中的一个或更多的处理器也可以被用于执行包含在主存储器106中的指令的序列。在可替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令结合。因此，实施例不限于硬件电路和软件的任何特定的组合。
如此处使用的术语“计算机可读介质”表示参与为了执行而提供指令至处理器104的任何介质。这样的介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜导线和光纤，包含了包括总线102的导线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的那些声波或光波。计算机可读介质的通常形式包括例如软盘、软碟(flexible disk)、硬盘、磁带、任何其它磁介质、CD-ROM、DVD、任何其它光学介质、穿孔卡、纸带、任何具有孔图案的其它物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它存储器芯片或卡带、如下文描述的载波、或计算机可以读取的任何其它介质。
各种形式的计算机可读介质可能涉及将一个或更多的指令的一个或更多的序列传送至处理器104，用于执行。例如，指令可以最初出现在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中且使用调制解调器在电话线上发送所述指令。在计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，且使用红外发送器将数据转换成红外信号。耦接至总线102的红外探测器可以接收在红外信号中携带的数据和将数据置于总线102上。总线102将数据传送至主存储器106，处理器104从主存储器106获取和执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选择地在由处理器104执行之前或之后被储存在储存装置110上。
计算机系统100也可以包括耦接至总线102的通信接口118。通信接口118提供耦接至网络链路120的双向数据通信，该网络链路120连接至本地网络122。例如，通信接口118可以是综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器，以用于提供数据通信连接至对应类型的电话线。作为另一示例，通信接口118可以是局域网(LAN)卡，以提供数据通信连接至兼容的LAN。无线链路也可以被实现。在任何这样的实施方式中，通信接口118发送和接收电、电磁或光信号，其携带表示各种类型的信息的数字数据流。
典型地，网络链路120通过一个或更多的网络将数据通信提供至其它数据装置。例如，网络链路120可以通过本地网络122提供连接至主机124或由网络服务商(ISP)126操作的数据设备。ISP 126又通过全球分组数据通信网络(现在被通常称为“互联网”)128提供数据通信服务。本地网络122和互联网128都使用携带数字数据流的电、电磁或光信号。通过各种网络的信号以及网络链路120上和通过通信接口118的信号将数字数据传送至计算机系统100和从计算机系统100传送回，其是用于载运信息的载波的示例性的形式。
计算机系统100可以通过网络、网络链路120和通信接口118发送信息和接收数据，所述数据包括程序码。在互联网的例子中，服务器130可以通过互联网128、ISP126、局域网122和通信接口118为应用程序发送请求码。根据实施例，一个这样的被下载的应用程序提供用于例如实施例的测试图案选择。所接收的码在被接收时可以被处理器104执行，和/或被存储在存储装置110或其它非易失性存储器中以用于随后执行。如此，计算机系统100可以获得呈载波形式的应用码。
图16示意性地显示示例性的光刻投影设备，其性能可以通过使用此处公开的方法而被模拟和/或优化。所述设备包括：
辐射系统Ex、IL，用于供应投影束B。在这一特定的情形中，辐射系统还包括辐射源SO；
第一载物台(掩模台)MT，设置有用于保持图案形成装置MA(例如掩模版)的图案形成装置保持器并连接至第一定位装置PM，以精确地相对于投影光学装置PS定位图案形成装置；
第二载物台(衬底台)WT，设置有用于保持衬底W(例如涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器并连接至第二定位装置PW，以相对于投影光学装置PS精确地定位衬底；
投影光学装置(“透镜”)PS(例如折射式、反射式或折射反射式的光学系统)，用于将图案形成装置MA的受照射部分成像到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
如此处所描述的，所述设备是透射式的(即具有透射式掩模)。然而，例如，通常它还可以是反射式的(具有反射式掩模)。
源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。例如，这一辐射束被直接地供给到照射系统(照射器)IL中，或在穿过调节装置(诸如扩束器或者束传递系统BD)之后供给到照射系统(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整装置AD，所述调整装置AD用于设定在辐射束中的强度分布的外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，它将通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。这样，照射到图案形成装置MA上的辐射束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
关于图16应当注意的是，源SO可以位于光刻投影设备的壳体内(当源SO是例如汞灯时经常是这样的情形)，但是它还可以远离光刻投影设备，其产生的辐射束被引导到所述设备中(例如借助于适合的定向反射镜)；所述后一种情况通常是当源SO是准分子激光器(例如是基于KrF，ArF或F2激光的准分子激光器)的情形。
所述束B随后被保持在图案形成装置台MT上的图案形成装置MA所拦截。已经穿过图案形成装置MA之后，所述束B穿过透镜PS，所述透镜PS将束PS聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置(和干涉仪测量装置IF)，衬底台WT可以精确地移动，例如，以便在束B的路径上定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库以机械方式获取图案形成装置MA之后、或在扫描期间，第一定位装置可以用于相对于束B的路径来精确地定位所述图案形成装置MA。通常，在长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)(二者未在图16中明确地示出)的帮助下，将实现载物台MT、WT的移动。然而，在晶片步进机的情形中(与步进扫描工具相反)，图案形成装置台MT可以仅仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。
图案形成装置MA和衬底W可以根据需要使用图案形成装置中的对准标记M1、M2和衬底上的对准标记P1、P2对准。
所描绘的工具可以在两种不同的模式中使用：
在步进模式中，图案形成装置台MT可以被保持为基本静止，且一次(即单个“闪光”)将整个图案形成装置图像投影到目标部分C上。衬底台WT之后在x和/或y方向上被移动，使得可以通过辐射束B来辐射不同的目标部分C。
在扫描模式中，除了给定的目标部分C不在单个“闪光”中曝光之外，实质上适用了相同的场景。替代地，图案形成装置台MT可以沿给定方向(所谓“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，使得投影束PB在图案形成装置图像上扫描；同时，衬底台WT沿相同或相反的方向以速度V＝Mv同时地移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地M＝1/4或1/5)。这样，可以曝光相对大的目标部分C，而不对分辨率进行折衷。
此处公开的概念可以模拟用于使亚波长特征成像的任何上位的成像系统或在数学上对用于使亚波长特征成像的任何上位的成像系统进行建模，且可能随着能够产生波长尺寸不断变得更小的成像技术的出现是特别有用的。已经使用的出现的技术包括DUV(深紫外)光刻术，其能够用ArF激光器产生193nm波长，甚至可以用氟激光器产生157nm的波长。此外，EUV光刻术能够通过使用同步加速器或通过用高能电子撞击材料(固体或等离子体)来产生在20-5nm范围内的波长，以便产生在这一范围内的光子。由于大多数材料在这一范围中是吸收性的，所以可以由具有钼和硅的多个叠层的反射镜产生照射。多个叠层反射镜可以具有40层的钼和硅的对，其中每一层的厚度大约是四分之一波长。可以用X射线光刻术产生甚至更小的波长。典型地，同步加速器用于产生X射线波长。因为大多数材料在x射线波长是吸收性的，所以吸收材料的薄片定义了特征将会印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)的区域。
尽管在此所公开的构思可以用于在衬底(例如硅晶片)上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在除去硅晶片之外的衬底上成像的光刻成像系统。
本领域技术人员应当清楚地明白，在不背离精神和范围的情况下可以在形式和细节上进行改变和修改。预期的是随附的权利要求包含这样的改变和修改。本文所公开的构思可以模拟用于使亚波长特征成像的任何上位的成像系统或在数学上对用于使亚波长特征成像的任何上位的成像系统进行建模，且可能随着能够产生波长尺寸不断变得更小的成像技术的出现是特别有用的。
尽管在此所公开的构思可以用于在衬底(例如硅晶片)上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在除去硅晶片之外的衬底上成像的光刻成像系统。
尽管在本发明中对IC的制造作出具体参考，但应当清楚地理解本发明的说明书可以有许多其它可能的应用。例如，可用于集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将认识到，在这种替代应用的情况中，可以将本文中使用的任意术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”分别认为能够与更上位的术语“掩模”、“衬底”或“目标部分”相互通用。
在本文件中，术语“辐射”和“束”用于包括各种类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有在5-20nm范围内的波长)。
如此处使用的术语“进行优化”和“优化”的意思是调节光刻投影设备，使得光刻术的结果和/或过程具有更加期望的特性，诸如衬底上的设计布局的更高的投影精度、更大的过程窗口等。
另外，光刻投影设备可以是具有两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个图案形成装置台)的类型。在这种“多台”装置中，可并行地使用附加的台，或可在一个或更多个台上执行预备步骤，同时将一个或更多个其他台用于曝光。例如，在以引用方式并入本发明中的US5,969,441中描述双平台光刻投影设备。
上文提及的图案形成装置包括，或能够形成设计布局。可以利用CAD(计算机辅助设计)程序来产生设计布局，所述过程通常被称作为EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组预定的设计规则，以便产生功能设计布局/图案形成装置。这些规则由处理和设计限制来设定。例如，设计规则限定了在电路器件(诸如栅极、电容器等)或互连线之间的空间容许度，以便于确保电路器件或线不会以不期望的方式相互作用。设计规则限制可通常被称作为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度，或者介于两条线或两个孔之间的最小空间。因此，CD确定了所设计的电路的整体尺寸和密度。当然，集成电路制造中的目标之一是如实地在衬底上(经由图案形成装置)复现原始的电路设计。
在这种情形中采用的术语“掩模”或“图案形成装置”可以广义地解释成表示可以用于表示上位化的图案形成装置，该上位化的图案形成装置可以用于对入射的辐射束赋予图案化的横截面，其对应于将要在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种情形。除了经典的掩模(透射式或反射式掩模；二元掩模、相移掩模、混合型掩模等)之外，其它的这样的图案形成装置的例子包括：
-可编程反射镜阵列。这样的装置的一个例子是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这样的设备所依据的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射辐射反射成经衍射的辐射，而未寻址区域将入射辐射反射成非衍射辐射。通过使用适合的滤光片，可以从反射束中过滤掉所述的非衍射辐射，从而之后仅留下衍射辐射；这样，所述束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而变得被图案化。所需要的矩阵寻址可以通过使用适合的电子装置进行。关于这样的反射镜阵列的更多的信息可以参见例如美国专利No.5,296,891和No.5,523,193，通过引用将它们并入本发明中。
-可编程LCD阵列。在美国专利No.5,229,872中给出了这样的构造的一个例子，通过引用将其并入本发明中。
可使用以下方面来进一步描述本发明：
1.一种计算机实施的方法，包括：
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第一组一个或更多个方向传播并且照射到图案形成装置上的第一辐射部分所形成的第一分图像，所述第一分图像由光刻投影设备形成；
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第二组一个或更多个方向传播并且照射到所述图案形成装置上的第二辐射部分所形成的第二分图像，所述第二分图像由光刻投影设备形成；和
由计算机模拟通过将第一分图像和第二分图像相加来确定一图像，
其中所述第一组一个或更多个方向和所述第二组一个或更多个方向的是不同的。
2.根据方面1所述的方法，其中第一组一个或更多个方向和第二组一个或更多个方向不包括相同的方向。
3.根据方面1或方面2所述的方法，其中所述图像是掩模透射图像。
4.根据方面1或方面2所述的方法，其中所述图像是空间图像。
5.根据方面1至4中任一个所述的方法，其中所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，所述源是离散源。
6.根据方面1至4中任一个所述的方法，其中所述第一辐射部分和第二辐射部分来自光刻投影设备的源，所述源是连续源。
7.根据方面1至6中任一个所述的方法，还包括从光刻投影设备的源的光瞳的连续区域选择第一组一个或更多个方向。
8.根据方面1至7中任一个所述的方法，其中所述第一辐射部分和第二辐射部分来自EUV源或DUV源。
9.根据方面1至8中任一个所述的方法，其中所述第一分图像和第二分图像由图案形成装置形成。
10.根据方面9所述的方法，其中所述图案形成装置是反射式图案形成装置。
11.根据方面9所述的方法，其中所述图案形成装置是透射式图案形成装置。
12.根据方面9至11中任一个所述的方法，其中所述第一辐射部分和第二辐射部分相对于图案形成装置是倾斜的。
13.根据方面1至12中任一个所述的方法，其中所述第一分图像和第二分图像至少部分地由衬底上抗蚀剂层下方的结构形成。
14.根据方面1至13中任一个所述的方法，还包括基于所述图像来调整图案形成装置的参数。
15.根据方面14所述的方法，其中所述图案形成装置的参数包括：辅助特征的数量、辅助特征的形状、主特征的形状、或从它们中选择的任何组合。
16.根据方面1至15中任一个所述的方法，还包括基于所述图像来调整光刻投影设备的参数。
17.根据方面16所述的方法，其中光刻投影设备的参数包括：光刻投影设备的源的参数、光刻投影设备的投影光学装置的参数、第一辐射部分的参数、第二辐射部分的参数、或从它们中选择的任何组合。
18.根据方面1-17中任一个所述的方法，还包括基于图像的特性来计算成本函数。
19.根据方面1-18中任一个所述的方法，其中通过以非相干方式相加所述第一分图像和第二分图像来确定所述图像。
20.一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索设计布局中的图案的分图像，所述分图像由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分形成；和
在数据库中找到图案的分图像的情况下，至少由所述图案的分图像来构造所述设计布局的分图像，所述设计布局的分图像由所述辐射部分形成。
21.一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索针对沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分的、用于设计布局中的图案的透射函数；和
在数据库中找到所述透射函数的情况下，通过使用所找到的透射函数来构造所述图案的分图像。
22.根据方面21所述的方法，还包括通过使用所述图案的分图像来构造设计布局的分图像。
23.一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索针对沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分的、光刻投影设备的投影光学装置的透射函数；和
在数据库中找到所述透射函数的情况下，针对于所述辐射部分来构造由所述投影光学装置所形成的设计布局的分图像。
24.根据方面23所述的方法，还包括通过使用设计布局的分图像来构造设计布局的图像。
25.一种计算机程序产品，包括计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令在被计算机执行时实施上述方面中的任一个方面所述的方法。
上面的描述是为了说明的目的而不是限制性的。因此，本领域技术人员应该认识到，在不背离下面给出的权利要求的范围的情况下可以如所描述地进行修改。

Claims (15)

1.一种计算机实施的方法，包括：
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第一组一个或更多个方向传播并且照射到图案形成装置上的第一辐射部分所形成的第一分图像，所述第一分图像由光刻投影设备形成；
确定由来自光刻投影设备的照射源的、沿着第二组一个或更多个方向传播并且照射到所述图案形成装置上的第二辐射部分所形成的第二分图像，所述第二分图像由光刻投影设备形成；和
由计算机模拟通过将第一分图像和第二分图像相加来确定一图像，
其中所述一个或更多个方向的第一组和所述一个或更多个方向的第二组是不同的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中第一组一个或更多个方向和第二组一个或更多个方向不包括相同的方向。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述图像是掩模透射图像，或所述图像是空间图像。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一辐射部分和第二辐射部分来自所述光刻投影设备的源，并且所述源是离散源或连续源。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述光刻投影设备的源的光瞳的连续区域选择第一组一个或更多个方向。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一分图像和所述第二分图像由图案形成装置形成。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述图案形成装置是反射式图案形成装置，或所述图案形成装置是透射式图案形成装置。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一辐射部分和所述第二辐射部分相对于所述图案形成装置是倾斜的。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一分图像和第二分图像至少部分地由衬底上的抗蚀剂层下方的结构形成。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括基于所述图像调整图案形成装置的参数，和/或基于所述图像调整所述光刻投影设备的参数。
11.根据权利要求1所述的方法，其中通过以非相干方式相加所述第一分图像和第二分图像来确定所述图像。
12.一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索设计布局中的图案的分图像，所述分图像由沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分形成；和
在数据库中找到所述图案的所述分图像的情况下，至少由所述图案的所述分图像构造所述设计布局的分图像，所述设计布局的分图像由所述辐射部分形成。
13.一种计算机实施的方法，包括：
在数据库中检索针对沿着一组一个或更多个方向传播的辐射部分的、用于设计布局中的图案的透射函数；和
在数据库中找到所述透射函数的情况下，通过使用所找到的透射函数来构造所述图案的分图像。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括通过使用所述图案的分图像来构造所述设计布局的分图像。
15.一种计算机程序产品，包括计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令在被计算机执行时实施根据权利要求1所述的方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108427828B (zh) * 2018-02-07 2022-04-26 李荣陆 一种自动评估平面设计布局质量与优化的装置
US11846889B2 (en) 2019-03-08 2023-12-19 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for diffraction pattern guided source mask optimization
WO2022060616A1 (en) * 2020-09-18 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Methods to improve process window and resolution for digital lithography with two exposures
WO2023222368A1 (en) 2022-05-17 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Diffraction-based pupil determination for optimization of lithographic processes
US20230418167A1 (en) * 2022-06-28 2023-12-28 Kla Corporation Method and system for cleaning optical elements in euv optical systems

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014127985A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Asml Netherlands B.V. A lithography model for three-dimensional patterning device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US7107571B2 (en) * 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
EP1670041A4 (en) * 2003-08-28 2007-10-17 Nikon Corp METHOD AND APPARATUS FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ASSOCIATED DEVICE
JP4425239B2 (ja) * 2005-05-16 2010-03-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US7266803B2 (en) * 2005-07-29 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Layout generation and optimization to improve photolithographic performance
US7617477B2 (en) 2005-09-09 2009-11-10 Brion Technologies, Inc. Method for selecting and optimizing exposure tool using an individual mask error model
NL1036189A1 (nl) 2007-12-05 2009-06-08 Brion Tech Inc Methods and System for Lithography Process Window Simulation.
US8806387B2 (en) 2008-06-03 2014-08-12 Asml Netherlands B.V. Model-based process simulation systems and methods
DE102008042438B4 (de) * 2008-09-29 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens zwei Arbeitszuständen
NL2003696A (en) * 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Scanner model representation with transmission cross coefficients.
CN102224459B (zh) 2008-11-21 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于优化光刻过程的方法及设备
WO2010117626A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-14 Christophe Pierrat Lithography modelling and applications
US8786824B2 (en) 2009-06-10 2014-07-22 Asml Netherlands B.V. Source-mask optimization in lithographic apparatus
US9140998B2 (en) * 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
JP5833437B2 (ja) * 2011-12-29 2015-12-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 シミュレーション装置およびシミュレーションプログラム
JP6095334B2 (ja) * 2012-11-26 2017-03-15 キヤノン株式会社 マスクパターンおよび露光条件を決定する方法、ならびにプログラム
WO2016096333A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. A lithography model for 3d features

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014127985A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Asml Netherlands B.V. A lithography model for three-dimensional patterning device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KONSTANTINOS ADAM, MICHAEL C.LAM: "Hybrid Hopkins-Abbe method for modeling oblique angle mask effects in OPC", 《PROCEEDINGS OF SPIE》 *

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Publication number Publication date
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