TWI643026B - 用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品 - Google Patents

用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品 Download PDF

Info

Publication number
TWI643026B
TWI643026B TW105114462A TW105114462A TWI643026B TW I643026 B TWI643026 B TW I643026B TW 105114462 A TW105114462 A TW 105114462A TW 105114462 A TW105114462 A TW 105114462A TW I643026 B TWI643026 B TW I643026B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
color
patterns
combination
pattern group
Prior art date
Application number
TW105114462A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201706724A (zh
Inventor
鄒毅
蘇靜
羅伯特 約翰 蘇洽
克里斯多福 艾倫 史賓斯
端孚 徐
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201706724A publication Critical patent/TW201706724A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI643026B publication Critical patent/TWI643026B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T11/00—2D [Two Dimensional] image generation
    • G06T11/001—Texturing; Colouring; Generation of texture or colour
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/90—Determination of colour characteristics
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本文中揭示一種電腦實施方法，其包含：獲得包含為一效能限制點之一區域之一子佈局；調整該區域中之圖案之顏色；判定該區域是否仍為效能限制點。另一方法包含：將一設計佈局中之圖案分解成多個子佈局；針對該等子佈局中之一者中之至少一個區域，判定一優值超出其所允許範圍之似然性；若該似然性高於一臨限值，則彼一個子佈局具有一效能限制點。所揭示之又一方法包含：獲得包含一第一圖案群組及一第二圖案群組之一設計佈局，其中不允許該第一圖案群組之顏色改變且允許該第二圖案群組之顏色改變；共同最佳化至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及一微影裝置之一源。

Description

用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品
本文之描述係關於微影投影裝置及程序，且更特定言之，係關於一種用於調整微影投影裝置及程序之方法或工具。
微影投影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化器件上之電路圖案而輻照已被塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影投影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作晶圓步進器(wafer stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，因為微影投影裝置將具有放大因數M(通常<1)，所以基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。可(例如)自以引用方式併入本文中之US 6,046,792蒐集到關於 如本文中所描述之微影器件的更多資訊。
在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如，曝光後烘烤(post-exposure bake；PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造一器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等等。
如所提及，微影蝕刻術(microlithography)為在IC之製造時的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定IC之功能元件，諸如，微處理器、記憶體晶片，等等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：獲得包含為一效能限制點之一區域之一子佈局；調整該區域中之圖案之顏色；及判定該區域是否仍為效能限制點。
根據一實施例，該方法進一步包含使該等圖案經受光學近接校正(OPC)。
根據一實施例，該方法進一步包含：若該區域仍為效能限制點，則重新調整該等圖案之該等顏色。
根據一實施例，調整該等顏色包含：搜尋該等圖案之顏色組合，其中該等顏色組合使該效能限制點不再為一效能限制點；若未發現顏色組合，則將該等圖案與該子佈局之該效能限制點外部之至少一 些圖案組合。
根據一實施例，搜尋該等圖案之顏色組合包含：獲得該等圖案之一顏色組合集合，其中該等顏色組合不違反用於該子層之任何設計規則；對於該集合中之顏色組合中之每一者，使用彼顏色組合判定一微影程序之一或多個特性；基於該等特性自該集合選擇一個顏色組合。
根據一實施例，在該效能限制點中之該等圖案當中識別一對圖案；將不同顏色指派給該對圖案。
根據一實施例，該一或多個特性包含使用該彼顏色組合而產生的一影像之一或多個特性。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：將一設計佈局中之圖案分解成多個子佈局；針對該等子佈局中之一者中之至少一個區域，判定一優值超出其所允許範圍之似然性；若該似然性高於一臨限值，則彼一個子佈局具有一效能限制點。
根據一實施例，該方法進一步包含使該等子佈局中之每一者上之圖案經受光學近接校正(OPC)。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：獲得包含一第一圖案群組及一選用第二圖案群組之一設計佈局，其中不允許該第一圖案群組之顏色改變且允許該第二圖案群組之顏色改變；識別該第一圖案群組及該選用第二圖案群組之所有顏色組合，其中該等顏色組合不違反任何設計規則；視情況選擇該第一圖案群組之代表圖案及其顏色組合，以及該選用第二圖案群組；共同最佳化該設計佈局及用於該第一圖案群組之該等代表圖案或該設計佈局與該選用第二圖案群組的一微影裝置之一源；若並非所有具有所有該等顏色組合的該第一圖案群組及該選用第二圖案群組皆滿足一或多個準則，則調整該等代表圖案之選擇以使更多圖案包括至其，或調整共同最佳化。
根據一實施例，共同最佳化至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源包含：計算包含至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源之特性的複數個設計變數之一多變數成本函數；及藉由調整該等設計變數而反覆地重新組態至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源，直至滿足一預定義終止條件為止。
根據一實施例，該等設計變數包含該微影裝置之投影光學件之特性。
根據一實施例，該預定義終止條件為該成本函數之最小化或該成本函數之最大化中之一者。
根據一實施例，運用對該等設計變數中之至少一些之約束來執行反覆重新組態。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：自一資料庫獲得待匹配之一圖案；基於待匹配之該圖案之模擬的一度量而獲得用於待匹配之該圖案之一顏色；自一設計佈局識別相同於或相似於待匹配之該圖案的圖案；將該顏色指派給該等經識別圖案；將一第二圖案與該等經識別圖案組合成一組合；調整該組合中之圖案之顏色或將顏色指派給該組合中之圖案以解決該組合當中之任何衝突。
根據一實施例，該方法進一步包含使該組合經受OPC。
根據一實施例，該方法進一步包含使該組合經受可製造性檢查。
根據一實施例，指派給該第一圖案之該顏色在調整該組合中之該等圖案之該等顏色或將該等顏色指派給該組合中之該等圖案時不改變。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：自一資料庫獲得待匹配之一圖案；自該資料庫獲得用於待匹配之該圖案之一顏色；自一設計佈局識別相同於或相似於待匹配之該圖案的圖案；將該顏色指派給該 等經識別圖案；將一第二圖案與該等經識別圖案組合成一組合；調整該組合中之圖案之顏色或將顏色指派給該組合中之圖案以解決該組合當中之任何衝突。
根據一實施例，該方法進一步包含使該組合經受OPC。
根據一實施例，該方法進一步包含使該組合經受可製造性檢查。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：識別一圖案群組之顏色組合的一群組；根據一條件使用組合之該群組中之每一者來判定一微影程序之一特性；基於該微影程序之該特性自顏色組合之該群組選擇顏色組合之一子群組。
根據一實施例，顏色組合之該群組包含該圖案群組之所有可能的顏色組合。
根據一實施例，該條件包含使用該微影程序之一微影裝置之一或多個參數。
根據一實施例，該條件包含該微影程序之一或多個參數。
本文揭示一種電腦實施方法，其包含：在儲存於一資料庫中之圖案當中搜尋與一設計佈局或子佈局中之一圖案的一匹配；若發現一匹配，則調整該圖案之一特性使得該經調整圖案在該資料庫中不具有一匹配。
根據一實施例，該特性為該圖案之形狀或部位。
本文揭示一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施該等以上技術方案中之任一者之該方法。
10‧‧‧微影投影裝置
12‧‧‧照明源
14‧‧‧光學件/組件
16a‧‧‧光學件/組件
16b‧‧‧光學件/組件
16c‧‧‧透射光學件/組件
18‧‧‧圖案化器件
20‧‧‧可調整濾光器或孔徑
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧基板平面(圖1)/琢面化場鏡面器件(圖11)
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
1000‧‧‧微影投影裝置
2000‧‧‧圖案
2100‧‧‧群組
2200‧‧‧群組
3100‧‧‧子佈局
3200‧‧‧步驟
3210‧‧‧步驟
3211‧‧‧步驟
3212‧‧‧步驟
3213‧‧‧步驟
3214‧‧‧集合
3217‧‧‧步驟
3218‧‧‧步驟
3220‧‧‧步驟
3230‧‧‧步驟
3240‧‧‧步驟
3300‧‧‧步驟
3400‧‧‧步驟
3500‧‧‧步驟
3600‧‧‧改良型子佈局
3810‧‧‧效能限制點
3820‧‧‧區域
4100‧‧‧子佈局/設計佈局
4200‧‧‧步驟
4300‧‧‧步驟
4400‧‧‧步驟
4500‧‧‧子佈局
5100‧‧‧設計佈局
5110‧‧‧圖案
5120‧‧‧圖案
5130‧‧‧圖案
5140‧‧‧圖案
5150‧‧‧圖案
5160‧‧‧圖案
5200‧‧‧子佈局
5210‧‧‧效能限制點
5300‧‧‧子佈局
5310‧‧‧效能限制點
5400‧‧‧子佈局
5500‧‧‧子佈局
6011‧‧‧圖案
6012‧‧‧圖案
6015‧‧‧步驟
6020‧‧‧步驟
6030‧‧‧步驟
6040‧‧‧步驟
6050‧‧‧步驟
6500‧‧‧資料庫
6510‧‧‧設計佈局或子佈局
6520‧‧‧步驟
6530‧‧‧匹配
6540‧‧‧步驟
7110‧‧‧設計佈局
7120‧‧‧資料庫
7130‧‧‧圖案
7140‧‧‧圖案
7150‧‧‧步驟
7160‧‧‧圖案
7170‧‧‧組合
7180‧‧‧步驟
7190‧‧‧步驟
7195‧‧‧步驟
8100‧‧‧圖案
8200‧‧‧步驟
8300‧‧‧條件
8400‧‧‧步驟
8500‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整構件
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧干涉量測構件/虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧第一物件台/圖案化器件台/支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧第二物件台/基板台
對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣以及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在 該等圖中：圖1為根據一實施例的微影系統之各種子系統的方塊圖；圖2示意性地展示待印刷於一個層上之圖案的分解；圖3A展示用於局域地調整子佈局之效能限制點中之圖案之顏色的方法之流程圖；圖3B示意性地展示用於調整適合於圖3A中之步驟的效能限制點中之圖案之顏色的方法之流程圖；圖3C示意性地展示用於搜尋適合於圖3B中之步驟的效能限制點中之圖案之顏色組合的方法之流程圖，其中該顏色組合使得該效能限制點不再為效能限制點；圖3D示意性地展示用於搜尋適合於圖3B中之步驟的效能限制點中之圖案之顏色組合的方法之流程圖，其中該顏色組合使得該效能限制點不再為效能限制點；圖3E及圖3F示意性地展示應用於效能限制點之圖3B中的流程；圖4展示用於識別子佈局中之一或多個效能限制點之方法的流程圖；圖5示意性地展示具有顏色經調整之六個圖案的設計佈局；圖6A示意性地展示用於共同最佳化至少設計佈局及源之方法的流程圖；圖6B示意性地展示用於避免包括設計佈局或子佈局中之有問題的顏色組合之方法的流程圖；圖6C示意性地展示用於選擇或向使用者呈現根據微影程序之給定條件用於圖案群組的最佳顏色組合或最差顏色組合之方法的流程圖；圖7示意性地展示用於可將設計佈局中之重複圖案相似地著色之方法的流程圖； 圖8為可供實施實施例之實例電腦系統的方塊圖；圖9為微影投影裝置之示意圖；圖10為另一微影投影裝置之示意圖；圖11為圖10中之裝置的更詳細視圖；圖12為圖10及圖11之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
現將參看圖式詳細地描述實施例，該等圖式被提供為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意地，以下之該等圖及實例不意謂將範疇限於單一實施例，而是借助於所描述或所說明元件中之一些或全部之互換而使其他實施例係可能的。在任何方便之處，將貫穿圖式而使用相同元件符號以指相同或類似部件。在可部分地或完全地使用已知組件來實施此等實施例之某些元件的情況下，將僅描述理解該等實施例所必需之此等已知組件之彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分之詳細描述以便不混淆實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應被認為限制性的；實情為範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然，除非本文中另有明確陳述。此外，申請人不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特定涵義，除非如此明確闡述。另外，範疇涵蓋本文中借助於說明而提及之組件的目前及未來已知等效者。
隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前先進技術下，使用微影投影裝置來製造器件層，微影投影裝置使用來自深紫外線(DUV)照明源之UV輻射而將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於100奈米之個別功能元件，亦即，尺寸小於來自 該照明源(例如，193奈米照明源)之輻射之波長的一半。
供印刷尺寸小於微影投影裝置之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD=k1×λ/NA而通常被稱為低k1微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影投影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸(critical dimension)」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。
術語「投影光學件」可包括微影投影裝置中之任何光學組件，而不管該光學組件在微影投影裝置之光學路徑上位於何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前整形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化器件之後整形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常不包括源及圖案化器件。
為了克服在基板上再生類似於預期形狀及尺寸的圖案之困難，將複雜微調步驟應用於微影投影裝置及/或設計佈局。此等微調步驟包括(例如，但不限於)：NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、孔隙及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地導向、整形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。
作為微調步驟之一實例，OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於圖案化 器件上之該設計佈局之大小及置放。應注意，可在本文中互換地利用術語「光罩」、「比例光罩」、「圖案化器件」。又，熟習此項技術者將認識到，尤其是在微影模擬/最佳化之內容背景中，術語「光罩」、「圖案化器件」及「設計佈局」可被互換地使用，此係因為：在微影模擬/最佳化中，未必使用實體圖案化器件，而可使用設計佈局以表示實體圖案化器件。對於存在於某一設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。此等近接效應起因於自一特徵耦合至另一特徵的微小量之輻射及/或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。相似地，近接效應可起因於在通常在微影之後的曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。
為了確保設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求，需要使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。論文「Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design」(C.Spence，Proc.SPIE，第5751卷，第1至14頁(2005年))提供當前「以模型為基礎」之光學近接校正程序的綜述。在典型高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆具有某種修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。
在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，將以模型為基礎之OPC應用於目標設計涉及良好的程序模型及相當大的計算資源。然而，應用OPC通常不為「嚴正科學(exact science)」，而為並不總是補償所有可能近接效應之經驗反覆程序。因此，需要藉由設計檢測(亦即，使用經校準數值程序模型之密集型全晶片模擬)來驗證OPC之效應(例如，在應用OPC及任何其他RET之後的設計佈局)，以便最 小化將設計瑕疵建置至圖案化器件圖案中的可能性。此情形係藉由如下各者驅使：製造高端圖案化器件之巨大成本，其在數百萬美元的範圍內；以及對產品製作時程之影響，其係因重工或修復實際圖案化器件(一旦其已被製造)而引起。
OPC及全晶片RET驗證兩者可基於如(例如)美國專利申請案第10/815,573號及Y.Cao等人之名為「Optimized Hardware and Software For Fast,Full Chip Simulation」(Proc.SPIE，第5754卷，405(2005年))之論文中描述的數值模型化系統及方法。
一個RET係關於設計佈局之全域偏置之調整。全域偏置為設計佈局中之圖案與意欲印刷於基板上之圖案之間的差。舉例而言，具有25奈米直徑之圓形圖案係可藉由設計佈局中之50奈米直徑圖案或藉由設計佈局中之20奈米直徑圖案但以高劑量而印刷於基板上。
除了對設計佈局或圖案化器件之最佳化(例如，OPC)以外，亦可與圖案化器件最佳化聯合地或分離地最佳化照明源，以致力於改良總微影保真度。術語「照明源」及「源」在此文件中可被互換地使用。自1990年代以來，已引入諸如環形、四極及偶極之許多離軸照明源，且該等離軸照明源已提供用於OPC設計之更多自由度，藉此改良成像結果。如吾人所知，離軸照明為用以解析圖案化器件中含有之精細結構(亦即，目標特徵)之被證實方式。然而，相比於傳統照明源，離軸照明源通常提供針對空中影像(aerial image,AI)之較小輻射強度。因此，變得需要嘗試最佳化照明源以在較精細解析度與縮減輻射強度之間達成最佳平衡。
舉例而言，可在Rosenbluth等人之名為「Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape」(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 1(1)，第13至20頁(2002年))之論文中找到眾多照明源最佳化途徑。將源分割成若干區，該等區中之每一者 對應於光瞳光譜之某一區。接著，將源分佈假定為在每一源區中均一，且針對程序窗來最佳化每一區之亮度。然而，源分佈在每一源區中均一之此假定並不總是有效，且結果，此途徑之有效性受損。在Granik之名為「Source Optimization for Image Fidelity and Throughput」(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 3(4)，第509至522頁(2004年))之論文所闡述的另一實例中，綜述若干現有源最佳化途徑，且提議將源最佳化問題轉換成一系列非負最小平方最佳化的基於照明器像素之方法。儘管此等方法已示範一些成功，但其通常要求多次複雜反覆以進行收斂。另外，可難以判定用於一些額外參數(諸如，Granik方法中之γ)之適當/最佳值，此情形規定在最佳化用於基板影像保真度之源與該源之平滑度要求之間的取捨。
對於低k1光微影，源及圖案化器件兩者之最佳化有用於確保用於臨界電路圖案之投影的可行程序窗。一些計算法(例如，Socha等人之Proc.SPIE，第5853卷，2005年，第180頁)在空間頻域中將照明離散化成獨立源點且將光罩離散化成繞射階，且基於可藉由光學成像模型自源點強度及圖案化器件繞射階而預測之程序窗度量(諸如，曝光寬容度)來分離地公式化成本函數(其被定義為選定設計變數之函數)。如本文所使用之術語「設計變數」包含微影投影裝置之參數集合，例如，微影投影裝置之使用者可調整的參數。應瞭解，微影投影程序之任何特性(包括源之特性、圖案化器件之特性、投影光學器件之特性及/或抗蝕劑特性)可在最佳化中之設計變數當中。成本函數常常為設計變數之非線性函數。接著使用標準最佳化技術以最小化成本函數。
相關地，不斷地減低設計規則之壓力已驅使半導體晶片製造者在現有193奈米ArF微影的情況下更深入於低k1微影時代。朝向較低k1之微影施予對RET、曝光工具及針對微影親和設計之需要的大量需 求。未來可使用1.35 ArF超數值孔徑(NA)曝光工具。為了幫助確保電路設計可以可工作程序窗而產生至基板上，源-圖案化器件最佳化(在本文中被稱作源-光罩最佳化(source-mask optimization)或SMO)正變為用於2×奈米節點之顯著RET。
2009年11月20日申請且被公開為WO2010/059954之名為「Fast Freeform Source and Mask Co-Optimization Method」的共同讓渡之國際專利申請案第PCT/US2009/065359號中描述允許在無約束之情況下且在可實行之時間量內使用成本函數來同時地最佳化源及光罩(圖案化器件)的源及光罩最佳化方法及系統，該專利申請案之全文係據此以引用方式併入。
2010年6月10日申請且被公開為美國專利申請公開案第2010/0315614號之名為「Source-Mask Optimization in Lithographic Apparatus」的共同讓渡之美國專利申請案第12/813456號中描述涉及藉由調整源之像素來最佳化源的另一源及圖案化器件最佳化方法及系統，該專利申請案之全文係據此以引用方式併入。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中之實施例之使用，但應明確理解，該等實施例具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於整合式光學系統之製造中、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中對術語「比例光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別可與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」可互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)，及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。
如本文所使用之術語「最佳化」意謂：調整微影投影裝置，使得微影之結果及/或程序具有更理想特性，諸如，設計佈局在基板上之投影之較高準確度、較大程序窗等等。
在一系統之最佳化程序中，可將該系統之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為找到最小化成本函數之系統的參數(設計變數)集合之程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統之任何特性。歸因於系統之實施之實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影投影裝置之狀況下，約束常常係與硬體之物理屬性及特性(諸如，可調諧範圍，及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。
上文所提及之圖案化器件包含設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作電子設計自動化(EDA)。大多數CAD程式遵循一預定設計規則集合，以便產生功能設計佈局/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘、電容器等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線彼此不會以不理想方式相互作用。設計規則限制通常被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。積體電路製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。
如本文中所使用之術語圖案化器件可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案 化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此等圖案化器件之實例亦包括：
-可程式化鏡面陣列。此器件之一實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域使入射輻射反射作為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射作為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子件來執行矩陣定址。可(例如)自以引用方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號蒐集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。
-可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之一實例。
作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影裝置10。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型之源；照明光學件，其定義部分相干性(被表示為均方偏差)且可包括整形來自源12之輻射之光學件14、16a及16b；圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)18；及透射光學件16c，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22上。投影光學件之光瞳平面處之可調整濾光器或孔徑20可限定照射於基板平面22上之光束角度之範圍，其中最大可能角度定義投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θmax)。
在微影投影裝置中，源提供照明(亦即，輻射)；投影光學件經由圖案化器件而導向及整形照明且將照明導向及整形至基板上。術語「投影光學件」可包括可變更輻射光束之波前之任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(AI)為基板上之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將 空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑的空間溶解度分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在揭示內容之全文據此以引用方式併入的共同讓渡之美國專利申請案第12/315,849號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型係僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)。微影投影裝置之光學屬性(例如，源、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。因為可改變用於微影投影裝置中之圖案化器件，所以需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影投影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
自設計佈局，可識別被稱作「剪輯(clip)」之一或多個部分。在一特定實施例中，抽取剪輯之集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。如熟習此項技術者應瞭解，此等圖案或剪輯表示設計之小部分(亦即，電路、格胞或圖案)，且該等剪輯尤其表示需要特定關注及/或驗證之小部分。換言之，剪輯可為設計佈局之部分，或可相似或具有臨界特徵係藉由經驗而識別(包括由客戶提供之剪輯)、藉由試誤法而識別或藉由執行全晶片模擬而識別的設計佈局之部分的相似行為。剪輯通常含有一或多個測試圖案或量規圖案(gauge pattern)。
可由客戶基於設計佈局中需要特定影像最佳化之已知臨界特徵區域而先驗地提供初始較大剪輯集合。替代地，在另一實施例中，可藉由使用識別臨界特徵區域之某種自動化(諸如，機器視覺)或手動計算法而自整個設計佈局提取初始較大剪輯集合。
可(例如)在2010年10月28日申請之美國專利申請案第12/914,946號中找到最佳化方法之實例，該專利申請案之揭示內容之全文係據此以引用方式併入。
隨著在半導體製造程序(例如，微影程序)中製造之功能元件之尺寸繼續收縮，準確印刷預期設計佈局變得更有挑戰性。用以克服此挑戰之一種途徑被稱為「多重曝光」。多重曝光為使用若干不同圖案化器件(每一圖案化器件攜載待印刷至半導體器件中之單一功能層之圖案之一部分)或使用在不同時間攜載圖案之不同部分的同一可程式化圖案化器件(例如，可程式化鏡面陣列或可程式化LCD陣列)進行的該單一功能層之若干分離曝光之序列。儘管多重曝光可有用於克服在一次曝光中印刷許多圖案之困難，但其亦引入較多設計變量一圖案之顏色。顏色在其性質方面係離散的，此係因為顏色標註不同子佈局。用以判定哪些圖案將被攜載於哪一圖案化器件上(圖案之「分解」)之一種技術可藉由圖案之定向(其被稱作「雙重偶極微影」(DDL))進行。舉例而言，一個圖案化器件可攜載在一個方向上定向之線，且另一圖案化器件可攜載在垂直方向上定向之線。此情形允許二維圖案之分解成更容易印刷之一維圖案。用以判定哪些圖案將被攜載於哪一圖案化器件上之另一技術被稱為「雙重圖案化技術」(DPT)或「多重圖案化技術」(MPT)。MPT為用以增強特徵密度之技術之集合。多重圖案化之最簡單狀況為雙重圖案化技術(DPT)，其中習知微影程序增強以藉由允許在兩個光罩上進行設計佈局而產生數目為預期數目之雙倍的特徵。
圖2示意性地展示待印刷於一個層上之圖案2000之分解。此等圖案2000可彼此緊密定位，此可使得在一次曝光中印刷其係困難的(例如，為了校正近接效應，需要較複雜最佳化或需要較多計算資源)。若圖案2000「分解」成多個群組(例如，群組2100及2200)(其亦被稱為「子佈局」)且每一群組在不同時間曝光至基板上，則可良好地克服困難，此係因為每一群組內之圖案彼此並不如此接近。換言之，術語「子佈局」可被界定為設計佈局之圖案之群組，其中圖案之群組在不 同實體光罩上被攜載或在與設計佈局之其他圖案不同的時間在同一可程式化圖案化器件上被攜載。在子佈局中之每一者之圖案經印刷至基板之後，整個設計佈局經印刷至基板。即，可在不同曝光中使用設計佈局之子佈局，從而在器件中產生單一功能層。按照慣例，出於識別之目的而向群組中之每一者指派一「顏色」。在此內容背景中之詞「顏色」僅僅為設計佈局之一些圖案至可適合於多重曝光以在器件中產生單一功能層之一個子佈局之指派。在此內容背景中之詞「顏色」並不參考群組可能發射或散射之電磁輻射之波長，亦不參考群組之視覺外觀。舉例而言，若群組2100為「紅色」且群組2200為「藍色」，則群組2100將被攜載於圖案化器件(其可被稱為「紅色」圖案化器件)上，且群組2200將被攜載於另一圖案化器件(其可被稱為「藍色」圖案化器件)上。群組2100內之圖案可被稱作「紅色」圖案，且群組2200內之圖案可被稱作「藍色」圖案。因此，待印刷於一個層上之圖案至多重圖案化器件上之分解可被稱為「著色」。
圖3A展示用於局域地調整子佈局3100之效能限制點中之圖案之顏色(亦即，將一些圖案再指派給一不同子佈局)的方法之流程圖。術語「效能限制點」意謂設計佈局或子佈局中之使優值超出其所允許範圍之似然性高於臨限值之區域。優值之實例可包括焦點深度(DOF)、曝光寬容度(EL)、光罩誤差增強因數(MEEF)或程序可變性(PV)帶、疊對、邊緣置放誤差(EPE)、臨界尺寸(CD)等等。可使用若干合適方法來識別效能限制點。舉例而言，可憑經驗識別效能限制點一若佈局或子佈局之區域中之圖案違反可製造性規則，則彼區域可被識別為效能限制點。舉例而言，可藉由模擬識別效能限制點一若佈局或子佈局之區域中之圖案之經模擬影像展示超出其在其中所允許範圍之優值或若該區域被預測為具有使優值超出其所允許範圍之高機率，則該區域可被識別為效能限制點。在3200中，調整效能限制點中之一些圖案之 顏色。即，可改變效能限制點中之一些圖案之顏色。如上文所解釋，改變圖案之顏色係與將圖案再指派給不同子佈局相同。舉例而言，效能限制點可在另一子佈局上之圖案被重新著色且重新指派至此子佈局中且重新指派至該效能限制點中時在顏色調整之後具有較多圖案；效能限制點可在該效能限制點中之一些圖案被重新著色且重新指派至另一子佈局時具有較少圖案。如先前所解釋，子佈局為在一個曝光中印刷至基板上之圖案之群組。可在不同實體光罩上或在同一圖案化器件上在不同時間進行不同子佈局。因為在3200中之顏色調整可改變效能限制點之組合物，所以在3200中之顏色調整可改變效能限制點中之圖案當中的近接效應。因此，在3300中，效能限制點中之圖案經歷OPC。在3400中，判定效能限制點在3200中之顏色調整及3300中之OPC之後是否仍為效能限制點(亦即，優值超出其所允許範圍之似然性高於臨限值)。在3500中，若效能限制點仍為效能限制點(亦即，優值超出其所允許範圍之似然性高於臨限值)，則流程返回至3200以進一步調整顏色；若效能限制點在3200中之顏色調整之後不再為效能限制點(亦即，優值超出其所允許範圍之似然性不再高於臨限值)，則獲得改良型(由於少一個效能限制點)子佈局3600。若子佈局具有一個以上效能限制點，則可對每一效能限制點重複該流程。
圖3B示意性地展示用於調整適合於圖3A中之3200的效能限制點中之圖案之顏色的方法之流程圖。在3210中，搜尋效能限制點中之圖案之顏色組合，其中該等顏色組合在此等顏色組合中之一者施加至圖案的情況下使效能限制點不再為效能限制點(亦即，優值超出其所允許範圍之似然性不再高於臨限值)。在3220中，判定是否找到此顏色組合。若在3220中找到至少一個此類顏色組合，則流程轉至選用3240，其中可判定使用該至少一個顏色組合之微影程序之特性(例如，藉由模擬)。舉例而言，特性可包括在使用至少一個顏色組合之 微影程序中產生的影像之特性(例如，影像對數斜率(ILS))。可基於該等特性以在3210中找到之彼等顏色組合當中進行選擇。若在3220中未找到此顏色組合，則流程轉至3230，其中組合圍繞效能限制點之圖案及效能限制點中之圖案以放大顏色組合之數目，且經組合圖案再次經歷3210。效能限制點中之圖案與圍繞效能限制點之圖案之間的衝突可為未找到此顏色組合之原因。在此情形下，組合效能限制點中之圖案及圍繞效能限制點之圖案將允許對此兩者之顏色調整，此使得有可能解決效能限制點之邊界處之此等衝突。衝突意謂在一對圖案處於同一實體光罩上或在同一可程式化圖案化器件上同時被表示的情況下該對圖案消極地影響彼此。即，衝突為該對圖案必須處於不同子佈局上之要求。可憑經驗基於(例如)圖案之幾何形狀而判定衝突。舉例而言，若圖案違反可製造性或設計規則，則可存在衝突。亦可藉由模擬而判定衝突。
圖3C示意性地展示用於搜尋適合於圖3B中之3210的效能限制點中之圖案之顏色組合的方法之流程圖，其中該顏色組合使得該效能限制點不再為效能限制點。在3217中，識別效能限制點中之圖案當中的衝突。舉例而言，衝突可為如藉由模擬而判定之可能的缺陷。在3218中，調整圖案(例如，與至少一個衝突連接之圖案)之顏色直至解決所有衝突為止。
圖3D示意性地展示用於搜尋適合於圖3B中之3210的效能限制點中之圖案之顏色組合的方法之流程圖，其中該顏色組合使得該效能限制點不再為效能限制點。圖3D為方法列舉使用合適搜尋計算法(例如，深度優先搜尋(DFS)計算法、回溯計算法、整數線性程式化(ILP))進行之效能限制點中之圖案的顏色組合。在3211中，識別效能限制點中之圖案之顏色組合中之一者。在3212中，判定經識別顏色組合是否違反用於效能限制點處於之子層之任何設計規則。在3213中，若經識 別顏色組合不違反任何設計規則，則使在集合3214中包括其；若經識別顏色組合違反任何設計規則，則流程返回至3211以識別顏色組合中的另一者。可判定使用集合3214中之顏色組合中的每一者之微影程序之特性(例如，藉由模擬)。舉例而言，特性可包括在使用至少一個顏色組合之微影程序中產生的影像之特性(例如，影像對數斜率(ILS))。
圖3E及圖3F示意性地展示應用於效能限制點3810之圖3B中的流程。僅允許效能限制點3810中之圖案(不具有影線)改變顏色，而不允許效能限制點3810外部之圖案(具有影線)改變顏色。效能限制點3810中之圖案及效能限制點3810外部之圖案可具有衝突(例如，可製造性或設計規則違反)，且效能限制點中之兩個圖案可具有衝突。衝突係由圖3E及圖3F中之連接一對圖案之線表示。若調整僅在效能限制點3810中之圖案之顏色不能解決所有衝突，則可允許額外圖案改變顏色。如圖3F中所展示，大於不被允許改變顏色之效能限制點3810的區域3820內之四個額外圖案(不具有影線)現在被允許改變顏色。藉由使較多圖案被允許改變顏色，更有可能找到解決所有衝突之顏色組合。
圖4展示用於識別子佈局4100中之一或多個效能限制點之方法的流程圖。在4200中，將設計佈局4100中之圖案分解成多個子佈局(亦即，向圖案中之每一者指派一顏色)。在4300中，使子佈局中之每一者上之圖案經受OPC。在4400中，針對子佈局中之至少一個區域，判定該區域中之優值超出其所允許範圍之似然性是否高於臨限值。若該區域中之優值超出其所允許範圍之似然性高於臨限值，則該子佈局為具有至少一個效能限制點之彼等子佈局4500中之一者。
圖5示意性地展示具有顏色經調整的六個圖案5110、5120、5130、5140、5150及5160之設計佈局5100。(例如)使用圖4中所展示之流程而將該六個圖案5110、5120、5130、5140、5150及5160分解成兩個子佈局5200及5300。子佈局5200包括圖案5110、5120及5130。子 佈局5300包括圖案5140、5150及5160。子佈局5200具有效能限制點5210，此係因為圖案5130過於接近圖案5110且圖案5130過於接近圖案5120。效能限制點5210包括圖案5110、5120及5130。子佈局5300具有效能限制點5310，此係因為圖案5150及5160過於接近彼此。效能限制點5310包括圖案5150及5160，但不包括圖案5140。效能限制點5210及5310中之圖案之顏色可經調整以獲得改良之子佈局5400及5500。在此實例中，自子佈局5300藉由添加圖案5130及移除圖案5150而獲得改良型子佈局5500；自子佈局5200藉由添加圖案5150及移除圖案5130而獲得改良型子佈局5400。
圖6A示意性地展示用於共同最佳化至少設計佈局及源之方法的流程圖(亦可共同最佳化諸如投影光學件之其他設計變數)，其中可調整設計佈局中之圖案中之至少一些的顏色。N個圖案之可能顏色組合之數目為CN，其中c為可能顏色之數目。在此許多顏色組合當中選擇一個顏色並非無足輕重。在設計佈局中，可不允許一些圖案6011之顏色改變，且可允許其他圖案6012之顏色改變。在6015中，識別不違反任何設計規則之圖案6012之所有顏色組合。可在基板上之不同部位處重複圖案6011及6012，但該等圖案可在此等部位處具有不同顏色組合。經識別顏色組合至少不包括與圖案6011之顏色不一致之任何顏色組合。可將顏色組合呈現給使用者。呈現給使用者之顏色組合可包括用於第一圖案群組及第二群組兩者之最佳或最差顏色組合。使用者可出於成品出廠驗證之目的選擇用於一設計之最佳顏色組合。替代地，使用者可選擇較差顏色組合以改進設計規則、以將其回饋至設計工具(例如，置放器及路由器)以防止最差顏色組合出現於設計佈局中，或以將最差顏色組合儲存於庫中以禁止將該顏色組合用於其他設計中，將在下文結合圖6B描述此情形之更多細節。圖案6011及圖案6012(不管其在基板上之何處)仍使用相同源被印刷。因此，源應適合於圖案 6012(包括其在6015中被識別之所有顏色其組合)及圖案6011。代替設計佈局中之所有圖案，可在此方法中使用圖案6011之代表性剪輯及/或圖案6012之代表性剪輯。在選用6020中，選擇(例如)圖案6011之代表群組(「選定圖案」)(6015中所識別之圖案6011之顏色組合)及圖案6012，以縮減接下來幾個步驟所需之計算資源。可在全文據此以引用方式併入之經讓渡美國專利第8438508號及第8739082號中找到用於選擇代表圖案之方法之實例。在6030中，將設計佈局、源及諸如投影光學件之其他合適設計變數共同最佳化以改良代表圖案或所有圖案6012以及圖案6011之可印刷性。共同最佳化可另外最佳化微影程序之效能，諸如，程序窗及良率。在6040中，若所有圖案6012及其顏色組合以及圖案6011滿足一或多個準則(例如，穿過可製造性檢查(MC)、程序窗之尺寸高於臨限值、產出率等等)，則源、設計佈局及6030中最佳化之任何其他設計變數可適合用於微影程序中，或可呈現給使用者。MC可基於一組規則或基於模擬(例如，影像之模擬或微影程序之度量)。MC判定根據給定條件是否很可能產生特定圖案集合，而不具有缺陷。在6040中，若並非所有第一圖案群組及選用第二圖案群組皆(其中第一群組之所有顏色組合)滿足一或多個準則(例如，穿過可製造性檢查(MC)、程序窗之尺寸高於臨限值、產出率等等)，則流程移動至6050，在6050中，在6020中選擇代表圖案經調整以使更多圖案(例如，在6040中未穿過MC之彼等圖案)包括至代表圖案中，及/或6030中之共同最佳化經調整以改變對用於共同最佳化中之成本函數之各種損失的權重。
圖6B示意性地展示用於避免包括設計佈局或子佈局中之有問題的顏色組合之方法的流程圖。在6520中，使設計佈局或子佈局6510中之至少一些圖案與儲存於資料庫6500中之圖案匹配。資料庫6500含有應避免之顏色組合。可藉由任何合適方法獲得此等顏色組合。舉例而 言，出於此目的可使用圖6A、圖3B、圖3C及圖3D之流程。若發現任何匹配6530，則在6540中可調整該匹配6530(例如，可改變形狀、部位或其其他特性)，使得經調整圖案在資料庫6500中不再具有匹配。
圖6C示意性地展示用於選擇或向使用者呈現根據微影程序之給定條件用於圖案群組的最佳顏色組合或最差顏色組合之方法的流程圖。在8200中，識別圖案8100之群組之顏色組合(例如，所有可能顏色組合)之群組。在8400中，判定(例如，藉由模擬)在條件8300下在使用該等組合之群組中之每一者的情況下之微影程序之特性。舉例而言，條件8300可包括微影裝置之源、投影光學件、諸如劑量或焦點之處理參數，等等。舉例而言，特性可包括在微影程序中產生之影像之特性(例如，影像對數斜率(ILS))。在8500中，可基於微影程序之特性自顏色組合之群組選擇最佳組合或最差顏色組合。可將最佳或最差顏色組合呈現給使用者。
圖7示意性地展示用於可將設計佈局7110中之重複圖案相似地著色之方法的流程圖。自資料庫7120獲得待匹配之圖案7130。舉例而言，待匹配之圖案7130可為憑經驗已知為臨界的圖案。自設計佈局7110識別相同於或相似於待匹配之圖案7130之圖案7140。在7150中，判定(自資料庫7120或自待匹配之圖案7130之模擬)待匹配之圖案7130之顏色且將該顏色應用於所有圖案7140。可藉由諸如模糊圖案匹配技術或機器學習技術之合適方法來判定兩個圖案是否相同或相似。術語「兩個圖案相似」意謂兩個圖案滿足適合於量測兩個圖案之類似性或通用性之一或多個規則。可將設計佈局7110之額外圖案7160(不具有或具有指派給其之顏色)與圖案7140組合成一組合7170。在7180中，調整或指派組合7170之顏色以解決組合7170當中之任何衝突。舉例而言，7180中之調整可基於一或多個規則。7180中之調整可避免改變如在7150中判定之圖案7140之顏色。在7190中，組合7170經歷OPC。組 合7170在7195中接著經受可製造性檢查(MC)。若組合7170穿過MC，則組合7170可適合用於微影程序中。
在一或多項實施例中，可使用成本函數來執行最佳化，諸如：
其中(z 1,z 2,…,z N )為N個設計變數或其值；f p (z 1,z 2,…,z N )可為針對(z 1,z 2,…,z N )之設計變數之值集合在第p評估點處之特性之實際值與預期值之間的差。w p 為指派給第p評估點之權重常數。可向比其他評估點或圖案更臨界之評估點或圖案指派較高w p 值。亦可向具有較大出現次數之圖案及/或評估點指派較高w p 值。評估點之實例可為晶圓上之任何實體點或圖案，或設計佈局上之任何點，或抗蝕劑影像，或空中影像。
成本函數可表示微影投影裝置或基板之任何合適特性，例如，聚焦、CD、影像移位、影像失真、影像旋轉，等等。舉例而言，成本函數可為以下微影度量中之一或多者之函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小、隨機效應、圖案化器件之三維效應、抗蝕劑之三維效應、最佳焦點移位、光瞳填充因數、曝光時間，及產出率。因為抗蝕劑影像常常規定基板上之電路圖案，所以成本函數常常包括表示抗蝕劑影像之一些特性之函數。舉例而言，此評估點之f p (z 1,z 2,…,z N )可僅僅為抗蝕劑影像中之一點與彼點之預期位置之間的距離(亦即，邊緣置放誤差EPE p (z 1,z 2,…,z N ))。設計變數可為任何可調整參數，諸如，源、圖案化器件、投影光學件、劑量、焦點等等之可調整參數。投影光學件可包括被集體地稱為「波前操控器」之組件，其可用以調整輻照光束之波前及強度分佈及/或相移之形狀。投影光學件可調整沿著微影投影裝置之光學路徑之任何部位(諸如，圖案化器件之前、光瞳平面附近、影像平面附近、焦平面附近)處之波前及強度分佈。投影光學件可用以校正或補償由(例如)源、圖案化 器件造成的波前及強度分佈之某些失真、微影投影裝置中之溫度變化，及/或微影投影裝置之組件之熱膨脹。調整波前及強度分佈可改變評估點及成本函數之值。可自模型模擬此等改變或實際上量測此等改變。
應注意，f p (z 1,z 2,…,z N )之正常加權均方根(RMS)被定義為 ，因此，最小化f p (z 1,z 2,…,z N )之加權RMS等 效於最小化方程式1中所定義之成本函數 。因此，出於本文中之記法簡 單起見，可互換地利用f p (z 1,z 2,…,z N )及方程式1之加權RMS。
另外，若最大化程序窗(PW)，則有可能將來自不同PW條件之相同實體部位認為(方程式1)中之成本函數之不同評估點。舉例而言，若考慮N個PW條件，則可根據評估點之PW條件來分類該等評估點，且可將成本函數書寫為：
其中(z 1,z 2,…,z N )為針對在第u個PW條件u=1,…,U下之(z 1,z 2,…,z N )之設計變數之值集合的第p i 評估點之實際值與預期值之間的差之函數。當此差為邊緣置放誤差(EPE)時，則最小化以上成本函數等效於最小化在各種PW條件下之邊緣移位，因此此情形導致最大化PW。詳言之，若PW亦由不同圖案化器件偏置組成，則最小化以上成本函數亦包括最小化光罩誤差增強因數(MEEF)，該光罩誤差增強因數(MEEF)被定義為晶圓EPE與誘發性光罩邊緣偏置之間的比率。
設計變數可具有約束，該等約束可被表達為(z 1,z 2,…,z N ) Z，其中Z為設計變數之可能值集合。該等約束可表示微影投影裝置之硬體實施中之實體限定。該等約束可包括如下各者中之一或多者：調諧範 圍、控管圖案化器件可製造性之規則，及設計變數之間的相互相依性。
因此，最佳化程序應依據約束(z 1,z 2,…,z N ) Z而找到最小化成本函數之設計變數之值集合，亦即，找到：
在一實施例中，代替計算及/或判定對投影光學件之光學特性之效應或除了計算及/或判定對投影光學件之光學特性之效應以外，預想到，投影光學件之可調整光學特性可包括於設計變數中。例示性可調整光學特性可包括如透鏡操控器、用以控制投影系統之光學元件之溫度的一或多個器件(例如，加熱器)之溫度資料或與溫度資料相關聯之信號、任尼克(Zernike)係數。可接著進行SMO工序，且可同時地調整包括可調整光學特性之設計變數使得成本函數移動朝向收斂。
同時地執行所有設計變數之最佳化。此流程可被稱為同時最佳化、聯合最佳化，或共同最佳化。如本文所使用之術語「同時的」、「同時地」、「聯合的」及「聯合地」意謂源、圖案化器件、投影光學件之特性之設計變數及/或任何其他設計變數被允許同時改變。替代地，交替地執行所有設計變數之最佳化。在此流程中，在每一步驟中，使一些設計變數固定，而最佳化其他設計變數以最小化成本函數；接著，在下一步驟中，使不同變數集合固定，而最佳化其他變數集合以最小化成本函數。交替地執行此等步驟直至符合收斂或某些終止條件為止。
可使用各種終止條件，諸如，成本函數之值變得等於臨限值、成本函數之值超越臨限值、成本函數之值達到預設誤差極限內，或達到預設數目次反覆，等等。應注意，SO-MO交替最佳化用作該替代 流程之實例。該替代流程可採取許多不同形式，諸如，SO-LO-MO交替最佳化，其中交替地且反覆地執行SO、LO(透鏡最佳化)及MO；或可執行第一SMO一次，接著交替地且反覆地執行LO及MO；等等。
如之前所論述之圖案選擇計算法可與同時或交替最佳化整合。舉例而言，當採用交替最佳化時，首先可執行全晶片SO，識「效能限制點」及/或「溫點」，接著執行MO。鑒於本發明，次最佳化之眾多排列及組合係可能的，以便達成所要最佳化結果。
在一例示性最佳化程序中，不假定或近似設計變數(z 1,z 2,…,z N )與f p (z 1,z 2,…,z N )之間的關係，惟f p (z 1,z 2,…,z N )足夠平滑(例如，存在一 階導數，(n=1,2,…N)除外)，其通常在微影投影裝置中有 效。可應用諸如高斯-牛頓(Gauss-Newton)計算法、雷文柏格-馬括特(Levenberg-Marquardt)計算法、梯度下降計算法、模擬退火、遺傳計算法之計算法以找到。
此處，將高斯-牛頓計算法用作一實例。高斯-牛頓計算法為適用於一般非線性多變數最佳化問題之反覆方法。在設計變數(z 1,z 2,…,z N )採取值(z 1i ,z 2i ,…,z Ni )之第i反覆中，高斯-牛頓計算法線性化(z 1i ,z 2i ,…,z Ni )附近之f p (z 1,z 2,…,z N )，且接著計算在(z 1i ,z 2i ,…,z Ni )附近之給出CF(z 1,z 2,…,z N )之最小值之值(z 1(i+1),z 2(i+1),…,z N(i+1))。設計變數(z 1,z 2,…,z N )在第(i+1)反覆中採取值(z 1(i+1),z 2(i+1),…,z N(i+1))。此反覆繼續直至收斂(亦即，CF(z 1,z 2,…,z N )不再縮減)或達到預設數目次反覆為止。
具體言之，在第i反覆中，在(z 1i ,z 2i ,…,z Ni )附近，
依據方程式3之近似，成本函數變為：
其為設計變數(z 1,z 2,…,z N )之二次函數。每一項皆恆定，惟設計變數(z 1,z 2,…,z N )除外。
若設計變數(z 1,z 2,…,z N )不依據任何約束，則可藉由N個線性方程式進行求解而導出(z 1(i+1),z 2(i+1),…,z N(i+1))： ，其中n=1,2,…,N。
若設計變數(z 1,z 2,…,z N )係依據呈J個不等式(例如，(z 1,z 2,…,z N )之調諧範圍)之約束(其中j=1,2,…,J.)；且在K個等式 (例如，設計變數之間的相互相依性)之約束下(其中 k=1,2,…,K.；)；則最佳化程序變為經典二次規劃問題，其中A nj 、B j 、C nk 、D k 為常數。可針對每一反覆來強加額外約束。舉例而言，可引入「阻尼因數」△ D 以限制(z 1(i+1),z 2(i+1),…,z N(i+1))與(z 1i ,z 2i ,…,z N )之間的差，使得方程式3之近似成立。此等約束可被表達為z ni -△ D z n z ni +△ D 。可使用(例如)Jorge Nocedal及Stephen J.Wright(Berlin New York：Vandenberghe.Cambridge University Press)之Numerical Optimization(第2版)中描述的方法來導出(z 1(i+1),z 2(i+1),…,z N(i+1))。
代替最小化f p (z 1,z 2,…,z N )之RMS，最佳化程序可將評估點當中之最大偏差(最差缺陷)之量值最小化至其預期值。在此途徑中，可替代地將成本函數表達為： 其中CL p 為用於f p (z 1,z 2,…,z N )之最大允許值。此成本函數表示評估點當中之最差缺陷。使用此成本函數之最佳化會最小化最差缺陷之量值。反覆貪心計算法可用於此最佳化。
可將方程式5之成本函數近似為： ，其中q為正偶 數，諸如，至少4，較佳地為至少10。方程式6模仿方程式5之行為，同時允許藉由使用諸如最深下降方法、共軛梯度方法等等之方法來分析上執行最佳化且使最佳化加速。
最小化最差缺陷大小亦可與f p (z 1,z 2,…,z N )之線性化組合。具體言之，與在方程式3中一樣，近似f p (z 1,z 2,…,z N )。接著，將對最差缺陷大小之約束書寫為不等式E Lp f p (z 1,z 2,…,z N ) E Up ，其中E Lp 及E Up 為指定用於f p (z 1,z 2,…,z N )之最小偏差及最大允許偏差之兩個常數。插入方程式3，將此等約束變換至如下方程式(其中p=1,…P)；
及
因為方程式3通常僅在(z 1,z 2,…,z N )附近有效，所以倘若在此附近不能達成所要約束E Lp f p (z 1,z 2,…,z N ) E Up (其可藉由該等不等式當中之任何衝突予以判定)，則可放寬常數E Lp 及E Up 直至可達成該等約束為止。此最佳化程序最小化(z 1,z 2,…,z N )，i附近之最差缺陷大小。接著，每一步驟逐步地縮減最差缺陷大小，且反覆地執行每一步驟直至 符合某些終止條件為止。此情形將導致最差缺陷大小之最佳縮減。
用以最小化最差缺陷之另一方式係在每一反覆中調整權重w p 。舉例而言，在第i反覆之後，若第r評估點為最差缺陷，則可在第(i+1)反覆中增加w r ，使得向彼評估點之缺陷大小之縮減給出較高優先級。
另外，可藉由引入拉格朗日乘數來修改方程式4及方程式5中之成本函數，以達成對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的折衷，亦即：
其中λ為指定對缺陷大小之RMS之最佳化與對最差缺陷大小之最佳化之間的取捨之預設常數。詳言之，若λ=0，則此方程式變為方程式4，且僅最小化缺陷大小之RMS；而若λ=1，則此方程式變為方程式5，且僅最小化最差缺陷大小；若0<λ<1，則在最佳化中考量以上兩種情況。可使用多種方法來解決此最佳化。舉例而言，相似於先前所描述之方法，可調整每一反覆中之加權。替代地，相似於自不等式最小化最差缺陷大小，方程式6'及6"之不等式可被視為在二次規劃問題之求解期間的設計變數之約束。接著，可遞增地放寬對最差缺陷大小之界限，或對最差缺陷大小之界限遞增地增加用於最差缺陷大小之權重、計算用於每一可達成最差缺陷大小之成本函數值，且選擇最小化總成本函數之設計變數值作為用於下一步驟之初始點。藉由反覆地進行此操作，可達成此新成本函數之最小化。
最佳化微影投影裝置可擴展程序窗。較大程序窗在程序設計及晶片設計方面提供更多靈活性。程序窗可被定義為使抗蝕劑影像在抗蝕劑影像之設計目標之某一極限內的焦點及劑量值集合。應注意，此處所論述之所有方法亦可延伸至可藉由除了曝光劑量及散焦以外之不 同或額外基參數而建立的廣義程序窗定義。此等基參數可包括但不限於諸如NA、均方偏差、像差、偏振之光學設定，或抗蝕劑層之光學常數。舉例而言，如早先所描述，若PW亦由不同光罩偏置組成，則最佳化包括光罩誤差增強因數(MEEF)之最小化，該光罩誤差增強因數(MEEF)被定義為基板EPE與誘發性光罩邊緣偏置之間的比率。對焦點及劑量值所定義之程序窗在本發明中僅用作一實例。下文描述根據一實施例的最大化程序窗之方法。
在第一步驟中，自程序窗中之已知條件(f 0,ε 0)開始(其中f 0 為標稱焦點，且ε 0 為標稱劑量)，最小化在(f 0±△f,ε 0±ε)附近下方之成本函數中之一者：
或
或
若允許標稱焦點f 0及標稱劑量ε 0移位，則其可與設計變數(z 1,z 2,…,z N )聯合地被最佳化。在下一步驟中，若可找到(z 1,z 2,…,z N ,f,ε)之值集合，則接受(f 0±△f,ε 0±ε)作為程序窗之部分，使得成本函數係在預設極限內。
替代地，若不允許焦點及劑量移位，則在焦點及劑量固定於標稱焦點f 0及標稱劑量ε 0的情況下最佳化設計變數(z 1,z 2,…,z N )。在一替代實施例中，若可找到(z 1,z 2,…,z N )之值集合，則接受(f 0±△f,ε 0±ε) 作為程序窗之部分，使得成本函數係在預設極限內。
本發明中早先所描述之方法可用以最小化方程式27、27'或27"之各別成本函數。若設計變數為投影光學件之特性(諸如，任尼克係數)，則最小化方程式27、27'或27"之成本函數會導致基於投影光學件最佳化(亦即，LO)之程序窗最大化。若設計變數為除了投影光學件之特性以外的源及圖案化器件之特性，則最小化方程式27、27'或27"之成本函數會導致基於SMLO之程序窗最大化，如圖9所說明。若設計變數為源及圖案化器件之特性，則最小化方程式27、27'或27"之成本函數會導致基於SMO之程序窗最大化。
圖8為說明可輔助實施本文所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存資訊及待由處理器104執行之指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方 向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。
根據一實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有之一或多個指令之一或多個序列而執行最佳化程序之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如，儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行使處理器104執行本文所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
本文所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如，主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用 數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在供處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦較佳包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。
電腦系統100可經由該(該等)網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器 130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。一個此類經下載應用程式提供(例如)實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式的應用程式碼。
圖9示意性地描繪可利用本文所描述之方法而最佳化照明源的例示性微影投影裝置。該裝置包含：-照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO；-第一物件台(例如，光罩台)MT，其具備用以固持圖案化器件MA(例如，光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化器件之第一定位器；-第二物件台(基板台)WT，其具備用以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器；-投影系統(「透鏡」)PS(例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如本文中所描繪，裝置屬於透射類型(亦即，具有透射光罩)。然而，一般而言，其亦可屬於(例如)反射類型(具有反射光罩)。替代地，裝置可使用另一種類之圖案化器件作為對經典光罩之使用的替代例；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
源SO(例如，水銀燈或準分子雷射)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定 光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
關於圖9應注意，源SO可在微影投影裝置之外殼內(此常常為當源SO為(例如)水銀燈時之狀況)，但其亦可在微影投影裝置遠端，其所產生之輻射光束被導向至該裝置中(例如，憑藉合適導向鏡面)；此後一情境常常為當源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2雷射作用)時之狀況。
光束B隨後截取被固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束B傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位構件可用以(例如)在自圖案化器件庫機械地擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉未在圖9中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在晶圓步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化器件台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
所描繪工具可用於兩種不同模式中：-在步進模式中，將圖案化器件台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化器件影像一次性投影((亦即，單一「閃光」)至目標部分C上。接著在x及/或y方向上使基板台WT移位，使得不同目標部分C可由光束B輻照；-在掃描模式中，基本上相同情境適用，惟在單次「閃光」中不 曝光給定目標部分C除外。取而代之，圖案化器件台MT可在給定方向(所謂「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及圖案化器件影像進行掃描；同時發生地，基板台WT以速度V=Mv在相同或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大目標部分C。
圖10示意性地描繪可利用本文所描述之方法而最佳化照明源的另一例示性微影投影裝置1000。
微影投影裝置1000包括：-源收集器模組SO；-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以光罩可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小的波長。因為大多數材料在EUV及 x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
參看圖10，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖10中未繪示)的EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源模組可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖 案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置1000可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖11更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，即刻形成經圖 案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30將經圖案化光束26成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖11所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖11中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)予以使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖12所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種電腦實施方法，其包含：獲得包含為一效能限制點之一區域之一子佈局；調整該區域中之圖案之顏色；及判定該區域是否仍為效能限制點。
2.如條項1之方法，其進一步包含使該等圖案經受光學近接校正(OPC)。
3.如條項1至2中任一項之方法，其進一步包含：若該區域仍為效能限制點，則重新調整該等圖案之該等顏色。
4.如條項1至3中任一項之方法，其中調整該等顏色包含：搜尋該等圖案之顏色組合，其中該等顏色組合使該效能限制點不再為一效能限制點；若未發現顏色組合，則將該等圖案與該子佈局之該效能限制點外部之至少一些圖案組合。
5.如條項4之方法，其中搜尋該等圖案之顏色組合包含：獲得該等圖案之一顏色組合集合，其中該等顏色組合不違反用於該子層之任何設計規則；對於該集合中之顏色組合中之每一者，使用彼顏色組合判定一微影程序之一或多個特性；基於該等特性自該集合選擇一個顏色組合。
6.如條項4之方法，其中搜尋該等圖案之顏色組合包含：在該效能限制點中之該等圖案當中識別一對圖案；將不同顏色指派給該對圖案。
7.如條項4至6中任一項之方法，其中該一或多個特性包含使用該彼顏色組合而產生的一影像之一或多個特性。
8.一種電腦實施方法，其包含：將一設計佈局中之圖案分解成多個子佈局；針對該等子佈局中之一者中之至少一個區域，判定一優值超出其所允許範圍之似然性；若該似然性高於一臨限值，則彼一個子佈局具有一效能限制點。
9.如條項8之方法，其進一步包含使該等子佈局中之每一者上之圖案經受光學近接校正(OPC)。
10.一種電腦實施方法，其包含：獲得包含一第一圖案群組及一選用第二圖案群組之一設計佈 局，其中不允許該第二圖案群組之顏色改變且允許該第一圖案群組之顏色改變；識別該第一圖案群組之所有顏色組合，其中該等顏色組合不違反任何設計規則；視情況選擇該第一圖案群組之代表圖案及其顏色組合，以及該選用第二圖案群組；共同最佳化該設計佈局及用於該第一圖案群組之該等代表圖案或該設計佈局與該選用第二圖案群組的一微影裝置之一源；若並非所有具有所有該等顏色組合的該第一圖案群組及該選用第二圖案群組皆滿足一或多個準則，則調整該等代表圖案之選擇以使更多圖案包括至其，或調整共同最佳化。
11.如條項10之方法，其中將至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源共同最佳化包含：計算包含至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源之特性的複數個設計變數之一多變數成本函數；及藉由調整該等設計變數而反覆地重新組態至少該第一圖案群組、該第二圖案群組及該源，直至滿足一預定義終止條件為止。
12.如條項11之方法，其中該等設計變數包含該微影裝置之投影光學件之特性。
13.如條項10至11中任一項之方法，其中該預定義終止條件為該成本函數之最小化或該成本函數之最大化中之一者。
14.如條項10至13中任一項之方法，其中運用對該等設計變數中之至少一些之約束來執行反覆重新組態。
15.一種電腦實施方法，其包含：自一資料庫獲得待匹配之一圖案；基於待匹配之該圖案之模擬的一度量而獲得用於待匹配之該圖 案之一顏色；自一設計佈局識別相同於或相似於待匹配之該圖案的圖案；將該顏色指派給該等經識別圖案；將一第二圖案與該等經識別圖案組合成一組合；調整該組合中之圖案之顏色或將顏色指派給該組合中之圖案以解決該組合當中之任何衝突。
16.如條項15之方法，其進一步包含使該組合經受OPC。
17.如條項15之方法，其進一步包含使該組合經受可製造性檢查。
18.如條項15至17中任一項之方法，其中指派給該第一圖案之該顏色在調整該組合中之該等圖案之該等顏色或將該等顏色指派給該組合中之該等圖案時不改變。
19.一種電腦實施方法，其包含：自一資料庫獲得待匹配之一圖案；自該資料庫獲得用於待匹配之該圖案之一顏色；自一設計佈局識別相同於或相似於待匹配之該圖案的圖案；將該顏色指派給該等經識別圖案；將一第二圖案與該等經識別圖案組合成一組合；調整該組合中之圖案之顏色或將顏色指派給該組合中之圖案以解決該組合當中之任何衝突。
20.如條項19之方法，其進一步包含使該組合經受OPC。
21.如條項19至20中任一項之方法，其進一步包含使該組合經受可製造性檢查。
22.一種電腦實施方法，其包含：識別一圖案群組之顏色組合的一群組；根據一條件使用組合之該群組中之每一者來判定一微影程序之 一特性；基於該微影程序之該特性自顏色組合之該群組選擇顏色組合之一子群組。
23.如條項22之方法，其中顏色組合之該群組包含該圖案群組之所有可能的顏色組合。
24.如條項22至23中任一項之方法，其中該條件包含使用該微影程序之一微影裝置之一或多個參數。
25.如條項22至23中任一項之方法，其中該條件包含該微影程序之一或多個參數。
26.一種電腦實施方法，其包含：在儲存於一資料庫中之圖案當中搜尋與一設計佈局或子佈局中之一圖案的一匹配；若發現一匹配，則調整該圖案之一特性使得該經調整圖案在該資料庫中不具有一匹配。
27.如條項26之方法，其中該特性為該圖案之形狀或部位。
28.一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施該如以上條項中任一項之方法。
本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體抑或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內之波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示之概念可用於任何類型之微影成像系統，(例如)用 於在除了矽晶圓以外的基板上之成像的微影成像系統。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

Claims (15)

  1. 一種調整一微影投影裝置(lithographic projection apparatus)之電腦實施方法，其包含：獲得包含一子佈局(sub-layout)之一著色設計佈局(colored design layout)，該子佈局包含為一效能限制點(performance limiting spot)之一區域；調整該區域中之圖案之顏色；及判定該區域是否仍為效能限制點。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含：使該等圖案經受光學近接校正(OPC)。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含：若該區域仍為效能限制點，則重新調整該等圖案之該等顏色。
  4. 如請求項1之方法，其中調整該等顏色包含：搜尋該等圖案之顏色組合，其中該等顏色組合使該效能限制點不再為一效能限制點；若未發現顏色組合，則將該等圖案與該子佈局之該效能限制點外部之至少一些圖案組合。
  5. 如請求項4之方法，其中搜尋該等圖案之顏色組合包含：獲得該等圖案之一顏色組合集合，其中該等顏色組合不違反用於一子層之任何設計規則；對於該集合中之顏色組合中之每一者，使用彼顏色組合判定一微影程序之一或多個特性；基於該等特性自該集合選擇一個顏色組合。
  6. 如請求項4之方法，其中搜尋該等圖案之顏色組合包含：在該效能限制點中之該等圖案當中識別一對圖案；將不同顏色指派給該對圖案。
  7. 如請求項1之方法，其中該設計佈局包含一第一圖案群組及一選用第二圖案群組，其中不允許該第二圖案群組之顏色改變且允許該第一圖案群組之顏色改變。
  8. 一種調整一微影投影裝置之電腦實施方法，其包含：獲得包含一第一圖案群組及一選用(optional)第二圖案群組之一設計佈局，其中不允許該第二圖案群組之顏色改變且允許該第一圖案群組之顏色改變；識別該第一圖案群組之所有顏色組合，其中該等顏色組合不違反任何設計規則；視情況選擇該第一圖案群組之代表圖案及其顏色組合，以及該選用第二圖案群組；共同最佳化(co-optimizing)該設計佈局及用於該第一圖案群組之該等代表圖案或該設計佈局與該選用第二圖案群組的一微影裝置之一源(source)。
  9. 如請求項8之方法，其中該方法進一步包含如下一步驟：若並非所有具有所有該等顏色組合的該第一圖案群組及該選用第二圖案群組皆滿足一或多個準則，則調整該等代表圖案之選擇以使更多圖案包括至其，或調整共同最佳化。
  10. 一種調整一微影投影裝置之電腦實施方法，其包含：自一資料庫(database)獲得待匹配(be matched)之一圖案，該圖案包含為一效能限制點之一區域；自該資料庫獲得用於待匹配之該圖案之一顏色；自一設計佈局識別相同於或相似於待匹配之該圖案的圖案；將該顏色指派給該等經識別圖案；將一第二圖案與該等經識別圖案組合成一組合；調整該組合中之圖案之顏色或將顏色指派給該組合中之圖案以解決(resolve)該組合當中之任何衝突(conflict)。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含使該組合經受OPC，及/或使該組合經受可製造性檢查。
  12. 一種調整一微影投影裝置之電腦實施方法，其包含：識別一圖案群組之顏色組合的一群組；根據一條件使用組合之該群組中之每一者來判定一微影程序(lithography process)之一特性；基於該微影程序之該特性自顏色組合之該群組選擇顏色組合之一子群組。
  13. 如請求項12之方法，其中顏色組合之該群組包含該圖案群組之所有可能的顏色組合。
  14. 如請求項12之方法，其中該條件包含用於該微影程序中之一微影裝置之一或多個參數，及/或包含該微影程序之一或多個參數。
  15. 一種調整一微影投影裝置之電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1之方法。
TW105114462A 2015-05-20 2016-05-10 用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品 TWI643026B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562164327P 2015-05-20 2015-05-20
US62/164,327 2015-05-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201706724A TW201706724A (zh) 2017-02-16
TWI643026B true TWI643026B (zh) 2018-12-01

Family

ID=55910243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105114462A TWI643026B (zh) 2015-05-20 2016-05-10 用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10670973B2 (zh)
TW (1) TWI643026B (zh)
WO (1) WO2016184664A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110692017A (zh) * 2017-05-26 2020-01-14 Asml荷兰有限公司 基于机器学习的辅助特征放置
US10509881B2 (en) * 2017-09-28 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for coloring circuit layout and system for performing the same
US10671052B2 (en) * 2017-11-15 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Synchronized parallel tile computation for large area lithography simulation
DE102019112439A1 (de) 2018-09-28 2020-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systeme und Verfahren zur Verletzungsprädiktion bei einer Entwurfsregelprüfung
US10943049B2 (en) * 2018-09-28 2021-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rule check violation prediction systems and methods
US20220128899A1 (en) * 2020-10-22 2022-04-28 D2S, Inc. Methods and systems to determine shapes for semiconductor or flat panel display fabrication
CN113126422B (zh) * 2021-03-01 2022-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 改善金属线工艺热点的opc修正方法
US11852980B2 (en) * 2021-03-05 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Techniques for correction of aberrations

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140173533A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Globalfoundries Inc. Locally optimized coloring for cleaning lithographic hotspots

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
NL1036189A1 (nl) 2007-12-05 2009-06-08 Brion Tech Inc Methods and System for Lithography Process Window Simulation.
CN102224459B (zh) 2008-11-21 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于优化光刻过程的方法及设备
US8786824B2 (en) 2009-06-10 2014-07-22 Asml Netherlands B.V. Source-mask optimization in lithographic apparatus
NL2005522A (en) 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Pattern selection for full-chip source and mask optimization.
NL2008311A (en) 2011-04-04 2012-10-08 Asml Netherlands Bv Integration of lithography apparatus and mask optimization process with multiple patterning process.
US8516402B1 (en) 2011-08-22 2013-08-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
US8473874B1 (en) * 2011-08-22 2013-06-25 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
JP2013073139A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Renesas Electronics Corp マスクレイアウト分割方法、マスクレイアウト分割装置、及びマスクレイアウト分割プログラム
US8484607B1 (en) 2012-03-06 2013-07-09 International Business Machines Corporation Decomposing layout for triple patterning lithography
US10354886B2 (en) 2013-02-22 2019-07-16 Synopsys, Inc. Hybrid evolutionary algorithm for triple-patterning
CN104346490B (zh) * 2013-08-09 2017-10-10 复旦大学 一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法
US10013520B2 (en) 2013-10-03 2018-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of determining if layout design is N-colorable
US20150234974A1 (en) 2014-02-17 2015-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple patterning design with reduced complexity

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140173533A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-19 Globalfoundries Inc. Locally optimized coloring for cleaning lithographic hotspots

Also Published As

Publication number Publication date
TW201706724A (zh) 2017-02-16
US20180259857A1 (en) 2018-09-13
WO2016184664A1 (en) 2016-11-24
US10670973B2 (en) 2020-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI624765B (zh) 用以改良微影程序之電腦實施方法及電腦程式產品
TWI745863B (zh) 訓練機器學習模型以判定光罩的光學接近校正的方法及相關聯電腦程式產品
US10558124B2 (en) Discrete source mask optimization
US9934346B2 (en) Source mask optimization to reduce stochastic effects
US10545411B2 (en) Model for calculating a stochastic variation in an arbitrary pattern
US10372043B2 (en) Hotspot aware dose correction
US11768442B2 (en) Method of determining control parameters of a device manufacturing process
TWI643026B (zh) 用於調整微影投影裝置之電腦實施方法及電腦程式產品
TWI579656B (zh) 輔助特徵及光源之最佳化
CN107430347B (zh) 图像对数斜率(ils)优化
TWI567508B (zh) 圖案置放誤差感知之最佳化
TWI752539B (zh) 用於模型校準以減少模型預測不確定性的預測資料選擇
TWI723292B (zh) 圖案化製程之最佳化流程
TWI753600B (zh) 用於目標圖案之基於規則之重定目標的方法
US20230023153A1 (en) Method for determining a field-of-view setting