TWI654497B - 在製程中導引程序模型及檢測之方法 - Google Patents

在製程中導引程序模型及檢測之方法

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Abstract

本發明揭示一種方法，其中出於各種目的而使用藉由兩個不同程序模型模擬之一影像之一特性之偏差或藉由一程序模型模擬與藉由一度量衡工具量測的該特性之偏差，以便縮減校準時間、改良該模型之準確度且改良總製程。

Description

在製程中導引程序模型及檢測之方法
本文中之描述係關於用於在製程中處理程序模型化及檢測之方法及系統。
微影投影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如光罩)可含有或提供對應於IC(「設計佈局」)之個別層之器件圖案，且可藉由諸如經由圖案化器件上之圖案來輻照已經塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或多個晶粒)而將此圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影投影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影裝置中，將整個圖案化器件上之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之圖案之不同部分逐漸地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影裝置將具有縮減比率M(例如4)，故基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之 速度的1/M倍。可例如自以引用方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一器件(例如IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等。
如所提及，微影為IC及其他器件之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定該等IC或其他器件之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
隨著半導體製程繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地縮減，而每器件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在目前先進技術下，使用微影投影裝置來製造器件之層，該等微影投影裝置使用來自深紫外線照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸充分地低於100奈米、亦即小於來自照明源(例如193奈米照明源)之輻射之波長之一半的個別功能元件。
供印刷尺寸小於微影投影裝置之經典解析度極限之特徵的此程序根 據解析度公式CD=k1×λ/NA而通常被稱為低k1微影，其中λ為所使用輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影投影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用至微影投影裝置、設計佈局或圖案化器件。此等步驟包括例如但不限於：NA及光學相干性設定之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局中之光學近接校正(OPC)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括用於集體地或單個地導向、塑形或控制投影輻射光束的根據此等設計類型中之任一者而操作之組件。術語「投影光學件」可包括微影投影裝置中之任何光學組件，而不論光學組件位於微影投影裝置之光學路徑上之何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化器件之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常排除源及圖案化器件。
在一態樣中，提供一種方法，其包含：獲得一第一經量測特性，該第一經量測特性係藉由在處理條件之一集合中之每一者下或在部位之一集合中之每一者處量測實體地產生於基板上之一影像之一第一特性而獲得；藉由使用一第一程序模型在處理條件之該集合中之每一者下或在部位之該 集合中之每一者處模擬該第一特性而獲得一第一經模擬特性；針對部位之該集合中之每一者或處理條件之該集合中之每一者而判定該第一經量測特性與該第一經模擬特性之間的一偏差；基於該等偏差而自部位之該集合選擇部位之一子集或自處理條件之該集合選擇處理條件之一子集；及使用來自部位之該子集或在處理條件之該子集下的資料調整該第一程序模型、使用該資料來建構一第二程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集或基於處理條件之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
在一態樣中，提供一種方法，其包含：在一基板上之部位之一集合中的每一者處，使用一第一程序模型且使用一第二程序模型來模擬產生於該基板上之一影像之一第一特性；在部位之該集合中的每一者處判定使用該第一程序模型而模擬之該第一特性與使用該第二程序模型而模擬之該第一特性之間的一偏差；基於該等偏差自部位之該集合選擇部位之一子集；及使用來自部位之該子集之資料調整該第一程序模型、使用該資料而建構一第三程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
根據一實施例，該影像為一空中影像。
根據一實施例，該影像為一抗蝕劑影像。
根據一實施例，該影像為一經蝕刻影像。
根據一實施例，該第一特性為一臨界尺寸。
根據一實施例，該第一特性為一程序窗。
根據一實施例，模擬該第一特性包含使用該條件。
根據一實施例，部位之該子集處之該等偏差在部位之該集合處之該 等偏差當中係最高的。
根據一實施例，該資料包含形成該影像之該程序之一條件及在部位之該子集處量測的一第二特性。
根據一實施例，該條件包含用於形成該影像之一圖案化器件之一特性。
根據一實施例，該條件包含用於形成該影像之照明之一特性或用於形成該影像之投影光學件之一特性。
在一態樣中，提供一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施如本文中所描述之一方法。
在一態樣中，提供一種基板檢測系統，其包含：一程序模型訓練模組；一控制模組；及一模擬模組；其中該程序模型訓練模組經組態以自部位之一集合接收資料，且經組態以自該控制模組接收在一基板上形成一影像之一程序的一條件，其中該程序模型訓練模組經組態以基於該資料及該條件而建構或修改一第一程序模型，其中該模擬模組經組態以使用該第一程序模型模擬該影像之特性，且經組態以將該等經模擬特性傳輸至該控制模組，其中該控制模組經組態以判定使用該第一程序模型而模擬之該等特性與使用一第二程序模型而模擬之該等特性之間的偏差，且其中該控制模組經組態以基於該等偏差而調整該條件、自該等部位選擇一子集、致使檢測該基板，及/或致使該程序模型訓練模組建構或修改該第一程序模型。
在一態樣中，提供一種基板檢測系統，其包含：一程序模型訓練模組；一控制模組；及一模擬模組；一量測模組；其中該程序模型訓練模組經組態以自部位之一集合接收資料，且經組態以自該控制模組接收在一基 板上形成一影像之一程序的一條件；其中該程序模型訓練模組經組態以基於該資料及該條件而建構或修改一程序模型；其中該模擬模組經組態以使用該程序模型模擬該影像之特性，且經組態以將該等經模擬特性傳輸至該控制模組；其中該控制模組經組態以判定使用該程序模型而模擬之該等特性與使用該量測模組而在該基板上量測之該等特性之間的偏差；且其中該控制模組經組態以基於該等偏差而調整該條件、自該等部位選擇一子集、致使檢測該基板，及/或致使該程序模型訓練模組建構或修改該程序模型。
根據一實施例，該量測模組包含一光學顯微鏡、一掃描探針顯微鏡或一電子掃描顯微鏡。
根據一實施例，該基板檢測系統進一步包含經組態以調整該條件之一條件調整模組，且該控制模組經組態以藉由該條件調整模組來調整該條件。
10A‧‧‧微影投影裝置
12A‧‧‧輻射源
14A‧‧‧光學件/組件
16Aa‧‧‧光學件/組件
16Ab‧‧‧光學件/組件
16Ac‧‧‧透射光學件/組件
18A‧‧‧圖案化器件
20A‧‧‧可調整濾光器或孔徑
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
22A‧‧‧基板平面
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
31‧‧‧照明之一或多個特性
32‧‧‧投影光學件之一或多個特性
33‧‧‧圖案化器件之一或多個特性
34‧‧‧程序模型
35‧‧‧影像
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務業者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
310‧‧‧圖案
315‧‧‧處理條件
320‧‧‧資料之群組/資料
320-1‧‧‧資料
320-2‧‧‧資料
320-3‧‧‧資料
320-4‧‧‧資料
320-5‧‧‧資料
320-6‧‧‧資料
320-7‧‧‧資料
1000‧‧‧微影投影裝置
4010‧‧‧工序
4020‧‧‧工序
4030‧‧‧工序
4040‧‧‧工序
4050‧‧‧工序
4060‧‧‧工序
4070‧‧‧工序
4080‧‧‧工序
5010‧‧‧工序
5020‧‧‧工序
5030‧‧‧工序
5040‧‧‧工序
5050‧‧‧工序
5060‧‧‧工序
5070‧‧‧工序
5080‧‧‧工序
6000‧‧‧基板檢測系統
6010‧‧‧程序模型訓練模組
6015‧‧‧條件
6020‧‧‧部位
6030‧‧‧程序模型
6040‧‧‧控制模組
6050‧‧‧模擬模組
6060‧‧‧量測模組
6070‧‧‧選用條件調整模組
AD‧‧‧調整構件
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器/近正入射收集器光學件
IF‧‧‧干涉量測構件(圖8)/虛擬源點/中間焦點(圖10/圖11)
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧第一物件台/圖案化器件台/支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧項目/投影系統/透鏡
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源/源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧第二物件台/基板台
圖1展示微影系統之各種子系統的方塊圖。
圖2展示用於模擬微影投影裝置中之微影的流程圖。
圖3示意性地展示使用資料集進行之程序模型34之建構。
圖4示意性地展示根據一實施例之方法的流程圖。
圖5示意性地展示根據一實施例之方法的流程圖。
圖6示意性地展示根據一實施例之基板檢測裝置的功能方塊圖。
圖7為實例電腦系統之方塊圖。
圖8為微影投影裝置之示意圖。
圖9為另一微影投影裝置之示意圖。
圖10為圖9中之裝置的更詳細視圖。
圖11為圖9及圖10之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應明確理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，本文中之描述可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」可互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV輻射，其例如具有在約5奈米至100奈米之範圍內之波長)。
圖案化器件可包含或可形成一或多個設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作電子設計自動化(EDA)。大多數CAD程式遵循一預定設計規則集合，以便產生功能設計佈局/圖案化器件。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如閘、電容器等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線彼此不會以非所要方式相互作用。設計規則限制中之一或多者可被稱作「臨界尺寸」(CD)。臨界尺寸可被定義為線或孔之最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計器件之總大小及密度。當然，器件(例如積體電路)製造中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由圖案化器件)。
如本文中所使用之術語「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例亦包括：
- 可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。可例如自以引用方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此類鏡面陣列之更多資訊。
- 可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之實例。
作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影裝置10A。主要組件為：輻射源12A，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源(如上文所論述，微影投影裝置自身無需具有輻射源)；照明光學件，其界定部分相干性(被表示為均方偏差)且可包括塑形來自源12A之輻射的光學件14A、16Aa及16Ab；圖案化器件18A；及透射光學件16Ac，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22A上。在投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑20A可限定照射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度界定投影光學件之數值孔徑NA=n sin(Θmax)，n為投影光學件之最後元件與基板之間的介質之折射率，且Θmax為自投影光學件射出的仍可照射於基板平面22A上之光束的最大角度。
在微影投影裝置中，源將照明(亦即輻射)提供至圖案化器件，且投影光學件經由圖案化器件將照明導向至基板上且塑形該照明。投影光學件可包括組件14A、16Aa、16Ab及16Ac中之至少一些。空中影像(AI)為基板位階處之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容特此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型係僅與抗蝕劑層之屬性(例如在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序之效應)相關。微影投影裝置之光學屬性(例如源、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。由於可改變用於微影投影裝置中之圖案化器件，故可需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影投影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整微影投影裝置、微影程序等，使得微影之結果及/或程序具有較理想特性，諸如設計佈局於基板上之較高投影準確度、較大程序窗等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例 中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。
在系統之最佳化程序中，可將該系統之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為尋找最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之系統之參數集合(設計變數)的程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性相對於此等特性之預期值(例如理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。歸因於系統之實施方案的實務性，系統之設計變數可經限制至有限範圍及/或可相互相依。在微影投影裝置之狀況下，約束常常與硬體之實體屬性及特性(諸如可調諧範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯。
圖2中說明用於模擬微影投影裝置中之微影的例示性流程圖。將照明之一或多個特性31(例如輻射強度分佈及/或相位分佈)、投影光學件之一或多個特性32(例如由投影光學件引起的輻射強度分佈之改變及/或相位分佈之改變)及圖案化器件之一或多個特性33(例如圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵之配置引起的輻射強度分佈之改變及/或相位分佈之改變，該等特徵表示給定設計佈局)作為至程序模型34之輸入而提供至該程序模型34。該程序模型34使用此等輸入來模擬影像35(例如空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像)之特性(例如輪廓、CD等)。
更具體言之，應注意，一或多個特性31可包括照明之一或多個光學特性，其包括但不限於：數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定及/或特定照明形狀(例如離軸照明，諸如環形、四極、偶極等)。一或多個特性32可包括投影光學件之一或多個光學特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。一或多個特性33可包括實 體圖案化器件之一或多個實體屬性，如例如全文係以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。模擬可預測例如邊緣置放、空中影像強度斜率、CD及/或輪廓，接著可將邊緣置放、空中影像強度斜率、CD及/或輪廓與預期設計進行比較。預期設計通常被定義為可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式而提供之預OPC設計佈局。
儘管程序模型34可具有諸如特性31、32及33之多個輸入，但程序模型34可用以在使該等輸入中之一或多者固定時模擬影像35之特性。
在一項實例中，可使特性31及32固定，且程序模型34可用以在由特性31及32表示之處理條件下模擬由一或多個特性33(例如圖案化器件上或由圖案化器件形成之特徵之CD)表示的各種圖案化器件形成之影像35之一或多個特性(例如CD)。圖案化器件之一或多個特性33可受到各種RET技術(例如OPC)影響。藉由程序模型34模擬之影像35之特性與圖案化器件上或由圖案化器件形成之設計佈局之特性之間的偏差可歸因於當RET技術旨在最小化此偏差時該等RET技術之誤差。
在另一實例中，可使一或多個特性33固定，且程序模型34可用以在由特性31及32表示之各種處理條件下模擬由一或多個特性33表示的圖案化器件形成之影像35之一或多個特性(例如CD)。照明之一或多個特性31及投影光學件之一或多個特性32可受到各種RET技術(例如源最佳化或源-投影光學件共同最佳化)影響。藉由程序模型34模擬之影像35之特性與由圖案化器件表示之設計佈局之特性之間的偏差可歸因於當RET技術旨在最小化此偏差時該等RET技術之誤差。
藉由程序模型34模擬之影像35之特性與在與供使用程序模型34模擬影像35之特性之處理條件及圖案化器件相同的處理條件及圖案化器件下實 體地產生於基板上之影像之特性之間的偏差係歸因於該程序模型34之誤差，此係因為程序模型34旨在最小化此偏差。
相似地，藉由一個程序模型34模擬之影像35之特性之間的偏差及藉由另一程序模型34模擬之影像35之特性之間的偏差係歸因於此等程序模型中之至少一者之誤差，此係因為準確程序模型應自相同輸入產生相同結果。
因此，使用圖案化器件而實體地產生於基板上之影像之特性與由圖案化器件表示之設計佈局之特性之間的偏差可歸因於程序模型34之誤差及RET技術之誤差之組合。
程序模型34可具有許多可能形式中之一者。在每一形式中，程序模型34可具有一或多個參數。可自資料集(例如藉由回歸)判定參數之值。資料中之每一者可含有程序模型34之輸入之值及在由該等輸入之此等值表示的處理條件下實體地形成於基板上之所觀測影像(或經模擬影像)之特性。舉例而言，資料可包括數個圖案及在數個處理條件下形成於基板上之此等圖案之影像。
圖3示意性地展示使用資料集進行之程序模型34之建構。圖案化器件可具有許多圖案310。此等圖案310可在多種處理條件315下在基板上產生多種影像。圖案化器件上之相同圖案可在不同處理條件下在基板上產生不同影像。資料之群組320經選擇以用於建構程序模型34(亦即，判定程序模型34之參數之值)。資料320中之每一者(例如320-1、320-2，…)可包括圖案化器件上之圖案之特性、處理條件之特性，及圖案在彼處理條件下在基板上實體地產生之影像之特性。在圖3中所展示之實例中，可觀測到，相同圖案可在不同處理條件下產生不同影像。若資料320並不表示圖案 310或處理條件315(例如在極端情況下，若資料320皆具有相同處理條件)，則自資料320建構之程序模型34可具有大誤差，尤其在程序模型34用以模擬由在資料320中未充分表示之圖案產生或在資料320中未充分表示之處理條件下產生的影像之特性時。
選擇用於建構程序模型34之代表性資料且評估資料集之代表可由於圖案化器件上之大數目個圖案及微影投影裝置可具有的大數目個處理條件而為困難的。增大用於程序模型34之建構中的資料之量當然將改良資料之代表，但亦將增大該建構所需之計算之量。
在一實施例中，藉由程序模型34模擬之影像35之特性(「經模擬特性」)與在與該模擬中之處理條件及圖案化器件相同的處理條件及圖案化器件下實體地產生於基板上之影像之特性(「經量測特性」)之間的偏差可用作程序模型34之品質之量規或用以建構程序模型34之資料之代表。圖4示意性地展示用於此實施例之流程圖。在工序4010中，藉由在處理條件之集合中之每一者下或在部位之集合中之每一者處量測實體地產生於基板上之影像之第一特性而獲得第一經量測特性。該影像可為空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像。第一特性可為CD。第一特性之其他實例可包括統計參數，諸如程序窗。在工序4020中，藉由使用程序模型34在處理條件之集合中之每一者下或在部位之集合中之每一者處模擬第一特性而獲得第一經模擬特性。在工序4030中，針對部位之集合中之每一者或處理條件之集合中之每一者判定第一經量測特性與第一經模擬特性之間的偏差。在工序4040中，基於該等偏差而分別自部位之集合或處理條件之集合選擇部位之子集或處理條件之子集。部位之子集或處理條件之子集可為在部位之集合或處理條件之集合當中具有最高偏差的部位或處理條件，亦即，針 對該子集中之任何部位或任何處理條件之偏差皆高於該集合中但不在該子集中的任何部位或處理條件之偏差。此處，偏差「最高」或「較高」」分別意謂偏差之絕對值最高或較高。部位之子集包括其中程序模型34之誤差相對大的彼等部位；處理條件之子集包括其中程序模型34之誤差相對大的彼等處理條件。識別部位之此子集或處理條件之子集可在幾個方面幫助製程。舉例而言，在工序4050中，可使用來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)或在處理條件之子集下之資料(例如度量衡資料)來調整程序模型34；在工序4060中，可使用來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)或在處理條件之子集下之資料(例如度量衡資料)來建構新程序模型；在工序4070中，可基於來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)或在處理條件之子集下之資料(例如度量衡資料)來調整形成影像之程序之條件(例如照明之一或多個特性、投影光學件之一或多個特性、圖案化器件之一或多個特性或其組合)；及/或在工序4080中，可檢測基於部位之子集或基於處理條件之子集(例如具有在處理條件之子集下產生的圖案之部位)而判定的基板上之部位之群組(例如具有與部位之子集相同的圖案之部位)(例如藉由量測影像之第二特性且判定其與設計佈局中之第二特性之偏差)。第二特性可與第一特性不同(例如為另一CD)或與第一特性相同。在工序4020中使用程序模型34模擬第一特性可將條件用作輸入。來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)或在處理條件之子集下之資料(例如度量衡資料)可包括形成影像之程序之條件及在部位之子集處量測的第二特性或在處理條件之子集下形成之第二特性。調整條件可使用最佳化程序，例如以放大程序窗以適應程序模型34之誤差。
在一實施例中，在相同處理條件下及在使用相同圖案化器件的情況 下藉由第一程序模型與第二程序模型模擬之影像之特性之間的偏差可用作任一程序模型之品質之量規。在相同處理條件下及在使用相同圖案化器件的情況下藉由第一程序模型與第二程序模型模擬之影像之特性之間的偏差可為在相同處理條件下及在使用相同圖案化器件的情況下藉由包括該第一程序模型及該第二程序模型之程序模型之群組模擬的影像之特性之統計參數(例如標準偏差)。圖5示意性地展示此實施例之流程圖。在工序5010中，使用第一程序模型來模擬基板上之部位之集合中的每一者處之影像之第一特性。該影像可為空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像。第一特性可為CD。第一特性可為其他特性，例如諸如程序窗之統計參數。在工序5020中，使用第二程序模型來模擬部位之集合中的每一者處之影像之第一特性。可自相同資料集建構第一程序模型及第二程序模型。第一程序模型及第二程序模型可具有不同形式。在工序5030中，針對部位之集合中的每一者而判定使用第一程序模型而模擬之第一特性與使用第二程序模型而模擬之第一特性之間的偏差。在工序5040中，基於該等偏差而自部位之集合選擇部位之子集。部位之子集可為在部位之集合當中具有最高偏差的部位，亦即，針對子集中之任何部位之偏差皆高於該集合中但未在該子集中的任何部位之偏差。此處，偏差「最高」或「較高」」分別意謂偏差之絕對值最高或較高。部位之子集包括其中兩個程序模型相對較不一致的彼等部位。部位之此子集之識別可在幾個方面幫助製程。舉例而言，在工序5050中，可使用來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)來調整程序模型中之一者或兩者；在工序5060中，可使用來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)來建構新程序模型；在工序5070中，可基於來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)來調整形成影像之程序之條件(例如照明之一或 多個特性、投影光學件之一或多個特性、圖案化器件之一或多個特性或其組合)；及/或在工序5080中，可檢測基於部位之子集而判定的基板上之部位之群組之缺陷(例如藉由量測影像之第二特性且判定其與設計佈局中之第二特性之偏差)。第二特性可與第一特性不同(例如為另一CD)或與第一特性相同。在工序5010或5020中使用程序模型模擬第一特性可將條件用作輸入。來自部位之子集之資料(例如度量衡資料)可包括形成影像之程序之條件及在部位之子集處量測的第二特性。調整條件可使用最佳化程序，例如以放大程序窗以適應程序模型之不一致性。
在工序5040中選擇之部位之子集可用作圖4之流程中的部位之集合。即，可在圖4之流程之前使用圖5之流程。圖5之流程實際上不需要生產基板或對基板之實體量測。因此，當圖5之流程用以選擇用於圖4之流程的部位之集合時，工序4010中之量測之量可得以縮減。
圖6示意性地展示能夠執行圖4及圖5之流程之至少部分的基板檢測系統6000之功能方塊圖。該基板檢測系統6000具有程序模型訓練模組6010及控制模組6040。程序模型訓練模組6010自複數個部位6020接收資料。程序模型訓練模組6010自控制模組6040接收在基板上形成影像程序之條件6015。程序模型訓練模組6010基於資料及條件6015而建構或修改一或多個程序模型6030(例如藉由回歸)。該基板檢測系統6000具有模擬模組6050。模擬模組6050使用程序模型6030中之一或多者以模擬形成於基板上之影像之特性。模擬模組6050將影像之經模擬特性傳輸至控制模組6040。控制模組6040可判定使用一個程序模型之模擬之影像特性與使用另一程序模型而模擬之影像特性之間的偏差。控制模組6040可判定使用程序模型而模擬之影像之特性與運用基板檢測系統6000之選用量測模組 6060而在基板上量測的影像之特性之間的偏差。控制模組6040可基於此等偏差而藉由選用條件調整模組6070來調整條件6015、自部位6020選擇子集、致使量測模組6060檢測基板，或致使程序模型訓練模組6010建構或修改程序模型6030。量測模組6060可包括光學顯微鏡、掃描探針顯微鏡、電子掃描顯微鏡或其他合適度量衡器具。模擬模組6050、控制模組6040及程序模型訓練模組6010可為包括一或多個處理器之硬體。
圖7為說明可輔助實施本文中所揭示之方法、流程、裝置或系統的電腦系統100之方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y))中之兩個自由度， 其允許該器件指定在平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一項實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中之程序之部分。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電 腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體106擷取及執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務業者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。
電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息及 接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。一個此類經下載應用程式可提供例如實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波形式之應用程式碼。
圖8示意性地描繪例示性微影投影裝置。該裝置包含：- 照明系統IL，其用以調節輻射光束B。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO；- 第一物件台(例如圖案化器件台)MT，其具備用以固持圖案化器件MA(例如倍縮光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該圖案化器件之第一定位器；- 第二物件台(基板台)WT，其具備用以固持基板W(例如抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器；- 投影系統(「透鏡」)PS(例如折射、反射或反射折射光學系統)，其用以將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
如本文中所描繪，裝置屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化器件)。然而，一般而言，該裝置亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化器件)。該裝置可使用與經典光罩不同種類之圖案化器件；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
源SO(例如水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(LPP)EUV源)產生 輻射光束。舉例而言，此光束係直接地或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
關於圖8應注意，源SO可在微影投影裝置之外殼內(舉例而言，此常常為源SO為水銀燈時的狀況)，但源SO亦可遠離微影投影裝置，源SO所產生之輻射光束被導引至該裝置中(例如憑藉合適導向鏡)；此後一情境常常為源SO為準分子雷射(例如基於KrF、ArF或F2雷射作用)時之狀況。
光束B隨後截取被固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束B傳遞通過透鏡PS，該透鏡將該光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。相似地，第一定位構件可用以例如在自圖案化器件庫機械地擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，將憑藉未在圖8中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，圖案化器件台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
可在兩種不同模式中使用所描繪工具：- 在步進模式中，將圖案化器件台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化器件影像一次性投影((亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。接著使 基板台WT在x方向及/或y方向上移位，使得可由光束B輻照不同目標部分C；- 在掃描模式中，基本上相同情境適用，惟單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。替代地，圖案化器件台MT可以速度v在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如y方向)上移動，使得使投影光束B遍及圖案化器件影像進行掃描；並行地，基板台WT以速度V=Mv在相同方向或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PS之放大率(通常，M=1/4或1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大目標部分C。
圖9示意性地描繪另一例示性微影投影裝置1000。該微影投影裝置1000包含：- 源收集器模組SO；- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如EUV輻射)；- 支撐結構(例如圖案化器件台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如使用反射圖案化器件)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化 器件可具有包含例如鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一項實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生更小波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，故圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料之薄件(例如多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
參看圖9，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有該譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖9中未繪示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為單獨實體。
在此類狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他 組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如圖案化器件台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。
所描繪裝置1000可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如圖案化器件台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如圖案化器件台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如圖案化器件台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如圖案化器件台)MT保持基本上靜止，從而固持可 程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖10更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為例如10帕斯卡之分壓之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中已知，本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由點虛線「O」指示之光 軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，就形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，例如在投影系統PS中可存在比圖10所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖10中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與常常被稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖11中所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入 射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
美國專利申請公開案第US 2013-0179847號之全文特此係以引用方式併入。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種方法，其包含：獲得一第一經量測特性，該第一經量測特性係藉由在處理條件之一集合中之每一者下或在部位之一集合中之每一者處量測實體地產生於基板上之一影像之一第一特性而獲得；藉由使用一第一程序模型在處理條件之該集合中之每一者下或在部位之該集合中之每一者處模擬該第一特性而獲得一第一經模擬特性；針對部位之該集合中之每一者或處理條件之該集合中之每一者而判定該第一經量測特性與該第一經模擬特性之間的一偏差；基於該等偏差而自部位之該集合選擇部位之一子集或自處理條件之該集合選擇處理條件之一子集；及使用來自部位之該子集或在處理條件之該子集下的資料調整該第一程序模型、使用該資料來建構一第二程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集或基於處理條件之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
2.一種方法，其包含：在一基板上之部位之一集合中的每一者處，使用一第一程序模型且使用一第二程序模型來模擬產生於該基板上之一影像之一第一特性；在部位之該集合中的每一者處判定使用該第一程序模型而模擬之該第一特性與使用該第二程序模型而模擬之該第一特性之間的一偏差； 基於該等偏差自部位之該集合選擇部位之一子集；使用來自部位之該子集之資料調整該第一程序模型、使用該資料而建構一第三程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
3.如技術方案1或技術方案2之方法，其中該影像為一空中影像。
4.如技術方案1或技術方案2之方法，其中該影像為一抗蝕劑影像。
5.如技術方案1或技術方案2之方法，其中該影像為一經蝕刻影像。
6.如技術方案1至5中任一項之方法，其中該第一特性為一臨界尺寸。
7.如技術方案1至5中任一項之方法，其中該第一特性為一程序窗。
8.如技術方案1至7中任一項之方法，其中模擬該第一特性包含使用該條件。
9.如技術方案1至8中任一項之方法，其中部位之該子集處之該等偏差在部位之該集合處之該等偏差當中係最高的。
10.如技術方案1至9中任一項之方法，其中該資料包含形成該影像之該程序之一條件及在部位之該子集處量測的一第二特性。
11.如技術方案1至10中任一項之方法，其中該條件包含用於形成該影像之一圖案化器件之一特性。
12.如技術方案1至11中任一項之方法，其中該條件包含用於形成該 影像之照明之一特性或用於形成該影像之投影光學件之一特性。
13.一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施一如請技術方案1至12中任一項之方法。
14.一種基板檢測系統，其包含：一程序模型訓練模組；一控制模組；及一模擬模組，其中該程序模型訓練模組經組態以自部位之一集合接收資料，且經組態以自該控制模組接收在一基板上形成一影像之一程序的一條件，其中該程序模型訓練模組經組態以基於該資料及該條件而建構或修改一第一程序模型，其中該模擬模組經組態以使用該第一程序模型模擬該影像之特性，且經組態以將該等經模擬特性傳輸至該控制模組，其中該控制模組經組態以判定使用該第一程序模型而模擬之該等特性與使用一第二程序模型而模擬之該等特性之間的偏差，且其中該控制模組經組態以基於該等偏差而調整該條件、自該等部位選擇一子集、致使檢測該基板，及/或致使該程序模型訓練模組建構或修改該第一程序模型。
15.如技術方案14之基板檢測系統，其進一步包含經組態以調整該條件之一條件調整模組，其中該控制模組經組態以藉由該條件調整模組來調整該條件。
16.一種基板檢測系統，其包含： 一程序模型訓練模組；一控制模組；一模擬模組；及一量測模組，其中該程序模型訓練模組經組態以自部位之一集合接收資料，且經組態以自該控制模組接收在一基板上形成一影像之一程序的一條件，其中該程序模型訓練模組經組態以基於該資料及該條件而建構或修改一程序模型，其中該模擬模組經組態以使用該程序模型模擬該影像之特性，且經組態以將該等經模擬特性傳輸至該控制模組，其中該控制模組經組態以判定使用該程序模型而模擬之該等特性與使用該量測模組而在該基板上量測之該等特性之間的偏差，且其中該控制模組經組態以基於該等偏差而調整該條件、自該等部位選擇一子集、致使檢測該基板，及/或致使該程序模型訓練模組建構或修改該程序模型。
17.如技術方案16之基板檢測系統，其中該量測模組包含一光學顯微鏡、一掃描探針顯微鏡或一電子掃描顯微鏡。
18.如技術方案16或技術方案17之基板檢測系統，其進一步包含經組態以調整該條件之一條件調整模組，其中該控制模組經組態以藉由該條件調整模組來調整該條件。
本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈 米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如用於在不同於矽晶圓的基板上之成像的微影成像系統。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

Claims (16)

  1. 一種方法，其包含：獲得一第一經量測特性，該第一經量測特性係藉由在處理條件之一集合中之每一者下或在一基板上之部位(locations)之一集合中之每一者處量測實體地(physically)產生於該基板上之一影像之一第一特性而獲得；藉由使用一第一程序模型在處理條件之該集合中之每一者下或在部位之該集合中之每一者處模擬該第一特性而獲得一第一經模擬特性；針對部位之該集合中之每一者或處理條件之該集合中之每一者而判定該第一經量測特性與該第一經模擬特性之間的一偏差(deviation)；基於該等偏差而自部位之該集合選擇部位之一子集或自處理條件之該集合選擇處理條件之一子集；及使用來自部位之該子集或在處理條件之該子集下的資料調整該第一程序模型、使用該資料來建構(constructing)一第二程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集或基於處理條件之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
  2. 如請求項1之方法，其中該影像為一空中影像。
  3. 如請求項1之方法，其中該影像為一抗蝕劑影像。
  4. 如請求項1之方法，其中該影像為一經蝕刻影像。
  5. 如請求項1之方法，其中該第一特性為一臨界尺寸。
  6. 如請求項1之方法，其中該第一特性為一程序窗。
  7. 如請求項1之方法，其中模擬該第一特性包含：使用該條件。
  8. 如請求項1之方法，其中部位之該子集處之該等偏差在部位之該集合處之該等偏差當中係最高的。
  9. 如請求項1之方法，其中該資料包含形成該影像之該程序之一條件及在部位之該子集處量測的一第二特性。
  10. 如請求項1之方法，其中該條件包含用於形成該影像之一圖案化器件之一特性。
  11. 如請求項1之方法，其中該條件包含用於形成該影像之照明之一特性或用於形成該影像之投影光學件之一特性。
  12. 一種方法，其包含：在一基板上之部位之一集合中的每一者處，使用一第一程序模型且使用一第二程序模型來模擬產生於該基板上之一影像之一第一特性；在部位之該集合中的每一者處判定使用該第一程序模型而模擬之該第一特性與使用該第二程序模型而模擬之該第一特性之間的一偏差；基於該等偏差自部位之該集合選擇部位之一子集；使用來自部位之該子集之資料調整該第一程序模型、使用該資料而建構一第三程序模型、使用該資料而調整形成該影像之一程序之一條件，及/或檢測基於部位之該子集而判定的該基板上之部位之一群組處的缺陷。
  13. 一種電腦程式產品，其包含其上經記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施一如請求項1之方法。
  14. 一種基板檢測系統，其包含：一程序模型訓練模組；一控制模組；一模擬模組；及一量測模組，其中該程序模型訓練模組經組態以自部位之一集合接收資料，且經組態以自該控制模組接收在一基板上形成一影像之一程序的一條件，其中該程序模型訓練模組經組態以基於該資料及該條件而建構或修改一程序模型，其中該模擬模組經組態以使用該程序模型模擬該影像之特性，且經組態以將該等經模擬特性傳輸至該控制模組，其中該控制模組經組態以判定使用該程序模型而模擬之該等特性與使用該量測模組而在該基板上量測之該等特性之間的偏差，且其中該控制模組經組態以基於該等偏差而調整該條件、自該等部位選擇一子集、致使檢測該基板及/或致使該程序模型訓練模組建構或修改該程序模型。
  15. 如請求項14之基板檢測系統，其中該量測模組包含一光學顯微鏡、一掃描探針顯微鏡或一電子掃描顯微鏡。
  16. 如請求項14之基板檢測系統，其進一步包含經組態以調整該條件之一條件調整模組，其中該控制模組經組態以藉由該條件調整模組來調整該條件。
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