CN107658240A - 用于处理待处理的物体的设备和方法和用于其的平台单元 - Google Patents
用于处理待处理的物体的设备和方法和用于其的平台单元 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107658240A CN107658240A CN201710615381.8A CN201710615381A CN107658240A CN 107658240 A CN107658240 A CN 107658240A CN 201710615381 A CN201710615381 A CN 201710615381A CN 107658240 A CN107658240 A CN 107658240A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pending object
- main
- variable
- fixed
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 208000000058 Anaplasia Diseases 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
本发明提供一种用于处理待处理的物体的设备和方法和用于其的平台单元。所述设备包含:腔室,其具有处理待处理的物体用的处理空间;底座,包括一个表面,面对一个表面的另一个表面,以及配置成将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;托盘,包含可变固定单元,可变固定单元包括可变固定部件,可变固定部件安装在底座上,以能与待处理的物体的尺寸相对应地变化位置;控制单元,连接到可变固定单元以根据待处理的物体的数据而控制固定部件的移动;以及光照部分,配置成在垂直于待处理的物体的转移方向的垂线上照射光。因此,根据待处理的物体的数据调节多个固定部件的位置以固定待处理的物体,由此容易支撑和处理各种尺寸的主体。
Description
技术领域
本公开涉及一种用于处理待处理的物体(下文被称作主体)的设备和方法和用于其的平台单元,并且更具体地说涉及一种用于主体的能够容易支持各种尺寸的主体的平台单元以及一种用于处理所述主体的设备和方法。
背景技术
一般来说,玻璃主体用作例如有机发光二极管显示器或液晶显示器的主体。这里,玻璃主体通过退火工艺被结晶处理或者改善结晶度。
激光退火设备由激光源产生的脉冲激光束形成直线光束,该直线光束照射到安置于要使主体结晶的玻璃主体上的非晶硅薄膜上。这里,主体安放并且支撑在平台上,平台在垂直于激光束或相对于激光束稍微倾斜的方向上水平移动,以将激光束照射在主体的整个区域上。
平台必须在稳定地支撑着各种尺寸的主体的状态下移动。现有技术中,为了在平台上支撑不同尺寸的主体,使用尺寸与待处理的主体相对应的托盘将主体固定在平台上。
然而,由于现有技术中必须制造多个托盘用来处理各种主体,所以制造托盘所消耗的成本和时间会增加。也就是说,必须根据主体的尺寸制造不同尺寸的托盘,并且必须在平台上组装和拆分各种尺寸的托盘以处理各种尺寸的主体。
因此,在平台上组装和拆分与主体尺寸相配的托盘所要花费的时间会不必要地增加,从而降低了主体处理过程的效率和生产率。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)KR2005-0004434 A
(专利文献2)JP2013-0187293 A
发明内容
本公开提供一种能够稳定地固定主体的用于各种尺寸的主体的平台单元,以及一种用于处理主体的设备和方法。
本公开提供一种能够容易覆盖主体的非光照区的用于主体的平台单元,以及一种用于处理主体的设备和方法。
本公开提供一种能够改善主体处理过程中的效率和生产率的用于主体的平台单元,以及一种用于处理主体的设备和方法。
根据示例性实施例,一种用于待处理的物体的平台单元包含:底座,其包含一个表面,面对所述一个表面的另一个表面,以及配置成将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;可变固定单元,其包含安装在底座上的可变固定部件,所述可变固定单元的位置对应于待处理的物体的尺寸相对应地为可变化的;以及控制单元,其连接到所述可变固定单元以根据待处理的物体的数据而控制固定部件的移动。
所述可变固定单元的至少一部分可以安置成从底座突出,并且所述可变固定单元可以包含:主要可变固定本体,其安置成形成垂直于彼此的第一侧面和第二侧面,由此形成用于待处理的物体的参考固定侧面;以及辅助可变固定本体,其与主要可变固定本体隔开并且平行于第一侧面和第二侧面安置。
所述主要可变固定本体可以包含:主要导引部分,其沿着第一侧面和第二侧面延伸;以及主要固定部件,其可沿着主要导引部分移动。
所述辅助可变固定本体可以安置以形成多个行和多个列,这些行和列分别平行于第一侧面和第二侧面安置,并且辅助可变固定本体可以包含:辅助导引部分,其在平行于第一侧面和第二侧面中的一个的方向上在底座上延伸;以及辅助固定部件,其可沿着辅助导引部分移动。
形成多个行和列辅助可变固定本体可以不彼此重叠,并且辅助导引部分可具有在离开参考固定侧面的方向上逐渐减小的延伸长度。
所述控制单元可以包含:收集部分,其配置成收集待处理的物体的尺寸和厚度数据;以及驱动控制部分,其配置成基于收集部分收集的数据控制可变固定单元的驱动。
平台单元可进一步包含覆盖单元,所述覆盖单元连接到底座以覆盖待处理的物体的至少一个区域。
所述平台单元可进一步包含:平台,底座的至少一个区域安放在其上;以及转移单元,其配置成转移平台。
根据另一示例性实施例,一种处理待处理的物体的设备包含:腔室,其具有处理待处理的物体用的处理空间;平台,其安置在所述腔室中;托盘,其包含固定部件,所述固定部件安置于平台上并且能变化位置以对应于待处理的物体的尺寸从而与待处理的物体接触;以及光照部分,其配置成在垂直于待处理的物体的转移方向的垂线上照射光。
所述托盘可以包含:底座,其包含一个表面,面对所述一个表面的另一个表面,以及配置成将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;主要可变固定本体,其能对应于待处理的物体的尺寸变化,并且平行于待处理的物体的第一垂直侧面安置;辅助可变固定本体,其与主要可变固定本体隔开并且平行于第一垂直侧面安置;以及控制单元,其连接到主要可变固定本体和辅助可变固定本体以根据待处理的物体的尺寸控制多个固定部件的移动。
所述主要可变固定本体可以包含:主要导引部分,其沿着第一垂直侧面延伸;以及至少一个或多个主要固定部件,其可沿着主要导引部分移动以与待处理的物体的边缘接触。
所述底座可以包含台阶式部分,其在与主要导引部分的延伸方向相同的方向上延伸。
所述主要固定部件可以包含:固定块,其可沿着主要导引部分移动;以及固定销,其安置于固定块上并且位置在与固定块的移动方向相交的方向上可变。
所述控制单元可以包含:收集部分,其配置成收集待处理的物体的尺寸和厚度数据;以及驱动控制部分,其配置成基于收集部分收集的待处理的物体的数据,控制主要可变固定本体和辅助可变固定本体的驱动。
所述驱动控制部分可以按照主要可变固定本体和辅助可变固定本体的顺序控制主要可变固定本体和辅助可变固定本体的驱动。
所述待处理的物体可以划分成光照区域和非光照区域,并且所述设备可进一步包含覆盖单元,所述覆盖单元安置成与可变固定单元隔开以覆盖待处理的物体的非光照区域。
所述覆盖单元可以包含:路径构造部分,其在一个方向上延伸并且安置成与非光照区域隔开;以及覆盖部件,其可沿着路径构造部分移动以覆盖非光照区域。
根据又一示例性实施例,一种用于处理待处理的物体的方法包含:准备所述待处理的物体以收集待处理的物体的数据;根据所述数据调节多个固定部件的可变的位置;通过使用多个固定部件固定待处理的物体;以及将光照射在待处理的物体上。
调节多个固定部件的位置可以包含:移动多个固定部件的一部分使之与待处理的物体的第一侧面和与所述第一侧面相交的第二侧面接触;以及移动多个固定部件的其余部分使之与除了第一侧面和第二侧面之外的其余侧面接触。
在固定待处理的物体之后,所述方法可进一步包含:确定待处理的物体上是否存在非光照区域;以及根据非光照区域的存在或不存在,覆盖待处理的物体的非光照区域。
待处理的物体的非光照区域的覆盖可以包含:准备尺寸与光照区域相对应的覆盖部件;以及将所述覆盖部件移动到所述非光照区域上。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述可更详细地理解示例性实施例,其中:
图1A及图1B是示出根据示例性实施例的处理主体的设备的视图;
图2是示出根据示例性实施例的处理物体的设备的透视图;
图3是用于图2的主体的平台单元的平面图;
图4是图2的处理主体的设备中设置的可变固定单元的视图;
图5是图2的处理主体的设备中设置的覆盖单元的视图;
图6是用于解释根据主体的各种尺寸移动可变固定单元和底表面区域的视图;
图7是依次示出处理主体的设备和通过使用根据示例性实施例的处理主体的设备来处理主体的方法的流程图;以及
图8到图11是示出根据图7的处理主体的方法的顺序处理主体的设备的操作状态的示意图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细地描述具体实施例。然而,本发明可以不同的形式来体现,且不应解释为限于本文所陈述的实施例。而是,提供这些实施例以使得本公开将是透彻并且完整的,并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给所属领域的技术人员。在图中,出于说明清楚起见而夸大了层和区域的尺寸。相似参考标号通篇是指相似元件。
根据示例性实施例的处理主体的设备包含用于主体的平台单元,其能够通过使用单一托盘支撑各种尺寸的主体。所述平台单元可以被实现为能够支撑各种尺寸的主体的单元,通过使用单一托盘无需更换托盘在一个设备中处理这些主体,在所述设备中,直线形状的激光束照射到主体上,在所述主体上形成非晶形膜以对所述主体执行退火工艺。然而,处理主体的设备不限于本公开的实施方案,而是可以使用例如激光射出装置、激光热处理装置和激光处理装置的激光器施加于各种装置,从而通过使用单一托盘处理各种尺寸的主体。并且,所述处理主体的设备可以用于各种装置,以用于在某一区域上发射除了激光之外的光。因此,处理主体的设备可以是激光处理设备,并且照射到某一区域上的光可以是激光束。
下文中,将参看图1A到图6描述用于主体的平台单元、处理主体的设备和通过使用根据示例性实施例的处理主体的方法。图1A及图1B是示出根据示例性实施例的处理主体的设备的视图,图2是示出根据示例性实施例的处理物体的设备的透视图,图3是图2的用于主体的平台单元的平面图。
参看图1A到图3,根据示例性实施例的处理主体S的设备包含腔室1000,其具有内部空间R,于内部空间R中主体S经处理;安置在腔室1000中的平台3000;包含多个固定部件的托盘4000,所述固定部件安置于平台3000上并且对应于主体S的尺寸可变以便固定到主体S的边缘;以及用于在垂直于主体S的转移方向的方向上照射光的光照单元。下文中,光照单元可以被称作激光产生单元。
激光产生单元2000是所产生的用于处理被照射到主体S上的激光束L的激光从该激光产生单元穿过的组件。激光产生单元2000可以包含:激光源2100,其产生激光;光学系统(未图示),用于处理从激光源2100产生的激光束L的形状和能量分布;反射镜2300,其将经过处理的激光束L的至少一部分反射到主体S;以及衬底照射透镜系统(未图示),其收集反射镜2300反射到主体S的激光束L。
激光源2100可以被称作激光产生器,用作产生激光的装置。激光源2100可以是产生激光的已知的组件且包含根据要使用的激光束的波长的各种装置,例如KrF准分子激光器、ArF准分子激光器。例如,激光源2100可以产生一种或多种激光,例如气体激光,比如Ar激光、Kr激光;以及准分子激光,这是使用Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种材料作为掺杂剂添加到单晶的YAG、YVO4、postalite(Mg2SiO4)、YAlO3和GdVO4或多晶的(陶瓷)YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3和GdVO4中的介质的激光;玻璃激光;红宝石激光;翠绿宝石激光Ti(蓝宝石)激光;铜蒸汽激光或金蒸汽激光。
光学系统(未图示)安置于激光的行进路径(输出方向)上并且处理激光的形状和能量分布。也就是说,激光的形状和能量分布可以经过处理,从而使得激光束L具有直线形状的光束的形式。激光束L可以处理成相对容易收集的直线形的光束,而不是面积很宽的用于照射衬底的整个表面的表面形光束。为此,光学系统可以包含处理激光束的形状的光束扩展镜管;以及均匀地分布经过处理的激光束的光束均匀器。
反射镜2300可以安置成相对于激光的行进方向以45°的角度倾斜,以反射在光学系统中经过处理的激光束,然后将激光束输出到衬底。所产生的激光反射到与行进方向相交的方向以到达衬底照射透镜系统150。
衬底照射透镜系统(未图示)包含由凸透镜和/或凹透镜构成的多个透镜的组合,用于收集由反射镜2300反射到衬底的激光束。
腔室1000提供内部空间R,在内部空间R中容纳主体S并且使用激光束L处理主体S。腔室1000具有中空盒子形状并且包含穿过其的上部中心部分的透射窗口W。因此,从下文所述的激光产生单元100产生的激光束L穿过透射窗口W,然后照射到腔室1000内的主体S上。这里,入口和出口可以设置于腔室1000的两个侧面中以允许装载或卸载主体S。虽然根据示例性实施例,腔室1000设置于一个本体中,并且腔室1000的打开部分未单独示出,但是腔室1000的本体的一个侧面可以打开,且可设置用于关闭打开的侧面的门(未图示)。
平台300安置在腔室1000中以水平地往复预定距离。平台300可以在支撑着主体S的托盘4000安放在其上的状态中以预定速度水平移动,从而使得激光束L照射到主体S的整个光照区域上。
托盘4000是用于提供主体S的安放表面的组件。托盘4000包含:底座4100,其具有一个表面、面对所述一个表面的另一个表面和将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;可变固定单元4300,其包含多个固定部件,所述固定部件的位置可变以对应于主体S的尺寸;以及控制单元4500,其连接到可变固定单元4300以根据主体S的尺寸控制可变固定单元4300的移动。
底座4100是构成托盘4000的结构且可安置成使得可变固定单元4300的至少一部分穿过底座4100。底座4100具有平面,主体S安放在该平面上。在一个示例性实施例中,底座4100可具有矩形形状,因而提供为六面体板片。然而,本公开不限于底座4100的矩形形状。例如,底座4100可具有各种形状,只要底座4100安置于平台3000上并且具有安放主体S用的平面即可。
可变固定单元4300的至少一部分可从底座4100突出,且可变固定单元4300的位置对应于主体S的尺寸可变,以将各种尺寸的主体S固定在底座4100上。这里,可变固定单元4300可安置以形成彼此垂直的第一侧面和第二侧面。可变固定单元4300包含主要可变固定本体4310和辅助可变固定本体4330,主要可变固定本体4310形成主体S的参考固定侧面,辅助可变固定本体4330安置成从参考固定侧面向内隔开,以固定主体S的除参考固定侧面之外的其余侧面。
主要可变固定本体4310被配置成主要将主体S固定在底座4100上并且对准主体S。并且,主要可变固定本体4310沿着包含彼此垂直的第一侧面和第二侧面的垂直侧面安置,提供主体S在底座4100上的参考固定侧面。也就是说,主要可变固定本体4100安置成接近平面上的底座4100的侧面中的第一侧面和第二侧面,并且平行于底座4100的第一侧面和第二侧面安置以提供用于将主体S安放在底座4100上的参考固定侧面。这里,主要可变固定本体4310包含沿着第一侧面和第二侧面在底座4100上延伸的主要导引部分4311和可沿着主要导引部分4311移动的主要固定部件4315。
主要导引部分4311沿着彼此垂直的第一侧面和第二侧面在底座4100上延伸。底座4100的后部至少可以凹陷以形成主要导引部分4311。也就是说,底座4100的至少一个区域可以被冲压,因此,主要导引部分4311可在平行于底座4100的第一侧面和第二侧面的方向上延伸。这里,下文将描述的主要固定部件4315的至少一部分可以插入到主要导引部分4311中,因而主要导引部分4311可以引导主要固定部件4315的移动。并且,可以在底座4100中形成深度足以允许主要固定部件4315插入的主要导引部分4311。因此,虽然主要导引部分4311是垂直地通过,但是主要导引部分4311可以设置成凹槽,并且辅助固定部件4335可以插入到凹槽中。
主要固定部件4315可以沿着主要导引部分4311行进,并且从底座4100的至少一个区域突出。也就是说,主要固定部件4315的位置可以根据主体S的尺寸变化以沿着主要导引部分4311移动。因此,由于主要固定部件4315安置成与主体S的第一侧面和第二侧面接触,所以可以抑制和防止由于主要固定部件4315的突出部分导致主体S未在底座4100上对准的现象。
如上文所述,主要固定部件4315可以安置在主体S的第一侧面和第二侧面经固定的位置上,以与主体S的尺寸相对应。并且,由于主要可变固定本体4310主要将主体S的第一侧面和第二侧面固定在底座4100上,所以主体S可以在底座上对准。
辅助可变固定本体4330被配置成固定主体S的除被主要可变固定本体4310固定的侧面之外的其余侧面。辅助可变固定本体4330包含辅助导引部分4331和辅助固定部件4335,辅助导引部分4331在平行于第一侧面和第二侧面之一的方向上在底座4100上延伸,辅助固定部件4335可沿着辅助导引部分4331移动。也就是说,辅助可变固定本体4330可固定通过主要可变固定本体4310在底座4100上对准的主体S的边缘的不与主要可变固定本体4310接触的侧面,更具体来说,第三侧面和第四侧面对应于辅助可变固定本体4330的将在底座4100上与主要可变固定本体4310接触的第一侧面和第二侧面。
参看图4,辅助导引部分4331安置在底座4100的至少一个区域中以平行于主要导引部分4311,并且辅助导引部分4331的至少一个区域可以凹入。也就是说,辅助导引部分4331可以通过打开底座4100的至少一个区域而在平行于主要导引部分4311的方向上延伸。这里,下文将描述的辅助固定部件4335将会插入其中的辅助导引部分4331引导辅助固定部件4335的移动,并且可以安置在底座4100中到辅助固定部件4335插入的深度。也就是说,虽然底座4100的安置着辅助导引部分4331的区域在垂直方向中被穿透,但是辅助导引部分4331可具有凹槽形状,因而辅助固定部件4335可以插入到凹槽中。
辅助固定部件4335可以沿着辅助导引部分4331滑动并且可以根据主体S的尺寸调节布置位置。这里,当辅助固定部件4335的至少一部分插入到辅助导引部分4331中时,其余部分可以从底座4100突出。也就是说,辅助固定部件4335的至少一部分从底座4100突出,因而可以安置成接触主体S的边缘。如上文所述的辅助固定部件4335可具有与从底座4100突出的一个端部相反的另一个端部。该另一个端部的尺寸大于辅助导引部分4331的直径。
并且,辅助支撑本体4333可以设置在辅助导引部分4331的下方,从而使得沿着辅助导引部分4331移动的辅助固定部件4335稳定地安置在底座4100中。也就是说,辅助支撑本体4333可以安置在辅助导引部分4331的下方,以支撑辅助固定部件4335的另一个端部。因此,辅助支撑本体4333可以支撑辅助固定部件4335,从而使得辅助固定部件4335沿着辅助导引部分4331稳定地滑动。
这里,可以设置辅助可变固定本体4330从而使得第一侧面和第二侧面分别平行于多个列4331b1到4331bn和多个行4331a1到4331an。也就是说,辅助可变固定本体4330延伸成平行于第一主要可变固定本体4310a并且多个地与第一主要可变固定本体4310a隔开。并且,辅助可变固定本体4330延伸成平行于第二主要可变固定本体4310b并且多个地与第二主要可变固定本体4310b隔开。
构成多个列的第一主要可变固定本体4310a与第一主要可变固定本体4310a隔开因而与构成多个列的辅助可变固定本体4330隔开。并且,构成多个行的辅助可变固定本体4330与第二主要可变固定本体4310b隔开因而与构成多个行的辅助可变固定本体4330隔开。也就是说,第一列辅助可变固定本体4331a1可以从第一主要可变固定本体4310a提供,第二列辅助可变固定本体4331a2可以与第一列辅助可变固定本体4331al隔开,并且第三列辅助可变固定本体4331a3可以与第二列辅助可变固定本体4331a2隔开。并且,第一行辅助可变固定本体4331b1可以与第二主要可变固定本体4310b隔开,并且第二行辅助可变固定本体4331b2可以与第一行辅助可变固定本体行4331b1隔开。
构成多个列和行的辅助可变固定本体4331b1到4331bn和辅助可变固定本体4331a1到4331an彼此重叠,因而辅助导引部分4331具有在离开主要可变固定本体4310提供的参考固定侧面的方向上逐渐减小的延伸长度。
并且,底座4100可以包含台阶式突出部4150,其在与主要导引部分4311相同的延伸方向中安置。
台阶式突出部4150提供与底座4100的高度不同的高度,以便获得比底座4100的表面低的表面,并且台阶式突出部4150可以在平行于主要导引部分4311的第一侧面和第二侧面中的在平行于底座4100的第一侧面和第二侧面的方向上延伸的一个侧面的方向上延伸。也就是说,当主体S的厚度变化时,通过提供台阶式突出部4150容易将主体S安置在底座4100上。更详细而言,主体S划分成具有第一厚度的第一区域和具有第二厚度的第二区域。当第二厚度大于第一厚度时,为了稳定地安置具有不同厚度的主体S,可以将具有第二厚度的第二区域在安放在台阶式突出部4150上的同时安置于底座4100上。
这里,由于主体S的第一区域和第二区域的尺寸不是预定的,所以可以提供主要固定部件4315以从台阶式突出部4150安置主体S的第二区域的端部。也就是说,主要固定部件4315安装在固定块4315b-1和在固定块4315b-1中限定的固定孔4315b-2中,固定块4315b-1安置成可以沿着主要导引部分4331移动,并且主要固定部件4315可以包含固定销4315b-3,其可在与固定块4315b-1的移动方向相交的方向上移动。如上文所述,主要固定部件4315的位置可以在与主要导引部分4311的延伸方向相同的方向上变化,并且还可以在与主要导引部分4311的延伸方向相交的方向上变化,从而容易通过根据第二区域的尺寸改变固定销4315-3的位置,借此应对主体S的尺寸。
可变固定单元4300安置成接触主体S的边缘,并且可以通过在从主体S的边缘到主体S的内部(即,从主体S的外部到主体S的中心)的方向上的推力在底座4100上支撑主体S。也就是说,可变固定单元4300允许主要可变固定本体4310的主要固定部件4315接触彼此垂直的垂直侧面(第一侧面和第二侧面),因而主体S在底座4100上对准和支撑。此外,辅助可变固定本体4330的辅助固定部件4335接触其余的垂直侧面(第三侧面和第四侧面),因而主要固定部件4315和辅助固定部件4335可以在从主体S的外部到主体S的中心的方向上向主体S施加预定推力。因此,主要固定部件4315和辅助固定部件4335推动边缘的力支撑着主体S,因而防止主体S从底座4100移除或未对准。
提供覆盖单元4700以覆盖主体S的至少一部分。当主体划分成光照区域SOL和非光照区域SNL时,覆盖单元4700与可变固定单元4300隔开以覆盖主体S的非光照区域SNL。也就是说,覆盖单元4700可以覆盖主体S的区域中的需要被遮蔽以免受到光照的区域。并且,覆盖单元4700包含路径构造部分4710和覆盖部件4730,路径构造部分4710在一个方向上延伸并且与非光照区域隔开一段距离安置,覆盖部件4730可沿着路径构造部分4710移动并且配置成覆盖非光照区域。这里,覆盖部件4730可以安装在底座4100中,从而使得覆盖部件4730可卷绕和不可卷绕,以在沿着路径构造部分4710移动的同时覆盖非光照区域。因此,覆盖单元4700可进一步包含覆盖部件支撑本体4750。
路径构造部分4710提供覆盖部件4730的移动路径,并且包含在覆盖部件4730的移动方向上延伸的导轨4711和沿着导轨4711行进的导块4713。这里,由于主体S的非光照区域SNL安置在接近第二主要可变固定本体4310b的位置,所以路径构造部分4710可以在与第二主要可变固定本体4310b的第二主要导引部分4311的延伸方向相交的方向上延伸,以通过使用覆盖部件4730覆盖第二主要可变固定本体4310b的至少一部分。然而,路径构造部分4710可以根据主体S的非光照区域的构造位置安置在不同位置。
覆盖部件4730被配置成覆盖主体S的至少一个区域,并且可以使用例如铝薄膜的非透光部件作为覆盖部件4730。
覆盖部件支撑本体4750被配置成将覆盖部件4730连接到路径构造部分4710,并且可以包含支撑轴杆4751和支撑框架4753,支撑轴杆4751通过覆盖部件4730固持,支撑框架4753将支撑轴杆4751连接到底座4100。
将参看图6详细地描述通过如上文所述形成的可变固定单元4200得到的托盘4000的使用尺寸。图6是解释根据各种主体的尺寸的可变固定单元的移动和底座的表面积的视图。下文中,底座4100的一个方向和另一个方向可以分别是Y轴方向和X轴方向。
参看图6,主要可变固定本体4310包含第一主要可变固定本体4310a和第二主要可变固定本体4310b,第一主要可变固定本体4310a在底座4100的一个方向上延伸并且安置于底座4100上,第二主要可变固定本体4310b在底座4100的另一个方向上延伸并且安置于底座4100上。第一主要可变固定本体4310a的一端和第二主要可变固定本体4310b的一端面朝彼此。并且,辅助可变固定本体4330包含形成与第一主要可变固定本体4310a隔开的多个行使之平行于第一主要可变固定本体4310a的辅助可变固定本体4330,以及形成与第二主要可变固定本体4310b隔开的多个行的辅助可变固定本体4330。这里,第一主要可变固定本体4310a和多个辅助可变固定本体4330安置在底座4100的一个方向上,并且第二主要可变固定本体4310b和多个辅助可变固定本体4330安置在另一个方向上。
如上文所述,在平面上,主体S的尺寸高达一个方向上的最大延伸长度DY和另一个方向上的最大延伸长度DX,这可以通过可变固定本体4310和辅助可变固定本体4330形成。这里,在一个方向上的最大延伸长度DY可以是从主要导引部分4311的延伸长度减去辅助固定部件4335的长度DF获得的长度。这里,因为设置了主要固定部件4315,所以允许在一个方向上安放主体S的最大长度可以增加。也就是说,在一个示例性实施例中,因为第一主要可变固定本体4310a的第二主要固定部件4315b的位置可以在一个方向与另一个方向之间变化,所以通过用长度Dα(第二主要固定部件4315b的固定销4315-3在一个方向上的可移动范围)加上第一主要导引部分4311形成的长度DY,借此可以获得主要可变固定本体4310在一个方向上的最大延伸长度,这是在一个方向上最大限度地安放主体S的尺寸。
控制单元4500连接到可变固定单元4300以根据主体S的尺寸控制主要可变固定本体4310的主要固定部件4315和辅助固定本体4330的辅助固定部件4335的移动。控制单元4500包含收集部分4510和驱动控制部分4530,收集部分4510收集主体S的尺寸和厚度的数据,驱动控制部分4530基于收集部分4510收集的主体S的尺寸和厚度的数据控制可变固定单元4300的驱动。也就是说,控制单元4500可以根据主体S的尺寸和厚度的数据控制安放在底座4100上的主体S的位置,并且控制主要可变固定本体4310和辅助可变固定本体4300的接触主体S的边缘的操作。
收集部分4510收集主体S的数据,并且更具体地说通过接收关于主体S的尺寸和厚度的数据而收集数据。这里,收集部分4510可以参照关于主体S的尺寸和厚度的数据设置主体S在底座4100上的安置位置以及主要可变固定本体4310的主要固定部件4315和辅助可变固定本体4330的辅助固定部件4335的移动位置,并且将这个设置的位置传输到驱动控制部分4530。
当更详细地描述收集部分4510收集的主体S的数据时,主体S的尺寸的数据是参照一个平面的主体S的水平长度和垂直长度。这里,当主体S包含光照区域和非光照区域时,主体S的尺寸的数据可以是光照区域和非光照区域中的每一个区域的水平长度和垂直长度。并且,主体S的厚度的数据是用于确定主体S的厚度改变的位置的数据。也就是说,当主体S包含光照区域和非光照区域时,非光照区域可以包含例如线缆连接到的主体S。也就是说,这是具有线缆附接到玻璃的形状的主体S。玻璃和线缆彼此连接的区段的厚度不同于每个其它区域的厚度。也就是说,当光照区域具有厚度T1并且非光照区域具有厚度T2时,光照区域和非光照区域的连接区段可以具有通过将厚度T1与厚度T2相加获得的厚度。这里,根据示例性实施例,当收集厚度改变的位置(即,光照区域SOL和非光照区域SNL彼此连接的位置)时,可以控制主体S在底座4100上的安置位置。
驱动控制部分4530基于收集部分4510收集的主体S的数据来控制可变固定单元4300和覆盖单元4700的操作。也就是说,驱动控制部分4530可以基于收集部分4510收集的关于主体S的尺寸和厚度的数据,控制主要可变固定本体4310的主要固定部件4315和辅助可变固定本体4330的辅助固定部件4335的操作。这里,驱动控制部分4530可以首先控制主要可变固定本体4310的主要固定部件4315的移动,然后控制辅助可变固定本体4330的辅助固定部件4335的移动。也就是说,驱动控制部分4530可以控制依次驱动主要可变固定本体4310和辅助可变固定本体4330,从而使得以首先控制主要可变固定本体4310的移动的状态安放主体S,最后通过辅助可变固定本体4330的移动来固定主体S。
同时,驱动控制部分4530用以控制主要可变固定本体4310、辅助可变固定本体4330和覆盖单元4700的驱动序列,并且同时根据主体S的尺寸控制固定部件4315的具体位置。也就是说,驱动控制部分4530可以基于主体S的尺寸数据,参照主体S在一个方向上和另一个方向上的总长度控制将主要固定部件4315安置在预定位置处。更详细而言,在一个示例性实施例中,第一主要固定部件4315a和第二主要固定部件4315b中的每一个可以一对设置,并且驱动控制部分4530可以允许安置在一对第一主要固定部件4315a的前端的第一主要固定部件4315a安置在相对于主体S在一个方向上的总长度50%内的位置,并且允许另一个安置在等于或大于80%的位置。
下文中,将参看图7和图11描述根据示例性实施例的用于处理主体的方法。图7是示出用于主体的平台单元和使用根据示例性实施例的处理主体的设备按顺序处理主体的方法的流程图。图8到图11是示出根据图7中的用于处理主体的方法的序列处理主体的设备的操作状态的示意图。
根据示例性实施例的用于处理主体的方法包含:准备主体S;收集所准备的主体S的数据;基于主体S的数据调节多个可变固定部件的位置;通过所述多个固定部件固定主体S;以及将光照到主体S上。
首先,在S100和S200的操作中,准备主体S,并且收集主体S的数据。这里,收集主体S的数据是收集关于主体S的尺寸和厚度的数据。详细地说,收集关于安放在底座4100上的主体S的水平尺寸和垂直尺寸的数据,并且通过关于主体S的厚度的数据收集关于厚度改变的位置的数据。这里,当主体S包含光照区域SOL和非光照区域SNL时,收集关于主体S的尺寸的数据可以收集关于光照区域SOL的水平尺寸和垂直尺寸以及非光照区域SNL的水平尺寸和垂直尺寸的数据。
如上文所述,当收集关于主体S的尺寸和厚度的数据时,基于数据调节多个可变固定部件的位置。也就是说,在操作S300中,主要固定部件4315移动到主体S的参考固定位置。在操作S250中在托盘4000上安放主体S之后或者在操作S350中在托盘4000上安放主体S之前,可以执行操作S300。
在操作S400中,基于主体S的水平尺寸和垂直尺寸设置主要固定部件4315的位置,并且辅助固定部件4335移动以接触主体S的边缘。也就是说,驱动控制部分4530将主体S的尺寸的数据传输到第二驱动部件4337,并且允许辅助固定部件4335在一个方向上和另一个方向上移动以接触主体S的边缘。这里,当辅助固定部件4335接触主体S的边缘时,主体S安置在具有预定尺寸的框架中,所述框架通过主要固定部件4315和辅助固定部件4335形成,并且稳定地支撑在托盘4000上。
此后,在操作S700中向主体S照射激光束以执行激光处理。在执行激光处理之前,执行在操作S500中确定主体S中是否包含非光照区域SNL。当主体S包含非光照区域SNL时,在操作S600中通过覆盖部件4730覆盖非光照区域SNL。这里,由于在准备主体S时已经识别出非光照区域SNL的尺寸,所以驱动控制部分4530可以控制覆盖部件4730的覆盖程度,从而使得覆盖部件4720与主体S的非光照区域SNL的尺寸相对应地覆盖在底座上。
在根据示例性实施例的用于主体的平台单元和用于处理物体的设备和方法中,通过使用一个托盘可以支撑各种尺寸的主体,从而改善主体处理过程中的效率和生产率。
也就是说,通过使用位置可以根据主体数据变化的多个固定部件,可以将主体固定在托盘上。因此,通过使用一个托盘可以支撑各种尺寸的主体。
如上文所述,由于通过使用单一托盘支撑不同尺寸的主体,所以可不需要提供对应于每个主体的尺寸的托盘。因此,可以减少制造托盘所需要的成本,并且可以解决因更换托盘导致物体处理时间增加从而引起生产率降低的问题。
如上文所描述,虽然已经具体参照本发明的优选实施例展示和描述了本发明,但是所属领域的技术人员应了解,可以进行形式和细节上的多种改变而并未脱离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。因此,本发明的范围不受本发明的详细描述界定,但受所附权利要求界定,且范围内的所有差异将被解释为包含于本发明中。
Claims (21)
1.一种用于待处理的物体的平台单元,所述平台单元包括:
底座,其包括一个表面、面对所述一个表面的另一个表面以及配置成将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;
可变固定单元,其包括安装在所述底座上的可变固定部件,所述可变固定单元的位置对应于所述待处理的物体的尺寸为可变化的;以及
控制单元,其连接到所述可变固定单元以根据所述待处理的物体的数据而控制所述可变固定部件的移动。
2.根据权利要求1所述的用于待处理的物体的平台单元,其中所述可变固定单元的至少一部分安置成从所述底座突出,且所述可变固定单元包括:
主要可变固定本体,其安置成形成垂直于彼此的第一侧面和第二侧面,由此形成用于所述待处理的物体的参考固定侧面;以及
辅助可变固定本体,其与所述主要可变固定本体隔开并且安置成平行于所述第一侧面和所述第二侧面。
3.根据权利要求2所述的用于待处理的物体的平台单元,其中所述主要可变固定本体包括:
主要导引部分,其沿着所述第一侧面和所述第二侧面延伸;以及
主要固定部件,其沿着所述主要导引部分为可移动的。
4.根据权利要求2所述的用于待处理的物体的平台单元,其中所述辅助可变固定本体安置成形成多个行和多个列,所述多个行和所述多个列分别平行于所述第一侧面和所述第二侧面安置,且所述辅助可变固定本体包括:
辅助导引部分,其在平行于所述第一侧面和所述第二侧面中的一个的方向上在所述底座上延伸;以及
辅助固定部件,其沿着所述辅助导引部分为可移动的。
5.根据权利要求4所述的用于待处理的物体的平台单元,其中形成所述多个行和所述多个列的所述辅助可变固定本体不彼此重叠,并且
所述辅助导引部分具有在离开所述参考固定侧面的方向上逐渐减小的延伸长度。
6.根据权利要求1所述的用于待处理的物体的平台单元,其中所述控制单元包括:
收集部分,其配置成收集所述待处理的物体的尺寸和厚度的数据;以及
驱动控制部分,其配置成根据所述收集部分收集的所述数据控制所述可变固定单元的驱动。
7.根据权利要求1所述的用于待处理的物体的平台单元,其进一步包括覆盖单元,所述覆盖单元连接到所述底座以覆盖所述待处理的物体的至少一个区域。
8.根据权利要求1所述的用于待处理的物体的平台单元,其进一步包括:
平台,所述底座的至少一个区域安放在所述平台上;以及
转移单元,其配置成转移所述平台。
9.一种处理待处理的物体的设备,所述设备包括:
腔室,其具有处理所述待处理的物体用的处理空间;
平台,其安置在所述腔室中;
托盘,其包括固定部件,所述固定部件安置于所述平台上,且所述固定部件的位置对应于所述待处理的物体的尺寸为可变化的从而与所述待处理的物体接触;以及
光照部分,其配置成在垂直于所述待处理的物体的转移方向的垂线上照射光。
10.根据权利要求9所述的处理待处理的物体的设备,其中所述托盘包括:
底座,其包括一个表面、面对所述一个表面的另一个表面以及配置成将所述一个表面连接到所述另一个表面的侧表面;
主要可变固定本体,其对应于所述待处理的物体的尺寸为可变化的,且平行于所述待处理的物体的第一垂直侧面安置;
辅助可变固定本体,其与所述主要可变固定本体隔开并且平行于所述第一垂直侧面安置;以及
控制单元,其连接到所述主要可变固定本体和所述辅助可变固定本体以根据所述待处理的物体的尺寸控制多个所述固定部件的移动。
11.根据权利要求10所述的处理待处理的物体的设备,其中所述主要可变固定本体包括:
主要导引部分,其沿着所述第一垂直侧面延伸;以及
至少一个或多个主要固定部件,其沿着所述主要导引部分为可移动的以与所述待处理的物体的边缘接触。
12.根据权利要求11所述的处理待处理的物体的设备,其中所述底座包括在与所述主要导引部分的延伸方向相同的方向上延伸的台阶式部分。
13.根据权利要求12所述的处理待处理的物体的设备,其中所述主要固定部件包括:
固定块,其沿着所述主要导引部分为可移动的;以及
固定销,其安置于所述固定块上,且所述固定销的位置在与所述固定块的移动方向相交的方向上为可变化的。
14.根据权利要求11所述的处理待处理的物体的设备,其中所述控制单元包括:
收集部分,其配置成收集所述待处理的物体的尺寸和厚度的数据;以及
驱动控制部分,其配置成根据所述收集部分收集的所述待处理的物体的所述数据控制所述主要可变固定本体和所述辅助可变固定本体的驱动。
15.根据权利要求14所述的处理待处理的物体的设备,其中所述驱动控制部分按所述主要可变固定本体和所述辅助可变固定本体的顺序控制所述主要可变固定本体和所述辅助可变固定本体的驱动。
16.根据权利要求9所述的处理待处理的物体的设备,其中所述待处理的物体划分成光照区域和非光照区域,并且
所述设备进一步包括覆盖单元,其安置成与所述固定部件隔开以覆盖所述待处理的物体的所述非光照区域。
17.根据权利要求16所述的处理待处理的物体的设备,其中所述覆盖单元包括:
路径构造部分,其在一个方向上延伸且安置成与所述非光照区域隔开;以及
覆盖部件,其沿着所述路径构造部分为可移动的以覆盖所述非光照区域。
18.一种用于处理待处理的物体的方法,所述方法包括:
准备所述待处理的物体以收集所述待处理的物体的数据;
根据所述数据调节多个固定部件的可变的位置;
通过使用所述多个固定部件固定所述待处理的物体;以及
将光照射在所述待处理的物体上。
19.根据权利要求18所述的用于处理待处理的物体的方法,其中调节所述多个固定部件的所述位置包括:
移动所述多个固定部件的一部分,使所述多个固定部件的一部分与所述待处理的物体的第一侧面和与所述第一侧面相交的第二侧面接触;以及
移动所述多个固定部件的其余部分,使所述多个固定部件的其余部分与除了所述第一侧面和所述第二侧面之外的其余侧面接触。
20.根据权利要求18所述的用于处理待处理的物体的方法,在固定所述待处理的物体之后,所述方法进一步包括:
确定所述待处理的物体上是否存在非光照区域;以及
根据所述非光照区域的存在或不存在,覆盖所述待处理的物体的所述非光照区域。
21.根据权利要求20所述的用于处理待处理的物体的方法,其中覆盖所述待处理的物体的所述非光照区域包括:
准备覆盖部件,所述覆盖部件的尺寸与所述非光照区域的尺寸相对应;以及
将所述覆盖部件移动到所述非光照区域上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160094913A KR102007907B1 (ko) | 2016-07-26 | 2016-07-26 | 피처리물 지지 장치, 피처리물 처리 장치 및 피처리물 처리 방법 |
KR10-2016-0094913 | 2016-07-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107658240A true CN107658240A (zh) | 2018-02-02 |
CN107658240B CN107658240B (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=61128135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710615381.8A Active CN107658240B (zh) | 2016-07-26 | 2017-07-25 | 用于处理待处理的物体的设备和方法和用于其的平台单元 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102007907B1 (zh) |
CN (1) | CN107658240B (zh) |
TW (1) | TWI744355B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114769960B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-02-10 | 先之科半导体科技(东莞)有限公司 | 一种自动定位焊接一体化二极管加工设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1800865A (zh) * | 2004-12-04 | 2006-07-12 | 飞而康公司 | 悬臂板搬运装置 |
CN102180348A (zh) * | 2011-04-02 | 2011-09-14 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 精准导向定位设备 |
KR20120122793A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 참엔지니어링(주) | 기판용 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
CN104425317A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | Ap系统股份有限公司 | 排气设备和具有排气设备的衬底处理设备 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100530982B1 (ko) | 2003-07-02 | 2005-11-28 | 주식회사 디이엔티 | 기판 검사장치용 멀티 스테이지 |
KR100731308B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2007-06-25 | (주)유비프리시젼 | 엘씨디 검사장치용 워크테이블의 다규격 패널 지지장치 |
KR101179870B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2012-09-05 | 참엔지니어링(주) | 기판 안착 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
JP2013187293A (ja) | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板保持方法及び基板保持装置 |
-
2016
- 2016-07-26 KR KR1020160094913A patent/KR102007907B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-18 TW TW106123917A patent/TWI744355B/zh active
- 2017-07-25 CN CN201710615381.8A patent/CN107658240B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1800865A (zh) * | 2004-12-04 | 2006-07-12 | 飞而康公司 | 悬臂板搬运装置 |
CN102180348A (zh) * | 2011-04-02 | 2011-09-14 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 精准导向定位设备 |
KR20120122793A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 참엔지니어링(주) | 기판용 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치 |
CN104425317A (zh) * | 2013-08-28 | 2015-03-18 | Ap系统股份有限公司 | 排气设备和具有排气设备的衬底处理设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201804513A (zh) | 2018-02-01 |
TWI744355B (zh) | 2021-11-01 |
CN107658240B (zh) | 2023-11-24 |
KR20180012092A (ko) | 2018-02-05 |
KR102007907B1 (ko) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101617069B (zh) | 处理膜的系统和方法以及薄膜 | |
JP5495043B2 (ja) | レーザアニール方法、装置及びマイクロレンズアレイ | |
EP2260967A2 (en) | Arrangement and method for forming one or more separated scores in a surface of a substrate | |
KR20120043072A (ko) | 횡방향 등치선 스크라이브, 스티칭, 및 간략화된 레이저 및 스캐너 제어들 | |
KR101326569B1 (ko) | 레이저 스크라이브 방법 및 레이저 가공 장치 | |
CN102770939B (zh) | 用于非周期性脉冲部分熔融膜处理的系统和方法 | |
EP1404481A2 (en) | A laser machining system and method | |
CN102554459B (zh) | 结晶设备、结晶方法及制造有机发光显示装置的方法 | |
JP2008080346A (ja) | レーザ加工装置及び加工方法 | |
WO2011071886A1 (en) | Laser machining and scribing systems and methods | |
US11264259B2 (en) | Workpiece conveyance apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and workpiece conveyance method | |
KR101483746B1 (ko) | 레이저 유리 커팅 시스템 및 이를 이용한 유리 커팅 방법 | |
US20100294746A1 (en) | Laser scribing platform with moving gantry | |
CN107658240A (zh) | 用于处理待处理的物体的设备和方法和用于其的平台单元 | |
US20220097174A1 (en) | Variable beam geometry laser-based powder bed fusion | |
KR101583535B1 (ko) | 어닐 피처리체의 제조 방법, 레이저 어닐 지지대 및 레이저 어닐 처리 장치 | |
KR20120101087A (ko) | 비주기적인 펄스 순차 측면 고상화를 위한 시스템 및 방법 | |
CN102350592A (zh) | 具有可变束斑尺寸的激光处理系统 | |
CN102528296A (zh) | Ito银浆激光刻蚀方法 | |
JP2010118409A (ja) | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 | |
CN103081065B (zh) | 激光退火装置及激光退火方法 | |
CN102717195A (zh) | 一种双波长激光切割钢化玻璃的方法及其装置 | |
CN106663629B (zh) | 扫描脉冲退火装置及方法 | |
JP2012055966A (ja) | レーザー加工装置 | |
CN103846554A (zh) | 激光加工方法及激光加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |