CN107658218A - 激光处理设备以及激光处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种激光处理设备及一种激光处理方法，激光处理设备包含：腔室，于其中具有用于处理衬底的空间以及在其上表面上的透射窗口；载物台，用于支撑腔室中的衬底；激光部件，其安装在腔室的外部且利用激光辐照腔室的内部；第一监测部件，其定位于衬底上方且具有衬底的成像区，所述成像区在衬底的宽度方向上延伸；以及第二监测部件，其定位于衬底上方且具有衬底的成像区，所述成像区在衬底的长度方向上延伸，其中在利用激光处理衬底的同时，可实时地监测是否在衬底的表面上出现缺陷。

Description

激光处理设备以及激光处理方法
技术领域
本发明涉及一种激光处理设备以及一种激光处理方法，其能够在通过使用激光处理衬底的同时实时地监测衬底表面中是否出现缺陷。
背景技术
当在制造半导体、FPD、光伏元件等等期间在高温下沉积薄膜时，可能会引起以下问题：反应炉被热化学反应污染或产生非所需化合物。因此，为在低温下沉积薄膜，已使用激光激发等离子体化学气相沉积方法。
用于通过使用激光处理衬底的一般设备包含：腔室，其具有内部空间；载物台，其安装在所述腔室中，支撑所述腔室，且在处理进行方向上转移所述衬底；透射窗口，其安装在所述腔室的上部部分中且允许激光通过所述透射窗口；以及激光振荡器，其从所述腔室外部经由所述透射窗口发射激光。根据用于处理衬底的此类设备，从激光振荡器发射的激光通过透射窗口，且辐照水平移动的衬底。
然而，在相关技术中，用于处理衬底的此类设备与检查设备一直是单独地提供。即，在单独的点个别地执行处理衬底的步骤与检查衬底的步骤。因此，安装整个装备时存在空间限制，且存在使衬底移动以及检查衬底花费长时间的问题。
[现有技术文档]
(专利文档)KR2015-0045696 A
发明内容
本发明提供一种激光处理设备以及一种激光处理方法，其能够在通过使用激光处理衬底的同时实时地监测衬底表面中是否出现缺陷。
本发明提供能够改善衬底处理步骤的效率的激光处理设备以及激光处理方法。
根据示范性实施例，一种激光处理设备包含：腔室，于其中具有用于处理衬底的空间以及在其上表面上的透射窗口；载物台，用于支撑所述腔室中的所述衬底；激光部件，其安装在所述腔室的外部且利用激光辐照所述腔室的内部；第一监测部件，其定位于所述衬底上方且具有所述衬底的成像区，所述成像区在所述衬底的宽度方向上延伸；以及第二监测部件，其定位于所述衬底上方且具有所述衬底的成像区，所述成像区在所述衬底的长度方向上延伸。
所述第一监测部件可安装在所述腔室与所述激光部件之间，且可对应于形成于所述腔室的所述上表面上的第一开口部分的位置而安置。
所述第一监测部件可包含：第一箱体，其具有内部空间且覆盖所述第一开口部分；反射镜单元，其安装在所述第一箱体的所述内部空间中且安置在所述第一开口部分上方；以及第一相机，其经安装以便与所述第一箱体的所述内部空间中的所述反射镜单元隔开，且经由所述反射镜单元对所述衬底进行成像。
所述反射镜单元可包含：成像反射镜，其在所述衬底的所述宽度方向上延伸；以及位置调整器，其支撑所述成像反射镜且能够控制所述成像反射镜的倾角与移动距离当中的至少任一者。
所述第二监测部件可对应于形成于所述腔室的所述上表面上的第二开口部分的位置而安置，且所述第一开口与所述第二开口可在所述衬底的所述宽度方向上彼此隔开。
所述第二监测部件可包含：第二箱体，其具有内部空间且覆盖所述第二开口部分；第二相机，其安装在所述第二箱体的所述内部空间中且对所述衬底进行成像；以及镜筒单元，其支撑所述第二箱体中的所述第二相机且被允许调整所述第二相机的倾角。
所述激光处理设备可进一步包含检查部件，所述检查部件连接到所述第一监测部件以及所述第二监测部件且检查所述衬底的表面上的缺陷。
所述检查部件可包含：编辑器，其组合由所述第一监测部件与所述第二监测部件俘获的图像；以及比较器，其比较由所述编辑器组合而成的所述图像与预先俘获的正常图像。
根据示范性实施例，一种激光处理方法包含：利用激光辐照衬底；利用具有在所述衬底的宽度方向上延伸的成像区的第一相机以及具有在所述衬底的长度方向上延伸的成像区的第二相机对所述衬底进行成像；以及确认在所述衬底的表面上的缺陷。
可进一步包含在利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像之前使所述第一相机以及所述第二相机聚焦。
利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像可包含对所述衬底上利用激光辐照的区进行成像。
通过所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像可包含利用所述第一相机对所述衬底的中心区进行成像且利用所述第二相机对所述衬底的边缘区进行成像。
在利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像时，可以重叠方式对所述衬底的至少一部分进行成像。
利用激光辐照所述衬底以处理所述衬底包括利用激光辐照所述腔室的内部，且利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像可包含对所述腔室内部的所述衬底进行成像。
可同时执行利用激光辐照所述衬底与利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像。
利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像可包含在完成利用激光辐照所述衬底之后再对所述衬底进行成像。
确认所述衬底的所述表面上的缺陷可包含：组合所述衬底的所俘获图像；以及比较所组合的所述图像与预先俘获的正常图像。
利用激光辐照所述衬底以处理所述衬底可包含对所述衬底进行退火。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述可更详细地理解示范性实施例，其中：
图1为根据示范性实施例的激光处理设备的透视图。
图2为根据示范性实施例的激光处理设备的横截面图。
图3为说明根据示范性实施例的第一监测部件和第二监测部件的结构的平面图。
图4为说明根据示范性实施例的第一监测部件的操作性结构的视图。
图5为说明根据示范性实施例的第二监测部件的操作性结构的视图。
图6为说明根据示范性实施例的第一监测部件和第二监测部件俘获衬底的图像的结构的视图。
图7为说明根据示范性实施例的激光处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示范性实施例。然而，本发明可以不同的形式来体现，且不应解释为限于本文所陈述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本发明将是透彻且完整的，且将把本发明的范围充分地传达给所属领域的技术人员。为详细地描述本发明，可能会夸示附图，且在所述附图中，相同参考数字指代相同元件。
图1为根据示范性实施例的激光处理设备的透视图，图2为根据示范性实施例的激光处理设备的横截面图，图3为说明根据示范性实施例的第一监测部件和第二监测部件的结构的平面图，图4为说明根据示范性实施例的第一监测部件的操作性结构的视图，图5为说明根据示范性实施例的第二监测部件的操作性结构的视图，图6为说明根据示范性实施例的第一监测部件和第二监测部件俘获衬底的图像的结构的视图；且图7为说明根据示范性实施例的激光处理方法的流程图。
参考图1和图2，根据示范性实施例的激光处理设备1000包含：腔室10，于其中形成有用于处理衬底S的空间且具有在其上表面上形成的透射窗口15；载物台30，其支撑腔室10内部的衬底S；激光部件20，其定位在腔室10的外部且利用激光经由透射窗口15辐照腔室10的内部；第一监测部件100，其定位于衬底S上方且具有衬底成像区，所述衬底成像区经形成以在衬底S的宽度方向上延伸；以及第二监测部件，其定位于衬底S上方且具有衬底成像区，所述衬底成像区在衬底S的长度方向上形成于第二监测部件中，其中检查部件300连接到第一监测部件100和第二监测部件200，且检查衬底S的表面上的缺陷。
在此情况下，衬底S的长度方向可为衬底移动方向，且衬底S的宽度方向可为左右方向。然而，实施例不限于此，且长度方向与宽度方向还可彼此切换。即，第一监测部件100的成像区域经形成以在一个方向上延伸，且第二监测部件200的成像区域经形成以在与所述一个方向交叉的方向上延伸。
腔室10形成为具有内部空间的圆筒形形状。举例来说，腔室10的横截面形状可为矩形。腔室10经形成以具有带有四个封闭侧的结构，且于其中形成用于处理衬底的空间。
而且，透射窗口15安装在腔室10的上表面上。透射窗口15可定位于来自激光部件20的激光辐照的部分下方。因此，透射窗口15使激光通过，同时封闭腔室10的内部。而且，腔室10还可与用于在内部空间中形成真空压力的真空泵连接。然而，腔室10的结构和形状不限于此，而是可多样化。
载物台30用以支撑腔室10内部的衬底S，且可以可移动地安装。举例来说，在执行激光处理步骤时，在确认衬底S的位置之后使载物台30移动，且接着，载物台30移动可将衬底S移动到利用激光辐照的区。举例来说，载物台30可使衬底S在前后方向移动。因此，可通过移动载物台30而利用激光辐照衬底S上的所需位置。或者，在载物台30固定时，且在激光部件20移动时，也可利用激光辐照衬底S上的所需位置。
激光部件20用以利用激光辐照衬底S且由此处理衬底S。举例来说，可对衬底S进行退火。激光部件20包含：激光产生单元21，其发射激光；以及光学单元，其使从激光产生单元21发射的激光透射到腔室10的内部。
激光产生单元21用以产生激光束。举例来说，从激光产生单元21产生的激光束可为准分子激光，且可使形成于衬底S上的非晶形薄膜结晶。然而，所使用的激光束的种类不限于此，而是可多样化。
光学单元22用以将从激光产生单元21产生的激光引导到衬底S。光学单元22可包含：外壳22a，其形成激光行进路径；透镜(未显示)，其安装在外壳22a中且调整通过的激光的特性；以及激光反射镜22b，其安装在外壳22a中，且可折射或反射激光以改变激光辐照方向。
外壳22a可与腔室10隔开，且外壳22a中发射激光的部分可定位于腔室10的透射窗口15上方。因此，在外壳22a的内部行进的激光可经由激光反射镜22b发射到腔室10中。然而，激光部件20的结构不限于此，而是可多样化。
在此情况下，在通过激光部件20处理衬底S的同时，斑点缺陷(或云纹)可能会出现在衬底S的表面上。因此，设置第一监测部件100和第二监测部件200，由此可对衬底S的表面进行双重成像，且可实时地检查衬底S的表面上的缺陷。然而，激光处理步骤的种类不限于此，而是可多样化。
参考图3和图4，第一监测部件100安装在腔室10与激光部件20之间的隔开空间中，且成像区域经形成以在衬底S的宽度方向(或左右方向)上延伸。第一开口部分17可形成于腔室10的上表面上。第一开口部分17可在衬底S的移动方向(或前后方向)上与透射窗口15隔开，且经形成以在衬底S的宽度方向上延伸。举例来说，在衬底S从前到后移动时，第一开口部分17可定位于透射窗口15后方。因此，第一监测部件100可对利用激光处理的衬底S的表面进行成像。而且，第一开口部分17可形成为矩形形状。
第一监测部件100经安置以对应于第一开口部分17的位置，且可经由第一开口部分17对腔室10的内部进行成像。即，第一开口部分17还可经形成以在左右方向上延伸，使得可对经形成以在第一监测部件100的左右方向上延伸的区进行成像。然而，第一开口部分17的形状和位置不限于此，而是可多样化。
第一监测部件100包含：第一箱体110，其具有内部空间且覆盖第一开口部分17；反射镜单元120，其安装在第一箱体110的内部空间中且安置在第一开口部分17上方；以及第一相机130，其安装在第一箱体110的内部空间中以与反射镜单元120隔开，且经由反射镜单元120对衬底S进行成像，其中可进一步包含密封腔室10与外壳22a之间的间隙的第一密封单元140。
第一箱体110中可具有容纳反射镜单元120和第一相机130的空间。举例来说，第一箱体110可形成为矩形平行六面体或立方体的形状，且可具有开放的下部部分。第一箱体110安装在腔室10的上表面上，且覆盖第一开口部分17。因此，第一箱体110可防止腔室10中的气体经由第一开口部分17泄漏。
而且，安装第一箱体110的安装槽可形成于腔室10的上表面上。所述安装槽可经形成以对应于第一箱体110的外围形状，且第一箱体可通过装配到安装槽中来加以固定。
而且，第一门(未显示)可设置到第一箱体110。所述第一门可安装在第一箱体110的上表面和侧表面当中的至少任一个部分中。在第一门打开时，第一箱体110的内部与外部连通，且在第一门关闭时，第一箱体110的内部被封闭。因此，在执行激光处理的同时，可关闭第一门以封闭第一箱体110的内部，且在维修或更换第一相机130或反射镜单元120时，可打开第一门以促进操作者的修复或更换。然而，第一箱体110的结构和形状不限于此，而是可多样化。
第一密封单元140可安装在第一箱体110与腔室10之间。举例来说，第一密封单元140可为O形环，且可经形成以对应于第一箱体110的外围形状。第一密封单元140用以封住第一箱体110与腔室10之间的间隙。因此，可防止腔室10内部的气体泄漏到外部，且可容易地使腔室10的内部处于真空状态。
因为第一监测部件100定位于腔室10与激光部件20之间，因此第一相机130可竖直移动的距离存在限制，且难以在移动第一相机130的同时调整第一相机130的焦点。因此，可设置反射镜单元120以便利用腔室10与激光部件20之间的第一相机130对衬底S进行成像。即，因为反射镜单元120可在前后方向上移动而不受垂直方向上的空间限制或可调整其倾斜度，因此第一相机130可容易地经由反射镜单元120对衬底S进行成像，甚至在具有小高度的空间中也是如此。
反射镜单元120包含：成像反射镜，其经形成以在衬底S的宽度方向上延伸；位置调整器122，其支撑成像反射镜121且可调整成像反射镜的倾角与移动距离当中的至少任一者。
成像反射镜121在衬底S的宽度方向(或左右方向)上延伸。而且，成像反射镜121可安置成朝向衬底S倾斜的状态。因此，第一相机130可对由成像反射镜121反射的区进行成像。因此，第一相机130的成像区域可经形成以在成像反射镜121的延伸方向上延伸。
位置调整器122用以通过调整成像反射镜121的位置来使第一相机130聚焦。位置调整器122可包含：支撑构件122a，其支撑成像相机121；转移构件(未显示)，其使支撑部件122a在衬底S的宽度方向上转移；以及轨道构件，其形成转移构件的移动路径。
一对支撑构件122a经设置且分别连接到成像反射镜121的两个末端部分。而且，成像反射镜121可以可旋转地耦合到支撑构件122a。因此，成像反射镜121可由支撑构件122a支撑在第一开口部分17上方。因此，可通过调整成像反射镜121的倾斜角度来使第一相机130聚焦。
转移构件可安装在支撑构件122a下方。转移构件可包含行进转轮以及用于使行进转轮旋转的电动机。因此，在通过控制电动机而使行进转轮旋转时，耦合到转移构件的支撑构件122a可能会来回移动。因此，通过移动转移构件来调整成像反射镜与第一相机130之间的间隔距离，以使得可调整第一相机130的成像角度，且可使第一相机130聚焦。
轨道构件122b可经形成以在前后方向上延伸，且安装在腔室10的上表面或第一外壳22a上。一对轨道构件122b可经设置，且彼此隔开等于或大于第一开口17在左右方向上的长度的距离。转移构件可安装在轨道构件122b上，且可在轨道构件122b的延伸方向上来回移动。即，轨道构件122b可形成转移构件的移动路径。然而，位置调整器122的结构、组件的形状以及组件的组合不限于此，而是可多样化。
第一相机130与成像反射镜121在第一箱体110中的衬底S的长度方向(或前后方向)上隔开。因为第一相机130经由成像反射镜121间接地对衬底S的形状进行成像，因此仅可对由成像反射镜121反射的区进行成像。即，因为成像反射镜121经形成以在衬底S的宽度方向上延伸，因此第一相机130可对经形成以在衬底S的宽度方向上延伸的区进行成像。即，可对衬底S的一部分进行成像。因此，在将由第一相机130俘获的诸多图像组合成一个图像时，可产生衬底S的一个图像。
参考图5，第二监测部件200安装在腔室10与激光部件20之间的隔开空间中，且成像区域可经形成以在衬底S的长度方向(或前后方向)上延伸。即，第二监测部件200的成像区域可经形成以在与第一监测部件100的成像区域交叉的方向上延伸。第二开口部分19可形成于腔室10的上表面上。第二开口部分19与第一开口部分在衬底S的宽度方向(或左右方向)上隔开。举例来说，第二开口部分19可形成为矩形形状。第二监测部件200经安置以对应于第二开口部分19的位置，且可经由第二开口部分19对腔室10的内部进行成像。然而，第二开口部分19的形状和位置不限于此，而是可多样化。
第二监测部件200包含：第二箱体210，其具有内部空间且覆盖第二开口部分19；第二相机220，其安装在第二箱体210的内部空间中且对衬底S进行成像；以及镜筒单元230，其支撑第二箱体210中的第二相机220且可调整第二相机的倾角，其中可进一步包含密封腔室10与第二箱体210之间的间隙的第二密封单元(未显示)。
第二箱体210中可具有容纳第二相机220和镜筒单元230的空间。举例来说，第二箱体210可形成为矩形平行六面体或立方体的形状，且可具有开放的下部部分。第二箱体210安装在腔室10的上表面上，且覆盖第二开口部分19。因此，第二箱体210可防止腔室10中的气体经由第二开口部分19泄漏。
此外，第二箱体210可耦合到第一箱体110的侧表面。举例来说，第二箱体210可与第一箱体110以集成形状制造，且其内部可彼此连通。或者，第一箱体110与第二箱体210的内部空间通过分隔件分隔开，且由此可彼此隔离或可单独地制造且经由例如熔接等方法接合。即，第一箱体110与第二箱体210可彼此连接，且可形成一个监测箱体。
而且，安装第二箱体210的安装槽可形成于腔室10的上表面上。所述安装槽可经形成以对应于第二箱体210的外围形状，且第二箱体可通过装配到安装槽中来加以固定。
而且，第二门(未显示)可设置到第二箱体210。所述第二门可安装在第二箱体210的上表面和侧表面当中的至少任一个部分中。在第二门打开时，第二箱体210的内部与外部连通，且在第二门关闭时，第二箱体210的内部被封闭。因此，在执行激光处理的同时，可关闭第二门以封闭第二箱体210的内部，且在维修或更换第二相机220或镜筒单元230时，可打开第二门以促进操作者的修复或更换。然而，第二箱体210的结构和形状不限于此，而是可多样化。
第二密封单元可安装在第二箱体210与腔室10之间。举例来说，第二密封单元可为O形环，且可经形成以对应于第二箱体210的外围形状。第二密封单元用以封闭第二箱体210与腔室10之间的间隙。因此，可防止腔室10内部的气体泄漏到外部，且可容易地使腔室10的内部处于真空状态。
第二相机220可由镜筒单元230支撑于倾斜状态。因此，在对角线方向上与衬底S隔开的同时，第二相机220可对衬底S进行成像。第二相机220可经由第二开口部分19直接对衬底S的表面进行成像。
镜筒单元230用以支撑第二相机220，且调整第二相机的倾角。镜筒单元230可与第二开口部分19在衬底S的宽度方向上隔开。镜筒单元230将第二相机220支撑于高于第二开口部分19的位置，使得第二相机220倾斜。因此，第二相机220可经由第二开口部分19从在对角线方向上隔开的位置对衬底S进行成像。因此，第二相机220可从在平面中在前后方向上移动的衬底S的左侧或右侧对衬底S进行成像。
举例来说，镜筒单元230可为R引导件。第二相机220的移动路径可形成为弯曲形状或斜线形状，所述移动路径是通过镜筒单元230形成。因此，可在第二相机通过镜筒单元230沿着具有弯曲形状或斜线形状的移动路径移动的同时调整第二相机220的倾斜度。即，在第二相机220向上旋转时，相对于衬底S的倾斜度可增大，且在向下旋转时，相对于衬底S的倾斜度可减小。因此，在通过镜筒单元230调整第二相机220的倾角的同时，可调整焦点和成像区域。在此情况下，即使第二相机220的倾角改变，距衬底S的间隔距离也可能始终恒定，且第二相机可对衬底S进行成像，同时稳定地与衬底S隔开一定距离。然而，镜筒单元230的结构不限于此，而是可多样化。
而且，可设置多个第二监测部件200。举例来说，可设置两个第二监测部件200，一个安置在第一监测部件100左方，且另一个安置在第一监测部件100右方。因此，第一监测部件100可对衬底S的中心区A进行成像，且一对第二监测部件200可对不可由第一监测部件100成像的边缘区域(在衬底S的左侧和右侧)进行成像。因此，可通过将衬底S划分成多个区而利用多个相机对衬底S的整个区进行成像。
参考图6，第一监测部件100与第二监测部件200从彼此不同的位置对衬底S进行成像。第一监测部件100具有经形成以在左右方向上延伸且对在前后方向上移动的衬底S的表面进行成像的成像区域，且第二监测部件200具有经形成以在前后方向上延伸且对在前后方向上移动的衬底S的表面进行成像的成像区域。即，第一监测部件100与第二监测部件200可对衬底S中彼此不同的区进行成像。
举例来说，第一监测部件100可对衬底S的中心区A进行成像，且第二监测部件200可对衬底S的右侧和左侧中的边缘区B进行成像。因此，因为可通过使用第一监测部件100和第二监测部件200对衬底S的整个区进行快速成像，因此用于检查衬底表面的时间可得以减少。
而且，由第一监测部件100与第二监测部件200成像的区的至少一部分可重叠。因此，衬底S双重地成像，且因此，可改善缺陷的检测准确度因此，可精确地检测衬底S的表面的缺陷。
而且，第一相机130和第二相机220安装在腔室10外部，使得第一相机130和第二相机220可对衬底S的宽区域进行成像。因此，因为第一相机130与衬底S或第二相机220与衬底S彼此隔开足够距离，因此利用相机成像的衬底S的区的区域可增大，且可防止相机干扰腔室10内部的衬底S处理步骤。
检查部件300连接到第一监测部件100和第二监测部件200，且用以经由第一监测部件100和第二监测部件200所俘获的图像检查衬底S的表面上的缺陷。检查部件300包含：编辑器310，其组合由第一监测部件100和第二监测部件200俘获的图像；以及比较器320，其比较由编辑器组合而成的图像与预先俘获的正常图像。
编辑器310连接到第一监测部件100和第二监测部件200，且可由此收集由第一相机130和第二相机220俘获的图像。而且，编辑器310可执行将所收集图像组合或接合成一个图像的编辑工作。因此，由第一相机130和第二相机220俘获的图像组合成一个图像，且可由此产生整个衬底S的一个图像。
比较器320用以经由由编辑器310组合成一个图像的图像来确认衬底S的表面上的缺陷。先前可存储对正常状态下的衬底S的表面进行成像的图像。因此，比较器320可比较预先存储的正常图像与由编辑器310组合成一个图像的图像。因此，在发现正常图像与组合成一个图像的图像不同的部分时，比较器320可确定出现缺陷。
由此，在利用激光处理衬底S的同时，可经由第一监测部件100和第二监测部件200实时地确认衬底S的状态。即，可在一个激光处理设备1000中同时执行处理衬底S的步骤与检查衬底S的步骤。因此，可改善整个装备的空间可用性，且因为在激光处理设备1000中省略将衬底从处理设备移动到单独检查设备的步骤，因此可改善整个步骤的效率。
此外，因为在确认衬底状态的同时处理衬底，因此在发现缺陷时，可即刻将此缺陷反映给处理步骤。因此，可降低缺陷比率，且可改善激光处理步骤的生产率。
在下文中，将详细地描述根据示范性实施例的激光处理方法。
参考图7，根据示范性实施例的激光处理方法包含：通过利用激光辐照衬底来处理衬底(S100)；利用具有经形成以在衬底的宽度方向上延伸的成像区域的第一相机对衬底进行成像，且利用具有经形成以在衬底的长度方向上延伸的成像区域的第二相机对衬底进行成像(S200)；以及确认衬底的表面上的缺陷。在此情况下，利用第一相机130对衬底S进行成像与利用第二相机220对衬底S进行成像可同时执行，且还可个别地执行。
首先，在利用第一相机130和第二相机220对衬底S进行成像之前或在利用激光辐照衬底S之前，可使第一相机130和第二相机220聚焦。即，因为衬底S上的薄膜的厚度根据衬底S的沉积状态而可能不同，因此需要根据薄膜的厚度使第一相机130和第二相机220聚焦。
举例来说，可基于可上下、前后以及左右移动的手动载物台来使第一相机130和第二相机220聚焦。即，调整手动载物台的位置，接着调整成像反射镜121和第二相机220的位置或倾斜度，且因此，可将第一相机130和第二相机220的焦点调整到手动载物台30。在此情况下，在使第一相机130和第二相机220聚焦时，可固定成像反射镜121和第二相机220的倾斜度。
接下来，在使载物台30上的衬底S移动的同时，可利用激光辐照衬底S的表面。从激光部件20发射的激光可经由设置在腔室10的上表面上的透射窗口15而发射到腔室的内部。可利用激光辐照衬底S，且可由此执行退火操作。在退火操作期间，因为例如斑点等缺陷可能会出现在衬底S的表面上，因此可利用第一相机130和第二相机220监测衬底S的表面。因此，第一相机130和第二相机220可定位在透射窗口15后方，且可由此对衬底S上由激光辐照的区进行成像。因此，可利用第一相机130和第二相机220快速地监测在激光处理期间是否出现缺陷。然而，激光处理步骤的种类不限于此，而是可多样化。
在此情况下，可同时执行利用激光辐照衬底S与利用第一相机130和第二相机220对衬底S进行成像。因此，可通过即刻对衬底S上由激光辐照的区进行成像来实时地监测在激光处理期间是否出现缺陷。因此，在激光处理中出现问题时，可通过即刻应对措施来降低缺陷比率。
同时，利用第一相机130与第二相机220成像的区可彼此不同。即，第一相机130与第二相机220可从彼此不同的位置对衬底S上彼此不同的区进行成像。第一相机130可具有经形成以在衬底S的宽度方向上延伸的成像区域，且可对衬底S的中心区A进行成像。因此，由第一相机130俘获的图像在前后方向上组合，可形成衬底S的整个中心区的图像。
第二相机220可具有经形成以在衬底S的长度方向上延伸的成像区域，且可对衬底S的边缘区B进行成像。因此，由第二相机220俘获的图像在前后方向上组合，可形成衬底S的整个边缘区的图像。
即，利用第一相机130对衬底S的中心区进行成像，且可利用第二相机220对衬底S的边缘区进行成像。在此情况下，边缘区为围绕衬底S的中心区的左侧和右侧当中的至少任何一个部分的区(或偏离第一相机130的成像区域的区)。因此，因为利用第一相机130和第二相机220对衬底S的不同区同时进行成像，因此可对衬底S的整个区快速成像。
或者，第一相机130与第二相机220还可以重叠方式对衬底S的至少一个部分进行成像。即，利用第一相机130与第二相机220成像的区还可重叠。因此，第一相机130和第二相机220对衬底S的表面上的重叠区C进行双重成像，且可由此改善缺陷的检测准确度。因此，可精确地检测衬底S的表面的缺陷。然而，利用第一相机130与第二相机220成像的区不限于此，而是可多样化。
接下来，完成激光辐照，且衬底S还可再次经由第一相机130和第二相机220进行成像。即，在初次对衬底S进行成像时，衬底S对应于辐照激光而移动，且第一相机130和第二相机220的成像区域可为窄的。因此，第一相机130和第二相机220也无法对在前后方向上移动的衬底S的整个区进行成像。
衬底S可再次对应于第一相机130和第二相机220的成像区域而移动，使得可利用第一相机130和第二相机220对衬底S的整个区进行成像。因此，可利用第一相机130和第二相机220对衬底S的整个区进行成像，且可精确地检测衬底S的缺陷。然而，通过第一相机130和第二相机220对衬底S的成像次数不限于此，而是可多样化。而且，对衬底S成像的次数越大，缺陷检测的准确度越高，且成像的次数越少，检测时间越短。
在此情况下，利用激光辐照腔室10内部的衬底S，且第一相机130和第二相机220可对腔室10内部的衬底S进行成像。即，在同一装备或设备中，可一起执行处理与检查衬底S的步骤。因此，在处理衬底S之后，衬底S可以不通过单独设备移动以便检查衬底S的表面。因此，用于处理和检查衬底S的时间减少，且可由此改善步骤的效率。而且，还可改善整个装备的空间可用性。
接下来，可将利用第一相机130和第二相机220成像的衬底S的每一区的图像组合成一个图像。即，可执行编辑操作，其中收集由第一相机130和第二相机220俘获的图像，且将所收集图像组合成一个图像。因此，由第一相机130和第二相机220俘获的图像组合成一个图像，且可由此产生整个衬底S的一个图像。
接下来，可将组合图像与预先俘获的正常图像进行比较。即，可经由组合成一个图像的图像来确认衬底S的表面上的缺陷。先前可存储对正常状态下的衬底S的表面进行成像的图像。因此，比较器320可比较预先存储的正常图像与组合成一个图像的图像。因此，在发现正常图像与组合成一个图像的图像不同的部分时，比较器320可确定出现缺陷。
接下来，在发现衬底S上无缺陷时，可完成操作。在发现衬底S上的缺陷时，可执行对应于所述缺陷的应对措施。举例来说，在衬底S上出现斑点缺陷的原因是归因于发射到衬底S上的激光的强度。因此，调整激光的强度或可停止激光辐照。然而，在发现缺陷时，应对措施不限于此，而是可多样化。
由此，在利用激光处理衬底S的同时，可经由第一监测部件100和第二监测部件200实时地确认衬底S的状态。即，可在一个激光处理设备1000中同时执行处理衬底S的步骤与检查衬底S的步骤。因此，可改善整个装备的空间可用性，且因为在激光处理设备1000中省略将衬底S从处理设备移动到单独检查设备的步骤，因此可改善整个步骤的效率。
此外，因为在确认衬底S状态的同时处理衬底S，因此在发现缺陷时，可即刻将此缺陷反映给处理步骤。因此，可降低缺陷比率，且可改善激光处理步骤的生产率。
根据示范性实施例，可在通过使用激光处理衬底的同时实时地确认衬底状态。即，在一个设备中，可同时执行处理衬底的步骤与检查衬底的步骤。因此，可改善整个装备的空间可用性，且因为省略了将衬底从处理设备移动到单独检查设备的步骤，因此可改善整个步骤的效率。
此外，因为在确认衬底状态的同时处理衬底，因此在发现缺陷时，可即刻将此缺陷反映给处理步骤。因此，可降低缺陷比率，且可改善激光处理步骤的生产率。
尽管已在本发明的具体实施方式中描述了特定实施例，但可在本发明的范围内进行各种修改。因此，本发明的范围不应限于上文描述的实施例，而是由上文阐述的等效物以及权利要求书来确定。

Claims (18)

1.一种激光处理设备，其包括：
腔室，于所述腔室中具有用于处理衬底的空间以及在所述腔室的上表面上的透射窗口；
载物台，用于支撑所述腔室中的所述衬底；
激光部件，其安装在所述腔室的外部且利用激光辐照所述腔室的内部；
第一监测部件，其定位于所述衬底上方且具有所述衬底的成像区，所述成像区在所述衬底的宽度方向上延伸；以及
第二监测部件，其定位于所述衬底上方且具有所述衬底的成像区，所述成像区在所述衬底的长度方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的激光处理设备，其中所述第一监测部件安装在所述腔室与所述激光部件之间，且对应于形成于所述腔室的所述上表面上的第一开口部分的位置而安置。
3.根据权利要求2所述的激光处理设备，其中所述第一监测部件包括：
第一箱体，其具有内部空间且覆盖所述第一开口部分；
反射镜单元，其安装在所述第一箱体的所述内部空间中且安置在所述第一开口部分上方；以及
第一相机，其经安装以便与所述第一箱体的所述内部空间中的所述反射镜单元隔开，且经由所述反射镜单元对所述衬底进行成像。
4.根据权利要求3所述的激光处理设备，其中所述反射镜单元包括：
成像反射镜，其在所述衬底的所述宽度方向上延伸；以及
位置调整器，其支撑所述成像反射镜且能够控制所述成像反射镜的倾角与移动距离当中的至少任一者。
5.根据权利要求2所述的激光处理设备，其中
所述第二监测部件对应于形成于所述腔室的所述上表面上的第二开口部分的位置而安置，且
所述第一开口部分与所述第二开口部分在所述衬底的所述宽度方向上彼此隔开。
6.根据权利要求5所述的激光处理设备，其中所述第二监测部件包括：
第二箱体，其具有内部空间且覆盖所述第二开口部分；
第二相机，其安装在所述第二箱体的所述内部空间中且对所述衬底进行成像；以及
镜筒单元，其支撑所述第二箱体中的所述第二相机且被允许调整所述第二相机的倾角。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的激光处理设备，其进一步包括检查部件，所述检查部件连接到所述第一监测部件以及所述第二监测部件且检查所述衬底的表面上的缺陷。
8.根据权利要求7所述的激光处理设备，其中所述检查部件包括：
编辑器，其组合由所述第一监测部件与所述第二监测部件俘获的图像；以及
比较器，其比较由所述编辑器组合而成的所述图像与预先俘获的正常图像。
9.一种激光处理方法，其包括：
利用激光辐照衬底以处理所述衬底；
利用具有在所述衬底的宽度方向上延伸的成像区的第一相机以及具有在所述衬底的长度方向上延伸的成像区的第二相机对所述衬底进行成像；以及
确认在所述衬底的表面上的缺陷。
10.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中进一步包括在利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像之前使所述第一相机以及所述第二相机聚焦。
11.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像包括对所述衬底上利用所述激光辐照的区进行成像。
12.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中通过所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像包括利用所述第一相机对所述衬底的中心区进行成像且利用所述第二相机对所述衬底的边缘区进行成像。
13.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中在利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像时，以重叠方式对所述衬底的至少一部分进行成像。
14.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中
利用所述激光辐照所述衬底以处理所述衬底包括利用所述激光辐照所述腔室的内部，且
利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像包括对所述腔室的所述内部的所述衬底进行成像。
15.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中同时执行利用所述激光辐照所述衬底与利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像。
16.根据权利要求15所述的激光处理方法，其中利用所述第一相机以及所述第二相机对所述衬底进行成像包括在完成利用所述激光辐照所述衬底之后再对所述衬底进行成像。
17.根据权利要求9到16中任一权利要求所述的激光处理方法，其中确认所述衬底的所述表面上的所述缺陷包括：组合所述衬底所俘获的图像；以及比较所组合的所述图像与预先俘获的正常图像。
18.根据权利要求9到16中任一权利要求所述的激光处理方法，其中利用所述激光辐照所述衬底以处理所述衬底包括对所述衬底进行退火。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022171103A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 南昌广恒电子中心(有限合伙) 转移设备、转移方法和显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102052569B1 (ko) * 2018-05-21 2019-12-06 주식회사 에스에프에이 증착 장치 및 노즐 막힘 제거방법
KR102546719B1 (ko) 2018-09-04 2023-06-21 삼성전자주식회사 모니터링 장치 및 모니터링 방법
JP7412237B2 (ja) * 2020-03-23 2024-01-12 株式会社東芝 検査装置及び溶接装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6211151A (ja) * 1985-07-08 1987-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 表面欠陥検査装置
KR20000014554A (ko) * 1998-08-21 2000-03-15 윤종용 웨이퍼 결함 검출장치
US20020088952A1 (en) * 2000-11-15 2002-07-11 Rao Nagaraja P. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
KR20070001252A (ko) * 2004-04-28 2007-01-03 가부시끼가이샤 인테그레이티드 솔루션즈 노광 장치
JP2007299894A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Ricoh Co Ltd 薄膜製造装置、薄膜製造方法および膜厚制御方法
KR20080098811A (ko) * 2007-05-07 2008-11-12 삼성전기주식회사 표면 측정 장치
KR20090106549A (ko) * 2006-12-28 2009-10-09 쌍트르 나쇼날 데튜드 스파씨알르 집적회로의 표면을 노광하기 위한 방법 및 장치
CN101711354A (zh) * 2007-03-28 2010-05-19 Soi科技公司 检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备
US20110141463A1 (en) * 2008-08-29 2011-06-16 Shuichi Chikamatsu Defect inspection method, and defect inspection device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6211151A (ja) * 1985-07-08 1987-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 表面欠陥検査装置
KR20000014554A (ko) * 1998-08-21 2000-03-15 윤종용 웨이퍼 결함 검출장치
US20020088952A1 (en) * 2000-11-15 2002-07-11 Rao Nagaraja P. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
KR20070001252A (ko) * 2004-04-28 2007-01-03 가부시끼가이샤 인테그레이티드 솔루션즈 노광 장치
JP2007299894A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Ricoh Co Ltd 薄膜製造装置、薄膜製造方法および膜厚制御方法
KR20090106549A (ko) * 2006-12-28 2009-10-09 쌍트르 나쇼날 데튜드 스파씨알르 집적회로의 표면을 노광하기 위한 방법 및 장치
CN101711354A (zh) * 2007-03-28 2010-05-19 Soi科技公司 检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备
KR20080098811A (ko) * 2007-05-07 2008-11-12 삼성전기주식회사 표면 측정 장치
US20110141463A1 (en) * 2008-08-29 2011-06-16 Shuichi Chikamatsu Defect inspection method, and defect inspection device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022171103A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18 南昌广恒电子中心(有限合伙) 转移设备、转移方法和显示装置

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