TW201803675A - 雷射處理裝置以及雷射處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種雷射處理裝置及一種雷射處理方法，雷射處理裝置包含：腔室，於其中具有用於處理基底的空間以及在其上表面上的透射視窗；載物台，用於支撐腔室中的基底；雷射部件，其安裝在腔室的外部且利用雷射輻照腔室的內部；第一監測部件，其定位於基底上方且具有基底的成像區，所述成像區在基底的寬度方向上延伸；以及第二監測部件，其定位於基底上方且具有基底的成像區，所述成像區在基底的長度方向上延伸，其中在利用雷射處理基底的同時，可即時地監測是否在基底的表面上出現缺陷。

Description

雷射處理裝置以及雷射處理方法
本發明是有關於一種雷射處理裝置以及一種雷射處理方法，其能夠在通過使用雷射處理基底的同時即時地監測基底表面中是否出現缺陷。
當在製造半導體、FPD、光伏元件等等期間在高溫下沉積薄膜時，可能會引起以下問題：反應爐被熱化學反應污染或產生非所需化合物。因此，為在低溫下沉積薄膜，已使用雷射激發等離子體化學氣相沉積方法。
用於通過使用雷射處理基底的一般裝置包含：腔室，其具有內部空間；載物台，其安裝在所述腔室中，支撐所述腔室，且在處理進行方向上轉移所述基底；透射視窗，其安裝在所述腔室的上部部分中且允許雷射通過所述透射視窗；以及雷射振盪器，其從所述腔室外部經由所述透射視窗發射雷射。根據用於處理基底的此類裝置，從雷射振盪器發射的雷射通過透射視窗，且輻照水準移動的基底。
然而，在相關技術中，用於處理基底的此類裝置與檢查裝置一直是單獨地提供。即，在單獨的點個別地執行處理基底的步驟與檢查基底的步驟。因此，安裝整個裝備時存在空間限制，且存在使基底移動以及檢查基底花費長時間的問題。
[現有技術文檔] （專利文檔）KR2015-0045696 A
本發明提供一種雷射處理裝置以及一種雷射處理方法，其能夠在通過使用雷射處理基底的同時即時地監測基底表面中是否出現缺陷。
本發明提供能夠改善基底處理步驟的效率的雷射處理裝置以及雷射處理方法。
根據示範性實施例，一種雷射處理裝置包含：腔室，於其中具有用於處理基底的空間以及在其上表面上的透射視窗；載物台，用於支撐所述腔室中的所述基底；雷射部件，其安裝在所述腔室的外部且利用雷射輻照所述腔室的內部；第一監測部件，其定位於所述基底上方且具有所述基底的成像區，所述成像區在所述基底的寬度方向上延伸；以及第二監測部件，其定位於所述基底上方且具有所述基底的成像區，所述成像區在所述基底的長度方向上延伸。
所述第一監測部件可安裝在所述腔室與所述雷射部件之間，且可對應於形成於所述腔室的所述上表面上的第一開口部分的位置而安置。
所述第一監測部件可包含：第一箱體，其具有內部空間且覆蓋所述第一開口部分；反射鏡單元，其安裝在所述第一箱體的所述內部空間中且安置在所述第一開口部分上方；以及第一相機，其經安裝以便與所述第一箱體的所述內部空間中的所述反射鏡單元隔開，且經由所述反射鏡單元對所述基底進行成像。
所述反射鏡單元可包含：成像反射鏡，其在所述基底的所述寬度方向上延伸；以及位置調整器，其支撐所述成像反射鏡且能夠控制所述成像反射鏡的傾角與移動距離當中的至少任一者。
所述第二監測部件可對應於形成於所述腔室的所述上表面上的第二開口部分的位置而安置，且所述第一開口與所述第二開口可在所述基底的所述寬度方向上彼此隔開。
所述第二監測部件可包含：第二箱體，其具有內部空間且覆蓋所述第二開口部分；第二相機，其安裝在所述第二箱體的所述內部空間中且對所述基底進行成像；以及鏡筒單元，其支撐所述第二箱體中的所述第二相機且被允許調整所述第二相機的傾角。
所述雷射處理裝置可進一步包含檢查部件，所述檢查部件連接到所述第一監測部件以及所述第二監測部件且檢查所述基底的表面上的缺陷。
所述檢查部件可包含：編輯器，其組合由所述第一監測部件與所述第二監測部件捕捉的圖像；以及比較器，其比較由所述編輯器組合而成的所述圖像與預先捕捉的正常圖像。
根據示範性實施例，一種雷射處理方法包含：利用雷射輻照基底；利用具有在所述基底的寬度方向上延伸的成像區的第一相機以及具有在所述基底的長度方向上延伸的成像區的第二相機對所述基底進行成像；以及確認在所述基底的表面上的缺陷。
可進一步包含在利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像之前使所述第一相機以及所述第二相機聚焦。
利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像可包含對所述基底上利用雷射輻照的區進行成像。
通過所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像可包含利用所述第一相機對所述基底的中心區進行成像且利用所述第二相機對所述基底的邊緣區進行成像。
在利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像時，可以重疊方式對所述基底的至少一部分進行成像。
利用雷射輻照所述基底以處理所述基底包括利用雷射輻照所述腔室的內部，且利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像可包含對所述腔室內部的所述基底進行成像。
可同時執行利用雷射輻照所述基底與利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像。
利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像可包含在完成利用雷射輻照所述基底之後再對所述基底進行成像。
確認所述基底的所述表面上的缺陷可包含：組合所述基底的所捕捉圖像；以及比較所組合的所述圖像與預先捕捉的正常圖像。
利用雷射輻照所述基底以處理所述基底可包含對所述基底進行退火。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明的示範性實施例。然而，本發明可以不同的形式來體現，且不應解釋為限於本文所陳述的實施例。實際上，提供這些實施例是為了使得本發明將是透徹且完整的，且將把本發明的範圍充分地傳達給所屬領域的技術人員。為詳細地描述本發明，可能會誇示圖式，且在所述圖式中，相同參考數位指代相同元件。
圖1為根據示範性實施例的雷射處理裝置的透視圖，圖2為根據示範性實施例的雷射處理裝置的橫截面圖，圖3為說明根據示範性實施例的第一監測部件和第二監測部件的結構的平面圖，圖4為說明根據示範性實施例的第一監測部件的操作性結構的視圖，圖5為說明根據示範性實施例的第一監測部件的操作性結構的視圖，圖6為說明根據示範性實施例的第一監測部件和第二監測部件捕捉基底的圖像的結構的視圖；且圖7為說明根據示範性實施例的雷射處理方法的流程圖。
參考圖1和圖2，根據示範性實施例的雷射處理裝置1000包含：腔室10，於其中形成有用於處理基底S的空間且具有在其上表面上形成的透射視窗15；載物台30，其支撐腔室10內部的基底S；雷射部件20，其定位在腔室10的外部且利用雷射經由透射視窗15輻照腔室10的內部；第一監測部件100，其定位於基底S上方且具有基底成像區，所述基底成像區經形成以在基底S的寬度方向上延伸；以及第二監測部件，其定位於基底S上方且具有基底成像區，所述基底成像區在基底S的長度方向上形成於第二監測部件中，其中檢查部件300連接到第一監測部件100和第二監測部件200，且檢查基底S的表面上的缺陷。
在此情況下，基底S的長度方向可為基底移動方向，且基底S的寬度方向可為左右方向。然而，實施例不限於此，且長度方向與寬度方向還可彼此切換。即，第一監測部件100的成像區域經形成以在一個方向上延伸，且第二監測部件200的成像區域經形成以在與所述一個方向交叉的方向上延伸。
腔室10形成為具有內部空間的圓筒形形狀。舉例來說，腔室10的橫截面形狀可為矩形。腔室10經形成以具有帶有四個封閉側的結構，且於其中形成用於處理基底的空間。
而且，透射視窗15安裝在腔室10的上表面上。透射視窗15可定位於來自雷射部件20的雷射輻照的部分下方。因此，透射視窗15使雷射通過，同時封閉腔室10的內部。而且，腔室10還可與用於在內部空間中形成真空壓力的真空泵連接。然而，腔室10的結構和形狀不限於此，而是可多樣化。
載物台30用以支撐腔室10內部的基底S，且可以可移動地安裝。舉例來說，在執行雷射處理步驟時，在確認基底S的位置之後使載物台30移動，且接著，載物台20移動可將基底S移動到利用雷射輻照的區。舉例來說，載物台30可使基底S在前後方向移動。因此，可通過移動載物台30而利用雷射輻照基底S上的所需位置。或者，在載物台30固定時，且在雷射部件20移動時，也可利用雷射輻照基底S上的所需位置。
雷射部件20用以利用雷射輻照基底S且由此處理基底S。舉例來說，可對基底S進行退火。雷射部件20包含：雷射產生單元21，其發射雷射；以及光學單元，其使從雷射產生單元21發射的雷射透射到腔室10的內部。
雷射產生單元21用以產生雷射光束。舉例來說，從雷射產生單元21產生的雷射光束可為准分子雷射，且可使形成於基底S上的非晶形薄膜結晶。然而，所使用的雷射光束的種類不限於此，而是可多樣化。
光學單元22用以將從雷射產生單元21產生的雷射引導到基底S。光學單元22可包含：外殼22a，其形成雷射行進路徑；透鏡（未繪示），其安裝在外殼22a中且調整通過的雷射的特性；以及雷射反射鏡22b，其安裝在外殼22a中，且可折射或反射雷射以改變雷射輻照方向。
外殼22a可與腔室10隔開，且外殼22a中發射雷射的部分可定位於腔室10的透射視窗15上方。因此，在外殼22a的內部行進的雷射可經由雷射反射鏡22b發射到腔室10中。然而，雷射部件20的結構不限於此，而是可多樣化。
在此情況下，在通過雷射部件20處理基底S的同時，斑點缺陷（或雲紋）可能會出現在基底S的表面上。因此，設置第一監測部件100和第二監測部件200，由此可對基底S的表面進行雙重成像，且可即時地檢查基底S的表面上的缺陷。然而，雷射處理步驟的種類不限於此，而是可多樣化。
參考圖3和圖4，第一監測部件100安裝在腔室10與雷射部件20之間的隔開空間中，且成像區域經形成以在基底S的寬度方向（或左右方向）上延伸。第一開口部分17可形成於腔室10的上表面上。第一開口部分17可在基底S的移動方向（或前後方向）上與透射視窗15隔開，且經形成以在基底S的寬度方向上延伸。舉例來說，在基底S從前到後移動時，第一開口部分17可定位於透射視窗15後方。因此，第一監測部件100可對利用雷射處理的基底S的表面進行成像。而且，第一開口部分17可形成為矩形形狀。
第一監測部件100經安置以對應於第一開口部分17的位置，且可經由第一開口部分17對腔室10的內部進行成像。即，第一開口部分17還可經形成以在左右方向上延伸，使得可對經形成以在第一監測部件100的左右方向上延伸的區進行成像。然而，第一開口部分17的形狀和位置不限於此，而是可多樣化。
第一監測部件100包含：第一箱體110，其具有內部空間且覆蓋第一開口部分17；反射鏡單元120，其安裝在第一箱體110的內部空間中且安置在第一開口部分17上方；以及第一相機130，其安裝在第一箱體110的內部空間中以與反射鏡單元120隔開，且經由反射鏡單元120對基底S進行成像，其中可進一步包含密封腔室10與外殼22a之間的間隙的第一密封單元140。
第一箱體110中可具有容納反射鏡單元120和第一相機130的空間。舉例來說，第一箱體110可形成為矩形平行六面體或立方體的形狀，且可具有開放的下部部分。第一箱體110安裝在腔室10的上表面上，且覆蓋第一開口部分17。因此，第一箱體110可防止腔室10中的氣體經由第一開口部分17洩漏。
而且，安裝第一箱體110的安裝槽可形成於腔室10的上表面上。所述安裝槽可經形成以對應於第一箱體110的週邊形狀，且第一箱體可通過裝配到安裝槽中來加以固定。
而且，第一門（未繪示）可設置到第一箱體110。所述第一門可安裝在第一箱體110的上表面和側表面當中的至少任一個部分中。在第一門打開時，第一箱體110的內部與外部連通，且在第一門關閉時，第一箱體110的內部被封閉。因此，在執行雷射處理的同時，可關閉第一門以封閉第一箱體110的內部，且在維修或更換第一相機130或反射鏡單元120時，可打開第一門以促進操作者的修復或更換。然而，第一箱體110的結構和形狀不限於此，而是可多樣化。
第一密封單元140可安裝在第一箱體110與腔室10之間。舉例來說，第一密封單元140可為O形環，且可經形成以對應於第一箱體110的週邊形狀。第一密封單元140用以封住第一箱體110與腔室10之間的間隙。因此，可防止腔室10內部的氣體洩漏到外部，且可容易地使腔室10的內部處於真空狀態。
因為第一監測部件100定位於腔室10與雷射部件20之間，因此第一相機130可豎直移動的距離存在限制，且難以在移動第一相機130的同時調整第一相機130的焦點。因此，可設置反射鏡單元120以便利用腔室10與雷射部件20之間的第一相機130對基底S進行成像。即，因為反射鏡單元120可在前後方向上移動而不受垂直方向上的空間限制或可調整其傾斜度，因此第一相機130可容易地經由反射鏡單元120對基底S進行成像，甚至在具有小高度的空間中也是如此。
反射鏡單元120包含：成像反射鏡，其經形成以在基底S的寬度方向上延伸；位置調整器122，其支撐成像反射鏡121且可調整成像反射鏡的傾角與移動距離當中的至少任一者。
成像反射鏡121在基底S的寬度方向（或左右方向）上延伸。而且，成像反射鏡121可安置成朝向基底S傾斜的狀態。因此，第一相機130可對由成像反射鏡121反射的區進行成像。因此，第一相機130的成像區域可經形成以在成像反射鏡121的延伸方向上延伸。
位置調整器122用以通過調整成像反射鏡121的位置來使第一相機130聚焦。位置調整器122可包含：支撐構件122a，其支撐成像相機121；轉移構件（未繪示），其使支撐部件122a在基底S的寬度方向上轉移；以及軌道構件，其形成轉移構件的移動路徑。
一對支撐構件122a經設置且分別連接到成像反射鏡121的兩個末端部分。而且，成像反射鏡121可以可旋轉地耦合到支撐構件122a。因此，成像反射鏡121可由支撐構件122a支撐在第一開口部分17上方。因此，可通過調整成像反射鏡121的傾斜角度來使第一相機130聚焦。
轉移構件可安裝在支撐構件122a下方。轉移構件可包含行進轉輪以及用於使行進轉輪旋轉的電動機。因此，在通過控制電動機而使行進轉輪旋轉時，耦合到轉移構件的支撐構件122a可能會來回移動。因此，通過移動轉移構件來調整成像反射鏡與第一相機130之間的間隔距離，以使得可調整第一相機130的成像角度，且可使第一相機130聚焦。
軌道構件122b可經形成以在前後方向上延伸，且安裝在腔室10的上表面或第一外殼22a上。一對軌道構件122b可經設置，且彼此隔開等於或大於第一開口17在左右方向上的長度的距離。轉移構件可安裝在軌道構件122b上，且可在軌道構件122b的延伸方向上來回移動。即，軌道構件122b可形成轉移構件的移動路徑。然而，位置調整器122的結構、元件的形狀以及元件的組合不限於此，而是可多樣化。
第一相機130與成像反射鏡121在第一箱體110中的基底S的長度方向（或前後方向）上隔開。因為第一相機130經由成像反射鏡121間接地對基底S的形狀進行成像，因此僅可對由成像反射鏡121反射的區進行成像。即，因為成像反射鏡121經形成以在基底S的寬度方向上延伸，因此第一相機130可對經形成以在基底S的寬度方向上延伸的區進行成像。即，可對基底S的一部分進行成像。因此，在將由第一相機130捕捉的諸多圖像組合成一個圖像時，可產生基底S的一個圖像。
參考圖5，第二監測部件200安裝在腔室10與雷射部件20之間的隔開空間中，且成像區域可經形成以在基底S的長度方向（或前後方向）上延伸。即，第二監測部件200的成像區域可經形成以在與第一監測部件100的成像區域交叉的方向上延伸。第二開口部分19可形成於腔室10的上表面上。第二開口部分19與第一開口部分在基底S的寬度方向（或左右方向）上隔開。舉例來說，第二開口部分19可形成為矩形形狀。第二監測部件200經安置以對應於第二開口部分19的位置，且可經由第二開口部分19對腔室10的內部進行成像。然而，第二開口部分19的形狀和位置不限於此，而是可多樣化。
第二監測部件200包含：第二箱體210，其具有內部空間且覆蓋第二開口部分19；第二相機220，其安裝在第二箱體210的內部空間中且對基底S進行成像；以及鏡筒單元230，其支撐第二箱體210中的第二相機220且可調整第二相機的傾角，其中可進一步包含密封腔室10與第二箱體210之間的間隙的第二密封單元（未繪示）。
第二箱體210中可具有容納第二相機230和鏡筒單元230的空間。舉例來說，第二箱體210可形成為矩形平行六面體或立方體的形狀，且可具有開放的下部部分。第二箱體210安裝在腔室10的上表面上，且覆蓋第二開口部分19。因此，第二箱體210可防止腔室10中的氣體經由第二開口部分19洩漏。
此外，第二箱體210可耦合到第一箱體110的側表面。舉例來說，第二箱體210可與第一箱體110以集成形狀製造，且其內部可彼此連通。或者，第一箱體110與第二箱體210的內部空間通過分隔件分隔開，且由此可彼此隔離或可單獨地製造且經由例如熔接等方法接合。即，第一箱體110與第二箱體210可彼此連接，且可形成一個監測箱體。
而且，安裝第二箱體210的安裝槽可形成於腔室10的上表面上。所述安裝槽可經形成以對應於第二箱體210的週邊形狀，且第二箱體可通過裝配到安裝槽中來加以固定。
而且，第二門（未繪示）可設置到第二箱體210。所述第二門可安裝在第二箱體210的上表面和側表面當中的至少任一個部分中。在第二門打開時，第二箱體210的內部與外部連通，且在第二門關閉時，第二箱體210的內部被封閉。因此，在執行雷射處理的同時，可關閉第二門以封閉第二箱體210的內部，且在維修或更換第二相機220或鏡筒單元230時，可打開第二門以促進操作者的修復或更換。然而，第二箱體210的結構和形狀不限於此，而是可多樣化。
第二密封單元可安裝在第二箱體210與腔室10之間。舉例來說，第二密封單元可為O形環，且可經形成以對應於第二箱體210的週邊形狀。第二密封單元用以封閉第二箱體210與腔室10之間的間隙。因此，可防止腔室10內部的氣體洩漏到外部，且可容易地使腔室10的內部處於真空狀態。
第二相機220可由鏡筒單元230支撐於傾斜狀態。因此，在對角線方向上與基底S隔開的同時，第二相機220可對基底S進行成像。第二相機220可經由第二開口部分19直接對基底S的表面進行成像。
鏡筒單元230用以支撐第二相機220，且調整第二相機的傾角。鏡筒單元230可與第二開口部分19在基底S的寬度方向上隔開。鏡筒單元230將第二相機220支撐於高於第二開口部分19的位置，使得第二相機220傾斜。因此，第二相機220可經由第二開口部分19從在對角線方向上隔開的位置對基底S進行成像。因此，第二相機220可從在平面中在前後方向上移動的基底S的左側或右側對基底S進行成像。
舉例來說，鏡筒單元230可為R引導件。第二相機220的移動路徑可形成為彎曲形狀或斜線形狀，所述移動路徑是通過鏡筒單元230形成。因此，可在第二相機通過鏡筒單元230沿著具有彎曲形狀或斜線形狀的移動路徑移動的同時調整第二相機220的傾斜度。即，在第二相機220向上旋轉時，相對於基底S的傾斜度可增大，且在向下旋轉時，相對於基底S的傾斜度可減小。因此，在通過鏡筒單元230調整第二相機220的傾角的同時，可調整焦點和成像區域。在此情況下，即使第二相機220的傾角改變，距基底S的間隔距離也可能始終恒定，且第二相機可對基底S進行成像，同時穩定地與基底S隔開一定距離。然而，鏡筒單元230的結構不限於此，而是可多樣化。
而且，可設置多個第二監測部件200。舉例來說，可設置兩個第二監測部件200，一個安置在第一監測部件100右方，且另一個安置在第一監測部件100右方。因此，第一監測部件100可對基底S的中心區A進行成像，且一對第二監測部件200可對不可由第一監測部件100成像的邊緣區域（在基底S的左側和右側）進行成像。因此，可通過將基底S劃分成多個區而利用多個相機對基底S的整個區進行成像。
參考圖6，第一監測部件100與第二監測部件200從彼此不同的位置對基底S進行成像。第一監測部件100具有經形成以在左右方向上延伸且對在前後方向上移動的基底S的表面進行成像的成像區域，且第二監測部件200具有經形成以在前後方向上延伸且對在前後方向上移動的基底S的表面進行成像的成像區域。即，第一監測部件100與第二監測部件200可對基底S中彼此不同的區進行成像。
舉例來說，第一監測部件100可對基底S的中心區A進行成像，且第二監測部件200可對基底S的右側和左側中的邊緣區B進行成像。因此，因為可通過使用第一監測部件100和第二監測部件200對基底S的整個區進行快速成像，因此用於檢查基底表面的時間可得以減少。
而且，由第一監測部件100與第二監測部件200成像的區的至少一部分可重疊。因此，基底S雙重地成像，且因此，可改善缺陷的檢測準確度 因此，可精確地檢測基底S的表面的缺陷。
而且，第一相機130和第二相機220安裝在腔室10外部，使得第一相機130和第二相機220可對基底S的寬區域進行成像。因此，因為第一相機130與基底S或第二相機220與基底S彼此隔開足夠距離，因此利用相機成像的基底S的區的區域可增大，且可防止相機干擾腔室10內部的基底S處理步驟。
檢查部件300連接到第一監測部件100和第二監測部件200，且用以經由第一監測部件100和第二監測部件200所捕捉的圖像檢查基底S的表面上的缺陷。檢查部件300包含：編輯器310，其組合由第一監測部件100和第二監測部件200捕捉的圖像；以及比較器320，其比較由編輯器組合而成的圖像與預先捕捉的正常圖像。
編輯器310連接到第一監測部件100和第二監測部件200，且可由此收集由第一相機130和第二相機220捕捉的圖像。而且，編輯器310可執行將所收集圖像組合或接合成一個圖像的編輯工作。因此，由第一相機130和第二相機220捕捉的圖像組合成一個圖像，且可由此產生整個基底S的一個圖像。
比較器320用以經由由編輯器310組合成一個圖像的圖像來確認基底S的表面上的缺陷。先前可存儲對正常狀態下的基底S的表面進行成像的圖像。因此，比較器320可比較預先存儲的正常圖像與由編輯器310組合成一個圖像的圖像。因此，在發現正常圖像與組合成一個圖像的圖像不同的部分時，比較器320可確定出現缺陷。
由此，在利用雷射處理基底S的同時，可經由第一監測部件100和第二監測部件200即時地確認基底S的狀態。即，可在一個雷射處理裝置1000中同時執行處理基底S的步驟與檢查基底S的步驟。因此，可改善整個裝備的空間可用性，且因為在雷射處理裝置1000中省略將基底從處理裝置移動到單獨檢查裝置的步驟，因此可改善整個步驟的效率。
此外，因為在確認基底狀態的同時處理基底，因此在發現缺陷時，可即刻將此缺陷反映給處理步驟。因此，可降低缺陷比率，且可改善雷射處理步驟的生產率。
在下文中，將詳細地描述根據示範性實施例的雷射處理方法。
參考圖7，根據示範性實施例的雷射處理方法包含：通過利用雷射輻照基底來處理基底（S100）；利用具有經形成以在基底的寬度方向上延伸的成像區域的第一相機對基底進行成像，且利用具有經形成以在基底的長度方向上延伸的成像區域的第二相機對基底進行成像（S200）；以及確認基底的表面上的缺陷。在此情況下，利用第一相機130對基底S進行成像與利用第二相機220對基底S進行成像可同時執行，且還可個別地執行。
首先，在利用第一相機130和第二相機220對基底S進行成像之前或在利用雷射輻照基底S之前，可使第一相機130和第二相機220聚焦。即，因為基底S上的薄膜的厚度根據基底S的沉積狀態而可能不同，因此需要根據薄膜的厚度使第一相機130和第二相機220聚焦。
舉例來說，可基於可上下、前後以及左右移動的手動載物台來使第一相機130和第二相機220聚焦。即，調整手動載物台的位置，接著調整成像反射鏡121和第二相機220的位置或傾斜度，且因此，可將第一相機130和第二相機220的焦點調整到手動載物台30。在此情況下，在使第一相機130和第二相機220聚焦時，可固定成像反射鏡121和第二相機220的傾斜度。
接下來，在使載物台30上的基底S移動的同時，可利用雷射輻照基底S的表面。從雷射部件20發射的雷射可經由設置在腔室10的上表面上的透射視窗15而發射到腔室的內部。可利用雷射輻照基底S，且可由此執行退火操作。在退火操作期間，因為例如斑點等缺陷可能會出現在基底S的表面上，因此可利用第一相機130和第二相機220監測基底S的表面。因此，第一相機130和第二相機220可定位在透射視窗15後方，且可由此對基底S上由雷射輻照的區進行成像。因此，可利用第一相機130和第二相機220快速地監測在雷射處理期間是否出現缺陷。然而，雷射處理步驟的種類不限於此，而是可多樣化。
在此情況下，可同時執行利用雷射輻照基底S與利用第一相機130和第二相機220對基底S進行成像。因此，可通過即刻對基底S上由雷射輻照的區進行成像來即時地監測在雷射處理期間是否出現缺陷。因此，在雷射處理中出現問題時，可通過即刻應對措施來降低缺陷比率。
同時，利用第一相機130與第二相機220成像的區可彼此不同。即，第一相機130與第二相機220可從彼此不同的位置對基底S上彼此不同的區進行成像。第一相機130可具有經形成以在基底S的寬度方向上延伸的成像區域，且可對基底S的中心區A進行成像。因此，由第一相機130捕捉的圖像在前後方向上組合，可形成基底S的整個中心區的圖像。
第二相機220可具有經形成以在基底S的長度方向上延伸的成像區域，且可對基底S的邊緣區B進行成像。因此，由第二相機220捕捉的圖像在前後方向上組合，可形成基底S的整個邊緣區的圖像。
即，利用第一相機130對基底S的中心區進行成像，且可利用第二相機220對基底S的邊緣區進行成像。在此情況下，邊緣區為圍繞基底S的中心區的左側和右側當中的至少任何一個部分的區（或偏離第一相機130的成像區域的區）。因此，因為利用第一相機130和第二相機220對基底S的不同區同時進行成像，因此可對基底S的整個區快速成像。
或者，第一相機130與第二相機220還可以重疊方式對基底S的至少一個部分進行成像。即，利用第一相機130與第二相機220成像的區還可重疊。因此，第一相機130和第二相機220對基底S的表面上的重疊區C進行雙重成像，且可由此改善缺陷的檢測準確度。因此，可精確地檢測基底S的表面的缺陷。然而，利用第一相機130與第二相機220成像的區不限於此，而是可多樣化。
接下來，完成雷射輻照，且基底S還可再次經由第一相機130和第二相機220進行成像。即，在初次對基底S進行成像時，基底S對應於輻照雷射而移動，且第一相機130和第二相機220的成像區域可為窄的。因此，第一相機130和第二相機220也無法對在前後方向上移動的基底S的整個區進行成像。
基底S可再次對應於第一相機130和第二相機220的成像區域而移動，使得可利用第一相機130和第二相機220對基底S的整個區進行成像。因此，可利用第一相機130和第二相機220對基底S的整個區進行成像，且可精確地檢測基底S的缺陷。然而，通過第一相機130和第二相機220對基底S的成像次數不限於此，而是可多樣化。而且，對基底S成像的次數越大，缺陷檢測的準確度越高，且成像的次數越少，檢測時間越短。
在此情況下，利用雷射輻照腔室10內部的基底S，且第一相機130和第二相機220可對腔室10內部的基底S進行成像。即，在同一裝備或裝置中，可一起執行處理與檢查基底S的步驟。因此，在處理基底S之後，基底S可以不通過單獨裝置移動以便檢查基底S的表面。因此，用於處理和檢查基底S的時間減少，且可由此改善步驟的效率。而且，還可改善整個裝備的空間可用性。
接下來，可將利用第一相機130和第二相機220成像的基底S的每一區的圖像組合成一個圖像。即，可執行編輯操作，其中收集由第一相機130和第二相機220捕捉的圖像，且將所收集圖像組合成一個圖像。因此，由第一相機130和第二相機220捕捉的圖像組合成一個圖像，且可由此產生整個基底S的一個圖像。
接下來，可將組合圖像與預先捕捉的正常圖像進行比較。即，可經由組合成一個圖像的圖像來確認基底S的表面上的缺陷。先前可存儲對正常狀態下的基底S的表面進行成像的圖像。因此，比較器320可比較預先存儲的正常圖像與組合成一個圖像的圖像。因此，在發現正常圖像與組合成一個圖像的圖像不同的部分時，比較器320可確定出現缺陷。
接下來，在發現基底S上無缺陷時，可完成操作。在發現基底S上的缺陷時，可執行對應於所述缺陷的應對措施。舉例來說，在基底S上出現斑點缺陷的原因是歸因於發射到基底S上的雷射的強度。因此，調整雷射的強度或可停止雷射輻照。然而，在發現缺陷時，應對措施不限於此，而是可多樣化。
由此，在利用雷射處理基底S的同時，可經由第一監測部件100和第二監測部件200即時地確認基底S的狀態。即，可在一個雷射處理裝置1000中同時執行處理基底S的步驟與檢查基底S的步驟。因此，可改善整個裝備的空間可用性，且因為在雷射處理裝置1000中省略將基底S從處理裝置移動到單獨檢查裝置的步驟，因此可改善整個步驟的效率。
此外，因為在確認基底S狀態的同時處理基底S，因此在發現缺陷時，可即刻將此缺陷反映給處理步驟。因此，可降低缺陷比率，且可改善雷射處理步驟的生產率。
根據示範性實施例，可在通過使用雷射處理基底的同時即時地確認基底狀態。即，在一個裝置中，可同時執行處理基底的步驟與檢查基底的步驟。因此，可改善整個裝備的空間可用性，且因為省略了將基底從處理裝置移動到單獨檢查裝置的步驟，因此可改善整個步驟的效率。
此外，因為在確認基底狀態的同時處理基底，因此在發現缺陷時，可即刻將此缺陷反映給處理步驟。因此，可降低缺陷比率，且可改善雷射處理步驟的生產率。
儘管已在本發明的具體實施方式中描述了特定實施例，但可在本發明的範圍內進行各種修改。因此，本發明的範圍不應限於上文描述的實施例，而是由上文闡述的等效物以及權利要求書來確定。
10‧‧‧腔室
15‧‧‧透射窗口
17‧‧‧第一開口部分
19‧‧‧第二開口部分
20‧‧‧雷射部件
21‧‧‧雷射產生單元
22‧‧‧光學單元
22a‧‧‧外殼
22b‧‧‧雷射反射鏡
30‧‧‧載物台
100‧‧‧第一監測部件
110‧‧‧第一箱體
120‧‧‧反射鏡單元
121‧‧‧成像反射鏡
122‧‧‧位置調整器
122a‧‧‧支撐構件
122b‧‧‧軌道構件
130‧‧‧第一相機
140‧‧‧第一密封單元
200‧‧‧第二監測部件
210‧‧‧第二箱體
220‧‧‧第二相機
230‧‧‧鏡筒單元
231、232、233‧‧‧鏡筒單元的部件
300‧‧‧檢查部件
310‧‧‧編輯器
320‧‧‧比較器
1000‧‧‧雷射處理裝置
S100、S200、S300‧‧‧步驟
A‧‧‧中心區
B‧‧‧邊緣區
C‧‧‧重疊區
S‧‧‧基底
通過結合附圖進行的以下描述可更詳細地理解示範性實施例，其中： 圖1為根據示範性實施例的雷射處理裝置的透視圖。 圖2為根據示範性實施例的雷射處理裝置的橫截面圖。 圖3為說明根據示範性實施例的第一監測部件和第二監測部件的結構的平面圖。 圖4為說明根據示範性實施例的第一監測部件的操作性結構的視圖。 圖5為說明根據示範性實施例的第二監測部件的操作性結構的視圖。 圖6為說明根據示範性實施例的第一監測部件和第二監測部件捕捉基底的圖像的結構的視圖。 圖7為說明根據示範性實施例的雷射處理方法的流程圖。
10‧‧‧腔室
15‧‧‧透射窗口
17‧‧‧第一開口部分
22a‧‧‧外殼
22b‧‧‧雷射反射鏡
30‧‧‧載物台
100‧‧‧第一監測部件
110‧‧‧第一箱體
120‧‧‧反射鏡單元
130‧‧‧第一相機
S‧‧‧基底

Claims (18)

  1. 一種雷射處理裝置，其包括： 腔室，於所述腔室中具有用於處理基底的空間以及在所述腔室的上表面上的透射窗口； 載物台，用於支撐所述腔室中的所述基底； 雷射部件，其安裝在所述腔室的外部且利用雷射輻照所述腔室的內部； 第一監測部件，其定位於所述基底上方且具有所述基底的成像區，所述成像區在所述基底的寬度方向上延伸；以及 第二監測部件，其定位於所述基底上方且具有所述基底的成像區，所述成像區在所述基底的長度方向上延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射處理裝置，其中所述第一監測部件安裝在所述腔室與所述雷射部件之間，且所述第一監測部件對應於形成於所述腔室的所述上表面上的第一開口部分的位置而安置。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射處理裝置，其中所述第一監測部件包括： 第一箱體，其具有內部空間且覆蓋所述第一開口部分； 反射鏡單元，其安裝在所述第一箱體的所述內部空間中且安置在所述第一開口部分上方；以及 第一相機，其經安裝以便與所述第一箱體的所述內部空間中的所述反射鏡單元隔開，且經由所述反射鏡單元對所述基底進行成像。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的雷射處理裝置，其中所述反射鏡單元包括： 成像反射鏡，其在所述基底的所述寬度方向上延伸；以及 位置調整器，其支撐所述成像反射鏡且能夠控制所述成像反射鏡的傾角與移動距離當中的至少任一者。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的雷射處理裝置，其中所述第二監測部件對應於形成於所述腔室的所述上表面上的第二開口部分的位置而安置，且所述第一開口與所述第二開口在所述基底的所述寬度方向上彼此隔開。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的雷射處理裝置，其中所述第二監測部件包括： 第二箱體，其具有內部空間且覆蓋所述第二開口部分； 第二相機，其安裝在所述第二箱體的所述內部空間中且對所述基底進行成像；以及 鏡筒單元，其支撐所述第二箱體中的所述第二相機且被允許調整所述第二相機的傾角。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的雷射處理裝置，其進一步包括檢查部件，所述檢查部件連接到所述第一監測部件以及所述第二監測部件且檢查所述基底的表面上的缺陷。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的雷射處理裝置，其中所述檢查部件包括： 編輯器，其組合由所述第一監測部件與所述第二監測部件捕捉的圖像；以及 比較器，其比較由所述編輯器組合而成的所述圖像與預先捕捉的正常圖像。
  9. 一種雷射處理方法，其包括： 利用雷射輻照基底以處理所述基底； 利用具有在所述基底的寬度方向上延伸的成像區的第一相機以及具有在所述基底的長度方向上延伸的成像區的第二相機對所述基底進行成像；以及 確認在所述基底的表面上的缺陷。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其進一步包括在利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像之前使所述第一相機以及所述第二相機聚焦。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其中利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像包括對所述基底上利用所述雷射輻照的區進行成像。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其中藉由所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像包括利用所述第一相機對所述基底的中心區進行成像且利用所述第二相機對所述基底的邊緣區進行成像。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其中在利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像時，以重疊方式對所述基底的至少一部分進行成像。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其中利用所述雷射輻照所述基底以處理所述基底包括利用所述雷射輻照所述腔室的內部，且利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像包括對所述腔室的所述內部的所述基底進行成像。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法，其中同時執行利用所述雷射輻照所述基底與利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的雷射處理方法，其中利用所述第一相機以及所述第二相機對所述基底進行成像包括在完成利用所述雷射輻照所述基底之後再對所述基底進行成像。
  17. 如申請專利範圍第9項至第16項中任一項所述的雷射處理方法，其中確認所述基底的所述表面上的所述缺陷包括： 組合所述基底所捕捉的圖像；以及 比較所組合的所述圖像與預先捕捉的正常圖像。
  18. 如申請專利範圍第9項至第16項中任一項所述的雷射處理方法，其中利用所述雷射輻照所述基底以處理所述基底包括對所述基底進行退火。
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