CN107644896B - 一种基于ltps的显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种基于LTPS的显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。该显示面板通过将相对应于二维码位置的有机平坦层设置凹槽，从而可在显示器件的制备过程中，提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

Description

一种基于LTPS的显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种基于LTPS的显示面板及其制备方法。

背景技术

目前，在LCD(Liquid crystal display，液晶显示屏)和AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，主动矩阵有机发光二极体面板)制作过程中，为防止工艺过程中混片的风险或者后段制程无法追踪的风险，业内一般会在非透明层(金属层或多晶硅层)上用激光打上ID，并在后续制程中通过设备读取ID而进行身份辨认。然而，在二维码上方进一步设置其他功能层后，由于某些功能层光透过率较低，因此ID读取成功率降低，这样对制程中读取ID的设备要求更高，例如光源位置，光源种类等。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了一种基于LTPS的显示面板，其在制备过程中，可提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于LTPS的显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。

其中，所述凹槽同时贯穿所述第一介电层或第二介电层。

所述凹槽的截面为倒置梯形。

当所述显示面板包括OLED结构时，所述基板为硬质基板或柔性基板，当所述显示面板包括LCD结构时，所述基板为硬质基板。

所述第二有机平坦层上进一步设置有保护层，所述保护层覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面。

本发明实施例提供的基于LTPS的显示面板，其通过将相对应于二维码位置的有机平坦层设置凹槽，从而在器件的制备过程中，有利于读取设备发出的光更多地透过到二维码，提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

第二方面，本发明还提供了一种基于LTPS的显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和多晶硅层，采用激光使所述多晶硅层形成供辨认身份的二维码；

在所述缓冲层和所述多晶硅层上形成依次层叠设置的第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层；

采用黄光工艺将所述第一有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第一有机平坦层的凹槽；

再在所述第一有机平坦层上制备OLED结构，即得到基于LTPS的显示面板。

本发明中，所述的显示面板的制备方法，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第一介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿第一所述有机平坦层和所述第一介电层的凹槽。

以及，本发明实施例还提供了一种基于LTPS的显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上形成金属遮光层，采用激光使所述金属遮光层形成供辨认身份的二维码；

在所述基板和所述金属遮光层上形成依次层叠设置的第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层；

采用黄光工艺将所述第二有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第二有机平坦层的凹槽；

再在所述第二有机平坦层上制备LCD结构，即得到基于LTPS的显示面板。

本发明中，所述的显示面板的制备方法，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第二介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿所述第二有机平坦层和所述第二介电层的凹槽。

本发明中，所述的显示面板的制备方法，进一步包括在所述第二有机平坦层上形成覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面的保护层。

本发明实施例提供的基于LTPS的显示面板的制备方法，工艺简单，相比现有器件的制备，无需增加特别的工序，只需要通过常用的黄光工艺将有机平坦层部分去除即可达到提高ID读取成功率的目的。

本发明的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。

附图说明

图1为本发明一实施例中提供的基于LTPS的OLED显示面板的非显示区膜层结构示意图；

图2为本发明另一实施例中提供的基于LTPS的OLED显示面板的非显示区膜层结构示意图；

图3为本发明一实施例中提供的基于LTPS的LCD显示面板的非显示区膜层结构示意图；

图4为本发明另一实施例中提供的基于LTPS的LCD显示面板的非显示区膜层结构示意图。

具体实施方式

以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明实施例的保护范围。

本发明实施例提供了一种基于LTPS的OLED显示面板，包括显示区和非显示区，如图1所示，为本实施例OLED显示面板非显示区的膜层结构示意图，所述非显示区的膜层结构包括基板10，依次形成在所述基板10上的缓冲层11、多晶硅层12、第一栅极绝缘层13、第一介电层14和第一有机平坦层15，所述多晶硅层12设置有供辨认身份的二维码，所述第一有机平坦层15的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层15的凹槽16。本实施例中，所述多晶硅层12本身设置成二维码形式。所述多晶硅层12部分覆盖所述缓冲层11，所述第一栅极绝缘层13完全覆盖所述多晶硅层12。

本发明实施例还提供了一种基于LTPS的LCD显示面板，包括显示区和非显示区，如图2所示，为本实施例LCD显示面板非显示区的膜层结构示意图，所述非显示区的膜层结构包括基板20，依次形成在所述基板20上的金属遮光层21、第二栅极绝缘层22、第二介电层23和第二有机平坦层24，所述金属遮光层21设置有供辨认身份的二维码，所述第二有机平坦层24的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第二有机平坦层24的凹槽26。本实施例中，所述金属遮光层21本身设置成二维码形式。所述金属遮光层21部分覆盖所述基板20，所述第二栅极绝缘层22完全覆盖所述金属遮光层21。本实施例中，所述第二有机平坦层24上还设有保护层25，所述保护层25覆盖所述第二有机平坦层24以及所述凹槽26内表面。

如图3所示，本发明另一实施例中，所述基于LTPS的OLED显示面板，相对应于所述二维码的位置设有凹槽16’，所述凹槽16’同时贯穿所述第一有机平坦层15和所述第一介电层14。

如图4所示，本发明另一实施例中，所述基于LTPS的LCD显示面板，相对应于所述二维码的位置设有凹槽26’，所述凹槽26’同时贯穿所述第二有机平坦层24和所述第二介电层23，所述保护层25覆盖所述第二有机平坦层24以及所述凹槽26’内表面。

本发明实施方式中，所述凹槽16，16’，26，26’的截面为倒置梯形。所述倒置梯形可以是等腰梯形或非等腰梯形。为了更好地读取二维码信息，本发明中，所述凹槽的底部的面积尺寸等于或大于所述二维码12或21所占区域的面积。

本发明实施方式中，当所述显示面板包括OLED结构时，所述基板10可为硬质基板或柔性基板，当所述显示面板包括LCD结构时，所述基板20为硬质基板，所述硬质基板例如可以是玻璃、硬质薄膜等，所述柔性基板的材质可以是PI(聚酰亚胺)树脂或改性PI树脂。

本发明实施方式中，所述缓冲层11的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。可选地，缓冲层11可以为单层的氧化硅(SiOx)膜层或氮化硅(SiNx)膜层，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的叠层。

本发明实施方式中，所述金属遮光层21的材质可以是金属钼。

本发明实施方式中，所述第一栅极绝缘层13、第二栅极绝缘层22的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。可选地，第一栅极绝缘层13、第二栅极绝缘层22的材料可以为单层的氮化硅(SiNx)或者单层的氧化硅(SiOx)，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层。优选地，第一栅极绝缘层13、第二栅极绝缘层22的材料为氧化硅。可选地，第一栅极绝缘层13、第二栅极绝缘层22的厚度为

本发明实施方式中，所述第一介电层14、第二介电层23的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。进一步可选地，所述第一介电层14、第二介电层23的材料可以为单层的氮化硅(SiNx)或者单层的氧化硅(SiOx)，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层。优选地，所述第一介电层14、第二介电层23的材料可以为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层材料。可选地，所述第一介电层14、第二介电层23的厚度为

本发明实施方式中，所述第一有机平坦层15、第二有机平坦层24的材料为有机绝缘材料。可选地，第一有机平坦层15、第二有机平坦层24的材料为聚酰亚胺。

本发明实施方式中，可选地，所述保护层25的材质为氮化硅(SiNx)。

本发明实施例提供的基于LTPS的显示面板，其通过将相对应于二维码位置的有机平坦层设置凹槽，从而在器件的制备过程中，有利于读取设备发出的光更多地透过到二维码，提高ID读取成功率，降低工艺过程中混片或后段制程无法追踪的风险。

相应地，本发明还提供了一种基于LTPS的OLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S110、提供基板10，在所述基板10上依次形成缓冲层11和多晶硅层12，采用激光使所述多晶硅层12形成供辨认身份的二维码；

具体地，本实施例中，当制备非柔性OLED显示面板时，所述基板10可以是玻璃、硬质薄膜等硬质基板，当制备柔性OLED显示面板时，所述基板10为一侧形成有柔性层的玻璃基板，所述柔性层的材质可以是PI(聚酰亚胺)树脂或改性PI树脂。在本实施例中，当基板10的洁净度不满足要求时，首先对基板10进行预清洗及其他表面处理。

本实施例中，通过镀膜工艺如等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)在基板10上形成一层覆盖整个基板10的缓冲层11。然后通过镀膜工艺如PECVD在所述缓冲层11上沉积非晶硅层，然后对所述非晶硅层进行退火处理，使所述非晶硅层转变为多晶硅层12。采用激光将非显示区的多晶硅层12刻蚀成供辨认身份的二维码，即将二维码图形之外的多晶硅层去除。当然器件显示区的多晶硅层处理工艺也按常规操作进行，本发明不作特殊限定。

S120、在未被所述多晶硅层12覆盖的所述缓冲层11上和所述多晶硅层12上形成依次层叠设置的第一栅极绝缘层13、第一介电层14和第一有机平坦层15；

本实施例中，通过镀膜工艺沉积第一栅极绝缘层13，所述第一栅极绝缘层覆盖全部多晶硅层12形成的二维码。在本实施例中，通过镀膜工艺如PECVD在所述第一栅极绝缘层13上形成第一介电层14，再通过镀膜工艺在第一介电层14上形成第一有机平坦层15。当然，器件显示区的其他功能层可按本领域的常规方式和流程进行制备，如栅电极层，源极，漏极等，本发明不作详细阐述。

S130、采用黄光工艺将所述第一有机平坦层15与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第一有机平坦层15的凹槽；

本实施例中，通过掩膜版掩膜，经曝光显影，未被掩膜版遮挡的部分(与所述二维码相对应的位置)所述第一有机平坦层15见光分解而被去掉，从而在与所述二维码相对应的位置形成贯穿所述第一有机平坦层15的凹槽16。

本实施例中，进一步地，通过刻蚀工艺将所述第一介电层14与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿所述第一有机平坦层15和所述第一介电层14的凹槽16’。从而更好地提高光透过率，提高二维码信息的读取成功率。

S140、再在所述第一有机平坦层15上制备OLED结构，即得到基于LTPS的OLED显示面板。

本实施例中，OLED结构可按照现有常规工艺制备，本发明不作特殊限定。本实施例中，当制备柔性面板时，还需要通过激光剥离技术将柔性层一侧的玻璃基板剥离。

本发明实施例还提供了一种基于LTPS的LCD显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S210、提供基板20，在所述基板20上形成金属遮光层21，采用激光使所述金属遮光层21形成供辨认身份的二维码；

本实施例中，所述基板20可以是玻璃、硬质薄膜等硬质基板。在本实施例中，当基板20的洁净度不满足要求时，首先对基板20进行预清洗及其他表面处理。本实施例中，通过镀膜工艺在基板20上形成一层金属遮光层21，然后采用激光将所述金属遮光层21刻蚀成供辨认身份的二维码，即将二维码图形之外的金属遮光层去除。

S220、在未被所述金属遮光层21覆盖的所述基板20和所述金属遮光层21上形成依次层叠设置的第二栅极绝缘层22、第二介电层23和第二有机平坦层24；

本实施例中，通过镀膜工艺沉积第二栅极绝缘层22，所述第二栅极绝缘层22覆盖全部金属遮光层21形成的二维码。在本实施例中，通过镀膜工艺如PECVD在所述第二栅极绝缘层22上形成第二介电层23，再通过镀膜工艺在第二介电层23上形成第二有机平坦层24。当然，器件显示区的其他功能层可按本领域的常规方式和流程进行制备，如栅电极层，源极，漏极等，本发明不作详细阐述。

S230、采用黄光工艺将所述第二有机平坦层24与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第二有机平坦层24的凹槽26；

本实施例中，通过掩膜版掩膜，经曝光显影，未被掩膜版遮挡的部分(与所述二维码相对应的位置)所述第二有机平坦层24见光分解而被去掉，从而在与所述二维码相对应的位置形成贯穿所述第二有机平坦层24的凹槽26。

本实施例中，进一步地，通过刻蚀工艺将所述第二介电层23与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿所述第二有机平坦层24和所述第二介电层23的凹槽26’。从而更好地提高光透过率，提高二维码信息的读取成功率。

本实施例中，采用镀膜工艺如PECVD在第二有机平坦层24上和所述凹槽26或凹槽26’的内表面沉积制备保护层25。

S240、再在所述第二有机平坦层24上制备LCD结构，即得到基于LTPS的显示面板。

本实施例中，LCD结构可按照现有常规工艺制备，本发明不作特殊限定。

需要说明的是，根据上述说明书的揭示和和阐述，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些等同修改和变更也应当在本发明的权利要求的保护范围之内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims (10)

1.一种基于LTPS的显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述非显示区的膜层结构包括基板，依次形成在所述基板上的缓冲层、多晶硅层、第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层，或者依次形成在所述基板上的金属遮光层、第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层，所述多晶硅层或所述遮光层设置有供辨认身份的二维码，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述多晶硅层，所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述金属遮光层，所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的相对应于所述二维码的位置设有贯穿所述第一有机平坦层或第二有机平坦层的凹槽。

2.如权利要求1所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述凹槽同时贯穿所述第一介电层或第二介电层。

3.如权利要求1或2所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述凹槽的截面为倒置梯形。

4.如权利要求1所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，当所述显示面板包括OLED结构时，所述基板为硬质基板或柔性基板，当所述显示面板包括LCD结构时，所述基板为硬质基板。

5.如权利要求1或2所述的基于LTPS的显示面板，其特征在于，所述第二有机平坦层上进一步设置有保护层，所述保护层覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面。

6.一种基于LTPS的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和多晶硅层，采用激光使所述多晶硅层形成供辨认身份的二维码；

在所述缓冲层和所述多晶硅层上形成依次层叠设置的第一栅极绝缘层、第一介电层和第一有机平坦层；所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述多晶硅层；

采用黄光工艺将所述第一有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第一有机平坦层的凹槽；

再在所述第一有机平坦层上制备OLED结构，即得到基于LTPS的显示面板。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第一介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿第一所述有机平坦层和所述第一介电层的凹槽。

8.一种基于LTPS的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上形成金属遮光层，采用激光使所述金属遮光层形成供辨认身份的二维码；

在所述基板和所述金属遮光层上形成依次层叠设置的第二栅极绝缘层、第二介电层和第二有机平坦层；所述第二栅极绝缘层完全覆盖所述金属遮光层；

采用黄光工艺将所述第二有机平坦层与所述二维码相对应的位置去掉，形成贯穿所述第二有机平坦层的凹槽；

再在所述第二有机平坦层上制备LCD结构，即得到基于LTPS的显示面板。

9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括通过刻蚀工艺将所述第二介电层与所述二维码相对应的位置刻蚀掉，形成贯穿所述第二有机平坦层和所述第二介电层的凹槽。

10.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，进一步包括在所述第二有机平坦层上形成覆盖所述第二有机平坦层以及所述凹槽内表面的保护层。

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