CN107644852A - 用于rf功率放大器封装件的集成无源器件 - Google Patents

用于rf功率放大器封装件的集成无源器件 Download PDF

Info

Publication number
CN107644852A
CN107644852A CN201710601968.3A CN201710601968A CN107644852A CN 107644852 A CN107644852 A CN 107644852A CN 201710601968 A CN201710601968 A CN 201710601968A CN 107644852 A CN107644852 A CN 107644852A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacity cell
tube core
power amplifier
inductance
integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710601968.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107644852B (zh
Inventor
约翰内斯·A·M·德波特
弗雷尔克·范瑞哲
约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samba Holdco Netherlands BV
Original Assignee
Samba Holdco Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samba Holdco Netherlands BV filed Critical Samba Holdco Netherlands BV
Publication of CN107644852A publication Critical patent/CN107644852A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107644852B publication Critical patent/CN107644852B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1791—Combined LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655—Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6672—High-frequency adaptations for passive devices for integrated passive components, e.g. semiconductor device with passive components only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H01L2224/49176—Wire connectors having the same loop shape and height
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/19011—Structure including integrated passive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/19015—Structure including thin film passive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1905—Shape
    • H01L2924/19051—Impedance matching structure [e.g. balun]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/399—A parallel resonance being added in shunt in the output circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

公开了一种用于RF功率放大器封装件的集成无源器件。本发明涉及一种射频(RF)功率晶体管封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率晶体管封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于RF功率放大器封装件的集成无源管芯。根据本发明，使用了封装件内阻抗网络，该阻抗网络连接至布置在封装件内部的RF功率晶体管的输出端。该网络包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，该第一端子电连接至RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至第一电感元件的第二端子；以及第二电容元件，电连接在谐振单元和地之间。根据本发明，第一电容元件与第二电容元件串联布置。

Description

用于RF功率放大器封装件的集成无源器件
技术领域
本发明涉及一种射频(RF)功率放大器封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率放大器封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于这种RF功率放大器封装件的集成无源管芯。
背景技术
RF功率放大器封装件在本领域中是已知的。这样的封装件包括封装件和半导体管芯，该管芯被布置在封装件内部并且设置有RF功率晶体管。RF功率晶体管具有输出电容，并且被配置成在工作频率下放大信号。通常，阻抗网络布置在封装件内部以提供阻抗匹配和/或滤波。这些封装件通常用在移动通信市场的基站中。
移动通信市场的演变基本上是通过不断增长的数据量和传输速度来驱动的，从而需要越来越大的瞬时信号带宽。为了线性地放大宽带信号并且最小化存储效应，需要使用非常低的阻抗来终止在相对低的频率下出现的二阶互调失真(IMD)产物。如果RF功率晶体管在这些频率下所看到的阻抗过高，则不需要的信号分量的幅度会增大并且晶体管的偏置会由于低频IMD产物进入偏置电路的反馈而受到影响。
RF功率放大器的另一重要方面是以所期望的功率级传送输出信号的能力。为此，重要的是，对RF功率晶体管适当地进行阻抗匹配。在理想情况下，RF功率晶体管所看到的有效负载应该只有小的电抗部分。然而，在实践中，大多数RF功率晶体管具有相当大的输出电容。例如，被配置成提供150瓦特范围内的输出功率的典型横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管具有大约50pF的漏极-源极电容。在移动基站市场中位于600MHz至3.5GHz及以上的范围内的感兴趣频带中，该电容强烈地影响LDMOS的漏极处所看到的阻抗。
图1A示出了解决上述输出电容的影响的已知电路拓扑结构。该电容由Cds表示并且存在于场效应晶体管(FET)的漏极(d)和源极(s)之间。在图1A中，由L1和C1形成的串联谐振电路连接至FET的漏极。Z负载模拟了向FET提供的负载，并且L馈电模拟了偏置电路的馈电电感。
由于C1具有相对大的电容值，C1被配置成在FET的RF工作频率下用作信号地。L1被选择成使得L1在工作频率或者接近工作频率时与Cds谐振。这使得FET所看到的阻抗的电抗部分在工作频率下能够足够小。然而，同时C1在低频下将与偏置电路的馈电电感L馈电谐振。这将在FET的漏极处所看到的阻抗中引入峰值，如图1B所示。
为了减轻该问题，引入了不同的拓扑结构，如图2A所示。该拓扑结构与图1A中的拓扑结构不同之处在于，该拓扑结构包括另一电感L2和另一电容器C2。C2具有电连接至L2的一个端子和电连接至地的另一端子。
类似于图1A，C2应该非常大，更具体地远远大于C1，并且C2在RF频率和较低频率下用作地。为简单起见，在图1A和图2A中的拓扑结构中使L1、Cds以及C1使用相同的部件值。
类似于图1B，图2A中的电路将示出第一谐振，该第一谐振发生在与C2和L馈电之间的谐振有关的相对低的第一谐振频率处，但是由于L2和C1的影响而在较低的频率处发生第一谐振。然而，将在与L2和C1的谐振有关的中间第二谐振频率处发生第二谐振。L2和C1形成并联谐振电路，该并联谐振电路将在L2和C1的谐振频率附近显示出在高的正电抗部分与高的负电抗部分之间的转变。该电抗部分将产生图2B所示的第二谐振。
如通过比较图1B和图2B可以看出的，第一谐振频率转移到较低频率。通过与第二谐振频率进行结合，这使得能够更好地控制与二阶调制相关联的频率下的阻抗。
为了进一步改善上述阻抗行为，可以引入阻尼。例如，可以将阻尼电阻设置成与L2串联。该电阻将抑制第一谐振频率和第二谐振频率下的谐振。在工作频率下，L2和C1的组合将防止RF信号消散在该电阻中，使得该电阻在工作频率下的影响将最小。
C2的实际实施将显示出一些能量损耗。众所周知，当并联谐振电路的电容增大时，并联谐振电路的品质因数通常会减小。这反过来将降低阻抗在第一谐振频率下的峰值高度。因此，为了减少IMD产物，优选的是C2尽可能大。
还需要将第一电容器C1布置在封装件内部。由于该电容器对RF行为具有不可忽略的影响，所以重要的是，还使该电容器的损耗最小化。
封装件内部的可用空间是有限的。因此，增大C2会导致可供C1使用的空间较小。当C1和C2被集成在同一管芯上时，尤其如此。通常，管芯的高掺杂衬底形成电极之一，该电极连接至封装件的用作地的凸缘。因此，当C2增大时，可用于使C1接地的空间较小，这反过来将增大其损耗。因此，在现有技术的方法中，必须在增大对二阶IMD频率下的阻抗的控制与功率放大器的总效率之间找到一种折衷。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以改善上述折衷的电路拓扑结构。
已经使用如权利要求1所述的拓扑结构实现了该目的，该拓扑结构的特征在于，第一电容元件的第二端子电连接至第二电容元件。例如，第二电容元件可以具有连接至地的第二端子，以及连接至第一电容元件的第二端子和第二电感器的第二端子的第一端子。与图2A的拓扑结构相反，第一电容元件不直接连接至地，而是连接至第二电容元件。
由于第二电容元件的电容远大于第一电容元件的电容，所以第二电容元件具有较大的电极。此外，第二电容元件在与第一电容元件的损耗相关的那些频率下用作地。通过将第一电容元件与第二电容元件串联布置，第一电容元件可以使用第二电容元件的相对大的电极作为有效的接地连接，从而避免了在现有技术方法中当以第一电容元件接地为代价来增大第二电容元件的电容时所观察到的电阻的增大。
第一电感元件可以被配置成在工作频率或者接近工作频率时与输出电容谐振。此外，RF功率晶体管可以被配置成使用馈电电感进行馈电，其中，第二电容元件可被配置成在大体上小于工作频率的第一谐振频率下与馈电电感谐振。第二电感元件可以被配置成在第二谐振频率下与第一电容元件谐振，其中，第一谐振频率大体上小于第二谐振频率，并且其中，第二谐振频率大体上小于工作频率。
上述各种谐振频率可能在很小程度上与在RF功率晶体管的输出端处所看到的阻抗相关联的谐振频率不同。例如，在RF功率晶体管的输出端处所看到的阻抗可以包括输出电容、阻抗网络的阻抗以及与连接至RF功率晶体管的匹配网络相关联的阻抗的并联贡献。当阻抗网络的阻抗与其他阻抗贡献一起形成开路时，可以实现在RF功率晶体管的输出端处所看到的总阻抗的谐振。由于阻抗网络在并联谐振频率附近的阻抗在大的正值和大的负值之间强烈地变化，所以可以针对接近并联谐振频率的频率找到这种匹配。
第一电感元件和/或第二电感元件可以包括集成电感器和/或接合线。集成电感器可以包括在诸如半导体管芯之类的衬底上实现的螺旋导体和/或传输线。该管芯可以对应于其上设置有RF功率晶体管的管芯。可替代地，可以使用单独的管芯，在该管芯上集成有上述电感元件和电容元件中的至少一个或全部。
谐振电路可以包括用于抑制第一谐振和第二谐振的电阻元件。该电阻元件优选地被布置成与第二电感元件串联，或者可以与第二电感元件集成在一起。通过适当地选择电感值和电容值，可以实现在工作频率下的RF性能不受或者几乎不受该电阻元件影响。
第一电容元件和/或第二电容元件可以包括集成电容器。可以在诸如第一半导体管芯之类的衬底上实现这样的电容器。可替代地，第一电容元件和第二电容元件集成在第二管芯上，该第二管芯优选地为半导体管芯，其中，第二管芯也布置在封装件内部。封装件可以包括凸缘和输出引线，其中，第一管芯和/或第二管芯优选地使用芯片接合技术被安装到该凸缘上。
当封装件被安装在最终产品中例如安装在基站放大器的印刷电路板上时，凸缘连接至地。通过将管芯连接到凸缘上，可以实现接地连接。在一些情况下，第一管芯和/或第二管芯可以包括高掺杂衬底，从而使得低电阻路径能够通过该衬底。可替代地，延伸穿过衬底的通孔可以用于实现管芯的上部区域和底部区域之间的接地连接，该底部区域以低欧姆方式连接至凸缘。
集成电容器的示例是叉指电容器、边缘电容器、深沟槽电容器以及金属-绝缘体-金属电容器，然而本发明并不排除其它类型的电容器。在示例性实施例中，第二电容元件包括深沟槽电容器，并且第一电容元件包括金属-绝缘体-金属电容器。
第一电容元件可以包括第一电极和第二电极，在第一电容元件的第一电极与第二电极之间布置有第一电介质。此外，第二电容元件可以包括第一电极和第二电极，在第二电容元件的第一电极与第二电极之间布置有第二电介质，其中，第一电容元件的第一电极电连接至第一电感元件，并且其中，第一电容元件的第二电极电连接至第二电容元件的第一电极。在此，第二电容元件的第二电极可以电连接至地。由于第二电容元件大体上大于第一电容元件，所以按照在工作频率下，第二电容元件用作地的这种方式，第一电容元件可以使用第二电容元件的相对大的第一电极作作为有效的接地层。
第一管芯和第二管芯可以沿着第一方向伸长，其中，深沟槽电容器可以包括在第一管芯中延伸的多个沟槽、布置在沟槽内部的第二电介质、布置在第二电介质上的顶部电极以及布置在顶部电极上的金属接触层，其中，金属接触层包括沿着第一方向的多个凹槽。第二电容元件可以在第一方向上延伸第一距离，其中，凹槽在第一方向上延伸第二距离，其中，第二距离大体上等于第一距离。
申请人已经发现，当使用通常位于第一管芯和封装件的输出引线之间的第二管芯时，返回电流会流过深沟槽电容器的相对薄的金属接触层，而不是流过封装件的凸缘或者半导体衬底。这种电流会引入降低RF性能的损耗。通过布置沿着与RF返回电流的方向垂直的方向延伸的凹槽，可以迫使RF电流流过凸缘，该凸缘表现出对RF返回电流具有小得多的电阻。
如上所述，可以在谐振单元中使用电阻元件来抑制第一谐振和第二谐振。该电阻元件可以优选地以薄膜电阻器的形式集成在第二管芯上。
第一半导体管芯可以包括优选地为条形的输出接合垫组件，该输出接合垫组件电连接至输出端。此外，第二管芯可以包括第一接合垫组件，该第一接合垫组件电连接至第一电容元件，并且RF功率放大器封装件可以包括第一多条接合线，该第一多条接合线将输出接合垫组件电连接至第一接合垫组件。在这种情况下，第一多条接合线大体上形成第一电感元件，然而本发明并不排除这些接合线与布置在第一管芯和/或第二管芯上的集成电感器配合以形成第一电感元件。
RF功率放大器封装件可以包括第二多条接合线，该第二多条接合线将输出接合垫组件电连接至输出引线。在此，第二多条接合线形成RF功率晶体管的输出端与输出引线之间的串联电感。该电感可以是阻抗匹配网络的一部分，该阻抗匹配网络至少部分地布置在封装件内部。该电感还可以用作集成多尔蒂放大器的阻抗逆变器的一部分。在这种情况下，RF功率放大器封装件可以包括至少一个其它RF功率晶体管。多个RF功率晶体管被不同地偏置，使得一个晶体管用作主放大级，而其它晶体管用作峰值放大级。根据所使用的拓扑结构，第二多条接合线可以用于将主放大级或峰值放大级连接至输出引线。应当注意的是，多尔蒂放大器以及具有位于封装件内部的阻抗逆变器和/或信号组合器中的至少一部分的集成多尔蒂放大器是本领域已知的。
RF功率放大器封装件还可以包括第三电感元件和第三电容元件，第三电感元件和第三电容元件串联布置在输出引线与凸缘、第二管芯和/或第二电容元件之一之间。该串联组合可用于执行封装件内匹配。在这些情况下，第三电容元件应该至少在工作频率下有效地电连接至地。为此目的，可以使用凸缘或者第二电容元件。可替代地，如果第二管芯包括高掺杂衬底，则可以实现第二电容元件和该衬底之间的电连接，以完成接地连接。
第三电容元件可以集成在第二管芯上，其中，第二管芯还包括第二接合垫组件，该第二接合垫组件电连接至第三电容元件的一个端子。在这种情况下，RF功率放大器封装件还可以包括第三多条接合线，该第三多条接合线从第二接合垫组件延伸至输出引线。该第三多条接合线至少部分地形成第三电感元件。再次，接合线可以与布置在第二管芯上的集成电感器结合。第三电容元件的另一端子可以电连接至凸缘、第二管芯以及第二电容元件之一。
可替代地，第二管芯可以包括第二接合垫组件和集成第三电容元件，该集成第三电容元件的一个端子电连接至第二接合垫组件并且另一端子电连接至凸缘、第二管芯以及第二电容元件之一。RF功率放大器封装件可以包括第三多条接合线，该第三多条接合线将第二接合垫组件电连接至输出引线。RF功率放大器封装件还可以包括第二多条接合线，该第二多条接合线将第二接合垫组件与输出端接合垫组件电连接。
第三电感元件和第三电容元件可以被配置成在工作频率下提供阻抗匹配。第三电容元件可以包括深沟槽电容器或者金属-绝缘体-金属电容器。
封装件还可以包括偏置引线和第四多条接合线，该第四多条接合线从偏置引线延伸至第一接合垫组件。这消除了对L馈电的需要，并使得外部的印刷电路板上的空间显著减小。
第一谐振频率可以位于5MHz至20MHz的范围内，第二谐振频率位于300MHz至650MHz的范围内，以及工作频率位于800MHz至3.5GHz及以上的范围内。
第一半导体管芯可以包括硅管芯，或者包括诸如硅、碳化硅或蓝宝石之类的合适的衬底，氮化镓在该衬底上外延地生长。RF功率晶体管可以包括横向扩散金属氧化物半导体晶体管和场效应晶体管中的至少一个。
根据另一方面，本发明还提供了适用于上述RF功率放大器封装件的集成无源管芯，其中，集成无源管芯包括上述第二管芯。
根据又一方面，本发明提供了一种包括上述RF功率放大器封装件的移动电信基站。
附图说明
接下来，将通过参照附图更详细地描述本发明，在附图中：
图1A和图1B示出了用于改善工作频率下的阻抗匹配的已知拓扑结构；
图2A和图2B示出了用于改善工作频率下的阻抗匹配的已知的改进拓扑结构；
图3A和图3B示出了根据本发明的用于改善工作频率下的阻抗匹配的整体拓扑结构；
图4A至图4D进一步示出了根据本发明的拓扑结构；
图5示出了根据本发明的RF功率放大器封装件的布置；以及
图6A和图6B分别示出了其中没有布置凹槽的第二管芯的实施例与其中布置有凹槽的第二管芯的实施例之间的比较。
具体实施方式
图3A示出了根据本发明的整体拓扑结构。当将该拓扑结构与图2A的拓扑结构进行比较时，可以看出C1不再直接地连接至地，而是连接至C2。大体上大于C1的电容器C2在RF功率晶体管的工作频率下用作地。此外，电阻元件R被布置成与L2串联。
与图2A的拓扑结构类似，可以在图3B所示的把目光从FET移开所看到的阻抗中观察到第一谐振，这可以归因于C2与L馈电的并联谐振。在该谐振频率下，L2和R的串联连接的阻抗显著地小于C1的阻抗。因此，与L馈电并联布置的有效电容将大致等于C2。此外，电流在该频率下将流过R，从而使得阻抗出现谐振峰值的所期望的抑制。
在图3B中可以观察到第二谐振峰值，这可以归因于C1和L2的并联谐振，其类似于图2A的拓扑结构中的谐振。此外，在这种情况下，电流将流过R，从而使得阻抗出现谐振峰值的所期望的抑制。
在工作频率下，L2将大体上阻挡RF电流，从而使得该RF电流的较大部分流过C1和C2。因此，在这些频率下，R中的欧姆损耗的影响可以忽略不计。此外，在这些频率下，谐振单元的有效接地电容大体上等于C1，这是因为C1和C2串联布置。L1和C1被选择成使得在工作频率或者接近工作频率时，谐振电路用作具有大体上等于L1的值的电感。这种有效电感将与Cds谐振以减轻Cds在工作频率下的影响。在该频率下，RF功率晶体管理想地仅看到通过外部负载与至少部分地布置在封装件外部的匹配网络的组合而实现的所期望的阻抗。
上面的描述提供了部件Cds、L1、L2、R、C1以及C2的功能的描述。本领域技术人员容易理解的是，这些部件的值尤其强烈地依赖于下述项：所期望的工作频率、RF功率晶体管的尺寸和该晶体管的类型、阻抗在二阶IMD频率处的所期望的阻抗行为、以及使用RF功率放大器封装件制成的RF功率放大器的所期望的带宽。因此，本发明并不限于这些部件的特定范围的值。
图4A至图4D进一步示出了根据本发明的拓扑结构。在此，可以识别出附加电容器C4，该电容器C4模拟在封装件的输出引线处所看到的寄生电容。此外，增加了部件C3和L3，C3和L3在工作频率下在封装件内部执行阻抗匹配，例如，当考虑由RF功率晶体管所看到的具有较低值的外部负载时，执行向下的阻抗转换以转换输出引线处的阻抗。
图4A至图4D的不同之处在于连接C3和L3的方式。根据L3的所期望的功能，可以识别不同的实施方式。例如，如果L3仅用于阻抗匹配，则可以在工作频率下识别以下匹配级：
对于图4A和图4B的拓扑结构，第一级包括串联电感L4和等于C3的分路电容，假设C4远小于C3，并且假设C3远小于C2；
对于图4C和图4D的拓扑结构，第一级包括串联电感L3和等于C3的分路电容，并且第二级包括串联电感L4和等于C4的分路电容。
可替代地，例如当RF功率放大器封装件将用在多尔蒂放大器中时，L3可以用作阻抗逆变器的一部分，其中，RF功率放大器封装件包括用作主放大级的RF功率晶体管和用作峰值放大级的RF功率晶体管。参考图4A，例如可以通过谐振网络Cds、L3、C3、L4形成等效的PI网络。在理想情况下，这些部件在工作频率下应该执行90度相移或90度的倍数的相移。在这种应用中可能有利的是将谐振单元设计成使得在工作频率处存在残余电容以形成用于阻抗逆变器的PI网络的第一分路电容器。
在图4A和图4C中，C3直接地接地。在实际的实施方式中，C3可以被实现为被安装到凸缘的分立电容器，该凸缘与第一管芯和第二管芯分离。可替代地，可以将C3集成在第一管芯或第二管芯上。在C3被集成在第一管芯或第二管芯上的情况下，C3可以连接至导电衬底，导电衬底又连接至凸缘。当C3被集成到第二管芯中时，C3可以连接至C2，如图4B和图4D所示。
图5A示出了根据本发明的实施例，其中，由L馈电模拟的馈线集成在封装件中并连接至第二管芯，更具体地连接至第一电容器。优点在于：功率放大器的总尺寸显著减小并且RF功率晶体管易于使用。
图5B示出了图5A的实施例的实际实施方式。该图示出了包括凸缘1、输出引线2以及偏置引线3的封装件。一对半导体管芯4安装在凸缘1上。在这些管芯上布置有RF功率晶体管5，RF功率晶体管5仅示意性地被示出。在该示例中，RF功率晶体管5形成为布置在高掺杂衬底上的LDMOS晶体管。
晶体管5的栅极输入端连接至条形接合垫组件6。多条接合线7用于连接到晶体管5的栅极。
晶体管5的漏极输出端连接至条形接合垫组件8。形成L4的多条接合线9将漏极输出端连接至输出引线2。形成L1的第二多条接合线10将漏极输出端连接至U形接合垫组件11，该U形接合垫组件11布置在第二管芯18上。该组件电连接至L2和C1的公共点。部分地形成L馈电的其他多条接合线12将偏置引线3连接至接合垫组件11。接合线12′将偏置引线中继到另一RF功率晶体管5。
形成L3的接合线13将输出引线2连接至条形接合垫组件14，该条形接合垫组件14电连接至C3的一个端子。C3的另一端子连接至C2的顶部电极(未示出)。形成L2的接合线15将接合垫组件11连接至接合垫16，该接合垫16电连接至位于掩埋位置17处的薄膜电阻器R。
管芯18包括高掺杂硅衬底，在该高掺杂硅衬底上分布有用作深沟槽电容器的C2。C2的顶部电极连接至C1的底部电极。C2的另一电极由高掺杂衬底形成。C1的顶部电极连接至接合垫组件11。
图5B中的实施例示出了在其上实现各种部件的两个独立的管芯4、管芯18。本发明并不排除下述实施例，在该实施例中，仅使用了单个管芯，有源部件和无源部件均集成在该单个管芯上。
如图5B所看到的，接合线9跨越管芯18将输出电流传送至输出引线2。返回电流与该电流相关联。在图6A中示意性地示出了该电流。该图示出了凸缘1，在凸缘1上布置有管芯18。该图还示出了C2的顶部电极，在该示例中该顶部电极形成为1微米厚的金属层19。与金属层19相关联的电阻比与凸缘1相关联的电阻要大得多。因此，在工作频率下会引入不需要的损失。图6B所示的实施例解决了该问题。
为了引导返回电流，可以将凹槽20布置在金属层19中，凹槽20垂直于图6A中的返回电流的流动而延伸。通常，会将C2分布在整个管芯18上，从而具有沿着第一方向延伸的伸长结构。凹槽20优选地沿着该第一方向布置，并且优选地大体上在金属层19的整个长度上延伸。使用凹槽20，迫使返回电流流过凸缘1，从而减少了工作频率下的损耗。
尽管已经使用本发明的详细实施例描述了本发明，但是本领域技术人员应当容易理解的是，本发明不限于此，而是在不脱离本发明的由所附权利要求进行限定的范围的情况下可以对这些实施例进行各种修改。

Claims (15)

1.一种射频(RF)功率放大器封装件，包括：
封装件；
第一半导体管芯，被布置在所述封装件内部并且设置有RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有输出电容并且被配置成在工作频率下放大信号；
阻抗网络，被布置在所述封装件内部并且包括：
第一电感元件，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电连接至所述RF晶体管的输出端；
谐振单元，电连接至所述第一电感元件的第二端子；
第二电容元件，电连接在所述谐振单元与地之间；
其中，所述谐振单元包括第二电感元件和第一电容元件，所述第二电感元件电连接在所述第二电容元件与所述第一电感元件之间，所述第一电容元件具有第一端子和第二端子，所述第一电容元件的第一端子电连接至所述第一电感元件的第二端子；
其中，所述第二电容元件的电容显著地大于所述第一电容元件的电容；
其中，所述第一电容元件的第二端子电连接至所述第二电容元件；
其中，所述第一电感元件、所述第一电容元件以及所述第二电感元件被选择成使得在所述工作频率或者接近所述工作频率时：
所述第二电感元件大体上阻挡RF电流，从而使得所述RF电流的较大部分流过C1和C2；
由所述第一电容元件和所述第一电感元件的串联连接形成的有效电感具有大体上等于所述第一电感元件的电感的有效电感，所述有效电感与Cds谐振；
其中，所述RF功率晶体管被配置成使用馈电电感进行馈电，并且其中，所述第二电容元件被配置成在大体上小于所述工作频率的第一谐振频率下与所述馈电电感谐振；
其中，所述第二电感元件被配置成在第二谐振频率下与所述第一电容元件谐振，其中，所述第一谐振频率大体上小于所述第二谐振频率，并且其中，所述第二谐振频率大体上小于所述工作频率；以及
其中，谐振电路包括用于抑制第一谐振和第二谐振的电阻元件。
2.根据权利要求1所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电感元件和/或所述第二电感元件包括集成电感器和/或接合线。
3.根据权利要求1或2所述的RF功率放大器封装件，其中，所述电阻元件被布置成与所述第二电感元件串联，或者与所述第二电感元件集成在一起。
4.根据前述权利要求中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和/或所述第二电容元件包括集成电容器。
5.根据前述权利要求中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中：
所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第一半导体管芯上，其中，所述封装件优选地包括凸缘和输出引线，其中，所述第一管芯优选地使用芯片接合技术被安装到所述凸缘上；或者
其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在第二管芯上，所述第二管芯优选地为半导体管芯，所述第二管芯布置在所述封装件内部，其中，所述封装件优选地包括凸缘和输出引线，其中，所述第一管芯和所述第二管芯优选地使用芯片接合技术被安装到所述凸缘上，其中，优选地：
所述第一电容元件包括第一电极和第二电极，在所述第一电容元件的第一电极与第二电极之间布置有第一电介质，并且其中，所述第二电容元件包括第一电极和第二电极，在所述第二电容元件的第一电极与第二电极之间布置有第二电介质，其中，所述第一电容元件的第一电极电耦接至所述第一电感元件，并且其中，所述第一电容元件的第二电极耦接至所述第二电容元件的第一电极，其中，所述第二电容元件的第二电极连接至地。
6.根据权利要求5所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第二管芯上，所述第二电容元件包括深沟槽电容器，并且其中，所述第一电容元件包括金属-绝缘体-金属电容器，其中，优选地，所述第一管芯和所述第二管芯沿着第一方向伸长，其中，所述深沟槽电容器包括在所述第二管芯中延伸的多个沟槽、布置在所述沟槽内部的第二电介质、布置在所述第二电介质上的顶部电极以及布置在所述顶部电极上的金属接触层，其中，所述金属接触层包括沿着所述第一方向的多个凹槽，其中，优选地，所述第二电容元件在所述第一方向上延伸第一距离，并且所述凹槽在所述第一方向上延伸第二距离，其中，所述第二距离大体上等于所述第一距离。
7.根据权利要求1或2和权利要求5至6中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第二管芯上，其中，所述电阻元件优选地以薄膜电阻器的形式集成在所述第二管芯上。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第二管芯上，其中，所述第一半导体管芯包括电连接至所述输出端的输出接合垫组件，并且其中，所述第二管芯包括电连接至所述第一电容元件的第一接合垫组件，其中，所述RF功率放大器封装件包括第一多条接合线，所述第一多条接合线将所述输出接合垫组件电连接至所述第一接合垫组件，所述第一多条接合线大体上形成所述第一电感元件，其中，优选地：
所述RF功率放大器封装件包括第二多条接合线，所述第二多条接合线将所述输出接合垫组件电连接至所述输出引线，或者
所述第二管芯包括：第二接合垫组件和集成第三电容元件，所述集成第三电容元件的一个端子电连接至所述第二接合垫组件并且另一端子电连接至所述凸缘、所述第二管芯以及所述第二电容元件之一，其中，所述RF功率放大器封装件包括第三多条接合线，所述第三多条接合线将所述第二接合垫组件电连接至所述输出引线，所述RF功率放大器封装件还包括第二多条接合线，所述第二多条接合线将所述第二接合垫组件与所述输出接合垫组件电连接。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第二管芯上，所述RF功率放大器封装件还包括第三电感元件和第三电容元件，所述第三电感元件和所述第三电容元件串联地布置在所述输出引线与所述凸缘、所述第二管芯和/或所述第二电容元件之一之间。
10.根据权利要求9所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第三电容元件集成在所述第二管芯上，所述第二管芯还包括第二接合垫组件，所述第二接合垫组件电连接至所述第三电容元件的一个端子，所述RF功率放大器封装件还包括第三多条接合线，所述第三多条接合线从所述第二接合垫组件延伸至所述输出引线，所述第三多条接合线大体上形成所述第三电感元件，所述第三电容元件的另一端子电连接至所述凸缘、所述第二管芯以及所述第二电容元件之一。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第三电感元件和所述第三电容元件被配置成在所述工作频率下提供阻抗匹配，和/或其中，所述第三电容元件包括深沟槽电容器或者金属-绝缘体-金属电容器。
12.根据权利要求5至11中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一电容元件和所述第二电容元件集成在所述第二管芯上，所述封装件包括偏置引线和第四多条接合线，所述第四多条接合线从所述偏置引线延伸至所述第一电容元件。
13.根据前述权利要求中任一项所述的RF功率放大器封装件，其中，所述第一谐振频率位于5MHz至20MHz的范围内，所述第二谐振频率位于300MHz至650MHz的范围内，并且所述工作频率位于800MHz至3.5GHz及以上的范围内；和/或
其中，所述第一半导体管芯包括硅管芯或氮化镓管芯；和/或
其中，所述RF功率晶体管包括横向扩散金属氧化物半导体晶体管和场效应晶体管中的至少一个。
14.一种适用于前述权利要求中任一项所限定的RF功率放大器封装件的集成无源管芯，其中，所述集成无源管芯包括权利要求5至13中任一项所限定的第二管芯。
15.一种移动电信基站，包括权利要求1至13中任一项所限定的RF功率放大器封装件。
CN201710601968.3A 2016-07-21 2017-07-21 用于rf功率放大器封装件的集成无源器件 Active CN107644852B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2017206 2016-07-21
NL2017206A NL2017206B1 (en) 2016-07-21 2016-07-21 Integrated passive device for RF power amplifier package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107644852A true CN107644852A (zh) 2018-01-30
CN107644852B CN107644852B (zh) 2023-01-24

Family

ID=57104130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710601968.3A Active CN107644852B (zh) 2016-07-21 2017-07-21 用于rf功率放大器封装件的集成无源器件

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10242960B2 (zh)
EP (2) EP3273596B1 (zh)
CN (1) CN107644852B (zh)
NL (1) NL2017206B1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020156351A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 苏州远创达科技有限公司 一种高视频带宽的射频功率放大器
CN112585749A (zh) * 2018-09-03 2021-03-30 安普林荷兰有限公司 Rf返回电流损耗降低的功率放大器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10411659B2 (en) 2018-01-25 2019-09-10 Cree, Inc. RF power amplifier with frequency selective impedance matching network
US11043919B2 (en) 2018-07-26 2021-06-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Power amplifier
US11522504B2 (en) * 2020-06-26 2022-12-06 Wolfspeed, Inc. Wideband RF short/DC block circuit for RF devices and applications
EP3937375A1 (en) * 2020-07-09 2022-01-12 Infineon Technologies AG Device including power transistor and dc feed path and method
US11621680B2 (en) 2020-11-09 2023-04-04 City University Of Hong Kong Power amplifier
CN113645577A (zh) * 2021-08-25 2021-11-12 国网浙江省电力有限公司双创中心 一种无线通信方法、装置、设备及可读存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1219025A (zh) * 1997-10-29 1999-06-09 日本电气株式会社 减小脉动噪声的微波放大器
US20120154054A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for oscillation suppression
US20130033325A1 (en) * 2010-04-22 2013-02-07 Freescale Semiconductor, Inc. Rf power transistor circuit
CN103023448A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 具有补偿性谐振器匹配拓扑的rf器件
US20150381121A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Jeffrey K. Jones Integrated passive device assemblies for rf amplifiers, and methods of manufacture thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1490907A1 (en) * 2002-03-21 2004-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Power amplifier device
US7378920B2 (en) * 2006-02-14 2008-05-27 Freescale Semiconductor, Inc. Methods and apparatus for a high-frequency output match circuit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1219025A (zh) * 1997-10-29 1999-06-09 日本电气株式会社 减小脉动噪声的微波放大器
US20130033325A1 (en) * 2010-04-22 2013-02-07 Freescale Semiconductor, Inc. Rf power transistor circuit
US20120154054A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for oscillation suppression
CN103023448A (zh) * 2011-09-27 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 具有补偿性谐振器匹配拓扑的rf器件
US20150381121A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Jeffrey K. Jones Integrated passive device assemblies for rf amplifiers, and methods of manufacture thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112585749A (zh) * 2018-09-03 2021-03-30 安普林荷兰有限公司 Rf返回电流损耗降低的功率放大器
WO2020156351A1 (zh) * 2019-01-31 2020-08-06 苏州远创达科技有限公司 一种高视频带宽的射频功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
US20190172804A1 (en) 2019-06-06
EP3273596A1 (en) 2018-01-24
US20180026000A1 (en) 2018-01-25
EP3273596B1 (en) 2020-06-17
EP3731410A1 (en) 2020-10-28
US10453810B2 (en) 2019-10-22
US10242960B2 (en) 2019-03-26
EP3731410B1 (en) 2023-12-13
NL2017206B1 (en) 2018-01-30
CN107644852B (zh) 2023-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107644852A (zh) 用于rf功率放大器封装件的集成无源器件
US10784824B2 (en) Amplifiers and related integrated circuits
US20180006626A1 (en) Impedance matching circuit for radio-frequency amplifier
US9531328B2 (en) Amplifiers with a short phase path, packaged RF devices for use therein, and methods of manufacture thereof
US9698749B2 (en) Impedance matching device with coupled resonator structure
EP2458730A1 (en) Radiofrequency amplifier
EP2393111B1 (en) Inductive bond-wire circuit
CN110011628B (zh) 混合功率放大器电路或系统及其操作方法
EP2463905A1 (en) Packaged RF transistor with special supply voltage leads
CN108233881B (zh) 放大器电路和经封装的放大器电路
CN110504922A (zh) 宽带功率晶体管装置和放大器及其制造方法
CN106656069A (zh) 一种应用于gsm射频功率放大器的多频输出匹配网络
JP6191016B2 (ja) 半導体装置
US10637413B2 (en) Semiconductor device
US9979356B2 (en) Magnetically coupled load modulation
US10903182B1 (en) Amplifier die bond pad design and amplifier die arrangement for compact Doherty amplifier modules
CN110034736A (zh) 封装式射频功率放大器
CN112751535A (zh) 具有输入侧分数谐波谐振器电路的rf放大器
CN114614779A (zh) 具有输入侧谐波终端电路的功率晶体管装置和放大器
US9991854B1 (en) Power amplifier output circuit arrangements with mutual coupling between inductors
CN115800931A (zh) 使用基带终止的t型匹配拓扑
US10707818B1 (en) RF amplifier with impedance matching components monolithically integrated in transistor die
JP5800360B2 (ja) ドハティ増幅器
US11979117B2 (en) High frequency semiconductor amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant