CN107637186A - 具有用于传动装置控制单元的阿尔法射线保护的电子装置模块以及传动装置控制单元 - Google Patents

具有用于传动装置控制单元的阿尔法射线保护的电子装置模块以及传动装置控制单元 Download PDF

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Abstract

建议一种用于传动装置控制单元（10）的电子装置模块（12）以及一种相应的传动装置控制单元（10）。电子装置模块（12）具有：电路板元件（14），电路板元件具有电子电路（18），其被布置在电路板元件（14）的装配面（16）上并且具有至少一个未加壳体的半导体器件（20），其以接触面(22)被布置在装配面（16）上。电子电路（18）完全由保护物质（26）遮盖。该电子装置模块（12）的特征尤其在于，在半导体器件（20）的相反于接触面（22）来布置的表面（28）上布置保护层（30），用于保护半导体器件（20）免遭电离辐射，其中保护层（30）具有阿尔法辐射的单位面积发射速率，其比所述保护物质（26）的阿尔法辐射的单位面积发射速率更小。由此可以可靠地保护半导体器件（20）免遭辐射引起的损坏。

Description

具有用于传动装置控制单元的阿尔法射线保护的电子装置模 块以及传动装置控制单元
技术领域
本发明涉及用于机动车的传动装置控制单元的电子装置模块。本发明尤其涉及具有被保护免遭电离辐射的半导体器件以及具有这样的电子装置模块的传动装置控制单元。
背景技术
为了控制传动装置、尤其是自动化传动装置，在机动车中使用电子的传动装置控制单元或传动装置控制模块，所述电子的传动装置控制单元或传动装置控制模块要么在传动装置壳体的内部中作为集成的传动装置控制单元被布置，要么作为加装模块被从外部装配到传动装置壳体上。
集成的传动装置控制单元通常具有电子装置模块、至少一个传感器、至少一个用于连接车辆电缆线束的插接连接和用于操控执行器的电接口，其中所述电子装置模块具有电子电路（所谓的“transmission control unit（传输控制单元）”, TCU）。
电子装置模块的电子电路在此可以具有不同器件，尤其是电容器、存储器、功率末级、电阻器和/或半导体芯片或半导体器件。此外，由于结构空间限制，对于半导体器件使用所谓的“裸芯片器件（Bare-Die-Bauelement）”，也即未加壳体的硅器件或未加壳体的半导体器件。
为了保护集成的传动装置控制单元的电子电路和/或电子装置模块例如免遭至少部分地环绕冲洗的传动装置液体，由保护物质或模压物质来保护电子电路和/或电子装置模块。
这样的传动装置控制模块在DE 10 2011 088 969 A1中被公开。
发明内容
本发明的优点
本发明的实施方式可以以有利的方式实现:提供用于机动车的传动装置控制单元的可靠的、鲁棒性的和/或能够以低成本的方式来生产的电子装置模块以及具有这样的电子装置模块的传动装置控制单元。
根据本发明的第一方面，建议一种用于传动装置控制单元的电子装置模块。所述电子装置模块具有电路板元件，所述电路板元件具有电子电路，其中所述电子电路被布置在电路板元件的装配面上并且具有至少一个未加壳体的半导体器件，所述未加壳体的半导体器件以接触面被布置在装配面上。电子电路完全由保护物质遮盖。根据本发明的电子装置模块的特征尤其在于，在半导体器件的相反于接触面来布置的表面上布置保护层，用于保护半导体器件免遭电离辐射，其中保护层具有阿尔法辐射的单位面积发射速率，所述单位面积发射速率比保护物质的阿尔法辐射的单位面积发射速率更小。保护层在此可以完全地或者仅部分地遮盖半导体器件的表面。
保护物质可以例如被设置用于保护电子电路免遭传动装置液体。然而，不稳定的核素和/或不稳定的同位素、诸如238U和/或234U可以被包含在保护物质中，其可以在衰变系列中在发射电离辐射的情况下衰变成稳定的同位素。在此，尤其是阿尔法粒子或阿尔法辐射，也即氦核被发射。如果阿尔法粒子击中到未加壳体的半导体器件上，那么通过在半导体器件中沉积阿尔法粒子的能量例如可能发生局部的硬件方面的损坏、例如发生导体线路结构、半导体器件的断开（所谓的单粒子效应（ single event effect））。也可以例如在半导体器件中以从0到1的或反之的方式来设定电容存储位。这样的软件方面的损坏通常被称为辐射引起的“软错误(soft error)”。
避免上面提到的辐射引起的对半导体器件的损坏的一种可能性可以是：例如使用具有高纯度的保护物质，也即，使用以下保护物质，所述保护物质具有以保护物质的每体积单位或质量单位来说少不稳定性的并且发射阿尔法粒子的同位素。作为对于保护物质的纯度的标准可以采用阿尔法粒子的单位面积发射速率，所述单位面积发射速率可以以下单位来说明：每时间单位和面积的计数或者衰变（例如计数/(h cm2）或1/(h cm2)或每hora的计数/cm2或cph/cm2)。然而，这样的保护物质可以与显著的材料成本关联。另外，电子电路大多也具有电子器件，所述电子器件例如基于器件的足够大的导电通路结构是辐射不敏感的和/或所述电子器件具有自己的壳体，像是例如可以在所谓的“surface mounted devices（表面安装设备）”的情况下或者SMD器件的情况下可能的。因此不需要强制性地利用成本密集的保护物质保护这样的器件免遭于由所述保护物质所发射的辐射。
对于例如大约90nm大的导体线路结构，大约0.01cts/(h cm2)的保护物质的纯度或质量通常可以是足够的。相反，对于大约40nm大的导体线路结构，可以从低于0.01cts/（hcm2）(所谓的低阿尔法保护物质)并且甚至从大约0.001cts/（h cm2）（所谓的超低阿尔法（ultra-low-alpha）或超级低阿尔法（super-low-alpha）的保护物质）出发。这样的高纯度保护物质（只要其是总体上可用的）的成本，有时可以例如是两倍高的。另外，这样的高纯度的保护物质大多不是以与其他特性或者与其他对保护物质所提出的要求相组合的方式可用的，诸如不是以与单位热膨胀系数（“coefficient of thermal expansion（热膨胀系数）”，CTE）和/或相对例如传动装置油所要求的抵抗能力相组合的方式可用的， 。
根据本发明，通过保护层避免保护物质与半导体器件的表面的直接机械接触。另外，由保护物质的不稳定同位素所发射的阿尔法粒子在保护层中被吸收，使得辐射引起的对半导体器件的损坏能够得以避免。通过借助于保护层对未加壳体的半导体器件进行的根据本发明的屏蔽或保护，因此可以有针对性地并且以局部限制的方式提供对半导体器件的全面保护，而无需例如利用成本密集的、高纯度的保护物质来对整个电子电路进行保护，其中所述保护层具有比保护物质更小的阿尔法粒子单位面积发射速率。总体上，因此可以提供可靠工作的并且鲁棒性的电子装置模块并且可以节省电子装置模块的生产以及材料成本或者通过以局部限制的方式使用高纯度保护物质将电子装置模块的生产以及材料成本保持为较小。
对于本发明的实施方式的想法可以此外被视为，基于接下来所描述的思想和认识。电子电路和/或电子电路的器件的日益微型化可以引起在器件的硅中或者在未加壳体的半导体器件的硅中更细小的结构，所述半导体器件例如可以具有微控制器、逻辑组件和/或电流调节器-ASIC。微控制器-硅-晶圆或未加壳体的半导体器件或芯片当前具有大约90nm的导体线路结构。所述器件的新的几代可以具有在大约40nm的范围内的结构。从晶圆所溶出（herausgelöst）的并且以未加壳体的半导体器件的形式的个别的电路通常被称为裸芯片。所述裸芯片例如通过接合线与引脚排连接并且在模塑工具中利用热固性塑料被重新模压（ummolden）或重铸。所述成果是所谓的“integrated circuits（集成电路）”（IC's），也即有壳体的半导体器件，诸如SMD器件。尤其是为了制造小的电子电路或为了制造紧凑的电子装置模块，裸芯片也在没有壳体的情况下例如被粘贴、接合和/或钎焊在电路板元件上、例如“印刷电路板（printed circuit board）”(PCB)、高密度互连电路板（High-Density-Interconnect- Leiterplatte）（HDI-PCB）、“低温共烧陶瓷（low-temperaturecofired ceramics）”（LTCC）衬底或“高温共烧陶瓷（high-temperature cofiredceramics）”（HTCC）衬底上。所述器件可以为了在传动装置控制单元中使用而利用保护物质并且必要时利用盖部来被保护免遭于周围环境、例如空气、油和/或燃料。整个电子电路和/或电子装置模块作为传动装置控制设备或传动装置控制单元可以例如利用热固性塑料作为保护物质被重新模压或被注型。在新一代的集成传动装置控制单元中，通过分配或喷雾例如基于环氧树脂的保护物质来代替模压。在每种情况下 ，作为保护物质所使用的热固性塑料和/或基于环氧树脂的材料可以包含不稳定的、矿物质的填充物，所述填充物可以发出阿尔法辐射。阿尔法辐射在此在统计过程中自发形成。在电子装置模块的典型材料中，阿尔法粒子可以具有例如约1mm的平均射程。然而，所述阿尔法粒子可以由薄层（例如80μm厚的纸）和/或薄塑料和/或金属阻挡。如果阿尔法粒子击中到具有约40nm的导体线路结构的半导体器件，则可能如上所述的那样出现半导体器件的硬件方面和/或软件方面的损坏。这样的损坏又可能造成电子装置模块的功能失误。
通过根据本发明的由保护层对未加壳体的半导体器件的屏蔽，可以以有利的方式将所使用的成本密集的、高纯度的保护物质的量保持得较小。可以因此利用具有例如大于或等于0.1 cts/（h cm2）的单位面积发射速率的保护物质来全面地保护电子电路，这可以与显著的成本节约相关联。
根据本发明的一种实施方式，保护层遮盖半导体器件的表面的中央区域，其中所述中央区域由表面的边缘区域来限制，其中所述边缘区域与至少一个暴露的接合线接触。换言之，保护层被布置在表面的以下区域内或者所述保护层覆盖以下区域，所述区域可以处于作为用于电路板元件的连接接合部的、位于外部的接合线之内，使得保护层并不与接合线机械接触。由此可以避免空气影响的危险和/或例如由于所谓的柯肯达尔效应(Kirkendall-Effekt)造成的接合线升高（abheben）。总体上，可以提供鲁棒性的和可靠工作的电子装置模块。
相反，半导体器件例如借助在接触面处的焊珠与电路板元件电连接，因此保护层可以完全遮盖半导体器件的表面。然而，在这种情况下，也应该避免用保护层对半导体器件的侧面的遮盖,以便例如避免在接触面和装配面之间的空气影响和/或通过钎焊腐蚀所引起的电子装置模块的失效。
根据本发明的一种实施方式，保护层具有至少20μm和最大2.5mm的厚度。保护层的厚度可以例如为约1mm。保护层的厚度应该至少具有在保护层的材料中的阿尔法粒子的平均射程的值，使得阿尔法粒子能够可靠地被吸收或者被阻止在保护层中。
根据本发明的一种实施方式，保护层的阿尔法辐射的单位面积发射速率小于或等于0.01cph/cm2。由此，可以通过在保护层的材料中所包含的不稳定同位素的衰变来避免半导体器件的损坏。
根据本发明的一种实施方式，保护层是光固化的，例如UV光固化的和/或热固化的（例如通过红外辐射）。由此，可以在制造电子装置模块期间快速且可靠地预先交联和/或至少部分地硬化保护层，使得保护物质与保护层的材料的混合以及保护物质与半导体器件的表面的直接机械接触能够得以避免。
根据本发明的一种实施方式，保护层具有基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。这样的材料可以尤其鉴于快速硬化方面是有利的，由此例如可以节省制造成本。裸芯片胶也可以作为保护层被涂覆到半导体器件的表面上，其中借助于所述裸芯片胶例如可以将半导体器件的接触面固定在电路板元件的装配面上。这样的粘合剂通常被称为“Anisotropic Conductive Film（异方性导电胶膜）”（ACF）或“Anisotropic Conductive Adhesive(各向异性导电粘合剂)”(ACA)并且可以以关于发射阿尔法射线的同位素来说的高纯度而出众。
根据本发明的一种实施方式，电子装置模块另外具有用于保护半导体器件免遭电离辐射的保护板，其中所述保护板被布置在保护层上，所述保护层被布置在半导体器件的表面上。换言之，保护层可以用于将保护板加固在半导体器件上。保护板可以以有利的方式提供使半导体器件免遭电离辐射的全面保护和/或进一步提高所述保护。
根据本发明的一种实施方式，保护板具有陶瓷材料、金属、塑料、基于热固性塑料的材料、基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。保护板应该由以下材料制成，所述材料具有关于发射阿尔法射线的同位素来说的高纯度。保护层自身可以在这种情况下以按比例来说薄的方式被构造并且基本上用于固定保护板。例如，可以通过成型和硬化来预先制造由保护层的材料所组成的保护板并且在电子装置模块的制造期间被加固在所述表面上。由此，可以例如减少或者完全不考虑保护层的硬化时间，因为可以通过保护板来避免保护层的材料和保护物质的材料混合。
本发明的另一方面涉及传动装置控制单元。传动装置控制单元具有电子装置模块（正如上面和下面所描述的那样）和承载板。电子装置模块的电路板元件以相反于装配面来布置的面被布置在承载板上，其中传动装置控制单元被实施用于，由传动装置液体来环绕冲洗。换言之，传动装置控制单元可以是集成的传动装置控制单元或集成的传动装置控制设备，其可以被建造在例如在机动车内的传动装置壳体之内。
根据本发明的一种实施方式，传动装置控制单元具有以环形的方式包围电路板元件的电路板和/或柔性薄片（Flexfolie），其中所述电路板元件与电路板和/或柔性薄片电接触。
本发明的另一方面涉及用于制造电子装置模块和/或传动装置控制单元的方法，正如上面和下面所描述的那样。
附图说明
接下来参照所附附图来描述本发明的实施方式，其中所述附图和所述描述都不被解释为对本发明进行限制。其中：
图1 示出具有根据本发明的一种实施方式的电子装置模块12的传动装置控制单元10。
图2A至5 分别示出根据本发明的多个实施方式的电子装置模块。
所述图仅是示意性的并且并不是符合尺寸的。相同附图标记在图中表示相同的或相同作用的特征。
具体实施方式
传动装置控制单元10具有承载板11，在所述承载板上加固电路板13，所述电路板具有凹陷或空隙。所述电子装置模块12被布置在所述空隙15中，使得电路板13以基本上环形的方式包围电子装置模块12。电路板13可以例如具有PCB板和/或柔性薄片，用于电接触传动装置控制单元10的组件和/或用于电接触电子装置模块12。
在电路板13上另外布置传动装置控制单元10的电子的/电气的组件17。所述组件17可以例如是能够与电路板13电连接的传感器、插头、用于操控执行器的接口和/或其他器件。
电路板13以一侧19被布置并固定在承载板11上。例如，电路板13可以被钎焊、粘接和/或熔焊到承载板11上。在凹陷15的区域内，电子装置模块12以一个面21全面地平放在承载板11上。电子装置模块12的面21在此可以表示电子装置模块12的电路板元件14的面21。承载板11可以尤其用作用于电子装置模块12和/或传动装置控制单元10的冷却体，并且用于导出热。电子装置模块12可以以面21来被钎焊、粘接和/或熔焊到承载板11上。
电路板元件14可以例如具有PCB电路板元件、HDI电路板元件、LTCC衬底和/或HTCC衬底。
在电路板元件14的装配面16上布置电子电路18，其中所述装配面相反于电子装置模块12的电路板元件14的面21来布置。电子电路18可以例如具有SMD器件、电容器、电阻器和/或其他电子器件。另外，电子电路18具有至少一个未加壳体的半导体器件20，所述半导体器件以接触面22被布置和加固、例如粘接和/或钎焊在装配面16上。所述半导体器件20利用暴露的接合线24与电路板元件14电接触。所述接合线24在此从半导体器件20的外侧面和/或从装配面16突出，因此所述接合线24可以被认为是“暴露的”。可替代地或附加地，半导体器件20可以例如被实施为“Ball Grid Array（球栅阵列）（BGA）”组件和/或“System inPackage（系统级封装）（SiP）”，并且接触面22可以经由焊珠与电路板元件14电接触(例如晶圆级封装（Waver Level Package）或倒装芯片 （Flip Chips）)。
电子装置模块12另外经由接合线23与传动装置控制单元10的电路板13电接触。然而，所述电子装置模块12也可以利用适合的其他电连接、例如经由柔性薄片与电路板13连接。另外，电子装置模块12的电路板元件14可以是电路板13的部分。换言之，传动装置控制单元10具有连续的、共同的电路板13，电子装置模块12的组件可以被布置在所述电路板上。
电子电路18由保护其免遭外部影响和/或传动装置液体的保护物质26完全遮盖。接合线23和/或电路板13的邻接到电子装置模块12的区域或者布置在所述区域内的电子构件也可以由保护物质26完全遮盖。保护物质26可以例如包含硅胶、基于环氧树脂的材料和/或保护漆。保护物质26可以具有大于或等于0.01 cph/cm2的阿尔法粒子的单位面积发射速率 。保护物质26可以例如通过分配（Dispensen）、喷雾（aufspruehen）、压铸喷镀（Druckgussspritzen）、传递模塑（Transfer-Molden）和/或浇注（Aufgießen）来涂覆。也可以在围堰填充（Dam&Fill）方法中利用两种不同粘性的材料来涂覆保护物质26。
在半导体器件20的表面28上布置保护层30，用于保护半导体器件20免遭电离辐射、尤其是免遭阿尔法辐射或阿尔法粒子，其中所述表面相反于接触面20来布置。电离辐射可以通过在保护物质26中所包含的不稳定同位素的衰变来被释放或发射。保护层30在此遮盖表面28的中央区域32，所述中央区域由边缘区域34限制，接合线24在所述边缘区域中接触半导体器件20或者被布置在所述边缘区域中。换言之，保护层30并不遮盖接合线24并且仅在位于外部的接合线24之内被涂覆在表面28上，使得对接合线24的空气影响和/或例如由于柯肯达尔效应造成的电子装置模块12的失效能够得以避免。
保护层30或保护层30的材料具有阿尔法粒子的单位面积发射速率，所述单位面积发射速率小于保护物质26的阿尔法粒子的单位面积发射速率。例如，保护层的单位面积发射速率小于或等于0.01 cph/cm2。保护层30可以例如包含基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。
为了可以提供全面保护使得免遭阿尔法粒子，阿尔法粒子应该在保护层30之内被吸收。保护层30的厚度因此应该至少位于在保护层30的材料中阿尔法粒子的平均自由路径长度的范围内。保护层30的厚度可以例如为至少20μm和最大2.5mm。典型地，保护层30的厚度大约为1mm。
图2A至2C示出根据本发明的实施方式的电子装置模块12。图2A至2C尤其图解用于制造电子装置模块12的过程步骤。只要没有另外描述，图2A至2C的电子装置模块12就可以具有与图1的电子装置模块12相同的元件和特征。
如在图2A中所示，在接合线24之间或边缘区域之间34的中央区域32中，保护层30的材料以能流动的形式利用适合的涂覆装置29被涂覆、例如被喷雾和/或浇注到表面28上，其中接合线24在所述边缘区域中接触半导体器件20。涂覆装置29在此可以相对半导体器件20被移动。
保护层30或材料保护层30可以是光固化的和/或热固化的。如图2B中所示，在涂覆保护层30之后，保护层利用适合的硬化装置31、例如UV光、利用红外线辐射和/或在加热炉中至少部分地硬化。利用UV光进行的硬化例如在作为保护层30的基于聚丙烯酸酯的材料的情况下是可能的。相反，作为保护层30的基于环氧树脂的材料可以通过热量被硬化，例如在加热炉中被硬化。硬化时长对于典型的环氧树脂来说在120℃的情况下可以例如约为1小时。可替代地，可以使用快速固化的材料作为保护层30，诸如环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶，所述快速固化的材料可以利用作为硬化装置31的加热灯(红外辐射)在120和200℃之间经由例如大约5至50秒被硬化。作为用于保护层30的材料另外适合的是裸芯片胶，正如其也可以用于将半导体器件20加固在装配面16上。以有利的方式，可以一方面利用裸芯片胶将半导体器件20的接触面22粘贴到装配面16上并且另一方面可以将相同的裸芯片胶作为保护层30涂覆到半导体器件20的表面28上。这样的裸芯片胶通常被称为“AnisotropicConductive Film（异方性导电胶膜）”（ACF）或“Anisotropic Conductive Adhesive(各向异性导电粘合剂)”(ACA)。
保护层30的材料应该总是具有小于或等于0.01 cph/cm2的单位面积发射速率的低阿尔法的或超低阿尔法的材料。
保护层30的热膨胀系数（CTE）应该处于半导体器件20的CTE和保护物质26的CTE之间。因为保护物质26的CTE已经可以被适配于电子电路18的其他构件，所述其他构件由于相对阿尔法射线的不敏感性而并不强制性地需要附加的保护层，保护层30的CTE可以被优化，例如鉴于保护层30在半导体器件20上的附着或者鉴于在保护物质26上的附着而言被优化。如果保护层30在半导体器件20上具有比在保护物质26上更差的附着，则保护层30的CTE更接近于半导体器件20的CTE，以便最小化剪力和/或最大化附着力。在使用ACF或ACA作为保护层的情况下，所属的CTE已经可以以最佳的方式与半导体器件20的CTE相协调。
如图2C中所示的那样，在保护层30至少部分地硬化之后，保护物质26可以被涂覆到电子装置模块12或电子电路18上。保护物质26可以例如通过分配、喷雾、压铸喷镀、传递模塑和/或浇注来涂覆。保护物质26可以在围堰填充方法中利用两种不同粘性的材料来被涂覆。
图3示出根据本发明另一实施方式的电子装置模块12。只要没有另外描述，图3的电子装置模块12就可以具有与图1至2C的电子装置模块12相同的元件和特征。
在图3中所示出的实施例的情况下，利用保护物质26来完全注型电子装置模块12。利用例如热固性塑料材料作为保护物质26在压力下注型电子装置模块12，其中所述电子装置模块12完全由保护物质所包围。
经由连接线36可以将电子装置模块12与传动装置控制单元10的其他组件接触。总的传动装置控制单元10也可以如图3中所示的那样在保护物质26中被注型，也即在图3中所示的电子装置模块12可以具有传动装置控制单元10的全部组件或者图3的电子装置模块12可以表示传动装置控制单元10。
图4示出根据本发明的另一实施方式的电子装置模块12。只要没有另外描述，图4的电子装置模块12就可以具有与前述图的电子装置模块12相同的元件和特征。
图4中所示的实施方式的保护层30具有例如为几十μm的较小厚度并且作为粘接层起作用，借助于所述粘接层将用于保护免遭电离辐射的保护板38固定和/或加固在半导体器件20的表面28上。保护层30可以例如包含裸芯片胶。保护板38在此至少覆盖半导体器件20的表面28的中央区域32。
为了提供足够保护使得免遭电离辐射并且尤其是免遭阿尔法粒子，保护板可以具有大约20μm至几mm、典型为1-2mm的厚度。
保护板38可以具有陶瓷材料、金属、塑料、基于热固性塑料的材料、基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。例如，保护板38可以由类似于LTCC衬底的陶瓷、低阿尔法（0.01 cts/(h cm2)）的材料、超低阿尔法（0.001 cts/(h cm2)）的材料、例如热固性塑料材料和/或由电路板材料制成。
优选地，保护板38和/或保护层30具有在平行于表面28的垂直向量或装配表面16的方向上的热膨胀系数（CTE），所述热膨胀系数与保护物质26的CTE近乎相同，使得在与半导体器件20的表面28的界面处的热机械张力可以被保持得小。
图5示出根据本发明的另一实施方式的电子装置模块12。只要没有另外描述，图5的电子装置模块12就可以具有与前述图的电子装置模块12相同的元件和特征。
在图5中所示出的实施例的情况下，半导体器件20被实施为“Ball Grid Array（球栅阵列） (BGA)”组件和/或“System in Package（系统级封装）（SiP）”并且接触面22经由焊珠40与电路板元件14电接触。
保护层30在此覆盖半导体器件20的整个表面28，也即所述保护层可以达到直至半导体器件20的外棱边42。然而，为了避免空气影响和/或通过钎焊腐蚀造成的电子装置模块12的失效，保护层30不应该被布置在半导体器件20的侧面上。在接触面22 和装配面之间的区域可以例如利用保护物质26被注型。
最后应提示，例如“具有（aufweisend）”、“包括（umfassend）”等术语并不排除其他元件或步骤并且例如“一个”这样的术语并不排除多个。在权利要求中的附图标记并不被视为限制。

Claims (10)

1.用于传动装置控制单元（10）的电子装置模块（12），所述电子装置模块具有：
电路板元件（14），所述电路板元件具有电子电路（18），
其中所述电子电路（18）被布置在所述电路板元件（14）的装配面（16）上并且具有至少一个未加壳体的半导体器件（20），所述未加壳体的半导体器件以接触面(22)被布置在所述装配面（16）上，
其中所述电子电路（18）完全由保护物质（26）遮盖，
其特征在于，
在半导体器件（20）的相反于所述接触面（22）来布置的表面（28）上布置保护层（30），用于保护所述半导体器件（20）免遭电离辐射，其中所述保护层（30）具有阿尔法辐射的单位面积发射速率，所述单位面积发射速率比所述保护物质（26）的阿尔法辐射的单位面积发射速率更小。
2.按照权利要求1所述的电子装置模块（12），
其中所述保护层（30）遮盖所述半导体器件（20）的所述表面（28）的中央区域（32），
其中所述中央区域（32）由所述表面（28）的边缘区域（34）来限制，其中所述边缘区域与至少一个暴露的接合线（24）接触。
3.按照权利要求1或2所述的电子装置模块（12），
其中所述保护层（30）具有至少20μm和最大2.5mm的厚度。
4.按照前述权利要求之一所述的电子装置模块（12），
其中所述保护层（30）的阿尔法辐射的单位面积发射速率小于或等于0.01cph/cm2。
5.按照前述权利要求之一所述的电子装置模块（12），
其中所述保护层（30）是光固化的和/或热固化的。
6.按照前述权利要求之一所述的电子装置模块（12），
其中所述保护层（30）包含基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。
7.按照前述权利要求之一所述的电子装置模块（12），所述电子装置模块另外具有：
用于保护所述半导体器件（20）免遭电离辐射的保护板（38），其中所述保护板（38）被布置在所述保护层（30）上，所述保护层被布置在所述半导体器件（20）的所述表面（28）上。
8.按照权利要求7所述的电子装置模块（12），
其中所述保护板（38）具有陶瓷材料、金属、塑料、基于热固性塑料的材料、基于环氧树脂的材料、基于聚丙烯酸酯的材料、环氧胶、丙烯酸酯胶和/或丙烯酸胶。
9.传动装置控制单元（10），所述传动装置控制单元具有：
按照前述权利要求之一所述的电子装置模块（12），和承载板（11），
其中所述电子装置模块（12）的所述电路板元件（14）以相反于所述装配面（16）来布置的面（21）被布置在所述承载板（11）上，
其中所述传动装置控制单元（10）被实施用于，由传动装置液体来环绕冲洗。
10.按照权利要求9所述的传动装置控制单元（10），
其中所述传动装置控制单元（10）具有以环形的方式包围所述电路板元件（14）的电路板（13）和/或柔性薄片，其中所述电路板元件（14）与所述电路板（13）和/或所述柔性薄片电接触。
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