CN107619728B - 氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法，所述氧化物去除用洗涤组合物包含：二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及水。

Description

氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法
技术领域
本发明涉及一种氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法。
背景技术
有机发光元件(organic light emitting diode)作为自发光型元件，其视角宽阔，而且对比度优良，不仅如此，响应时间也快，它的亮度、驱动电压及响应速度特性亦优良，并具有可实现多色化的优点。
所述有机发光元件可具有在基板的上部依次层叠第一电极、有机层以及第二电极的结构。所述有机发光元件的层叠结构可通过利用掩膜的沉积方法而形成。即，所述有机层的微细图案可通过使用到金属掩膜的沉积方法形成，例如可以使用精细金属掩膜(FineMetal Mask；FMM)。然而，第一电极和第二电极无需形成微细图案，因此可通过利用到开放掩膜(Open Mask)的沉积方法形成。
通常，所述精细金属掩膜可通过应用湿式蚀刻工艺或激光照射工艺而对掩膜基材(base material)进行加工而形成，掩膜在沉积工艺中可能成为使污染物质进入的媒介，因此必须进行掩膜的洗涤。此时，对于所述湿式蚀刻工艺而言，可利用蒸馏水或酒精等现有的洗涤液冲洗所述掩膜基材而去除杂质。
然而，对于使用激光照射工艺而加工掩膜基材的情形而言，激光照射时自然形成的氧化物不会被现有的洗涤剂所洗净，因此存在氧化物原封不动地残留于掩膜基材的问题。
发明内容
本发明的一个目的在于提供如下的氧化物去除用洗涤组合物，其可以不损伤掩膜基材，并选择性去除形成于掩膜基材的表面上的氧化物，且可以抑制所述氧化膜下部的金属膜的腐蚀。
本发明的另一目的在于提供一种利用上述氧化物去除用洗涤组合物的洗涤方法。
根据一方面，提供一种氧化物去除用洗涤组合物，包含：二羧酸化合物；含硫化合物；有机胺化合物；以及水。
根据另一方面，提供一种洗涤方法，包括如下步骤：准备具有氧化物的掩膜基材(base material)；第一洗涤步骤，通过使如上所述的氧化物去除用洗涤组合物接触到所述掩膜基材而去除所述掩膜基材中的氧化物。
对于所述氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法而言，可以在不损伤掩膜基材的前提下选择性去除掩膜基材的表面上形成的氧化物，且可以抑制下部金属膜的腐蚀。
附图说明
图1为表示去除氧化物之前的被照射激光的Invar棒表面的SEM照片。
图2为表示通过利用制造例1的氧化物去除用洗涤组合物而浸泡(dipping)1小时之后的Invar棒的表面的SEM照片。
图3为表示通过利用制造例1的氧化物去除用洗涤组合物而浸泡2小时，并基于实施例1而洗涤完毕之后的Invar棒的表面的SEM照片。
具体实施方式
以下，参考附图而详细说明根据本发明的实施例的氧化物去除用洗涤组合物及利用到该组合物的洗涤方法。然而，本发明并不局限于如下的实施例，可在不脱离本发明的技术思想的范围内实现为其他多样的形态。
本说明书中，术语“包括”或“具有”等表示本说明书中记载的特征或构成要素的存在性，其并非意图预先排除附加一个以上的其他特征或构成要素的可能性。
以下，对根据本发明的实现例的氧化物去除用洗涤组合物及利用到该组合物的洗涤方法进行详细说明。
根据本发明的一实现例的所述氧化物去除用洗涤组合物包含：二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及水。
所述氧化物去除用洗涤组合物中，所述二羧酸化合物与后述的氧化物发生反应，从而可以提供洗涤氧化物的效果。例如，2个羧基可贴附于包含氧化物的氧化膜的表面，从而去除氧化膜。
所述二羧酸化合物表示具有2个羧基(-COOH)的有机酸。根据一实现例，所述二羧酸化合物可包括草酸，然而并不局限于此。所述二羧酸化合物包括2个羧基，因此可以提高氧化物的洗涤效果。
所述二羧酸化合物可以以足以选择性地去除氧化物的程度而被使用。例如，所述二羧酸化合物的含量可如下：以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，被包含0.01重量％至1重量％。具体而言，可被包含0.02重量％至0.7重量％。更加具体地，可处于0.02重量％至0.5重量％的范围内。
如果所述二羧酸化合物处于上述范围之内，则所述氧化物去除用洗涤组合物不会引起基材的损坏，并可具有优秀的洗涤能力。
所述氧化物去除用洗涤组合物中，所述含硫化合物在去除氧化膜之后起到抑制存在于下部的金属膜的腐蚀的作用。
所述含硫化合物表示包含1个以上的硫(S)的化合物。根据一实现例，所述含硫化合物可包括含巯基(mercapto group)(-SH)化合物。例如，所述含硫化合物可包括1-硫代甘油、二硫代甘油、2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、巯基乙酸、硫代乙酸、硫代水杨酸、二(2,3-二羟基丙硫基)乙烯、或者其任意组合，然而并不局限于此。
所述含硫化合物可以以足够抑制下部金属膜的腐蚀的程度而被使用。例如，所述含硫化合物的含量可如下：以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，处于0.01重量％至1.5重量％的范围内。具体而言，可处于0.04重量％至1.1重量％的范围内。更加具体地，可处于0.04重量％至1重量％的范围内。
如果所述含硫化合物处于上述范围以内，则所述氧化物去除用洗涤组合物在氧化膜被去除之后能够防止下部金属膜被腐蚀并具有优良的洗涤能力。
所述氧化物去除用洗涤组合物中，所述有机胺化合物不仅可以在氧化膜被去除之后起到抑制存在于下部的金属膜的腐蚀的作用，而且还起到pH调节剂的作用。
所述有机胺化合物表示包含胺基的有机化合物。根据一实现例，所述有机胺化合物可包括烷醇胺。例如，所述有机胺化合物可包括：一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、一丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、或者其任意组合。然而，并不局限于此。
所述有机胺化合物的含量并不特别受限，其可以以足以抑制下部金属膜的腐蚀并能够根据其他化合物的含量调节pH的程度而被使用。例如，所述有机胺化合物的含量可如下：以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，处于0.01重量％至1重量％的范围内。具体而言，可处于0.02重量％至0.7重量％的范围内。更加具体地，可处于0.02重量％至0.5重量％的范围内。
如果所述有机胺化合物处于上述范围以内，则氧化膜的去除变得容易，而且可以降低下部金属膜的腐蚀可能性。
除了上述成分，所述氧化物去除用洗涤组合物还可以相对所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％而包含其余份量的水。所述水可以是最大限度地降低了杂质含量的去离子水(deionized water)或超纯水(ultrapure water)。
例如，所述水的电阻率值可以是18MΩ/cm以上。作为另一例，所述水的电阻率值可以处于18MΩ/cm至30MΩ/cm的范围内。
如上所述的所述氧化物去除用洗涤组合物的组成成分或组成成分含量的任意组合被允许适用于此。
例如，所述氧化物去除用洗涤组合物包括二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及残余份量的水。其中，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，所述二羧酸化合物的含量可以在0.01重量％至1重量％的范围内，所述含硫化合物的含量可以在0.01重量％至1.5重量％的范围内。
根据一实现例，所述氧化物去除用洗涤组合物可包含二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及其余份量的水。其中，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，所述二羧酸化合物的含量可以在0.01重量％至1重量％的范围内，所述含硫化合物的含量可以在0.01重量％至1.5重量％的范围内，所述有机胺化合物的含量可以在0.01重量％至1重量％的范围内。
例如，所述氧化物去除用洗涤组合物可包含二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及其余的水。其中，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，所述二羧酸化合物的含量可以在0.02重量％至0.7重量％的范围内，所述含硫化合物的含量可以在0.04重量％至1.1重量％的范围内，所述有机胺化合物的含量可以在0.02重量％至0.7重量％的范围内。
作为又一例，所述氧化物去除用洗涤组合物可以包含二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及其余的水。其中，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，所述二羧酸化合物的含量可以在0.02重量％至0.5重量％的范围内，所述含硫化合物的含量可以在0.04重量％至1重量％的范围内，所述有机胺化合物的含量可以在0.02重量％至0.5重量％的范围内。然而，并不局限于此。
根据一实现例，为了去除氧化膜并防止其下部膜的腐蚀，附加性地，优选将所述氧化物去除用洗涤组合物的pH调节到预定范围以内。当把所述氧化物去除用洗涤组合物的pH范围调节到碱性时，无法充分防止下部膜的腐蚀，而且存在发生表面粗糙等损伤的问题。
例如，所述氧化物去除用洗涤组合物的pH可以在2.5至5.5的范围内。例如，所述氧化物去除用洗涤组合物的pH可以在2.9至5.0的范围内，然而并不局限于此。
另外，所述氧化物去除用洗涤组合物可以使从铁(Fe)、钴(Co)、铬(C r)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)合金、Inconel(铬镍铁)合金、Kovar(可伐)合金以及Invar(因瓦)合金中选择的至少一种金属的氧化物得到还原(reduction)。
例如，所述金属中的铁(Fe)、镍(Ni)或钴(Co)的氧化物可通过如下的化学式1的方式还原，然而并不局限于此。
<化学式1>
根据本发明的一实现例的所述氧化物去除用洗涤组合物可以通过包含所述二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及其余份量的水，而诱导所述氧化物的还原反应，并控制与所述氧化物之间的反应速率，从而可选择性地去除所述氧化物。并且，所述氧化物去除用洗涤组合物可在包含有所述氧化物的氧化膜被去除之后防止存在于其下部的金属膜的腐蚀。
所述氧化物去除用洗涤组合物可通过现有的公知方法制造。
例如，所述氧化物去除用洗涤组合物可通过如下方式制造：将所述二羧酸化合物、所述含硫化合物、所述有机胺化合物以及水进行混合，以使如上所述的成分的总重量成为100重量％。而且，所述氧化物去除用洗涤组合物可在不影响其性能的范围内包含其他任意的成分。只要不存在不期望的反应发生或者出现沉淀物等特别的问题，则可以按任意的顺序混合所述成分，而且还可以在预混合任意两种成分之后混合其余成分，或者将所述成分同时混合。
以下，对根据本发明的另一实现例的洗涤方法进行说明。
所述洗涤方法可包括如下步骤：准备具有氧化物的掩膜基材(base material)；第一洗涤步骤，通过使所述氧化物去除用洗涤组合物接触到所述掩膜基材而去除所述掩膜基材中的氧化物。
所述掩膜基材可包含从铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、SUS(Steel Use Stainless)合金、Inconel合金、Kovar合金以及Invar合金中选择的至少一种金属，然而并不局限于此。
例如，所述掩膜基材可以是Invar合金。所述Invar合金的主成分为铁(Fe)和镍(Ni)，且相比所述SUS合金而言，Invar合金的热膨胀较少，并具有即使在高温下张力(tension)也并不显著减小的优点。
所述掩膜基材可以是通过激光照射而被加工的材料。
例如，所述掩膜基材可以是通过照射具有50mJ/cm2至5000mJ/cm2范围内的能量密度的激光而加工成的材料。具体而言，所述掩膜基材可以是通过照射具有200mJ/cm2至1000mJ/cm2范围内的能量密度的激光而加工成的材料。
所述掩膜基材可以是通过照射1分钟至1440分钟的激光而加工成的材料。例如，所述掩膜基材可以是通过照射60分钟至720分钟的激光而加工成的材料。
所述氧化物可以是在对所述掩膜基材照射激光时自然形成的物质。
例如，所述氧化物可以是在对所述掩膜基材照射激光时，源自所述掩膜基材而自然形成的如下物质：从铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、SUS(SteelUse Stainless)合金、Inconel合金、Kovar合金以及Invar合金中选择的一种以上的金属被氧化而成的氧化物。
例如，所述氧化物可以是Invar合金的氧化物，然而并不局限于此。
例如，所述掩膜基材可包括Invar合金及Invar合金的氧化物，然而并不局限于此。
关于所述氧化物去除用洗涤组合物的详细说明参见本说明书所述的内容。
在所述第一洗涤步骤中，可以使所述氧化物去除用洗涤组合物接触到所述掩膜基材而将所述氧化物还原，然后从所述掩膜基材中剥离而去除所述氧化物。
所述第一洗涤步骤可通过如下的方法实现与所述掩膜基底的接触而执行：喷射法，在所述掩膜基材上喷洒所述氧化物去除用洗涤组合物；旋涂法，在所述掩膜基材上滴落所述氧化物去除用洗涤组合物，并使所述掩膜基材高速旋转；或者浸泡法，在洗涤槽中填满所述氧化物去除用洗涤组合物，并将所述掩膜基材浸泡。然而，并不局限于此。
例如，可利用浸泡法而在20℃至60℃的温度范围以及1分钟至360分钟的时间范围内执行所述第一洗涤步骤。如果在所述温度范围及所述时间范围内执行所述第一洗涤步骤，则可以提高对氧化物的洗涤力，并使所述掩膜基材的损伤最小化，因此可优选。
根据本发明的另一实现例，所述洗涤方法还可以包括如下步骤中的至少一个步骤：第二洗涤步骤，使用蒸馏水洗涤所述掩膜基材；第三洗涤步骤，使用第一醇洗涤所述掩膜基材。
例如，所述洗涤方法可在所述第一洗涤步骤之后依次执行所述第二洗涤步骤及所述第三洗涤步骤。
作为又一例，所述第一醇可包括：甲醇、乙醇、戊醇、2-甲基-2-丁醇、3-甲基-2-丁醇、正丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇、己醇、环己醇、苄醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、二甘醇、甘油、二丙二醇、或者其任意组合。例如，所述第一醇可以是异丙醇。
所述第二洗涤步骤可利用如上所述的喷射法、旋涂法或浸泡法洗涤所述掩膜基材。
例如，所述洗涤步骤可按如下方式执行所述第二洗涤步骤：利用浸泡法而在20℃至60℃的温度范围以及1分钟至360分钟的时间范围内执行。
如果所述第二洗涤步骤在所述温度及时间范围内执行，则可最大化氧化物的洗涤效果。
所述第三洗涤步骤可利用如上所述的喷射法、旋涂法或浸泡法洗涤所述掩膜基材。
例如，所述洗涤步骤可按如下方式执行所述第三洗涤步骤：利用浸泡法而在20℃至60℃的温度范围以及10秒至360分钟的时间范围内执行。
如果所述第三洗涤步骤在所述温度及时间范围内执行，则可最大化氧化物的洗涤效果。
根据一实现例，所述第一洗涤步骤或所述第二洗涤步骤可包括如下步骤：利用10Hz至300Hz范围内的超声波(ultrasonic)处理所述氧化物去除用洗涤组合物。
根据另一实现例，所述洗涤方法中，所述第一洗涤步骤还可以包括如下步骤：搅拌所述氧化物去除用洗涤组合物。
所述搅拌步骤可在10rpm至700rpm范围内执行。
根据又一实现例，所述洗涤方法可在所述第三洗涤步骤之后包括如下步骤：干燥所述掩膜基材。将所述掩膜基材干燥的步骤可通过现有的公知的方法实现。例如，可利用氮气进行干燥。
以下，通过实施例而更加详细地说明本发明。然而，下面记载的实施例仅用于更详细地说明本发明，本发明的范围并不被如下所述的实施例所限。
实施例
制造例1至12：氧化物去除用洗涤组合物的制造(洗涤液1至12的制造)
以如下的表1的组成成分及含量进行混合，从而制造了洗涤液1至12。
[表1]
制造例13：激光照射的Invar棒的制造
在常温及大气压条件下将Invar棒(横×纵×厚：10cm×10cm×20μm)置于LPM(Laser Patterned Mask；激光图案掩膜)设备内的平台(Stage)上，并利用LPM光学系统而对Invar棒的表面照射激光，从而形成出四边形孔(横向、纵向分别为40μm)。利用SEM观察了加工出的Invar棒，并将其结果示于图1。
实施例1：利用洗涤液1的制造例13的Invar棒的洗涤
将所述制造例1的洗涤液1 2000g倒入到5000ml洗涤槽，并在25℃温度的所述洗涤槽中以60Hz的超声波对制造例13的Invar棒执行了10秒的处理，然后以350rpm搅拌了2小时。然后，取出所述Invar棒而在盛放有蒸馏水5000g的水槽中浸泡了1分钟。此时，以60Hz的超声波进行了300秒的处理。然后，取出所述Invar棒并在盛放有异丙醇5000g的水槽中浸泡10秒。然后，取出Invar棒并利用氮气进行干燥，从而完成Invar棒的洗涤。
实施例2至11：利用洗涤液2至11的制造例13的Invar棒的洗涤
取代所述制造例1的洗涤液1而使用了所述洗涤液2至11，除此之外，利用与实施例1相同的方法洗涤了制造例13的Invar棒。
比较例1：利用洗涤液12的制造例13的Invar棒的洗涤
取代所述制造例1的洗涤液1而使用了所述洗涤液12，除此之外，利用与实施例1相同的方法洗涤了制造例13的Invar棒。
评估例1
针对根据实施例1至11及比较例1而洗涤的Invar棒，利用EDX而对I nvar棒表面的氧化膜的去除性进行了分析，并利用SEM而评估出去除氧化膜后的下部膜的腐蚀性，并将其结果示于如下的表2中。
[表2]
氧化膜去除性 下部膜腐蚀性
实施例1 洗涤液1 优良 无腐蚀
实施例2 洗涤液2 优良 无腐蚀
实施例3 洗涤液3 优良 无腐蚀
实施例4 洗涤液4 优良 无腐蚀
实施例5 洗涤液5 优良 无腐蚀
实施例6 洗涤液6 优良 无腐蚀
实施例7 洗涤液7 优良 无腐蚀
实施例8 洗涤液8 优良 无腐蚀
实施例9 洗涤液9 优良 无腐蚀
实施例10 洗涤液10 优良 无腐蚀
实施例11 洗涤液11 优良 无腐蚀
比较例1 洗涤液12 不良 发生腐蚀
氧化膜去除性优良意味着Invar棒表面的氧原子组成为0原子％以下，氧化膜去除性不良意味着其超过0原子％。
下部膜腐蚀性中，在“无腐蚀”意味着SEM图像中的Invar棒表面并不存在裂隙(crack)及针孔(pin-hole)性腐蚀，“发生腐蚀”则意味着SEM图像中的Invar棒表面出现裂隙(crack)及针孔(pin-hole)性腐蚀。
参考所述表2，实施例1至11为包含作为二羧酸化合物的草酸、含硫化合物、有机胺化合物以及其余份量的水的情形，相比包含作为单羧酸化合物的乙酸、含硫化合物、有机胺化合物以及其余份量的水的比较例1而言，氧化膜去除性优良，而且没有发生下部膜的腐蚀。因此，通过利用洗涤液1至11而执行基于实施例1至11的洗涤，可从制造例13的Invar棒中选择性去除氧化物，并可确认也并未发生下部膜的腐蚀。
评估例2
使用根据制造例1制造的洗涤液1而洗涤了制造例的Invar棒。并对如下的Invar棒进行了评价：(1)在去除氧化物之前，被照射激光的Invar棒；(2)在所述实施例1中，在所述洗涤槽中在25℃的温度下将制造例13的Invar棒浸泡1小时之后的Invar棒；(3)利用所述实施例1而洗涤的Invar棒。利用EDX而对氧化膜表面的元素组成比进行了分析，并将其结果示于如下的表3。而且，利用SEM照片而对氧化膜被去除之后的下部膜的腐蚀性进行了评估，并将其结果示于图1至3。
[表3]
参考所述表2可以确认：相比氧化物被去除之前的照射激光的Invar棒，在浸泡1小时的情况下，氧原子的组成比略微减小，而在浸泡2小时并通过本发明的洗涤方法进行洗涤的情况下，氧原子显著地减少。
并且，参考图1至3可以确认：在氧化物被去除之前，被照射激光的Invar棒在其表面形成有氧化膜(参见图1)，反观浸泡1小时的情形，预定部分的氧化物被去除(参见图2)，而如果浸泡2小时并根据本发明的洗涤方法完成洗涤，则氧化物被选择性地完全去除，且下部膜亦以未受损伤的状态具备光滑的表面(参见图3)。

Claims (11)

1.一种氧化物去除用洗涤组合物，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，包含：
0.01重量％至1重量％的草酸；
0.01重量％至1.5重量％的含硫化合物；
0.01重量％至1重量％的有机胺化合物；以及
余量的水，
其中，所述氧化物去除用洗涤组合物的pH范围为2.5至5.5，
所述含硫化合物包括：
1-硫代甘油、二硫代甘油、2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、巯基乙酸、硫代乙酸、硫代水杨酸、二(2,3-二羟基丙巯基)乙烯、或者其任意组合，
所述有机胺化合物包括：
一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、一丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、单异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、或者其任意组合。
2.如权利要求1所述的氧化物去除用洗涤组合物，其中，以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，
所述草酸的含量范围为0.02重量％至0.7重量％；
所述含硫化合物的含量范围为0.04重量％至1.1重量％；
所述有机胺化合物的含量范围为0.02重量％至0.7重量％。
3.一种洗涤方法，包括如下步骤：
准备具有氧化物的掩膜基材；以及
第一洗涤步骤，通过使如权利要求1和2中的任意一项所述的氧化物去除用洗涤组合物接触到所述掩膜基材而去除所述掩膜基材中的氧化物。
4.如权利要求3所述的洗涤方法，其中，所述掩膜基材包含从铁、钴、铬、锰、镍、钛、钼、SUS合金、Inconel合金、Kovar合金以及Invar合金中选择的至少一种金属。
5.如权利要求3所述的洗涤方法，其中，所述氧化物在对所述掩膜基材照射激光时自然形成。
6.如权利要求3所述的洗涤方法，其中，所述第一洗涤步骤以如下方式执行：
利用喷射法、旋涂法或浸泡法而使所述氧化物去除用组合物与所述掩膜基材接触。
7.如权利要求3所述的洗涤方法，其中，所述第一洗涤步骤以如下方式执行：
利用浸泡法而在20℃至60℃的温度范围以及1分钟至360分钟的时间范围内执行。
8.如权利要求3所述的洗涤方法，其中，在所述第一洗涤步骤之后，还包括如下步骤中的至少一个步骤：
第二洗涤步骤，使用蒸馏水而洗涤所述掩膜基材；以及
第三洗涤步骤，使用第一醇而洗涤所述掩膜基材。
9.如权利要求8所述的洗涤方法，其中，所述第一醇包括：
甲醇、乙醇、戊醇、2-甲基-2-丁醇、3-甲基-2-丁醇、正丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇、己醇、环己醇、苄醇、丙醇、乙二醇、丙二醇、二甘醇、甘油、二丙二醇、或者其任意组合。
10.如权利要求8所述的洗涤方法，其中，在所述第一洗涤步骤之后，依次执行所述第二洗涤步骤和第三洗涤步骤。
11.如权利要求8所述的洗涤方法，其中，所述第一洗涤步骤还包括如下步骤：
搅拌所述氧化物去除用洗涤组合物。
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