CN107546092A - 上电极装置 - Google Patents

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Abstract

一种上电极装置,包含一个电极板,以及穿设在该电极板中的数个陶瓷管及数个陶瓷块。该电极板包括一个电极本体。该电极本体界定出彼此间隔的数个第一贯孔与数个第二贯孔。所述陶瓷管呈管状,并设置在所述第一贯孔中。所述陶瓷块设置在所述第二贯孔中,并封闭所述第二贯孔。所述陶瓷块封闭了所述第二贯孔,使得该电极本体能供蚀刻气体流动的孔洞数目变少,在相同的气体流量下,因流经所述第一贯孔的蚀刻气体的流速加快,冲击待蚀刻物的力道加强,而使本发明具有较佳的蚀刻效果。

Description

上电极装置
技术领域
本发明涉及一种蚀刻设备的组件,特别是涉及一种用于电浆蚀刻的上电极装置。
背景技术
参阅图1及图2,一种现有的上电极装置,适于设置在一个反应槽体100上,并位于一个下电极101的上方,且适用于进行电浆蚀刻。该上电极装置包括一个电极板11,以及数个穿设在该电极板11中的陶瓷管12。该电极板11包括一个界定出数个连通于顶面及底面间的贯孔131的电极本体13。所述贯孔131沿两个彼此垂直的方向,如图1所示地间隔排列成数排及数列。每一陶瓷管12插设在相对应的贯孔131中。所述陶瓷管12能保护该电极本体13界定出所述贯孔131的部位,避免该电极本体13界定出所述贯孔131的部位受到电浆侵蚀而损坏,使所述贯孔131的宽度不会变大,而不会有所谓的扩孔现像。所述陶瓷管12如经久使用而有所损耗,也仅需要更换所述陶瓷管12即可,不用更换该电极本体13,因此能提高维修便利性及降低维护成本。虽然此种上电极装置具有如前所述的诸多优点,但其蚀刻能力却有待进一步地提升。
发明内容
本发明的目的,在于提供一种上电极装置,具有较佳的蚀刻效果。
本发明上电极装置,包含一个电极板,以及数个设置在该电极板的陶瓷管,该电极板包括一个界定出彼此间隔的数个第一贯孔与数个第二贯孔的电极本体,所述陶瓷管呈管状并设置在所述第一贯孔中,该上电极装置还包含数个设置在所述第二贯孔中并分别封闭所述第二贯孔的陶瓷块。
本发明所述的上电极装置,该电极本体具有一个位于中间的中间部,以及一个围绕连接该中间部外围的外围部,该中间部界定出所述第一贯孔,该外围部界定出所述第二贯孔。
本发明所述的上电极装置,每一第一贯孔设置有一个对应的该陶瓷管,每一第二贯孔设置有一个对应的该陶瓷块。
本发明所述的上电极装置,以所述第一贯孔与所述第二贯孔的总数量为100%,所述第二贯孔的数量占40%~90%。
本发明所述的上电极装置,该电极本体具有一个位于中间的中间部,以及一个围绕连接该中间部外围的外围部,该中间部界定出所述第一贯孔,该外围部界定出所述第二贯孔,以所述第一贯孔与所述第二贯孔的总数量为100%,所述第二贯孔的数量占40%~90%,每一第一贯孔设置有一个对应的该陶瓷管,每一第二贯孔设置有一个对应的该陶瓷块。
本发明所述的上电极装置,所述第一贯孔数个为一组地分成数组,数组的所述第一贯孔沿一个第一方向排成数排,每一组的所述第一贯孔沿一个不同于该第一方向的第二方向彼此间隔排列成一排,所述第二贯孔数个为一群地分为两群,两群的所述第二贯孔分别位于所述第一贯孔的两相反侧,每一群的所述第二贯孔数个为一组地分为数组,每一群的数组所述第二贯孔,沿该第一方向排成数排,每一组的所述第二贯孔,沿该第二方向彼此间隔排列成一排。
本发明所述的上电极装置,该第一方向与该第二方向垂直。
本发明所述的上电极装置,所述第一贯孔与所述第二贯孔彼此垂直交错间隔排列。
本发明所述的上电极装置,所述第一贯孔数个为一组地间隔排列,所述第二贯孔数个为一组地间隔排列,数组的所述第一贯孔与数组的所述第二贯孔彼此交错设置。
本发明所述的上电极装置,所述第一贯孔是数个为一组地排成一个方阵,每一方阵中的所述第一贯孔彼此垂直间隔排列,所述第二贯孔数个为一组地排成一个方阵,每一方阵中的所述第二贯孔彼此垂直间隔排列。
该上电极装置的功效在于:所述陶瓷块封闭了所述第二贯孔,使得该电极本体能供蚀刻气体流动的孔洞数目变少,在相同的气体流量下,因流经所述第一贯孔的蚀刻气体的流速加快,冲击待蚀刻物的力道加强,而具有较佳的蚀刻效果。
附图说明
本发明其他的特征及功效,将于参照图式的实施方式中清楚地呈现,其中:
图1是一个现有的上电极装置的一个部分分解的立体分解图,图中分解示意数个陶瓷管的其中一个;
图2是该现有的上电极装置安装于一个反应槽体且部分组件剖切的一个局部剖视图;
图3是本发明上电极装置的一个第一实施例的一个部分分解的立体分解图,图中分解示意数个陶瓷管的其中一个及数个陶瓷块的其中一个;
图4是该第一实施例安装于一个反应槽体且部分组件剖切的一个局部剖视图;
图5是本发明上电极装置的一个第二实施例的一个部分分解的立体分解图,图中分解示意所述陶瓷管的其中一个及所述陶瓷块的其中一个;
图6是该第二实施例安装于一个反应槽体且部分组件剖切的一个局部剖视图;
图7是本发明上电极装置的一个第三实施例的一个立体图;
图8是本发明上电极装置的一个第四实施例的一个立体图;
图9是本发明上电极装置的一个第五实施例的一个部分分解的立体分解图;及
图10是本发明上电极装置的一个第六实施例的一个立体图。
具体实施方式
在以下的说明内容中,类似或相同的组件将以相同的编号来表示。
参阅图3及图4,本发明上电极装置的一个第一实施例,适于安装在一个反应槽体91上,并间隔地设置在一个下电极92上方。该上电极装置包含一个电极板2,以及穿设在该电极板2中的数个陶瓷管3与数个陶瓷块4。
该电极板2包括一个电极本体21,以及一层设置在该电极本体21底面的表面处理层22。该电极本体21具有一个位于中间的中间部23,以及一个围绕连接该中间部23外围的外围部24。该中间部23界定出数个深度D1的第一贯孔231。所述第一贯孔231共有25个,排成五排五列的方阵。该外围部24界定出数个深度D2的第二贯孔241。所述第二贯孔241的数量共有56个,沿着所述第一贯孔231的纵横排列方向,围绕在所述第一贯孔231外侧排成两圈,并与所述第一贯孔231相配合排列成九排九列的方阵。所述第二贯孔241与所述第一贯孔231分别连通于该电极本体21的顶面与底面间。以所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的总量为100%,所述第一贯孔231占约为30.9%(25/81),所述第二贯孔241占约为69.1%(56/81)。该表面处理层22以抗蚀的陶瓷材料,经电浆熔射处理而设置在该电极本体21的底面。该表面处理层22不封住所述第一贯孔231与所述第二贯孔241。
所述陶瓷管3呈管状,并设置在所述第一贯孔231中。每一陶瓷管3的长度L1与对应的该第一贯孔231的深度D1相当。每一陶瓷管3的长度L1也能略长于该深度D1或略短于该深度D1,且每一个第一贯孔231都有一个对应的陶瓷管3设置其中。在实施上所述陶瓷管3不以填入所有的所述第一贯孔231为必要,也能按需求地,部分地填入所述第一贯孔231。当然,如要较佳地防护该电极本体21,是如本第一实施例地将所述陶瓷管3设置在全部的所述第一贯孔231中。
所述陶瓷块4呈圆柱状,并设置在所述第二贯孔241中,而封闭所述第二贯孔241。每一陶瓷块4的长度L2与对应的该第二贯孔241的深度D2相当。每一陶瓷块3的长度L2,也能略长于该深度D2或略短于该深度D2,且每一个第二贯孔241都有一个对应的陶瓷块4设置其中。在实施上所述陶瓷块4不以填入所有的所述第二贯孔241为必要,也能按需求地,部分地填入所述第二贯孔241。
本第一实施例在使用时,因位于外围的所述第二贯孔241受所述陶瓷块4封闭阻塞,因此蚀刻气体将集中自位于中央的所述第一贯孔231中的所述陶瓷管3流出。在该反应槽体91提供的既定蚀刻气体流量的前提下,使用本第一实施例,将能因流速较快且流动较强劲的蚀刻气体,而获得较佳的蚀刻效果,并达成本发明的目的。
参阅图5及图6,本发明上电极装置的一个第二实施例与该第一实施例类似,不同的地方在于省略该中间部23与该外围部24、所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的排列方式不同,且所述陶瓷管3、陶瓷块4的长度不同。
所述第一贯孔231九个为一组地分成三组。三组的所述第一贯孔231沿一个第一方向W1排成三排。每一组的所述第一贯孔231沿一个不同于该第一方向W1的第二方向W2彼此间隔排列成一排。于本第二实施例中,该第一方向W1与该第二方向W2垂直。所述第二贯孔241二十七个为一群地分为两群。两群的所述第二贯孔241分别位于所述第一贯孔231的两侧。每一群的所述第二贯孔241九个为一组地分为三组。每一群的三组所述第二贯孔241,沿该第一方向W1排成三排。每一组的所述第二贯孔241,沿该第二方向W2彼此间隔排列成一排。
所述陶瓷管3分别填入位于中央三排的所述第一贯孔231中,且其长度L1约为相对应的所述第一贯孔231的深度D1的一半。所述陶瓷块4分别填入位于左右各三排的所述第二贯孔241中,且其长度L2约为相对应的所述第二贯孔241的深度D2的一半。由于本第二实施例同样能通过减少蚀刻气体能流经的孔洞数量,而使蚀刻气体流速增加且较强劲地流动,故同样能达成本发明提供较佳蚀刻效果的目的。
参阅图7,本发明上电极装置的一个第三实施例与该第一实施例类似,不同的地方在于省略该中间部23及该外围部24,该电极本体21直接界定出排列方式不同的所述第一贯孔231与所述第二贯孔241。所述第一贯孔231与所述第二贯孔241彼此垂直交错间隔排列。除位于边侧的所述第一贯孔231外,每一第一贯孔231的垂直四向接邻有四个所述第二贯孔241。同样地,除位于边侧的所述第二贯孔241外,每一第二贯孔241的垂直四向接邻有四个所述第一贯孔231。每一第一贯孔231相对应设置有一个陶瓷管3。每一第二贯孔241相对应设置有一个陶瓷块4。此种设置方式能让该上电极装置的整个面积区域有较均匀的蚀刻气体流动分布,而并非仅集中于一处。于本第三实施例中,以所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的总量为100%,所述第一贯孔231占约50%(41/81),所述第二贯孔241占约50%(40/81)。
参阅图8,本发明上电极装置的一个第四实施例与该第三实施例类似,不同的地方在于所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的排列方式不同。所述第一贯孔231每九个为一组且彼此间隔地排成一个三排三列的方阵。所述第二贯孔241每九个为一组且彼此间隔地排成一个三排三列的方阵。所述由第一贯孔231所形成的方阵,与所述由第二贯孔241形成的方阵,彼此交错设置而呈西洋棋盘状。每一方阵中的所述第一贯孔231彼此垂直间隔排列。每一方阵中的所述第二贯孔241也彼此垂直间隔排列。每一第一贯孔231对应设置有一个所述的陶瓷管3。每一第二贯孔241对应设置有一个所述的陶瓷块4。于本第四实施例中,所述第一贯孔231的数量为45个,所述第二贯孔241的数量约为36个。因此,以所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的总量为100%,所述第一贯孔231约占55.6%(45/81),所述第二贯孔241约占44.4%(36/81)。
参阅图9,本发明上电极装置的一个第五实施例与该第一实施例类似,不同的地方在于该中间部23界定出三排三列方阵共计9个的所述第一贯孔231,该外围部24界定出围绕在所述第一贯孔231外侧并排成三圈共计72个的所述第二贯孔241。每一第一贯孔231填有所述的陶瓷管3。每一第二贯孔241填有所述的陶瓷块4。以所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的总数量为100%,所述第一贯孔231的数量占约11.11%,所述第二贯孔241的数量占约88.89%。于本第五实施例中,所述第二贯孔241的数量多于所述第一贯孔231的数量,所述陶瓷块4的数量也多于所述陶瓷管3的数量。本第五实施例与该第一实施例相较,能供蚀刻气体更集中地自所述第一贯孔231离开,故蚀刻效果较第一实施例更好。
参阅图10,本发明的一个第六实施例与该第三实施例类似,不同的地方在于所述第一贯孔231与所述第二贯孔241彼此随机排列,且每一第一贯孔231对应设置有所述的陶瓷管3,每一第二贯孔241对应设置有所述的陶瓷块4。
从前面的各实施例中读者应能了解,所述第一贯孔231与所述第二贯孔241依不同的需求而能有不同的排列方式,并能具有不同的蚀刻效果。所述的不同需求,举例来说能为待蚀刻物的不同待蚀刻部位的不同分布。虽然所述第一贯孔231与所述第二贯孔241的分布会不同,但同样通过设置经所述陶瓷块4封闭的所述第二贯孔241,减少供蚀刻气体流经的所述第一贯孔231的数量及比例,来达到提供较佳蚀刻效果的目的。此外,要补充说明的是,本发明主要的功效在于提高蚀刻效果,因此在部分的所述第一贯孔231及所述第二贯孔241中如省略填入所述的陶瓷管3及所述的陶瓷块4,只要利用所述的陶瓷块4封闭部分的孔洞,也应在本发明的等效保护范围中。
以上所述者,仅为本发明的较佳实施例而已,当不能以此限定本发明实施的范围,凡是依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单等效变化与修饰,皆仍属本发明涵盖的范围内。

Claims (10)

1.一种上电极装置,包含一个电极板,以及数个设置在该电极板的陶瓷管,该电极板包括一个界定出彼此间隔的数个第一贯孔与数个第二贯孔的电极本体,所述陶瓷管呈管状并设置在所述第一贯孔中,其特征在于:该上电极装置还包含数个设置在所述第二贯孔中并分别封闭所述第二贯孔的陶瓷块。
2.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:该电极本体具有一个位于中间的中间部,以及一个围绕连接该中间部外围的外围部,该中间部界定出所述第一贯孔,该外围部界定出所述第二贯孔。
3.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:每一第一贯孔设置有一个对应的该陶瓷管,每一第二贯孔设置有一个对应的该陶瓷块。
4.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:以所述第一贯孔与所述第二贯孔的总数量为100%,所述第二贯孔的数量占40%~90%。
5.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:该电极本体具有一个位于中间的中间部,以及一个围绕连接该中间部外围的外围部,该中间部界定出所述第一贯孔,该外围部界定出所述第二贯孔,以所述第一贯孔与所述第二贯孔的总数量为100%,所述第二贯孔的数量占40%~90%,每一第一贯孔设置有一个对应的该陶瓷管,每一第二贯孔设置有一个对应的该陶瓷块。
6.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:所述第一贯孔数个为一组地分成数组,数组的所述第一贯孔沿一个第一方向排成数排,每一组的所述第一贯孔沿一个不同于该第一方向的第二方向彼此间隔排列成一排,所述第二贯孔数个为一群地分为两群,两群的所述第二贯孔分别位于所述第一贯孔的两相反侧,每一群的所述第二贯孔数个为一组地分为数组,每一群的数组所述第二贯孔,沿该第一方向排成数排,每一组的所述第二贯孔,沿该第二方向彼此间隔排列成一排。
7.根据权利要求6所述的上电极装置,其特征在于:该第一方向与该第二方向垂直。
8.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:所述第一贯孔与所述第二贯孔彼此垂直交错间隔排列。
9.根据权利要求1所述的上电极装置,其特征在于:所述第一贯孔数个为一组地间隔排列,所述第二贯孔数个为一组地间隔排列,数组的所述第一贯孔与数组的所述第二贯孔彼此交错设置。
10.根据权利要求9所述的上电极装置,其特征在于:所述第一贯孔是数个为一组地排成一个方阵,每一方阵中的所述第一贯孔彼此垂直间隔排列,所述第二贯孔数个为一组地排成一个方阵,每一方阵中的所述第二贯孔彼此垂直间隔排列。
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