CN107544018A - 一种多site信号量检测及失效判定系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种多site信号量检测及失效判定系统及方法，该系统通过嵌入式微处理器和LCD显示模块实现，所述嵌入式微处理器包括有指令处理模块、数据存储模块、固件更新模块、OS检测及修复模块、电源电压控制模块、输入输出信号量检测模块、按键处理模块、失效处理模块、handler控制模块。该系统给批量生产端进行芯片直流特性指标分析检测提供了必要手段，将多指标项信号量集成在一套系统内进行检测和失效判定，包含芯片本身物理连接特性检测，大幅提高工作效率。

Description

一种多site信号量检测及失效判定系统及方法

技术领域

本发明属于芯片检测技术领域，特别涉及应用于批量生产阶段芯片信号量检测和失效判定系统及方法。

背景技术

目前已有的检测装置主要应用于研发阶段，在批量生产阶段弊端的且投入高，装置电压电流及管脚失效判定修复独立分开的且不能同时进行多项失效检测的，只能应用于单芯片测试，基于8位MCU架构的检测装置功能单一，内部集成外设少，程序、数据存储空间小和芯片工作频率不高，数据传输速率低，导致软件层次化设计简单，通用性低，无法快速的开发新的检测及失效判定装置，外加输入信号由于各种原因不稳定导致数据不可靠，重复性工作量大，芯片因直流特性失效出现的问题检测设备没有一个完整的检测方法且不能同时进行电量检测及失效分析，手动将被测芯片取出烧录，给整个测试带来了很大的时间困难，整个过程需要人为参与，大量重复工作使得人力物力与时间资源的成本增高，内耗较大造成测试成本较高，后续的可维护性难度加大；依靠测试人员本身的技能和细心对芯片测试的功能和性能都会造成一定的影响，严重时会使测试人员对问题误判，增加设计成本和测试时间；传统的失效分析方法受到现实条件的制约，只能对单一失效项的分析判断；信号量检测及失效分析装置开发模式受到传统开发思路的影响，缺少复合型的装置，不能单独自动产生所需信号量，只能单独进行手动分析，效率低下，制约产测效率。

发明内容

基于此，因此本发明的首要目地是提供一种多site信号量检测及失效判定系统及方法，该系统及方法程序和数据存储空间大、外围接口丰富、处理能力强及高通信速率等，实现信号量批量自动化测试、固件在系统更新、客户代烧录、系统短路自检等实际应用需求。

本发明的另一个目地在于提供一种多site信号量检测及失效判定系统及方法，该系统及方法采用嵌入式微处理器位主控，对芯片直流特性即芯片模块功耗、管脚输入输出的电压电流、漏电及开断路等电压电流测试和失效判定，节省测试时间和成本。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于该系统通过嵌入式微处理器和LCD显示模块实现，所述嵌入式微处理器包括有指令处理模块、数据存储模块、固件更新模块、OS检测及修复模块、电源电压控制模块、输入输出信号量检测模块、按键处理模块、失效处理模块、handler控制模块。该系统给批量生产端进行芯片直流特性指标分析检测提供了必要手段，将多指标项信号量集成在一套系统内进行检测和失效判定，包含芯片本身物理连接特性检测，大幅提高工作效率。其中，

指令处理模块，通过嵌入式微处理器来实现，主要是接收用户的控制命令输入，并根据相应命令执行相关控制功能，指令处理模块包含按键扫描、指令校验、失效处理、超时检测、功能控制及指令发送等操作，通过指令处理模块可以实现对检测及失效判定系统进行实时控制；

数据存储模块是外接的移动存储卡，移动存储模块划分为文件索引区、芯片配置文件信息区、hex数据区和测试数据区；该模块通过嵌入式微处理器的SPI接口连接，移动存储卡通过SPI接口挂载在FSMC总线上，存储芯片配置文件索引表、芯片失效数据信息及测试数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性信息、芯片型号、标识信息、客户代烧录hex、测试hex及测试系统版本号等相关配置文件信息，实现实时动态对被测芯片的测试数据及状态信息进行记录；

固件更新模块，主要包含对新固件程序对比、固件全部更新和时序逻辑功能更新等，实现能在系统对嵌入式微处理器芯片进行程序更新，利用IAP在系统更新技术将存储在移动存储模块上的程序更新到单板系统中，同时根据用户的不同需求可进行固件全部更新和时序逻辑功能更新等；

OS检测及修复模块，主要是检测被测芯片接触是否良好、管脚间短路及短路修复等功能，根据获取到的芯片配置信息，提取芯片管脚对于位置及防治位置，从而确认芯片没有放置正确或接触不良或者短路等问题出现；

电源电压控制模块完成被测芯片烧录电压和供电电压的输出等功能，嵌入式微处理器根据配置文件确定被测芯片类型调节输出多路特定芯片烧录电压和供电电压，常用芯片的烧录电压有3V、5V、6.5V、8.5V等四种，供电电压有1.8V、3.3V和5V等两种；

输入输出信号量检测模块，主要包含外部DAC、外部ADC、OP运算放大器、可编程电阻器和电子开关等组成，实现电压检测、电流输出、功耗检测、漏电检测、sleep及halt功耗等功能；

失效处理模块，主要对用户命令帧及数据效验、数据通信接口、固件更新、外接handler设备及输入输出信号量(如VIL/VIH、VOL/VOH、模块功耗、sleep&halt功耗及漏电等参数进行检测)失效处理等等，实现所有测试指标项等事件的失效判定及自适应处理；

handler控制模块，负责芯片的自动加载和对芯片测试情况进行区分，实现芯片的测试和烧录；

显示模块，主要是显示系统在各指标项测试工作过程中的状态信息、失效判定结果及测试数据存储等显示。

该系统还包括有多电压自校准模块，所述多电压自校准模块连接于嵌入式微处理器，所述多电压自校准模块通过选择通道连接于被测芯片，主要实现能对电源控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压等的自适应校准的功能，且具备输出电压的钳位和自适应补偿功能，使得输出电压更加精准和稳定，嵌入式微处理器控制多电压自校准模块采集电源控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压等的输出电压量，并将其电压量与标准电压量比较，实时调整电源控制模块、输入输出信号量模块、OS检测模块和脉冲电压等的输入量，达到较为精确的电压量，再经过OP运放反馈电路，将电压钳位在所需的电压标称值上，实时提示、显示、监测和控制等操作，使得整个系统自调整能力较强。

进一步，如果是芯片没有放置正确或接触不良时，OS检测及修复模块将提示用户重新放置，以确保接触良好和测试数据的有效性，如果是短路问题，则调用多电压自校准模块的过冲控制功能输出过冲电压，通过通道切换，实现短暂且连续的脉冲，以去除因芯片上的铝线、锡渣残留物及绑定线短路等因素对芯片的短路问题，由嵌入式处理器直接来检测经过过冲修复的短路管脚，为了遍历到每个管脚同时最大程度节省系统面积和资源利用最大化，需要通道选择开关选择，将嵌入式微处理器检测端口连接至被测试芯片的电源、地、IO端口及脉冲输出端口，把待测试芯片IO管脚按照奇偶分类，开启信号量量检测模块输出(-100uA～-500uA)和(100uA～500uA)的电流至芯片，检测此时电压，若电压范围绝对值在(0.2V～1.2V)内，则认为芯片OS特性良好，若为零则短路，调用多电压自校准模块进行脉冲修复并复测。

更进一步，嵌入式微处理器通过电源电压控制模块使得被测芯片进入烧录模式，继而从移动存储设备中获取的测试hex烧录到被测芯片，重新启动被测芯片进入用户模式配置外部DAC、ADC、可编程电阻器及电子开关等部件，控制器输出并调用多电压自校准模块实现IOH\IOL、VIH\VIL、VOH\VOL、SLEEEP\HALT功耗及漏电电流等信号量检测，电压信号量输出经过运算放大器，控制电子开关接入到被测IO端口，使得输出电压控制在0.9VDD和0.1VDD，调用多电压自校准模块进行自动补偿，进行高低电平对应的IOH/IOL电流检测；关闭可编程电阻，开启电子开关及通道选择功能，按照芯片配置信息配置信号量检测模块输出不同ID的被测芯片输入电压，通过数据接口读取被测芯片的VIL/VIH功能的SFR寄存器，控制输入电压，确定输入电压使得SFR寄存器变为“1”和“0”的电压范围并保存；启动输入输出信号量测量单元的电压检测单元，嵌入式微处理器通过数据总线配置被测IO管脚输出为“1”和“0”，调用电压检测单元测量IO管脚输出的电压值并保存数据；启动电压控制单元，读取芯片配置文件，配置被测芯片的IO口为输入断开上拉和可编程电阻器，然后IO口分别加入高电压和低电压，测试此时管脚的电流，漏电流过大会导致芯片特性发生改变，通常芯片的漏电流在100nA左右；通过嵌入式微处理器配置被测芯片进入功耗测试模式，读取配置文件中的功耗测试指令，配置可编程电阻器，逐渐打开各功能模块，并测试其电流信号量并保存数据，发送sleep和halt测试指令，进入相应测试模式，测试并计算出此时功耗。

进一步，系统工作后，handler控制模块自动加载好芯片后给系统发出测试请求信号，系统响应handler控制模块的测试请求开始测试，芯片测试完成后给handler控制模块反馈测试情况，handler控制模块根据系统的反馈信号，对good chip或bad chip进行区分，然后进行下一次的测试；需要配置的参数为工位或者site数，依实际应用情况来定，芯片最大烧录时间默认为5S，可根据芯片实际测试时间调整，START有效电平选择为低电平有效，脉冲可选择100us,OKSignal设置为低有效。

一种多site信号量检测及失效判定方法，其包括如下步骤：

401、系统上电，时钟系统、IO端口、外设接口、handler接口、外接ADC/DAC及可编程电阻等单元初始化，handler通信握手，系统自检；

402、系统自检成功，初始化移动存储设备并启动，系统读取移动存储设备内部数据，查找配置文件；

配置文件包含存储区地址划分表、配置文件索引表、存放测试hex、芯片失效数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性范围信息、芯片型号、标识信息及测试系统版本号等信息，如果不能查找到配置文件，LCD提示用户需要拷贝配置文件，等待用户拷贝，系统关闭移动存储设备，直到移动存储设备再次插入设备检查到配置文件，系统才继续执行。

403、建立LCD菜单系统浏览可移动存储设备的文件，选择进入固件更新模式或者检测及失效判定模式或者客户代烧录选择，如果用户选择进入固件更新模式，开始执行404、405、406步骤，否则执行407步骤；

404、进入固件更新模式，系统首先调用IAP固件更新程序，读取存储卡内固件程序数据及版本信息，完成固件程序预读取后，准备进行固件更新，获取固件版本号，对比是否需要更新，如果需要更新进，执行405，否则执行407步骤；

405、系统开始读取固件程序数据，判断是否被烧录固件程序，如果烧录了固件程序，获取移动存储设备的最新固件程序，对比判断当前使用的固件程序是否为最新版本，如果是最新版本，则不需更新固件程序；如果不是最新版本程序且需要更新程序，更新固件程序，更新完成后，系统重新初始化各单元并关闭烧录电压和供电电压，系统重新自检；

406、系统开始等待用户输入命令，系统进行命令解析，开始进入测试及失效分析模式还是客户代烧录模式，如果进行客户代烧录，执行407、408、409，否则执行410步骤；

407、芯片进入客户代烧录模式，根据获取的芯片配置信息，启动电源控制模块和多电压检测模块，接着按照配置信息对被烧录芯片配置烧录电压和供电电压配置，调用多电压自校准模块使得输出电压稳定；打开电子开关及通道模块选择供电电压、烧录电压、时钟控制管脚和数据通信管脚，使得芯片进入烧录模式，读取被烧录芯片的ROM数据并保存。

408、如果芯片不是空片且ROM是OTP类型，提示用户烧录失败，系统控制handler机械手将其分到坏bin；如果芯片是空片且ROM是OTP或FLASH类型，且芯片不是空片ROM是FLASH类型，在烧录前需要进行接触检测，使用短路修复功能提高因封装绑定造成的短路，根据测试指标项判断启用的模块，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，检测管脚间位置及短路情况；

409、芯片电气连接特性检测完成后，调整电源控制模块，使芯片进入烧录模式，读取移动存储设备中的烧录，将客户HEX文件烧录到芯片，关闭在重新开启电源控制模块，使得芯片再次进入烧录模式，读取其程序空间数据，并对比，如果不一致且在规定次数再次重复烧录，否则记录烧录失效编号，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入坏bin，系统控制handler机械手将其分到坏bin；如果一致，表示芯片烧录成功，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入好bin，结束过程，进行下一轮操作；

410、进入测试及失效分析模式，系统读取移动存储设备中的测试HEX，根据配置文件调整电源控制模块输出相应的烧录电压和工作电压，使芯片进入烧录模式，烧录测试HEX到被测芯片，调整电源系统使芯片进入正常工作模式，读取配置文件中的管脚电气特性测试顺序及性能列表并根据此调整电子开关至IO端口，系统进入开断检测及修复，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，使用信号量检测模块检测管脚电压，并判断是否符合设计要求，如果不符合，确定芯片短路，调用启动脉冲输出单元及编程可编程电阻，通断电子开关，给短路管脚脉冲冲击，再次检测，判断是否符合要求，还是短路且超过先定次数，记录烧录失效编号并进行失效处理；符合要求，短路修复完成，进行电流信号量检测；

411、启动电流信号量检测，进入IOH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt检测模块，调用信号量检测模块和多电压自校准模块，启动可调电阻，读取配置文件中的OH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt设计值及管脚输入阻抗数据，根据芯片管脚的电器特性参数分别给被测芯片顺序测试OH/IOL、漏电，获取各功能模块的开启时的输入电阻信息，配置调节可编程电阻，调用信号量检测模块测量IOH/IOL、漏电、功能模块及sleep&halt等功能下的检测数据，计算出模块工作电流，继而计算出模块功耗，存储并显示测试数据，最后判断电流信号量是否检测完成，如果没有完成，切换管脚或者功能模块继续测试，否则更新LCD显示信息，将测试数据存储并显示；

412、进入VOL/VOH检测，系统调用信号量检测模块及多电压自校准模块，发送VOL/VOH测试指令给被测芯片，被测芯片设定被测IO端口分别为输出高低，通过电子开关切换到信号量检测模块的电压检测单元，测量高低电平电压量，同时读取配置信息中VOH/VOL设计范围，判断是否满足设计要求，不满足，则复测规定次数，再次判断是否满足设计要求，还是不满足，则记录测试失效编号并保存和显示，进行失效处理，如果满足设计要求，保存和显示测试数据，判断VOH/VOL是否检测完成，没有完成继续412执行，如果测试完成执行下面步骤；

413、进入VIL/VIH检测，开启信号量检测模块电压输出单元和多电压自校准模块线性电源扫描单元，读取配置信息中VIL/VIH设计范围，检测及失效判定系统给被测芯片发送VIL/VIH测试指令，配置被测芯片IO管脚为输入管脚，根据输入高低电平值检测，线性调用电压校准模块自检，稳定控制输出电压，读取被测芯片寄存器数据，根据被测芯片寄存器“1”、“0”测量出对应的电压值范围，如果测量值不满足设计范围，系统复测确认，超出规定复测次数，系统退出，显示并保存，记录失效编号，进行失效处理，继而执行414步骤；

414、如果测量值满足设计范围要求，顺序切换检测端口，存储并显示测试数据，判断VIL/VIH检测完成，如果没有检测完成，执行413步骤；否则，更新LCD显示模块，关闭信号量检测及多电压自校准等模块，系统进入命令接收状态，完成一次测试，继续下一刻被测芯片测试。

本发明采用32位嵌入式微处理器，程序和数据存储空间大、外围接口丰富、处理能力强及高通信速率等，实现信号量批量自动化测试、固件在系统更新、客户代烧录、系统短路自检等实际应用需求；采取移动存储设备在线升级固件方法，更新系统固件程序，移动存储卡存放被测芯片信号量数据信息，用户使用方便，问题分析、定位及良率统计方便，不受限于应用终端，方便数据收集；为满足烧录电压、工作电压及电压范围确认等不同应用需求设计电压自适应控制模块，对被测芯片进行相应操作满足生产要求；采用集成化的设计思想，解决芯片多指标在系统失效检测问题，方便客户使用，携带方便；将软硬件架构进行模块化设计，方便后续的维护及升级开发；预留接口可以外挂仪器仪表，满足高分辨率和在电量检测及失效分析技术上的需求；对芯片输入输出信号量进行精确的信号量检测和供给，多种电压自适应输出检测形式，解决多场景电压自动补偿的业务分析需求，实现对芯片自动化控制，具备多种信号量指标项失效检测和失效判定机制，解决人员重复劳动和效率低下问题，整个过程减少人参与，工作效率高。

附图说明

图1是本发明所实施的总体架构框图。

图2是本发明所实施硬件系统的结构框图。

图3是本发明所实施指令处理模块的处理流程图。

图4是本发明所实施OS检测及修复模块的处理流程图。

图5是本发明所实施多电压自校准模块的处理流程图。

图6是本发明所实施输入输出信号量检测模块的处理流程图。

图7是本发明所实施的总体实现流程图一。

图8是本发明所实施的总体实现流程图二。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1、图2所示，为本发明所实现的多芯片信号量检测及失效判定的电子设备系统的结构框图及硬件框图，图中所示。该系统将多指标项信号量集成在一套系统内进行检测和失效判定，包含芯片本身物理连接特性检测，大幅提高工作效率，且根据相关问题进行预处理和显示，并将数据存储在移动存储设备中便于拷贝出来分析问题。该系统通过嵌入式微处理器和LCD显示模块实现，所述嵌入式微处理器包括有指令处理模块、数据存储模块(即图中的数据存储控制)、固件更新模块、OS检测及修复模块(即图中的OS检测)、多电压自校准模块、电源电压控制模块、输入输出信号量检测模块(即信号量检测模块)、按键处理模块、失效处理模块、handler控制模块。该系统给批量生产端进行芯片直流特性指标分析检测提供了必要手段，将多指标项信号量集成在一套系统内进行检测和失效判定，包含芯片本身物理连接特性检测，大幅提高工作效率。

指令处理模块，如图3所示，通过嵌入式微处理器来实现，主要是接收用户的控制命令输入，并根据相应命令执行相关控制功能，通过单板上的键盘实现人机接口，并产生的控制指令和数据，通过系统根据相关命令调用各功能模块进行相应处理，为满足用户功能设定的需求，控制系统指令处理模块包含按键扫描、指令校验、失效处理、超时检测、功能控制及指令发送等操作，通过指令处理模块可以实现对检测及失效判定系统进行实时控制，以便满足用户不同需求，返回操作结果并显示任务状态。

其具体的处理流程为：

101、开始，初始化指令处理模块；

102、启动按键扫描；

103、判断是否有用户输入命令，用户可以通过LCD显示功能菜单输入命令。

104、进入指令接收状态，接收指令和数据；

105、判断是否接收完成，若完成继续下一步，若没有完成，则提示正在接收；如果超时，则继续本步骤，超时退出后，则LCD提示用户错误，提示用户重新输入。

106、计算数据校验，接收校验位，并以计算值进行对比；

107、判断帧格式和校验值是否正确，正确则进行下一步，否则进行失效处理并进行显示；

108、提取指令和数据；

109、调用相关功能函数，

110、结束。

数据存储模块是外接的移动存储卡，移动存储模块划分为文件索引区、芯片配置文件信息区、hex数据区和测试数据区。模块通过嵌入式微处理器的SPI接口连接，移动存储卡通过SPI接口挂载在FSMC总线上，存储芯片配置文件索引表、芯片失效数据信息及测试数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性信息、芯片型号、标识信息、客户代烧录hex、测试hex及测试系统版本号等相关配置文件信息，实现实时动态对被测芯片的测试数据及状态信息进行记录。单板系统接收到被测芯片出送的实时测试数据，开始初始化数据存储单元，并准备接收测试数据及状态信息并将数据存储到移动存储设备中，同时反馈数据传输信息。

固件更新模块，主要包含对新固件程序对比、固件全部更新和时序逻辑功能更新等，实现能在系统对嵌入式微处理器芯片进行程序更新，利用IAP在系统更新技术将存储在移动存储模块上的程序更新到单板系统中，同时根据用户的不同需求可进行固件全部更新和时序逻辑功能更新等，系统固件更新灵活，具备更好的用户体验效果，用户使用功能键盘进行固件程序更新或升级，对后续的系统功能和性能的拓展提供便捷，能加快开发周期的应用需求。

OS检测及修复模块，如图4所示，主要是检测被测芯片接触是否良好、管脚间短路及短路修复等功能，根据获取到的芯片配置信息，提取芯片管脚对于位置及防治位置，从而确认芯片没有放置正确或接触不良或者短路等问题出现，如果是芯片没有放置正确或接触不良系统将提示用户重新放置，以确保接触良好和测试数据的有效性，如果是短路问题，系统调用多电压自校准模块的过冲控制功能输出过冲电压，通过通道切换，实现短暂且连续的脉冲，以去除因芯片上的铝线、锡渣残留物及绑定线短路等因素对芯片的短路问题，由嵌入式处理器直接来检测经过过冲修复的短路管脚，为了遍历到每个管脚同时最大程度节省系统面积和资源利用最大化，需要通道选择开关选择，将嵌入式微处理器检测端口连接至被测试芯片的电源、地、IO端口及脉冲输出端口，把待测试芯片IO管脚按照奇偶分类，开启信号量量检测模块输出(-100uA～-500uA)和(100uA～500uA)的电流至芯片，检测此时电压，若电压范围绝对值在(0.2V～1.2V)内，则认为芯片OS特性良好，若为零则短路，调用多电压自校准模块进行脉冲修复并复测。

其具体的处理流程为：

201、开始，初始化OS检测及修复模块，启动信号量检测模块；

202、将微处理器与DUT相连的所有管脚置低；

203、检测是否有芯片插入，有则进行下一步，否则提示用户插入芯片并返回上一步；

204、调用信号量检测模块，调整可编程电阻器；

205、输出-100uA电流，并测量电压，然后调节到需要的输出值；

206、判断测量管脚是否在正常的0.2V～1.2V范围内；若是，说明管脚连接良好，然后进行下一步，若否，则进行208步骤；

207、顺序切换管脚，并进行测量电压，完成所有的IO测试。

208、管脚连接特性失效，记录相应的管脚号；

209、测量管脚电压是否大于1.2V；若是，则判定短路失效，记录相关数据，结束；若否，则进行下一步；

210、测量管脚电压是否小于0.2V；若是，LCD进行状态显示，结束；若否，则启动并调用多电压自校准模块，调节输出电压；

211、调整电子开关，输出脉冲电压，然后返回步骤204继续进行检测。

电源控制模块需要完成被测芯片烧录电压和供电电压的输出等功能，嵌入式微处理器根据配置文件确定被测芯片类型调节输出多路特定芯片烧录电压和供电电压，常用芯片的烧录电压有3V、5V、6.5V、8.5V等四种，供电电压有1.8V、3.3V和5V等两种通，通过读取被测芯片ID号和配置文件共同确认不同ID类型芯片烧录电压供电和供电电压，电源控制模块经过反馈检测功能实现对烧录及供电电压的精准控制；电源控制系统根据系统运行的方式和客户使用的不同类型的ID确定哪一个芯片在特定时间段进入烧录模式和用户模式而设置供给电压的有效手段，通过对烧录电源和供电电源的协调运作，以确保对需要检测及失效判定的芯片工作模式的有效的控制。

多电压自校准模块，如图5所示，主要实现能对电源控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压等的自适应校准的功能，且具备输出电压的钳位和自适应补偿功能，使得输出电压更加精准和稳定，嵌入式微处理器控制多电压自校准模块采集电源控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压等的输出电压量，并将其电压量与标准电压量比较，实时调整电源控制模块、输入输出信号量模块、OS检测模块和脉冲电压等的输入量，达到较为精确的电压量，再经过OP运放反馈电路，将电压钳位在所需的电压标称值上，实时提示、显示、监测和控制等操作，使得整个系统自调整能力较强。

其具体的处理流程为：

301、开始，初始化多电压自校准模块及过冲电压功能；

302、判断被检测模块，并控制电压检测输入电压；

303、判断是否需要脉冲输出，是则进行下一步，否则执行309步骤；

304、读取配置信息，获取失效状态；

305、判断是否短路；是，则获取失效修复电压范围和过冲电压列表，否则结束；

306、自调节输出电压，使之在要求的范围内；

307、控制电子开关快速通断，输出给管脚脉冲；

308、检测管脚，判断管脚是否短路且小于3次；小于3次则结束，否则返回306步骤；

309、检测相应模块输出电压量；

310、将实际检测值和标准值进行对比；

311、判断是否在允许范围内，是则进行下一步，否则进一步判断是否超过次数，如果超过次数，则进行失效处理并上报，如果不超过次数，则返回309步骤；

312、存储自校正信息，并反馈。

输入输出信号量检测模块，如图6所示，主要包含外部DAC、外部ADC、OP运算放大器、可编程电阻器和电子开关等组成，实现电压检测、电流输出、功耗检测、漏电检测、sleep及halt功耗等功能，嵌入式微处理器通过电源控制模块使得被测芯片进入烧录模式，继而从移动存储设备中获取的测试hex烧录到被测芯片，重新启动被测芯片进入用户模式配置外部DAC、ADC、可编程电阻器及电子开关等部件，控制器输出并调用多电压自校准模块实现IOH\IOL、VIH\VIL、VOH\VOL、SLEEEP\HALT功耗及漏电电流等信号量检测，电压信号量输出经过运算放大器，控制电子开关接入到被测IO端口，使得输出电压控制在0.9VDD和0.1VDD，调用多电压自校准模块进行自动补偿，进行高低电平对应的IOH/IOL电流检测；关闭可编程电阻，开启电子开关及通道选择功能，按照芯片配置信息配置信号量检测模块输出不同ID的被测芯片输入电压，通过数据接口读取被测芯片的VIL/VIH功能的SFR寄存器，控制输入电压，确定输入电压使得SFR寄存器变为“1”和“0”的电压范围并保存；启动输入输出信号量测量单元的电压检测单元，嵌入式微处理器通过数据总线配置被测IO管脚输出为“1”和“0”，调用电压检测单元测量IO管脚输出的电压值并保存数据；启动电压控制单元，读取芯片配置文件，配置被测芯片的IO口为输入断开上拉和可编程电阻器，然后IO口分别加入高电压和低电压，测试此时管脚的电流，漏电流过大会导致芯片特性发生改变，通常芯片的漏电流在100nA左右；通过嵌入式微处理器配置被测芯片进入功耗测试模式，读取配置文件中的功耗测试指令，配置可编程电阻器，逐渐打开各功能模块，并测试其电流信号量并保存数据，发送sleep和halt测试指令，进入相应测试模式，测试并计算出此时功耗，功耗是测量芯片在不同模块打开时的耗电量，对于低功耗应用此项指标非常重要。

失效处理模块，主要对用户命令帧及数据效验、数据通信接口、固件更新、外接handler设备及输入输出信号量(如VIL/VIH、VOL/VOH、模块功耗、sleep&halt功耗及漏电等参数进行检测)失效处理等等，实现所有测试指标项等事件的失效判定及自适应处理。嵌入式微处理器和被测芯片之间进行的系列测试指标项的直流特性是否满足设计要求，并将实测值与设计指标值对比以判断其失效项，进而进行尝试性修复及失效处理。失效处理使用微处理器检测加外部模数和数模检测等信号量检测及转换单元实现，确认问题后进行批量失效统计及数据记录，最终将失效模式在LCD显示和移动存储设备中存储，并加以提示等。

handler控制模块，负责芯片的自动加载和对芯片测试情况进行区分，实现芯片的测试和烧录。系统工作后，handler自动加载好芯片后给系统发出测试请求信号，系统响应handler的测试请求开始测试，芯片测试完成后给handler反馈测试情况，handler根据系统的反馈信号，对good chip或bad chip进行区分，然后进行下一次的测试，完成一次测试烧录；需要配置的参数为工位或者site数，依实际应用情况来定，芯片最大烧录时间默认为5S，可根据芯片实际测试时间调整，START有效电平选择为低电平有效，脉冲可选择100us,OKSignal设置为低有效，其它BusySignal，NGSignal信号设置为不关注，具体参数默认。系统根据不同ID判断芯片可同时测试的个数，最多可同时进行4site同时测试。

UI显示模块，主要是显示系统在各指标项测试工作过程中的状态信息、失效判定结果及测试数据存储等显示，嵌入式微处理器实时读取各个芯片模块的状态信息将芯片测试及失效判定的状态显示，也可从可移动存储器中读取该结果，给客户提醒芯片失效判定及烧录的基本信息。另外设备也会通过指示灯、蜂鸣器、LCD等多样的输出方式把各种状态数据信息，直观的提示出来。

图7和图8所示，为本发明所实现的信号量检测和失效判定方法，包括如下步骤：

401、系统上电，时钟系统、IO端口、外设接口、handler接口、外接ADC/DAC及可编程电阻等单元初始化，接着进行handler通信握手，确认handler机械手连接正常，电源控制、多电压自校准、输入输出信号量检测等模块自检，如果确认自检失败且小于设定自检次数，系统重新初始化各外设单元，继而模块再次自检，否则自检失败且超过规定自检次数，设备故障报警，知识红灯闪烁提示，系统退出，用户更换模块；否则，系统自检成功，下位机等待接收命令。

402、系统自检成功，初始化移动存储设备并启动，系统读取移动存储设备内部数据，查找配置文件，包含存储区地址划分表、配置文件索引表、存放测试hex、芯片失效数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性范围信息、芯片型号、标识信息及测试系统版本号等信息，如果不能查找到配置文件，LCD提示用户需要拷贝配置文件，等待用户拷贝，系统关闭移动存储设备，直到移动存储设备再次插入设备检查到配置文件，系统才继续执行。

403、配置文件查找成功，建立LCD菜单系统浏览可移动存储设备的文件，用户通过键盘按键可以直接找到并查看。接着等待用户通过键盘传入控制指令，选择进入固件更新模式或者检测及失效判定模式或者客户代烧录选择，如果用户选择进入固件更新模式，开始执行404、405、406等步骤。否则执行407等步骤。

404、进入固件更新模式，系统首先调用IAP固件更新程序，读取存储卡内固件程序数据及版本信息，完成固件程序预读取后，LCD显示单板系统准备进行固件更新，获取固件版本号，对比是否需要更新，如果需要更新进，执行405，否则执行407等步骤。

405、系统开始读取单板系统的固件程序数据，单板系统判断是否被烧录固件程序，如果烧录了固件程序，获取移动存储设备的最新固件程序，对比判断当前使用的固件程序是否为最新版本，如果是最新版本，则不需更新固件程序；如果不是最新版本程序且需要更新程序，更新固件程序，更新完成后，系统重新初始化各单元并关闭烧录电压和供电电压，系统重新自检，执行406步骤。

406、系统开始等待用户输入命令，系统进行命令解析，开始进入测试及失效分析模式还是客户代烧录模式，如果进行客户代烧录，执行407、408、409，否则执行410等步骤。

407、芯片进入客户代烧录模式，根据获取的芯片配置信息，启动电源控制模块和多电压检测模块，接着按照配置信息对被烧录芯片配置烧录电压和供电电压配置，调用多电压自校准模块使得输出电压稳定，此时打开电子开关及通道模块选择供电电压、烧录电压、时钟控制管脚和数据通信管脚，使得芯片进入烧录模式，读取被烧录芯片的ROM数据并保存。

408、如果芯片不是空片且ROM是OTP类型，提示用户烧录失败，系统控制handler机械手将其分到坏bin；如果芯片是空片且ROM是OTP或FLASH类型，且芯片不是空片ROM是FLASH类型，在烧录前需要进行接触检测，使用短路修复功能提高因封装绑定造成的短路，根据测试指标项判断启用的模块，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，检测管脚间位置及短路情况。

409、芯片电气连接特性检测完成后，调整电源控制模块，使芯片进入烧录模式，读取移动存储设备中的烧录，将客户HEX文件烧录到芯片，关闭在重新开启电源控制模块，使得芯片再次进入烧录模式，读取其程序空间数据，并对比，如果不一致且在规定次数再次重复烧录，否则记录烧录失效编号，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入坏bin，系统控制handler机械手将其分到坏bin。如果一致，表示芯片烧录成功，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入好bin，结束过程，进行下一轮操作，等待用户输入指令。

410、进入测试及失效分析模式，系统读取移动存储设备中的测试HEX，根据配置文件调整电源控制模块输出相应的烧录电压和工作电压，使芯片进入烧录模式，烧录测试HEX到被测芯片，调整电源系统使芯片进入正常工作模式，读取配置文件中的管脚电气特性测试顺序及性能列表并根据此调整电子开关至IO端口，系统进入开断检测及修复，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，使用信号量检测模块检测管脚电压，并判断是否符合设计要求，如果不符合，确定芯片短路，调用启动脉冲输出单元及编程可编程电阻，通断电子开关，给短路管脚脉冲冲击，再次检测，判断是否符合要求，还是短路且超过先定次数，记录烧录失效编号并进行失效处理；符合要求，短路修复完成，进行电流信号量检测。

411、启动电流信号量检测，进入IOH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt检测模块，调用信号量检测模块和多电压自校准模块，启动可调电阻，读取配置文件中的OH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt设计值及管脚输入阻抗数据，根据芯片管脚的电器特性参数分别给被测芯片顺序测试OH/IOL、漏电等，获取各功能模块的开启时的输入电阻信息，配置调节可编程电阻，调用信号量检测模块测量IOH/IOL、漏电、功能模块及sleep&halt等功能下的检测数据，计算出模块工作电流，继而计算出模块功耗，存储并显示测试数据，最后判断电流信号量是否检测完成，如果没有完成，切换管脚或者功能模块继续测试，否则更新LCD显示信息，将测试数据存储并显示。

412、进入VOL/VOH检测，系统调用信号量检测模块及多电压自校准模块，发送VOL/VOH测试指令给被测芯片，被测芯片设定被测IO端口分别为输出高低，通过电子开关切换到信号量检测模块的电压检测单元，测量高低电平电压量，同时读取配置信息中VOH/VOL设计范围，判断是否满足设计要求，不满足，则复测规定次数，再次判断是否满足设计要求，还是不满足，则记录测试失效编号并保存和显示，进行失效处理，如果满足设计要求，保存和显示测试数据，判断VOH/VOL是否检测完成，没有完成继续412执行，如果测试完成执行下面步骤。

413、进入VIL/VIH检测，开启信号量检测模块电压输出单元和多电压自校准模块线性电源扫描单元，读取配置信息中VIL/VIH设计范围，系统给被测芯片发送VIL/VIH测试指令，配置被测芯片IO管脚为输入管脚，根据输入高低电平值检测，线性调用电压校准模块自检，稳定控制输出电压，读取被测芯片寄存器数据，根据被测芯片寄存器“1”、“0”测量出对应的电压值范围，如果测量值不满足设计范围，系统复测确认，超出规定复测次数，系统退出，显示并保存，记录失效编号，进行失效处理，继而执行414步骤。

414、如果测量值满足设计范围要求，顺序切换检测端口，存储并显示测试数据，判断VIL/VIH检测完成，如果没有检测完成，执行413步骤；否则，更新LCD显示模块，关闭信号量检测及多电压自校准等模块，系统进入命令接收状态，完成一次测试，继续下一刻被测芯片测试。

检测及失效判定系统是每次对芯片电压、电流等信号量的指标项的测试及失效检测的循环执行的一个过程，根据用户不同需求不断的测试、判断和命令的解析，目的是把信号量输入输出测试、批量自动测试、信号量失效检测、漏电测试、功耗测试、sleep&halt功耗测试、开断检测及修复、设备故障报警、多电压自锁定、数据比较、信息显示和存储、固件更新及可移动存储等特点结合，实现自动化的检测及失效判定的系统。

因此，本发明利用信号量检测和失效判定技术在产测阶段对多项输入输出电压电流信号量性能指标进行测试、实时补偿和短路修复，使用外接handler机械手实现多site芯片同时测试、烧录、短路修复和失效判定等一体化的自动控制方式，实现在较少成本下完成产测要求，单板平台的引入在一定程度上节省测试时间和成本，芯片开断检测、自适应电压测试方式和多电压自锁定技术，可大大减少测试时间，提高测试准确度，减少因接触问题而导致的数据不准确，实时显示状态信息使得定位问题时间及效率大大提升，设备使用便捷和操作方便，大幅提产测阶段的效率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于该系统通过嵌入式微处理器和LCD显示模块实现，所述嵌入式微处理器包括有指令处理模块、数据存储模块、固件更新模块、OS检测及修复模块、电源电压控制模块、输入输出信号量检测模块、按键处理模块、失效处理模块、handler控制模块；其中，

指令处理模块，主要是接收用户的控制命令输入，并根据相应命令执行相关控制功能，指令处理模块包含按键扫描、指令校验、失效处理、超时检测、功能控制及指令发送操作，通过指令处理模块可以实现对检测及失效判定系统进行实时控制；

数据存储模块是外接的移动存储卡，移动存储模块划分为文件索引区、芯片配置文件信息区、hex数据区和测试数据区；该模块通过嵌入式微处理器的SPI接口连接，配置文件索引表、芯片失效数据信息及测试数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性信息、芯片型号、标识信息、客户代烧录hex、测试hex及测试系统版本号相关配置文件信息，实现实时动态对被测芯片的测试数据及状态信息进行记录；

固件更新模块，主要包含对新固件程序对比、固件全部更新和时序逻辑功能更新；

OS检测及修复模块，主要是检测被测芯片接触是否良好、管脚间短路及短路修复功能，根据获取到的芯片配置信息，提取芯片管脚对于位置及防治位置，从而确认芯片没有放置正确或接触不良或者短路问题；

电源电压控制模块完成被测芯片烧录电压和供电电压的输出功能；

输入输出信号量检测模块，主要包含外部DAC、外部ADC、OP运算放大器、可编程电阻器和电子开关等组成，实现电压检测、电流输出、功耗检测、漏电检测、sleep及halt功耗功能；

失效处理模块，主要对用户命令帧及数据效验、数据通信接口、固件更新、外接handler设备及输入输出信号量失效处理，实现所有测试指标项等事件的失效判定及自适应处理；

handler控制模块，负责芯片的自动加载和对芯片测试情况进行区分，实现芯片的测试和烧录；

显示模块，主要是显示系统在各指标项测试工作过程中的状态信息、失效判定结果及测试数据存储显示。

2.如权利要求1所述的多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于该系统还包括有多电压自校准模块，所述多电压自校准模块连接于嵌入式微处理器，所述多电压自校准模块通过选择通道连接于被测芯片，主要实现能对电源控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压的自适应校准的功能，且具备输出电压的钳位和自适应补偿功能，多电压自校准模块采集电源电压控制模块输出电压、输入输出信号量电压、OS检测模块管脚电压和脉冲电压的输出电压量，并将其电压量与标准电压量比较，实时调整电源控制模块、输入输出信号量模块、OS检测模块和脉冲电压的输入量，再经过OP运放反馈电路，将电压钳位在所需的电压标称值上。

3.如权利要求2所述的多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于如果是芯片没有放置正确或接触不良时，OS检测及修复模块将提示用户重新放置，以确保接触良好和测试数据的有效性，如果是短路问题，则调用多电压自校准模块的过冲控制功能输出过冲电压，通过通道切换，实现短暂且连续的脉冲，以去除因芯片上的铝线、锡渣残留物及绑定线短路因素对芯片的短路问题，由嵌入式处理器直接来检测经过过冲修复的短路管脚，需要通道选择开关选择，将嵌入式微处理器检测端口连接至被测试芯片的电源、地、IO端口及脉冲输出端口，把待测试芯片IO管脚按照奇偶分类，开启信号量量检测模块输出(-100uA～-500uA)和(100uA～500uA)的电流至芯片，检测此时电压，若电压范围绝对值在(0.2V～1.2V)内，则认为芯片OS特性良好，若为零则短路，调用多电压自校准模块进行脉冲修复并复测。

4.如权利要求3所述的多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于嵌入式微处理器通过电源电压控制模块使得被测芯片进入烧录模式，继而从移动存储设备中获取的测试hex烧录到被测芯片，重新启动被测芯片进入用户模式配置外部DAC、ADC、可编程电阻器及电子开关等部件，控制器输出并调用多电压自校准模块实现IOH\IOL、VIH\VIL、VOH\VOL、SLEEEP\HALT功耗及漏电电流信号量检测，电压信号量输出经过运算放大器，控制电子开关接入到被测IO端口，使得输出电压控制在0.9VDD和0.1VDD，调用多电压自校准模块进行自动补偿，进行高低电平对应的IOH/IOL电流检测；关闭可编程电阻，开启电子开关及通道选择功能，按照芯片配置信息配置信号量检测模块输出不同ID的被测芯片输入电压，通过数据接口读取被测芯片的VIL/VIH功能的SFR寄存器，控制输入电压，确定输入电压使得SFR寄存器变为“1”和“0”的电压范围并保存；启动输入输出信号量测量单元的电压检测单元，嵌入式微处理器通过数据总线配置被测IO管脚输出为“1”和“0”，调用电压检测单元测量IO管脚输出的电压值并保存数据；启动电压控制单元，读取芯片配置文件，配置被测芯片的IO口为输入断开上拉和可编程电阻器，然后IO口分别加入高电压和低电压；通过嵌入式微处理器配置被测芯片进入功耗测试模式，读取配置文件中的功耗测试指令，配置可编程电阻器，逐渐打开各功能模块，并测试其电流信号量并保存数据，发送sleep和halt测试指令，进入相应测试模式，测试并计算出此时功耗。

5.如权利要求1所述的多site信号量检测及失效判定系统，其特征在于系统工作后，handler控制模块自动加载好芯片后给系统发出测试请求信号，系统响应handler控制模块的测试请求开始测试，芯片测试完成后给handler控制模块反馈测试情况，handler控制模块根据系统的反馈信号，对good chip或bad chip进行区分，然后进行下一次的测试；需要配置的参数为工位或者site数，依实际应用情况来定，芯片最大烧录时间默认为5S，可根据芯片实际测试时间调整，START有效电平选择为低电平有效，脉冲可选择100us,OKSignal设置为低有效。

6.一种多site信号量检测及失效判定方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

401、系统上电，时钟系统、IO端口、外设接口、handler接口、外接ADC/DAC及可编程电阻等单元初始化，handler通信握手，系统自检；

402、系统自检成功，初始化移动存储设备并启动，系统读取移动存储设备内部数据，查找配置文件；

403、建立LCD菜单系统浏览可移动存储设备的文件，选择进入固件更新模式或者检测及失效判定模式或者客户代烧录选择，如果用户选择进入固件更新模式，开始执行404、405、406步骤，否则执行407步骤；

404、进入固件更新模式，系统首先调用IAP固件更新程序，读取存储卡内固件程序数据及版本信息，完成固件程序预读取后，准备进行固件更新，获取固件版本号，对比是否需要更新，如果需要更新进，执行405，否则执行407步骤；

405、系统开始读取固件程序数据，更新固件程序，更新完成后，系统重新初始化各单元并关闭烧录电压和供电电压，系统重新自检；

406、系统开始等待用户输入命令，系统进行命令解析，开始进入测试及失效分析模式还是客户代烧录模式，如果进行客户代烧录，执行407、408、409，否则执行410步骤；

407、芯片进入客户代烧录模式，根据获取的芯片配置信息，启动电源控制模块和多电压检测模块，接着按照配置信息对被烧录芯片配置烧录电压和供电电压配置，调用多电压自校准模块使得输出电压稳定；打开电子开关及通道模块选择供电电压、烧录电压、时钟控制管脚和数据通信管脚，使得芯片进入烧录模式，读取被烧录芯片的ROM数据并保存。

408、如果芯片不是空片且ROM是OTP类型，提示用户烧录失败，系统控制handler机械手将其分到坏bin；如果芯片是空片且ROM是OTP或FLASH类型，且芯片不是空片ROM是FLASH类型，在烧录前需要进行接触检测，使用短路修复功能提高因封装绑定造成的短路，根据测试指标项判断启用的模块，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，检测管脚间位置及短路情况；

409、芯片电气连接特性检测完成后，调整电源控制模块，使芯片进入烧录模式，读取移动存储设备中的烧录，将客户HEX文件烧录到芯片，关闭在重新开启电源控制模块，使得芯片再次进入烧录模式，读取其程序空间数据，并对比，如果不一致且在规定次数再次重复烧录，否则记录烧录失效编号，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入坏bin，系统控制handler机械手将其分到坏bin；如果一致，表示芯片烧录成功，保存烧录信息及更新烧录信息，控制handler进入好bin，结束过程，进行下一轮操作；

410、进入测试及失效分析模式，系统读取移动存储设备中的测试HEX，根据配置文件调整电源控制模块输出相应的烧录电压和工作电压，使芯片进入烧录模式，烧录测试HEX到被测芯片，调整电源系统使芯片进入正常工作模式，读取配置文件中的管脚电气特性测试顺序及性能列表并根据此调整电子开关至IO端口，系统进入开断检测及修复；

411、启动电流信号量检测，进入IOH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt检测模块，调用信号量检测模块和多电压自校准模块，启动可调电阻，读取配置文件中的OH/IOL、漏电、功耗及sleep&halt设计值及管脚输入阻抗数据，根据芯片管脚的电器特性参数分别给被测芯片顺序测试OH/IOL、漏电，获取各功能模块的开启时的输入电阻信息，配置调节可编程电阻，调用信号量检测模块测量IOH/IOL、漏电、功能模块及sleep&halt等功能下的检测数据，计算出模块工作电流，继而计算出模块功耗，存储并显示测试数据，最后判断电流信号量是否检测完成，如果没有完成，切换管脚或者功能模块继续测试，否则更新LCD显示信息，将测试数据存储并显示；

412、进入VOL/VOH检测，系统调用信号量检测模块及多电压自校准模块，发送VOL/VOH测试指令给被测芯片，判断是否满足设计要求，不满足，则复测规定次数，再次判断是否满足设计要求，还是不满足，则进行失效处理，如果满足设计要求，保存和显示测试数据，判断VOH/VOL是否检测完成，没有完成继续412执行，如果测试完成执行下面步骤；

413、进入VIL/VIH检测，开启信号量检测模块电压输出单元和多电压自校准模块线性电源扫描单元，读取配置信息中VIL/VIH设计范围，根据被测芯片寄存器“1”、“0”测量出对应的电压值范围，如果测量值不满足设计范围，系统复测确认，超出规定复测次数，系统退出，进行失效处理，继而执行414步骤；

414、如果测量值满足设计范围要求，顺序切换检测端口，存储并显示测试数据，判断VIL/VIH检测完成，如果没有检测完成，执行413步骤；否则，更新LCD显示模块，关闭信号量检测及多电压自校准等模块，系统进入命令接收状态，完成一次测试，继续下一刻被测芯片测试。

7.如权利要求6所述的多site信号量检测及失效判定方法，其特征在于所述步骤402中，配置文件包含存储区地址划分表、配置文件索引表、存放测试hex、芯片失效数据信息、管脚及模块输入电阻、电气特性范围信息、芯片型号、标识信息及测试系统版本号信息，如果不能查找到配置文件，LCD提示用户需要拷贝配置文件，等待用户拷贝，系统关闭移动存储设备，直到移动存储设备再次插入设备检查到配置文件，系统才继续执行。

8.如权利要求6所述的多site信号量检测及失效判定方法，其特征在于所述步骤410中，开断检测及修复，调用多电压自校准单元及脉冲输出单元，使用信号量检测模块检测管脚电压，并判断是否符合设计要求，如果不符合，确定芯片短路，调用启动脉冲输出单元及编程可编程电阻，通断电子开关，给短路管脚脉冲冲击，再次检测，判断是否符合要求，还是短路且超过先定次数，记录烧录失效编号并进行失效处理；符合要求，短路修复完成，进行电流信号量检测。

9.如权利要求6所述的多site信号量检测及失效判定方法，其特征在于所述步骤412中，被测芯片设定被测IO端口分别为输出高低，通过电子开关切换到信号量检测模块的电压检测单元，测量高低电平电压量，同时读取配置信息中VOH/VOL设计范围，判断是否满足设计要求。

10.如权利要求6所述的多site信号量检测及失效判定方法，其特征在于所述步骤413中，检测及失效判定系统给被测芯片发送VIL/VIH测试指令，配置被测芯片IO管脚为输入管脚，根据输入高低电平值检测，线性调用电压校准模块自检，稳定控制输出电压，读取被测芯片寄存器数据，根据被测芯片寄存器“1”、“0”测量出对应的电压值范围。