CN107526205A - 液晶显示装置 - Google Patents

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CN107526205A
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宋东翰
申东哲
申旗澈
吴浩吉
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种液晶显示(LCD)装置能够提高液晶可控制性和透光率，该LCD装置包括：第一基板，其包括光发射区域和光阻挡区域；在第一基板上的开关元件，开关元件连接到栅线和数据线；在栅线、数据线和开关元件上的第一绝缘层；偏振图案，其被设置在第一绝缘层上并通过第一绝缘层的接触孔连接到开关元件；以及连接到光发射区域中的偏振图案的像素电极。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明的示范性实施方式涉及显示装置，更具体地，涉及能够提高液晶可控制性和透光率的液晶显示(LCD)装置。
背景技术
LCD装置是最广泛使用的类型的平板显示(FPD)装置之一。LCD装置通常包括两个基板以及插置在其间的液晶层，这两个基板包括形成在其上的两个电极。
当向这两个电极施加电压时，液晶层的液晶分子重新排列，使得在LCD装置中透射光的量被控制。为此，LCD装置需要背光单元来提供光。
由背光单元提供的光的大部分会在穿过LCD装置的偏振板、液晶层和滤色器时由于反射或吸收而损失。一般地，从背光单元发射的光的仅约3％至约10％可以用于显示图像。
将理解，本技术背景部分旨在为理解该技术提供有用的背景，并且如这里所公开的，该技术背景部分可以包括不是在这里公开的主题的对应有效申请日之前为所属领域的技术人员知晓或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
本发明的示范性实施方式涉及能够提高液晶可控制性和透光率的液晶显示(LCD)装置。
根据本发明的一示范性实施方式，一种液晶显示装置包括：第一基板，其包括光发射区域和光阻挡区域；在第一基板上的开关元件，该开关元件连接到栅线和数据线；在栅线、数据线和开关元件上的第一绝缘层；偏振图案，其被设置在第一绝缘层上并通过第一绝缘层的接触孔连接到开关元件；以及连接到光发射区域中的偏振图案的像素电极。
偏振图案的上表面的接触像素电极的部分可以具有比偏振图案的上表面的不接触像素电极的部分的面积更大的面积。
偏振图案与像素电极之间的接触面积可以大于偏振图案与开关元件之间的接触面积。
偏振图案与像素电极之间的接触面积可以是偏振图案与开关元件之间的接触面积的至少两倍。
偏振图案可以设置在第一绝缘层与像素电极之间。
偏振图案可以包括彼此间隔开的多个偏振线。
像素电极可以交叠所述多个偏振线。
像素电极可以接触所述多个偏振线。
液晶显示装置可以限定有孔，该孔通过被所述多个偏振线中的相邻偏振线、第一绝缘层和像素电极围绕而被限定。
液晶显示装置还可以包括在孔中的第二绝缘层。
第二绝缘层和第一绝缘层可以是一体的。
所述多个偏振线中的至少一个可以连接到开关元件。
液晶显示装置还可以包括连接所述多个偏振线中的相邻偏振线的连接电极。
所述多个偏振线可以基本上平行于数据线。
液晶显示装置还可以包括以下中的至少一个：滤色器，其在第一基板与第一绝缘层之间；以及颜色转换层，其在滤色器与第一绝缘层之间。
液晶显示装置还可以包括：与第一基板间隔开的第二基板；以及在第一基板与第二基板之间的液晶层。
液晶层可以包括手性掺杂剂。
第一基板和第二基板之间的单元间隙与液晶层的介电各向异性的乘积可以在约270纳米(nm)至约450nm的范围内。
第一基板和第二基板之间的单元间隙与液晶层的节距的比率可以在约0.20至约0.35的范围内。
液晶显示装置还可以包括产生光的背光单元。第二基板可以设置在第一基板与背光单元之间。
背光单元可以包括发射白光的白色光源和发射蓝光的蓝色光源中的一种。
像素电极可以包括：至少两个平面电极；以及主连接电极，其连接所述平面电极中的相邻平面电极。
主连接电极可以具有比平面电极的面积更小的面积。
像素电极还可以包括：至少一个辅助电极，其具有比平面电极的面积更小的面积并具有与平面电极的长度基本上相同的长度；以及辅助连接电极，其连接辅助电极和平面电极。
辅助连接电极可以具有比辅助电极的面积更小的面积。
根据本发明的一示范性实施方式，一种液晶显示装置包括：彼此间隔开的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶层；在第一基板上的开关元件和像素电极，像素电极连接到开关元件；在第二基板上的颜色转换层；在颜色转换层上的绝缘层；在绝缘层上的偏振图案；以及连接到偏振图案的公共电极。
公共电极可以设置在偏振图案与液晶层之间。
偏振图案的上表面的接触公共电极的部分可以具有比偏振图案的不接触公共电极的部分的面积更大的面积。
偏振图案可以包括彼此间隔开的多个偏振线。
液晶显示装置可以限定有孔，该孔通过被偏振线中的相邻偏振线、绝缘层和公共电极围绕而被限定。
液晶显示装置还可以包括产生光的背光单元。第一基板可以设置在第二基板与背光单元之间。
以上仅是说明性的，而不旨在以任何方式限制。除了以上描述的说明性的方面、实施方式和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，另外的方面、实施方式和特征将变得明显。
附图说明
从以下结合附图的详细描述，本发明的公开的以上和其它的特征以及方面将被更清楚地理解，附图中：
图1是示出液晶显示(LCD)装置的示范性实施方式的俯视图；
图2是示出沿图1的线I-I'截取的示范性实施方式的剖面图；
图3A、图3B、图3C和图3D是示出像素电极的各种形状的视图；
图4A是示出沿图1的线I-I'截取的一可选示范性实施方式的剖面图；
图4B是示出沿图1的线I-I'截取的另一可选示范性实施方式的剖面图；
图4C是示出沿图1的线I-I'截取的另一可选示范性实施方式的剖面图；
图5是示出多个像素的示范性实施方式的俯视图；
图6是示出LCD装置的一可选示范性实施方式的俯视图；
图7是沿图6的线I-I'截取的剖面图；
图8是示出偏振像素电极的可选示范性实施方式的俯视图；
图9是示出多个像素的可选示范性实施方式的俯视图；
图10是示出液晶的基于像素电压的移动的视图；
图11是示出像素电极的基于像素电压的透光率的视图；
图12是示出参考像素电极和第一像素电极的各自透光率之间的比较的视图；
图13是示出参考像素电极和第二像素电极的各自透光率之间的比较的视图；
图14是示出基于像素电极的形状和配向层的摩擦工艺的透光率的视图；以及
图15是示出LCD装置的可选示范性实施方式的剖面图。
具体实施方式
本发明的优点和特征以及用于实现它们的方法将从以下参照附图详细描述的示范性实施方式而变明显。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的示范性实施方式。更确切地，这些示范性实施方式被提供以帮助传达本发明的范围给本领域技术人员。本发明仅由权利要求的范围限定。因此，公知的构成元件、操作和技术在示范性实施方式中没有被详细描述，以防止本发明被模糊得解释。相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。
在图中，某些元件或形状可以以放大的方式或简化的方式被示出以更好地说明本发明，存在于实际产品中的其它元件也可以被省略。因此，图旨在有助于本发明的理解。
当一层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者居间的层、区域或板可以存在于其间。相反，当一层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“上”时，在其间可以不存在居间的层、区域或板。此外，当一层、区域或板被称为在另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下面，或者居间的层、区域或板可以存在于其间。相反，当一层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“下面”时，在其间可以不存在居间的层、区域或板。
为了描述的容易，这里可以使用空间关系术语“在…下面”、“在...之下”、“下”、“在…之上”、“上”等来描述如图中示出的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除了图中所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，在图中示出的器件被翻转过来的情况下，位于另一器件“下面”或“之下”的器件可以位于所述另一器件“之上”。因此，说明性术语“在...下面”可以包括上下两位置。器件还可以取向在另外的方向上，因此，空间关系术语可以取决于该取向而被不同地解释。
在整个说明书中，当一元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到所述另一元件，或者“电连接”到所述另一元件且有一个或更多个居间元件插置在其间。还将理解，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
将理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区别开。因此，以下讨论的“第一元件”能被称为“第二元件”或“第三元件”，“第二元件”和“第三元件”能被类似地称呼，而没有背离这里的教导。
当在此处使用时，“大约”或“近似”包括所陈述的值在内，并且意为在由本领域普通技术人员考虑到正被讨论的测量和与详细量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)确定的具体值的偏差的可接受范围内。例如，“大约”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另外地限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属的领域的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解，诸如通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不应在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非在本说明书中清楚地限定。
在下文中，将参照图1至图15详细描述液晶显示(LCD)装置的示范性实施方式。
图1是示出LCD装置的示范性实施方式的俯视图，图2是示出沿图1的线I-I'截取的示范性实施方式的剖面图。
LCD装置的示范性实施方式包括多个像素PX和背光单元444。
如图1和图2所示，像素PX包括上基板(在下文中，第一基板)301、开关元件TFT、栅极绝缘层311、第一光阻挡层376a、颜色转换层195、钝化层320、第一绝缘层356a、偏振图案700、像素电极PE、第二光阻挡层376b、第一配向层344a、下基板(在下文中，第二基板)302、公共电极330、第二配向层344b、偏振板381和液晶层333。
在彼此面对的第一基板301的表面和第二基板302的表面被分别定义为对应基板的上表面并且与上表面相反的表面被分别定义为对应基板的下表面的情况下，上述偏振板381可以设置在第二基板302的下表面上。偏振图案700的透射轴垂直于偏振板381的透射轴，它们的透射轴之一平行于数据线DL取向。
偏振板381使从背光单元444发射的光L偏振。偏振板381设置在背光单元444与第二基板302之间。
第二基板302设置在第一基板301和背光单元444之间。
像素PX连接到栅线GL和数据线DL。例如，像素PX通过开关元件TFT连接到栅线GL和数据线DL。
开关元件TFT包括半导体层321、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE连接到栅线GL，源电极SE连接到数据线DL，漏电极DE连接到偏振图案700。
开关元件TFT可以是薄膜晶体管(TFT)。
栅电极GE和栅线GL设置在第一基板301上。
栅电极GE可以具有从栅线GL朝像素电极PE突出的形状。栅电极GE和栅线GL可以是一体的。
栅电极GE可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金，或者可以由铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金形成。在一可选示范性实施方式中，栅电极GE可以包括铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种，或可以由铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种形成。在一示范性实施方式中，栅电极GE可以具有多层结构，该多层结构包括具有彼此不同的物理性质的至少两个导电层。
尽管未示出，但是栅线GL的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。栅线GL的端部可以具有比栅线GL的另一部分的平面面积更大的平面面积。栅线GL可以包括与栅电极GE的材料基本上相同的材料并可以具有与栅电极GE的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。栅线GL和栅电极GE可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
如图2所示，栅极绝缘层311设置在第一基板301、栅电极GE和栅线GL上。在这样一示范性实施方式中，栅极绝缘层311可以设置在包括栅电极GE和栅线GL的第一基板301的整个表面之上。
栅极绝缘层311可以包括硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)，或者可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)形成。栅极绝缘层311可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理性质的至少两个绝缘层。
如图2所示，半导体层321设置在栅绝缘层311上。如图1和图2所示，半导体层321交叠栅电极GE的至少一部分。
半导体层321可以包括非晶硅、多晶硅等。此外，半导体层321可以包括多晶硅和/或氧化物半导体(诸如铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌锡氧化物(IZTO))中的一种，或者可以由多晶硅和/或氧化物半导体(诸如铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌锡氧化物(IZTO))中的一种形成。
源电极SE设置在栅极绝缘层311和半导体层321上。源电极SE交叠半导体层321和栅电极GE。源电极SE可以具有从数据线DL朝栅电极GE突出的形状。源电极SE和数据线DL可以是一体的。尽管未示出，但是源电极SE可以是数据线DL的一部分。
源电极SE可以包括难熔金属诸如钼、铬、钽、钛和/或其合金，或者可以由难熔金属诸如钼、铬、钽、钛和/或其合金形成。源电极SE可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在一可选示范性实施方式中，源电极SE可以包括除上述材料之外的任何合适的导体，或者可以由除上述材料之外的任何合适的导体形成。
如图2所示，数据线DL设置在栅极绝缘层311上。尽管未示出，但是数据线DL的端部可以连接到另一层或外部驱动电路。数据线DL的端部可以具有比数据线DL的另一部分的平面面积更大的平面面积。数据线DL可以包括与源电极SE的材料基本上相同的材料并可以具有与源电极SE的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。数据线DL和源电极SE可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
数据线DL交叉栅线GL。数据线DL的交叉栅线GL的部分可以具有比数据线DL的另一部分的线宽度更小的线宽度，并且栅线GL的交叉数据线DL的部分可以具有比栅线GL的另一部分的线宽度更小的线宽度。因此，可以减小数据线DL与栅线GL之间的寄生电容。
漏电极DE设置在栅极绝缘层311和半导体层321上并以预定距离与源电极SE间隔开。漏电极DE交叠半导体层321和栅电极GE。开关元件TFT的沟道区域位于漏电极DE与源电极SE之间。
漏电极DE连接到偏振图案700。漏电极DE通过偏振图案700连接到像素电极PE。在这样一示范性实施方式中，漏电极DE和偏振图案700通过接触孔950彼此电连接。
漏电极DE可以包括与源电极SE的材料基本上相同的材料并可以具有与源电极SE的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。漏电极DE和源电极SE可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
开关元件TFT还可以包括第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。
第一欧姆接触层321a设置在半导体层321与源电极SE之间。第一欧姆接触层321a降低半导体层321与源电极SE之间的界面电阻。
第一欧姆接触层321a可以包括硅化物或以高浓度掺杂有n型杂质(例如磷(P)或磷化氢(PH3))的n+氢化非晶硅。
第二欧姆接触层321b设置在半导体层321与漏电极DE之间。第二欧姆接触层321b降低半导体层321与漏电极DE之间的界面电阻。第二欧姆接触层321b可以包括与上述第一欧姆接触层321a的材料基本上相同的材料，并可以具有与上述第一欧姆接触层321a的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。第二欧姆接触层321b和第一欧姆接触层321a可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
尽管未示出，但是半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311与源电极SE之间。此外，半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311与漏电极DE之间。在这样一示范性实施方式中，栅极绝缘层311与源电极SE之间的半导体层被定义为第一额外半导体层，栅极绝缘层311与漏电极DE之间的半导体层被定义为第二额外半导体层。在这样一示范性实施方式中，上述第一欧姆接触层321a还可以设置在第一额外半导体层与源电极SE之间，上述第二欧姆接触层321b还可以设置在第二额外半导体层与漏电极DE之间。
此外，尽管未示出，但是半导体层321还可以设置在栅极绝缘层311与数据线DL之间。在这样一示范性实施方式中，栅极绝缘层311与数据线DL之间的半导体层被定义为第三额外半导体层。在这样一示范性实施方式中，上述第一欧姆接触层321a还可以设置在第三额外半导体层与数据线DL之间。
颜色转换层195设置在栅极绝缘层311上。颜色转换层195的边缘部分可以设置在栅线GL和数据线DL上。
颜色转换层195转换从背光单元444发射的光L的颜色。为此，颜色转换层195转换从背光单元444发射的光L的波长。例如，颜色转换层195可以包括量子点颗粒。此外，颜色转换层195还可以包括基于硫化物的金属、基于硅(Si)的金属和基于氮化物的金属中的至少一种(或其任何组合)。
量子点颗粒转换光的波长以发射期望的光。基于量子点颗粒的尺寸，从颜色转换层195发射的光的波长可以变化。换句话说，基于量子点的直径，从颜色转换层195发射的光的颜色可以变化。
量子点颗粒可以具有在约2纳米(nm)至约10nm的范围内的直径。通常，在量子点颗粒具有相对小的直径的情况下，发射的光的波长可以减小以产生基于蓝色的光。此外，随着量子点的尺寸增大，发射的光的波长增大以发射基于红色的光。例如，具有约10nm的直径的量子点颗粒可以发射红色光，具有约7nm的直径的量子点颗粒可以发射绿色光，具有约5nm的直径的量子点颗粒可以发射蓝色光。
量子点颗粒可以具有包括内部芯和围绕内部芯的外壳的双重结构。例如，包括CdSe/ZnS的量子点颗粒包括包含CdSe的内部芯和包含ZnS的外壳。
在一可选示范性实施方式中，颜色转换层195可以包括量子杆颗粒，代替量子点颗粒。
多个像素PX可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。在这样一示范性实施方式中，红色像素的颜色转换层将从背光单元444提供的白光转换为红光，绿色像素的颜色转换层将从背光单元444提供的白光转换为绿光，蓝色像素的颜色转换层将从背光单元444提供的白光转换为蓝光。
在一示范性实施方式中，在蓝光从背光单元444发射的情况下，蓝色像素可以包括光透射层，代替颜色转换层。光透射层完全透射从背光单元444提供的蓝光，而基本上不改变透射光的颜色(或波长)。例如，光透射层可以包括透明的光致抗蚀剂。在一示范性实施方式中，光透射层还可以包括光散射剂。光散射剂可以使用二氧化钛(TiO2)。
如上所述，当蓝光从背光单元444发射时，红色像素的颜色转换层可以将蓝光转换成红光，绿色像素的颜色转换层可以将蓝光转换成绿光。
从俯视图，第一光阻挡层376a设置在像素PX中的相邻的像素之间。例如，第一光阻挡层376a设置在一个像素(在下文中，第一像素)的颜色转换层和与第一像素相邻的另一像素(在下文中，第二像素)的颜色转换层之间。垂直地，第一光阻挡层376a设置在栅极绝缘层311和数据线DL上。尽管未示出，但是第一光阻挡层376a还可以设置在开关元件TFT上。第一光阻挡层376a防止透射穿过第一像素的颜色转换层的光入射到第二像素的颜色转换层。
如图2所示，钝化层320设置在数据线DL、源电极SE、漏电极DE、半导体层321的沟道区、栅极绝缘层311、颜色转换层195和第一光阻挡层376a上。在这样一示范性实施方式中，钝化层320可以设置在包括数据线DL、源电极SE、漏电极DE、半导体层321的沟道区、栅极绝缘层311、颜色转换层195和第一光阻挡层376a的第一基板301的整个表面之上。钝化层320限定有在漏电极DE上的孔(在下文中，第一孔)。
钝化层320可以包括无机绝缘材料诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)，并且在这样一示范性实施方式中，可以使用具有光敏性并具有约4.0的介电常数的无机绝缘材料。在一可选示范性实施方式中，钝化层320可以具有包括下无机层和上有机层的双层结构，其被发现赋予优良的绝缘特性并且不损坏半导体层321的暴露部分。钝化层320可以具有大于或等于约的厚度，例如在约至约的范围内。
如图2所示，第一绝缘层356a设置在钝化层320上。第一绝缘层356a限定有在第一孔之上的孔(在下文中，第二孔)。第二孔可以大于第一孔。例如，第二孔的直径可以大于第一孔的直径。
第一绝缘层356a可以包括具有相对低的介电常数的有机层。例如，第一绝缘层356a可以包括具有比钝化层320的介电常数更低的介电常数的光敏有机材料。
偏振图案700使从背光单元444发射并透射穿过偏振板381和液晶层333的光偏振。如图2所示，偏振图案700设置在第一绝缘层356a上。偏振图案700通过接触孔950连接到开关元件TFT。例如，偏振图案700通过接触孔950连接到开关元件TFT的漏电极DE。
接触孔950包括钝化层320的第一孔和第一绝缘层356a的第二孔。漏电极DE的一部分通过接触孔950暴露。在这样一示范性实施方式中，接触孔950的第一孔和第二孔具有随着更向上定位而更大的尺寸，因此，在接触孔950的内壁处的偏振图案700和像素电极PE的每个可以包括多个弯曲部分。因此，在具有大深度的接触孔950中，偏振图案700和像素电极PE可以不被损坏。例如，可以防止偏振图案700和像素电极PE被切断。
偏振图案700可以使用冲压或压印的方法转移到第一绝缘层356a。偏振图案700可以是线栅偏振器。偏振图案700可以包括金属材料诸如铝。
如图1所示，偏振图案700可以包括多个偏振线750。偏振线750的每个基本上平行于数据线DL。此外，偏振线750每个彼此平行。
偏振线750每个彼此间隔开。偏振线750中的两个相邻的偏振线750之间的间隙(在下文中，第一间隙)可以与偏振线750中的另外两个相邻的偏振线750之间的间隙(在下文中，第二间隙)基本上相同。在一可选示范性实施方式中，第一间隙可以不同于第二间隙。此外，偏振线750中的一个与偏振线750中的另一个(其与偏振线750中的所述一个的左侧相邻)之间的间隙(在下文中，第三间隙)可以与偏振线750中的所述一个和偏振线750中的另一个(其与偏振线750中的所述一个的右侧相邻)之间的间隙(在下文中，第四间隙)基本上相同。在一可选示范性实施方式中，第三间隙可以不同于第四间隙。例如，偏振线750中的相邻偏振线之间的间隙可以大于0且小于约40nm。
多个偏振线750中的至少一个可以连接到开关元件TFT。例如，如图1所示，偏振线750中的交叠漏电极DE的一个偏振线可以连接到漏电极DE。
在一示范性实施方式中，尽管未示出，但是偏振图案700可以交叠之前的栅线GL'。例如，偏振图案700的多个偏振线750中的至少一个可以交叠之前的栅线GL'。在单个帧周期中，之前的栅线GL'可以在栅线GL被驱动之前驱动。
如图1和图2所示，像素电极PE设置在偏振图案700和第一绝缘层356a上。像素电极PE可以交叠整个偏振图案700。换句话说，整个偏振图案700可以交叠像素电极PE。例如，像素电极PE可以交叠多个偏振线750。此外，像素电极PE可以接触多个偏振线750。
偏振图案700设置在第一绝缘层356a与像素电极PE之间。
在光发射区域111中像素电极PE和偏振图案700彼此连接。换句话说，在光发射区域111中像素电极PE可以接触偏振图案700。例如，偏振图案700的与偏振图案700和第一绝缘层356a之间的界面表面相反的上表面可以接触像素电极PE。例如，当偏振图案700的与第一绝缘层356a接触的表面被定义为偏振图案700的第一表面并且偏振图案700的与第一表面相反的表面被定义为偏振图案700的第二表面(即偏振图案700的上表面)时，第二表面接触像素电极PE。
偏振图案700的整个第二表面可以接触像素电极PE。在一可选示范性实施方式中，偏振图案700的第二表面的一部分可以接触像素电极PE。这里，第二表面的接触像素电极PE的部分被定义为偏振图案700的接触表面，并且第二表面的不接触像素电极PE的部分被定义为偏振图案700的非接触表面。在这样一示范性实施方式中，偏振图案700的接触表面可以具有比偏振图案700的非接触表面的面积更大的面积。
偏振图案700与像素电极PE之间的接触面积大于偏振图案700与开关元件TFT之间的接触面积。换句话说，偏振图案700与像素电极PE之间的接触面积(在下文中，第一接触面积)大于偏振图案700与漏电极DE之间的接触面积(在下文中，第二接触面积)。例如，第一接触面积是第二接触面积的至少两倍。
孔999可以限定在偏振线750中的相邻偏振线之间。例如，孔999可以是通过被偏振线750中的相邻的偏振线、第一绝缘层356a和像素电极PE围绕而限定的区域。孔999可以用空气填充。
如图1所示，像素电极PE可以交叠之前的栅线GL'。存储电容器可以形成在像素电极PE与之前的栅线GL'之间。
像素电极PE可以包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。在这样一示范性实施方式中，例如，ITO可以包括多晶材料或单晶材料，IZO可以包括多晶材料或单晶材料。或者，IZO可以包括非晶材料。
第二光阻挡层376b限定像素PX的光发射区域111。第二光阻挡层376b设置在除光发射区域111之外的区域(在下文中，光阻挡区域)中。例如，如图2所示，第二光阻挡层376b设置在第一绝缘层356a和像素电极PE上，对应于光阻挡区域。第二光阻挡层376b可以包括与第一光阻挡层376a中包括的材料基本上相同的材料。
在一示范性实施方式中，如图2所示，偏振图案700和像素电极PE还可以在光阻挡区域中彼此连接。
如图2所示，柱间隔物472设置在第二光阻挡层376b上。例如，柱间隔物472可以设置在第二光阻挡层376b上以交叠开关元件TFT。柱间隔物472和第二光阻挡层376b可以是一体的。柱间隔物472和第二光阻挡层376b可以在基本上相同的工艺中被同时提供。
如图2所示，第一配向层344a设置在第二光阻挡层376b、柱间隔物472和像素电极PE上。第一配向层344a可以是摩擦配向层或非摩擦配向层。
公共电极330设置在第二基板302上。公共电极330可以设置在第二基板302的整个表面之上。公共电极330和像素电极PE可以包括基本上相同的材料或可以由基本上相同的材料形成。在一示范性实施方式中，当像素电极PE包括IZO时，公共电极330可以包括ITO。
第二配向层344b设置在公共电极330上。第二配向层344b可以是摩擦配向层或非摩擦配向层。
液晶层333设置在第一基板301与第二基板302之间。例如，液晶层333可以设置在第一基板301的第一配向层344a与第二基板302的第二配向层344b之间。
偏振板381使从背光单元444发射的光L偏振。偏振板381设置在背光单元444与第二基板302之间。
液晶层333可以包括垂直配向的扭转向列(VA-TA)液晶和手性掺杂剂。
在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，LCD装置的单元间隙(d)与液晶层333的介电各向异性(Δn)的乘积(Δnd)可以在约270nm至约450nm的范围内。LCD装置的单元间隙d可以是例如第一基板301与第二基板302之间的单元间隙。此外，在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，上述乘积Δnd可以为约315nm或更小。在一可选示范性实施方式中，在LCD装置包括发射蓝光的背光单元444的情况下，上述乘积Δnd可以在约205nm至约300nm的范围内。
在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，单元间隙d与液晶层333的节距(p)的比率(d/p)可以在约0.20至约0.35的范围内。也就是，比率d/p可以在约0.20至约0.35的范围内。在这样一示范性实施方式中，节距p是反映由于手性掺杂剂引起的影响的节距，并可以为约12微米(μm)。在一可选示范性实施方式中，在LCD装置包括发射蓝光的背光单元444的情况下，比率d/p可以在约0.1至约0.5的范围内。
图3A、图3B、图3C和图3D是示出像素电极的各种形状的视图。
图3A所示的像素电极PE1可以包括具有四边形形状的单个平面电极。在这样一示范性实施方式中，图3A所示的像素电极PE1可以交叠开关元件TFT。
图3B所示的像素电极PE2可以包括第一平面电极601、第二平面电极602、第一辅助电极661、第二辅助电极662、第三辅助电极663、第四辅助电极664、主连接电极630、第一辅助连接电极681、第二辅助连接电极682、第三辅助连接电极683和第四辅助连接电极684。
第一平面电极601、第二平面电极602、第一辅助电极661、第二辅助电极662、第三辅助电极663、第四辅助电极664、主连接电极630、第一辅助连接电极681、第二辅助连接电极682、第三辅助连接电极683和第四辅助连接电极684是一体的。
第一平面电极601和第二平面电极602的每个可以具有四边形形状。第一平面电极601和第二平面电极602可以具有基本上相等的面积。
第一平面电极601设置在第一辅助电极661与第二辅助电极662之间，第二平面电极602设置在第三辅助电极663与第四辅助电极664之间。
主连接电极630设置在第一平面电极601与第二平面电极602之间。主连接电极630连接到第一平面电极601和第二平面电极602。主连接电极630具有比第一平面电极601(或第二平面电极602)的面积更小的面积。
第一辅助连接电极681设置在第一辅助电极661与第一平面电极601之间。第一辅助连接电极681连接到第一辅助电极661和第一平面电极601。第一辅助连接电极681可以具有比第一平面电极601的面积更小的面积，并且第一辅助电极661可以具有与第一平面电极601的长度基本上相同的长度。
第二辅助连接电极682设置在第二辅助电极662与第一平面电极601之间。第二辅助连接电极682连接到第二辅助电极662和第一平面电极601。第二辅助连接电极682可以具有比第一平面电极601的面积更小的面积，并且第二辅助电极662可以具有与第一平面电极601的长度基本上相同的长度。
第一辅助电极661、第二辅助电极662、第三辅助电极663和第四辅助电极664可以每个具有基本上相同的面积。
第一辅助连接电极681、第二辅助连接电极682、第三辅助连接电极683和第四辅助连接电极684可以每个具有基本上相同的面积。
图3C所示的像素电极PE3可以包括第一平面电极701、第二平面电极702和主连接电极730。
第一平面电极701、第二平面电极702和主连接电极730是一体的。
第一平面电极701和第二平面电极702的每个可以具有四边形形状。第一平面电极701和第二平面电极702可以具有基本上相同的面积。
主连接电极730设置在第一平面电极701与第二平面电极702之间。主连接电极730连接到第一平面电极701和第二平面电极702。主连接电极730具有比第一平面电极701(或第二平面电极702)的面积更小的面积。
图3D所示的像素电极PE4可以包括第一平面电极801、第二平面电极802、第三平面电极803、第一主连接电极831和第二主连接电极832。
第一平面电极801、第二平面电极802、第三平面电极803、第一主连接电极831和第二主连接电极832是一体的。
第一平面电极801、第二平面电极802和第三平面电极803的每个可以具有四边形形状。第一平面电极801、第二平面电极802和第三平面电极803的每个可以具有基本上相同的面积。
第一主连接电极831设置在第一平面电极801与第二平面电极802之间。第一主连接电极831连接到第一平面电极801和第二平面电极802。第一主连接电极831具有比平面电极(即第一平面电极801、第二平面电极802和第三平面电极803中的一个)的面积更小的面积。
第二主连接电极832设置在第二平面电极802与第三平面电极803之间。第二主连接电极832连接到第二平面电极802和第三平面电极803。第二主连接电极832具有比平面电极(即第一平面电极801、第二平面电极802和第三平面电极803中的一个)的面积更小的面积。
图1所示的像素电极PE可以具有与图3A、图3B、图3C和图3D中分别示出的像素电极PE1、PE2、PE3和PE4之一的形状基本上相同的形状。
图4A是示出沿图1的线I-I'截取的一可选示范性实施方式的剖面图，图4B是示出沿图1的线I-I'截取的另一可选示范性实施方式的剖面图，图4C是示出沿图1的线I-I'截取的另一可选示范性实施方式的剖面图。
如图4A所示，LCD装置的一示范性实施方式还可以包括滤色器354。例如，像素PX还可以包括滤色器354。
滤色器354设置在栅极绝缘层311与颜色转换层195之间。滤色器354和颜色转换层195可以在基本上相同的掩模工艺中制造。因此，从俯视图，滤色器354和颜色转换层195可以具有基本上相同的形状。
滤色器354可以分为红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。红色滤色器设置在红色像素的颜色转换层与栅极绝缘层311之间，绿色滤色器设置在绿色像素的颜色转换层与栅极绝缘层311之间，蓝色滤色器设置在蓝色像素的颜色转换层与栅极绝缘层311之间。在一示范性实施方式中，在背光单元444产生蓝光的情况下，可以省略蓝色滤色器。也就是，蓝色滤色器可以用上述光透射层代替。
此外，如图4B所示，LCD装置的一示范性实施方式还可以包括第二绝缘层356b。第二绝缘层356b设置在偏振线中的相邻偏振线之间。例如，第二绝缘层356b可以设置在上述孔999中。第二绝缘层356b可以包括与第一绝缘层356a中包括的材料基本上相同的材料。在一示范性实施方式中，如图4B所示，第二绝缘层356b和第一绝缘层356a可以是一体的。
在一示范性实施方式中，LCD装置的一示范性实施方式还可以包括具有图4C所示的形状的第二绝缘层356b'。第二绝缘层356b'设置在像素电极PE与第一绝缘层356a之间。此外，第二绝缘层356b'设置在上述孔999中。此外，第二绝缘层356b'设置在第二光阻挡层376b与第一绝缘层356a之间。由于第二绝缘层356b'，像素电极PE和偏振图案700可以不在接触孔950中彼此连接。像素电极PE和偏振图案700在光发射区域111中彼此连接。
图4A、图4B和图4C中示出的配置与图1和图2中示出的配置基本上相同，因此，关于图4A、图4B和图4C中示出的配置的描述将参照关于图1和图2中示出的配置的描述。
图5是示出多个像素的一示范性实施方式的俯视图。
图5示出四个相邻的像素PX1、PX2、PX3和PX4。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4的每个可以具有与图1所示的像素PX的配置基本上相同的配置。在一示范性实施方式中，第三像素PX3和第四像素PX4的一部分可以没有在图5中示出。
第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4的各自的偏振图案700彼此不连接。
包括在单个像素中的偏振线中的相邻偏振线之间的距离小于分别包括在相邻像素中的偏振线之间的距离。例如，当包括在第一像素PX1中的偏振线750中的两个相邻偏振线之间的距离被定义为距离d1并且第一像素PX1的偏振线750与邻近第一像素PX1的第二像素PX2的偏振线750之间的距离被定义为距离d2时，距离d1小于距离d2。
图6是示出LCD装置的一可选示范性实施方式的俯视图，图7是沿图6的线I-I'截取的剖面图。
LCD装置的一可选示范性实施方式包括多个像素和背光单元。
如图6和图7所示，像素PX包括第一基板301、开关元件TFT、栅极绝缘层311、第一光阻挡层376a、颜色转换层195、钝化层320、第一绝缘层356a、偏振像素电极PPE、第二光阻挡层376b、第一配向层344a、第二基板302、公共电极330、第二配向层344b、偏振板381和液晶层333。
偏振像素电极PPE起到上述偏振图案700和像素电极PE两者的作用。如图7所示，偏振像素电极PPE设置在第一绝缘层356a上。偏振像素电极PPE通过接触孔950连接到开关元件TFT。例如，偏振像素电极PPE通过接触孔950连接到开关元件TFT的漏电极DE。
如图6所示，偏振像素电极PPE可以包括多个偏振线780。偏振线780的每个基本上平行于数据线DL。此外，偏振线780每个彼此平行。
偏振线780每个彼此间隔开。偏振线780中的两个相邻偏振线780之间的间隙(在下文中，第一间隙)可以与偏振线780中另外两个相邻偏振线之间的间隙(在下文中，第二间隙)基本上相同。在一可选示范性实施方式中，第一间隙可以不同于第二间隙。此外，偏振线780中的一个与偏振线780中的另一个(其与偏振线780中的所述一个的左侧相邻)之间的间隙(在下文中，第三间隙)可以与偏振线780中的所述一个与偏振线780中的另一个(其与偏振线780中的所述一个的右侧相邻)之间的间隙(在下文中，第四间隙)基本上相同。在一可选示范性实施方式中，第三间隙可以不同于第四间隙。例如，偏振线780中的相邻偏振线780之间的间隙可以大于0且小于约40nm。
多个偏振线780中的至少一个可以连接到开关元件TFT。例如，如图6所示，偏振线780中的交叠漏电极DE的一个可以连接到漏电极DE。在一示范性实施方式中，除连接到开关元件TFT的偏振线(在下文中，第一偏振线)之外的其它偏振线不连接到任何其它导体。例如，上述其它偏振线可以保持浮置状态。偏振线780以相当小的间隙(纳米为单位)彼此间隔开，因此电容器形成在偏振线780中的相应偏振线之间。由于电容器的耦合现象，第一偏振线的电压被感应到与第一偏振线相邻的另一偏振线(在下文中，第二偏振线)，并且第二偏振线的电压可以被感应到与第二偏振线相邻的另一偏振线。因此，尽管电压仅施加到一个偏振线，但是基本上相同的电压可以被施加到与其相邻的其它偏振线。
偏振像素电极PPE可以交叠之前的栅线GL'。例如，偏振像素电极PPE的多个偏振线780中的至少一个可以交叠之前的栅线GL'。
第二光阻挡层376b设置在第一绝缘层356a和偏振像素电极PPE上，对应于光阻挡区域。
如图7所示，第一配向层344a设置在第二光阻挡层376b、柱间隔物472和偏振像素电极PPE上。第一配向层344a可以具有凹入部分和凸起部分。第一配向层344a可以是摩擦配向层或非摩擦配向层。
孔909可以限定在偏振线780中的相邻偏振线之间。例如，孔909是通过被偏振线780中的相邻偏振线、第一绝缘层356a和第一配向层344a围绕而限定的区域。孔909可以用空气填充。
在一示范性实施方式中，图7所示的第一基板301、开关元件TFT、栅极绝缘层311、第一光阻挡层376a、颜色转换层195、钝化层320、第一绝缘层356a、第二基板302、公共电极330、第二配向层344b、偏振板381和液晶层333与图1和图2所示的那些基本上相同，因此，关于图6和图7中示出的配置的描述将参照关于图1和图2所示的配置的描述。
此外，图6和图7所示的LCD装置还可以包括上述滤色器354。
此外，图6和图7所示的LCD装置还可以包括设置在孔909中的第二绝缘层356b。
图8是示出偏振像素电极的一可选示范性实施方式的俯视图。
如图8所示，偏振像素电极PPE还可以包括连接电极822。连接电极822将偏振线780彼此连接。例如，如图8所示，连接电极822可以将偏振线780的各端部彼此连接。连接电极822的至少一部分可以交叠之前的栅线GL'。
图9是示出多个像素的一可选示范性实施方式的俯视图。
图9示出四个相邻的像素PX1、PX2、PX3和PX4。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4的每个可以具有与图1所示的像素PX的配置基本上相同的配置。在一示范性实施方式中，第三像素PX3和第四像素PX4的一部分可以没有在图9中示出。
第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4的各自的偏振像素电极PPE不彼此连接。
包括在单个像素中的偏振线780的相邻偏振线之间的距离小于分别包括在相邻像素中的偏振线780之间的距离。例如，当包括在第一像素PX1中的偏振线780中的两个相邻偏振线之间的距离被定义为距离d1并且第一像素PX1的偏振线780与邻近第一像素PX1的第二像素PX2的偏振线780之间的距离被定义为距离d2时，距离d1小于距离d2。
图10是示出液晶的基于像素电压的移动的视图，图11是示出像素电极的基于像素电压的透光率的视图。
如图10所示，当像素电压增大时，液晶LC的极向角和方位角可以变化。例如，当像素电压为约0V时，液晶LC的主轴处于与公共电极330的表面垂直的状态，并且当像素电压为约9V时，液晶LC的大部分的主轴处于与公共电极330的表面平行的状态。
如图11所示，当像素电压增大时，像素电极PE的透光率增大。例如，当像素电压为约2.7V时，像素电极PE的透光率相对低，而当像素电压为约5.1V时，像素电极PE的透光率相对高。
图12是示出参考像素电极和第一像素电极的各自透光率之间的比较的视图。
参考像素电极包括四个平面电极，并且光发射区域通过平面电极的每个被分成四个畴。当乘积Δnd为330nm时，参考像素电极的透光率被定义为100％。
第一像素电极是图3C中示出的像素电极PE3。随着乘积Δnd从约315nm增大到约360nm，第一像素电极的透光率从约110.2％(百分比)增大到约126.9％。
这里，透光率指相对于蓝光的透光率。
图13是示出参考像素电极和第二像素电极的各自透光率之间的比较的视图。
参考像素电极包括四个平面电极，并且光发射区域通过平面电极的每个被分成四个畴。当乘积Δnd为330nm时，参考像素电极的透光率被定义为100％。
第二像素电极是图3D中示出的像素电极。随着乘积Δnd从约315nm增大至约360nm，第二像素电极的透光率从约112.1％增大至约127.6％。
这里，透光率指相对于蓝光的透光率。
图14是示出LCD装置①-⑥的透光率的视图。
第一LCD装置①包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第一LCD装置①的液晶层包括超垂直配向(super vertically aligned)(SVA)液晶。第一LCD装置①的第一配向层和第二配向层是未摩擦配向层。
第二LCD装置②包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第二LCD装置②的液晶层包括垂直配向(VA)液晶。第二LCD装置②的第一配向层和第二配向层是未摩擦配向层。
第三LCD装置③包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第三LCD装置③的液晶层包括垂直配向(VA)液晶。第三LCD装置③的第一配向层和第二配向层是摩擦配向层。
第四LCD装置④包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第四LCD装置④的液晶层包括扭转向列(TN)液晶。第四LCD装置④的第一配向层和第二配向层是摩擦配向层。第四LCD装置的乘积Δnd为约533nm。
第五LCD装置⑤包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第五LCD装置⑤的液晶层包括垂直配向的扭转向列(VA-TA)液晶。第五LCD装置⑤的第一配向层和第二配向层是摩擦配向层。
第六LCD装置⑥包括像素电极、液晶层、第一配向层和第二配向层。第六LCD装置⑥的液晶层包括上述手性掺杂剂和垂直配向的扭转向列(VA-TA)液晶。第六LCD装置⑥的第一配向层和第二配向层是未摩擦配向层。第六LCD装置⑥的乘积Δnd为约500nm。
当第一LCD装置①的透光率被定义为100％时，第四LCD装置④的透光率和第六LCD装置⑥的透光率高于第一LCD装置①的透光率。
图15是示出LCD装置的一可选示范性实施方式的剖面图。
LCD装置的一示范性实施方式包括多个像素PX和背光单元444。
如图15所示，像素PX包括下基板(在下文中，第一基板)301、开关元件TFT、栅极绝缘层311、第一钝化层320a、第二钝化层320b、像素电极PE、第一配向层344a、偏振板381、上基板(在下文中，第二基板)302、光阻挡层376、颜色转换层195、绝缘层355、偏振图案700、公共电极330、柱间隔物472、第二配向层344b和液晶层333。
在彼此面对的第一基板301的表面和第二基板302的表面被分别定义为对应基板的上表面并且与所述上表面相反的表面被分别定义为对应基板的下表面的情况下，上述偏振板381设置在第一基板301的下表面上。偏振图案700的透射轴垂直于偏振板381的透射轴，它们的透射轴之一平行于数据线DL取向。
偏振板381使从背光单元444发射的光L偏振。偏振板381设置在背光单元444与第一基板301之间。
第一基板301设置在第二基板302与背光单元444之间。
开关元件TFT和像素电极PE设置在第一基板301上。开关元件TFT的漏电极DE通过接触孔950连接到像素电极PE。
第一钝化层320a设置在开关元件TFT和栅极绝缘层311上。第一钝化层320a限定有暴露漏电极DE的第一孔。第一钝化层320a可以包括与钝化层320中包括的材料基本上相同的材料。
第二钝化层320b设置在第一钝化层320b上。第二钝化层320a限定有第二孔，该第二孔与第一钝化层320a的第一孔对应地被限定。接触孔950包括第一钝化层320a的第一孔和第二钝化层320b的第二孔。第二钝化层320b可以包括与钝化层320中包括的材料基本上相同的材料。
像素电极PE设置在第二钝化层320b上。像素电极PE通过接触孔950连接到开关元件TFT的漏电极DE。图15所示的像素电极PE可以具有与图3A、图3B、图3C和图3D所示的相应像素电极PE之一的配置基本上相同的配置。
第一配向层344a设置在第二钝化层320b和像素电极PE上。第一配向层344a可以是摩擦配向层或未摩擦配向层。
光阻挡层376限定像素PX的光发射区域111。光阻挡层376设置在除光发射区域111之外的区域(即光阻挡区域)中。例如，如图15所示，光阻挡层376设置在第二基板302上对应于光阻挡区域。光阻挡层376可以包括与第一光阻挡层376a中包括的材料基本上相同的材料。
颜色转换层195设置在第二基板302上，对应于光发射区域111。颜色转换层195的边缘部分可以设置在光阻挡层376上。图15所示的颜色转换层195可以与图2所示的颜色转换层195基本上相同。
绝缘层355设置在光阻挡层376和颜色转换层195上。绝缘层355可以设置在包括光阻挡层376和颜色转换层195的第二基板302的整个表面上。绝缘层355可以是平坦化层。绝缘层355可以包括与第一绝缘层356a中包括的材料基本上相同的材料。
偏振图案700设置在绝缘层355上。偏振图案700包括彼此间隔开的多个偏振线750。图15所示的偏振图案700可以具有与图2所示的偏振图案700的形状基本上相同的形状。
公共电极330设置在偏振图案700上。公共电极330可以交叠整个偏振图案700。换句话说，整个偏振图案700可以交叠公共电极330。例如，公共电极330可以交叠多个偏振线750。此外，公共电极330可以接触多个偏振线750。
偏振图案700设置在绝缘层355与公共电极330之间。公共电极330可以交叠整个偏振图案700。换句话说，整个偏振图案700可以交叠公共电极330。例如，公共电极330可以交叠多个偏振线750。此外，公共电极330可以接触多个偏振线750。
公共电极330连接到偏振图案700。例如，偏振图案700的与偏振图案700和绝缘层355之间的界面表面相反的上表面可以接触公共电极330。例如，在偏振图案700的接触绝缘层355的表面被定义为偏振图案700的第一表面并且偏振图案700的与第一表面相反的表面被定义为偏振图案700的第二表面(即偏振图案700的上表面)的情况下，第二表面接触公共电极330。
偏振图案700的整个第二表面可以接触公共电极330。在一可选示范性实施方式中，偏振图案700的第二表面的一部分可以接触公共电极330。这里，第二表面的接触公共电极330的部分被定义为偏振图案700的接触表面，并且第二表面的不接触公共电极330的部分被定义为偏振图案700的非接触表面。在这样一示范性实施方式中，偏振图案700的接触表面可以具有比偏振图案700的非接触表面的面积更大的面积。
图15所示的公共电极330可以包括与图2所示的公共电极330中包括的材料基本上相同的材料。
孔999可以限定在偏振线750中的相邻偏振线之间。例如，孔999可以是通过被偏振线750中的相邻偏振线、绝缘层355和像素电极PE围绕而限定的区域。孔999可以用空气填充。
柱间隔物472设置在公共电极330上。例如，柱间隔物472可以设置在公共电极330上以交叠开关元件TFT。
第二配向层344b设置在公共电极330和柱间隔物472上。第二配向层344b可以是摩擦配向层或非摩擦配向层。
液晶层333设置在第一基板301与第二基板302之间。例如，液晶层333设置在第一基板301的第一配向层344a与第二基板302的第二配向层344b之间。
液晶层333可以包括垂直配向的扭转向列(VA-TA)液晶和手性掺杂剂。
在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，LCD装置的单元间隙(d)与液晶层333的介电各向异性(Δn)的乘积(Δnd)可以在约270nm至约450nm的范围内。LCD装置的单元间隙d可以是例如第一基板301与第二基板302之间的单元间隙。此外，在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，上述乘积Δnd可以为约315nm或更小。在一可选示范性实施方式中，在LCD装置包括发射蓝光的背光单元444的情况下，上述乘积Δnd可以在约205nm至约300nm的范围内。
在LCD装置包括发射白光的背光单元444的情况下，单元间隙d与液晶层333的节距(p)的比率(d/p)可以在约0.20至约0.35的范围内。也就是，比率d/p可以在约0.20至约0.35的范围内。在这样一示范性实施方式中，节距p是反映由于手性掺杂剂引起的影响的节距，并可以是约12μm。在一可选示范性实施方式中，在LCD装置包括发射蓝光的背光单元444的情况下，比率d/p可以在约0.1至约0.5的范围内。
尽管未示出，但是上述滤色器354还可以设置在图15中的颜色转换层195与第二基板302之间。
如上所述，根据一个或更多个示范性实施方式，LCD装置可以提供以下效果。
首先，由于偏振图案的大部分接触像素电极，所以可以降低偏振图案与像素电极之间的电阻。因此，全部电压可以通过偏振图案完整地施加到像素电极。因此，可以提高像素电极对液晶的可控制性。
第二，由于偏振图案接触公共电极，所以可以降低公共电极的电阻。因此，公共电极的公共信号可以被稳定。
第三，由于液晶层包括VA-TA液晶和手性掺杂剂，所以可以提高LCD装置的透光率。
从以上，将理解，为了说明的目的，这里已经描述了根据本公开的各种实施方式，并且可以进行各种修改而没有脱离本教导的范围和精神。因此，这里公开的各种实施方式不旨在成为本教导的真实范围和精神的限制。以上描述的和其它实施方式的各种特征可以以任何方式组合和匹配，以产生与本发明一致的另外的实施方式。
本申请要求于2016年6月17日提交的韩国专利申请第10-2016-0075583号的优先权以及由其获得的所有权益，其全部内容通过引用在此合并。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板，其包括光发射区域和光阻挡区域；
在所述第一基板上的开关元件，所述开关元件连接到栅线和数据线；
在所述栅线、所述数据线和所述开关元件上的第一绝缘层；
偏振图案，其被设置在所述第一绝缘层上并通过所述第一绝缘层的接触孔连接到所述开关元件；以及
连接到所述光发射区域中的所述偏振图案的像素电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述偏振图案的上表面的接触所述像素电极的部分具有比所述偏振图案的所述上表面的不接触所述像素电极的部分的面积更大的面积。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述偏振图案与所述像素电极之间的接触面积大于所述偏振图案与所述开关元件之间的接触面积。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述偏振图案设置在所述第一绝缘层与所述像素电极之间。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述偏振图案包括彼此间隔开的多个偏振线。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，限定有通过被所述多个偏振线中的相邻偏振线、所述第一绝缘层和所述像素电极围绕而限定的孔。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，还包括在所述孔中的第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中所述第二绝缘层和所述第一绝缘层是一体的。
9.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述多个偏振线中的至少一个连接到所述开关元件。
10.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括连接所述多个偏振线中的相邻偏振线的连接电极。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括以下中的至少一个：
滤色器，其在所述第一基板与所述第一绝缘层之间；以及
颜色转换层，其在所述滤色器与所述第一绝缘层之间。
12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：
与所述第一基板间隔开的第二基板；以及
在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中所述液晶层包括手性掺杂剂。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述第一基板和所述第二基板之间的单元间隙与所述液晶层的介电各向异性的乘积在270nm至450nm的范围内。
15.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述第一基板和所述第二基板之间的单元间隙与所述液晶层的节距的比率在0.20至0.35的范围内。
16.根据权利要求12所述的液晶显示装置，还包括产生光的背光单元，其中所述第二基板设置在所述第一基板与所述背光单元之间。
17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其中所述背光单元包括发射白光的白色光源和发射蓝光的蓝色光源中的一种。
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