CN107516661A - 显示基板、显示装置及显示基板的制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，提高显示装置的产品品质。显示基板包括设置于衬底基板上的宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括：第一有源层，包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于第一有源层远离衬底基板的一侧且暴露出第一连接部和第二连接部；源极和漏极，设置于刻蚀阻挡层远离衬底基板的一侧且分别与第一连接部和第二连接部连接；第一种薄膜晶体管还包括：设置于第一有源层靠近衬底基板一侧的第二有源层，第二有源层的载流子浓度大于第一有源层的载流子浓度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示技术被称为新一代显示技术，其采用独立的TFT去控制每个发光单元，每个发光单元皆可以连续且独立的驱动发光。相比传统的TFT-LCD，AMOLED显示装置具有画面切换快、视角宽、发光效率高、对比度高、可柔性和超薄显示等优势。
上述显示装置的显示基板上的TFT通常包括顶栅和底栅两种类型。如图1所示，现有一种底栅型TFT包括：在衬底基板10上依次设置的栅极01、绝缘层02、有源层03、刻蚀阻挡层04和源漏极层，源漏极层的源极05和漏极06相对设置且分别与有源层03连接。
对于性能优良的TFT，需要具备较大的阈值电压，较高的开关态电流比，较小的亚阈值摆幅，以及较高的稳定性，这些对有源层的结构、表面缺陷态、载流子浓度和载流子迁移率等特性提出了较高的要求。然而，有源层的上述特性对TFT性能的影响存在非单一性，这为TFT性能的研究改善带来了很大的困难。例如，若要TFT具备较大的阈值电压，就需要有源层具有较低的载流子浓度和较低的载流子迁移率，然而这样又会导致TFT的电学稳定性较差。
AMOLED显示装置的像素电路中通常包括多个TFT，各个TFT根据其在像素电路中的不同作用而具有不同的宽长比，宽长比大的TFT的阈值电压较宽长比小的TFT的阈值电压会有一定的负偏，而宽长比小的TFT由于阈值电压过高又会影响其电学稳定性。基于此，如何同时兼顾大宽长比的TFT和小宽长比的TFT的性能，从而提高显示装置的产品品质，是本发明亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，提高显示装置的产品品质。
本发明实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，每个薄膜晶体管包括：
第一有源层，包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；
刻蚀阻挡层，设置于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧且暴露出所述第一连接部和所述第二连接部；
源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接；
所述第一种薄膜晶体管还包括：设置于所述第一有源层靠近所述衬底基板一侧的第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。
在本发明实施例技术方案中，对于宽长比小于设定比值的第一种TFT，通过增加一层载流子浓度相对较高的第二有源层可以避免TFT的阈值电压过高，从而能够提高小宽长比TFT的电学稳定性；对于宽长比大于设定比值的第二种TFT，只需设置一层载流子浓度相对较低的第一有源层，这样可以提高其阈值电压，从而改善大宽长比TFT的阈值电压负偏的情况。因此，采用该技术方案，能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，从而使得包含该显示基板的显示装置的产品品质显著提高。
具体的，所述设定比值为10±1。
优选的，所述第一种薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述第二种薄膜晶体管为电流输出薄膜晶体管。
可选的，所述第一有源层和第二有源层的材质包括氧化物半导体。
优选的，所述第一有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第一有源层中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
优选的，所述第二有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第二有源层中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。
可选的，所述第二有源层的材质包括氧化物导体，所述氧化物导体包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。
优选的，所述第一有源层的载流子浓度为1015～1017/cm3，所述第二有源层的载流子浓度为1017～1020/cm3。
优选的，所述每个薄膜晶体管还包括：设置于所述衬底基板的第一栅极，以及设置于所述第一栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述第一栅极的绝缘层；
所述第一有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述第一栅极位置相对。
优选的，所述第二种薄膜晶体管还包括设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述第一有源层位置相对并且位于所述源极和所述漏极之间。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的显示基板。由于显示基板能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，因此，显示装置也具有较佳的产品品质。
本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，在衬底基板制作每个薄膜晶体管包括以下步骤：
形成第一有源层，所述第一有源层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；
在所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，形成暴露出所述第一连接部和所述第二连接部的刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧形成分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的源极和漏极；
在所述形成第一有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：在所述第一种薄膜晶体管的第一有源层靠近所述衬底基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。
采用本发明实施例方法制作的显示基板，能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，该显示基板应用于显示装置，显示装置的产品品质也较高。
优选的，在所述形成第一有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成第一栅极；
在所述第一栅极远离所述衬底基板一侧形成覆盖所述第一栅极的绝缘层。
优选的，所述制作方法还包括：在所述第二种薄膜晶体管的刻蚀阻挡层远离所述衬底基板一侧形成第二栅极，所述第二栅极与所述第一有源层位置相对并且位于所述源极和所述漏极之间。
可选的，所述第一有源层和第二有源层的材质包括氧化物半导体。
优选的，所述第一有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第一有源层中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
优选的，所述第二有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第二有源层中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。
可选的，所述第二有源层的材质包括氧化物导体，所述氧化物导体包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。
附图说明
图1为现有显示基板的底栅型TFT示意图；；
图2为本发明实施例显示基板第一种TFT和第二种TFT示意图；
图3为TFT的宽长比示意图；
图4为本发明实施例显示装置结构示意图；
图5为本发明实施例显示基板的制作方法流程图；
图6为本发明实施例中第二有源层的制作方法流程图；
图7为本发明实施例中第二有源层的制作流程示意图。
附图标记：
现有技术部分：
10-衬底基板；01-栅极；02-绝缘层；03-有源层；
04-刻蚀阻挡层；05-源极；06-漏极。
本发明实施例部分：
100-衬底基板；200-第一种TFT；300-第二种TFT；400-显示装置；
20-第一有源层；21-第一连接部；22-第二连接部；30-刻蚀阻挡层；
40-源极；50-漏极；60-第二有源层；70-第一栅极；
80-绝缘层；90-第二栅极；61-光刻胶膜层；62-掩模板。
具体实施方式
为同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，提高显示装置的产品品质，本发明实施例提供了一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图2所示，本发明实施例提供的显示基板，包括衬底基板100以及设置于衬底基板100上的两种TFT，分别为宽长比小于设定比值的第一种TFT200和宽长比大于设定比值的第二种TFT300，其中，每个TFT包括：
第一有源层20，包括用于与源极40连接的第一连接部21和用于与漏极50连接的第二连接部22；
刻蚀阻挡层30，设置于第一有源层20远离衬底基板100的一侧且暴露出第一连接部21和第二连接部22；
源极40和漏极50，设置于刻蚀阻挡层30远离衬底基板100的一侧且分别与第一连接部21和第二连接部22连接；
第一种TFT200还包括：设置于第一有源层20靠近衬底基板100一侧的第二有源层60，第二有源层60的载流子浓度大于第一有源层20的载流子浓度。
除上述结构外，每个TFT还包括：设置于衬底基板100的第一栅极70，以及设置于第一栅极70远离衬底基板100一侧并覆盖第一栅极70的绝缘层80；
第一有源层20设置在绝缘层80远离衬底基板100的一侧并与第一栅极70位置相对。
上述显示基板的具体类型不限，例如可以为TFT-LCD显示基板、AMOLED显示基板，或者其它包含TFT的显示基板等。
上述实施例中，衬底基板100的具体材质不限，例如可以采用玻璃、树脂，或塑料等。第一栅极70、源极40和漏极50的具体材质不限，例如可以包括铝Al、银Al、铜Cu、钼Mo，或铬Cr等。绝缘层80和刻蚀阻挡层30的具体材质不限，例如可以采用氮化硅SiNx或二氧化硅SiO2等。
可以理解的，TFT的宽长比即指TFT沟道的宽度W和长度L之比，如图3所示。为了保证向像素单元即时准确地输出图像信号，TFT的开态电流要足够大，对于本领域技术人员可知，TFT的开态电流随其宽长比的增大而增大，因此在本发明实施例中，宽长比较大的第二种TFT为电流输出TFT，而第一种TFT的宽长比相对较小，可以作为对开态电流要求不高的开关TFT使用。
其中，设定比值的具体数值不限，在本发明实施例中，可以将其设为10±1。进一步，第一种TFT的宽长比W/L在0.1～10范围内，第二种TFT的宽长比W/L在10～100范围内。
在本发明实施例技术方案中，对于宽长比小于设定比值的第一种TFT200，通过增加一层载流子浓度相对较高的第二有源层60可以避免TFT的阈值电压过高，从而能够提高小宽长比TFT的电学稳定性；对于宽长比大于设定比值的第二种TFT300，只需设置一层载流子浓度相对较低的第一有源层20，这样可以提高其阈值电压，从而改善大宽长比TFT的阈值电压负偏的情况。因此，采用该技术方案，能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，从而使得包含该显示基板的显示装置的产品品质显著提高。
在本发明实施例中，第一有源层20的具体材质不限，例如可以采用非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等。优选采用氧化物半导体材质，包括但不限于铟镓锌氧化物IGZO。氧化物半导体的电学性能与形成时的环境氛围有很大关系，用作TFT的有源层，具有迁移率高、亚阈值摆幅较小、关态电流低、可在室温下制备，以及可用于大面积显示等优点。铟镓锌氧化物IGZO由氧化铟In2O3、氧化镓Ga2O3、氧化锌ZnO组成，在其组成元素中，铟、镓、锌三种元素的含量比重直接影响有源层的载流子浓度。具体的，随着铟镓锌氧化物IGZO中铟元素含量的上升，有源层的载流子浓度也相应上升，而随着铟镓锌氧化物IGZO中镓元素含量的上升，有源层的载流子浓度则会下降。
为了改善宽长比较大的第二种TFT300的阈值电压负偏的情况，第一有源层20的载流子浓度需相对较低，因此可以在一定程度上减小第一有源层20中铟元素的含量。在本发明的优选实施例中，第一有源层20中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
在本发明实施例中，第二有源层60的具体材质不限，例如可以采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或氧化物导体等。在本发明的一个可选实施例中，第二有源层60的材质为铟镓锌氧化物IGZO。此时，为了抑制宽长比较小的第一种TFT的阈值电压过高，提高TFT的电学稳定性，第二有源层60的载流子浓度需相对较高，因此可以在一定程度上增加第二有源层60中铟元素的含量，具体的，可以使第二有源层60中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。
在本发明的另一可选实施例中，第二有源层60为氧化物导体材质的铟锡氧化物ITO。铟锡氧化物ITO为高载流子浓度材料，采用该实施例方案，第二有源层60同样可获得较高的载流子浓度，避免TFT的阈值电压过高，提高小宽长比TFT的电学稳定性；另外，ITO的制备工艺较为简单，并且第二有源层60可以与像素单元的透明电极采用同一靶材，能够大大降低工艺成本。当然，在本发明的其它实施例中，第二有源层60也可以为同样具有高载流子浓度的铟锌氧化物IZO材质。第二有源层60的膜层厚度具体不限，在本发明实施例中可以设置为1～100nm。
在本发明的优选实施例中，第一有源层20的载流子浓度为1015～1017/cm3，第二有源层60的载流子浓度为1017～1020/cm3。这样，可以分别使第一种TFT200和第二种TFT300同时获得合适的阈值电压，以及较高的开态电流，提高TFT的性能。
请继续参考图2所示，在本发明的优选实施例中，第二种TFT300还包括设置于刻蚀阻挡层30远离衬底基板100一侧的第二栅极90，第二栅极90与第一有源层20位置相对并且位于源极40和漏极50之间。也就是说，第二种TFT300为双栅TFT，利用双栅TFT的阈值电压可调控的特性，可以进一步改善大宽长比TFT的阈值电压负偏的情况。
如图4所示，本发明实施例还提供一种显示装置400，包括前述任一技术方案的显示基板。由于显示基板能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，因此，显示装置400也具有较佳的产品品质。显示装置400的具体类型不限，例如，可以为TFT-LCD显示装置、AMOLED显示装置等等。显示装置的具体产品类型不限，例如，可以为显示器、显示屏、平板电视等等。
请参考图2和图5所示，本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板100一侧制作两种TFT，分别为宽长比小于设定比值的第一种TFT200和宽长比大于设定比值的第二种TFT300，其中，在衬底基板100制作每个TFT包括以下步骤：
步骤103：形成第一有源层20，第一有源层20包括用于与源极连接的第一连接部21和用于与漏极连接的第二连接部22；
步骤104：在第一有源层20远离衬底基板100的一侧，形成暴露出第一连接部21和第二连接部22的刻蚀阻挡层30；
步骤105：在刻蚀阻挡层30远离衬底基板100的一侧形成分别与第一连接部21和第二连接部22连接的源极40和漏极50；
具体的，在步骤104之前，制作方法还包括：
步骤101：在衬底基板100上形成第一栅极70；
步骤102：在第一栅极70远离衬底基板100一侧形成覆盖第一栅极70的绝缘层80。
对于宽长比小于设定比值的第一种TFT200，在步骤104之前，制作方法还包括：
在第一种TFT200的第一有源层20靠近衬底基板100的一侧形成第二有源层60，第二有源层60的载流子浓度大于第一有源层20的载流子浓度；
对于宽长比大于设定比值的第二种TFT300，在上述步骤完成之后，制作方法还包括：
在第二种TFT300的刻蚀阻挡层30远离衬底基板100一侧形成第二栅极90，第二栅极90与第一有源层20位置相对并且位于源极40和漏极50之间。
采用本发明实施例方法制作的显示基板，对于宽长比小于设定比值的第一种TFT200，通过增加一层载流子浓度相对较高的第二有源层60可以避免TFT的阈值电压过高，从而能够提高小宽长比TFT的电学稳定性；对于宽长比大于设定比值的第二种TFT300，只需设置一层载流子浓度相对较低的第一有源层20，这样可以提高其阈值电压，从而改善大宽长比TFT的阈值电压负偏的情况。因此，采用该技术方案，能够同时兼顾不同宽长比的TFT的性能，从而使得包含该显示基板的显示装置的产品品质显著提高。
其中，第一有源层20的具体材质不限，例如可以采用非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等。优选采用氧化物半导体材质，包括但不限于铟镓锌氧化物IGZO。优选的，第一有源层20中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
第二有源层60的具体材质不限，例如可以采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或氧化物导体等。在本发明的一个可选实施例中，第二有源层60的材质为铟镓锌氧化物IGZO，此时，第二有源层60中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。在本发明的另一可选实施例中，第二有源层60为具有高载流子浓度的铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。
第一有源层20和第二有源层60可采用物理气相沉积工艺形成。在本发明的优选实施例中，形成第一有源层20的气体氛围包括氩气Ar和氧气O2，气体氛围的氩气Ar和氧气O2流速为1～100SCCM，压强为0.1～10Pa，物理气相沉积设备的功率为1～20kW；形成第二有源层60的气体氛围包括氩气Ar和氧气O2，气体氛围的氩气Ar和氧气O2流速为1～100SCCM，压强为0.1～10Pa，物理气相沉积设备的功率为1～20kW。
如图6和图7所示，以下以形成第二有源层60为例，说明显示基板中各膜层的制作过程。
步骤1061：在绝缘层80之上依次形成第二有源层60和光刻胶膜层61；
步骤1062：以掩模板62为保护掩模，对光刻胶膜层61进行曝光，使光刻胶膜层61对应第二有源层60的刻蚀区的区域完全曝光，对应第二有源层60的区域未曝光；
步骤1063：对曝光后的光刻胶膜层61进行显影；
步骤1064：以显影后的光刻胶膜层61为保护掩模，对第二有源层60进行刻蚀；
步骤1065：剥离第二有源层60表面残留的光刻胶膜层61。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (18)
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，每个薄膜晶体管包括：
第一有源层，包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；
刻蚀阻挡层，设置于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧且暴露出所述第一连接部和所述第二连接部；
源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接；
所述第一种薄膜晶体管还包括：设置于所述第一有源层靠近所述衬底基板一侧的第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述设定比值为10±1。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一种薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述第二种薄膜晶体管为电流输出薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层和第二有源层的材质包括氧化物半导体。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第一有源层中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第二有源层中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源层的材质包括氧化物导体，所述氧化物导体包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。
8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有源层的载流子浓度为1015～1017/cm3，所述第二有源层的载流子浓度为1017～1020/cm3。
9.如权利要求1～8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述每个薄膜晶体管还包括：设置于所述衬底基板的第一栅极，以及设置于所述第一栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述第一栅极的绝缘层；
所述第一有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述第一栅极位置相对。
10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第二种薄膜晶体管还包括设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述第一有源层位置相对并且位于所述源极和所述漏极之间。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的显示基板。
12.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板一侧制作两种薄膜晶体管，分别为宽长比小于设定比值的第一种薄膜晶体管和宽长比大于设定比值的第二种薄膜晶体管，其中，在衬底基板制作每个薄膜晶体管包括以下步骤：
形成第一有源层，所述第一有源层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部；
在所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧，形成暴露出所述第一连接部和所述第二连接部的刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧形成分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的源极和漏极；
在所述形成第一有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：在所述第一种薄膜晶体管的第一有源层靠近所述衬底基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层的载流子浓度大于所述第一有源层的载流子浓度。
13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述形成第一有源层的步骤之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上形成第一栅极；
在所述第一栅极远离所述衬底基板一侧形成覆盖所述第一栅极的绝缘层。
14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述第二种薄膜晶体管的刻蚀阻挡层远离所述衬底基板一侧形成第二栅极，所述第二栅极与所述第一有源层位置相对并且位于所述源极和所述漏极之间。
15.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源层和第二有源层的材质包括氧化物半导体。
16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述第一有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第一有源层中铟、镓、锌三种元素的含量相等。
17.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述第二有源层的材质包括铟镓锌氧化物IGZO，且所述第二有源层中铟元素的含量与镓元素的含量的比例大于1。
18.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第二有源层的材质包括氧化物导体，所述氧化物导体包括铟锡氧化物ITO或者铟锌氧化物IZO。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710633520.XA CN107516661B (zh) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 显示基板、显示装置及显示基板的制作方法 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107516661A true CN107516661A (zh) | 2017-12-26 |
| CN107516661B CN107516661B (zh) | 2020-03-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201710633520.XA Active CN107516661B (zh) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 显示基板、显示装置及显示基板的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107516661B (zh) |
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