CN107513691A - 靶材组件及其加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种靶材组件及其加工方法，所述靶材组件包括：背板，包括焊接区域以及环绕焊接区域的边缘区域；靶坯，焊接于焊接区域的背板上；环形吸附结构，位于边缘区域的背板内且环绕靶坯，环形吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。本发明提供一种靶材组件，包括位于边缘区域的背板内且环绕靶坯的环形吸附结构，环形吸附结构包括一个环形吸附槽或环形吸附槽组，环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽；因此在靶材溅射过程中，可以使反溅射材料堆积至环形吸附槽内，从而减少或避免反溅射材料发生剥落而掉落至硅片上的情况。

Description

靶材组件及其加工方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及靶材组件及其加工方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，靶材组件主要应用于真空溅射工艺。所述靶材组件是由符合溅射性能的靶材、与所述靶材相结合的背板构成。由于采用溅射工艺制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点，现已成为半导体制备领域中最为普遍的薄膜形成工艺。

所述溅射工艺的基本原理为：靶材组件在适当的高能粒子(例如：电子、粒子或中性粒子)的轰击下，所述靶材组件溅射面的原子通过与高能粒子的碰撞获得足够的能量，从所述溅射面逃逸；然后在电场力或者磁力的作用下，使所述原子迁移至硅片上。

但是，现有技术靶材组件的溅射性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材组件及其加工方法，提高靶材组件的溅射性能。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材组件，包括：背板，包括焊接区域以及环绕所述焊接区域的边缘区域；靶坯，焊接于所述焊接区域的背板上；环形吸附结构，位于所述边缘区域的背板内且环绕所述靶坯，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

可选的，所述环形吸附槽的表面为粗糙面。

可选的，所述环形吸附槽的表面粗糙度为5微米至8微米。

可选的，所述环形吸附槽的深度为5毫米至6毫米。

可选的，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽，所述环形吸附槽的开口尺寸为20毫米至24毫米。

可选的，所述环形吸附槽包括靠近所述靶坯一侧的第一侧壁、远离所述一侧的第二侧壁，以及位于所述第一侧壁和第二侧壁之间的第一底面；所述第一侧壁与第一底面通过第一圆角结构相连接，所述第二侧壁与第一底面通过第二圆角结构相连接，所述第一侧壁与背板表面通过第三圆角结构相连接。

可选的，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组中环形吸附槽的开口尺寸为7毫米至12毫米。

可选的，所述环形吸附槽组包括两个环形吸附槽；所述环形吸附槽组包括环绕所述靶坯的环形第一吸附槽，以及环绕所述环形第一吸附槽的环形第二吸附槽，所述环形第一吸附槽和环形第二吸附槽的间距为8毫米至12毫米。

可选的，所述环形第一吸附槽包括靠近所述靶坯一侧的第三侧壁、远离所述靶坯一侧的第四侧壁，以及位于所述第三侧壁和第四侧壁之间的第二底面；所述环形第二吸附槽包括靠近所述环形第一吸附槽一侧的第五侧壁、远离所述环形第一吸附槽一侧的第六侧壁，以及位于所述第五侧壁和第六侧壁之间的第三底面；所述第三侧壁与第二底面通过第四圆角结构相连接，所述第四侧壁与第二底面通过第五圆角结构相连接，所述第四侧壁与背板表面通过第六圆角结构相连接；所述第五侧壁与第三底面通过第七圆角结构相连接，所述第六侧壁与第三底面通过第八圆角结构相连接，所述第五侧壁与背板表面通过第九圆角结构相连接。

相应的，本发明提供一种靶材组件的加工方法，包括：提供靶材组件，所述靶材组件包括背板以及焊接于所述背板上的靶坯，其中所述背板包括焊接区域以及环绕所述焊接区域的边缘区域，所述靶坯焊接于所述焊接区域的背板上；对所述边缘区域的背板进行机械加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

可选的，对所述边缘区域的背板进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域的背板进行半精车加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形初始吸附槽；对所述环形初始吸附槽进行精车加工，形成环形吸附槽。

可选的，对所述边缘区域的背板进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域的背板进行半精车加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形初始吸附槽组；对所述环形初始吸附槽组进行精车加工，形成环形吸附槽组。

可选的，进行半精车加工的步骤包括：采用平底槽刀进行加工，吃刀量为0.28毫米至0.32毫米，机床转速为160转/分钟至200转/分钟，进给量为0.05毫米/转至0.08毫米/转。

可选的，进行精车加工的步骤包括：采用平底槽刀进行加工，吃刀量为0.05毫米至0.1毫米，机床转速为200转/分钟至250转/分钟，进给量为0.02毫米/转至0.04毫米/转。

可选的，对所述边缘区域的背板进行机械加工后，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行喷砂处理。

可选的，对所述环形吸附结构进行喷砂处理后，所述环形吸附槽的表面粗糙度为5微米至8微米。

可选的，所述喷砂处理的压缩空气的压强为0.4MPa至0.5MPa，所述喷射砂粒为46号白刚玉，所述喷射砂粒的直径为0.1mm至0.5mm，喷砂处理的时间为3分钟至5分钟。

可选的，对所述边缘区域的背板进行机械加工后，对所述环形吸附结构进行喷砂处理之前，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行抛光处理。

可选的，对所述环形吸附结构进行抛光处理的步骤包括：采用筛孔尺寸为280目至400目的背绒砂纸进行抛光处理，抛光处理中背板的转速为450转/分钟至550转/分钟，抛光时间为30秒至90秒。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明提供一种靶材组件，包括位于所述边缘区域的背板内且环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽或环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布；在靶材溅射过程中，所述环形吸附结构可以粘附从靶坯飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽内；相比平面结构，所述环形吸附槽可以增加粘附面积，以增加对反溅射材料的容纳量；从而可以减少或避免所述反溅射材料在靶坯或背板上形成堆积物，进而减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况，优化半导体器件的电学性能和良率。

可选方案中，所述环形吸附槽的表面为粗糙面，有利于提高所述环形吸附结构对反溅射材料的粘附性；从而有利于改善堆积物发生剥落的现象。

本发明提供一种靶材组件的加工方法，对所述边缘区域的背板进行机械加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。采用所述靶材组件进行溅射工艺时，所述环形吸附结构可以粘附从靶坯飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽内；相比平面结构，所述环形吸附槽可以增加粘附面积，以增加对反溅射材料的容纳量；从而可以减少或避免所述反溅射材料在所述靶坯或背板上形成堆积物，进而减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况，优化半导体器件的电学性能和良率。

可选方案中，形成所述环形吸附结构后，还对所述环形吸附结构进行喷砂处理，以增加所述环形吸附槽的表面粗糙度；有利于提高所述环形吸附结构对反溅射材料的粘附性，从而有利于改善堆积物发生剥落的现象。

附图说明

图1是本发明靶材组件一实施例的剖面图；

图2是图1中区域A的局部放大图；

图3是本发明靶材组件另一实施例的剖面图；

图4是图3中区域B的局部放大图；

图5是本发明靶材组件的加工方法一实施的流程示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术靶材组件的溅射性能有待提高。结合靶材溅射的步骤分析其原因在于：

溅射制备薄膜的物理过程包括以下六个基本步骤：1.在高真空腔的等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材加速；2.在加速过程中，离子在电场或磁场的作用下加速获得动量，并轰击所述靶材的溅射面；3.离子通过物理过程从所述靶材上撞击出(或溅射)原子；4.被撞击出(或溅射)的原子迁移到硅片表面；5.被溅射的原子在硅片表面凝聚并形成薄膜，与所述靶材相比较，所述薄膜具有与所述靶材基本相同的材料组分；6.由真空泵抽走额外材料。

但是在实际生产过程中，常常由于远离靶材溅射面中心的电场或磁场较弱，而使得轰击靶材溅射面的边缘处的离子动量不够大，因此从所述靶材溅射面上撞击出的(或溅射)原子的动量也不够大，从而导致所述原子难以迁移到硅片上形成薄膜而形成反溅射材料；所述反溅射材料容易沉积在溅射腔室内的其他表面上，例如靶坯表面或背板表面。溅射一段时间后，所述反溅射材料在所述靶坯表面或背板表面逐渐堆积，形成堆积物；所述堆积物附着于所述靶坯表面或背板表面，与所述靶坯表面或背板表面的附着力较弱；堆积到一定程度后，所述堆积物容易发生剥落，从而在溅射腔室中形成异常放电，影响溅射形成的薄膜的均匀性，甚至在严重的情况下，剥落的堆积物掉落至硅片上，严重影响半导体器件的电学性能和良率。

为了解决上述问题，本发明提供一种靶材组件，包括位于所述边缘区域的背板内且环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽或环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布；在靶材溅射过程中，所述环形吸附结构可以粘附从靶坯飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽内；相比平面结构，所述环形吸附槽可以增加粘附面积，以增加对反溅射材料的容纳量；从而可以减少或避免所述反溅射材料在靶坯或背板上形成堆积物，进而减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况，优化半导体器件的电学性能和良率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参考图1，图1示出了本发明靶材组件一实施例的剖面图。

所述靶材组件包括：背板100，所述背板100包括焊接区域Ⅰ以及环绕所述焊接区域Ⅰ的边缘区域Ⅱ；靶坯200，焊接于所述焊接区域Ⅰ的背板100上；环形吸附结构(未标示)，位于所述边缘区域Ⅱ的背板100内且环绕所述靶坯200，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽101。

其中，在溅射靶材制造领域中，所述背板100与符合溅射性能的靶坯200相焊接结合，形成所述靶材组件。

沿平行于所述靶坯200表面的方向上，所述靶坯200的横截面形状可根据应用环境以及溅射要求呈圆形、矩形、环形、圆锥形或其他任意规则形状或不规则形状。本实施例中，沿平行于所述靶坯200表面的方向上，所述靶坯200的横截面形状为圆形。

需要说明的是，本实施例中，所述靶坯200的侧面(未标示)垂直于所述背板100表面；也就是说，沿垂直于所述背板100表面的方向上，所述靶坯200的截面形状为方形。

由于所述靶材组件所处的溅射工艺环境温度较高，为了保证靶材组件溅射性能的稳定性，需选用熔点高、导电导热性强的材料作为所述靶坯200的材料。本实施例中，所述靶坯200的材料为铝。

所述背板100在所述靶材组件中起到支撑作用，具有较好的传导热量的功能。本实施例中，所述背板100的材料为铝。

所述背板100的形状与所述靶坯200的形状相匹配。本实施例中，所述靶坯200的横截面形状为圆形，相应的，沿平行于所述背板100表面的方向上，所述背板100的横截面形状为圆形。

所述背板100的尺寸大于所述靶坯200的尺寸。所述背板100包括焊接区域Ⅰ以及环绕所述焊接区域Ⅰ的边缘区域Ⅱ，所述焊接区域Ⅰ的背板100表面为所述背板100的焊接面(未标示)。其中，所述焊接区域Ⅰ背板100表面的形状、尺寸与所述靶坯200焊接面(未标示)的形状、尺寸相同。

需要说明的是，在实际溅射过程中，由所述靶坯200溅射出的离子难以完全迁移到硅片上，从而形成反溅射材料；所述反溅射材料容易沉积在溅射腔室内的其他表面上，例如所述靶坯200的表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面；且溅射一段时间后，所述反溅射材料容易在所述靶坯200的表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面堆积，形成堆积物。所述环形吸附结构可以在靶材溅射过程中，粘附从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内；从而可以减少或避免所述反溅射材料在所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面形成堆积物，进而可以减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况。

本实施例中，所述环形吸附槽101的表面为粗糙面，从而可以增加所述环形吸附槽101对反溅射材料的粘附性。

需要说明的是，所述环形吸附槽101的表面粗糙度不宜过大，也不宜过小。如果所述环形吸附槽101的表面粗糙度过小，在靶材溅射过程中，所述环形吸附槽101难以粘附从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料，从而容易导致所述反溅射材料沉积于所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面并形成堆积物，进而容易导致所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上；如果所述环形吸附槽101的表面粗糙度过大，对所述环形吸附槽101的粘附能力难以产生进一步的改善效果，反而增加形成所述粗糙面的加工成本。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的表面粗糙度为5微米至8微米。

以下将结合图2对所述环形吸附槽101进行详细说明，图2示出了图1中区域A的局部放大图。

本实施例中，所述环形吸附槽101包括靠近所述靶坯200一侧的第一侧壁111、远离所述200一侧的第二侧壁121，以及位于所述第一侧壁111和第二侧壁121之间的第一底面131。

具体地，所述第一侧壁111与所述第一底面131相垂直，所述第二侧壁121与所述第一底面131相垂直。相应的，所述环形吸附槽101的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等。

需要说明的是，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1不宜过小，也不宜过大。如果所述环形吸附槽101的开口尺寸L1过小，容易导致所述环形吸附槽101的深宽比过大，在靶材溅射过程中，从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料难以堆积至所述环形吸附槽101中，因此剩余的反溅射材料仍旧沉积在所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面而形成堆积物，所述环形吸附槽101改善堆积物剥落现象的效果较差；如果所述环形吸附槽101的开口尺寸L1过大，相应的，所述背板100的剩余材料过少，容易导致所述背板100的机械强度下降，从而导致所述背板100在所述靶材组件中的支撑效果较差，进而降低所述靶材组件的质量和性能。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1为20毫米至24毫米。

还需要说明的是，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1还需根据实际生产中反溅射材料的堆积情况而定；且当所述靶坯200的尺寸发生改变时，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1也相应发生改变，从而使所述环形吸附槽101对改善堆积物剥落现象有较为理想的效果。

还需要说明的是，所述环形吸附槽101的深度H1不宜过小，也不宜过大。如果所述环形吸附槽101深度H1过小，相应的，所述环形吸附槽101空间过小，所述环形吸附槽101对所述反溅射材料的容纳量较小，因此剩余的反溅射材料仍旧沉积在所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面而形成堆积物，所述环形吸附槽101改善堆积物剥落现象的效果较差；如果所述环形吸附槽101的深度H1过大，相应的，所述背板100的剩余材料过少，容易导致所述背板100的机械强度下降，从而导致所述背板100在所述靶材组件中的支撑效果较差，进而降低所述靶材组件的质量和性能。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的深度H1为5毫米至6毫米。

本实施例中，所述第一侧壁111与第一底面131通过第一圆角结构132相连接，所述第二侧壁121与第一底面131通过第二圆角结构122相连接，所述第一侧壁111与背板100表面通过第三圆角结构112相连接。

通过所述第一圆角结构132、第二圆角结构122和第三圆角结构112，可以提高所述反溅射材料在所述环形吸附槽101内的覆盖性，避免所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内时，在拐角处时形成空洞，从而可以提高所述环形吸附槽101的粘附能力。本实施例中，所述第一圆角结构132的圆角半径R1为0.4毫米至0.6毫米；所述第二圆角结构122的圆角半径R2为1.8毫米至2.2毫米；所述第三圆角结构112的圆角半径R3为1.8毫米至2.2毫米。

本实施例提供一种靶材组件，包括位于所述边缘区域Ⅱ的背板100内且环绕所述靶坯200的环形吸附结构,所述吸附结构包括一个环形吸附槽101；采用所述靶材组件进行溅射工艺时，所述环形吸附结构可以在溅射过程中粘附从靶坯200飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内；且相比平面结构，所述环形吸附槽101可以增加粘附面积，以增加对反溅射材料的容纳量；从而可以减少或避免所述反溅射材料在所述靶坯200表面或背板100表面形成堆积物，进而可以减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况；通过所述靶材组件，使硅片上形成的膜层厚度均一性更好，提高了膜层的形成质量，进而优化半导体器件的电学性能和良率。\

此外，所述环形吸附槽101的表面为粗糙面，有利于提高所述环形吸附结构对反溅射材料的粘附性；从而有利于改善堆积物发生剥落的现象。

参考图3，图3示出了本发明靶材组件另一实施例的剖面图。

与上一实施例中的不同之处在于：所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽301，且所述环形吸附槽301呈相互间隔的同心排布。

本实施例中，所述靶材组件包括：背板300，所述背板300包括焊接区域Ⅰ以及环绕所述焊接区域Ⅰ的边缘区域Ⅱ；靶坯400，焊接于所述焊接区域Ⅰ的背板300上。

本实施例中，沿垂直于所述背板300表面的方向上，所述靶坯400的截面形状为梯形。

对所述背板300和靶坯400的具体描述可参考上一实施例靶材组件的相应描述，在此不再赘述。

以下将结合图4对所述环形吸附槽组进行详细说明，图4示出了图3中区域B的局部放大图。

本实施例中，所述环形吸附结构位于所述边缘区域Ⅱ的背板300内且环绕所述靶坯400；所述环形吸附槽组包括两个环形吸附槽。具体地，所述环形吸附槽组包括环绕所述靶坯400的环形第一吸附槽301，以及环绕所述环形第一吸附槽301的环形第二吸附槽302。

本实施例中，所述环形第一吸附槽301包括靠近所述靶坯400一侧的第三侧壁311、远离所述靶坯400一侧的第四侧壁321，以及位于所述第三侧壁311和第四侧壁321之间的第二底面331；所述环形第二吸附槽302包括靠近所述环形第一吸附槽301一侧的第五侧壁312、远离所述环形第一吸附槽301一侧的第六侧壁322，以及位于所述第五侧壁312和第六侧壁322之间的第三底面332。

具体地，所述第三侧壁311与所述第二底面331相垂直，所述第四侧壁321与所述第二底面331相垂直；所述第五侧壁312与所述第三底面332相垂直，所述第六侧壁322与所述第三底面332相垂直。相应的，所述环形第一吸附槽301的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等，所述环形第二吸附槽302的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等。

本实施例中，所述环形吸附槽的开口尺寸L2为7毫米至12毫米，所述环形吸附槽的深度H2为5毫米至6毫米；也就是说，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的开口尺寸L2为7毫米至12毫米，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的深度H2为5毫米至6毫米。具体设定分析可参考上一实施例中对环形吸附槽开口尺寸和深度的描述，在此不再赘述。

本实施例中，所述环形吸附槽的表面粗糙度为5微米至8微米；也就是说，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的表面粗糙度为5微米至8微米。具体设定分析可参考上一实施例中对表面粗糙度的描述，在此不再赘述。

所述环形吸附槽的数量为两个，因此在靶材溅射过程中，所述环形吸附槽可以为反溅射材料提供较大的堆积空间，从而可以使较多的反溅射材料堆积至所述环形吸附槽301内，以减少或避免所述反溅射材料在所述靶坯400表面或边缘区域Ⅱ的背板300表面形成堆积物；进而对减少或避免所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况，起到明显作用。

本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302呈同心圆分布。

需要说明的是，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3不宜过大，也不宜过小。如果所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3过小，相应的，用于隔离所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的背板300材料过少，容易发生断裂，从而降低所述背板300的质量；如果所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3大，由于所述边缘区域Ⅱ的背板300尺寸有限，相应的，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的开口尺寸L2将减小，从而导致所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302粘附反溅射材料的空间减小，进而导致对减少或避免堆积物发生剥落的效果变差。为此，本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3为8毫米至12毫米。

本实施例中，所述第三侧壁311与第二底面331通过第四圆角结构304相连接，所述第四侧壁321与第二底面331通过第五圆角结构305相连接，所述第四侧壁321与背板300表面通过第六圆角结构306相连接；所述第五侧壁312与第三底面332通过第七圆角结构307相连接，所述第六侧壁322与第三底面332通过第八圆角结构308相连接，所述第五侧壁312与背板300表面通过第九圆角结构309相连接。

通过所述第四圆角结构304、第五圆角结构305、第六圆角结构306、第七圆角结构307、第八圆角结构308和第九圆角结构309，可以提高所述反溅射材料在所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302内的覆盖性，避免所述反溅射材料堆积至所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302内时，在拐角处时形成空洞，从而可以提高所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的粘附能力。本实施例中，所述第四圆角结构304的圆角半径R4为0.4毫米至0.6毫米；所述第五圆角结构305的圆角半径R5为1.8毫米至2.2毫米；所述第六圆角结构306的圆角半径R6为0.8毫米至1.2毫米；所述第七圆角结构307的圆角半径R7为1.8毫米至2.2毫米；所述第八圆角结构308的圆角半径R8为1.8毫米至2.2毫米；所述第九圆角结构309的圆角半径R9为0.8毫米至1.2毫米。

需要说明的是，本实施例中，所述环形第一吸附槽301的第三侧壁311与所述靶坯400的侧面(未标示)齐平，从而更好地使所述反溅射材料堆积至所述环形第一吸附槽301中。

相应的，本发明还提供一种靶材组件的加工方法。

参考图5，示出了本发明靶材组件的加工方法一实施的流程示意图，本发明所提供的靶材组件的加工方法包括以下基本步骤：

步骤S1：提供靶材组件，所述靶材组件包括背板以及焊接于所述背板上的靶坯，其中所述背板包括焊接区域以及环绕所述焊接区域的边缘区域，所述靶坯焊接于所述焊接区域的背板上；

步骤S2：对所述边缘区域的背板进行机械加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

下面将结合图1和图2对靶材组件的加工方法一实施例做进一步描述，图2示出了图1中区域A的局部放大图。

本实施例中，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽101。

执行步骤S1，提供靶材组件，所述靶材组件包括背板100以及焊接于所述背板100上的靶坯200，其中所述背板100包括焊接区域Ⅰ以及环绕所述焊接区域Ⅰ的边缘区域Ⅱ，所述靶坯200焊接于所述焊接区域Ⅰ的背板100上。

在溅射靶材制造领域中，所述背板100与符合溅射性能的靶坯200相焊接结合，形成所述靶材组件。

沿平行于所述靶坯200表面的方向上，所述靶坯200的横截面形状可根据应用环境以及溅射要求呈圆形、矩形、环形、圆锥形或其他任意规则形状或不规则形状。本实施例中，沿平行于所述靶坯200表面的方向上，所述靶坯200的横截面形状为圆形。

需要说明的是，本实施例中，所述靶坯200的侧面(未标示)垂直于所述背板100表面；也就是说，沿垂直于所述背板100表面的方向上，所述靶坯200的截面形状为方形。

由于所述靶材组件所处的溅射工艺环境温度较高，为了保证靶材组件溅射性能的稳定性，需选用熔点高、导电导热性强的材料作为所述靶坯200的材料。本实施例中，所述靶坯200的材料为铝。

所述背板100在所述靶材组件中起到支撑作用，具有较好的传导热量的功能。本实施例中，所述背板100的材料为铝。

所述背板100的形状与所述靶坯200的形状相匹配。本实施例中，所述靶坯200的形状为圆形，相应的，所述背板100的形状为圆形。

所述背板100的尺寸大于所述靶坯200的尺寸。所述背板100包括焊接区域Ⅰ以及环绕所述焊接区域Ⅰ的边缘区域Ⅱ，所述焊接区域Ⅰ的背板100表面为所述背板100的焊接面(未标示)。其中，所述焊接区域Ⅰ背板100表面的形状、尺寸与所述靶坯200焊接面(未标示)的形状、尺寸相同。

执行步骤S2，对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行机械加工，在所述边缘区域Ⅱ的背板100内形成环绕所述靶坯200的环形吸附结构(未标示)。

需要说明的是，对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行机械加工的过程中，采用酒精作为切削液，以起到冷却润滑效果；同时，采用气管对所述背板100进行吹气，利用吹气气体的压力达到断屑，从而可以及时去除所述背板100表面上因机械加工产生的切屑，避免在所述背板100表面有切屑残留或堆积。

在实际应用中，所述机械加工可以分成多个工序来完成。本实施例中，对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行半精车加工，在所述边缘区域Ⅱ的背板100内形成环绕所述靶坯200的环形初始吸附槽；对所述环形初始吸附槽进行精车加工，形成环形吸附槽101(如图1所示)。

具体地，对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行半精车加工的步骤包括：将所述靶材组件安装在机床的主轴上，所述机床上装有平底槽刀；设定吃刀量、进给量和机床转速；将所述靶坯200面向所述平底槽刀，以所述平底槽刀对所述边缘区域Ⅱ的背板100表面进行半精车加工，形成环形初始吸附槽。

需要说明的是，吃刀量和进给量同时影响所述环形初始吸附槽的深度和开口尺寸，所述吃刀量和进给量越大，所述环形初始吸附槽的深度和开口尺寸也越大，相应的，后续形成的环形吸附槽101的深度和开口尺寸也越大。为了将所述环形初始吸附槽的深度和开口尺寸控制在合理范围内，所述半精车加工的吃刀量和进给量也需控制在合理范围内。本实施例中，吃刀量为0.28毫米至0.32毫米，进给量为0.05毫米/转至0.08毫米/转。

还需要说明的是，机床转速越快，所述半精车加工的加工时间越少；但过快的机床转速会对所述环形初始吸附槽的深度和开口尺寸产生影响，使所述环形初始吸附槽的深度和开口尺寸偏移目标值。为此，本实施例中，机床转速为160转/分钟至200转/分钟。

需要说明的是，所述平底槽刀的宽度尺寸根据所述环形初始吸附槽的开口尺寸而定。本实施例中，所述平底槽刀为专用5毫米宽平底槽刀。

具体地，对所述环形初始吸附槽进行精车加工的步骤包括：将所述靶材组件安装在机床的主轴上，所述机床上装有平底槽刀；设定吃刀量、进给量和机床转速；将所述环形初始吸附槽面向所述平底槽刀，以所述平底槽刀对所述环形初始吸附槽进行精车加工，形成环形吸附槽101(如图1所示)。

所述环形吸附槽101适用于在靶材溅射过程中，粘附从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料，使所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内。

本实施例中，所述环形吸附槽101包括靠近所述靶坯200一侧的第一侧壁111(如图2所示)、远离所述靶坯200一侧的第二侧壁121(如图2所示)，以及位于所述第一侧壁111和第二侧壁121之间的第一底面131(如图2所示)。

具体地，所述第一侧壁111与所述第一底面131相垂直，所述第二侧壁121与所述第一底面131相垂直。相应的，所述环形吸附槽101的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等。

需要说明的是，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1(如图2所示)不宜过小，也不宜过大。如果所述环形吸附槽101的开口尺寸L1过小，容易导致所述环形吸附槽101的深宽比过大，在靶材溅射过程中，从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料难以堆积至所述环形吸附槽101中，因此剩余的反溅射材料仍旧沉积在所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面而形成堆积物，所述环形吸附槽101改善堆积物剥落现象的效果较差；如果所述环形吸附槽101的开口尺寸L1过大，相应的，所述背板100的剩余材料过少，容易导致所述背板100的机械强度下降，从而导致所述背板100在所述靶材组件中的支撑效果较差，进而降低所述靶材组件的质量和性能。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1为20毫米至24毫米。

还需要说明的是，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1还需根据实际生产中反溅射材料的堆积情况而定；且当所述靶坯200的尺寸发生改变时，所述环形吸附槽101的开口尺寸L1也相应发生改变，从而使所述环形吸附槽101对改善堆积物剥落现象具有更为理想的效果。

还需要说明的是，所述环形吸附槽101的深度H1(如图2所示)不宜过小，也不宜过大。如果所述环形吸附槽101深度H1过小，相应的，所述环形吸附槽101空间过小，所述环形吸附槽101对所述反溅射材料的容纳量较小，因此剩余的反溅射材料仍旧沉积在所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面而形成堆积物，所述环形吸附槽101改善堆积物剥落现象的效果较差；如果所述环形吸附槽101的深度H1过大，相应的，所述背板100的剩余材料过少，容易导致所述背板100的机械强度下降，从而导致所述背板100在所述靶材组件中的支撑效果较差，进而降低所述靶材组件的质量和性能。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的深度H1为5毫米至6毫米。

还需要说明的是，吃刀量和进给量同时影响所述环形吸附槽101的深度H1和开口尺寸L1；所述吃刀量和进给量越大，所述环形吸附槽101的深度H1和开口尺寸L1也越大。为了将所述环形吸附槽101的深度H1和开口尺寸L1控制在合理范围内，所述精车加工的吃刀量和进给量也需控制在合理范围内。本实施例中，吃刀量为0.05毫米至0.1毫米，进给量为0.02毫米/转至0.04毫米/转。

还需要说明的是，机床转速越快，所述精车加工的加工时间越少；但过快的机床转速会对所述环形吸附槽101的深度H1和开口尺寸L1产生影响，使所述环形吸附槽101的深度H1和开口尺寸L1偏移目标值。为此，本实施例中，机床转速为200转/分钟至250转/分钟。

还需要说明的是，所述平底槽刀的宽度尺寸根据所述环形吸附槽101的开口尺寸L1而定。本实施例中，所述平底槽刀为专用5毫米宽平底槽刀。

本实施例中，对所述边缘区域Ⅱ的背板100进行机械加工后，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行抛光处理。

根据所述环形吸附槽101的表面粗糙度要求，选取合适筛孔尺寸的抛光件对所述环形吸附槽101的底部和侧壁进行抛光，使所述环形吸附槽101的表面粗糙度达到预设值的同时，去除所述环形吸附槽101的表面划伤和毛刺。

本实施例中，采用筛孔尺寸为280目至400目的背绒砂纸进行抛光处理。具体地，所述抛光工艺的步骤包括：背板的转速为450转/分钟至550转/分钟，抛光时间为30秒至90秒。

需要说明的是，所述抛光工艺还用于：形成连接所述第一侧壁111和第一底面131的第一圆角结构132(如图2所示)、连接所述第二侧壁121和第一底面131的第二圆角结构122(如图2所示)，以及连接所述第一侧壁111与背板100表面的第三圆角结构112(如图2所示)。

通过所述第一圆角结构132、第二圆角结构122和第三圆角结构112，可以提高所述反溅射材料在所述环形吸附槽101内的覆盖性，避免所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内时，在拐角处时形成空洞，从而可以提高所述环形吸附槽101的粘附能力。

本实施例中，所述第一圆角结构132的圆角半径R1为0.4毫米至0.6毫米；所述第二圆角结构122的圆角半径R2为1.8毫米至2.2毫米；所述第三圆角结构112的圆角半径R3为1.8毫米至2.2毫米。

还需要说明的是，对所述环形吸附结构进行抛光处理后，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行喷砂处理。

所述喷砂处理用于提高所述环形吸附结构的表面粗糙度，即用于增加所述环形吸附槽101的表面粗糙度；从而增加所述环形吸附结构对反溅射材料的粘附力，进而避免或减少因所述反溅射材料堆积而发生堆积物剥落的现象。

需要说明的是，所述环形吸附槽101的表面粗糙度不宜过大，也不宜过小。如果所述环形吸附槽101的表面粗糙度过小，在靶材溅射过程中，所述环形吸附槽难以粘附从所述靶坯200飞溅出的反溅射材料，从而容易导致所述反溅射材料沉积于所述靶坯200表面或边缘区域Ⅱ的背板100表面并形成堆积物，进而导致所述堆积物发生剥落而掉落至硅片上；如果所述环形吸附槽101的表面粗糙度过大，对所述环形吸附槽101的粘附能力难以产生进一步的改善效果，反而增加所述喷砂处理的工艺成本。为此，本实施例中，所述环形吸附槽101的表面粗糙度为5微米至8微米。

具体地，所述喷砂处理的步骤包括：通过喷砂枪向所述环形吸附结构喷射砂粒，所述砂粒为46号白刚玉。

需要说明的是，所述环形吸附槽101的表面粗糙度受到所述喷砂处理的压缩空气的压强，以及所述喷射砂粒的尺寸的影响。为了使所述环形吸附槽101的表面粗糙度达到工艺目标值，设定合理的空气压强和砂粒尺寸。本实施例中，所述喷砂处理的压缩空气的压强为0.4MPa至0.5MPa，所述喷射砂粒的尺寸为0.1mm至0.5mm。

还需要说明的是，所述喷砂处理的时间与喷砂区的面积有关；当所述喷砂时间过短时，容易导致所述环形吸附槽101的喷砂粗糙度不均匀，当所述喷砂时间过长时，容易对所述环形吸附槽101的质量造成不良影响。为此，本实施例中，喷砂处理的时间为3分钟至5分钟。

本实施例中，对所述靶材组件进行加工，在所述边缘区域Ⅱ的背板100内形成环绕所述靶坯200的环形吸附结构，所述吸附结构包括一个环形吸附槽101；采用所述靶材组件进行溅射工艺时，所述环形吸附结构可以粘附从靶坯200飞溅出的反溅射材料；所述反溅射材料堆积至所述环形吸附槽101内；且相比平面结构，所述环形吸附槽101可以增加粘附面积，以增加对反溅射材料的容纳量；从而可以减少或避免所述反溅射材料在所述靶坯200表面或背板100表面形成堆积物、以及堆积物发生剥落而掉落至硅片上的情况；通过所述靶材组件，使硅片上形成的膜层厚度均一性更好，提高了膜层的形成质量，进而优化半导体器件的电学性能和良率。

此外，所述环形吸附槽101的表面为粗糙面，有利于提高所述环形吸附结构对反溅射材料的粘附性；从而有利于改善堆积物发生剥落的现象。

下面将结合图3和图4对本发明靶材组件的加工方法的另一实施例做进一步描述，图4示出了图3中区域B的局部放大图。

所述靶材组件的加工方法与前一实施例的不同之处在于：形成环绕所述靶坯400的环形吸附结构(未标示)的步骤中，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽(未标示)，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

具体地，对所述边缘区域Ⅱ的背板300进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域Ⅱ的背板300进行半精车加工，在所述边缘区域Ⅱ的背板300内形成环绕所述靶坯400的环形初始吸附槽组；对所述环形初始吸附槽组进行精车加工，形成环形吸附槽组。

本实施例中，所述环形吸附槽组包括两个环形吸附槽。具体地，所述环形吸附槽组包括环绕所述靶坯400(如图3所示)的环形第一吸附槽301(如图3所示)，以及环绕所述环形第一吸附槽301的环形第二吸附槽302(如图3所示)。

相应的，重复进行两次半精车加工，以形成环形初始第一吸附槽和环形初始第二吸附槽；重复进行两次精车加工，以形成环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302。

相应的，对所述环形吸附结构进行抛光处理的步骤中，分别对所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302进行抛光处理；对所述环形吸附结构进行喷砂处理的步骤中，分别对所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302进行喷砂处理。

本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的表面粗糙度为5微米至8微米，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的深度H2(如图4所示)为5毫米至6毫米。

本实施例中，所述环形第一吸附槽301包括靠近所述靶坯400一侧的第三侧壁311(如图4所示)、远离所述靶坯400一侧的第四侧壁321(如图4所示)，以及位于所述第三侧壁311和第四侧壁321之间的第二底面331(如图4所示)；所述环形第二吸附槽302包括靠近所述第一吸附槽301一侧的第五侧壁312(如图4所示)、远离所述第一吸附槽301一侧的第六侧壁322(如图4所示)，以及位于所述第五侧壁312和第六侧壁322之间的第三底面332(如图4所示)。

本实施例中，所述第三侧壁311与所述第二底面331相垂直，所述第四侧壁321与所述第二底面331相垂直；所述第五侧壁312与所述第三底面332相垂直，所述第六侧壁322与所述第三底面332相垂直。

相应的，所述环形第一吸附槽301的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等，所述环形第二吸附槽302的顶部开口尺寸与底部开口尺寸相等。本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的开口尺寸L2为7毫米至12毫米。

需要说明的是，对所述环形初始吸附槽组进行精车加工后，使所述环形第一吸附槽301的第三侧壁311与所述靶坯400的侧面(未标示)齐平，从而更好地使所述反溅射材料堆积至所述环形第一吸附槽301中。

需要说明的是，对所述加工方法的具体描述，可参考上一实施例靶材组件的加工方法的相应描述，在此不再赘述。

本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302呈同心圆分布。

需要说明的是，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3(如图4所示)不宜过大，也不宜过小。如果所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3过小，相应的，用于隔离所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的背板300材料过少，容易发生断裂，从而降低所述背板300的质量；如果所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3大，由于所述边缘区域Ⅱ的背板300尺寸有限，相应的，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的开口尺寸L2将减小，从而导致所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302粘附反溅射材料的空间减小，进而对减少或避免堆积物发生剥落的效果变差。为此，本实施例中，所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302的间距L3为8毫米至12毫米。

还需要说明的是，所述抛光工艺还用于：形成连接所述第三侧壁311和第二底面331的第四圆角结构304(如图4所示)、连接所述第四侧壁321和第二底面331的第五圆角结构305(如图4所示)、连接所述第四侧壁321和背板300表面的第六圆角结构306(如图4所示)、连接所述第五侧壁312和第三底面332的第七圆角结构307(如图4所示)、连接所述第六侧壁322和第三底面332的第八圆角结构308(如图4所示)、以及连接所述第五侧壁312和背板300表面的第九圆角结构309(如图4所示)。

通过所述第四圆角结构304、第五圆角结构305、第六圆角结构306、第七圆角结构307、第八圆角结构308和第九圆角结构309，可以提高所述反溅射材料在所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302内的覆盖性，避免所述反溅射材料堆积至所述环形第一吸附槽301和环形第二吸附槽302内时，在拐角处时形成空洞，从而可以提高所述环形吸附槽101的粘附能力。

本实施例中，所述第四圆角结构304的圆角半径R4为0.4毫米至0.6毫米；所述第五圆角结构305的圆角半径R5为1.8毫米至2.2毫米；所述第六圆角结构306的圆角半径R6为0.8毫米至1.2毫米；所述第七圆角结构307的圆角半径R7为1.8毫米至2.2毫米；所述第八圆角结构308的圆角半径R8为1.8毫米至2.2毫米；所述第九圆角结构309的圆角半径R9为0.8毫米至1.2毫米。

虽然本发明己披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种靶材组件，其特征在于，包括：

背板，包括焊接区域以及环绕所述焊接区域的边缘区域；

靶坯，焊接于所述焊接区域的背板上；

环形吸附结构，位于所述边缘区域的背板内且环绕所述靶坯，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

2.如权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附槽的表面为粗糙面。

3.如权利要求2所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附槽的表面粗糙度为5微米至8微米。

4.如权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附槽的深度为5毫米至6毫米。

5.如权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽，所述环形吸附槽的开口尺寸为20毫米至24毫米。

6.如权利要求5所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附槽包括靠近所述靶坯一侧的第一侧壁、远离所述一侧的第二侧壁，以及位于所述第一侧壁和第二侧壁之间的第一底面；

所述第一侧壁与第一底面通过第一圆角结构相连接，所述第二侧壁与第一底面通过第二圆角结构相连接，所述第一侧壁与背板表面通过第三圆角结构相连接。

7.如权利要求1所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组中环形吸附槽的开口尺寸为7毫米至12毫米。

8.如权利要求7所述的靶材组件，其特征在于，所述环形吸附槽组包括两个环形吸附槽；

所述环形吸附槽组包括环绕所述靶坯的环形第一吸附槽，以及环绕所述环形第一吸附槽的环形第二吸附槽，所述环形第一吸附槽和环形第二吸附槽的间距为8毫米至12毫米。

9.如权利要求8所述的靶材组件，其特征在于，所述环形第一吸附槽包括靠近所述靶坯一侧的第三侧壁、远离所述靶坯一侧的第四侧壁，以及位于所述第三侧壁和第四侧壁之间的第二底面；所述环形第二吸附槽包括靠近所述环形第一吸附槽一侧的第五侧壁、远离所述环形第一吸附槽一侧的第六侧壁，以及位于所述第五侧壁和第六侧壁之间的第三底面；

所述第三侧壁与第二底面通过第四圆角结构相连接，所述第四侧壁与第二底面通过第五圆角结构相连接，所述第四侧壁与背板表面通过第六圆角结构相连接；所述第五侧壁与第三底面通过第七圆角结构相连接，所述第六侧壁与第三底面通过第八圆角结构相连接，所述第五侧壁与背板表面通过第九圆角结构相连接。

10.一种靶材组件的加工方法，其特征在于，包括：

提供靶材组件，所述靶材组件包括背板以及焊接于所述背板上的靶坯，其中所述背板包括焊接区域以及环绕所述焊接区域的边缘区域，所述靶坯焊接于所述焊接区域的背板上；

对所述边缘区域的背板进行机械加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形吸附结构，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽；或者，所述环形吸附结构包括一个环形吸附槽组，所述环形吸附槽组包括至少两个环形吸附槽，且所述环形吸附槽呈相互间隔的同心排布。

11.如权利要求10所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述边缘区域的背板进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域的背板进行半精车加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形初始吸附槽；

对所述环形初始吸附槽进行精车加工，形成环形吸附槽。

12.如权利要求10所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述边缘区域的背板进行机械加工的步骤包括：对所述边缘区域的背板进行半精车加工，在所述边缘区域的背板内形成环绕所述靶坯的环形初始吸附槽组；

对所述环形初始吸附槽组进行精车加工，形成环形吸附槽组。

13.如权利要求11或12所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，进行半精车加工的步骤包括：采用平底槽刀进行加工，吃刀量为0.28毫米至0.32毫米，机床转速为160转/分钟至200转/分钟，进给量为0.05毫米/转至0.08毫米/转。

14.如权利要求11或12所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，进行精车加工的步骤包括：采用平底槽刀进行加工，吃刀量为0.05毫米至0.1毫米，机床转速为200转/分钟至250转/分钟，进给量为0.02毫米/转至0.04毫米/转。

15.如权利要求10所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述边缘区域的背板进行机械加工后，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行喷砂处理。

16.如权利要求15所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述环形吸附结构进行喷砂处理后，所述环形吸附槽的表面粗糙度为5微米至8微米。

17.如权利要求15所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，所述喷砂处理的压缩空气的压强为0.4MPa至0.5MPa，所述喷射砂粒为46号白刚玉，所述喷射砂粒的直径为0.1mm至0.5mm，喷砂处理的时间为3分钟至5分钟。

18.如权利要求15所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述边缘区域的背板进行机械加工后，对所述环形吸附结构进行喷砂处理之前，所述加工方法还包括：对所述环形吸附结构进行抛光处理。

19.如权利要求18所述的靶材组件的加工方法，其特征在于，对所述环形吸附结构进行抛光处理的步骤包括：采用筛孔尺寸为280目至400目的背绒砂纸进行抛光处理，抛光处理中背板的转速为450转/分钟至550转/分钟，抛光时间为30秒至90秒。