CN108265274A - 靶材组件的处理方法 - Google Patents

靶材组件的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108265274A
CN108265274A CN201611270763.3A CN201611270763A CN108265274A CN 108265274 A CN108265274 A CN 108265274A CN 201611270763 A CN201611270763 A CN 201611270763A CN 108265274 A CN108265274 A CN 108265274A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
treatment region
material assembly
target material
processing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611270763.3A
Other languages
English (en)
Inventor
姚力军
潘杰
相原俊夫
王学泽
刘霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Original Assignee
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd filed Critical Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority to CN201611270763.3A priority Critical patent/CN108265274A/zh
Publication of CN108265274A publication Critical patent/CN108265274A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种靶材组件的处理方法，包括：提供靶材组件，所述靶材组件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材组件包括核心区和处理区，所述核心区与所述处理区邻接，所述处理区包围所述核心区，所述靶材位于所述核心区和部分所述处理区内；对所述处理区的部分靶材和部分背板进行喷砂处理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙层；对所述粗糙层进行熔射处理，在所述粗糙层上形成膜层。所述方法处理后的靶材组件应用到磁控溅射较长时间时，即使靶材原子在所述膜层上形成堆积，所述靶材原子也不会脱落，成膜质量好，靶材利用率高，从而显著延长靶材的使用寿命。

Description

靶材组件的处理方法
技术领域
本发明涉及磁控溅射技术，特别涉及磁控溅射靶材组件的处理方法。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。磁控溅射的原理为：在真空状态下，当磁控溅射靶材被施加一个负电位、被镀膜的工件加正电位时，在磁控溅射靶材所在的真空室内形成电场，然后向真空室内充入工艺载气(如Ar)，在一定压力和温度下，正电位与负电位之间会产生放电现象，电子沿环形轨道运动，撞击工艺载气(Ar)分子，产生等离子体放电。同时，磁控溅射靶材上的磁铁产生磁场，磁场施加于电场之中，在电场和磁场作用下工艺载气(Ar)产生的离子撞击磁控溅射靶材表面，使得作为阴极的磁控溅射靶材的原子溅射出去，在被镀膜的工件表面上就形成了一层薄膜。
然而，采用现有技术的方法在被镀膜的工件上成膜质量不好，当所述成膜质量低于一定质量标准时，就需要更换靶材。而所述靶材未经充分利用就被更换掉，造成靶材的浪费，所述靶材使用寿命较短。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种靶材组件的处理方法，能够提高被镀膜的工件上的成膜质量和提高靶材的利用率，延长靶材的使用寿命。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种靶材组件的处理方法，包括：提供靶材组件，所述靶材组件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材组件包括核心区和处理区，所述核心区与所述处理区邻接，所述处理区包围所述核心区，所述靶材位于所述核心区和部分所述处理区内；对所述处理区的部分靶材和部分背板进行喷砂处理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙层；对所述粗糙层进行熔射处理，在所述粗糙层上形成膜层。
可选的，所述靶材包括：钛靶材。
可选的，所述背板的材料包括：铝合金。
可选的，所述喷砂处理步骤包括：提供喷砂枪；通过喷砂枪将砂粒沿处理区起始点喷射至处理区终止点，在所述处理区部分靶材和部分背板表面形成粗糙层；所述处理区起始点为所述处理区内的靶材侧壁顶部，所述处理区终止点为所述处理区的外侧边缘。
可选的，所述处理区内的靶材侧壁与处理区内的背板表面构成处理区拐角；所述处理区终止点距离所述处理区拐角的距离为0毫米～20毫米。
可选的，所述喷砂枪具有喷砂枪枪嘴；在所述喷砂过程中，喷砂枪枪嘴至所述处理区的距离范围为150毫米～200毫米。
可选的，喷砂枪喷嘴所喷砂粒所作的直线运动方向和所述背板所在水平面的夹角范围为40度～55度。
可选的，在所述喷砂处理过程中，喷砂枪内的压强为：0.441兆帕～0.539兆帕。
可选的，所述砂粒型号为46号白刚玉。
可选的，所述熔射处理的步骤包括：提供熔射材料；对熔射材料进行熔化处理形成熔射液；所述熔射液在所述粗糙层表面凝固形成膜层。
可选的，所述熔射材料包括：铝。
可选的，所述熔射材料的供给量设定为40克/分钟～150克/分钟。
可选的，对熔射材料进行熔化处理形成熔射液的温度控制为1200摄氏度～1350摄氏度。
可选的，所述膜层落在所述粗糙层内。
可选的，所述膜层表面的粗糙度为：12微米～25微米。
可选的，所述膜层的厚度范围为：0.01毫米～0.35毫米。
可选的，沿所述处理区起始点至所述处理区拐角方向，所述膜层的厚度由薄至厚；沿所述处理区拐角至所述处理区终止点方向，所述膜层的厚度由厚至薄。
可选的，对所述处理区进行喷砂处理后，还包括，用纯净水或去离子水清洗粗糙层。
可选的，所述靶材包括：靶材主体区和靶材倾斜区，所述靶材主体区与所述靶材倾斜区邻接，所述靶材倾斜区包围所述靶材主体区，且位于所述靶材倾斜区的靶材表面与所述靶材主体区的靶材顶部表面之间具有钝角夹角。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
对所述处理区进行喷砂处理后，在所述处理区表面形成粗糙层，所述粗糙层表面凹凸不平；形成表面凸凹不平的粗糙层之后，对所述表面凸凹不平的粗糙层进行熔射处理形成膜层。由于粗糙层表面凹凸不平，融化的熔射材料很容易附着在所述表面凸凹不平的粗糙层上，附着在表面凸凹不平的粗糙层上的融化的熔射材料用于形成膜层。所述膜层的粘附性较所述粗糙层的粘附性大。在磁控溅射过程中堆积在膜层上的溅射原子不易脱落，能够有效防止因堆积在膜层上的溅射原子的脱落影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而提高靶材的利用率，进而延长靶材的使用寿命。
附图说明
图1至图2是一种靶材组件处理过程的结构示意图；
图3至图8是本发明一实施例靶材组件处理过程的结构示意图。
具体实施方式
靶材组件的处理过程存在诸多问题，例如：在被镀膜的工件上成膜的质量差，靶材利用率低，靶材使用寿命短。
现结合一种靶材组件的处理方法，分析所述处理过程形成的膜的质量差，靶材利用率低，靶材使用寿命低的原因：
图1至图2是一种靶材组件处理过程的结构示意图。
请参考图1，提供靶材组件10，所述靶材组件10包括背板11和靶材12，所述靶材12位于所述背板11上，所述靶材组件10包括核心区A和处理区B，所述核心区A与所述处理区B邻接，所述处理区B包围所述核心区A，所述靶材12位于所述核心区A和部分所述处理区B内。
请参考图2，对所述处理区B的部分靶材12和部分背板11表面进行喷砂处理，在所述部分靶材12和部分背板11的表面形成粗糙层13。
然而，上述方法中，采用喷砂处理对所述处理区B部分靶材12和部分背板11表面进行喷砂处理时，所述喷砂处理对处理区B部分靶材12和部分背板11表面粗化能力有一定的局限，使得所述处理区B部分靶材12和部分背板11表面经喷砂处理后形成的粗糙层13的粗糙度比较小，因此所述靶材12在溅射到一定寿命时，附着在粗糙层13上的颗粒仍容易脱落，脱落的颗粒影响被镀膜的工件上成膜的质量。当所述成膜质量低于一定质量标准时，就需要更换靶材12。而所述靶材12未经充分利用就被更换，从而造成靶材12的浪费，所述靶材12使用寿命较短。
为解决所述技术问题，本发明技术方案提供一种靶材组件的处理方法，包括：提供靶材组件，所述靶材组件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材组件包括核心区和处理区，所述核心区与所述处理区邻接，所述处理区包围所述核心区，所述靶材位于所述核心区和部分所述处理区内；对所述处理区的部分靶材和部分背板进行喷砂处理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙层；对所述粗糙层进行熔射处理，在所述粗糙层上形成膜层。
所述方法中，对所述处理区部分靶材和部分背板表面进行喷砂处理后，在所述处理区部分靶材和部分背板表面形成粗糙层，所述粗糙层表面凹凸不平；形成表面凸凹不平的粗糙层之后，对所述表面凸凹不平的粗糙层进行熔射处理形成膜层。由于粗糙层表面凹凸不平，融化的熔射材料很容易附着在所述表面凸凹不平的粗糙层上，附着在表面凸凹不平的粗糙层上的融化的熔射材料用于形成膜层。所述膜层的粘附性较所述粗糙层的粘附性大。在磁控溅射过程中堆积在膜层上的溅射原子不易脱落，能够有效防止因堆积在膜层上的溅射原子的脱落影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而提高靶材的利用率，进而延长靶材的使用寿命。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3至图8是本发明一实施例靶材组件处理过程的结构示意图。
请参考图3，提供靶材组件20，所述靶材组件20包括背板21和靶材22，所述靶材22位于所述背板21上，所述靶材组件20包括核心区Ⅰ和处理区Ⅱ，所述核心区Ⅰ与所述处理区Ⅱ邻接，所述处理区Ⅱ包围所述核心区Ⅰ，所述靶材22位于所述核心区Ⅰ和部分所述处理区Ⅱ内。
所述处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21用于后续进行喷砂处理和熔射处理。
所述背板21的材料包括：铝合金。
所述靶材22为钛靶材。在其他实施例中，所述靶材可以为钛靶材、铜靶材、铝靶材或钽靶材。
所述靶材22的纯度大于4N5。具体的，所述靶材22的纯度为5N或6N，其中，5N表示纯度为99.999％，而6N表示纯度为99.9999％。
本实施例中，所述核心区Ⅰ包括靶材主体区Ⅲ和靶材倾斜区Ⅳ，请参考图4。
所述靶材主体区Ⅲ与所述靶材倾斜区Ⅳ邻接，所述靶材倾斜区Ⅳ包围所述靶材主体区Ⅲ，且位于所述靶材倾斜区Ⅳ上的靶材22表面与所述靶材主体区Ⅲ上的靶材22顶部表面之间具有钝角夹角。
位于所述靶材倾斜区Ⅳ上的靶材22表面与所述靶材主体区Ⅲ上的靶材22顶部表面之间具有钝角夹角，有利于降低后续堆积在处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21上的颗粒的散落，从而提高被镀膜的工件上膜层的成膜质量，进而提高靶材22的利用率和靶材22的使用寿命。
请参考图5，对所述处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21进行喷砂处理，在所述部分靶材22和部分背板21的表面形成粗糙层23。
所述喷砂处理是指采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料(铜矿砂、石英砂、金刚砂、铁砂)高速喷射到处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21表面，使处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21外表或形状发生变化。由于喷料对处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的表面的冲击和切削作用，使处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的表面相比喷砂处理前清洁度和粗糙度均提高。对所述处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的进行喷砂处理，能够改善处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的机械性能，从而提高处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的抗疲劳性，再将该靶材22应用到磁控溅射时，能够避免溅射的靶材原子对处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的表面造成损伤。
最重要的是，对处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21的表面进行喷砂处理形成粗糙层23。所述粗糙层23表面凹凸不平，后续对所述表面凸凹不平的粗糙层23进行熔射处理形成膜层。由于粗糙层23表面凹凸不平，融化的熔射粉末很容易附着在所述表面凸凹不平的粗糙层23上，附着在表面凸凹不平的粗糙层23上的融化的熔射粉末用于形成膜层。所述膜层的粘附性较所述粗糙层23的粘附性大。在磁控溅射过程中堆积在膜层上的溅射原子不易脱落，能够有效防止因堆积在膜层上的溅射原子的脱落影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而提高靶材的利用率，进而延长靶材的使用寿命。
图6为对处理区Ⅱ的部分靶材22和部分背板21进行喷砂处理的示意图。
所述喷砂处理的步骤包括：提供喷砂枪24；通过喷砂枪24将砂粒沿处理区Ⅱ起始点A喷射至处理区Ⅱ终止点B，在所述处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21表面形成粗糙层23。
所述处理区Ⅱ起始点A为所述处理区Ⅱ内的靶材22侧壁顶部，所述处理区Ⅱ终止点B为所述处理区的外侧边缘。
所述处理区Ⅱ的靶材22侧壁与处理区Ⅱ内的背板21表面构成处理区拐角O；所述处理区Ⅱ终止点B距离所述处理区拐角O的距离为：0毫米～20毫米。
所述喷砂枪24与所述背板21所在水平平面的夹角α范围为40度～55度。
所述喷砂枪24具有喷砂枪枪嘴；在所述喷砂处理过程中，喷砂枪枪嘴至所述处理区Ⅱ的距离范围为150毫米～200毫米。
影响喷砂质量的主要因素包括：砂粒材料、砂粒大小、喷砂枪内空气压强。任何一个参数的变化都会不同程度地影响喷砂的效果。
在本实施例中，所述砂粒为46号白刚玉，也就是每平方英尺内含有46粒白刚玉。所述喷砂枪内压强范围控制在0.441兆帕～0.539兆帕，如果喷砂枪内压强大于0.539兆帕，则喷砂的动力太足，使处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21表面冲击或切削形成的坑的平均深度过大，将影响后续进行熔射处理形成的膜层与粗糙层23(见图5)的结合力。如果喷砂枪内压强小于0.441兆帕，则喷砂的动力不够，使处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21表面冲击或切削形成的坑的平均深度太小，同样影响后续进行熔射处理形成的膜层与粗糙层23(见图5)的结合力。
对处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21表面进行喷砂处理后，对粗糙层23进行清洗。
在本实施例中，使用纯净水或去离子水清洗粗糙层23，清洗时间大概为5分钟～10分钟。所述使用纯净水或去离子水清洗粗糙层23的过程，主要清理粗糙层23上未嵌合的流动砂粒、或者未形成强力嵌合的松动砂粒，以确保粗糙层23清洁。后续熔射处理中的熔射粉末直接粘附在粗糙层23上，保证熔射粉末的粘附性更好，使得熔射效果更好。
在其他实施例中，若喷砂处理后的粗糙层没有砂粒残留，或残留的砂粒不影响后续熔射过程，也可以不进行清洗处理。
请参考图7，对所述粗糙层23进行熔射处理，在所述粗糙层23上形成膜层25。
所述膜层25落在所述粗糙层23内。
所述膜层25的厚度为渐变式：薄-厚-薄，即：沿所述处理区Ⅱ起始点A至所述处理区拐角O方向，所述膜层25的厚度由薄至厚；沿所述处理区Ⅱ拐角O至所述处理区Ⅱ终止点B方向，所述膜层25的厚度由厚至薄。
所述膜层25的厚度采用渐变式的优势在于：在磁控溅射过程中，部分靶材原子在所述处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21上堆积。所述膜层25的厚度为渐变式，有利于降低堆积在所述处理区Ⅱ部分靶材22和部分背板21上的靶材原子脱落，从而提高被镀膜的工件上成膜质量，提高靶材22的利用率，进而提高靶材22的使用寿命。
所述膜层25的粗糙度为：12微米～25微米。
本实施例中，所述膜层25的厚度范围为：0.01毫米～0.35毫米。选择所述膜层25的厚度的意义在于：若所述膜层25的厚度小于0.01毫米，对所述粗糙层23进行熔射处理后形成膜层的粗糙度较小，在磁控溅射过程中堆积在膜层上的溅射原子容易脱落，脱落的溅射原子影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而影响靶材的利用率，进而导致靶材的使用寿命较短；若所述膜层25的厚度大于0.35毫米，对所述粗糙层23进行熔射处理后形成膜层25的粗糙度较小，这是因为所述膜层25的厚度较厚，所述膜层25覆盖在所述粗糙层23上，较厚的所述膜层25填补所述粗糙层23凸凹不平的表面，使得所述膜层25表面的粗糙度降低。因此，在磁控溅射过程中堆积在膜层25上的溅射原子容易脱落，脱落的溅射原子影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而影响靶材的利用率，进而导致靶材的使用寿命较短。
图8为熔射处理示意图。
所述熔射处理是将熔射材料加热融化，在气体带送高速下冲击附着在所述粗糙层23表面，经堆积、凝固形成一层膜层25，从而达到粗化粗糙层23表面的目的。
所述熔射处理的步骤包括：提供熔射材料；对熔射材料进行熔化处理形成熔射液；所述熔射液在所述粗糙层23表面凝固形成膜层25。
所述熔射材料包括：铝。所述熔射材料的供给量设定为：40克/分钟～150克/分钟。
对熔射材料进行熔化处理形成熔射液的温度为：1200摄氏度～1350摄氏度。
综上，所述方法中，对所述处理区部分靶材和部分背板表面进行喷砂处理后，在所述处理区部分靶材和部分背板表面形成粗糙层，所述粗糙层表面凹凸不平；形成表面凸凹不平的粗糙层之后，对所述表面凸凹不平的粗糙层进行熔射处理形成膜层。由于粗糙层表面凹凸不平，融化的熔射材料很容易附着在所述表面凸凹不平的粗糙层上，附着在表面凸凹不平的粗糙层上的融化的熔射材料用于形成膜层。所述膜层的粘附性较所述粗糙层的粘附性大。在磁控溅射过程中堆积在膜层上的溅射原子不易脱落，能够有效防止因堆积在膜层上的溅射原子的脱落影响被镀膜的工件上成膜的质量，从而提高靶材的利用率，进而延长靶材的使用寿命。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种靶材组件的处理方法，其特征在于，包括：
提供靶材组件，所述靶材组件包括背板和靶材，所述靶材位于所述背板上，所述靶材组件包括核心区和处理区，所述核心区与所述处理区邻接，所述处理区包围所述核心区，所述靶材位于所述核心区和部分所述处理区内；
对所述处理区的部分靶材和部分背板进行喷砂处理，在所述部分靶材和部分背板的表面形成粗糙层；
对所述粗糙层进行熔射处理，在所述粗糙层上形成膜层。
2.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述靶材包括：钛靶材。
3.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述背板的材料包括：铝合金。
4.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理的步骤包括：提供喷砂枪；通过喷砂枪将砂粒沿处理区起始点喷射至处理区终止点，在所述处理区部分靶材和部分背板表面形成粗糙层；所述处理区起始点为所述处理区内的靶材侧壁顶部，所述处理区终止点为所述处理区的外侧边缘。
5.如权利要求4所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述处理区内的靶材侧壁与处理区内的背板表面构成处理区拐角；所述处理区终止点距离所述处理区拐角的距离为0毫米～20毫米。
6.如权利要求4所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述喷砂枪具有喷砂枪枪嘴；在所述喷砂处理过程中，喷砂枪枪嘴至所述处理区的距离范围为150毫米～200毫米。
7.如权利要求6所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，喷砂枪枪嘴所喷砂粒所作的直线运动方向和所述背板所在水平面的夹角范围为40度～55度。
8.如权利要求4所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，在所述喷砂处理过程中，喷砂枪内的压强为：0.441兆帕～0.539兆帕。
9.如权利要求4所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述砂粒型号为46号白刚玉。
10.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述熔射处理的步骤包括：提供熔射材料；对熔射材料进行熔化处理形成熔射液；所述熔射液在所述粗糙层表面凝固形成膜层。
11.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述熔射材料包括：铝。
12.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述熔射材料的供给量设定为：40克/分钟～150克/分钟。
13.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，对熔射材料进行熔化处理形成熔射液的温度为：1200摄氏度～1350摄氏度。
14.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述膜层落在所述粗糙层内。
15.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述膜层表面的粗糙度为：12微米～25微米。
16.如权利要求10所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述膜层的厚度范围为：0.01毫米～0.35毫米。
17.如权利要求5所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，沿所述处理区起始点至所述处理区拐角方向，所述膜层的厚度由薄至厚；沿所述处理区拐角至所述处理区终止点方向，所述膜层的厚度由厚至薄。
18.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，对所述处理区进行喷砂处理后，还包括，用纯净水或去离子水清洗粗糙层。
19.如权利要求1所述的靶材组件的处理方法，其特征在于，所述靶材包括：靶材主体区和靶材倾斜区，所述靶材主体区与所述靶材倾斜区邻接，所述靶材倾斜区包围所述靶材主体区，且位于所述靶材倾斜区的靶材表面与所述靶材主体区的靶材顶部表面之间具有钝角夹角。
CN201611270763.3A 2016-12-30 2016-12-30 靶材组件的处理方法 Pending CN108265274A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611270763.3A CN108265274A (zh) 2016-12-30 2016-12-30 靶材组件的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611270763.3A CN108265274A (zh) 2016-12-30 2016-12-30 靶材组件的处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108265274A true CN108265274A (zh) 2018-07-10

Family

ID=62771260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611270763.3A Pending CN108265274A (zh) 2016-12-30 2016-12-30 靶材组件的处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108265274A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111705301A (zh) * 2020-07-28 2020-09-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种防变形钛靶材
CN112475676A (zh) * 2020-11-11 2021-03-12 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钽靶材焊接面的处理方法
CN112676782A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钛靶材与铜背板的装配方法
CN112959010A (zh) * 2021-02-18 2021-06-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材与铜背板的装配方法
CN113651159A (zh) * 2021-10-20 2021-11-16 常州欣盛半导体技术股份有限公司 Pi膜输送用的镜面轮及其使用方法
CN113878308A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材组件及靶材组件制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560382A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 余姚康富特电子材料有限公司 靶材及其形成方法
CN103481199A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 宁波江丰电子材料有限公司 靶材的处理方法
CN104419902A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材的处理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560382A (zh) * 2011-12-29 2012-07-11 余姚康富特电子材料有限公司 靶材及其形成方法
CN103481199A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 宁波江丰电子材料有限公司 靶材的处理方法
CN104419902A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材的处理方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111705301A (zh) * 2020-07-28 2020-09-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种防变形钛靶材
CN112475676A (zh) * 2020-11-11 2021-03-12 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钽靶材焊接面的处理方法
CN112475676B (zh) * 2020-11-11 2022-11-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钽靶材焊接面的处理方法
CN112676782A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种钛靶材与铜背板的装配方法
CN112959010A (zh) * 2021-02-18 2021-06-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材与铜背板的装配方法
CN112959010B (zh) * 2021-02-18 2022-07-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材与铜背板的装配方法
CN113878308A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材组件及靶材组件制作方法
CN113878308B (zh) * 2021-10-11 2022-12-30 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材组件及靶材组件制作方法
CN113651159A (zh) * 2021-10-20 2021-11-16 常州欣盛半导体技术股份有限公司 Pi膜输送用的镜面轮及其使用方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108265274A (zh) 靶材组件的处理方法
CN102011085B (zh) 一种防着板表面处理方法
JP3895277B2 (ja) パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット又はバッキングプレートに接合したスパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104419902A (zh) 靶材的处理方法
TWI457454B (zh) 濺鍍靶之製造方法、濺鍍靶之清洗方法、濺鍍靶以及濺鍍裝置
US11739416B2 (en) Partial spray refurbishment of sputtering targets
CN109385608A (zh) 靶材组件及其制造方法
TW200944607A (en) Method for manufacturing backing plate, backing plate, sputter cathode, sputtering apparatus, and method for cleaning backing plate
CN104805406A (zh) 铝钪旋转靶材及其制备方法
JPS6117904B2 (zh)
CN111101101A (zh) 一种微喷砂后处理减小涂层摩擦系数的方法
CN104831244A (zh) 铝钽旋转靶材及可控气氛冷喷涂制备铝钽旋转靶材的方法
JP4894158B2 (ja) 真空装置用部品
CN112359334A (zh) 一种靶材组件及其加工方法
CN113897572A (zh) 一种靶材组件及靶材组件制作方法
CN113151798B (zh) 一种靶材组件及其加工方法
JP2007126736A (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4926428B2 (ja) スパッタリングターゲット材の製造方法
CN214496462U (zh) 一种磁控溅射部件
KR20190040377A (ko) 스퍼터링 타깃 구조체의 제조 방법
CN113878308B (zh) 一种靶材组件及靶材组件制作方法
JP5540948B2 (ja) スパッタリングターゲット
CN1952208A (zh) 一种磁控溅射镀膜用低熔点金属与背板加工工艺
JP4811324B2 (ja) スパッタリングターゲット
JP5540947B2 (ja) スパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180710

RJ01 Rejection of invention patent application after publication