CN107513370A - 一种半导体量子片杂化膜材料的制备方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 title claims abstract 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 111
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 104
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims abstract description 28
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 fatty acid salt Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 16
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract 1
- 229940059939 kayexalate Drugs 0.000 abstract 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 71
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M Sodium oleate Chemical compound [Na+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M 0.000 description 20
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 14
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 14
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 14
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 12
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000703 high-speed centrifugation Methods 0.000 description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 7
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000005349 anion exchange Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940096992 potassium oleate Drugs 0.000 description 1
- MLICVSDCCDDWMD-KVVVOXFISA-M potassium;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [K+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O MLICVSDCCDDWMD-KVVVOXFISA-M 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/215—In2O3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/228—Other specific oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/111—Deposition methods from solutions or suspensions by dipping, immersion
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- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
本发明属于纳米复合薄膜制备技术领域,涉及半导体量子片杂化膜材料的制备方法。本发明首先将高级脂肪酸盐和金属盐加入去离子水,经水热反应制得半导体量子片;然后将基片浸入醇酸混合液中,取出后用去离子水洗涤并用浓硫酸改性;再将改性基片浸渍在单分散的LDHs纳米片溶胶中得到LDHs纳米片组装基片,再浸入聚苯乙烯磺酸钠PSS溶液中得表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片,然后放入半导体量子片水溶液中浸泡得到半导体量子片杂化膜;最后按照LDHs‑PSS‑量子片‑PSS的顺序叠层组装制得而成。本发明利用半导体量子片的光电特性,制得杂化膜材料具有较低的红外发射率;所使用的剥离LDHs纳米片容易获取,可规模化生产,不对环境产生危害;超分子组装过程简单易行,重复性高。
Description
技术领域
本发明属于纳米复合薄膜制备技术领域,涉及半导体量子片,尤其涉及一种半导体量子片杂化膜材料的制备方法。
背景技术
红外-可见光波段内,辐射性能可调的材料在蓄热保暖、建筑节能、红外探测和医疗保健等领域有着广阔的应用前景,它的研究对推动节能、建筑材料和生物医学等领域的发展具有重要意义。辐射传热材料有别于玻璃棉、泡沫塑料和硅酸盐等多孔隔热材料,多孔隔热材料能够减缓但不能阻挡热量的传递,而辐射传热材料能够根据需要以热发射的形式将吸收的热量辐射出去。
材料的辐射强度取决于材料表面的温度和发射率,由于很难改变材料表面与环境之间的温差,因此,调节材料表面的发射率是调节其辐射性能的有效方法。辐射性能可调的光电材料应具有合理的表面结构,较强的控温能力,可调的太阳能吸收率和反射率。辐射是一种典型的界面现象,对于半导体薄膜材料,平整的表面有利于降低材料的辐射性能。
半导体量子片具有优异的电磁学特性,在贫氧条件下烧制的量子片由于存在较多的氧空穴,使得导电性增强,有利于降低其红外发射率。LDHs由于可以进行层板金属离子搭配,层间插层阴离子的交换,构成一个庞大的体系,在催化、生物医学、光学材料的应用都已有研究。剥离的LDHs纳米片由于表面带正电,为进行超分子组装提供可能。因此,将剥离的片状结构的LDHs纳米片与半导体量子片进行超分子组装可形成新型杂化膜材料,这就赋予了它独特的光学性能,尤其是红外发射率明显降低。本发明提供了一种半导体量子片杂化膜材料,该材料是一种很有发展前途的红外隐身新材料,它的研究和应用具有潜在的经济效益和社会效益,在军农工业方面都有较好的应用前景。
发明内容
针对上述现有技术中存在的不足,本发明公开了一种半导体量子片杂化膜材料制备方法。
一种半导体量子片杂化膜材料的制备方法,包括如下步骤:
a)按每毫摩尔高级脂肪酸盐消耗45~55 mL去离子水,金属盐与高级脂肪酸的摩尔比为1:2~1:4计,将高级脂肪酸盐和金属盐加入去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到反应器中,水热温度140~160℃下反应3~5h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3~5次,再用去离子水洗涤3~5次,真空干燥40~50 h后,400±50℃快速加热3~10 min制得半导体量子片,将所得半导体量子片配制成0.5~1.5 mg/mL的水溶液;
b)按每平方厘米基片加20~40 mL醇酸混合液,室温将基片浸入醇酸混合液中0.3 ~1 h,取出后用去离子水洗涤5~10次,按每平方厘米基片加10~15 mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.3~1 h,取出后用去离子水洗涤5~10次,常温干燥2~10 min,得改性基片;
c)按每平方厘米改性基片加20~40 mL单分散的LDHs纳米片溶胶计,将改性基片浸渍在单分散的LDHs纳米片溶胶中,浸渍10~20 min后,去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min得到LDHs纳米片组装基片;
d)将上述制得的LDHs纳米片组装基片置于0.5~1.5 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡10~20 min,取出后以去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片;
e)将所述表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片置于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡10~20 min,取出后去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min后得到半导体量子片杂化膜;
f)重复步骤c)、d)和e),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装5-30次,制得半导体量子片杂化膜材料。
本发明较优公开例中,步骤a)中所述高级脂肪酸盐是含C数为12~26的高级脂肪酸的钠盐或者钾盐,所述金属盐为铟或钼的卤化物或硝酸盐。
本发明较优公开例中,步骤b)中所述基片为石英片或者硅片中的一种或者两种组合。
本发明较优公开例中,步骤b)中所述醇酸混合液为乙醇与浓盐酸的混合液,乙醇与浓盐酸的体积比为1:2~2:1。
本发明较优公开例中,步骤c)中所述分散的LDHs纳米片溶胶浓度为0.5~1.5 mg/mL。
根据本发明所述方法制得的半导体量子片杂化膜材料,是以表面修饰的半导体量子片和表面带电荷的LDHs纳米片层层自组装而成,具有半导体量子片和LDHs纳米片有序组装的层状结构。
所述半导体量子片为过渡金属铟或钼的氧化物。
所述LDHs纳米片是由含有二价金属离子M1和三价金属离子M2的层状双金属氢氧化物经剥离制得的纳米片,其中金属离子M1为Mg2+、Zn2+、Ni2+中的一种或者多种的组合,金属离子M2为Al3+和In3+中的一种或者两者的组合。
该材料的组成和结构可控,具有较低的红外发射率,可作为红外低发射率材料。
有益效果
本发明公开一种半导体量子片杂化膜材料的制备方法,该材料的组成和结构可控,具有可调的红外发射率。本发明充分利用半导体量子片的光电特性,将其与剥离LDHs纳米片进行超分子组装得到的杂化膜材料具有较低的红外发射率;所使用的剥离LDHs纳米片容易获取,且可规模化生产,不对环境产生危害;进行超分子组装过程简单易行,重复性高。
附图说明
图1是实施例1 制备的In2O3量子片的TEM图;
图2是实施例1制备的LDHs纳米片的TEM图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细说明,以使本领域技术人员更好地理解本发明,但本发明并不局限于以下实施例。
实施例1
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将氯化铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加30 mL醇酸混合液,基片为石英片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装20次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.620。
实施例2
a)按照每毫摩尔油酸钾消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将氯化铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加30 mL醇酸混合液,基片为石英片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡15 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装20次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.734。
实施例3
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将氯化铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1.5 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1.5 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加30 mL醇酸混合液,基片为石英片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1.5 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡10 min,取出后去离子水冲洗5次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装5次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.678。
实施例4
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将氯化铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成0.5 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为0.5 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加20 mL醇酸混合液,基片为石英片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡15 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡15 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装30次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.743。
实施例5
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将氯化铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加40 mL醇酸混合液,基片为硅片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于0.5 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装20次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.773。
实施例6
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:3计,将硝酸铟与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加30 mL醇酸混合液,基片为硅片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装20次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.754。
实施例7
a)按照每毫摩尔油酸钠消耗50 mL去离子水,氯化铟与油酸钠的摩尔比为1:4计,将氯化钼与油酸钠加入到去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到水热反应釜中,150℃反应3h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3次,再用去离子水洗涤3次,真空干燥48 h后,400℃快速加热3 min制得半导体量子片,将制得半导体量子片配制成1 mg/mL的水溶液。
b)按硝酸镁和硝酸铝摩尔比为2:1,加入与金属离子(Mg2+和Al3+)总摩尔比为1.5:1的六次亚甲基四胺,按照每毫摩尔六次亚甲基四胺消耗1.5 mL去离子水计,将硝酸镁、硝酸铝和六次亚甲基四胺溶解在去离子水中,完全溶解后转移到水热反应釜中,150℃反应12h,冷却后无水乙醇洗3次,去离子水洗3次,真空干燥24 h,得LDHs纳米颗粒。取1.0 g LDHs纳米颗粒分散在20 mL去离子水中,缓慢向其滴加1mol/L硝酸至无气泡产生,然后加入300mL浓度为1.5 mol/L硝酸钾溶液,机械搅拌12 h,高速离心分离产物,水洗3~5次,得硝酸根插层LDHs。按照每克硝酸根插层LDHs消耗50 mL甲酰胺计,将硝酸根插层LDHs分散在甲酰胺中,氮气氛围中磁力搅拌48 h制得剥离LDHs纳米片,高速离心后,将剥离LDHs纳米片分散在去离子水中,配制浓度为1 mg/mL的LDHs纳米片水溶液。
c)按每平方厘米基片加30 mL醇酸混合液,基片为硅片,醇酸混合液中乙醇与浓盐酸的体积比为1:1,室温将基片浸入醇酸混合液中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,按每平方厘米基片加10mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.5 h,取出后用去离子水洗涤5次,常温干燥10 min,得改性基片。
d)将改性基片室温条件下完全浸泡在步骤b)制得的LDHs纳米片水溶液中20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得LDHs纳米片组装基片。
e)将步骤d)制得的LDHs纳米片组装基片至于1 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠(PSS)水溶液浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片。
f)将步骤e)制得的表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片至于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡20 min,取出后去离子水冲洗10次,干燥5 min后得到半导体量子片杂化膜材料。
g)重复步骤e),f),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装20次,制得半导体量子片杂化膜材料,该膜在8~14 μm红外发射率为0.819。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种半导体量子片杂化膜材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
a)按每毫摩尔高级脂肪酸盐消耗45~55 mL去离子水,金属盐与高级脂肪酸的摩尔比为1:2~1:4计,将高级脂肪酸盐和金属盐加入去离子水中,搅拌20~40 min后,转移到反应器中,水热温度140~160℃下反应3~5 h,冷却至室温后用用环己烷与无水乙醇的混合液洗涤3~5次,再用去离子水洗涤3~5次,真空干燥40~50 h后,400±50℃快速加热3~10min制得半导体量子片,将所得半导体量子片配制成0.5~1.5 mg/mL的水溶液;
b)按每平方厘米基片加20~40 mL醇酸混合液,室温将基片浸入醇酸混合液中0.3 ~1 h,取出后用去离子水洗涤5~10次,按每平方厘米基片加10~15 mL 98 wt%浓硫酸,再将基片浸入浓硫酸中0.3~1 h,取出后用去离子水洗涤5~10次,常温干燥2~10 min,得改性基片;
c)按每平方厘米改性基片加20~40 mL单分散的LDHs纳米片溶胶计,将改性基片浸渍在单分散的LDHs纳米片溶胶中,浸渍10~20 min后,去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min得到LDHs纳米片组装基片;
d)将上述制得的LDHs纳米片组装基片置于0.5~1.5 mg/mL聚苯乙烯磺酸钠水溶液浸泡10~20 min,取出后以去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min得到表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片;
e)将所述表面电荷改性的LDHs纳米片组装基片置于步骤a)制得的半导体量子片水溶液中浸泡10~20 min,取出后去离子水冲洗5~10次,干燥5~10 min后得到半导体量子片杂化膜;
f)重复步骤c)、d)和e),按照LDHs-PSS-量子片-PSS的顺序叠层组装5-30次,制得半导体量子片杂化膜材料。
2.根据权利要求1所述半导体量子片杂化膜材料的制备方法,其特征在于:步骤a)中所述高级脂肪酸盐是含C数为12~26的高级脂肪酸的钠盐或者钾盐,所述金属盐为铟或钼的卤化物或硝酸盐。
3.根据权利要求1所述半导体量子片杂化膜材料的制备方法,其特征在于:步骤b)中所述基片为石英片或者硅片中的一种或者两种组合。
4.根据权利要求1所述半导体量子片杂化膜材料的制备方法,其特征在于:步骤b)中所述醇酸混合液为乙醇与浓盐酸的混合液,乙醇与浓盐酸的体积比为1:2~2:1。
5.根据权利要求1所述半导体量子片杂化膜材料的制备方法,其特征在于:步骤c)中所述分散的LDHs纳米片溶胶浓度为0.5~1.5 mg/mL。
6.根据权利要求1-5任一权利要求所述方法制得的半导体量子片杂化膜材料。
7.根据权利要求6所述半导体量子片杂化膜材料,其特征在于:所述材料以表面修饰的半导体量子片和表面带电荷的LDHs纳米片层层自组装而成,具有半导体量子片和LDHs纳米片有序组装的层状结构。
8.根据权利要求6所述半导体量子片杂化膜材料,其特征在于:所述半导体量子片为过渡金属铟或钼的氧化物。
9.根据权利要求6所述半导体量子片杂化膜材料,其特征在于:所述LDHs纳米片是由含有二价金属离子M1和三价金属离子M2的层状双金属氢氧化物经剥离制得的纳米片,其中金属离子M1为Mg2+、Zn2+、Ni2+中的一种或多种的组合,金属离子M2为Al3+和In3+中的一种或两者的组合。
10.根据权利要求6所述半导体量子片杂化膜材料的应用,其特征在于:作为红外低发射率材料。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107513370A true CN107513370A (zh) | 2017-12-26 |
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ID=60723316
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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- 2017-08-22 CN CN201710724083.2A patent/CN107513370A/zh active Pending
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