CN107508571A - 一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，其制备方法包括：在第一衬底上形成单晶压电材料层；在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。本发明实施例通过提供一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，解决了生长较厚的单晶压电材料形成压电薄膜时，生长缓慢、生产成本高、工艺难度大，很难实现低频段压电谐振器的问题；同时还解决了生长多晶压电材料形成压电薄膜时，材料结晶质量较差，压电谐振器性能降低的问题。本发明实施例既易于实现低频段压电谐振器，又可以提高压电谐振器的性能，且多晶压电材料的结晶度较高。
Description
技术领域
本发明实施例涉及压电器件领域，尤其涉及一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器。
背景技术
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)又称为压电薄膜体声波谐振器，其原理是压电薄膜的逆压电效应将输入的高频电信号转化为一定频率的声信号，并产生谐振，其中谐振频率处的声波损耗最小。通过压电谐振技术可以制备更先进的电子元器件，并为通信技术提供更广泛的应用前景。
通常，压电谐振器包括相对设置的两个电极以及位于两个电极之间的压电薄膜。目前，现有的技术方案中常采用单晶AlN压电材料或多晶AlN压电材料制备压电薄膜，但单晶AlN压电材料的生长或者沉积的速度慢，内应力不易控制，增加了较多的工艺问题，导致生产成本较高，难以得到厚度较大的压电薄膜，很难制备低频段更高性能的滤波器；而生长多晶AlN压电材料形成的压电薄膜的厚度可以达到较厚的厚度，可以实现低频段谐振器，但多晶AlN结晶质量较差，会使得品质因数Q和压电耦合系数kt 2较低，导致制备的谐振器的性能降低。
发明内容
本发明实施例提供一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，既可以容易制备厚度较厚的压电薄膜，易于实现低频段的压电谐振器，且降低了生产成本及工艺难度，又可以提高压电谐振器的性能，且多晶压电材料的结晶度较高。
第一方面，本发明实施例提供了一种压电谐振器的制备方法，包括：
在第一衬底上形成单晶压电材料层；
在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种压电谐振器，包括：
单晶压电材料层；
形成于所述单晶压电材料层一侧表面的多晶压电材料层；
形成于所述多晶压电材料层远离所述单晶压电材料层一侧表面的第一电极；
形成于所述单晶压电材料层远离所述多晶压电材料层一侧表面的第二电极。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器，通过在第一衬底上形成单晶压电材料层，再在单晶压电材料层上形成多晶压电材料层，以此形成由单晶压电材料层和多晶压电材料层组成的压电薄膜，可以通过调整单晶压电材料层和多晶压电材料层的厚度比来优化压电谐振器的综合性价比，可以通过调整压电薄膜的总厚度来实现低频段压电谐振器，在实现低频段压电谐振器的情况下，还可以形成较薄的单晶压电材料层和较厚的多晶压电材料层来降低生产成本及工艺难度；同时，由于单晶压电材料的结晶度高，因此，在单晶压电材料层上沉积的多晶压电材料的晶格起点排列更整齐，进而提高了多晶压电材料层中多晶压电材料的结晶度，进一步提高了压电谐振器的性能。
附图说明
图1是本发明实施例一提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；
图2-图3是本发明实施例一提供的制备流程中各步骤对应的压电谐振器的剖面结构示意图；
图4是本发明实施例二提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；
图5是本发明实施例三提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；
图6是本发明实施例四提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；
图7是本发明实施例五提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；
图8-图11是本发明实施例五提供的电极制备流程中各步骤对应的压电谐振器的剖面结构示意图；
图12是本发明实施例六提供的一种压电谐振器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种压电谐振器制备方法的流程图，图2-图3是本发明实施例一提供的制备流程中各步骤对应的压电谐振器的剖面结构示意图。本实施例可适用于提高压电谐振器性能的情况。如图1所示，本发明实施例提供的压电谐振器的制备方法具体包括：
步骤110、在第一衬底上形成单晶压电材料层。
参考图2，首先，在第一衬底10上形成单晶压电材料层11，其中，单晶压电材料层11的材料可以是单晶AlN，可以通过外延方法形成。示例性的，外延方法可以包括金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)又叫金属有机化学气相外延(MOVPE)，可以选择铝的有机物(一般可以是三甲基铝)作为铝源，氨气作为反应的氮源，可以在载流气体氢气输运下，将有机铝源和过剩的氨气输入到真空的反应腔内，在高温作用下，有机铝源与氨气发生反应，生产出高质量的单晶压电材料层11。此外，可选地单晶压电材料还可以为氧化锌(ZnO)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等，使其在第一衬底上形成单晶压电材料层11。
步骤120、在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。
参考图3，可以通过沉积方法在单晶压电材料层11远离第一衬底10一侧的表面形成多晶压电材料层12。其中，多晶压电材料层12与单晶压电材料层11的材料可以相同或不同，可选地，多晶压电材料层12的材料可以是多晶AlN，沉积方法可以为射频磁控溅射沉积技术，具体的，利用高纯Al靶(99.99％)，以高纯的Ar、N2，分别作为溅射气体和反应气体，在制备高质量单晶AlN材料层的基础上，通过对实验参数如工作气压、衬底温度、N2流量以及靶基距离等进行调整，制备多晶AlN薄膜材料。由于在第一衬底10上形成单晶压电材料层11，其结晶度高，可以使其表面沉积的多晶压电材料12存在排列更整齐的晶格起点，因此可以使得在所述的第一衬底10上沉积的多晶AlN压电材料的结晶度更高，性能更好。此外，可选地多晶压电材料还可以为氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)、钽酸锂(LiTaO3)或铌酸锂(LiNbO3)等，使其在制备的单晶压电材料层11上形成多晶压电材料层12。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法，通过在第一衬底上形成单晶压电材料层，再在单晶压电材料层上形成多晶压电材料层，以此形成由单晶压电材料层和多晶压电材料层组成的压电薄膜，可以通过调整单晶压电材料层和多晶压电材料层的厚度比来优化压电谐振器的综合性价比，可以通过调整压电薄膜的总厚度来实现低频段压电谐振器，在实现低频段压电谐振器的情况下，还可以形成较薄的单晶压电材料层和较厚的多晶压电材料层来降低生产成本及工艺难度；同时，由于单晶压电材料的结晶度高，因此，在单晶压电材料层上沉积的多晶压电材料的晶格起点排列更整齐，进而提高了多晶压电材料层中多晶压电材料的结晶度，进一步提高了压电谐振器的性能。
上述技术方案中，单晶压电材料层11和多晶压电材料层12的总厚度(即压电薄膜的厚度)大于或等于1.5μm，可以满足压电谐振器的谐振频率为100MHz～3GHz(低频段)的要求。
实施例二
图4为本发明实施例二提供的一种压电谐振器制备方法的流程图。本实施例在实施例一的基础上进行优化，在第一衬底上形成单晶压电材料层包括：
提供单晶衬底；在所述单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。多晶压电材料层与单晶压电材料层的材料相同。相应地，在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积多晶AlN，形成多晶AlN压电层。具体的，如图4所示，本实施例的方法包括：
步骤210、提供单晶衬底；
其中，若所制备的单晶压电材料层11的材料为单晶AlN，则所提供的单晶衬底可以是SiC、蓝宝石和GaN等单晶衬底，主要是因为AlN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，具有稳定的纤锌矿结构，使得在上述衬底上制备的AlN薄膜晶格失配度和热失配相对较小，进而使得制备薄膜的缺陷减少，降低晶格失配对薄膜质量的影响。
其中，A1N材料在的高温下依旧能够保持压电性，所以，A1N压电薄膜器件可以适应高温工作环境。良好的化学稳定性也使得A1N压电薄膜能够适应腐蚀性工作环境。A1N材料还具有良好的热传导特性，这使得由A1N制作的声波器件不会因工作产热而降低器件的使用寿命。因此，A1N可做优选材料。
步骤220、在单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。
其中，单晶衬底上外延生长单晶AlN，单晶AlN的外延生长可以为金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)，脉冲激光沉积(PLD)以及射频磁控溅射。本实施例中，可通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长单晶AlN。其中，在单晶A1N的生长过程中，以铝的有机物(一般是三甲基铝)作为铝源，氨气作为氮源，在载流气体氢气输运下，将有机铝源和过剩的氨气输入到真空反应腔内，在高温作用下，有机铝源与氨气发生反应，产生单晶A1N薄膜沉积在衬底表面。利用MOCVD可以对单晶A1N薄膜的组成、生长厚度及其均匀性进行严格的控制，制备出高质量的单晶A1N薄膜材料，适用于批量生产单晶A1N薄膜，制备的单晶A1N薄膜材料在光电子器件得到广泛应用。
步骤230、在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积多晶AlN，形成多晶AlN压电层。
其中，在单晶AlN压电层远离第一衬底10一侧的表面沉积多晶AlN，形成多晶AlN压电层，其中沉积的方法优选的是射频磁控溅射沉积，利用高纯Al靶(99.99％)，以高纯的Ar、N2，分别作为溅射气体和反应气体，在制备高质量单晶AlN材料层的基础上，通过对实验参数如：工作气压、衬底温度，N2流量以及靶基距离等调整，制备了多晶AlN薄膜材料。由于在第一衬底10上形成单晶压电材料层11，其结晶度高，可以使其表面沉积的多晶压电材料存在排列更整齐的晶格起点，因此可以使得在第一衬底10上沉积的多晶AlN压电材料的结晶度更高，性能更好。
本实施例中，单晶AlN压电层的厚度小于0.6μm。目前，单晶AlN压电层生长到0.6μm以上时，生长工艺时间较长，工艺问题较多，受工艺和生产要求的限制，生长更厚的单晶AlN压电层会大大增加生产成本，降低生产良率，因此，仅通过单晶AlN压电层很难制备高性能的低频段(比如1GHz以下)压电谐振器。本实施例单晶AlN压电层的厚度小于0.6μm，通过沉积多晶AlN压电层来增加压电薄膜的厚度，例如，压电谐振器的谐振频率要求做到2GHz，若对应压电薄膜的厚度为1.5μm，则其中单晶AlN压电层的厚度可以为0.5μm甚至更小，多晶AlN压电层的厚度则可以为1μm，由此可以节省制备单晶AlN压电层的时间，使得整体制备时间缩短，减少工艺问题，实现低频段及高性能的压电谐振器。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法，在单晶衬底上外延生长单晶AlN，可以减小AlN晶格失配度和热失配，利于单晶AlN结晶，降低晶格失配对压电薄膜质量的影响；在单晶AlN压电层上沉积多晶AlN压电层，与单纯用多晶AlN实现的谐振器和滤波器相比(目前业界主流大规模量产的产品)，可以降低损耗，实现高Q值和低插损。
实施例三
图5为本发明实施例三提供的一种压电谐振器制备方法的流程图。本实施例与上述实施例二不同的是：多晶压电材料层与单晶压电材料层的材料不同；相应的，在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：采用沉积法在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积多晶氧化锌，形成ZnO压电层。具体的，如图5所示，本发明实施例的方法包括：
步骤310、提供单晶衬底；
步骤320、在单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。
步骤330、采用沉积法在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积多晶氧化锌，形成ZnO压电层。
其中，ZnO薄膜也具有较高的压电性(压电常数d33≈12pm/V)，其结构也为纤锌矿结构，可以在单晶AlN薄膜的基础上，形成良好的晶格匹配，降低晶格失配对多晶ZnO薄膜质量的影响。
可选地，在单晶AlN压电层远离第一衬底10一侧的表面沉积多晶氧化锌，形成多晶ZnO压电层，沉积的方法优选的是射频磁控溅射沉积，利用ZnO陶瓷靶(99.9％)，以高纯的O2、Ar，分别作为反应气体和保护气体，在制备高质量单晶AlN材料层的基础上，通过对实验参数如工作气压、气体流量、衬底温度、沉积时间以及靶基距离等进行调整，制备多晶ZnO压电层。由于在第一衬底10上形成单晶压电材料层11，其结晶度高，可以使其表面沉积的多晶压电材料存在排列更整齐的晶格起点，因此可以使得在第一衬底上沉积的多晶ZnO压电材料的结晶度更高，性能更好。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法，在单晶AlN压电层上沉积多晶ZnO，相对于多晶AlN压电层，可以提高压电谐振器的压电耦合系数kt 2，进而提高压电谐振器的性能。
实施例四
图6为本发明实施例四提供的一种压电谐振器制备方法的流程示意图。本实施例与上述实施例二不同的是：多晶压电材料层与单晶压电材料层的材料不同；相应的，在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：采用沉积法在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积锆钛酸铅压电陶瓷，形成PZT压电层。具体的，如图6所示，本发明实施例的方法包括：
步骤410、提供单晶衬底；
步骤420、在单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。
步骤430、采用沉积法在单晶AlN压电层远离第一衬底一侧的表面沉积锆钛酸铅压电陶瓷，形成PZT压电层。
其中，PZT薄膜具备突出的力-电耦合性能，其压电耦合系数kt 2较高，是制作宽带宽滤波器的首选材料。可选地，在单晶AlN压电层远离第一衬底10一侧的表面沉积多晶锆钛酸铅压电陶瓷，形成多晶PZT压电层，沉积的方法优选的是脉冲激光沉积方法，比如以Zr/Ti＝52/48的PZT压电陶瓷为靶材，在制备有单晶AlN压电层上，使用脉冲激光沉积法制备PZT薄膜。其中，使用KrF脉冲激光器，实验时先将进行抽真空，在通入氧气达到一定压强。经制备有高质量单晶AlN压电层的衬底进行加热到一定温度，激光以45℃角入射到PZT靶材，使其原子从靶材上射出沉积到衬底上。随后缓慢冷却至室温使薄膜晶化，从而制备出PZT薄膜。通过对实验参数如工作气压、基底温度、沉积时间以及靶基距离等进行调整，制备PZT压电层。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法，在单晶AlN压电层上沉积PZT压电层，相对于多晶AlN压电层，可以提高压电谐振器的压电耦合系数kt 2，进而提高压电谐振器的性能。
实施例五
图7是本发明实施例五提供的一种压电谐振器制备方法的流程图；图8-图11是本发明实施例五提供的电极制备流程中各步骤对应的压电谐振器的剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，本实施例在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层之后，还可以包括：在多晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成第一电极；将带有第一电极的压电谐振器通过第一电极压合至第二衬底，并利用薄膜转移工艺将第一衬底剥离掉；在单晶压电材料层远离第二衬底一侧的表面形成第二电极。具体的，如图7所示，本发明实施例的方法包括：
步骤510、在第一衬底上形成单晶压电材料层。
步骤520、在单晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。
步骤530、在多晶压电材料层远离第一衬底一侧的表面形成第一电极。
参考图8，在多晶压电材料层12远离第一衬底10一侧的表面形成第一电极13，其形成的方法可以是磁控溅射方法，沉积于多晶压电材料层12上一层钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、铂(Pt)、银(Ag)、钛(Ti)和钼(Mo)中的一种或多种组合，其中第一电极13可以是与衬底类似的形状。
步骤540、将带有第一电极的压电谐振器通过第一电极压合至第二衬底，并利用薄膜转移工艺将第一衬底剥离掉。
参考图9，示例性的，首先，将第一衬底10、单晶压电材料层11、多晶压电材料层12及第一电极13翻转并将第一电极13机械压合至第二衬底14上，使第一电极13远离单晶压电材料层11的表面与第二衬底14表面键合形成牢固结构。其次，通过激光剥离或是等离子体剥离将单晶压电材料层11从第一衬底10上剥离掉，激光剥离或是等离子体剥离率较高，同时可以尽可能地避免剥离过程中的薄膜及衬底片的破裂。
步骤550、在单晶压电材料层远离第二衬底一侧的表面形成第二电极。
参考图10，基于上述方案，在单晶压电材料层11远离第一电极13一侧的表面上通过磁控溅射技术形成一层钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铂(Pt)和钼(Mo)等其中的一种电极结构，该电极结构为第二电极15。优选地，第一电极13和第二电极15材料可以为铝(Al)和铂(Pt)。其中，沉积的第一电极13和第二电极15的厚度根据实际生产要求的情况而定；同时，电极形状可以与衬底或压电薄膜相似或不相似，具体结构需要根据实际情况进行确定。其中，第二衬底14可以是硅片，可以为一层牺牲材料作为临时的支撑结构，最后，参考图11，可以通过刻蚀技术，去除掉第二衬底14中的部分材料，形成空腔。
目前，在制备多晶压电谐振器时，先在衬底上形成一个钼电极，再在该钼电极上形成压电薄膜，此时，谐振器中的内应力相对比较容易控制，使得基于多晶AlN的大规模量产成为可能。如果换成其他金属电极，谐振器的内应力比较难控制，生产良率较低。
本发明实施例提供的一种压电谐振器的制备方法，形成的电极不局限于钼电极，可以选择多种导电材料，且在制备压电薄膜之后形成第一电极，在将第一衬底剥离后，在压电薄膜的另一面形成第二电极，避免了直接在第二电极上形成压电薄膜，使得压电材料两面上的电极可以根据不同的工艺和性能需求选择不同的金属材料以期达到最佳的性价比。比如，铝就比钼有着更小的电阻率，于是降低谐振器的寄生电阻，提高谐振器的Q值。
实施例六
图12是本发明实施例六提供的一种压电谐振器的结构示意图。该压电谐振器可使用本发明实施例提供的任一种压电谐振器的制备方法制备，如图12所示，该压电谐振器包括：
形成于单晶压电材料层11一侧表面的多晶压电材料层12；形成于多晶压电材料层12远离单晶压电材料层11一侧表面的第一电极13；形成于单晶压电材料层11远离多晶压电材料层12一侧表面的第二电极15。
其中，单晶压电材料层11的材料优选可以为单晶AlN。由于AlN声波速较高，使得AlN薄膜材料可以被用来制作(GHz)高频谐振器，并且AlN材料的损耗较低，可以实现高品质因数(Q)值，而且能够在复杂的工作环境中使用，因而在移动通信中已得到广泛应用。
可选地，多晶压电材料层12可以与单晶压电材料层11的材料相同或不同，例如：多晶压电材料层12的材料可以为多晶AlN、锆钛酸铅压电陶瓷、多晶氧化锌、钽酸锂或铌酸锂等。其中，LiNbO3的压电耦合系数(kt 2)较高，其中，压电耦合系数(kt 2)是衡量压电材料压电性能强弱的重要物理量，决定了滤波器可实现的带宽。因此，LiNbO3和PZT的压电耦合系数(kt 2)较高，带宽大；氧化锌(ZnO)次之，其kt 2为7.5％；AlN最差，其kt 2为6.5％。另外，所述品质因数(Q)是描述滤波器件的一个很重要的指标，而压电谐振器的Q值取决于压电薄膜材料的固有损耗以及体声波在衬底中的损耗。在此方面，AlN和ZnO的材料损耗要优于PZT材料。
可选地，所述单晶压电材料层的厚度小于0.6μm。
可选地，单晶压电材料层和多晶压电材料层总厚度大于或等于1.5μm。
可选地，第一电极13与第二电极15的材料可以为Al、Cu、Ag、Pt、W、Ti和Mo中的一种或者多种组合。优选为Al和Pt，主要原因是Al材料的电阻率较小，Pt和W电极在AlN谐振器中的力学性质较优。
需要说明的是，未在本实施例详尽描述的内容请参考上述方法实施例，此处不再赘述。
本发明实施例提供的压电谐振器可以为应用于谐振频率为低频段的通信领域，相比现有技术来说，本发明实施例提供的一种压电谐振器，通过在所述单晶压电材料层一侧表面上形成多晶压电材料层，可以使得压电材料层在较快时间内达到一定厚度，缩短了工艺时间，降低了生产成本，可以实现低频段的谐振频率，同时保证高Q值和高压电耦合系数(kt 2)的性能，并提高了滤波器带宽，增加其应用范围。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种压电谐振器的制备方法，其特征在于：包括：
在第一衬底上形成单晶压电材料层；
在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。
2.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在第一衬底上形成单晶压电材料层包括：
提供单晶衬底；
在所述单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。
3.根据权利要求2所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述多晶压电材料层与所述单晶压电材料层的材料相同。
4.根据权利要求3所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：
在所述单晶AlN压电层远离所述第一衬底一侧的表面沉积多晶AlN，形成多晶AlN压电层。
5.根据权利要求2所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述多晶压电材料层与所述单晶压电材料层的材料不同。
6.根据权利要求5所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：
采用沉积法在所述单晶AlN压电层远离所述第一衬底一侧的表面沉积锆钛酸铅压电陶瓷、多晶氧化锌、钽酸锂或铌酸锂，形成PZT压电层、ZnO压电层、LiTaO3压电层或LiNbO3压电层。
7.根据权利要求2-6任一项所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述单晶AlN压电层的厚度小于0.6μm。
8.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述单晶压电材料层和所述多晶压电材料层的总厚度大于或等于1.5μm。
9.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层之后，还包括：
在所述多晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成第一电极；
将带有所述第一电极的压电谐振器通过所述第一电极压合至第二衬底，并利用薄膜转移工艺将所述第一衬底剥离掉；
在所述单晶压电材料层远离所述第二衬底一侧的表面形成第二电极。
10.根据权利要求9所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一种或者多种组合。
11.一种压电谐振器，其特征在于，包括：
单晶压电材料层；
形成于所述单晶压电材料层一侧表面的多晶压电材料层；
形成于所述多晶压电材料层远离所述单晶压电材料层一侧表面的第一电极；
形成于所述单晶压电材料层远离所述多晶压电材料层一侧表面的第二电极。
12.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层的材料为单晶AlN。
13.根据权利要求12所述的压电谐振器，其特征在于，所述多晶压电材料层的材料为多晶AlN、锆钛酸铅压电陶瓷、多晶氧化锌、钽酸锂或铌酸锂。
14.根据权利要求12或13所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层的厚度小于0.6μm。
15.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层和所述多晶压电材料层的总厚度大于或等于1.5μm。
16.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一种或多种组合。
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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