CN107482122A - 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 - Google Patents

一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107482122A
CN107482122A CN201710731518.6A CN201710731518A CN107482122A CN 107482122 A CN107482122 A CN 107482122A CN 201710731518 A CN201710731518 A CN 201710731518A CN 107482122 A CN107482122 A CN 107482122A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
layer
solar cell
perovskite solar
nickel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710731518.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107482122B (zh
Inventor
罗伟
庞茂印
任辉彩
胡臻玉
张江峰
王永磊
曹原
胡葆华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Valiant Co Ltd
Original Assignee
Valiant Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Valiant Co Ltd filed Critical Valiant Co Ltd
Priority to CN201710731518.6A priority Critical patent/CN107482122B/zh
Publication of CN107482122A publication Critical patent/CN107482122A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107482122B publication Critical patent/CN107482122B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于光伏材料领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及制备方法,该钙钛矿太阳能电池,依次包括从下至上依次层叠的导电玻璃衬底、NiOx空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层和金属电极层,所述钙钛矿太阳能电池中各层均采用低温溶液法制成,其中NiOx空穴传输层中共掺杂有Y3+与Mg2+/Cu2+;本发明的制备工艺简单,得到的钙钛矿太阳能电池性能稳定、迟滞效应小,适宜产业化生产。

Description

一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
技术领域
本发明属于光伏材料领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池及制备方法。
背景技术
近年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池发展十分迅速,其光电转换效率已经达到22%左右,且钙钛矿太阳能电池原料来源丰富,工艺简单,成本较低,可制备成柔性电池,得到了学术界和产业界的广泛重视。
空穴传输层材料影响钙钛矿太阳能电池的光吸收效率,界面复合率以及空穴传输能力,直接影响钙钛矿太阳能电池的发电效率、稳定性、迟滞效应等。NiOx型空穴传输材料在反式钙钛矿太阳能电池中备受青睐,但传统的高温热解制备方法不但增加设备成本且无法应用于柔性材料,且单纯的NiOx层导电率较低,限制了其所制备钙钛矿太阳能电池的发电效率。因此,寻求一种低温制备且电导率较高的NiOx空穴传输层对实现钙钛矿太阳能电池产业化具有重要意义。
发明内容
本发明针对上述太阳能电池的光电转换效率低、稳定性不足等问题,提供一种光电转换效率高,稳定性好,迟滞效应小的钙钛矿太阳能电池,其制备工艺简单。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种钙钛矿太阳能电池,依次包括从下至上层叠的导电玻璃衬底、NiOx空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层和金属电极层,所述NiOx空穴传输层中共掺杂有Y3+与Mg2+/Cu2+(Y3+与Mg2+或掺杂Y3+与Cu2+),其中NiOx空穴传输层中的X取值范围为2-3,且包括2与3。
本发明提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
A、导电玻璃衬底的处理:将导电玻璃导电面朝上放入紫外臭氧机内,设定处理时间为5-30min,打开紫外灯进行紫外臭氧处理待用;
B、NiOx空穴传输层的制备:将氧化钇溶解于酸中,得到钇盐溶液,然后将镍盐与镁盐/铜盐溶解于去离子水中,并与钇盐溶液进行混合,通过碱液调节pH为9-11,得到悬浊液,接着将悬浊液离心、洗涤、干燥、煅烧得到掺杂有Y与Mg/Cu原子的氧化镍纳米颗粒,将氧化镍纳米颗粒加入溶剂中进行超声分散,得到第一前驱液,并在步骤A处理得到的前电极上表面涂布第一前驱液,涂布完毕后,进行退火处理后,自然冷却至室温,形成NiOx空穴传输层;
C、钙钛矿吸收层的制备:将卤化铅与卤化甲基胺溶于有机溶剂中,配置得到第二前驱液,并涂布于步骤B中形成的NiOx空穴传输层上,在加热板上退火处理得到钙钛矿吸收层;
D、电子传输层的制备:将富勒烯衍生物溶于氯苯中,并加热搅拌溶解得到第三前驱液,并涂布于步骤C中处理得到的钙钛矿吸收层上,并在加热板上退火处理后得到电子传输层;
E、缓冲层的制备:将BCP(化学名称为2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉)加入甲醇(每毫升甲醇加3mg BCP,甲醇的体积浓度为90%或采用纯甲醇)中搅拌得到过饱和溶液,并涂布于步骤D中得到的电子传输层上,然后在加热板上退火处理得到缓冲层;
F、金属电极层的制备:将步骤E中得到的缓冲层置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,并在缓冲层表面上蒸镀Au、Ag或Al,形成金属电极层。
作为本发明进一步优选,在步骤A中,所述导电玻璃为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃,紫外臭氧处理时间为5-30min,FTO导电玻璃为掺杂氟的氧化锡透明导电玻璃,其FTO膜层在导电玻璃的表面厚度为1-2mm,而ITO导电玻璃为掺杂铟的氧化锡透明导电玻璃,其ITO膜层在导电玻璃的表面厚度为1-2mm;
在步骤B中,所述干燥温度为60-120℃,所述煅烧温度为250-500℃,所述退火处理温度为100-200℃,退火时间为10-30min;
在步骤C中,加热板温度控制在100-120℃,退火时间控制在10-30min;
在步骤D中,所述加热搅拌溶解温度控制在40-50℃,所述加热板温度控制在60-80℃,退火时间控制在10-30min;
在步骤E中,所述加热板温度控制在60-80℃,退火时间控制在10-30min。
作为本发明进一步优选,在步骤B中,所述钇盐中的钇与所述镍盐中的镍,其原子个数比例Y:Ni=(2-10):100,所述钇盐中的钇与所述镁盐中的镁,其原子个数比例Mg:Y=1:10-10:1,所述钇盐中的钇与所述铜盐中的铜,其原子个数比例Cu:Y=1:10-10:1,所述钇盐溶液浓度为0.05-0.2mol/L,所述镍盐溶液、镁盐溶液、铜盐溶液浓度为0.05-0.2mol/L,所述氧化镍在所述第一前驱液中的浓度为2-6mg/ml。
作为本发明进一步优选,所述镍盐为氯化镍、硫酸镍、硝酸镍中的一种或几种的混合物,所述镁盐为氯化镁、硫酸镁、硝酸镁中的一种或几种的混合物,所述铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜中的一种或几种的混合物;
作为本发明进一步优选,在步骤D中,所述富勒烯衍生物在所述第三前驱液中的浓度为10-20mg/mL。
作为本发明进一步优选,所述富勒烯衍生物为PC61BM(化学名称为6,6-苯基-碳61-丁酸甲酯)。
作为本发明进一步优选,在步骤C中,所述卤化铅和卤化甲基胺摩尔比为1:(0.75-3),所述第二前驱液中的铅离子浓度为0.5-2mol/L。
作为本发明进一步优选,所述卤化铅为PbCl2、PbBr2、PbI2中的一种或几种的混合物;所述卤化甲基胺为CH3NH3Cl、CH3NH3Br或CH3NH3I。
作为本发明进一步优选在步骤B中,所述碱液为碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中的一种或几种的混合物,所述酸为盐酸、硫酸、硝酸中的一种或几种的混合物;所述溶剂为去离子水、正丁醇、氯苯中的一种或几种的混合物,
在步骤C中,所述有机溶剂为DMF、DMSO中的一种或两者的混合物。
作为本发明进一步优选,在步骤B中,所述NiOx空穴传输层的膜层厚度控制在5-30nm;
在步骤C中,所述钙钛矿吸收层的膜层厚度控制在400-500nm;
在步骤D中,所述电子传输层的膜层厚度控制在50-80nm;
在步骤E中,所述缓冲层的膜层厚度控制在10-100nm;
在步骤F中,所述金属电极层的膜层厚度控制在70-200nm。
本发明的有益效果是:
1、本发明在空穴传输层NiOx中掺杂钇和铜或钇和镁,钇能增大氧化镍的晶格常数,提高空穴输运能力,铜和镁离子能提高氧化镍的导电率,降低钙钛矿太阳能电池的串联电阻,提高短路电流,最终提高电池的光电转换效率,迟滞效应小。
2、本发明采用低温溶液法制备掺杂的空穴传输层NiOx,避免了高温反应造成的设备成本高,适宜产业化生产。
附图说明
图1为本发明一种钙钛矿太阳能电池器件的结构示意图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、导电玻璃衬底,2、NiOx空穴传输层,3、钙钛矿吸收层,4、电子传输层,5、缓冲层,6、金属电极层。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
一种钙钛矿太阳能电池,如图1所示,包括依次导电玻璃衬底1,NiOx空穴传输层2,钙钛矿吸收层3,电子传输层4,缓冲层5,金属电极层6,导电玻璃衬底选为FTO导电玻璃,其具体的制备步骤如下:
A、FTO导电玻璃衬底1的处理:FTO导电玻璃中FTO的方阻为14Ω,透过率为90%,衬底清洗后,将导电面朝上放入紫外臭氧机内,设定处理时间为5min,打开紫外灯,对其进行紫外臭氧处理,完成后取出备用;
B、NiOx空穴传输层2的制备:将氧化钇溶于硝酸,配成0.1mol/L的硝酸钇溶液,将硝酸镁和硝酸镍溶解于去离子水中,配成0.1mol/L的硝酸镁、硝酸镍溶液,并与硝酸钇溶液混合,加入氢氧化钠溶液,调节pH值至10,得到悬浊液,将悬浊液离心、洗涤并在90℃真空干燥箱中烘干10h,然后再350℃煅烧3h,得到掺杂有Y和Mg的氧化镍纳米颗粒,其中,掺杂钇原子、镁原子与镍原子个数的比例Y:Mg:Ni=3:3:100,将掺杂有Y和Mg的氧化镍纳米颗粒3mg加入1ml去离子水中超声分散8h,配制成均匀的悬浊液。将步骤A中处理好的、FTO导电玻璃衬底1面朝上放置于旋涂机台面上,滴加以上悬浊液进行旋涂,速度2000rpm,时间30s,然后140℃退火20min,得到厚度为15nm的NiOx空穴传输层2;
C、钙钛矿吸收层3的制备:将摩尔比为0.95:1的的CH3NH3I和PbI2溶于DMF溶液中,搅拌溶解4h,配制成第二前驱液,其中PbI2在第二前驱液中的浓度为1.8mol/L,将第二前驱液旋涂在NiOx空穴传输层2上,旋涂速度为6000rpm,时间30s,然后在105℃下退火10min,得到厚度为500nm的钙钛矿吸收层3;
D、电子传输层4的制备:将PC61BM溶于无水氯苯中,配制成20mg/mL的第三前驱液,45℃下搅拌溶解4h。将上述PC61BM的氯苯溶液旋涂在钙钛矿吸收层上,旋涂速度为1500rpm,时间30s,70℃退火10min,形成厚度为100nm的PC61BM电子传输层4;
E、BCP缓冲层5的制备:将30mg BCP加入10ml甲醇中,制备成过饱和溶液,取上清液旋涂在电子传输层上,70℃退火10min,形成厚度为10nm的BCP缓冲层5;
F、金属电极层6的制备:将上述制备好的衬底置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,蒸镀Ag,形成得到厚度为100nm的Ag电极层6。
实施例2
一种钙钛矿太阳能电池,如图1所示,包括依次1、导电玻璃衬底,2、NiOx空穴传输层,3、钙钛矿吸收层,4、电子传输层,5、缓冲层,6、金属电极层,导电玻璃衬底选为FTO导电玻璃其具体的制备步骤如下:
A、FTO导电玻璃衬底的处理:FTO导电玻璃衬底中的FTO的方阻为14Ω,透过率为90%,衬底清洗后,将导电面朝上放入紫外臭氧机内,设定处理时间为5min,打开紫外灯,对其进行紫外臭氧处理,完成后取出备用;。
B、NiOx空穴传输层的制备:将氧化钇溶于硝酸,配成0.1mol/L的硝酸钇溶液,将硝酸镁和硝酸镍溶解于去离子水中,配成0.1mol/L的硝酸镁和硝酸镍溶液并与硝酸钇溶液混合,加入氢氧化钠溶液,调节PH值至10,得到悬浊液,将悬浊液离心洗剂得到粉末,将粉末与90℃真空干燥箱中烘干10h,然后再350℃煅烧3h,得到掺杂有Y和Mg的氧化镍纳米颗粒,其中,掺杂钇原子、镁原子与镍原子的原子个数比例Y:Mg:Ni=3:3:100,将掺杂有Y和Mg的氧化镍纳米颗粒3mg加入1ml去离子水中超声分散24h,配制成均匀的悬浊液。将上述处理好的导电衬底前电极面朝上放置于旋涂机台面上,滴加以上悬浊液进行旋涂,速度2000rpm,时间30s,然后140℃退火20min,得到厚度为13nm的NiOx空穴传输层2;
C、钙钛矿吸收层的制备:将摩尔比为3:1的的CH3NH3I和PbI2溶于DMF溶液中,搅拌溶解4h,配制成配制成第二前驱液,其中PbI2在第二前驱液中的浓度为0.5mol/L,然后将第二前驱液以超声喷涂的方式喷涂到NiOx空穴传输层上,喷涂高度40mm,喷涂速度170mm.S-1,喷涂压力10psi,然后在100℃下退火10min,得到厚度为480nm的钙钛矿吸收层3;
D、电子传输层的制备:将PC61BM溶于无水氯苯中,配制成20mg/mL的第三前驱液,45℃下搅拌溶解4h。将上述P61CBM的氯苯溶液以超声喷涂的方式喷涂到钙钛矿吸收层上,喷涂高度40mm,喷涂速度170mm.S-1,喷涂压力10psi,70℃退火10min,形成厚度为95nm的PC61BM电子传输层4;
E、BCP缓冲层的制备:将BCP的甲醇饱和溶液以超声喷涂的方式喷涂到电子传输层上,喷涂高度40mm,喷涂速度160mm.S-1,喷涂压力10psi,70℃退火10min,形成厚度为9nm的BCP缓冲层5;
F、金属电极层的制备:将上述制备好的衬底置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,蒸镀Ag,形成厚度为100nm的Ag电极层6。
实施例3
一种钙钛矿太阳能电池,如图所示,包括依次1、导电玻璃衬底,2、NiOx空穴传输层,3、钙钛矿吸收层,4、电子传输层,5、缓冲层,6、金属电极层,导电玻璃衬底选为ITO导电玻璃其具体的制备步骤如下:
A、ITO导电玻璃衬底的处理:ITO导电玻璃衬底中ITO的方阻为8Ω,透过率为86%,衬底清洗后,将导电面朝上放入紫外臭氧机内,设定处理时间为5min,打开紫外灯,对其进行紫外臭氧处理,完成后取出备用;B、NiOx空穴传输层的制备:将氧化钇溶于硝酸,配成0.1mol/L的硝酸钇溶液,将硝酸铜和硝酸镍溶解于去离子水中,配成0.1mol/L的硝酸铜和硝酸镍溶液,并与硝酸钇溶液混合,加入氢氧化钠溶液,调节PH值至10,得到悬浊液,将悬浊液离心洗剂得到粉末,将粉末与90℃真空干燥箱中烘干10h,然后再350℃煅烧3h,得到掺杂有Y和Cu的氧化镍纳米颗粒,其中,掺杂钇原子、铜原子与镍原子的比例Y:Cu:Ni=3:2:100,将掺杂有Y和Cu的氧化镍纳米颗粒3mg加入1ml去离子水中超声分散8h,配制成均匀的悬浊液。将上述处理好的导电衬底前电极面朝上放置于旋涂机台面上,滴加以上悬浊液进行旋涂,速度2000rpm,时间30s,然后140℃退火20min,得到厚度为13nm的NiOx空穴传输层2;
C、钙钛矿吸收层的制备:将摩尔比为0.95:1的的CH3NH3I和PbI2溶于DMF溶液中,搅拌溶解4h,配制成配制成第二前驱液,其中PbI2在第二前驱液中的浓度为1.8mol/L,将第二前驱液旋涂在NiOx空穴传输层上,旋涂速度为6000rpm,时间30s,然后在105℃下退火10min,得到厚度为495nm的钙钛矿吸收层3;
D、电子传输层的制备:将PC61BM溶于无水氯苯中,配制成20mg/mL的第三前驱液,45℃下搅拌溶解4h。将上述PC61BM的氯苯溶液旋涂在钙钛矿吸收层上,旋涂速度为1500rpm,时间30s,70℃退火10min,形成PC61BM电子传输层;
E、BCP缓冲层的制备:将30mg BCP的加入10ml甲醇中,制备成过饱和溶液,取上清液旋涂在电子传输层上,70℃退火10min,形成厚度为8nm的BCP缓冲层5;
F、金属电极层的制备:将上述制备好的衬底置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,蒸镀Ag,形成厚度为100nm的Ag电极层6。
对比例1
一种钙钛矿太阳能电池,如图所示,包括依次1、导电玻璃衬底,2、NiOx空穴传输层,3、钙钛矿吸收层,4、电子传输层,5、缓冲层,6、金属电极层,导电玻璃衬底选为FTO导电玻璃其具体的制备步骤如下:
A、FTO导电玻璃衬底的处理:FTO导电玻璃衬底中的FTO的方阻为14Ω,透过率为90%,衬底清洗后,将导电面朝上放入紫外臭氧机内,设定处理时间为5min,打开紫外灯,对其进行紫外臭氧处理,完成后取出备用;
B、NiOx空穴传输层的制备:将2g乙酰丙酮镍溶于150ml乙腈中电磁搅拌4h,得到绿色透明溶液,将上述处理好的导电衬底前电极面朝上放置于加热板上并加热至550℃,取上述乙酰丙酮镍溶液20ml均匀喷涂至导电衬底前电极面上,喷涂高度30mm,喷涂压力10psi,继续加热30min,关闭加热,自然冷却,得到厚度为10nm的NiOx空穴传输层2;
C、钙钛矿吸收层的制备:将摩尔比为0.95:1的的CH3NH3I和PbI2溶于DMF溶液中,搅拌溶解4h,配制成配制成第二前驱液,其中PbI2在第二前驱液中的浓度为1.8mol/L,将第二前驱液旋涂在NiOx空穴传输层上,旋涂速度为6000rpm,时间30s,然后在105℃下退火10min,得到厚度为495nm的钙钛矿吸收层3;
D、电子传输层的制备:将PC61BM溶于无水氯苯中,配制成20mg/mL的第三前驱液,45℃下搅拌溶解4h。将上述PC61BM的氯苯溶液旋涂在钙钛矿吸收层上,旋涂速度为1500rpm,时间30s,70℃退火10min,形成95nm厚度的PC61BM电子传输层4;
E、BCP缓冲层的制备:将30mg BCP的加入10ml甲醇中,制备成过饱和溶液,取上清液旋涂在电子传输层上,70℃退火10min,形成BCP缓冲层5,其厚度为8nm;
F、金属电极层的制备:将上述制备好的衬底置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,蒸镀Ag,形成厚度为100nm的Ag电极层6。
将实施例1至实施3以及对比例1进行电性测试,打开太阳光模拟器,设定辐照度在0.9990,将太阳能电池放在光斑中心区域,连接太阳能电池与IC测试仪进行测试。得到电性数据如下表一所示:
表一
从表中可以看出,三个实施列所制备钙钛矿太阳能电池的开路电压(Voc),短路电流(Jsc)以及填充因子(FF)都较高,特别是短路电流(Jsc),远远高于传统方法所制备电池的短路电流(Jsc),说明在氧化镍层中掺杂Y3+与Mg2+或掺杂Y3+与Cu2+提高了空穴输运能力,降低了钙钛矿太阳能电池的串联电阻,提高了短路电流(Jsc),最终所得了较高发电效率(Eff)的钙钛矿太阳能电池。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,依次包括从下至上层叠的导电玻璃衬底(1)、NiOx空穴传输层(2)、钙钛矿吸收层(3)、电子传输层(4)、缓冲层(5)和金属电极层(6),所述NiOx空穴传输层(2)中共掺杂有Y3+与Mg2+/Cu2+
2.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A、导电玻璃衬底(1)的处理:将导电玻璃进行紫外臭氧处理待用;
B、NiOx空穴传输层(2)的制备:将氧化钇溶解于酸中,得到钇盐溶液,然后将镍盐与镁盐/铜盐溶解于去离子水中,得到镍盐、镁盐/铜盐溶液,并与钇盐溶液进行混合,通过碱液调节pH为9-11,得到悬浊液,接着将悬浊液离心、洗涤、干燥、煅烧得到掺杂有Y与Mg/Cu原子的氧化镍纳米颗粒,将氧化镍纳米颗粒加入溶剂中进行超声分散,得到第一前驱液,并在步骤A处理得到的导电玻璃衬底(1)上表面涂布第一前驱液,涂布完毕后,进行退火处理后,自然冷却至室温,形成NiOx空穴传输层(2);
C、钙钛矿吸收层(3)的制备:将卤化铅与卤化甲基胺溶于有机溶剂中,配置得到第二前驱液,并涂布于步骤B中形成的NiOx空穴传输层(2)上,在加热板上退火处理,得到钙钛矿吸收层(3);
D、电子传输层(4)的制备:将富勒烯衍生物溶于氯苯中,并加热搅拌溶解得到第三前驱液,并涂布于步骤C中处理得到的钙钛矿吸收层(3)上,并在加热板上退火处理后得到电子传输层(4);
E、缓冲层(5)的制备:将BCP加入甲醇中搅拌得到过饱和溶液,并涂布于步骤D中得到的电子传输层(4)上,然后在加热板上退火处理得到缓冲层(5);
F、金属电极层(6)的制备:将步骤E中得到的缓冲层(5)置于真空蒸镀室中,真空度达到1×10-4Pa以上,并在缓冲层(5)表面上蒸镀Au、Ag或Al,形成金属电极层(6)。
3.根据权利要求2所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,
在步骤A中,所述导电玻璃为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃,紫外臭氧处理时间为5-30min;
在步骤B中,所述干燥温度为60-120℃,时间为8-12h;所述煅烧温度为250-500℃,时间为1-4h;所述退火处理温度为100-200℃,时间为10-30min;
在步骤C中,加热板温度控制在100-120℃,退火时间控制在10-30min;
在步骤D中,所述加热搅拌溶解温度控制在40-50℃,所述加热板温度控制在60-80℃,退火时间控制在10-30min;
在步骤E中,所述加热板温度控制在60-80℃,退火时间控制在10-30min。
4.根据权利要求2所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在步骤B中,所述钇盐中的钇与所述镍盐中的镍,其原子个数比例Y:Ni=(2-10):100,所述钇盐中的钇与所述镁盐中的镁,其原子个数比例Mg:Y=1:10-10:1,所述钇盐中的钇与所述铜盐中的铜,其原子个数比例Cu:Y=1:10-10:1,将钇盐溶液浓度为0.05-0.2mol/L,所述镍盐溶液、镁盐溶液、铜盐溶液浓度均为0.05-0.2mol/L,所述氧化镍在所述第一前驱液中的浓度为2-6mg/ml。
5.根据权利要求4所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述镍盐为氯化镍、硫酸镍、硝酸镍中的一种或几种的混合物,所述镁盐为氯化镁、硫酸镁、硝酸镁中的一种或几种的混合物,所述铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜中的一种或几种的混合物。
6.根据权利要求2所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在步骤C中,所述卤化铅和卤化甲基胺摩尔比为1:(0.75-3),所述第二前驱液中的铅离子浓度为0.5-2mol/L。
7.根据权利要求6所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述卤化铅为PbCl2、PbBr2、PbI2中的一种或几种的混合物;所述卤化甲基胺为CH3NH3Cl、CH3NH3Br或CH3NH3I。
8.根据权利要求2所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在步骤D中,所述富勒烯衍生物在所述第三前驱液中的浓度为10-20mg/mL。
9.根据权利要求8所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述富勒烯衍生物为PC61BM。
10.根据权利要求2所述一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,
在步骤B中,所述NiOx空穴传输层(2)厚度控制在5-30nm;
在步骤C中,所述钙钛矿吸收层(3)厚度控制在400-500nm;
在步骤D中,所述电子传输层(4)厚度控制在50-80nm;
在步骤E中,所述缓冲层(5)厚度控制在10-100nm;
在步骤F中,所述金属电极层(6)厚度控制在70-200nm。
CN201710731518.6A 2017-08-23 2017-08-23 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 Active CN107482122B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710731518.6A CN107482122B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710731518.6A CN107482122B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107482122A true CN107482122A (zh) 2017-12-15
CN107482122B CN107482122B (zh) 2019-12-17

Family

ID=60602284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710731518.6A Active CN107482122B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107482122B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108574046A (zh) * 2018-05-24 2018-09-25 中节能万润股份有限公司 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108615815A (zh) * 2018-04-08 2018-10-02 华中科技大学鄂州工业技术研究院 NiO基致密层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108987581A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 中节能万润股份有限公司 一种自清洁钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109216558A (zh) * 2018-09-10 2019-01-15 陕西师范大学 含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法
WO2019128993A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 Tcl集团股份有限公司 空穴传输材料及其制备方法和应用
CN110224067A (zh) * 2019-06-27 2019-09-10 上海黎元新能源科技有限公司 钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料及其制备方法和应用
CN111092160A (zh) * 2019-11-27 2020-05-01 中国科学院金属研究所 一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法
CN112397670A (zh) * 2019-08-19 2021-02-23 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
WO2023060923A1 (zh) * 2021-10-15 2023-04-20 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种多功能tco和电池

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070834A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 华中科技大学 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105280821A (zh) * 2015-09-05 2016-01-27 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种低温制备铜掺杂氧化镍薄膜的方法
CN105514275A (zh) * 2015-12-01 2016-04-20 新疆中兴能源有限公司 基于NiO空穴传输层的甲胺铅碘基太阳能电池制备方法
CN106252529A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 Tcl集团股份有限公司 一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
CN106972102A (zh) * 2017-02-22 2017-07-21 南昌大学 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070834A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 华中科技大学 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105280821A (zh) * 2015-09-05 2016-01-27 苏州瑞晟纳米科技有限公司 一种低温制备铜掺杂氧化镍薄膜的方法
CN105514275A (zh) * 2015-12-01 2016-04-20 新疆中兴能源有限公司 基于NiO空穴传输层的甲胺铅碘基太阳能电池制备方法
CN106252529A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 Tcl集团股份有限公司 一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
CN106972102A (zh) * 2017-02-22 2017-07-21 南昌大学 一种银掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109994607B (zh) * 2017-12-29 2021-12-07 Tcl科技集团股份有限公司 空穴传输材料及其制备方法和应用
WO2019128993A1 (zh) * 2017-12-29 2019-07-04 Tcl集团股份有限公司 空穴传输材料及其制备方法和应用
CN109994607A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 空穴传输材料及其制备方法和应用
CN108615815A (zh) * 2018-04-08 2018-10-02 华中科技大学鄂州工业技术研究院 NiO基致密层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108574046A (zh) * 2018-05-24 2018-09-25 中节能万润股份有限公司 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108987581A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 中节能万润股份有限公司 一种自清洁钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109216558B (zh) * 2018-09-10 2021-11-02 陕西师范大学 含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法
CN109216558A (zh) * 2018-09-10 2019-01-15 陕西师范大学 含氯氧化镍纳米颗粒作为空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法
CN110224067A (zh) * 2019-06-27 2019-09-10 上海黎元新能源科技有限公司 钙钛矿太阳能电池的空穴传输材料及其制备方法和应用
CN112397670A (zh) * 2019-08-19 2021-02-23 Tcl集团股份有限公司 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN111092160A (zh) * 2019-11-27 2020-05-01 中国科学院金属研究所 一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法
CN111092160B (zh) * 2019-11-27 2022-04-05 中国科学院金属研究所 一种钝化反型结构钙钛矿太阳能电池下界面的方法
WO2023060923A1 (zh) * 2021-10-15 2023-04-20 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种多功能tco和电池

Also Published As

Publication number Publication date
CN107482122B (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107482122A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN107565023B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN103700769B (zh) 一种有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107240643B (zh) 溴元素掺杂甲胺铅碘钙钛矿太阳能电池及其制作方法
CN104916782B (zh) 采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法
CN107611190A (zh) 一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN107425122B (zh) 一种掺杂型钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108574046A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104505409B (zh) 一种SnO2多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN105789444B (zh) 一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109216557B (zh) 一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109524548B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105304821B (zh) 钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法
CN103839687B (zh) 一种叠层染料敏化太阳电池
CN105870360B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108321298A (zh) 一种高效率平面异质结钙钛矿薄膜太阳能电池及制备方法
CN108288675A (zh) 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池
CN107922446A (zh) 有机‑无机混合钙钛矿、其制备方法及包含其的太阳能电池
CN111987220A (zh) 基于下转换层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN108470833A (zh) 界面修饰的氧化锌纳米棒阵列作为电子传输层在制备钙钛矿太阳能电池中的应用
CN111081883A (zh) 一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN104821374B (zh) 基于共轭聚电解质的有机光电器件阴极界面层的制备方法及应用
CN106299141A (zh) 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法
CN107833969A (zh) 一种高效率平面异质结钙钛矿薄膜太阳能电池及制备方法
CN106971852A (zh) 一种改进型光阳极结构的染料敏化太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant