碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料及其制法与应用
技术领域
本发明属于纳米材料领域,涉及一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料及其制法与应用,具体涉及一种具有良好串晶结构并且力学性能高的纳米管复合材料、及其制备方法与应用。
背景技术
碳纳米管因其特殊的管状结构而具有优异的力学、热学、电学等性能,因而可用于晶体管、传感器、半导体、超级电容器等众多应用领域。但是,由于碳纳米管表面光滑,因此碳纳米管管间的相互作用并不理想,这严重阻碍了碳纳米管在应用领域的发展。因此,研究者们通过多种方法试图解决碳纳米管管间的界面问题。例如通过化学方法在碳纳米管表面接枝官能团,这种方法虽然能够提高碳纳米管的反应活性并且能够提高碳纳米管表面粗糙度,从而使碳纳米管管间静摩擦增加,增强界面,但是这也同时对碳纳米管造成了结构上的破坏,从而使碳纳米管的性能下降。因此,一种不破坏碳纳米管同时又能够提高碳纳米管表面粗糙度的方法急需被开发。
有研究人员研究了聚乙烯在碳纳米管分散液中形成结晶的机理。这种方法使得聚乙烯在碳纳米管表面形成了结晶结构,提高了碳纳米管表面的粗糙程度,从而改善了碳纳米管管间界面。然而,由于碳纳米管本身结构的限制,这种方法利用碳纳米管制成分散液,并与聚合物共混,很难形成均匀分散液,这就导致了所制备的碳纳米管/聚乙烯复合材料结构不均匀,并且结晶形貌可控性差。
发明内容
针对碳纳米管难以分散,不能形成良好串晶结构的问题,本发明的主要目的在于提供一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料及其制备方法,以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供了一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料,其包括网络骨架,所述网络骨架包括由复数根碳纳米管聚集形成的碳纳米管薄膜,该复数根碳纳米管中的至少部分碳纳米管上分布有结晶体,并且其中至少一根碳纳米管上设置有由两个以上结晶体以所述碳纳米管为轴依次分布而形成的串晶结构,所述结晶体的材质选自能够结晶的聚合物。
在一些实施方案之中,所述碳纳米管薄膜表面及内部均分布有所述串晶结构。
在一些较为优选的实施方案之中,所述串晶结构中的相邻结晶体彼此间隔设置。
本发明实施例提供了一种制备所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料的方法,其包括:
提供由复数根碳纳米管聚集形成的碳纳米管薄膜,以及,提供主要由所述聚合物及溶剂组成的聚合物溶液;
以所述聚合物溶液充分浸润所述碳纳米管薄膜,并使所述聚合物至少在该复数根碳纳米管中的部分碳纳米管上结晶形成结晶体,且使其中至少两个结晶体以一碳纳米管为轴依次分布而形成串晶结构,从而形成所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料。
与现有技术相比,本发明的优点包括:
(1)本发明提供了一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料,不仅形态均一、力学强度高,而且厚度最低可达1μm,有效解决了碳纳米管在聚合物中难分散从而难以形成良好结晶形貌的问题。
(2)本发明提出的一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料不仅制备工艺简单可控,而且成本低,可广泛用于晶体管、传感器、半导体、超级电容器等众多应用领域。
附图说明
图1为本发明所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料制备方法的工艺流程图;
图2为本发明实施例1制备的一种典型碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料样品形貌的SEM图;
图3为本发明实施例1制备的碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料样品的拉伸性能曲线图。
具体实施方式
下文将对本发明的技术方案作更为详尽的解释说明。但是,应当理解,在本发明范围内,本发明的上述各技术特征和在下文(如实施例)中具体描述的各技术特征之间都可以互相组合,从而构成新的或优选的技术方案。限于篇幅,在此不再一一累述。
如前所述,鉴于现有碳纳米管复合材料产品的不足,本案发明人进行了长期研究和大量实践,以期能寻找到相应的解决方案。在研究过程中,本案发明人发现,当利用碳纳米管薄膜替代常用的碳纳米管分散液后,克服了碳纳米管在有机或无机溶解中均难以分散均匀的问题,使半晶质聚合物在碳纳米管薄膜中形成结晶结构所获得的复合材料具有远优于现有碳纳米管薄膜的力学性能,特别是抗拉伸性能,其原因可能在于,串晶的形成提高了碳纳米管的表面粗糙度,在受到外力作用时,碳管间摩擦力增大,从而使力学性能提高。这一发现令人意外和惊喜。而基于这一发现,本案发明人得以提出本发明的技术方案,即,提出了一种高强度碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料及其制备方法。
本发明实施例的一个方面提供了一种碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料,其包括网络骨架,所述网络骨架包括由复数根碳纳米管聚集形成的碳纳米管薄膜,该复数根碳纳米管中的至少部分碳纳米管上分布有结晶体,并且其中至少一根碳纳米管上设置有由两个以上结晶体以所述碳纳米管为轴依次分布而形成的串晶结构,所述结晶体的材质选自能够结晶的聚合物。
在一些实施方案之中,所述碳纳米管薄膜表面及内部均分布有所述串晶结构。
在一些实施方案之中,所述串晶结构中的相邻结晶体彼此间隔设置,即形成了周期性纳米杂化串晶结构。
在一些实施方案之中,所述的碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料包含65wt%~99.9wt%所述碳纳米管薄膜和0.01wt%~35wt%所述聚合物。
在一些实施方案之中,所述碳纳米管薄膜的厚度在1μm以上。
在一些较为具体的实施方案之中,所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料的厚度为1μm以上,优选在10μm以上,尤其优选为10μm~25μm。
在一些实施方案之中,所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管中的任意一种或两种以上的组合,但不限于此。
在一些实施方案之中,所述聚合物包括聚乙烯、聚酰胺或尼龙,但不限于此。
本发明实施例的一个方面还提供了一种制备所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料的方法,其包括:
提供由复数根碳纳米管聚集形成的碳纳米管薄膜,以及,提供主要由所述聚合物及溶剂组成的聚合物溶液;
以所述聚合物溶液充分浸润所述碳纳米管薄膜,并使所述聚合物至少在该复数根碳纳米管中的部分碳纳米管上结晶形成结晶体,且使其中至少两个结晶体以一碳纳米管为轴依次分布而形成串晶结构,从而形成所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料。
在一些实施方案之中,参阅图1所示,所述的制备方法可以包括:将所述碳纳米管薄膜于所述聚合物溶液内充分浸泡,从而于所述碳纳米管薄膜表面及内部均形成所述串晶结构。
在一些实施方案之中,所述的制备方法包括:以所述聚合物溶液充分浸润所述碳纳米管薄膜并形成包含串晶结构的初成品后,清洗除去非晶相的所述聚合物,从而获得所述碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料。
在一些实施方案之中,所述的制备方法包括:在以所述聚合物溶液充分浸泡所述碳纳米管薄膜时,通过对所述聚合物溶液进行加热、冷却或蒸发溶剂而使所述聚合物结晶。
在一些实施方案之中,所述的制备方法包括:至少选用真空抽滤法、浮动催化法、旋涂法、蒸发法、阵列拉膜法,L-B膜法中的任意一种方式制得所述碳纳米管薄膜。
在一些实施方案之中,所述聚合物溶液的浓度为0.01wt%~10wt%。
在一些较为具体的实施方案中,所述制备方法包括:将半晶质聚合物溶解于溶剂中,形成均匀稳定的聚合物溶液;然后将制备好的碳纳米管薄膜浸泡于聚合物溶液中,在一定温度下保持一定时间,使聚合物结晶;结晶结束后,以溶剂清洗碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料初成品,除去未结晶聚合物,最终获得碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料。
进一步的,所述制备方法包括:结晶结束后,以溶剂按照一定的频率冲洗碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料初成品,除去未结晶聚合物。该溶剂可以与前述聚合物溶液中采用的溶剂相同,即可以是半晶质聚合物的良溶剂,当以该溶剂按照一定频率冲洗所述初成品时,未结晶聚合物无定形区中的分散分子链很容易被溶解,而聚合物晶体结晶区因分子链有序排列而不会在该溶解条件展开,故保持原结构。其中,冲洗频率包括每次冲洗时间、间隔、次数等,不同冲洗频率会形成不同的串晶形貌。
本发明还提出了一种装置,其包括以上所述的碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料或由任一项所述方法制备的碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料。这些装置可以是电子装置、光电装置、力学装置等,且不限于此。
下面参照附图及典型实施例对本发明技术方案进行详细描述。应当理解,这样的描述引用于具体说明发明的目的,而不应对本发明构成限制。又及,以下实施例中的%,若非特别说明则均为wt%。
实施例1碳纳米管薄膜/高密度聚乙烯复合材料的制备
将高密度聚乙烯颗粒溶解于145℃对二甲苯溶液中,制成质量百分数浓度为0.01%~1%的稀溶液,持续加热搅拌1~120min直至高密度聚乙烯颗粒完全溶解。而后放入质量为1份的碳纳米管薄膜,在145℃下浸泡一定时间。然后将溶液整体移入85℃水浴中等温结晶0.1~10h。结晶结束后,取出碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料初成品用对二甲苯对其进行冲洗,溶解取出非晶相聚乙烯,最后干燥获得具有串晶结构的碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料。
本实施例1制备的一种典型碳纳米管/高密度聚乙烯复合材料样品的形貌SEM图如图2所示,可以看到,在该复合材料中聚乙烯以碳纳米管为轴进行结晶,形成了典型的串晶结构。该碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料样品的拉伸性能可参阅图3。
此外,本案发明人还利用本说明书中述及的其它原料(例如聚酰胺、尼龙)、其它工艺操作和工艺条件,制得了一系列碳纳米管薄膜/半晶质聚合物复合材料,而通过对这些材料的形貌和性能进行测试,其结果证明这些材料均具有优异的力学性能,特别是抗拉伸性能。
本发明的技术内容及技术特征已揭示如上,然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰,因此,本发明保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本发明的替换及修饰,并为本专利申请权利要求所涵盖。