CN107452928B - 电能供应系统及其陶瓷隔离层 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电能供应系统,包含第一电极基板,其包含第一集电层及第一活性材料层,第一集电层具有相对的第一侧面与第二侧面,第一活性材料层设于第一集电层的第一侧面,第二集电层具有相对的第一侧面与第二侧面,第二活性材料层设于第二集电层的第一侧面;陶瓷隔离层,设于第一集电基板与第二集电基板之间,由复数陶瓷颗粒藉由双接着剂系统黏着形成,双接着剂系统包含线性高分子与架桥高分子。还公开一种陶瓷隔离层,由复数陶瓷颗粒藉由双接着剂系统黏着形成,双接着剂系统包含线性高分子与架桥高分子,架桥高分子于双接着剂系统的重量百分比为0.01%~60%。本发明导电度好,安全性高。
Description
本申请是为分案申请,原申请的申请日为:2012年2月7日;
申请号为:201210025769.X;发明名称为:电能供应系统及其陶瓷隔离层
技术领域
本发明有关一种电能供应单元,应用于各种电子装置的供电,特别是指一种具可承受高温的陶瓷隔离层、且维持电子绝缘性并增加离子导电度的电能供应单元。
背景技术
隔离层(膜)在锂电池中扮演关键性的角色,其介于正、负极层的间,以防止电极产生物理性的接触,且其允许自由离子可于其间通过,电子则被隔绝以防止短路发生。其必须对于电解液或是电极材料具有化学以及电化学稳定性;并且必须具有一定的机械强度,使其能忍受电池于组装过程中的高张力强度,并维持两极层的间的间距。就结构上而言,隔离层需具有足够的孔隙度来吸收电解液,以维持较高的离子导电度(Ionic Conductivity)。然而,隔离层会增加电子阻抗,以及占据电池中可利用的空间等不利于电池表现的因素;因此,隔离层的选择在电池表现上(如能量密度、功率密度,循环效能以及安全性等)扮演着重要的角色。
目前商用隔离层材质多为聚烯烃(Polyolefin),如聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP)为主,然而PE的熔点约为130℃,而PP的熔点约为160℃,当电池内部温度高过材质的熔点时,隔离层(膜)会熔化收缩导致极板接触短路,同时引发极层与电解液间的剧烈放热反应,造成电池爆炸。因此,近年来纷纷朝向陶瓷材质的隔离层(膜)来加以开发,倚重陶瓷材料较佳的耐高温以及润湿性的特性。
实际应用上主要有两种型态,首先第一型,如美国专利公告第5,342,709号专利,直接以陶瓷颗粒为主要材料的陶瓷隔离层,取代习知聚烯烃的隔离层;另一方面,第二型的部份,如美国专利申请案公开第2008/0138700号专利,先将陶瓷颗粒涂布于PET、PEN、PI等薄膜上而形成陶瓷隔离层。然而,不论上述哪一种型态的陶瓷隔离层,都面临到难以克服的缺失。
首先以第一型为例,以制程上来说,将陶瓷颗粒藉由接着剂黏着于极层上,因接着剂系统(binder system)与极层的接着剂系统相近,故溶剂(solvent)系统也会相近,在涂布后蒸干溶剂时,因接着剂系统相近而会于介面间排列重整、产生交缠现象,并形成介面孔洞,而此些孔洞将是好的离子通道,但是因为溶剂于短时间内蒸干,很容易因蒸干速度不一,而于部份区域产生较大的孔洞(较大的贯通孔),而造成微短路现象,使得电池的电子绝缘性降低;因此,由于此介面状态难以有效掌控,因此短路率一直难以有效降低。
再者,以上述第二型为例,目前最常见的接着剂有聚二氟乙烯(Polyvinylidenefluoride;PVDF)、聚偏二氟乙烯-共-三氯乙烯(PVDF-HFP),然而不论是PVDF或是PVDF-HEP,其与PET、PEN、PI等薄膜的接着效果并不佳,陶瓷颗粒很容易剥离无法成膜;再者,此型态的PET、PEN、PI等薄膜上具有孔洞供离子导通(一般为贯通孔较多),然后再藉由陶瓷隔离层涂布于其上来完成电子绝缘,因此一般厚度相较于第一型会较薄。同样的,因为溶剂干燥时速度不均,很有可能会产生较大孔洞,影响其电子绝缘的特性;若是要增加电子绝缘性,则必须将黏着剂的比重提高,但是一旦比重提高,又会影响离子导电度,难以有效取得平衡点;再者,若是要提高陶瓷颗粒的量来增加离子导电度,势必也必须同步增加接着剂的量方能有效黏着,因此一般陶瓷颗粒的含量比重无法提高,最高仅约为40%左右,故整体耐热性较差;同时,离子导电度亦较差。为了解决此一离子导电度的问题,习知亦有于黏着剂中增添有塑性剂或是非溶剂的溶液,于形成隔离膜后再利用物理或是化学的方式加以去除,而能在隔离膜内保留孔洞供离子通过,以增加离子导电度。
同时,因陶瓷颗粒一般含水性高,要去除此一吸附水时,温度至少得加热到190℃以上,但是一般接着剂的熔点并不高,譬如PVDF约为170℃、PVDF-HEP约为120-150℃;因此,一旦加热到190℃以上来去水,则接着剂会熔化,使得陶瓷隔离层内部的孔洞分布状态会改变,使得电荷转移变差,而影响电池的性能。而若是以上述塑性剂等方式所形成的孔洞,则也会因为接着剂熔化,将孔洞予以填补,使得离子导电度无法有效提升。再者,若是于操作过程中达到此一高温状态,则将使接着剂熔化、隔离层崩解,使电池发生短路、故障或是爆炸等安全性的问题。
另一方面,若是完全采用耐热性较高的高分子,譬如为环氧树脂(Epoxy)、压克力树脂(Acrylic Acid)、聚丙烯腈(polyacrylonitrile;PAN)等,其黏着性佳且亦可耐高温,然而其结构为网络式架桥(cross-linking),结构中的孔洞分布不利于离子通过,使离子导电度变差,而难以应用于电池单元内。故,因上述种种问题,目前陶瓷隔离层相当难以实际应用于产业,大多只是将其以薄膜方式设置于极层或是隔离层上。
有鉴于上述,本发明遂针对上述习知技术的缺失,提出一种电能供应单元及其陶瓷隔离层,以有效克服上述的该等问题。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种电能供应单元及其陶瓷隔离层,其藉由陶瓷颗粒与接着剂加以形成陶瓷隔离层,且接着剂采用双接着剂系统,藉由线性高分子与架桥高分子加以形成,使得接着剂既能忍受陶瓷颗粒加热去除吸附水时的高温而不熔化,而不会造成陶瓷隔离层的崩解、或是与极层的间介面孔洞(离子通道)因高温而使其消失或减少;再者,亦承受操作时的高温,提高电能供应单元的安全性。同时因采用双接着剂系统,使得陶瓷颗粒比例可以提升,且由陶瓷颗粒与双接着剂系统所形成的孔洞的结构与分布适当,使电子绝缘性以及离子导电度取得较佳的平衡、进而提升电能供应系统的电性能力。
本发明的又一目的在提供一种电能供应单元及其陶瓷隔离层,由于双接着剂系统中线性高分子与架桥高分子,因此能同时兼具黏着以及离子通道的特性,同时,亦可提高陶瓷颗粒的比重,大幅提高耐热性。
为达上述目的,本发明的解决方案为:
一种电能供应单元,包含有:第一电极基板,该第一电极基板包含一第一集电层及一第一活性材料层,该第一集电层具有相对的一第一侧面与一第二侧面,该第一活性材料层设于该第一集电层的该第一侧面;一第二电极基板,该第二电极基板包含一第二集电层及一第二活性材料层,该第二集电层具有相对的一第一侧面与一第二侧面,该第二活性材料层设于该第二集电层的该第一侧面;以及一陶瓷隔离层,夹设于该第一电极基板与该第二电极基板的间,由复数陶瓷颗粒藉由一双接着剂系统加以黏着形成,且该双接着剂系统包含有线性高分子与架桥高分子。
其中该陶瓷颗粒选自微米级与奈米级二氧化钛、三氧化二铝、二氧化硅、或是烷基化的陶瓷颗粒、碱土族磷酸化合物、碱金族磷酸化合物、碱土族碳酸化合物、碱金族碳酸化合物及上述组合。
其中该双接着剂系统的线性高分子选自聚二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-共-三氯乙烯、聚四氟乙烯、压克力酸胶、环氧树脂、聚氧化乙烯、聚丙烯腈、羧甲基纤维素钠、丁苯橡胶、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮及上述组合。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为选自环氧树脂、压克力树脂、聚丙烯腈及上述组合的网络式架桥高分子。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为聚酰亚胺及其衍生物的梯状架桥高分子。
其中该聚酰亚胺占该双接着剂系统的重量百分比为0.01%~60%。
其中该第一电极基板的该第一集电层与该第二电极基板的该第二集电层皆以该第二侧面邻接于该陶瓷隔离层。
其中该第一集电层与该第二集电层具有复数个微孔洞。
其中该第一电极基板与该第二电极基板以该第一活性材料层与该第二活性料层邻接于该陶瓷隔离层。
其中该陶瓷隔离层的一侧更具有一隔离薄膜。
其中该隔离薄膜为绝缘材料所构成,至少包含聚亚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、玻璃纤维或液晶型高分子。
其中该隔离薄膜上更供至少一电子元件予以设置。
其中该隔离薄膜的另一侧更具有另一陶瓷隔离层。
一种电能供应单元,包含有:一基板,其具有复数个微孔洞,该些微孔洞内填塞有复数陶瓷颗粒,并藉由一双接着剂系统加以黏着,且该双接着剂系统包含有线性高分子与架桥高分子;一第一集电层,其设置于该基板的一侧,并具有对应于该基板的复数个微孔洞;一第二集电层,其设置于该基板的另一侧,并具有对应于该基板的复数个微孔洞;一第一活性材料层,位于该第一集电层外侧;以及一第二活性材料层,位于该第二集电层外侧。
其中该基板为绝缘材料所构成,至少包含聚亚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、玻璃纤维或液晶型高分子。
其中该基板的该些微孔洞藉由贯通孔、蚁孔或是多孔性材料来构成。
其中该陶瓷颗粒选自微米级与奈米级二氧化钛、三氧化二铝、二氧化硅、或是烷基化的陶瓷颗粒、碱土族磷酸化合物、碱金族磷酸化合物、碱土族碳酸化合物、碱金族碳酸化合物及上述组合。
其中该双接着剂系统的线性高分子选自聚二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-共-三氯乙烯、聚四氟乙烯、压克力酸胶、环氧树脂、聚氧化乙烯、聚丙烯腈、羧甲基纤维素钠、丁苯橡胶、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮及上述组合。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为选自环氧树脂、压克力树脂、聚丙烯腈及上述组合的网络式架桥高分子。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为聚酰亚胺及其衍生物的梯状架桥高分子。
其中该聚酰亚胺占该双接着剂系统的重量百分比为0.01%~60%。
一种陶瓷隔离层,适用于一电能供应单元,藉以隔离该电能供应单元的两极层,达到电子隔离与离子导通,其特征在于,由复数陶瓷颗粒藉由一双接着剂系统加以黏着形成,且该双接着剂系统包含有线性高分子与架桥高分子,且该架桥高分子于该双接着剂系统的重量百分比概略为0.01%~60%。
其中该陶瓷颗粒选自微米级与奈米级二氧化钛、三氧化二铝、二氧化硅、或是烷基化的陶瓷颗粒、碱土族磷酸化合物、碱金族磷酸化合物、碱土族碳酸化合物、碱金族碳酸化合物及上述组合。
其中该双接着剂系统的线性高分子选自聚二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-共-三氯乙烯、聚四氟乙烯、压克力酸胶、环氧树脂、聚氧化乙烯、聚丙烯腈、羧甲基纤维素钠、丁苯橡胶、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮及上述组合。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为选自环氧树脂、压克力树脂、聚丙烯腈及上述组合的网络式架桥高分子。
其中该双接着剂系统的架桥高分子为聚酰亚胺及其衍生物的梯状架桥高分子。
采用上述方案后,本发明藉由陶瓷颗粒与接着剂加以形成陶瓷隔离层,且接着剂采用双接着剂系统,藉由线性高分子与架桥高分子加以形成,使得接着剂既可忍受高温而不熔化,不会造成陶瓷隔离层的崩解、或是与极层之间的介面孔洞(离子通道)因高温而使其消失或减少。同时,因采用双接着剂系统,使得陶瓷颗粒比例可以提升,且由陶瓷颗粒与双接着剂系统所形成的孔洞的结构与分布适当,使电子绝缘性以及离子导电度取得较佳的平衡,进而提升电能供应系统的电性能力。
附图说明
图1A、图1B为本发明较佳实施例的电能供应单元的结构剖面示意图;
图2为本发明较佳实施例的电能供应单元的另一实施例的示意图;
图3为本发明较佳实施例的电能供应单元的又一实施例的示意图;
图4A、图4B为本发明所揭露的图3的实施态样的变化例示意图。
标号说明
基板20 微孔洞21
电能供应单元3 陶瓷隔离层31
陶瓷隔离层31’ 第一电极基板32
第一集电层321 微孔洞3213
第一活性材料322 第一侧面323
第二侧面324 第二电极基板33
第二集电层331 微孔洞3313
第二活性材料层332 第一侧面333
第二侧面334 隔离薄膜41
电子组件42。
具体实施方式
为清楚揭露本发明所揭露的电能供应系统及其电能供应单元,以下将提出数个实施例以详细说明本发明的技术特征,更同时佐以图式俾使该些技术特征得以彰显。
请参考第1A及1B图所示,其为本发明较佳实施例的电能供应单元的结构剖面示意图。电能供应单元3包含陶瓷隔离层31、第一电极基板32、以及第二电极基板33,第一电极基板32包含第一集电层321及第一活性材料层322,第一集电层321具有相对的第一侧面323与第二侧面324,且第一活性材料层322设于第一集电层321的第一侧面323。第二电极基板33包含第二集电层331及第二活性材料层332,第二集电层331具有相对的第一侧面333与第二侧面334,第二活性材料层332设于第二集电层331的第一侧面333。
陶瓷隔离层31夹设于第一电极基板32与第二电极基板33的间,就相对位置而言,可采用第一电极基板32的第一活性材料层322与第二电极基板33的第二活性材料层332来邻接于陶瓷隔离层(见图1A)、或是第一电极基板32的第一集电层321的第二侧面324与第二电极基板33的第二集电层331的第二侧面334邻接于陶瓷隔离层31(见图1B)的两种实施态样。
陶瓷隔离层31由复数陶瓷颗粒藉由双接着剂系统(dual binder system)加以黏着形成,且双接着剂系统包含有线性高分子(linear polymer)与架桥高分子(cross-linking polymer),其中架桥高分子占整体双接着剂系统的重量百分比约为0.01%~60%。陶瓷颗粒选自微米级与奈米级二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、或是烷基化的陶瓷颗粒、碱土族磷酸化合物、碱金族磷酸化合物、碱土族碳酸化合物、碱金族碳酸化合物及上述组合,而双接着剂系统的线性高分子选自聚二氟乙烯(Polyvinylidene fluoride;PVDF)、聚偏二氟乙烯-共-三氯乙烯(PVDF-HFP)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene;PTFE)、压克力酸胶(Acrylic Acid Glue)、环氧树脂(Epoxy)、聚氧化乙烯(PEO)、聚丙烯腈(polyacrylonitrile;PAN)、羧甲基纤维素钠(carboxymethylcellulose;CMC)、丁苯橡胶(styrene-butadiene;SBR)、聚丙烯酸甲酯(polymethylacrylate)、聚丙烯酰胺(polyacrylamide)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone;PVP)及上述组合。
因采用陶瓷颗粒作为主体,因此整体陶瓷隔离层31的结构强度高,足以支撑第一电路基板32以及/或第二电路基板33,且亦具有电子绝缘的效果,防止两侧的电子导通。再者,因为采用双接着剂系统,同时包含有线性高分子以及架桥高分子,藉由架桥高分子较高的黏着特性,配合线性高分子的搭配,使得黏着结构不致于刚性过高而易断裂,可将两侧的第一电极基板32以及第二电极基板33黏着的相当牢固,维持电能供应单元3的稳定性与安全性;同时,也因为此双接着剂系统的特性,相较于习知采用单一线性高分子作为接着剂来说,可以将陶瓷颗粒的比重予以拉高,甚至超过60%或是90%以上,使得整体陶瓷隔离层的耐热性与热稳定性更佳,且陶瓷颗粒占陶瓷绝缘层比例提高,因大多孔洞多由陶瓷颗粒堆积所产生的孔洞,故孔洞分布变佳,同时由于高分子含量下降,而由此产生的干涉离子移动的障碍也同时减少,而使得离子导电度提高。
而架桥高分子的部份,其可为环氧树脂(Epoxy)、压克力树脂(Acrylic Acid)、聚丙烯腈(polyacrylonitrile;PAN)及上述组合的网络式架桥高分子,由于此些架桥高分子所形成的架桥结构为网络状(network),整体结构较为密实,配合线性高分子后,孔洞分布仍会较不利于离子通过,同时增加离子移动的立体干涉,因此,离子导电度仍会稍差于一般隔离膜;但也因上述原因,使得陶瓷隔离层中大型贯通孔存在的机会与比例因为网络式架桥高分子的存在而下降,进而使电子绝缘性有所提高。因此,架桥高分子的部份,亦可采用譬如为聚酰亚胺(polyimide;PI)及其衍生物的梯状(ladder)架桥高分子,不同于前述网络式架桥结构,梯形的线性架桥结构,将会使陶瓷隔离层31内的孔洞分布状态非常适合离子导通,同时由于非网络式架桥结构,对于离子移动的干涉下降甚多,甚至孔洞分布比单纯使用线性高分子为黏着剂更佳,因此离子导电度可大幅提高,不仅可以实际应用于电能供应系统3,同时相较于一般的隔离膜的离子导电度,亦有所增加,同时,此梯型架桥结构的高分子(PI)又能够保有相当高的电子绝缘特性,使得陶瓷隔离层取得最佳的平衡点;另一方面,因采用双接着剂系统,亦使陶瓷隔离层31形成于极层上时,在熟化制程后,架桥高分子结构会降低介面上因去除溶剂时所产生较大孔洞形成的可能性,以维持有效的电子绝缘特性,并降低微短路率。再者,由于架桥高分子的热稳定性相当高,能够承受陶瓷颗粒加热去除吸附水时的高温而不熔化,同时对于电能供应单元3充/放电过程中的发热亦较能忍受,维持高温状态下第一电极基板32与第二电极基板33的间的相对位置,进而维持电能供应单元3的稳定性与安全性。
其中,以图1B的实施态样来看,为了使两侧极层的离子能予以导通,第一集电层321与第二集电层331具有复数个微孔洞3213、3313。且第一活性材料层322及第二活性材料层332更可有电解质分布于其中,其可为液态电解质、胶态电解质或是固态电解质;同时,因为陶瓷材料的沾湿性(wettability)较佳,对于电解质的分布亦有加分效果。
请参阅图2,为本发明电能供应单元的另一实施例示意图。其与上述图1B的实施态样近似,陶瓷隔离层31以基板20取代,而基板20上具有对应于第一集电层321与第二集电层331的复数个微孔洞3213、3313的微孔洞21;因为第一集电层321、基板20以及第二集电层331具有对应的微孔洞3213、21、3313,因此基本上皆为导通状态,电解质可以轻易地由第一活性材料层322均匀渗入第二活性材料层332,无须花费过多的时间。
基板20可为非可挠式电路基板或可挠式电路基板,同时,因为第一集电层321与第二集电层331位于基板20两侧,因此,可藉以直接延伸出逻辑线路区域,来与外界负载端进行电性连接;基板20的材料以绝缘性材料为佳,可选自聚亚酰胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、玻璃纤维、液晶型高分子、或是其组合。基板20上的微孔洞21主要是供离子通过,除了贯通孔的态样外,亦可采用蚁孔(非直线贯通的态样)的型态,甚至是直接采用多孔性材料来达成,且微孔洞21内填塞有复数陶瓷颗粒,并藉由双接着剂系统加以黏着,且双接着剂系统包含有线性高分子与架桥高分子,此部份组成与前述相同,在此不重复赘述。如前所述,藉由陶瓷颗粒与双接着剂系统,将使微孔洞21内的孔洞分布状态更利于离子导通,大幅增加电能供应单元3的离子导电度。
上述实施态样,基本上较近似于习知的第一型的态样,当然,请参阅图3所示,亦可应用于第二型的态样,于陶瓷隔离层31一侧增设有隔离薄膜41,隔离薄膜41的材质可为聚亚酰胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、玻璃纤维或液晶型高分子。同时,隔离薄膜41亦可朝向一方向予以延伸(见图4A),以供电子元件42设置、承载,然后藉由封装结构或是其余电性连接的方式来予以连接。再者,隔离薄膜41的另外一侧可更包含有另一陶瓷隔离层31'(见图4B)。
上述电能供应单元3的封装,可藉由习知的方式来予以封装,在此不予以赘述。
综合上述,本发明所揭露的电能供应单元利用陶瓷颗粒与双接着剂系统所形成的陶瓷隔离层来达到电子隔离与离子导通。藉由陶瓷颗粒以及双接着剂系统的特性,而可提供相当高耐热性,因此可维持两侧极层的相对位置(尤其是高温下),确保电能供应单元的稳定性、安全性以及电性。另外一方面,由于架桥高分子、尤其是梯状架桥结构的PI,使得陶瓷隔离层内的孔洞分布状态非常适合离子通过,因此除了克服习知陶瓷为基材的隔离层无法达到离子导电度要求的窘境外,更可于维持电子绝缘性的下、大幅提高离子导电度,取得电子绝缘性与离子导电性的最佳平衡,进而使电能供应系统的效能大幅提升。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用来限定本发明实施的范围。故即凡依本发明申请范围所述的特征及精神所为的均等变化或修饰,均应包括于本发明的申请专利范围内。
Claims (4)
1.一种电能供应单元,其特征在于,包含有:
一电路基板,其具有复数个微孔洞,该些微孔洞内填塞有复数陶瓷颗粒,并藉由双接着剂系统加以黏着,且该双接着剂系统由线性高分子与架桥高分子构成,其中陶瓷颗粒占比重60%以上;
一第一电极基板,其包含有一第一集电层与一第一活性材料层,其中:
该第一集电层,其设置于该电路基板的一侧,并具有对应于该电路基板的复数个微孔洞;以及
该第一活性材料层,位于该第一集电层外侧;
一第二电极基板,其包含有一第二集电层与一第二活性材料层,其中:
该第二集电层,其设置于该电路基板的另一侧,并具有对应于该电路基板的复数个微孔洞;以及
该第二活性材料层,位于该第二集电层外侧,
其中该双接着剂系统的架桥高分子为聚酰亚胺及其衍生物的梯状线性架桥高分子;
其中该陶瓷隔离层的该双接着剂系统黏着该第一电极基板与该第二电极基板;
其中该双接着剂系统的线性高分子选自丁苯橡胶或聚丙烯酰胺及上述组合;
其中该聚酰亚胺占该双接着剂系统的重量百分比为0.01%~60%;
其中该电路基板直接延伸出有一逻辑线路区域,以与外界负载端电性连接;
其中该复数微孔洞仅设置于该第一活性料层与其对应的该第二活性材料层所夹设的范围内。
2.如权利要求1所述的电能供应单元,其特征在于,其中该电路基板为绝缘材料所构成,至少包含聚亚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、玻璃纤维或液晶型高分子。
3.如权利要求1所述的电能供应单元,其特征在于,其中该电路基板的该些微孔洞藉由贯通孔、蚁孔或是多孔性材料来构成。
4.如权利要求1所述的电能供应单元,其特征在于,其中该陶瓷颗粒选自微米级与奈米级二氧化钛、三氧化二铝、二氧化硅、或是烷基化的陶瓷颗粒、碱土族磷酸化合物、碱金族磷酸化合物、碱土族碳酸化合物、碱金族碳酸化合物及上述组合。
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