CN107417300B - 一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法 - Google Patents

一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法。该合成方法采用化学气相沉积技术,将陶瓷粉体与Fe(NO3)3·9H2O加水混合均匀后,干燥、研磨制得前驱体粉末,再通过两次加热升温及保温处理,在陶瓷粉体表面合成碳纳米线。本发明合成方法工艺简单,成本低,合成的碳纳米线尺寸均一,直径为20~40 nm,且均匀地分布于陶瓷粉体表面。

Description

一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法
技术领域
本发明涉及碳纳米线制备技术领域,具体涉及一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法。
背景技术
碳纳米线是一种具有高长径比、高比强度的一维无机纳米材料。与碳纳米管不同的是,碳纳米线具有实心的结构,通常是无定型结构,石墨化程度较低。碳纳米线的导电导热性能优异,在复合材料中应用潜力巨大,可以改善材料的电学、热学及力学性能。特别当碳纳米线作为第二相加入到陶瓷基体中制备成复合材料时,有利于实现复合材料的结构化和功能化设计。
目前,化学气相沉积技术是制备碳纳米线的有效方法。Han Z J, Yick S,Levchenko I, et al. Controlled synthesis of a large fraction of metallicsingle-walled carbon nanotube and semiconducting carbon nanowire networks[J]. Nanoscale, 2011, 3(8): 3214-3220 中报道了一种催化化学气相沉积制备碳纳米线的方法。该方法使用电子束蒸发设备在SiO2/Si片上分别沉积了10 nm厚的氧化铝作为衬底和0.5 nm厚的Fe层作为催化剂。然后将负载催化剂的衬底置于50 mm直径的石英管,在氩气和氢气流量分别为200 sccm和500 sccm,管内气压为 380 Torr的条件下于1000℃预热30 min。然后在管内气压为760 Torr的条件下,以500 sccm的流量将甲烷引入石英管保温10-30 min。保温结束后关闭甲烷和氢气,仅通入氩气使石英管自然冷却。在SiO2/Si片上获得了直径为10-50 nm的碳纳米线。
然而上述方法存在以下不足:(1)需严格控制反应系统的压力,且需要特定的材料作为基底,难以实现碳纳米线的大量合成与广泛应用;(2)制备成本高,设备造价昂贵;(3)制备的碳纳米线尺寸分布均一性较差。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供了一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,该方法采用化学气相沉积技术,将陶瓷粉体与Fe(NO3)3·9H2O加水混合均匀后,干燥、研磨制得前驱体粉末,再通过两次加热升温及保温处理,在陶瓷粉体表面合成碳纳米线。
本发明的目的通过如下技术方案实现。
一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,包括如下步骤:
(1)将陶瓷粉体与Fe(NO3)3·9H2O混合均匀,在搅拌条件下同时滴加去离子水,形成均匀的泥状混合物;
(2)将步骤(1)得到的泥状混合物置于干燥箱中干燥后,取出,研磨、过筛,得到前驱体粉末;
(3)将步骤(2)得到的前驱体粉末均匀平铺在瓷方舟内,再将瓷方舟置于管式炉中央,在氩气流动气氛下对管式炉进行加热;
(4)加热完成后,停止通入氩气,开始通入氢气,保温;
(5)保温结束后,停止通入氢气,开始通入氩气,对管式炉进行第二次加热;
(6)第二次加热结束后,停止通入氩气,开始通入甲烷和氢气,进行第二次保温;
(7)第二次保温结束后,停止通入甲烷和氢气,开始通入氩气,在氩气流动气氛下自然降至室温,在陶瓷粉体表面合成碳纳米线。
进一步地,步骤(1)中,所述陶瓷粉体材料包括氧化物陶瓷粉体或非氧化物陶瓷粉体,粉体粒径分布为0.5~0.7 μm。
更进一步地,所述氧化物陶瓷粉体包括氧化铝粉。
更进一步地,所述非氧化物陶瓷粉体包括硼化锆粉或碳化硅粉。
进一步地,步骤(1)中,所述Fe(NO3)3·9H2O按Fe的质量计,占陶瓷粉体的质量分数为4%~6%。
进一步地,步骤(1)中,所述去离子水的添加量与陶瓷粉体质量的比为10~12:50mL/g。
进一步地,步骤(1)中,所述泥状混合物的黏度控制为:在自重状态下不发生变形或发生微小变形的程度。
进一步地,步骤(2)中,所述干燥是在40~60℃干燥12~18h。
进一步地,步骤(2)中,所述过筛是过100~250目筛。
进一步地,步骤(3)中,所述加热是以5~10℃/min的速率加热至温度为600~650℃。
进一步地,步骤(4)中,所述氢气的流量为80~100 sccm。
进一步地,步骤(4)中,所述保温是在600~650℃保温40~60 min。
进一步地,步骤(5)中,所述第二次加热是以5~10℃/min的速率加热至温度为1040~1070℃。
进一步地,步骤(6)中,所述甲烷和氢气的流量分别为28~35 sccm和85~100 sccm。
进一步地,步骤(6)中,所述第二次保温是在1040~1070℃保温20~90 min。
进一步地,步骤(3)、(5)、(7)中,所述氩气的流量为20~100 sccm。
进一步地,合成的碳纳米线的直径为20~40 nm,尺寸均一,且在所述陶瓷粉体表面均匀分布。
本发明可采用不同种类的陶瓷粉体作为衬底,分散吸附在陶瓷粉体表面的含铁化合物经还原得到催化剂,相对采用电子束蒸发设备在特殊的衬底(镀10 nm氧化铝的SiO2/Si片)上镀Fe纳米层获得催化剂,对基体材料的依赖性弱。
与现有技术相比,本发明具有如下优点和有益效果:
(1)本发明通过在陶瓷粉体表面合成碳纳米线,实现碳纳米线在陶瓷基复合材料中的广泛应用,且对基体材料(陶瓷粉体)的依赖性弱;
(2)本发明合成工艺简单、成本低且对设备要求低;
(3)本发明合成的碳纳米线尺寸均一,且在陶瓷粉体表面均匀分布。
附图说明
图1为实施例1中在陶瓷粉体表面合成的碳纳米线的扫描电镜(SEM)图;
图2为实施例1中在陶瓷粉体表面合成的碳纳米线的透射电镜(TEM)图;
图3为实施例2中在陶瓷粉体表面合成的碳纳米线的SEM图;
图4为实施例3中在陶瓷粉体表面合成的碳纳米线的SEM图。
具体实施方式
为更好地理解本发明,下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的说明,但本发明不限于此。
实施例1
(1)分别称量50 g碳化硅粉(粉体粒径分布为0.5~0.7 μm)和21.7 g Fe(NO3)3·9H2O倒入同一烧杯中,用玻璃棒搅拌的同时滴加10 mL去离子水,形成均匀的泥状混合物;
(2)将得到的泥状混合物置于干燥箱在40℃下干燥18 h,研磨并过100目筛得到前驱体粉末;
(3)将过筛得到的前驱体粉末均匀平铺在瓷方舟内,置于管式炉中央,在氩气流量为30 sccm的条件下以5℃/min的速率升温到600℃;
(4)停止通入氩气,开始以100 sccm的流量通入氢气,并在600℃保温40 min;
(5)停止通入氢气,开始以30 sccm的流量通入氩气,继续以5℃/min的速率加热管式炉至1050℃;
(6)停止通入氩气,开始分别以35 sccm和100 sccm的流量通入甲烷和氢气,在1050℃保温30 min;
(7)停止通入甲烷和氢气,开始以30 sccm的流量通入氩气,自然降至室温,在碳化硅粉体表面合成碳纳米线。
对制备的纳米复合粉体进行SEM和TEM观察,其中,合成的纳米复合粉体的SEM图如图1所示,由图1可知,合成的碳纳米线在碳化硅粉体上均匀分布;合成的纳米复合粉体的TEM图如图2所示;由图1和图2可知,合成的碳纳米线直径约20~30 nm,且尺寸分布均一。
实施例2
(1)分别称量50 g氧化铝粉(粉体粒径分布为0.5~0.7 μm)和18.1 g Fe(NO3)3·9H2O倒入同一烧杯中,用玻璃棒搅拌的同时滴加11 mL去离子水,形成均匀的泥状混合物;
(2)将得到的泥状混合物置于干燥箱在50℃下干燥15 h,研磨并过200目筛得到前驱体粉末;
(3)将过筛得到的前驱体粉末均匀平铺在瓷方舟内,置于管式炉中央,在氩气流量为60 sccm的条件下以8℃/min的速率升温到620℃;
(4)停止通入氩气,开始以90 sccm的流量通入氢气,并在620℃保温50 min;
(5)停止通入氢气,开始以60 sccm的流量通入氩气,继续以8℃/min的速率加热管式炉至1070℃;
(6)停止通入氩气,开始分别以30 sccm和90 sccm的流量通入甲烷和氢气,在1070℃保温90 min;
(7)停止通入甲烷和氢气,开始以60 sccm的流量通入氩气,自然降至室温,在氧化铝粉体表面合成碳纳米线。
制备的纳米复合粉体的SEM图如图3所示,由图3可知,合成的碳纳米线在氧化铝粉体上均匀分布,合成的碳纳米线直径为20~25 nm,且尺寸分布均一。
实施例3
(1)分别称量50 g硼化锆粉(粉体粒径分布为0.5~0.7 μm)和14.5 g Fe(NO3)3·9H2O倒入同一烧杯中,用玻璃棒搅拌的同时滴加12 mL去离子水,形成均匀的泥状混合物;
(2)将得到的泥状混合物置于干燥箱在60℃下干燥12 h,研磨并过250目筛得到前驱体粉末;
(3)将过筛得到的前驱体粉末均匀平铺在瓷方舟内,置于管式炉中央,在氩气流量为100 sccm的条件下以10℃/min的速率升温到650℃;
(4)停止通入氩气,开始以80 sccm的流量通入氢气,并在650℃保温60 min;
(5)停止通入氢气,开始以100 sccm的流量通入氩气,继续以10℃/min的速率加热管式炉至1040℃;
(6)停止通入氩气,开始分别以28 sccm和85 sccm的流量通入甲烷和氢气,在1040℃保温20 min;
(7)停止通入甲烷和氢气,开始以100 sccm的流量通入氩气,自然降至室温,即可在硼化锆粉体表面合成出碳纳米线。
制备的纳米复合粉体的SEM图如图4所示,由图4可知,合成的碳纳米线在硼化锆粉体上均匀分布,合成的碳纳米线直径为30~40 nm,尺寸分布均一。

Claims (6)

1.一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将陶瓷粉体与Fe(NO3)3·9H2O混合均匀,在搅拌条件下同时滴加去离子水,形成均匀的泥状混合物;所述陶瓷粉体材料包括氧化物陶瓷粉体或非氧化物陶瓷粉体,粉体粒径分布为0.5~0.7 μm;所述氧化物陶瓷粉体包括氧化铝粉;所述非氧化物陶瓷粉体包括硼化锆粉或碳化硅粉;所述Fe(NO3)3·9H2O按Fe的质量计,占陶瓷粉体的质量分数为4%~6%;所述去离子水的添加量与陶瓷粉体质量的比为10~12:50mL/g;
(2)将步骤(1)得到的泥状混合物置于干燥箱中干燥后,取出,研磨、过筛,得到前驱体粉末;
(3)将步骤(2)得到的前驱体粉末均匀平铺在瓷方舟内,再将瓷方舟置于管式炉中央,在氩气流动气氛下对管式炉进行加热;所述加热是以5~10℃/min的速率加热至温度为600~650℃;
(4)加热完成后,停止通入氩气,开始通入氢气,保温;所述保温是在600~650℃保温40~60 min;
(5)保温结束后,停止通入氢气,开始通入氩气,对管式炉进行第二次加热,第二次加热是以5~10℃/min的速率加热至温度为1040~1070℃;
(6)第二次加热结束后,停止通入氩气,开始通入甲烷和氢气,进行第二次保温;
(7)第二次保温结束后,停止通入甲烷和氢气,开始通入氩气,在氩气流动气氛下自然降至室温,在陶瓷粉体表面合成碳纳米线;所述第二次保温是在1040~1070℃保温20~90min。
2.根据权利要求1所述的一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述干燥是在40~60℃干燥12~18h;所述过筛是过100~250目筛。
3.根据权利要求1所述的一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,步骤(6)中,所述甲烷和氢气的流量分别为28~35 sccm和85~100 sccm。
4.根据权利要求1所述的一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,步骤(4)中,所述氢气的流量为80~100 sccm。
5.根据权利要求1所述的一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)、(5)、(7)中,所述氩气的流量为20~100 sccm。
6.根据权利要求1所述的一种在陶瓷粉体表面合成碳纳米线的方法,其特征在于,合成的碳纳米线的直径为20~40 nm,尺寸均一,且在所述陶瓷粉体表面均匀分布。
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