CN107393669A - 一种陶瓷电阻碳化工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明属于电阻生产制造领域，具体是一种陶瓷电阻碳化工艺，包括步骤：S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。本发明的有益效果在于：碳化控制精度高，药水与待碳化的陶瓷电阻接触均匀，成品率高。

Description

一种陶瓷电阻碳化工艺
技术领域
本发明属于电阻生产制造领域，具体是一种陶瓷电阻碳化工艺。
背景技术
陶瓷电阻是陶瓷封装的线绕电阻，被广泛应用于各种电路中。陶瓷电阻在生产过程中需要对其电阻值进行微调，碳化即是微调其电阻值的方式之一。现有的碳化工艺存在如下缺陷：1、电阻值控制精度低；2、药水与待碳化的陶瓷电阻接触不均匀；3、成品率低。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种陶瓷电阻碳化工艺，碳化控制精度高、成品率高。
为实现上述技术目的，本发明提供的方案是：一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤。
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min。
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min。
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min。
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min。
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。
上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14。
而且，为获得最优效果，步骤S1中，第一次升温的温度值为870℃；步骤S2中，第二次升温的温度值为1050℃；步骤S3中，第一次降温的温度值为600℃；步骤S4中，第三次升温的温度值为800℃。
而且，所述第一次、第二次和第三次喷药水的方向与抽真空的方向相同。
而且，所述抽真空的真空度为0.05～0.10MPa，优选0.08MPa。
而且，步骤S5完成后，对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理，然后在200～300℃的温度下烘烤1小时，冷却至室温后进行压帽处理，得到成品。
而且，对碳化后的陶瓷电阻进行表面喷漆和表面抛光处理时，进行风冷降温。
本发明的有益效果在于：碳化控制精度高，药水与待碳化的陶瓷电阻接触均匀，成品率高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
本实施例提供一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤。
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min。
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min。
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min。
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min。
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。
上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，真空度为0.05～0.10MPa，优选0.08MPa。第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14。
进一步的，步骤S5完成后，对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理，同时进行风冷降温。然后在200～300℃的温度下烘烤1小时，冷却至室温后进行压帽处理，得到成品。
实施例1：将陶瓷电阻进行第一次升温，至80℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。
实施例2：将陶瓷电阻进行第一次升温，至870℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；将陶瓷电阻进行第二次升温，至1050℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；将陶瓷电阻进行第一次降温，至600℃，且继续混合20～40min；将陶瓷电阻进行第三次升温，至800℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。
实施例3：将陶瓷电阻进行第一次升温，至900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；将陶瓷电阻进行第二次升温，至1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；将陶瓷电阻进行第一次降温，至700℃，且继续混合20～40min；将陶瓷电阻进行第三次升温，至900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进或变形，这些改进或变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种陶瓷电阻碳化工艺，包括如下步骤：
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第一次喷药水，充分混合40～50min；
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温，至1000～1100℃后，向陶瓷电阻第二次喷药水，充分混合10～15min；
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温，至500～700℃，且继续混合20～40min；
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温，至800～900℃后，向陶瓷电阻第三次喷药水，充分混合10～15min；
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温，至室温，完成碳化；
上述步骤S1～S5均在抽真空状态下进行，第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S1中，第一次升温的温度值为870℃。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S2中，第二次升温的温度值为1050℃。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S3中，第一次降温的温度值为600℃。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S4中，第三次升温的温度值为800℃。
6.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：所述第一次、第二次和第三次喷药水的方向与抽真空的方向相同。
7.根据权利要求1或6所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：所述抽真空的真空度为0.05～0.10MPa。
8.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：步骤S5完成后，对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理，然后在200～300℃的温度下烘烤1小时，冷却至室温后进行压帽处理，得到成品。
9.根据权利要求8所述的陶瓷电阻碳化工艺，其特征在于：对碳化后的陶瓷电阻进行表面喷漆和表面抛光处理时，进行风冷降温。
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