CN107393669B - 一种陶瓷电阻碳化工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明属于电阻生产制造领域,具体是一种陶瓷电阻碳化工艺,包括步骤:S1、将陶瓷电阻进行第一次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min;S2、将陶瓷电阻进行第二次升温,至1000~1100℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min;S3、将陶瓷电阻进行第一次降温,至500~700℃,且继续混合20~40min;S4、将陶瓷电阻进行第三次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min;S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。本发明的有益效果在于:碳化控制精度高,药水与待碳化的陶瓷电阻接触均匀,成品率高。

Description

一种陶瓷电阻碳化工艺
技术领域
本发明属于电阻生产制造领域,具体是一种陶瓷电阻碳化工艺。
背景技术
陶瓷电阻是陶瓷封装的线绕电阻,被广泛应用于各种电路中。陶瓷电阻在生产过程中需要对其电阻值进行微调,碳化即是微调其电阻值的方式之一。现有的碳化工艺存在如下缺陷:1、电阻值控制精度低;2、药水与待碳化的陶瓷电阻接触不均匀;3、成品率低。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种陶瓷电阻碳化工艺,碳化控制精度高、成品率高。
为实现上述技术目的,本发明提供的方案是:一种陶瓷电阻碳化工艺,包括如下步骤。
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min。
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温,至1000~1100℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min。
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温,至500~700℃,且继续混合20~40min。
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min。
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。
上述步骤S1~S5均在抽真空状态下进行,第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14
而且,为获得最优效果,步骤S1中,第一次升温的温度值为870℃;步骤S2中,第二次升温的温度值为1050℃;步骤S3中,第一次降温的温度值为600℃;步骤S4中,第三次升温的温度值为800℃。
而且,所述第一次、第二次和第三次喷药水的方向与抽真空的方向相同。
而且,所述抽真空的真空度为0.05~0.10MPa,优选0.08MPa。
而且,步骤S5完成后,对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理,然后在200~300℃的温度下烘烤1小时,冷却至室温后进行压帽处理,得到成品。
而且,对碳化后的陶瓷电阻进行表面喷漆和表面抛光处理时,进行风冷降温。
本发明的有益效果在于:碳化控制精度高,药水与待碳化的陶瓷电阻接触均匀,成品率高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
本实施例提供一种陶瓷电阻碳化工艺,包括如下步骤。
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min。
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温,至1000~1100℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min。
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温,至500~700℃,且继续混合20~40min。
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min。
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。
上述步骤S1~S5均在抽真空状态下进行,真空度为0.05~0.10MPa,优选0.08MPa。第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14
进一步的,步骤S5完成后,对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理,同时进行风冷降温。然后在200~300℃的温度下烘烤1小时,冷却至室温后进行压帽处理,得到成品。
实施例1:将陶瓷电阻进行第一次升温,至80℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min;将陶瓷电阻进行第二次升温,至1000℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min;将陶瓷电阻进行第一次降温,至500~700℃,且继续混合20~40min;将陶瓷电阻进行第三次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min;最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。
实施例2:将陶瓷电阻进行第一次升温,至870℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min;将陶瓷电阻进行第二次升温,至1050℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min;将陶瓷电阻进行第一次降温,至600℃,且继续混合20~40min;将陶瓷电阻进行第三次升温,至800℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min;最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。
实施例3:将陶瓷电阻进行第一次升温,至900℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min;将陶瓷电阻进行第二次升温,至1100℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min;将陶瓷电阻进行第一次降温,至700℃,且继续混合20~40min;将陶瓷电阻进行第三次升温,至900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min;最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进或变形,这些改进或变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种陶瓷电阻碳化工艺,包括如下步骤:
S1、将陶瓷电阻进行第一次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第一次喷药水,充分混合40~50min;
S2、将陶瓷电阻进行第二次升温,至1000~1100℃后,向陶瓷电阻第二次喷药水,充分混合10~15min;
S3、将陶瓷电阻进行第一次降温,至500~700℃,且继续混合20~40min;
S4、将陶瓷电阻进行第三次升温,至800~900℃后,向陶瓷电阻第三次喷药水,充分混合10~15min;
S5、最后将陶瓷电阻进行第二次降温,至室温,完成碳化;
上述步骤S1~S5均在抽真空状态下进行,第一次、第二次和第三次喷的药水均为正己烷C6H14
2.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:步骤S1中,第一次升温的温度值为870℃。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:步骤S2中,第二次升温的温度值为1050℃。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:步骤S3中,第一次降温的温度值为600℃。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:步骤S4中,第三次升温的温度值为800℃。
6.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:所述第一次、第二次和第三次喷药水的方向与抽真空的方向相同。
7.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:所述抽真空的真空度为0.05~0.10MPa。
8.根据权利要求1所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:步骤S5完成后,对碳化后的陶瓷电阻依次进行表面喷漆和表面抛光处理,然后在200~300℃的温度下烘烤1小时,冷却至室温后进行压帽处理,得到成品。
9.根据权利要求8所述的陶瓷电阻碳化工艺,其特征在于:对碳化后的陶瓷电阻进行表面喷漆和表面抛光处理时,进行风冷降温。
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