CN107275499A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种量子点发光二极管及其制备方法,本发明将包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管;在所述得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。本发明采用喷墨打印技术结合所限定比例的墨水实现量子点发光二极管的大面积的简易制备,操作简单;并且本发明所使用的墨水有助于提高打印分辨率,确保打印得均匀性,进而有利于二极管的导电发光。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点是准零维的纳米材料,由少量的原子组成。量子点属于无机半导体材料,较有机材料具有更加稳定的光化学稳定性,并且可以通过调控量子点的尺寸实现对荧光波长、发射光谱的调控,具有优异的荧光量子产率。由于优异的特性,量子点受到广泛关注,被广泛用于显示技术领域。
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点为发光层,能产生和发出任意可见波长的光的量子点有机发光器件。量子点发光二极管具有高亮度、高纯度、低功耗、宽色域、可大面积溶液加工诸多优点。
但是目前量子点发光二极管多采用旋涂蒸镀方法在导电基底表面逐层旋涂,不仅方法繁琐,并且在大面积生产过程中,难以确保大范围内的均匀平整。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法,方法简单并且可实现大面积生产。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)将包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管;
所述包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液中聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐与有机溶剂的质量比为(10~15):100;
所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;
所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~15)mg:(1~2)mL;
所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;
(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
优选的,所述包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
优选的,所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。
优选的,所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。
优选的,所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
优选的,所述步骤(1)中包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为(0.5~1):(0.4~1):(0.6~1):(0.7~1)。
优选的,所述步骤(1)中各溶液独立地还包括调粘聚合物,所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。
优选的,所述步骤(1)中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。
本发明还提供了上述技术方案所述制备方法得到的量子点发光二极管,包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层经混合有机溶液经喷墨打印得到;所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经喷墨打印得到;所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经喷墨打印得到;所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经喷墨打印得到。
优选的,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。
本发明提供了量子点发光二极管的制备方法,采用喷墨打印技术结合所限定比例的墨水实现量子点发光二极管的大面积的简易制备,操作简单;并且本发明所使用的墨水有助于提高打印分辨率,确保打印得均匀性,进而有利于二极管的导电发光,油墨中溶剂挥发后墨水溶液中的溶质ZnO、三苯基二胺聚合物(poly-TPD)和量子点保留下来,保证了光电器件导电时对载流子的量的要求,并且保证了图片文字成像时的亮度和清晰度。实施例的结果表明,本发明提供的制备方法制备得到的量子点发光二极管,具有较高的柔韧性、发光强度以及光照度,并且具有更广的色域。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明实施例1制备得到的量子点发光二极管的示意图;其中,1-导电基底,2-空穴注入层,3-空穴传输层,4-量子点发光层,5-电子传输层,6-阴极。
具体实施方式
本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)将包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管;
所述包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液中聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐与有机溶剂的质量比为(10~15):100;
所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的总质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;
所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~15)mg:(1~2)mL;
所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;
(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
本发明将包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管。在本发明中,所述包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的有机溶液中PEDOT和PSS的总质量与有机溶剂的质量比为(10~15):100,优选为(12~14):100,进一步优选为12.5:100。在本发明中,所述包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的混合有机溶液中有机溶剂优选包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。在本发明中,所述PEDOT和PSS的摩尔比优选为(1~5):(20~200),更优选为(2~3):(50~150),最优选为2.5:100。本发明对所述PEDOT、PSS和有机溶剂的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。
在本发明中,所述包括PEDOT和PSS的混合有机溶液优选还包括调粘聚合物,所述调粘聚合物的质量优选不高于所述PEDOT和PSS总质量的0.5%,进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中,所述调粘聚合物优选包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。本发明对所述聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。
在本发明中,所述包括三苯基二胺聚合物(poly-TPD)的有机溶液中poly-TPD的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL,优选为(6~8)mg:(1~2)mL。在本发明中,所述包括poly-TPD的有机溶液中有机溶剂优选包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中的一种或多种。本发明对所述poly-TPD、氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。
在本发明中,所述包括poly-TPD的有机溶液优选还包括调粘聚合物,所述调粘聚合物的质量优选不高于所述poly-TPD质量的0.5%,进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中,所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致,在此不再赘述。
在本发明中,所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~15)mg:(1~2)mL,优选为(6~12)mg:1mL,进一步优选为(8~10)mg:1mL。在本发明中,所述量子点优选为II-IV族化合物半导体,III-V族化合物半导体、IV-VI族化合物半导体或I-III-VI族半导体,进一步优选为ZnS、CdSe、HgTe、ZnSe、HgSe、CdS、ScNb和YNb的一种或多种;所述量子点的形态优选为纳米晶结构。本发明对所述量子点的具体来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的即可。
在本发明中,所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂优选包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。在本发明中,所述包括量子点的有机溶液优选还包括调粘聚合物,所述调粘聚合物的质量优选不高于所述poly-TPD质量的0.05%,进一步优选为0.02~0.03%。在本发明中,所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致,在此不再赘述。
在本发明中,所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL,优选为(12~18)mg:(1.5~2.5)mL,更优选为15mg:2mL。在本发明中,所述氧化锌优选为纳米氧化锌;所述氧化锌的粒径优选为5~95nm,进一步优选为10~60nm,更优选为20nm。本发明对所述氧化锌的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的氧化锌即可。
在本发明中,所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂优选包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。本发明对所述乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇的来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的即可。在本发明中,所述包括氧化锌的有机溶液优选还包括调粘聚合物,所述调粘聚合物的质量优选不高于所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌质量的0.5%,进一步优选为0.2~0.3%。在本发明中,所述调粘聚合物与上述技术方案中的调粘聚合物一致,在此不再赘述。
本发明将包括PEDOT和PSS的混合有机溶液、包括poly-TPD的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管。
在本发明中,所述导电基底优选包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种。在本发明中,所述金属氧化物优选包括氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的一种或多种;所述金属单质优选包括金属纳米线或金属网(metal mesh),更优选包括银纳米线、金纳米线、铜纳米线,铜镍金属网、金纳米金属网、铜纳米金属网中的一种或者多种;所述含碳材料优选包括石墨烯、碳纳米管和碳纳米线中的一种或多种。
当本发明制备柔性量子点发光二极管时,所述导电基底优选采用ITO导电玻璃。本发明对所述ITO导电玻璃的具体来源没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的市售产品即可。
在本发明中,所述打印前优选还包括对所述导电基底的清洗处理,去除导电基底上灰尘,助于墨水的粘结。本发明对所述清洗处理没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的基底材料表面的清洗方式即可。
本发明在所述打印前优选将所述包括PEDOT和PSS的混合有机溶液、包括poly-TPD的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液依次设置于喷墨打印用墨盒中备用,有助于所述喷墨打印的顺利进行。在本发明中,所述包括PEDOT和PSS的混合有机溶液经喷墨印刷方法印刷得到空穴注入层;所述包括poly-TPD的有机溶液经喷墨印刷方法印刷得到空穴传输层;所述包括量子点有机溶液经喷墨印刷方法印刷得到量子点发光层;所述包括氧化锌的有机溶液经喷墨印刷方法印刷得到电子传输层。
在本发明中,包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比优选为(0.5~1):(0.4~1):(0.6~1):(0.7~1)。
在本发明中,所述喷墨打印优选为压电喷墨打印或气溶胶喷墨打印。本发明对所述喷墨打印的具体实施方式没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的喷墨打印操作方式即可。
在本发明中,所述打印优选为:采用喷墨打印方法将所述包括PEDOT和PSS的混合有机溶液在所述导电基底表面打印得到空穴注入层;采用喷墨打印方法将所述包括poly-TPD的有机溶液在所述空穴注入层表面打印得到空穴传输层;采用喷墨打印方法将所述包括量子点的有机溶液在所述空穴传输层表面打印得到量子点发光层;采用喷墨打印方法将所述包括氧化锌的有机溶液在所述量子点发光层表面打印得到电子传输层。在本发明中,每层打印时所述喷墨打印方法独立地优选为压电喷墨打印或气溶胶喷墨打印。
在本发明中,所述每层打印后优选还包括对相应打印层的干燥处理。在本发明中,所述每层打印后的干燥的时间独立地优选为5~20min,所述每次打印后的干燥的温度独立地优选为40~60℃。在本发明中,所述干燥有助于有机溶剂的挥发,避免有机溶剂对量子点发光过程中对发光效率的影响。本发明对所述干燥的具体实施方式没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的干燥实施方式即可。
在本发明中,所述打印优选按照目标要求的图案进行打印。
得到所述初级量子点发光二极管后,本发明在所述得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。本发明优选在所述电子传输层表面蒸镀阴极,得到量子点发光二极管。在本发明中,所述蒸镀的真空度优选为1×10-6~9×10-6Pa,进一步优选为6×10-6~8×10-6Pa;在本发明中,所述蒸镀的温度优选为200~1200℃,进一步优选为300~1000℃,更优选为400~500℃。
在本发明中,所述阴极优选包括铝、银、铜和钙中的一种或多种;在本发明中,所述阴极进一步优选为银铜合金或银铝合金;当阴极采用合金的形式时,本发明对所述合金中不同组分的含量没有特殊要求,采用本领域技术人员所熟知的相应合金即可。
本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法得到的量子点发光二极管。在本发明中,所述量子点发光二极管,包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层经混合有机溶液经喷墨打印得到;所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经喷墨打印得到;所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经喷墨打印得到;所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经喷墨打印得到。量子点发光二极管结构示意图如图1所示,1为导电基底,为表面涂有ITO的玻璃基底,ITO层为阳极层;2为空穴注入层;3为空穴传输层;4为量子点发光层;5为电子传输层;6为阴极。
在本发明中,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地优选为0.01~0.03mm,进一步优选为0.02~0.025mm;在本发明中,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度比优选为(0.5~1):(0.4~1):(0.6~1):(0.7~1)。
为了进一步说明本发明,下面结合实施例对本发明提供的量子点发光二极管及其制备方法进行详细地描述,但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好,得到Poly-TPD油墨;将量子点正己烷溶液按5mg/ml比例配好,得到量子点油墨;将ZnO与乙醇按10mg/ml比例配好,得到氧化锌油墨;将PEDOT:PSS与乙醇按12.5%比例配好,得到PEDOT:PSS油墨,其中PEDOT和PSS的质量比为5:20;
将获得的PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨顺次填充到墨盒中,采用计算机控制的方式按照预先设定的图案在ITO导电玻璃表面进行逐层喷墨打印,喷墨打印后,进行静置,在静止过程中实现油墨中有机溶剂的挥发,得到0.01mm厚空穴注入层、0.01mm空穴传输层、0.01mm量子点发光层和0.01mm电子传输层初级量子点发光二极管;其中,PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨的喷涂量体积比为1:1:1:1。
在真空度为9×10-6Pa,温度为1000℃下,在电子传输层表面蒸镀银阴极,阴极极厚度为0.01mm,得到量子点发光二极管。
实施例2
将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好,得到Poly-TPD油墨;将量子点正己烷溶液按15mg/ml比例配好,得到量子点油墨;将ZnO乙醇溶液按10mg/ml比例配好,得到氧化锌油墨;将PEDOT:PSS与乙醇按12.5%比例配好,得到PEDOT:PSS油墨,其中PEDOT和PSS的质量比为5:20。
将获得的PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨顺次填充到墨盒中,采用计算机控制的方式按照预先设定的图案在ITO导电玻璃表面进行逐层喷墨打印,喷墨打印后,进行静置,在静止过程中实现油墨中有机溶剂的挥发,得到0.02mm厚空穴注入层、0.02mm空穴传输层、0.02mm量子点发光层和0.02mm电子传输层初级量子点发光二极管;其中,PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨的喷涂量体积比为1:1:1:1。
在真空度为9×10-6Pa,温度为1000℃下,在电子传输层表面蒸镀锌阴极,阴极极厚度为0.01mm,得到量子点发光二极管。
实施例3
将Poly-TPD与氯代苯按6mg/ml比例配好,按照Poly-TPD质量的0.02%,添加聚乙醇,得到Poly-TPD油墨;将量子点正己烷溶液按5mg/ml比例配好,按照量子点质量的0.02%添加聚乙醇,得到量子点油墨;将ZnO乙醇溶液按20mg/ml比例配好,按照氧化锌质量的0.02%添加聚乙醇,得到氧化锌油墨;将PEDOT:PSS与乙醇按12.5%比例配好,得到PEDOT:PSS油墨,其中PEDOT和PSS的质量比为2:50。
将获得的PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨顺次填充到墨盒中,采用计算机控制的方式按照预先设定的图案在ITO导电玻璃表面进行逐层喷墨打印,喷墨打印后,进行静置,在静止过程中实现油墨中有机溶剂的挥发,得到0.02mm厚空穴注入层、0.02mm空穴传输层、0.02mm量子点发光层和0.02mm电子传输层初级量子点发光二极管;其中,PEDOT:PSS油墨、Poly-TPD油墨、量子点油墨和氧化锌油墨的喷涂量体积比为1:1:1:1。
在真空度为9×10-6Pa,温度为1000℃下,在电子传输层表面蒸镀锌阴极,阴极极厚度为0.01mm,得到量子点发光二极管。
对比例1
按照实施例1的原料比例配制溶液,将配好的溶液逐层旋涂在导电玻璃导电层上。
旋涂过程均在手套箱的氩气惰性气氛(O2<1ppm,H2O<1ppm)下进行:
将PEDOT:PSS乙醇溶液,以6000r/s的速度旋涂50s在导电玻璃上,然后在150℃条件下干燥30min,得到厚度为0.01mm的空穴注入层;
在空穴注入层表面旋涂Poly-TPD氯代苯溶液,按照3000r/s的速率旋涂40s,放入真空干燥箱120℃下干燥20min,得到厚度为0.01mm的空穴传输层;
在空穴传输层表面旋涂的CdSe量子点的正己烷溶液,以2500r/s的速率旋涂50s,在200℃烘干10min,得到厚度为0.01mm的量子点发光层;
在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液,以2000r/s的速率旋涂40秒,随后在100℃烘干20min,得到厚度为0.01mm的电子传输层;
在真空度为9×10-6Pa,温度为1000℃下,在电子传输层表面蒸镀银阴极,阴极极厚度为0.01mm,得到量子点发光二极管。
对比例2
按照实施例2的原料配制旋涂液,依据对比例1的方法进行旋涂制备量子点发光二极管。
对比例3
按照实施例3的原料配制旋涂液,依据对比例1的方法进行旋涂制备量子点发光二极管。
将实施例1~3制备得到的发光二极管和对比例1~3制备得到的硬质发光二极管进行柔韧性、发光强度、光照度以及色域的试验测试,测试结果如表1所示。
制备的柔性电致发光二极管进行柔韧度,发光强度,光照度和色域试验,将测试结果与采用传统方法制备的硬质电致发光二极管测试结果进行对比如下:
表1实施例1~3和对比例1~3制备得到的发光二极管的测试结果对照表
柔韧度(%) 发光强度(cd) 光照度(lux) 色域
实施例1 80 161 50 110%NTSC CIE
实施例2 79 163 49 110%NTSC CIE
实施例3 79 165 49 110%NTSC CIE
对比例1 0 160 48 110%NTSC CIE
对比例2 0 159 47 110%NTSC CIE
对比例3 0 158 48 110%NTSC CIE
由表1中实施例1和实施例2的结果对照可知,量子点正己烷溶液的浓度越高,二极管的发光效果越好;实施例1和实施例3的结果对照可知,ZnO乙醇溶液浓度越高,二极管发光效果越好。
由表1中实施例的测试结果与对比例的测试结果对照,可知,本发明制备得到的制备的柔性电致发光二极管柔韧度,发光强度和光照度均得到了提高。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:
(1)将包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液通过喷墨打印方法顺次在导电基底表面打印,得到初级量子点发光二极管;
所述包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液中聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的总质量与有机溶剂的质量比为(10~15):100;
所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中三苯基二胺聚合物的质量和有机溶剂的体积比为(5~10)mg:(1~2)mL;
所述包括量子点的有机溶液中量子点的质量和有机溶剂的体积比为(5~15)mg:(1~2)mL;
所述包括氧化锌的有机溶液中氧化锌的质量和有机溶剂的体积比为(10~20)mg:(1~3)mL;
(2)在所述步骤(1)得到的初级量子点发光二极管非导电基底侧的表层沉积电极,得到量子点发光二极管。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液中有机溶剂包括氯代苯、甲苯、二甲苯、苯乙烯、氯仿和苯中一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述包括量子点的有机溶液中有机溶剂包括正己烷、正庚烷、辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、正十四烷、十六烷和正十八烷中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述包括氧化锌的有机溶液中有机溶剂包括乙醇、甲醇、苯甲醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、新戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇和十二醇中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的混合有机溶液、包括三苯基二胺聚合物的有机溶液、包括量子点的有机溶液和包括氧化锌的有机溶液的体积比为(0.5~1):(0.4~1):(0.6~1):(0.7~1)。
7.根据权利要求1~6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中各溶液独立地还包括调粘聚合物,所述调粘度聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯和聚苯乙烯中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中各溶液中调粘聚合物的质量不高于相应溶液中溶质质量的0.05%。
9.权利要求1~8任一项所述制备方法得到的量子点发光二极管,包括依次设置的导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述空穴注入层经混合有机溶液经喷墨打印得到;所述空穴传输层经所述包括三苯基二胺聚合物的有机溶液经喷墨打印得到;所述量子点发光层经所述包括量子点的有机溶液经喷墨打印得到;所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经喷墨打印得到。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述导电基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极的厚度独立地为0.01~0.03mm。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108219119A (zh) * 2017-12-31 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种聚噻吩衍生物、复合材料及制备方法
CN109768173A (zh) * 2018-12-25 2019-05-17 武汉理工大学 一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法
CN110635068A (zh) * 2019-09-19 2019-12-31 成都新柯力化工科技有限公司 一种卷对卷连续印刷oled柔性显示面板的方法
CN110690352A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110690353A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种串联oled器件的制备方法
CN111384259A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN112436099A (zh) * 2020-11-27 2021-03-02 合肥福纳科技有限公司 量子点和qled器件的制备方法、qled器件
CN112684632A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 舟山扑浪实业有限公司 一种像素级量子点显示面板及其制备方法
CN113130780A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和发光二极管
CN113451519A (zh) * 2020-07-13 2021-09-28 河南大学 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
WO2022049611A1 (ja) * 2020-09-01 2022-03-10 シャープ株式会社 発光素子、及び表示装置
CN115386263A (zh) * 2021-05-24 2022-11-25 广东聚华印刷显示技术有限公司 墨水以及发光二极管

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103460427A (zh) * 2011-03-31 2013-12-18 大日本印刷株式会社 有机电致发光元件、有机电致发光元件的制造方法及电子注入输送层用涂布液
CN105244454A (zh) * 2015-10-16 2016-01-13 Tcl集团股份有限公司 一种印刷am-qdled及其制作方法
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN105810851A (zh) * 2016-05-03 2016-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光二极管显示器的制作方法及量子点发光二极管显示器
CN106374046A (zh) * 2016-09-12 2017-02-01 Tcl集团股份有限公司 一种正置结构的量子点发光二极管及制备方法
CN106752383A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 广东轻工职业技术学院 一种喷印制备太阳能电池薄膜的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103460427A (zh) * 2011-03-31 2013-12-18 大日本印刷株式会社 有机电致发光元件、有机电致发光元件的制造方法及电子注入输送层用涂布液
CN105244454A (zh) * 2015-10-16 2016-01-13 Tcl集团股份有限公司 一种印刷am-qdled及其制作方法
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN105810851A (zh) * 2016-05-03 2016-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光二极管显示器的制作方法及量子点发光二极管显示器
CN106374046A (zh) * 2016-09-12 2017-02-01 Tcl集团股份有限公司 一种正置结构的量子点发光二极管及制备方法
CN106752383A (zh) * 2016-12-08 2017-05-31 广东轻工职业技术学院 一种喷印制备太阳能电池薄膜的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王运赣著: "《3D打印技术》", 31 July 2014, 华中科技大学出版社 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019127885A1 (zh) * 2017-12-31 2019-07-04 深圳市华星光电技术有限公司 一种聚噻吩衍生物、复合材料及制备方法
CN108219119A (zh) * 2017-12-31 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种聚噻吩衍生物、复合材料及制备方法
CN109768173A (zh) * 2018-12-25 2019-05-17 武汉理工大学 一种全喷墨打印倒置结构量子点发光二极管制备方法
CN111384259A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111384259B (zh) * 2018-12-28 2021-09-14 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN110690352A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110690353A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种串联oled器件的制备方法
WO2021042577A1 (zh) * 2019-09-06 2021-03-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11271159B2 (en) 2019-09-06 2022-03-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Manufacturing method of tandem organic light emitting diode device
US11716866B2 (en) 2019-09-06 2023-08-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel including planarization layer with protrusion and method of manufacturing thereof
CN110635068B (zh) * 2019-09-19 2021-02-09 山西穿越光电科技有限责任公司 一种卷对卷连续印刷oled柔性显示面板的方法
CN110635068A (zh) * 2019-09-19 2019-12-31 成都新柯力化工科技有限公司 一种卷对卷连续印刷oled柔性显示面板的方法
CN113130780A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和发光二极管
CN113451519A (zh) * 2020-07-13 2021-09-28 河南大学 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
WO2022049611A1 (ja) * 2020-09-01 2022-03-10 シャープ株式会社 発光素子、及び表示装置
CN112436099A (zh) * 2020-11-27 2021-03-02 合肥福纳科技有限公司 量子点和qled器件的制备方法、qled器件
CN112684632A (zh) * 2020-12-25 2021-04-20 舟山扑浪实业有限公司 一种像素级量子点显示面板及其制备方法
CN115386263A (zh) * 2021-05-24 2022-11-25 广东聚华印刷显示技术有限公司 墨水以及发光二极管

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