CN112436099A - 量子点和qled器件的制备方法、qled器件 - Google Patents
量子点和qled器件的制备方法、qled器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112436099A CN112436099A CN202011368367.0A CN202011368367A CN112436099A CN 112436099 A CN112436099 A CN 112436099A CN 202011368367 A CN202011368367 A CN 202011368367A CN 112436099 A CN112436099 A CN 112436099A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- environment
- protective gas
- dissolving
- mixing
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 69
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 66
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 66
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 122
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 20
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 claims description 20
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims description 14
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 14
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 claims description 13
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 claims description 12
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 11
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 6
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 3
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N tetracosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPAQUWKUZAIRJE-UHFFFAOYSA-N S=[Se].[Zn].[Cd] Chemical compound S=[Se].[Zn].[Cd] NPAQUWKUZAIRJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYDZYJYYCYREGF-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Se]=S Chemical compound [Cd].[Se]=S JYDZYJYYCYREGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPCGGVKCDVFDQU-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Se]=S Chemical compound [Zn].[Se]=S IPCGGVKCDVFDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N zinc cadmium(2+) selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2].[Se-2].[Cd+2] NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本申请提供一种量子点和QLED器件的制备方法、QLED器件。量子点的制备方法，包括：在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液；所述第一单质为硫和/或硒，所述配位剂为长链烷烃或烯烃溶剂；在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂中进行混合和溶解，得到金属源溶液；所述金属源包括镉源和锌源中的至少一种；将所述第一单质的前驱体溶液和所述金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到所述第一单质和所述金属源对应的量子点。该方法用以保证量子点的高量产率和稳定性，并减少环境污染。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种量子点和QLED器件的制备方法、QLED器件。
背景技术
量子点，又称为半导体纳米晶，是指半径不大于激子波尔半径的特殊无机半导体材料。具有荧光发射强、量子产率高、半峰宽窄、尺寸及发光波长可调等优点，其在光电器件、生物成像、荧光标记等领域具有广阔的应用前景。
高质量的量子点合成方法通常是油相热注入法，通过向高温的长碳链的阳离子络合物溶液中注入阴离子溶液来合成量子点。阴离子溶液的溶剂通常为三辛基膦、三丁基膦或二苯基膦等含磷酸的溶剂。然而，膦酸的毒性、高价和对环境的污染限制了量子点的大规模生产。
可见，现有的量子点的制备方法具有量子产率低，污染大、稳定性差的问题。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种量子点和QLED器件的制备方法、QLED器件，用以保证量子点的高量产率和稳定性，并减少环境污染。
第一方面，本申请实施例提供一种量子点的制备方法，包括：在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液；所述第一单质为硫和/或硒，所述配位剂为长链烷烃或烯烃溶剂；在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液；所述金属源包括镉源和锌源中的至少一种；将所述第一单质的前驱体溶液和所述金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到所述第一单质和所述金属源对应的量子点。
在本申请实施例中，以硫和/或硒作为原料，以长链烷烃或烯烃为配位剂来制备量子点，与现有技术相比，通过无膦法制备油溶性硒和/或硫的化合物半导体纳米晶，在减少环境污染、降低价格、方便大规模制备的同时，保证量子的高量子产率和稳定性。
作为一种可能的实现方式，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与还原剂和配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
在本申请实施例中，若第一单质为硫，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
作为一种可能的实现方式，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、氧化锌、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉和氧化锌的混合溶液。
在本申请实施例中，若第一单质为硫，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、氧化锌、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉和氧化锌的溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
作为一种可能的实现方式，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：在所述第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
在本申请实施例中，若第一单质为硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、十四酸和十八烷进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
作为一种可能的实现方式，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：在所述第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、乙酸锌、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉和乙酸锌的混合溶液。
在本申请实施例中，若第一单质为硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、乙酸锌、十四酸和十八烷进行混合和溶解得到的氧化镉和乙酸锌的混合溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
作为一种可能的实现方式，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与还原剂和配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液，以及将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；对应的，在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂中进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
在本申请实施例中，若第一单质为硫和硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫和硒的分别混合和溶解，得到硫和硒各自的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
作为一种可能的实现方式，在所述将所述第一单质的前驱体溶液和所述金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到所述第一单质和所述金属源对应的量子点后，所述方法还包括：将所述量子点依次进行沉淀、离心分离以及干燥处理，得到处理后的量子点。
在本申请实施例中，在得到量子点后，还可以对量子点进行进一步的处理，以便于对制备得到的量子点进行利用。
作为一种可能的实现方式，所述将所述量子点依次进行沉淀、离心分离以及干燥处理，得到处理后的量子点，包括：在所述量子点中加入极性溶剂，进行离心处理，得到第一沉淀物；将所述第一沉淀物加入非极性溶剂中进行溶解，得到溶解混合物；在所述溶解混合物中加入甲醇进行离心处理，得到第二沉淀物；将所述第二沉淀物加入非极性溶剂中，得到处理后的量子点。
在本申请实施例中，利用非极性溶剂和极性溶剂来对量子点进行进一步处理，保证量子点的稳定性。
第二方面，本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法，所述方法包括：在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层按照第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的量子点的制备方法进行制备。
在本申请实施例中，在制备QLED器件时，量子点发光层可以按照第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的量子点的制备方法进行制备，进而能够实现QLED器件制备的高量产、低污染、和稳定性。
第三方面，本申请实施例提供一种QLED器件，所述QLED器件包括：衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层为按照第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的量子点的制备方法进行制备得到的量子点发光层。
在本申请实施例中，QLED器件中包括按照第一方面以及第一方面的任意一种可能的实现方式中所述的量子点的制备方法进行制备得到的量子点发光层，使QLED器件低污染，且稳定性高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的量子点的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
本申请实施例所提供的量子点的制备方法可以用于单独的量子点的制备，也可以应用于QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)的制备(主要是量子点发光层的制备)，因此，本申请实施例先对量子点的制备方法进行介绍，再对基于量子点的制备方法的QLED器件的制备方法进行介绍。
请参照图1，为本申请实施例提供的量子点的制备方法的流程图，该方法包括：
步骤101：在第一保护气体的环境中，将第一单质与还原剂和配位剂进行混合和溶解，得到第一单质的前驱体溶液。其中，第一单质为硫和/或硒，还原剂和配位剂为长链烷烃或烯烃溶剂。
步骤102：在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂中进行混合和溶解，得到金属源溶液。其中，金属源包括镉源和锌源中的至少一种。
步骤103：将第一单质的前驱体溶液和金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到第一单质和金属源对应的量子点。
在本申请实施例中，以硫和/或硒作为原料，以长链烷烃或烯烃为还原剂和配位剂来制备量子点，与现有技术相比，通过无膦法制备油溶性硒和/或硫的化合物半导体纳米晶，在减少环境污染、降低价格、方便大规模制备的同时，保证量子的高量子产率和稳定性。
接下来对步骤101-步骤103的实施方式进行介绍。
在步骤101-步骤103中，保护气体(第一保护气体及第二保护气体)可以防止被保护的物质被空气中的氧气氧化,保护气体为化学性质稳定，且不易与保护物发生化学反应的气体，一般是稀有气体(惰性气体)或不和反应物反应的气体。保护气体一般用氮气，它的化学性质不活泼，也可以用一些化学性质不活泼的稀有气体作为保护气体(如：氦、氖、氩、氪、氙、氡等)。第一保护气体和第二保护气体可以采用相同的气体。
进一步地，长链烷烃可以为十二烷、十四烷、十八烷、二十四烷、液体石蜡等，烯烃溶剂可以为：十八烯、十六烯等。脂肪酸可以为油酸、十八烷基酸、十四酸等。最终得到的量子点包括：II-VI族的CdSe(硒化镉)、CdS(硫化镉)、ZnSe(硒化锌)、ZnS(硫化锌)；CdZnS(硫化锌-镉)、CdZnSe(硒化锌-镉)、ZnSeS(硫化硒-锌)、CdSeS(硫化硒-镉)、CdZnSeS(硫化硒-镉-锌)中任意一种或多种的组合及其核壳量子点。金属源对应的混合溶剂包括：脂肪族胺和脂肪酸中的至少一种以及十八烯和液体石蜡中的至少一种。
在步骤101中，第一单质可以为硫和/或硒，在步骤102中，金属源也有多种，长链烷烃或烯烃溶剂也有多种，因此，步骤101和步骤102有多种不同的实施方式，本申请实施例提供5种不同的实施方式，接下来分别对这种5种实施方式进行介绍，其中，第一保护气体及第二保护气体均以氮气为例。
第一种可选的实施方式：
步骤101包括：在第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液。对应的，步骤102包括：在第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
在第一种可选的实施方式中，步骤101的实施过程可以包括：将0.064g硫和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到120℃，搅拌至硫单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硫前驱体制备硫化物量子点。步骤102的实施过程可以包括：将0.256g CdO(氧化镉)、2ml油酸和18ml液体石蜡置于三口烧瓶中，在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到200℃，搅拌至CdO完全溶解，溶解得到的溶液作为镉前驱体制备硫化物量子点。
其中，放置反应物的容器不限于三口烧瓶，重复的次数不限于三次，硫、十八烯、CdO、油酸和液体石蜡的量不限于上述中的限定，都可以结合实际需求进行选择。后续实施例中关于容器、分量、重复次数等也都是示例性举例，不仅限于举例中的限定。
进一步地，在这种实施方式下，步骤103的实施过程可以包括：将硫前驱体溶液注入到260℃的氧化镉溶液中，反应10分钟得到CdS量子点。
在本申请实施例中，若第一单质为硫，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
第二种可选的实施方式：
步骤101包括：在第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液。步骤102包括：在第二保护气体的环境中，将氧化镉、氧化锌、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉和氧化锌的混合溶液。
在第二种可选的实施方式中，步骤101的实施过程可以包括：将0.064g硫和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到120℃，搅拌至硫单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硫前驱体制备硫化物量子点。步骤102的实施过程可以包括：将0.128g CdO、0.082g ZnO(氧化锌)、2ml油酸和18ml液体石蜡置于三口烧瓶中，在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到200℃，搅拌至CdO、ZnO完全溶解，溶解得到的溶液作为镉、锌前驱体制备硫化物量子点。
进一步地，在这种实施方式下，步骤103的实施过程可以包括：将硫前驱体溶液注入到280℃的CdO、ZnO混合溶液中，反应10分钟得到CdZnS量子点。
在本申请实施例中，若第一单质为硫，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、氧化锌、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉和氧化锌的溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
第三种可选的实施方式：
步骤101包括：在第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液。步骤102包括：在第二保护气体的环境中，将氧化镉、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
步骤101的实施过程可以包括：将0.079g硒粉和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到240℃，搅拌至硒单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硒前驱体制备硒化物量子点。步骤102的实施过程可以包括：将0.256gCdO、2ml十四酸和18g十八烷置于三口烧瓶中，在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到200℃，搅拌至CdO完全溶解，溶解得到的溶液作为镉前驱体制备硒化物量子点。
进一步地，在这种实施方式下，步骤103的实施过程可以包括：将硒前驱体溶液注入到220℃的CdO溶液中，反应10分钟得到CdSe量子点。
在本申请实施例中，若第一单质为硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、十四酸和十八烷进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
第四种实施方式：
步骤101包括：在第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液。步骤102包括：在第二保护气体的环境中，将氧化镉、乙酸锌、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉和乙酸锌的混合溶液。
步骤101的实施过程可以包括：将0.079g硒粉和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到240℃，搅拌至硒单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硒前驱体制备硒化物量子点。步骤102的实施过程可以包括：将0.064gCdO、0.275g Zn(Ac)2(乙酸锌)、2ml十四酸和18g十八烷置于三口烧瓶中，在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到200℃，搅拌至CdO、Zn(Ac)2完全溶解，溶解得到的溶液作为镉、锌前驱体制备硒化物量子点。
进一步地，在这种实施方式下，步骤103的实施过程可以包括：将硒前驱体溶液注入到260℃的CdO、Zn(Ac)2的混合溶液中，反应10分钟得到CdZnSe量子点。
在本申请实施例中，若第一单质为硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫的混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、乙酸锌、十四酸和十八烷进行混合和溶解得到的氧化镉和乙酸锌的混合溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
第五种实施方式：
步骤101包括：在第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液，以及将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液。步骤102包括：在第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
步骤101的实施过程可以包括：将0.032g硫粉和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到120℃，搅拌至硫单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硫前驱体制备硫化物量子点。将0.079g硒粉和10ml十八烯置于三口烧瓶中。在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到240℃，搅拌至硒单质完全溶解，溶解得到的溶液作为硒前驱体制备硒化物量子点。步骤102的实施过程可以包括：将0.256g CdO、2ml油酸和18ml十八烯置于三口烧瓶中，在25℃下搅拌，然后抽真空后补入氮气，重复三次。升温到200℃，搅拌至CdO完全溶解，溶解得到的溶液作为镉前驱体制备硫、硒化物量子点。
进一步地，在这种实施方式下，步骤103的实施过程可以包括：将硫、硒前驱体溶液注入到260℃的CdO溶液中，反应10分钟得到CdSeS量子点。
在本申请实施例中，若第一单质为硫和硒，对应的配位剂可以是十八烯，通过十八烯和硫和硒的分别混合和溶解，得到硫和硒各自的前驱体溶液；对应的金属源溶液，可以是氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解得到的氧化镉溶液；进而实现高产量、低污染且稳定的量子点的制备。
此外，在上述5种实施方式中，在步骤103中，第一单质的前驱体溶液与金属源溶液的预设比例可以是：1：1～1：11，第一单质的前驱体溶液与金属源溶液的反应时间可以是：5～30分钟，不限于上述5种实施方式中所限定的反应时间和比例。
通过上述5种实施方式可以看出，根据实际需求可以灵活地选择硒、硫及其对应的金属源溶液，实现无膦法制备半导体纳米晶。整个操作过程简单，易操作，能够在减少环境污染、降低价格、方便大规模制备的同时，又能保证量子点的高量子产率和稳定性，从而推动量子点和QLED的发展。
进一步地，在步骤103中得到的量子点可以理解为目标产物的量子点，为了便于量子点的利用，还可以对得到的量子点进一步处理，因此，在步骤103后，该方法还包括：将量子点依次进行沉淀、离心分离以及干燥处理，得到处理后的量子点。
作为一种可选的实施方式，该过程包括：在量子点中加入极性溶剂，进行离心处理，得到第一沉淀物；将第一沉淀物加入非极性溶剂中进行溶解，得到溶解混合物；在溶解混合物中加入甲醇进行离心处理，得到第二沉淀物；将第二沉淀物加入非极性溶剂中，得到处理后的量子点。
其中，非极性溶剂可以是氯仿、氯苯、苯、甲苯、乙腈、正己烷、正辛烷、环己烷等；极性溶剂可以是甲醇、乙醇、丙酮等。在第一次离心处理之前，还可以先将量子点进行降温，然后再加入过量的极性溶剂，离心后将上清液倒掉，得到的第一沉淀物溶于非极性溶剂中，再进行离心沉淀，得到的沉淀物再溶于非极性溶剂中。其中，先加入极性溶剂中进行离心沉淀，然后再加入非极性溶剂中进行离心沉淀，该过程可以重复三次或者更多次。
在本申请实施例中，在得到量子点后，还可以对量子点进行进一步的处理，以便于对制备得到的量子点进行利用。且利用非极性溶剂和极性溶剂来对量子点进行进一步处理，保证量子点的稳定性。
基于同一发明构思，本申请实施例中还提供一种QLED器件的制备方法，包括：在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层按照前述实施例中所述的量子点的制备方法进行制备。
具体地，该制备过程可以包括：在衬底上先形成底电极。然后在底电极上形成空穴注入层。然后在空穴注入层上形成空穴传输层。然后采用非极性溶剂对量子点进行溶解，形成量子点溶液。然后在空穴传输层上沉淀量子点发光层。接着继续进行电子传输层和顶电极制备。衬底包括钢性、柔性衬底。
其中，底电极采用诸如Al、Au、Ag、或它们的合金等导电材料中任一者或任几者制成。空穴注入层采用PEODT：PSS、WoO3、MoO3、HATCN、NiO、HATCN、CuS CuO、V2O5等材料中的任一者或任几者制成。空穴传输层可以是小分子有机物，也可以是高分子导电聚合物，包括但不限于TFB、PVK、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5、CuS等。电子传输层可以采用ZnO、ZrO、TiO2、Alq3、TAZ、TPBI、PBD、BCP、Bphen等材料中的任一者或者任几者制成。顶电极采用ITO、FTO或ZTO中的任一者或任几者制成。
进一步地，底电极的厚度为30～110nm；空穴注入层的厚度为30～100nm；空穴传输层的厚度为30～100nm；量子点发光层的厚度为30～100nm；电子传输层的厚度为10～100nm；顶电极的厚度为90～110nm。
结合上述5种实施方式中不同的量子点，在制备QLED器件时，也有不同的实施方式，接下来分别进行介绍。
若量子点采用第1-4种实施方式进行制备，制备QLED器件的实施过程可以包括：在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，衬底为玻璃基底；底电极为ITO(氧化铟锡)，厚度为100nm；空穴注入层为PEDOT：PSS(一种高分子聚合物的水溶液)，厚度为40nm；空穴传输层为TFB，厚度为80nm；量子点发光层为配体交换后的量子点(即制备得到的量子点溶解于非极性溶剂中得到的量子点溶液)，厚度为100nm；电子传输层为ZnO，厚度为60nm；顶电极为Al，厚度为50nm。
若量子点采用第5种实施方式进行制备，制备QLED器件的实施过程可以包括：在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极。其中，衬底为玻璃基底；底电极为ITO，厚度为100nm；空穴注入层为PEDOT：PSS，厚度为40nm；空穴传输层为PVK(聚乙烯咔唑)，厚度为80nm；量子点发光层为配体交换后的量子点，厚度为100nm；电子传输层为ZnO，厚度为60nm；顶电极为Al，厚度为50nm。
在本申请实施例中，在制备QLED器件时，量子点发光层可以按照前述实施例中所述的量子点的制备方法进行制备，进而能够实现QLED器件制备的高量产、低污染、和稳定性。
基于同一发明构思，本申请实施例中还提供一种QLED器件，包括：衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层为按照前述实施例中所述的量子点的制备方法进行制备得到的量子点发光层。
对于该QLED器件，各个层的实施方式在介绍QLED器件的制备时已经进行了介绍，在此不再重复介绍。
在本申请实施例中，QLED器件中包括按照前述实施例中所述的量子点的制备方法进行制备得到的量子点发光层，使QLED器件低污染，且稳定性高。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括：
在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液；所述第一单质为硫和/或硒，所述配位剂为长链烷烃或烯烃溶剂；
在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液；所述金属源包括镉源和锌源中的至少一种；
将所述第一单质的前驱体溶液和所述金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到所述第一单质和所述金属源对应的量子点。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：
在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；
对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：
在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：
在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液；
对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：
在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、氧化锌、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉和氧化锌的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：
在所述第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；
对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：
在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：
在所述第一保护气体的环境中，将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；
对应的，所述在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：
在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、乙酸锌、十四酸和十八烷进行混合和溶解，得到氧化镉和乙酸锌的混合溶液。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一保护气体的环境中，将第一单质与配位剂进行混合和溶解，得到所述第一单质的前驱体溶液，包括：
在所述第一保护气体的环境中，将硫与十八烯进行混合和溶解，得到硫的前驱体溶液，以及将硒与十八烯进行混合和溶解，得到硒的前驱体溶液；
对应的，在第二保护气体的环境中，将金属源与对应的混合溶剂中进行混合和溶解，得到金属源溶液，包括：
在所述第二保护气体的环境中，将氧化镉、油酸和液体石蜡进行混合和溶解，得到氧化镉溶液。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述第一单质的前驱体溶液和所述金属源溶液按照预设比例进行混合反应，得到所述第一单质和所述金属源对应的量子点后，所述方法还包括：
将所述量子点依次进行沉淀、离心分离以及干燥处理，得到处理后的量子点。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述量子点依次进行沉淀、离心分离以及干燥处理，得到处理后的量子点，包括：
在所述量子点中加入极性溶剂，进行离心处理，得到第一沉淀物；
将所述第一沉淀物加入非极性溶剂中进行溶解，得到溶解混合物；
在所述溶解混合物中加入甲醇进行离心处理，得到第二沉淀物；
将所述第二沉淀物加入非极性溶剂中，得到处理后的量子点。
9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上依次制备底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层按照权利要求1-8任一项所述的量子点的制备方法进行制备。
10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括：衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、和顶电极；其中，所述量子点发光层为按照权利要求1-8任一项所述的量子点的制备方法进行制备得到的量子点发光层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011368367.0A CN112436099A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 量子点和qled器件的制备方法、qled器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011368367.0A CN112436099A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 量子点和qled器件的制备方法、qled器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112436099A true CN112436099A (zh) | 2021-03-02 |
Family
ID=74699131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011368367.0A Pending CN112436099A (zh) | 2020-11-27 | 2020-11-27 | 量子点和qled器件的制备方法、qled器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112436099A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107090291A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-08-25 | 天津纳美纳米科技有限公司 | 一种CdSe/CdZnSeS/ZnS核壳量子点制备方法 |
| CN107275499A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-10-20 | 广州琉芯光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN107794044A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-13 | 苏州帝格欣新材料科技有限公司 | 高效发光硫硒碲锌镉/硫化锌五元合金核壳结构量子点材料及制备方法 |
| CN107903900A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-13 | 广东轩朗实业有限公司 | CdZnSeS/ZnS量子点的制备方法 |
-
2020
- 2020-11-27 CN CN202011368367.0A patent/CN112436099A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107090291A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-08-25 | 天津纳美纳米科技有限公司 | 一种CdSe/CdZnSeS/ZnS核壳量子点制备方法 |
| CN107275499A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-10-20 | 广州琉芯光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN107794044A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-03-13 | 苏州帝格欣新材料科技有限公司 | 高效发光硫硒碲锌镉/硫化锌五元合金核壳结构量子点材料及制备方法 |
| CN107903900A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-13 | 广东轩朗实业有限公司 | CdZnSeS/ZnS量子点的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8361823B2 (en) | Light-emitting nanocomposite particles | |
| CN108865109B (zh) | 半导体纳米晶体颗粒、其制造方法和包括其的电子器件 | |
| CN110240896B (zh) | 量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件 | |
| Lu et al. | Cesium oleate precursor preparation for lead halide perovskite nanocrystal synthesis: The influence of excess oleic acid on achieving solubility, conversion, and reproducibility | |
| CN108550707B (zh) | 量子点发光二极管、液晶显示设备 | |
| JP5043848B2 (ja) | 量子ドット発光層 | |
| Zhang et al. | Surface ligand engineering toward brightly luminescent and stable cesium lead halide perovskite nanoplatelets for efficient blue-light-emitting diodes | |
| EP1988142B1 (en) | Nanocrystal, method for preparing the same and electronic device comprising the same | |
| Bai et al. | Hydroxyl-terminated CuInS2 based quantum dots: toward efficient and bright light emitting diodes | |
| Hu et al. | Semiconductor nanocrystal quantum dot synthesis approaches towards large-scale industrial production for energy applications | |
| US20220127525A1 (en) | Quantum dot material, method for patterning quantum dot film and quantum dot light emitting device | |
| Vitoreti et al. | Study of the partial substitution of Pb by Sn in Cs–Pb–Sn–Br nanocrystals owing to obtaining stable nanoparticles with excellent optical properties | |
| US20180033988A1 (en) | Quantum dot light emitting devices | |
| CN107903901B (zh) | 核壳量子点、其制备方法及含其的发光器件 | |
| WO2017031021A1 (en) | Perovskite solar cells including semiconductor nanomaterials | |
| KR20100060210A (ko) | 나노 입자의 제조 방법, 발광 소자의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 | |
| KR20200099930A (ko) | 전계 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치 | |
| Wang et al. | Tailoring nanostructures of quantum dots toward efficient and stable all-solution processed quantum dot light-emitting diodes | |
| CN112436099A (zh) | 量子点和qled器件的制备方法、qled器件 | |
| KR20220162928A (ko) | 양자점 발광소자용 화합물, 이를 이용한 양자점 발광소자 및 그 전자장치 | |
| Kim et al. | Effect of excess carriers on the degradation of InP-based quantum-dot light-emitting diodes | |
| CN114981385B (zh) | ZnSe量子点的制备方法、ZnSe量子点、ZnSe结构以及显示装置 | |
| CN113122226B (zh) | 量子点的制备方法及量子点复合材料、量子点发光二极管 | |
| WO2011088159A1 (en) | Optoelectronic device containing large-sized emitting colloidal nanocrystals | |
| CN113122232A (zh) | 量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210302 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |