CN107225498A - 用于cmp抛光垫的碎屑移除凹槽 - Google Patents

用于cmp抛光垫的碎屑移除凹槽 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种适用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的至少一个的抛光垫。所述抛光垫包含抛光层，所述抛光层具有聚合物基质、厚度以及表示所述抛光层的用于抛光或平面化的工作区的抛光轨迹。径向排放凹槽延伸穿过所述抛光轨迹，以促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的周边的抛光碎屑移除。

Description

用于CMP抛光垫的碎屑移除凹槽
背景技术
本发明涉及用于化学机械抛光垫的凹槽。更确切地说，本发明涉及用于在化学机械抛光期间减少缺陷的凹槽设计。
在集成电路和其它电子装置的制造中，多个导电、半导电和介电材料层沉积到半导体晶片的表面上并且从所述表面移除。可使用多种沉积技术沉积薄的导电、半导电和介电材料层。现代晶片处理中的常见沉积技术包含物理气相沉积(PVD)(也被称作溅镀)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)和电化学电镀(ECP)等。常见移除技术包含湿式和干式各向同性和各向异性蚀刻等。
因为依序沉积和移除材料层，所以晶片的最上部表面变成非平面的。因为后续半导体处理(例如，金属化)需要晶片具有平坦表面，所以需要平面化晶片。平面化可用于移除非所要的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。
化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)是一种用以平面化或抛光工件(例如半导体晶片)的常见技术。在常规CMP中，晶片载具或抛光头安装在载具组合件上。抛光头固持晶片并且将晶片定位成与安装在CMP设备内的平台或台板上的抛光垫的抛光层接触。载具组合件在晶片与抛光垫之间提供可控压力。同时，将抛光介质(例如浆料)分配到抛光垫上并且抽取到晶片与抛光层之间的间隙中。抛光垫和晶片通常相对于彼此旋转以抛光衬底。当抛光垫在晶片下方旋转时，晶片清扫通常为环形的抛光轨迹或抛光区，其中晶片的表面直接面对抛光层。通过对抛光层和表面上的抛光介质进行化学和机械作用，对晶片表面抛光并且使其成平面。
Reinhardt等人的第5,578,362号美国专利揭示凹槽提供宏观纹理到垫的用途。确切地说，其揭示多种图案、轮廓、凹槽、螺旋、径向线、斑点或其它形状。包含在Reinhardt中的具体实例是叠置的同心圆和同心圆以及X-Y凹槽。因为同心圆形凹槽图案不提供直接流动路径到垫的边缘，所以同心圆形凹槽经论证为最常用的凹槽图案。
Lin等人在第6,120,366号美国专利中在图2处揭示圆形加径向凹槽的组合。此实例说明将二十四个径向凹槽添加到同心圆形凹槽图案。此凹槽图案的缺点为，其显著增加浆料用量，提供有限的抛光改进。
尽管如此，仍对具有抛光性能与浆料用量的更好组合的化学机械抛光垫存在持续需求。此外，需要减少缺陷并增加有效的抛光垫使用寿命的凹槽。
发明内容
本发明的一方面提供一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：抛光层，其具有聚合物基质和厚度，所述抛光层包含中心、周边、从所述中心延伸到所述周边的半径以及环绕所述中心且与所述半径相交的抛光轨迹，所述抛光轨迹表示所述抛光层的用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个的工作区；多个馈料器凹槽(δ)，其与所述半径相交，所述馈料器凹槽(δ)具有在所述馈料器凹槽(δ)之间的用于使用所述抛光垫和所述抛光流体抛光或平面化半导体、光学或磁衬底中的所述至少一个的凸台区域，所述多个馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，所述平均横截面馈料器面积(δa)是每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目；至少一个径向排放凹槽(ρ)，其在所述抛光层中，与所述多个馈料器凹槽(δ)相交以用于允许所述抛光流体从所述多个馈料器凹槽(δ)流到所述至少一个径向排放凹槽(ρ)，且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，所述至少一个径向排放凹槽的所述平均排放横截面积(ρa)大于所述平均横截面馈料器面积(δa)，如下：
2*δa≤ρa≤8*δa
其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，且
(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa
且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)延伸穿过所述抛光轨迹，以用于促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的所述周边的抛光碎屑移除。
本发明的一替代性方面提供一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：抛光层，其具有聚合物基质和厚度，所述抛光层包含中心、周边、从所述中心延伸到所述周边的半径以及环绕所述中心且与所述半径相交的抛光轨迹，所述抛光轨迹表示所述抛光层的用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个的工作区；多个馈料器凹槽(δ)，其与所述半径相交，所述馈料器凹槽(δ)具有在所述馈料器凹槽(δ)之间的用于使用所述抛光垫和所述抛光流体抛光或平面化半导体、光学或磁衬底中的所述至少一个的凸台区域，所述多个馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，所述平均横截面馈料器面积(δa)是每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目；至少一个径向排放凹槽(ρ)，其在所述抛光层中，与所述多个馈料器凹槽(δ)相交以用于允许所述抛光流体从所述多个馈料器凹槽(δ)流到所述至少一个径向排放凹槽(ρ)，且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，所述至少一个径向排放凹槽的所述平均排放横截面积(ρa)大于所述平均横截面馈料器面积(δa)，如下：
2*δa≤ρa≤8*δa
其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，且
(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa
其中nr等于2和12之间的数目
且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)延伸穿过所述抛光轨迹，以用于促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的所述周边的抛光碎屑移除。
附图说明
图1为现有技术圆形加径向凹槽图案的示意性俯视图。
图2为本发明的碎屑移除凹槽的部分切开的示意性俯视图。
图2A为本发明的碎屑移除凹槽的部分切开的示意性俯视图，其包含周边凸台区域。
图3为本发明的碎屑移除凹槽的部分切开的示意性俯视图，其说明穿过馈料器和碎屑移除凹槽的流动。
图3A为本发明的碎屑移除凹槽的部分切开的示意性俯视图，其说明穿过馈料器和包含周边凸台区域的碎屑移除凹槽的流动。
图4为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有一个碎屑移除通道和晶片衬底。
图5为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有两个碎屑移除通道和晶片衬底。
图6为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有四个碎屑移除通道。
图6A为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有四个碎屑移除通道并包含周边凸台区域。
图7为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有八个碎屑移除通道。
图8为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有十六个碎屑移除通道。
图9为本发明的碎屑凹槽图案的示意性俯视图，其具有八个锥形碎屑移除通道。
图10为随所部署的排放凹槽的数目而变的径向排放凹槽比的曲线图。
图11为总缺陷对时间的曲线图，其包含本发明的抛光垫凹槽图案。
图12为总缺陷对对照垫时间对本发明的90密耳(0.23cm)径向重叠样品的曲线图。
图13为后HF蚀刻缺陷概述的曲线图，其包含本发明的抛光垫凹槽图案。
具体实施方式
闭孔垫材料的移除工艺在垫侧上含有表面微凸体的薄润滑膜中进行。为了使移除发生，表面微凸体必须直接或半直接接触衬底表面。这受到定制表面纹理以促进液体输送和流体静压力的释放以及并有凹槽或其它类型的宏观纹理以促进排放的影响。对被很好地控制的接触的维护对工艺条件、凹槽之间的凸台区域中的纹理的维护和多种其它变量相对敏感。
当前垫中的衬底接触区中的局部环境具有如下特性：
晶片侧和垫侧两者上的表面/体积比(S/V)相当高，很可能＞200∶1。这使得润滑膜内的液体输送相当困难。更确切地说，给定抛光期间的质量去除速率，润滑膜明显缺乏反应物且明显富含反应产物。
液体温度远高于具有大的深度和横向梯度的周围。这已在宏观和微观层面下极详细地进行了内部研究。抛光工艺消耗大量能量，并非所有能量导致移除。液体内的接触或近接触摩擦和粘性摩擦引起明显的接触发热。由于垫为高效绝缘体，因此大部分所产生的热经由液体耗散。因此，润滑膜内的局部环境，尤其是近表面微凸体为轻度水热的。温度梯度与高S/V一起为纹理体积内(确切地说，垫表面处)的反应产物的沉淀提供驱动力。由于这些反应产物很可能相当大，且预期这些反应产物的大小随时间而生长，因此这可为用于产生微刮痕(microscratch)缺陷的主要机制中的一个。二氧化硅沉淀为主要关注点，这是因为温度对单体溶解度的影响相当严峻。
从衬底表面上的点的参考框架，热和反应历程经受极端的循环变化。对此循环变化的重要贡献为对垫中的凹槽的需要(用以影响与晶片的均匀接触)。凹槽中的液体环境明显不同于凸台区域中的液体环境。凹槽中的液体环境明显较冷，明显富含反应物，且反应产物明显较少。因此，晶片上的每个点可见这两种极为不同的环境之间的快速循环。此可为将副产物抛光到晶片表面上(确切地说，接触后边缘处)的再沉积提供驱动力。
在晶片接触期间经由凹槽进行到凸台区域上的浆料输送。不幸的是，凹槽起两个作用：馈入新鲜浆料，和移除废浆料。在所有当前垫设计中，此必须在相同体积中同时发生。因此，凸台并非由新鲜浆料馈料，而是由可变混合物馈料。可变混合发生的位置被称为反向混合区。虽然可变混合可经由凹槽设计缓解，但其无法被消除。这构成用于刮痕和残余沉积两者的大粒子的另一重要来源。最大关注点在于，如果凹槽中的浆料未持续更新，那么大的聚集粒子的形成和生长将持续发生。给定新鲜浆料的同时引入和未经引导的液体输送，这些大的粒子将最终以越来越多的数目洗涤到凸台表面上，从而导致刮痕缺陷的递增。通常在使用垫期间观察到此效应，与工艺条件或调节模式无关。垫寿命期间的缺陷度变化具有如下三个方案：(a)在引入新垫时的初始高缺陷度(磨合)；(b)磨合缺陷度减小到其使用的部分的低稳定状态；以及(c)寿命终止状态，其中缺陷度和晶片非均匀性上升到过高程度。从上文显而易见的是，阻止或延迟方案(c)改进了垫的抛光使用寿命。
最常使用的馈料器凹槽类型为圆形。当这些圆形凹槽与径向排放凹槽相交时，其形成弧形。替代地，馈料器凹槽可为线性段或正弦波。许多不同馈料器凹槽宽度、深度和间距是可商购的。
现有技术凹槽通常凭经验开发以通过控制流体动力响应来改进速率均匀性和垫寿命。尤其是对于圆形设计，这通常导致相对薄的凹槽。最广泛使用的圆形凹槽为制造成如下凹槽规范的1010凹槽：0.020英寸宽×0.030英寸深×0.120英寸间距(0.050cm宽×0.076cm深×0.305cm间距)。这些尺寸的经均等连接的凹槽归因于小的横截面积而并非用于输送液体的高效媒介。额外问题为所暴露的垫表面的粗糙度。闭孔多孔聚合物(例如，IC1000)通常具有～50微米的表面粗糙度。对于具有>50∶1的表面积/液体体积比的1010凹槽，侧壁纹理中所含有的液体体积的分数相当高(～11％)。这导致侧壁处的流动停滞。这为废产物的聚集体的来源，如果所述废产物被引入到垫表面上，那么所述废产物随时间生长成刮痕的大的且破坏性的点源。由于不存在到凹槽之外的方向性流动，因此通过添加至少一个排放凹槽来添加从凹槽高效移除浆料的构件防止大粒子聚结或生长，并且因此减少刮痕。虽然预期改进的凹槽排放将具有即时有益的影响，但最大的益处为在寿命终止效应开始之前的增加的工作寿命。
参考图1，抛光垫10包含圆形凹槽12与径向凹槽16的组合。平坦、通常多孔的凸台区域14划分圆形凹槽12与径向凹槽16。在抛光期间，圆形凹槽12与径向凹槽16组合以将抛光浆料或抛光溶液分布到凸台区域14以供与衬底(例如，半导体、光学或磁衬底中的至少一个)相互作用。圆形凹槽12和径向凹槽16具有均匀的横截面。这些凹槽图案的问题在于，随时间，收集在凹槽12和16中的抛光碎屑接着周期性地移动到凸台区域14，在凸台区域14中，抛光碎屑赋予缺陷，例如衬底的刮痕缺陷。
参考图2，抛光垫200包含可全部流动到径向排放凹槽216中的馈料器凹槽202A、204A、206A、208A和202B、204B、206B、208B。在此实施例中，径向排放凹槽216具有深度“D”，其等于馈料器凹槽的深度。在抛光期间，馈料器凹槽202A、204A、206A、208A和202B、204B、206B、208B以及径向排放凹槽216跨越凸台区域214分布抛光浆料或溶液。箭头指示抛光浆料或溶液流动到且经过抛光垫200的周边壁234。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽202A、204A、206A和208A的流大于来自馈料器凹槽202B、204B、206B和208B的流。在逆时针抛光期间，来自馈料器凹槽202B、204B、206B和208B的流大于来自馈料器凹槽202A、204A、206A和208A的流。此任选的实施例允许所有抛光碎屑从抛光垫200穿过径向排放凹槽216不受妨碍地退出。
参考图2A，抛光垫200包含可全部流动到径向排放凹槽216中的馈料器凹槽202A、204A、206A和202B、204B、206B。在此实施例中，径向排放凹槽216具有深度“D”，其等于馈料器凹槽的深度或侧壁232的高度。在抛光期间，馈料器凹槽202A、204A、206A和202B、204B、206B以及径向排放凹槽216跨越凸台区域214分布抛光浆料或溶液。抛光浆料或溶液从排放凹槽216流动穿过周边凹槽210A和210B。抛光浆料或溶液接着跨越周边凸台区域220且经过周边壁222退出周边凹槽210A和210B。箭头指示抛光浆料或溶液跨越周边凸台区域220且经过抛光垫200的周边壁222流动到周边凹槽210A和210B。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽202A、204A和206A的流大于来自馈料器凹槽202B、204B和206B的流。在逆时针抛光期间，来自馈料器凹槽202B、204B和206B的流大于来自馈料器凹槽202A、204A和206A的流。此任选的实施例减缓抛光浆料或溶液的退出且可增加一些抛光组合的抛光效率。
参考图3，抛光垫300包含可全部流动到径向排放凹槽316中的馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B。在此实施例中，径向排放凹槽316具有深度“D”，其大于馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B的深度D1。确切来说，排放凹槽316延伸额外深度D2，D2小于馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B的深度D1。侧壁332的高度等于深度D1加深度D2。在抛光期间，馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B以及径向排放凹槽316跨越凸台区域314分布抛光浆料或溶液。箭头指示抛光浆料或溶液流动到且经过抛光垫300的周边壁334。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽302A、304A、306A和308A的流大于来自馈料器凹槽302B、304B、306B和308B的流。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽302B、304B、306B和308B的流大于来自馈料器凹槽302A、304A、306A和308A的流。此任选的实施例允许所有抛光碎屑从抛光垫300穿过径向排放凹槽316不受妨碍地退出。
参考图3A，抛光垫300包含可全部流动到径向排放凹槽316中的馈料器凹槽302A、304A、306A和302B、304B、306B。在此实施例中，径向排放凹槽316具有深度“D”，其大于馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B的深度D1。确切来说，排放凹槽316延伸额外深度D2，D2小于馈料器凹槽302A、304A、306A、308A和302B、304B、306B、308B的深度D1。此设计促进高密度抛光碎屑跨越周边凸台320区域流动到抛光垫300的周边壁322。在抛光期间，馈料器凹槽302A、304A、306A和302B、304B、306B以及径向排放凹槽316跨越凸台区域314分布抛光浆料或溶液。抛光浆料或溶液从排放凹槽316流动穿过周边凹槽310A和310B。抛光浆料或溶液接着跨越周边凸台区域320且经过周边壁322退出周边凹槽310A和310B。箭头指示抛光浆料或溶液跨越周边凸台区域320且经过抛光垫300的周边壁322流动到周边凹槽310A和310B。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽302A、304A和306A的流大于来自馈料器凹槽302B、304B和306B的流。在顺时针抛光期间，来自馈料器凹槽302B、304B和306B的流大于来自馈料器凹槽302A、304A和306A的流。此任选的实施例减缓抛光浆料或溶液的退出且可增加一些抛光组合的抛光效率。
参考图4，抛光垫400具有中心401和周边405，其中半径r从中心401延伸到周边405。在此实施例中，晶片440围绕标记有平行线的晶片轨迹且跨越单个径向排放凹槽416相对于抛光垫400移动。图4展示覆盖多个馈料器凹槽412和凸台区域414的晶片。径向排放凹槽416排放在晶片轨迹中和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽。
参考图5，抛光垫500说明围绕标记有平行线的晶片轨迹且跨越以180°间隔开的两个径向排放凹槽516A和516B相对于抛光垫500移动的晶片540。图5展示覆盖多个馈料器凹槽512和凸台区域514的晶片。确切来说，径向排放凹槽516延伸穿过抛光轨迹，以用于促进在抛光垫500旋转期间穿过抛光轨迹且在晶片下面且接着超出抛光轨迹朝向抛光垫500的周边505的抛光碎屑移除。径向排放凹槽516A和516B排放在晶片轨迹中和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽。
参考图6，抛光垫600说明以90°间隔开的四个径向排放凹槽616A到616D。替代地，径向排放凹槽与馈料器凹槽的间隔可为不均等的。在操作期间，抛光浆料或溶液跨越凸台区域614且穿过径向排放凹槽616A到616D朝向周边605向外流动。径向排放凹槽616A到616D排放在晶片轨迹中(不可见)和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽612。
参考图6A，抛光垫600说明以90°间隔开的四个径向排放凹槽616A到616D。替代地，径向排放凹槽与馈料器凹槽的间隔可为不均等的。在操作期间，抛光浆料或溶液跨越凸台区域614且穿过径向排放凹槽616A到616D朝向周边605向外流动。在到达周边605之前，抛光浆料或溶液流动到周边凹槽610中且从周边凹槽610跨越周边凸台区域620流动。径向排放凹槽616A到616D排放在晶片轨迹中(不可见)和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽612。
参考图7，抛光垫700说明以45°间隔开的八个径向排放凹槽716A到716H。替代地，径向排放凹槽与馈料器凹槽的间隔可为不均等的。在操作期间，抛光浆料或溶液跨越凸台区域714且穿过径向排放凹槽716A到716H朝向周边705向外流动。径向排放凹槽716A到716H排放在晶片轨迹中(不可见)和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽712。
参考图8，抛光垫800说明以22.5°间隔开的十六个径向排放凹槽916A到916P。替代地，径向排放凹槽与馈料器凹槽的间隔可为不均等的。在操作期间，抛光浆料或溶液跨越凸台区域814且穿过径向排放凹槽816A到816P朝向周边805向外流动。径向排放凹槽816A到816P排放在晶片轨迹中(不可见)和在晶片轨迹外部的所有馈料器凹槽812。
参考图9，抛光垫900说明以45°间隔开的八个锥形径向排放凹槽916A到916H。替代地，径向排放凹槽与馈料器凹槽的间隔可为不均等的。在操作期间，抛光浆料或溶液跨越凸台区域914且穿过锥形径向排放凹槽916A到916H朝向周边905向外流动。锥形径向排放凹槽916A到916H朝向周边905的宽度全都大于朝向中心901的宽度。此锥形允许径向排放凹槽容纳增加的流体和抛光碎屑负载。作为宽度的替代方案，深度可朝向周边增大以增加流动。但对于大多数情况，增加的离心力足以在抛光浆料或溶液朝向垫的周边流动时容纳穿过排放凹槽的增加的流动。
对于本发明，馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，其中平均横截面馈料器面积(δa)为每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目。径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，其中径向排放凹槽的平均排放横截面积(ρa)比平均横截面馈料器(δa)面积大至少两倍但比横截面馈料器(δa)大不到八倍，如下：
2*δa≤ρa≤8*δa
其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，从而表示与径向排放凹槽的每一侧的总和，如下：
(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa
通常，nr为1到16。最有利的是，nr为2到12。
实例1：
具有数目增加的径向凹槽(1、2、4、8和16个)的一系列抛光垫产生具有恒定馈料凹槽面积的增加的排放容量。抛光垫具有如下凹槽尺寸：
单个圆形馈料器凹槽的横截面积：0.0039cm2。
由排放凹槽平分的馈料器凹槽的数目：80
馈料到单个排放凹槽中的馈料器凹槽的总横截面积：＝0.0039×80×2＝0.624cm2。
应注意：本说明书中所使用的馈料器凹槽计算假定浆料从馈料器凹槽与排放凹槽之间的每一单个相交区的两侧流动。举例来说，80个圆形馈料器凹槽形成具有单个排放凹槽的160个凹槽交叉点。
单个排放凹槽的横截面积：0.01741932cm2。
如果应用单个排放凹槽，那么径向排放凹槽对馈料器凹槽横截面积比率为：0.03。
在所展示的实例中，单个排放凹槽为不足以有效地排放馈料器凹槽组。然而，通过添加多个馈料器凹槽，排放效率可易于增加到可接受的程度。图10以图形方式说明改进的排放容量随着凹槽的数目而增加。
小于0.15的相对排放面积比率并非有效的。由于跨越垫的上表面递送过量新鲜浆料，因此径向凹槽的数目取决于许多变量，包含浆料递送速率。如果排放容量过高，那么这导致可供使用的凹槽中的浆料不足，且可致使垫干燥。这是不利的缺陷来源，例如刮痕缺陷。本发明的排放凹槽减少了缺陷。类似地，排放比率过低将不移除足够的抛光副产物且不减少缺陷。排放比率过高影响流体动力学(通过增加的晶片非均匀性体现)且甚至在不使用排放凹槽的情况下增加缺陷。
实例2
为了评估最优范围，执行以下实验。将五个不同径向凹槽应用于一组闭孔聚氨基甲酸酯抛光垫。这些垫具有20密耳宽、30密耳深且120密耳间距(0.051cm×0.076cm×0.305cm间距)的圆形凹槽。名称和径向凹槽尺寸和数目展示于表1中。
表1.垫样品组
表2.排放凹槽对馈料器凹槽面积比率
垫 排放凹槽数目 排放/馈料器面积比率
A 0 未限定
1 8 0.15
2 8 0.30
3 8 0.45
4 8 0.225
5 16 0.45
抛光条件概括如下：
MDC Mirra，K1501-50μm胶态浆料
SaesolAK45(8031c1)金刚石磨盘，垫磨合30分钟7psi(48kPa)，在7psi(48kPa)下的全原位调节，
工艺：垫下压力3psi(20.7kPa)
台板速度93rpm
载具速度87rpm
浆料流速200ml/m
监视器晶片在11、37、63、89、115、141、167和193个晶片计数下抛光。
缺陷计数使用来自KLA-Tencor的Surfscan SP1分析器。
每一垫经磨合以移除启动效应，且对200个晶片进行抛光以评估速率和缺陷度稳定性。垫之间的速率不存在大的差异。然而，缺陷度存在明显差异，如图11和12中所展示。具有90密耳(0.229cm)宽度/8径向凹槽和120密耳(0.305cm)宽度/8径向凹槽的垫样品展示低且稳定的缺陷程度。所有其它(包含控制)展示跨越测试的持续时间而改变且随着抛光时间增加而增加的较高缺陷程度。此尤其在图11中显而易见，图11将控制垫性能与90密耳(0.229cm)凹槽垫相比较。
使排放凹槽的数目加倍(排放对馈料器面积比率从0.225增加到0.45)整体、甚至相对于控制明显增加了缺陷度。此被视为存在排放效率比率的临界范围的指示。此临界范围可随着馈料器凹槽的大小和数目以及径向排放凹槽的大小而变化。
还检查在HF蚀刻之后的缺陷数据以比较刮痕密度的总缺陷度。HF蚀刻在移除粒子时有效，且增加对刮痕的敏感度，这是因为HF通过移除裂纹自身(边饰)周围的应变区来放大刮痕深度。如所展示，如图13，那么针对90密耳(0.229cm)/8和120密耳(0.305cm)/8垫观察到同样低且稳定的缺陷响应，但60密耳(0.152cm)/8垫响应更加类似，其指示所述垫样品的总体缺陷中的大部分为小微粒而非大的破坏性聚集体。此指示还存在排放效率比率的下限。基于这些结果，径向排放对馈料器凹槽面积比率的0.2到0.3的临界范围为最有利的。
从以上论述变得清楚的是，排放效率表达式可用于确定跨越广泛多种馈料器凹槽尺寸和间距实现减少的缺陷度所需的排放凹槽尺寸和数目。可强加一些实际限制；例如，归因于旋转偏心率，可能不希望仅部署一个排放凹槽。还推断排放凹槽限于径向凹槽，或其变化。其原因如下：a.)其拥有单旋转对称性；以及b.)其对纹理所诱发的纳米形貌(非所要)提供最小贡献。关于凹槽尺寸，还可需要通过设计径向排放凹槽以加宽半径、加宽上文所引用的排放效率比率的范围的限制来进一步调节输送，如在垫的周边处所计算。
本发明对于形成用于维持低缺陷程度的多孔抛光垫以用于扩展的化学机械平面化应用有效。另外，这些垫可改进抛光速率、整体均匀性并减少抛光振动。

Claims (10)

1.一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：
抛光层，其具有聚合物基质和厚度，所述抛光层包含中心、周边、从所述中心延伸到所述周边的半径以及环绕所述中心且与所述半径相交的抛光轨迹，所述抛光轨迹表示所述抛光层的用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个的工作区；
多个馈料器凹槽(δ)，其与所述半径相交，所述馈料器凹槽(δ)具有在所述馈料器凹槽(δ)之间的用于使用所述抛光垫和所述抛光流体抛光或平面化半导体、光学或磁衬底中的所述至少一个的凸台区域，所述多个馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，所述平均横截面馈料器面积(δa)是每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目；
至少一个径向排放凹槽(ρ)，其在所述抛光层中，与所述多个馈料器凹槽(δ)相交以用于允许所述抛光流体从所述多个馈料器凹槽(δ)流到所述至少一个径向排放凹槽(ρ)，且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，所述至少一个径向排放凹槽的所述平均排放横截面积(ρa)大于所述平均横截面馈料器面积(δa)，如下：
2*δa≤ρa≤8*δa
其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，且
(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa
且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)延伸穿过所述抛光轨迹，以用于促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的所述周边的抛光碎屑移除。
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中2*δa≤ρa≤6*δa。
3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述至少一个径向凹槽端接到圆周周边凹槽中，且周边凸台区域环绕所述圆周周边凹槽。
4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述馈料器凹槽是同心弧。
5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述径向排放凹槽具有大于所述馈料器凹槽的深度。
6.一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：
抛光层，其具有聚合物基质和厚度，所述抛光层包含中心、周边、从所述中心延伸到所述周边的半径以及环绕所述中心且与所述半径相交的抛光轨迹，所述抛光轨迹表示所述抛光层的用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个的工作区；
多个馈料器凹槽(δ)，其与所述半径相交，所述馈料器凹槽(δ)具有在所述馈料器凹槽(δ)之间的用于使用所述抛光垫和所述抛光流体抛光或平面化半导体、光学或磁衬底中的所述至少一个的凸台区域，所述多个馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，所述平均横截面馈料器面积(δa)是每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目；
至少一个径向排放凹槽(ρ)，其在所述抛光层中，与所述多个馈料器凹槽(δ)相交以用于允许所述抛光流体从所述多个馈料器凹槽(δ)流到所述至少一个径向排放凹槽(ρ)，且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，所述至少一个径向排放凹槽的所述平均排放横截面积(ρa)大于所述平均横截面馈料器面积(δa)，如下：
2*δa≤ρa≤8*δa
其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，且
(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa
其中nr等于2和12之间的数目
且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)延伸穿过所述抛光轨迹，以用于促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的所述周边的抛光碎屑移除。
7.根据权利要求6所述的抛光垫，其中2*δa≤ρa≤6*δa。
8.根据权利要求6所述的抛光垫，其中所述至少一个径向凹槽端接到圆周周边凹槽中，且周边凸台区域环绕所述圆周周边凹槽。
9.根据权利要求6所述的抛光垫，其中所述馈料器凹槽是同心弧。
10.根据权利要求6所述的抛光垫，其中所述径向排放凹槽具有大于所述馈料器凹槽的深度。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108214285A (zh) * 2018-01-25 2018-06-29 成都时代立夫科技有限公司 一种化学机械抛光垫
CN110732983A (zh) * 2019-10-30 2020-01-31 郑州伯利森新材料科技有限公司 一种硬脆材料加工用免修整超硬砂轮及其制备方法
CN111805433A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 松下知识产权经营株式会社 研磨装置以及研磨方法
CN111867781A (zh) * 2018-04-26 2020-10-30 丸石产业株式会社 研磨垫用的衬底及使用该衬底的研磨方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017216033A1 (de) * 2017-09-12 2019-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks bei der Herstellung eines optischen Elements
KR102059647B1 (ko) * 2018-06-21 2019-12-26 에스케이씨 주식회사 슬러리 유동성이 향상된 연마패드 및 이의 제조방법
CN112534354A (zh) * 2018-07-27 2021-03-19 Asml荷兰有限公司 用于修改支撑表面的工具
KR101952829B1 (ko) * 2018-08-13 2019-02-27 최유섭 금속부품의 연마가공장치 및 이를 이용한 연마가공방법
TWI834195B (zh) 2019-04-18 2024-03-01 美商應用材料股份有限公司 Ｃｍｐ期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正的電腦可讀取儲存媒體
TWI797501B (zh) * 2019-11-22 2023-04-01 美商應用材料股份有限公司 在拋光墊中使用溝槽的晶圓邊緣不對稱校正
KR20210116759A (ko) 2020-03-13 2021-09-28 삼성전자주식회사 Cmp 패드 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치
US20210299816A1 (en) * 2020-03-25 2021-09-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with protruding structures having engineered open void space
KR102570825B1 (ko) * 2020-07-16 2023-08-28 한국생산기술연구원 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치
EP4382250A1 (en) 2021-08-04 2024-06-12 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1494983A (zh) * 2002-06-03 2004-05-12 Jsr��ʽ���� 抛光垫及多层抛光垫
US6749714B1 (en) * 1999-03-30 2004-06-15 Nikon Corporation Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device
CN1846940A (zh) * 2005-04-12 2006-10-18 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 径向倾斜的抛光垫
US7329174B2 (en) * 2004-05-20 2008-02-12 Jsr Corporation Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad
US20090311955A1 (en) * 2008-03-14 2009-12-17 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US5645469A (en) 1996-09-06 1997-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing pad with radially extending tapered channels
JPH11156699A (ja) 1997-11-25 1999-06-15 Speedfam Co Ltd 平面研磨用パッド
US6135868A (en) * 1998-02-11 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing
GB2345255B (en) 1998-12-29 2000-12-27 United Microelectronics Corp Chemical-Mechanical Polishing Pad
WO2001098027A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-27 Struers A/S A multi-zone grinding and/or polishing sheet
US6843711B1 (en) * 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration
JP4645825B2 (ja) 2004-05-20 2011-03-09 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨パッド及び化学機械研磨方法
JP2007081322A (ja) 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
JP4695386B2 (ja) 2004-12-01 2011-06-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2009220265A (ja) * 2008-02-18 2009-10-01 Jsr Corp 化学機械研磨パッド
KR20120039523A (ko) * 2009-06-18 2012-04-25 제이에스알 가부시끼가이샤 폴리우레탄 및 그것을 함유하는 연마층 형성용 조성물, 및 화학 기계 연마용 패드 및 그것을 사용한 화학 기계 연마 방법
WO2011008918A2 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Cabot Microelectronics Corporation Grooved cmp polishing pad
KR20110100080A (ko) * 2010-03-03 2011-09-09 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비
JP2012106328A (ja) * 2010-03-25 2012-06-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 積層研磨パッド
KR101232787B1 (ko) * 2010-08-18 2013-02-13 주식회사 엘지화학 연마 시스템용 연마 패드
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
US8968058B2 (en) * 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20140378035A1 (en) * 2011-09-15 2014-12-25 Toray Industries, Inc. Polishing pad
WO2013103142A1 (ja) 2012-01-06 2013-07-11 東レ株式会社 研磨パッド
TWI599447B (zh) * 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的ｃｍｐ拋光墊
JP2016124043A (ja) 2014-12-26 2016-07-11 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749714B1 (en) * 1999-03-30 2004-06-15 Nikon Corporation Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device
CN1494983A (zh) * 2002-06-03 2004-05-12 Jsr��ʽ���� 抛光垫及多层抛光垫
US7329174B2 (en) * 2004-05-20 2008-02-12 Jsr Corporation Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad
CN1846940A (zh) * 2005-04-12 2006-10-18 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 径向倾斜的抛光垫
US20090311955A1 (en) * 2008-03-14 2009-12-17 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108214285A (zh) * 2018-01-25 2018-06-29 成都时代立夫科技有限公司 一种化学机械抛光垫
CN111867781A (zh) * 2018-04-26 2020-10-30 丸石产业株式会社 研磨垫用的衬底及使用该衬底的研磨方法
KR20210002464A (ko) * 2018-04-26 2021-01-08 마루이시 산교 가부시키가이샤 연마 패드용 깔개 및 그 깔개를 사용하는 연마방법
KR102629759B1 (ko) 2018-04-26 2024-01-25 마루이시 산교 가부시키가이샤 연마 패드용 깔개 및 그 깔개를 사용하는 연마방법
CN111805433A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 松下知识产权经营株式会社 研磨装置以及研磨方法
CN111805433B (zh) * 2019-04-10 2024-05-31 松下知识产权经营株式会社 研磨装置以及研磨方法
CN110732983A (zh) * 2019-10-30 2020-01-31 郑州伯利森新材料科技有限公司 一种硬脆材料加工用免修整超硬砂轮及其制备方法

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