CN107168016B - 光源装置以及具备该光源装置的曝光装置 - Google Patents

光源装置以及具备该光源装置的曝光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107168016B
CN107168016B CN201710127754.7A CN201710127754A CN107168016B CN 107168016 B CN107168016 B CN 107168016B CN 201710127754 A CN201710127754 A CN 201710127754A CN 107168016 B CN107168016 B CN 107168016B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
optical system
light source
source device
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710127754.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107168016A (zh
Inventor
松岛竹夫
多田元典
上原理彰
木下顺一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN107168016A publication Critical patent/CN107168016A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107168016B publication Critical patent/CN107168016B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

光源装置具备:光源部,具有包含出射第一波长的光的多个LED元件在内的第一光放射区域、以及包含出射与上述第一波长不同的第二波长的光的多个LED元件在内的第二光放射区域;光检测部,检测第一波长的光的强度;以及控制部,构成为能够对于第一光放射区域以及第二光放射区域分别独立地进行通电的接通、断开控制。控制部具有存储部,该存储部存储有关于第一波长的光的目标累计光量即第一目标累计光量的信息,在基于由光检测部检测出的上述第一波长的光的强度而计算出的累计光量达到第一目标累计光量时,与针对第二光放射区域的通电的控制独立地进行使针对第一光放射区域的通电停止的控制。

Description

光源装置以及具备该光源装置的曝光装置
技术领域
本发明涉及光源装置,特别是涉及具备多个LED元件的光源装置。另外,本发明涉及包含这种光源装置的曝光装置。
背景技术
以往,在多种领域中利用了运用光的光处理技术。例如,在使用了光的细微加工中利用了曝光装置。近年来,曝光技术开展于各种领域,在细微加工之中也被利用于相对较大的图案的制作、三维的细微加工中。更具体而言,例如在LED的电极图案的制作、以加速度传感器为代表的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微机电系统)的制造工序等中利用了曝光技术。
在这些光处理技术中,作为光源,以往以来使用了亮度较高的放电灯。但是,伴随着近年来的固体光源技术的进歩,研究了将配置有多个LED元件的装置用作光源的情况。作为这种技术,例如在专利文献1中公开了将由多个LED元件构成的单元作为光源、并在该光源与掩模之间配置有蝇眼透镜的曝光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-335937号公报
如上述那样,以往,作为曝光装置用的光源使用了亮度较高的放电灯。作为这种放电灯的一个例子,可列举超高压水银灯。图1是表示从超高压水银灯放射的光的光谱分布的一个例子的图。在图1中,横轴表示波长,纵轴表示按照光所包含的波长区分的相对的强度。如图1所示,在从超高压水银灯放射的光中包含有较多的波长成分。
根据图1,关于g线(波长436nm的光)、i线(波长365nm的光)、以及h线(波长405nm的光),示出了强度相对较高的情况。由此,在将从这种放电灯放射的光用作曝光用的光的情况下,有时以混合了这些波长的光的形式进行使用。
曝光装置例如被使用于光刻工序。具体而言,对于在想要加工的对象物的上表面涂敷的、被称作光致抗蚀剂的感光性材料,从曝光装置经由与作为目标的加工形状相应的掩模来照射光。由此,未被掩模覆盖的区域所存在的光致抗蚀剂变质。如果光致抗蚀剂是正型抗蚀剂,则在显影后去除该变质位置。另一方面,如果光致抗蚀剂是负型抗蚀剂,则在显影后去除该变质位置以外的位置。总之,由于与作为目标的加工形状一致的光致抗蚀剂残留于加工对象物的上表面,因此通过以该光致抗蚀剂为基准对加工对象物进行加工,能够加工成所希望的形状。
光致抗蚀剂由于被从曝光装置放射的光照射,使得该照射位置的化学的性质变化。因此,在借鉴在上述光刻工序中使用曝光装置的情况下,重要的是为了使规定的区域内的光致抗蚀剂变质而使足够的光量的光照射到光致抗蚀剂。
参照图1,如上述那样,在来自放电灯的放射光中包含有多个波长的光。由此,以往利用该多个波长的光进行针对光致抗蚀剂的曝光处理。作为使用于这种工序的曝光用光源,在研究了从放电灯替换为LED元件的情况下,需要配置出射多个波长的光的多个LED元件作为光源。
发明内容
本发明的目的在于,在将出射多个波长的光的多个LED元件用作曝光装置的光源的情况下,通过简易的方法提高曝光的精度。
本发明人发现,在将曝光装置用的光源从以往使用的放电灯替换为多个LED元件的情况下,可能因为以下的理由导致曝光的精度产生偏差。
LED元件如上述那样受到环境温度的影响而使输出功率变动。本发明人着眼于根据发光波长而使LED输出功率的变动的方式不同。图2将使两种LED元件连续点亮的情况下的、来自各LED元件的光输出的经时变化的一个例子表示在图表中。在图2中,横轴是开始点亮之后的时间,纵轴是光输出。纵轴的值被作为每个波长的、相对于刚开始点亮之后的光输出的相对的值而示出。
具体而言,从LED元件连续地出射波长分别与作为放电灯的光谱线的代表的h线以及i线相等的光,即波长为405nm的光以及波长为365nm的光,并测量了其变化。
根据图2可知,与波长405nm的光相比,波长365nm的光的输出的降低趋势更快。换句话说,根据图2,刚开始点亮之后的光所包含的波长分布、以及开始点亮后经过了规定时间之后的光所包含的波长分布不同。
放电灯的开始点亮之后达到最大输出功率所用的时间(上升时间)较长。因此,以往使用放电灯连续地进行曝光处理的情况下,在一个工件结束然后使接下来的工件开始为止的期间,有时一边使放电灯的点亮持续,一边利用孔(aperture)等进行遮挡光的处理。
然而,在LED元件的情况下,若与放电灯相比,开始点亮然后达到最大输出功率所用的时间(上升时间)极其短。因此,在对工件连续地进行曝光处理的情况下,在一个工件结束然后使接下来的工件开始为止的期间,暂时进行使LED元件熄灭的控制也在事实上变为可能。但是,即使进行了这种控制,在针对各工件的曝光处理中也无法保障各LED元件的输出功率始终以相同的方式变化。其原因是,LED元件的光输出在温度等外部环境因素中较为敏感的缘故。
本发明人经过了上述的考察,对实现一种即使在将出射多个波长的光的多个LED元件用作曝光装置的光源的情况下,也能够通过简易的方法提高曝光的精度的光源装置进行了研究。
本发明的光源装置的特征在于,具备:光源部,具有包含出射第一波长的光的多个LED元件在内的第一光放射区域、以及包含出射与上述第一波长不同的第二波长的光的多个LED元件在内的第二光放射区域;光检测部,配置于上述光源部的后级,并检测上述第一波长的光的强度;以及控制部,构成为能够对于上述第一光放射区域以及上述第二光放射区域分别独立地进行通电的接通、断开控制,上述控制部具有存储部,该存储部存储有与上述第一波长的光的目标累计光量即第一目标累计光量有关的信息,在基于由上述光检测部检测出的上述第一波长的光的强度而计算出的累计光量达到上述第一目标累计光量时,与针对上述第二光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第一光放射区域的通电停止的控制。
根据该光源装置,关于第一波长的光,若达到作为目标的累计光量,则通过来自控制部的控制使出射停止。因此,假设生成第一波长的光的LED元件由外部环境带来的向光输出的影响较高的元件构成,也能够抑制相对于从光源装置照射的第一波长的光的累计光量的偏差。
上述的光源装置所具备的控制部仅在到达了预先决定的第一目标累计光量的时间点进行使针对出射第一波长的光的第一光放射区域的通电停止的控制。这里,作为使从LED元件出射的光输出变化的另一控制方式,也考虑使对LED元件供给的电流量变化的方法。该方法通过对于每单位时间的光输出控制供给的电流量来进行调整、并且通过对于累计光量控制点亮时间来进行调整的方法。
但是,根据检测出的光量使光输出变化的控制在控制内容上与上述相比变得更复杂,另一方面无法保证一定能获得较高的追踪性。换句话说,根据检测光量然后使电流量变化而使光输出变化为止所需的时间、以及在恒定电流量之下根据外部环境使光输出变化的速度之间的关系,尽管正确地进行了反馈控制,也会引发未达到作为目标的累计光量的情况。
根据上述的构成,即使是来自出射外部环境对光输出的影响较大的波长的光的LED元件的光,也能够通过简易的控制内容照射作为目标的累计光量。
上述控制部也可以在使针对上述第二光放射区域的通电开始并经过了规定的时间之后,与针对上述第一光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第二光放射区域的通电停止的控制。
根据波长的不同,也存在外部环境对光输出的影响较小的光。如果是图2所示的例子,则波长405nm的光对应于此。关于这样的光,由于每单位时间的光输出几乎不会变化,因此能够不检测照射到某一场所的光地仅通过调整照射时间来高精度地调整累计光量。由此,在发出第二波长的光的LED元件是外部环境带来的影响较小的元件的情况下,通过进行上述那种控制,能够针对第一波长的光和第二波长的光这两者高精度地实现所希望的累计光量。
另外,也可以是,上述光检测部为能够检测出上述第二波长的光的强度的构成,上述存储部存储有与上述第二波长的光的目标累计光量即第二目标累计光量有关的信息,在基于由上述光检测部检测出的上述第二波长的光的强度而计算出的累计光量达到上述第二目标累计光量时,上述控制部与针对上述第一光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第二光放射区域的通电停止的控制。
根据上述的构成,即使在发出第二波长的光的LED元件是容易受到外部环境带来的影响的元件的情况下,也能够针对第一波长的光和第二波长的光这两者高精度地实现所希望的累计光量。
也能够设为,上述光源装置具有对从上述光源部出射的光进行准直的第一光学系统、以及将从上述第一光学系统出射的光聚光的第二光学系统,上述光检测部配置于比上述第二光学系统更后级的位置。
从一个LED元件出射的光与灯相比亮度更小。因此,例如设想在应用于曝光装置等需要较多的光的用途的光源的情况下,重要的是尽量不降低亮度地聚集较多的LED元件的光。根据上述构成,将从多个LED元件出射的光在第一光学系统中准直之后聚光。由此,能够使来自各LED元件的出射光在聚光位置成像。另外,来自各LED元件的出射光能够通过调整准直透镜(第一光学系统)的配置而缩窄出射的光束彼此的间隔,并构成为非发光区域较少的光源。由此,可实现亮度较高的光源装置。
而且,通过将光检测部配置于比第二光学系统更后级的位置,能够大致成为使从光源部所包含的各LED元件出射的光入射的构成。由此,能够提高由光检测部检测出的光量的值的精度。
另外,上述光源装置也能够采用如下结构:具有配置于上述第二光学系统的后级、且对入射的光的一部分进行分光的第三光学系统,通过上述第三光学系统分光后的光入射到上述光检测部。
此时,从第三光学系统分光的光中的、未朝向光检测部的光也可以使用于作为目标的用途。
另外,上述光源装置也能够采用如下结构:具备积分光学系统,该积分光学系统的入射面配置于上述第二光学系统的焦点位置,上述光检测部配置于上述积分光学系统的后级、或者配置于上述第二光学系统与上述积分光学系统之间。
上述积分光学系统也可以由将从上述入射面入射的光一边在内侧面重复反射一边导向出射面的导光部件构成。根据该构成,由于放射强度较高的光聚光于导光部件的入射面,因此能够从导光部件的出射面出射亮度较高且照度分布均匀化的光。此外,导光部件例如能够由积分棒、光通道构成。
另外,上述积分光学系统也可以由将多个透镜配置为矩阵状而成的蝇眼透镜构成。通过蝇眼透镜,能够使照射面上的照度分布均匀化。由此,能够实现亮度较高且照度分布均匀化的光源装置。
另外,本发明的曝光装置的特征在于,具备上述光源装置和投影光学系统,该投影光学系统将从上述光源装置出射的光照射到上述掩模,并将上述掩模的图案像投影到上述感光性基板上。
根据上述的构成,能够高精度地实现作为目标的累计光量,因此可抑制对各感光性基板投影的图案像的偏差。
上述曝光装置也可以采用如下结构:具备输入关于上述第一目标累计光量的信息的输入部,从上述输入部输入的关于上述第一目标累计光量的信息被存储于上述存储部。
发明效果
根据本发明,在将出射多个波长的光的多个LED元件用作曝光装置的光源的情况下,能够通过简易的方法提高曝光的精度。
附图说明
图1是表示从超高压水银灯放射的光的光谱分布的一个例子的图。
图2是表示从LED元件连续地出射波长分别与h线以及i线相等的光的情况下的、来自各LED元件的光输出的经时变化的一个例子的图。
图3是示意地表示第一实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
图4是示意地表示第一实施方式的光源装置所具备的光源部的构成的附图。
图5是示意地表示第一实施方式的光源装置所具备的控制部的构成的块图。
图6是示意地表示第一实施方式的光源装置所具备的控制部的另一构成的块图。
图7是示意地表示第一实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
图8是示意地表示第二实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
图9是示意地表示第二实施方式的光源装置所具备的光源部的构成的附图。
图10是示意地表示第三实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
图11是示意地表示第三实施方式的光源装置所具备的控制部的构成的块图。
图12是示意地表示第四实施方式的曝光装置的构成的一个例子的附图。
图13是示意地表示另一实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
符号说明
1:光源装置
2:光源部
2a、2b:光放射区域
3:LED元件
3a、3b:LED元件
5:第一光学系统
5a、5b:第一光学系统
6:准直透镜
6a、6b:准直透镜
7:第二光学系统
7a、7b:第二光学系统
7f:第二光学系统的焦点
8:积分光学系统
9:积分棒
9a:积分棒的光入射面
9b:积分棒的光出射面
10:光轴
11:控制部
11a、11b:控制部
15:投影光学系统
16:掩模
17:投影透镜
18:感光性基板
19:曝光装置
21:合成光学系统
22:第三光学系统
23:光学系统
24:分光光学系统
31a、31b:光检测部
41a、41b:第一输入接受部
42a、42b:第二输入接受部
43a、43b:存储部
44a、44b:比较部
45a、45b:累计光量运算部
46a、46b:熄灭指示部
47b:目标时间设定部
48b:时间评价部
60:光学系统
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的光源装置以及曝光装置进行说明。此外,各图中的尺寸不必比与实际的尺寸一致。
[第一实施方式]
图3是示意地表示第一实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。
本实施方式的光源装置1具备两个光放射区域(2a、2b)。以下,有时将这些光放射区域(2a、2b)通称为“光源部2”。
光放射区域2a包含多个LED元件3a。光放射区域2b包含多个LED元件3b。LED元件3a与LED元件3b的发光波长不同。作为一个例子,能够将LED元件3a的发光波长设为365nm,将LED元件3b的发光波长设为405nm,但各LED元件(3a、3b)的发光波长并不限定于该值。
图4是示意地表示上述光放射区域2a以及2b的附图。为了示出光放射区域2a所包含的LED元件3a、以及光放射区域2b所包含的LED元件3b的发光波长不同,用空白的矩形显示出LED元件3a,用施加了阴影的矩形显示出LED元件3b。
以下,有时将这些LED元件(3a、3b)通称为“LED元件3”。作为一个例子,能够将多个LED元件3配置在规定的平面上。但是,在本发明中,多个LED元件3的配置方式也可以是任意的方式。
返回图3,光源装置1具备控制部11a与控制部11b。控制部11a控制LED元件3a的发光,控制部11b控制LED元件3b的发光。以下,有时将这些控制部(11a、11b)通称为“控制部11”。控制部11通过控制是否对各LED元件3进行通电,由此进行各LED元件的点亮/熄灭的控制。
光源装置1具备第一光学系统(5a、5b)。第一光学系统5a是将从多个LED元件3a出射的光分别进行准直的光学系统,且与各LED元件3a对应地配置有多个准直透镜6a而构成。同样,第一光学系统5b是将从多个LED元件3b出射的光分别进行准直的光学系统,且与各LED元件3b对应地配置有多个准直透镜6b而构成。以下,有时将第一光学系统(5a、5b)通称为“第一光学系统5”,将准直透镜(6a、6b)通称为“准直透镜6”。
光源装置1具备第二光学系统(7a、7b)以及合成光学系统21。合成光学系统21构成为,使LED元件3a的发光波长的光透射,并使LED元件3b的发光波长的光反射。第二光学系统7a是将从第一光学系统5a出射的光聚光于第二光学系统7a的焦点7f的光学系统。第二光学系统7b是将从第二光学系统5b出射的光经由合成光学系统21而聚光于上述焦点7f的光学系统。换句话说,在本实施方式中,焦点7f是第二光学系统7a的焦点,并且也是第二光学系统7b的焦点。以下,有时将第二光学系统(7a、7b)通称为“第二光学系统7”。
光源装置1具备积分光学系统8(对应日语:インテグレータ光学系)。如图3所示,在本实施方式中,积分光学系统8由积分棒9构成。积分棒9以使其光入射面9a成为第二光学系统7的焦点7f的位置的方式配置。但是,在本说明书中,“配置于焦点位置”指的是,除了完全与焦点的位置一致的情况之外,还包含相对于焦距向与光轴10平行的方向移动±10%的距离的位置的概念。此外,图3中的光轴10指的是与积分光学系统8的光入射面、即积分棒9的光入射面9a正交的轴。
积分棒9是具有如下功能的导光部件(光引导件)的一个例子:通过将入射到光入射面9a的光一边在侧面重复全反射一边导向光出射面9b,由此使光出射面9b中的光的照度分布均匀化。这种导光部件例如通过由玻璃、树脂等透光性的材料构成的柱状部件、内表面由反射镜构成的中空部件等构成。后者的结构有时被特别地称作光通道。此外,导光部件也可以在其内部沿与光轴平行的方向被分割成多个光路而构成
光源装置1在积分光学系统8的后级具备第三光学系统22。在本实施方式中,第三光学系统22是使从积分光学系统8出射的光中的大半部分的光(作为一个例子是入射光量的90%以上且99.99%以下)透射、且仅使极少一部分的光(一个例子入射光量的0.01%以上10%以下)反射的光学系统,例如由分束器等构成。
光源装置1具有对入射到第三光学系统22的光中的、被分光后的光进行接受到的光检测部31a。此外,如图3所示,光源装置1也可以根据需要而具备用于使光检测部31a高效地接收光的光学系统23。
图3所示的光检测部31a构成为将LED元件3a的发光波长的光进行接受。即,光检测部31a也可以内置有使LED元件3a的发光波长的光透射、并阻断LED元件3b的发光波长的光那样的滤波器。
此外,作为另一方式,第三光学系统22也可以采用如下结构:将从积分光学系统8出射的光中的、LED元件3a的发光波长的光的极少一部分反射,并使LED元件3a的发光波长的大半部分的光以及LED元件3b的发光波长的全部的光透射。在这种情况下,即使光检测部31a未必内置有滤波器,也可在光检测部31a中仅检测出LED元件3a的发光波长的光。
光检测部31a例如由光电二极管等构成,并对接收到的光的照度进行计测。光检测部31a将该计测结果输出到控制部11a。此外,光检测部31a也可以根据需要而具备放大器。
透射了第三光学系统22的光入射到根据光源装置1的使用用途而构成的后级的光学系统60。
如上述那样,光放射区域2a通过控制部11a进行点亮控制,光放射区域2b通过控制部11b进行点亮控制。图5是示意地表示这些控制部11的构成的一个例子的块图。图5(a)对应于控制部11a的构成,图5(b)对应于控制部11b的构成。
控制部11a具备第一输入接受部41a、第二输入接受部42a、存储部43a、比较部44a、累计光量运算部45a、以及熄灭指示部46a。另外,控制部11b具备第一输入接受部41b、目标时间设定部47b、时间评价部48b、以及熄灭指示部46b。
第一输入接受部41a对LED元件3a的发光波长的光的目标累计光量(“第一目标累计光量”)所对应的信息的输入进行接受。例如,在将光源装置1使用于曝光装置的情况下,从第一输入接受部41a输入关于为了可靠地对工件实现曝光处理所需的、LED元件3a的发光波长的光的累计光量的信息。该输入的信息被存储于存储部43a。
第二输入接受部42a对关于由光检测部31a接收到的光的照度的信息的输入进行接受。累计光量运算部45a通过对LED元件3a开始发光之后的、由光检测部31a接收到的光的照度的累计值进行计算,由此推算累计光量。推算出的累计光量的值被输出到比较部44a。
比较部44a对存储于存储部43a的目标累计光量的值、以及从累计光量运算部45a输入的累计光量的值进行比较。然后,若从累计光量运算部45a输入的累计光量的值达到目标累计光量的值,则对熄灭指示部46a输出信号。熄灭指示部46a基于来自比较部44a的信号,进行使针对光放射区域2a的通电停止的控制。由此,多个LED元件3a的发光被自动地停止。
另一方面,第一输入接受部41b对LED元件3b的发光波长的光的目标累计光量所对应的信息的输入进行接受。这里,作为LED元件3b,设想为图2中的由h线表示的那种、输出不太根据时间而变化的发光波长的元件。在该情况下,能够视为从LED元件3b出射的光的照度大致一定。目标时间设定部47b例如用目标累计光量除以上述被视为一定的照度,由此推算目标时间。
时间评价部48b对LED元件3b开始发光之后的经过时间进行计测。然后,若上述经过时间达到目标时间,则时间评价部48b对熄灭指示部46b输出信号。熄灭指示部46b基于来自时间评价部48b的信号,进行使针对光放射区域2b的通电停止的控制。由此,多个LED元件3b的发光被自动地停止。
根据上述的构成,在混合有多个波长的光的同时,也针对每个波长,在达到成为目标的累计光量的时间点使来自各光放射区域(2a、2b)的发光被自动地停止。特别是,即使在LED元件3a是容易受到外部环境的影响的元件的情况下,也通过基于由光检测部31a实际检测出的照度推算的累计光量来进行停止控制,因此能够与外部环境的影响无关地实现成为目标的累计光量。另外,在如LED元件3b那样具有难以受到外部环境的影响的元件的情况下,能够仅通过基于时间的控制来识别实现作为目标的累计光量的时间点。
根据上述的构成,由于仅进行使针对各LED元件3的通电停止的控制,因此无需以多个级别调整电流量这种复杂的控制。因此,能够成为响应性较高、且精度较高的控制。
此外,在上述的构成中,基于从光检测部31a输入的信息在控制部11a内对累计光量进行运算,但也可以具有由光检测部31a来推算累计光量的功能。在该情况下,从光检测部31a对控制部11a输入累计光量所对应的信息。如图6(a)所示,控制部11a能够采用将由第二输入接受部42a接受的、该累计光量所对应的信息输入到比较部44a的构成。即,也可以与图5(a)不同,设为控制部11a不具备累计光量运算部45a。
另外,在上述的构成中,第一输入接受部41b对LED元件3b的发光波长的光的目标累计光量所对应的信息的输入进行接受,目标时间设定部47b根据该目标累计光量所对应的信息推算目标时间。但是,第一输入接受部41b也可以是对关于使LED元件3b发光的目标时间的信息的输入进行接受。在该情况下,如图6(b)所示,控制部11b能够采用将由第一输入接受部41b接受的、该目标时间所对应的信息输入到时间评价部48b。即,也可以与图5(b)不同,设为控制部11b不具备目标时间设定部47b。
而且,如图7所示,光源装置1也可以具备使控制部11a与控制部11b一体化而成的控制部11。
[第二实施方式]
对光源装置的第二实施方式的构成进行说明。此外,在以下的各实施方式中,以与第一实施方式的不同之处为主进行说明,关于与第一实施方式共同之处适当地省略说明。
图8是示意地表示第二实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。本实施方式的光源装置1也与第一实施方式相同,具备两个光放射区域(2a、2b)。但是,这些光放射区域(2a、2b)配置于同一光源部2内这一点与第一实施方式不同。图9是示意地表示本实施方式的光放射区域2a以及2b的附图。在同一光的光源部2内形成有光放射区域2a与光放射区域2b。
本实施方式的光源装置1具备第一光学系统5以及第二光学系统7。第一光学系统5是分别将从多个LED元件3(3a、3b)出射的光进行准直的光学系统,并与各LED元件3(3a、3b)对应地配置有多个准直透镜6而构成。第二光学系统7是将从第一光学系统5出射光聚光于第二光学系统7的焦点7f的光学系统。
其他之处与第一实施方式的光源装置1相同,因此省略说明。在本实施方式的光源装置1中,也可实现与第一实施方式的光源装置1相同的效果。此外,在图8中,设想了通过同一控制部11对各光放射区域(2a、2b)进行控制的情况而图示,但也可以如图3所示的构成那样,设为在光放射区域(2a、2b)的每一个中具备控制部(11a、11b)的构成。
[第三实施方式]
对光源装置的第三实施方式的构成进行说明。图10是示意地表示第三实施方式的光源装置的构成的一个例子的附图。图10所示的光源装置1与图3所示的光源装置1相比较的不同点在于,还具备分光光学系统24以及光检测部31b。
在第一实施方式中,如上述那样,第三光学系统22使从积分光学系统8出射的光中的、极少一部分的光(作为一个例子是入射光量的0.01%以上且10%以下)反射。该光经由根据需要设置的光学系统23入射到分光光学系统24。该分光光学系统24构成为使LED元件3a的发光波长的光透射、且使LED元件3b的发光波长的光反射。由此,入射到分光光学系统24的光中的、LED元件3a的发光波长的光入射到光检测部31a,LED元件3b的发光波长的光入射到光检测部31b。
在本实施方式的光源装置1中,也是光放射区域2a通过控制部11a进行点亮控制,光放射区域2b通过控制部11b进行点亮控制。但是,在本实施方式中,控制部11b在从光检测部31b输入有关于照度的信号这一点与第一实施方式不同。图11是示意地表示本实施方式的光源装置1所具备的控制部11的构成的块图。图11(a)对应于控制部11a的构成,图11(b)对应于控制部11b的构成。
即,在本实施方式中,控制部11b与控制部11a相同地在通过运算推算出的累计光量达到目标的累计光量的时间点进行熄灭的指示。根据该构成,在不仅是LED元件3a、LED元件3b也是容易受到外部环境的影响的元件的情况下,由于通过基于由光检测部31b实际检测出的照度推算的累计光量进行停止控制,因此能够无关于外部环境的影响地实现作为目标的累计光量。
此外,在本实施方式的光源装置1中,如第二实施方式中的上述内容那样,光放射区域(2a、2b)也可以配置于同一光源部2内。
[第四实施方式]
图12是示意地表示包含第一实施方式的光源装置1的曝光装置的构成的附图。曝光装置19在积分光学系统8的后级具备投影光学系统15以及掩模16,且根据需要具备投影透镜17。在通过投影光学系统15投影的位置设置掩模16,在掩模16的后级设置成为烧结掩模16的图案像的对象的感光性基板18。若在该状态下从光源部2出射光,则在该光通过第二光学系统7聚光之后,作为通过积分棒9使照度分布均匀化的光照射到投影光学系统15。投影光学系统15利用该光,将掩模16的图案像直接或者经由投影透镜17投影到感光性基板18上。
曝光装置19具备光源装置1,如上述那样,该光源装置1针对每个发光波长进行若从各LED元件3出射的累计光量达到作为目标的累计光量、则自动地使发光停止的控制。因此,即使光源装置1包含容易受到外部环境的影响的LED元件3而构成,也能够抑制工件间的曝光精度的偏差。
此外,曝光装置19也可以具备第二实施方式之后的各实施方式的光源装置1。
[另一实施方式]
以下,对另一实施方式进行说明。
〈1〉在上述的构成中,说明了光源装置1具有两种发光波长的LED元件(3a、3b),但也可以包含三种以上的发光波长的LED元件。在这种情况下,既可以对于全部的LED元件3在推算出的累计光量达到目标累计光量的时间点进行熄灭的控制,也可以对于一部分的LED元件3如第一实施方式的LED元件3b那样在经过规定的时间之后进行熄灭的控制。
〈2〉在上述实施方式中,说明了积分光学系统8由积分棒9构成的情况,但也可以取代积分棒9,而由将多个透镜配置为矩阵状而成的蝇眼透镜构成。即使在这种情况下,蝇眼透镜的入射面被高亮度的光聚光,从蝇眼透镜出射高亮度的光。
〈3〉在上述实施方式中,光检测部31(31a、31b)配置于积分光学系统8的后级,但也可以配置于积分光学系统8与第二光学系统7(7a、7b)之间。图13是示意地表示在第一实施方式的光源装置中将光检测部31a配置于积分光学系统8与第二光学系统7之间的构成的附图。第二、第三实施方式的光源装置也能够采用相同的构成。
〈4〉在各实施方式中说明的光源装置1的光学系统只是一个例子,并非限定于图示的光学系统的构成的主旨。例如,在上述各实施方式中,光源装置1也可以出于变更光路的目的而适当地追加设置反射光学系统等光学系统。

Claims (8)

1.一种光源装置,其特征在于,具备:
光源部,具有包含出射第一波长的光的多个LED元件在内的第一光放射区域、以及包含出射与上述第一波长不同的第二波长的光的多个LED元件在内的第二光放射区域;
光检测部,配置于上述光源部的后级,并检测上述第一波长的光的强度;以及
控制部,构成为能够对于上述第一光放射区域以及上述第二光放射区域分别独立地进行通电的接通、断开控制,
上述控制部具有存储部,该存储部存储有与上述第一波长的光的目标累计光量即第一目标累计光量有关的信息,
在基于由上述光检测部检测出的上述第一波长的光的强度而计算出的累计光量达到上述第一目标累计光量时,与针对上述第二光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第一光放射区域的通电停止的控制。
2.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,
上述控制部在使针对上述第二光放射区域的通电开始并经过了规定的时间之后,与针对上述第一光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第二光放射区域的通电停止的控制。
3.根据权利要求1所述的光源装置,其特征在于,
上述光检测部是能够检测出上述第二波长的光的强度的构成,
上述存储部存储有与上述第二波长的光的目标累计光量即第二目标累计光量有关的信息,
在基于由上述光检测部检测出的上述第二波长的光的强度而计算出的累计光量达到上述第二目标累计光量时,上述控制部与针对上述第一光放射区域的通电的控制独立地进行使针对上述第二光放射区域的通电停止的控制。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光源装置,其特征在于,
上述光源装置具有对从上述光源部出射的光进行准直的第一光学系统、以及对从上述第一光学系统出射的光进行聚光的第二光学系统,
上述光检测部配置于比上述第二光学系统更后级的位置。
5.根据权利要求4所述的光源装置,其特征在于,
上述光源装置具有配置于上述第二光学系统的后级、且对入射的光的一部分进行分光的第三光学系统,
通过上述第三光学系统分光后的光入射到上述光检测部。
6.根据权利要求4所述的光源装置,其特征在于,
上述光源装置具备积分光学系统,该积分光学系统的入射面配置于上述第二光学系统的焦点位置,
上述光检测部配置于上述积分光学系统的后级、或者配置于上述第二光学系统与上述积分光学系统之间。
7.根据权利要求5所述的光源装置,其特征在于,
上述光源装置具备积分光学系统,该积分光学系统的入射面配置于上述第二光学系统的焦点位置,
上述光检测部配置于上述积分光学系统的后级、或者配置于上述第二光学系统与上述积分光学系统之间。
8.一种曝光装置,是将掩模的图案转印到感光性基板上的曝光装置,其特征在于,具备:
权利要求1~7中任一项所述的光源装置;以及
投影光学系统,将从上述光源装置出射的光照射到上述掩模,将上述掩模的图案像投影到上述感光性基板上。
CN201710127754.7A 2016-03-07 2017-03-06 光源装置以及具备该光源装置的曝光装置 Active CN107168016B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016043666A JP6623847B2 (ja) 2016-03-07 2016-03-07 光源装置及びこれを備えた露光装置
JP2016-043666 2016-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107168016A CN107168016A (zh) 2017-09-15
CN107168016B true CN107168016B (zh) 2020-05-19

Family

ID=59849489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710127754.7A Active CN107168016B (zh) 2016-03-07 2017-03-06 光源装置以及具备该光源装置的曝光装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6623847B2 (zh)
CN (1) CN107168016B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7068659B2 (ja) * 2018-12-05 2022-05-17 ウシオ電機株式会社 露光用光源装置
CN113544589A (zh) * 2019-03-04 2021-10-22 株式会社V技术 曝光用的光源装置、曝光装置及曝光方法
TW202141575A (zh) * 2020-03-11 2021-11-01 日商奈米系統解決股份有限公司 曝光裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1846877A (zh) * 2005-04-06 2006-10-18 欧姆龙株式会社 紫外线照射装置
CN102540757A (zh) * 2010-11-30 2012-07-04 优志旺电机株式会社 光照射装置
WO2015015749A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 株式会社ニコンエンジニアリング 光源および露光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036011A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Nec Yamagata Ltd 半導体装置製造用ウェーハ露光装置
JP2004335949A (ja) * 2002-11-29 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2004207343A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Nikon Corp 照明光源、照明装置、露光装置及び露光方法
JP2004327823A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Nikon Corp 照明装置、露光装置及び露光方法
JP2007033882A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Hitachi Via Mechanics Ltd 露光装置及び露光方法並びに配線基板の製造方法
US8098375B2 (en) * 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
JP2010034293A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Ushio Inc 露光用光照射装置
JP2013069860A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Orc Manufacturing Co Ltd Led光源装置および露光装置
JP6199591B2 (ja) * 2013-04-12 2017-09-20 株式会社オーク製作所 光源装置および露光装置
US9128387B2 (en) * 2013-05-14 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ultraviolet light emitting diode array light source for photolithography and method
JP6503235B2 (ja) * 2015-06-02 2019-04-17 株式会社アドテックエンジニアリング 光源装置、露光装置及び光源制御方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1846877A (zh) * 2005-04-06 2006-10-18 欧姆龙株式会社 紫外线照射装置
CN102540757A (zh) * 2010-11-30 2012-07-04 优志旺电机株式会社 光照射装置
WO2015015749A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 株式会社ニコンエンジニアリング 光源および露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107168016A (zh) 2017-09-15
JP6623847B2 (ja) 2019-12-25
JP2017161603A (ja) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107168016B (zh) 光源装置以及具备该光源装置的曝光装置
EP3009886B1 (en) Handling system
KR102246340B1 (ko) 광원의 노광량 제어를 위한 방법 및 장치
KR20140085320A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4990944B2 (ja) リソグラフィ装置及び方法
JP2016200787A (ja) 光照射装置、露光装置及びledアレイ光源
KR19980032735A (ko) 노광장치 및 이를 이용한 디바이스제조방법
US7612868B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing device
WO2013147052A1 (ja) 放電ランプを備えた照明装置
JPH06204113A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US10251254B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus and control method for centroid of extreme ultraviolet light
CN108368978B (zh) 光源装置
JP2016194673A (ja) フォトリソグラフィ露光システムの光源の調整方法およびフォトリソグラフィデバイス用の露光アセンブリ
WO2017138523A1 (ja) 光源装置
US20110123934A1 (en) Scanning exposure apparatus
WO2020184695A1 (ja) 光照射システム
JP2015191998A (ja) 固体光源、照明光学系、および露光装置
CN104991421B (zh) 描绘装置
KR101867527B1 (ko) 측광 장치 및 노광 장치
JP7288274B2 (ja) 光照射システム
JP7329816B2 (ja) 照明システム
KR20030074264A (ko) 광원 유닛, 조명 장치, 노광 장치 및 노광 방법
KR20130103052A (ko) 디지털 마이크로 미러 장치용 미러 불량 검출장치
JP2008129047A (ja) 近接露光装置および近接露光方法
JP7284363B2 (ja) 照明システム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant