CN107134526A - 一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 - Google Patents
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107134526A CN107134526A CN201710483443.4A CN201710483443A CN107134526A CN 107134526 A CN107134526 A CN 107134526A CN 201710483443 A CN201710483443 A CN 201710483443A CN 107134526 A CN107134526 A CN 107134526A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- memory
- once
- preparation
- repeatedly reads
- universality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/25—Multistable switching devices, e.g. memristors based on bulk electronic defects, e.g. trapping of electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
Abstract
本发明公开了一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法，属于阻变存储领域。一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层，并公开了其制备方法。本发明采用的原料易得，成本低廉，制备出的存储器呈现非易失性一次写入多次读取存储特性，具有写入电压低、开关比高、误读率低、稳定性高的优点。
Description
技术背景
本发明涉及阻变存储器领域，具体地说，涉及一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法。
背景技术
存储器是电子设备最基本的元器件之一，是现代信息技术的重要组成部分。随着现代信息技术的快速发展，数据的处理能力不断增强，数据量急剧增长，因此，人们希望可以获得性能优良、价格低廉的存储芯片来存储海量的数据。近年来，一类基于器件阻值变化的新型的非易失性存储器（阻变存储器），因其拥有器件结构简单、读写速度快、擦写耐受力高、数据保持时间长等优势，在半导体存储领域快速发展。
其中，非易失性一次写入多次读取（WORM）存储器，因其信息存储状态不依赖外界电源供并且具备一写多读的数据存储性能，使得它在降低系统能耗以及信息存储可靠性、安全性以及永久性等方面起了重要作用。而目前的WORM阻变存储器由于制备工艺复杂、制作成本高等缺点，限制了其在工业化应用的广泛发展。
Lai、Liu等人通过对存储介质材料中的绝缘聚合物进行掺杂金属或者导电聚合物改性的方法，在实加电压的过程中，通过改性后的存储介质层能够对电子的捕获和释放，从而实现阻变存储性能，但是该方法制备工艺复杂。而中国专利，申请号为201510271467.4，发明名称为“低形成电压的阻变存储器及其制备方法”，该专利中的存储器虽然具备低功耗写入电阻的功能，但是制备工艺复杂，制备成本高。
所以，急需一种制备工艺简单、成本低的、具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，以攻克现有技术中的技术难题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法，该存储器材料易得，成本低廉，制备方法简单。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层。
进一步的技术方案，所述的纯绝缘性聚合物层的制备方法是将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干。
进一步的技术方案，所述的纯绝缘性聚合物层中的纯绝缘性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚苯乙烯（PS）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）。
进一步的技术方案，所述的存储介质层的厚度为60 nm-80nm。
进一步的技术方案，所述的衬底是硅片衬底，所述的顶电极是Al 电极、Ag电极中的一种。
进一步的技术方案，所述的底电极是还原氧化石墨烯电极。
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，包括以下步骤：
（1）底电极的制备：通过高温热还原氧化石墨烯的方法在衬底上制备还原氧化石墨烯膜；
（2）存储介质层的制备：将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干；
（3）顶电极的制备：用热蒸镀的方法在存储介质层上形成金属Al电极，即得存储器。
进一步的技术方案，所述的步骤（1）中衬底在使用前需预处理，具体方法是：将衬底依次采用乙醇、异丙醇、乙醇超声10-20min，氮气吹干，用氧气等离子清洗机在10-50W的功率下处理3-8min。
进一步的技术方案，所述的步骤（1）中高温热还原氧化石墨烯的方法是在衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，得氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1000-1200℃的高温下还原0.5-3小时，得还原氧化石墨烯膜。
进一步的技术方案，所述的步骤（2）中旋涂采用旋涂仪，转速为800-1200rpm。
有益效果
与现有技术相比，本发明具有如下显著优点：
1、本发明采用的原料易得，成本低廉，制备出的存储器是一次写入多次读取存储器，具有非易失性的存储特性，存储器在低功耗下便能实现数据的存储，并且存储窗口值大、误读率低、开关比高、稳定性高。
2、本发明的制备方法简单，底电极是通过高温热还原氧化石墨烯制得，导电性能好；存储介质层的材料为纯绝缘性聚合物，通过全湿法旋涂在底电极上制备存储介质层，整个制备步骤简单。
3、本发明的存储介质层选用纯绝缘性聚合物，本身是无法实现存储的，但在我们存储器中通过采用还原氧化石墨烯电极，由于石墨烯电极表面的形貌，石墨烯表面会有褶皱，在施加电压的过程中，电荷积聚在这些褶皱的地方，到一定阶段，就会发生隧穿，由此实现存储，实现存储的过程与现有技术不同，但是制备的存储器质量高，方法简单。
附图说明
图1是本发明的存储器的结构示意图。
图2是实施例1中的存储器易存储过程的I-V关系曲线。
图3是实施例2中的存储器易存储过程的I-V关系曲线。
图4是实施例3中的存储器易存储过程的I-V关系曲线。
图中标号：1、衬底，2、底电极，3、存储介质层，4、顶电极。
具体实施方式
下面结合实施案例和附图对本发明作进一步详细说明。
以下所述仅是本发明的具体实施方式，本领域技术人员可以通过该说明书所阐述的内容轻易的了解本发明的各项细节与应用，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改善和润饰，这些改善改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
实施例1
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，包括以下步骤：
（1）衬底处理：将硅片衬底分别采用乙醇，异丙醇，乙醇分别超声10min，氮气吹干，然后用氧气等离子清洗机在50W的功率下处理3min。
（2）底电极的制备：先在硅片衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，获得大面积的氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1000℃的高温下还原2小时，获得还原氧化石墨烯膜。
（3）存储介质层的制备：将绝缘性聚合物PMMA溶于甲苯溶液中，然后旋涂在底电极上，旋涂仪转速为1000rpm，烘干，存储介质层的厚度为70nm；
（4）顶电极的制备；通过热蒸镀的方法，在存储介质层上制备金属Al电极，即得存储器。其结构如图1所示。
对上述存储器通过半导体参数分析仪进行性能测试，可以看出器件为典型的非易失性一次写入多次读取存储器，能在较低的电压下完成数据存储，并且都具有高开关比，性能优异，如图2所示的存储器的I-V关系曲线图，当施加正向电压在0-2.7V范围时，器件首先呈现出 “高阻态”。当我们继续加大扫描电压时，电流快速上升，表明器件由“高阻态”转变为“低阻态”，该过程即存储器的 “ 写入”过程。在 “ 写入”之后，扫描电压从5V至-5V的过程中，存储器的电流一直保持在较高水平。该过程即为器件的非易失性存储过程，此时存储器中“写入”的数据不能再被修改，表明存储器在信息安全领域具有潜在应用价值。当扫描电压从-5V降低至5V时，电流仍然处于较高水平，无法回到“高阻态”，为典型的非易失性一次写入多次读取，在永久信息存储领域具有潜在应用价值。
实施例2
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，包括以下步骤：
（1）衬底处理：将硅片衬底分别采用乙醇，异丙醇，乙醇分别超声15min，氮气吹干，然后用氧气等离子清洗机在30W的功率下处理5min。
（2）底电极的制备：先在硅片衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，获得大面积的氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1100℃的高温下还原1.5小时，获得还原氧化石墨烯膜。
（3）存储介质层的制备：将绝缘性聚合物PS溶于二氯代苯溶液中，然后旋涂在底电极上，旋涂仪转速为800rpm，烘干，存储介质层的厚度为75nm；
（4）顶电极的制备；通过热蒸镀的方法，在存储介质层上制备金属Al电极，即得存储器。
对上述存储器通过半导体参数分析仪进行性能测试，如图3所示的存储器的I-V关系曲线，为典型的非易失性一次写入多次读取，当施加正向电压0-2.4V时，器件电流缓慢增加，但是电流较低，器件仍处于“高阻态”。一旦电压超过2.4V，电流急速增加，器件由“高阻态”向“低阻态”转变。从图中可以观察到，一旦器件“写入”数据，器件将不会再次回到初始状态，在永久信息存储领域具有潜在应用价值。
实施例3
一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，包括以下步骤：
（1）衬底处理：将硅片衬底分别采用乙醇，异丙醇，乙醇分别超声20min，氮气吹干，然后用氧气等离子清洗机在10W的功率下处理8min。
（2）底电极的制备：先在硅片衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，获得大面积的氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1200℃的高温下还原1小时，获得还原氧化石墨烯膜。
（3）存储介质层的制备：将绝缘性聚合物PVP溶于乙醇溶液中，然后旋涂在底电极上，旋涂仪转速为1200rpm，烘干，存储介质层的厚度为65nm；
（4）顶电极的制备；通过热蒸镀的方法，在存储介质层上制备金属Al电极，即得存储器。
对上述存储器通过半导体参数分析仪进行性能测试，如图4所示的存储器的I-V关系曲线，当施加正向电压0-3.9V时，器件电流较低，处于“高阻态”。一旦电压超过3.9V，电流急速增加，器件由“高阻态”向“低阻态”转变。从图中可以观察到，一旦器件“写入”数据，不管施加多大的方向电压，器件将不会再次回到初始状态。这说明该器件具有非易失性一次写入多次读取的存储性能，在永久信息存储领域具有潜在应用价值。
Claims (10)
1.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层。
2.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的纯绝缘性聚合物层的制备方法是将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的纯绝缘性聚合物层中的纯绝缘性聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮。
4.根据权利要求3所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的存储介质层的厚度为60 nm-80nm。
5. 根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的衬底是硅片衬底，所述的顶电极是Al 电极、Ag电极中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述的底电极是还原氧化石墨烯电极。
7.一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）底电极的制备：通过高温热还原氧化石墨烯的方法在衬底上制备还原氧化石墨烯膜；
（2）存储介质层的制备：将纯绝缘性聚合物溶于溶剂后，旋涂于底电极上，烘干；
（3）顶电极的制备：用热蒸镀的方法在存储介质层上形成金属Al电极，即得存储器。
8.根据权利要求7所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤（1）中衬底在使用前需预处理，具体方法是：将衬底依次采用乙醇、异丙醇、乙醇超声10-20min，氮气吹干，用氧气等离子清洗机在10-50W的功率下处理3-8min。
9.根据权利要求7所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤（1）中高温热还原氧化石墨烯的方法是在衬底上旋涂氧化石墨烯溶液，得氧化石墨烯薄膜，然后在氩/氢混合气氛中在1000-1200℃的高温下还原0.5-3小时，得还原氧化石墨烯膜。
10.根据权利要求7所述的一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤（2）中旋涂采用旋涂仪，转速为800-1200rpm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710483443.4A CN107134526B (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710483443.4A CN107134526B (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107134526A true CN107134526A (zh) | 2017-09-05 |
| CN107134526B CN107134526B (zh) | 2019-10-25 |
Family
ID=59735412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710483443.4A Active CN107134526B (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107134526B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112382722A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-19 | 南京工业大学 | 一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法 |
| CN112909164A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-04 | 南京工业大学 | 具有普适性的易失性动态随机存取存储器及其制备方法 |
| CN113066928A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-02 | 南京工业大学 | 一种聚合物选通器件及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060131569A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Choi Sung Y | Organic memory device and method of manufacturing the same |
| CN101083300A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 三星电子株式会社 | 包括有机材料和富勒烯层的有机存储器件及相关方法 |
| CN102468435A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相变存储器的制作方法 |
| CN102623045A (zh) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变型随机存储单元及存储器 |
| CN103403905A (zh) * | 2011-03-24 | 2013-11-20 | 株式会社东芝 | 有机分子存储器 |
| CN103579238A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种存储器器件 |
| CN104300081A (zh) * | 2013-07-15 | 2015-01-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 相变存储器的加热电极及其制备方法 |
| CN105226183A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-01-06 | 福州大学 | 一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法 |
-
2017
- 2017-06-22 CN CN201710483443.4A patent/CN107134526B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060131569A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Choi Sung Y | Organic memory device and method of manufacturing the same |
| CN101083300A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 三星电子株式会社 | 包括有机材料和富勒烯层的有机存储器件及相关方法 |
| CN102468435A (zh) * | 2010-11-18 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相变存储器的制作方法 |
| CN102623045A (zh) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变型随机存储单元及存储器 |
| CN103403905A (zh) * | 2011-03-24 | 2013-11-20 | 株式会社东芝 | 有机分子存储器 |
| CN103579238A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种存储器器件 |
| CN104300081A (zh) * | 2013-07-15 | 2015-01-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 相变存储器的加热电极及其制备方法 |
| CN105226183A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-01-06 | 福州大学 | 一种阻变存储器及提高其正负向电流差的方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112382722A (zh) * | 2020-11-02 | 2021-02-19 | 南京工业大学 | 一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法 |
| CN112909164A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-04 | 南京工业大学 | 具有普适性的易失性动态随机存取存储器及其制备方法 |
| CN113066928A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-02 | 南京工业大学 | 一种聚合物选通器件及其制备方法 |
| CN113066928B (zh) * | 2021-03-23 | 2024-01-26 | 南京工业大学 | 一种聚合物选通器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107134526B (zh) | 2019-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lauters et al. | Multilevel conductance switching in polymer films | |
| CN106575702B (zh) | 具有多级操作的非易失性铁电存储器单元 | |
| Chen et al. | Single-layer organic memory devices based on N, N′-di (naphthalene-l-yl)-N, N′-diphenyl-benzidine | |
| CN107134526B (zh) | 一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法 | |
| JP6208946B2 (ja) | ポリマー／電解質の接点でスイッチングするコンダクタンスに基づくメモリデバイス | |
| Ma et al. | Highly uniform bipolar resistive switching characteristics in TiO2/BaTiO3/TiO2 multilayer | |
| Wang et al. | Organic floating-gate transistor memory based on the structure of pentacene/nanoparticle-Al/Al2O3 | |
| Yun et al. | Electrical stabilities and carrier transport mechanisms of flexible organic bistable devices based on CdSe-InP core-shell nanoparticle/polystyrene nanocomposites | |
| CN101826598A (zh) | 一种多态有机阻变存储器及制备方法 | |
| Chen et al. | Reduced graphene oxide electrodes with wrinkled surface for nonvolatile polymer memory device compatibility | |
| Wu et al. | Recoverable electrical transition in a single graphene sheet for application in nonvolatile memories | |
| Demelas et al. | A deeper insight into the operation regime of all-polymeric electrochemical transistors | |
| Ling et al. | Thermally stable polymer memory devices based on a π-conjugated triad | |
| CN103219466B (zh) | 一种有机阻变存储器及其制备方法 | |
| CN108110007A (zh) | 铁电存储器及其访问方法 | |
| Mao et al. | Control of Resistive Switching Voltage by Nanoparticle‐Decorated Wrinkle Interface | |
| Feng et al. | Investigation of physically transient resistive switching memory based on GeO2 thin films | |
| CN109585651A (zh) | 一种柔性双层阈值选通管器件及其制备方法 | |
| CN102157686B (zh) | 一种表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法 | |
| US10714179B2 (en) | Hybrid memory devices | |
| CN109360887A (zh) | 一种转变电压可控阻变存储器及其制备方法 | |
| Liu et al. | Two-parameter multi-state memory device based on memristance and memcapacitance characteristics | |
| CN111370579B (zh) | 一种金属有机杂化钙钛矿铁电体薄膜的制备方法 | |
| Liu et al. | Flexible multi‐state nonvolatile antiferroelectric memory | |
| CN109841736B (zh) | 一种基于电化学方法精确构造有机异质结阻变存储器件及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |