CN107123606B - 一种半导体生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体生产方法，提供引线框架和具有定位孔的铜桥框架，于所述引线框架表面印刷结合材，在印刷结合材之后的所述引线框架上冲压形成能与所述定位孔插接配合的定位齿，将所述引线框架与所述铜桥框架进行组装，采用回流焊的方式焊接所述引线框架与所述铜桥框架。通过在引线框架印刷结合材后冲压定位齿，可以利用此定位齿与铜桥框架上的定位孔插接实现铜桥框架的焊接定位，有效防止后期对铜桥框架进行回流焊时产生位置偏移等缺陷，保证铜桥框架在回流焊过程中不受干扰，提高产品的良率，且由于在印刷结合材后才冲压的定位齿，可以降低生产难度。

Description

一种半导体生产方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体生产方法。
背景技术
目前半导体的生产工艺主要为：在引线框架上设置结合材，在结合材相应位置放置待焊接的芯片，通过结合材对芯片及引线框架进行回流焊接，在芯片及引线框架表面印刷结合材，然后将铜桥框架放置在引线框架和芯片上，再对铜桥框架进行回流焊。现有的半导体生产过程中，铜桥框架在通过回流焊焊接到引线框架上时通常会发生位置偏移，偏移量常超出生产允许的范围，从而导致产品报废，降低了产品的良率。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种半导体生产方法，其能有效的防止铜桥框架在回流焊后发生位置偏移，产品良率高。
为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
提供一种半导体生产方法，提供引线框架和具有定位孔的铜桥框架，于所述引线框架表面印刷结合材，在印刷结合材之后的所述引线框架上冲压形成能与所述定位孔插接配合的定位齿，将所述引线框架与所述铜桥框架进行组装，采用回流焊的方式焊接所述引线框架与所述铜桥框架。
作为半导体生产方法的一种优选方案，在所述引线框架冲压所述定位齿之时对结合材进行保护处理。
作为半导体生产方法的一种优选方案，所述保护处理具体为：在在冲压定位齿的冲压折弯模具上对应结合材和芯片的位置设置避空位。
作为半导体生产方法的一种优选方案，在印刷结合材之前对应所述定位齿的冲压位置在所述引线框架上设置冲压标记。
作为半导体生产方法的一种优选方案，在所述引线框架上印刷结合材时，采用隔离件对所述冲压标记进行隔离，使印刷结合材后的所述引线框架在所述冲压标记处无结合材。
作为半导体生产方法的一种优选方案，具体包括以下步骤：
步骤S10、提供所述引线框架和具有所述定位孔的所述铜桥框架；
步骤S20、在所述引线框架上设置结合材，并在结合材相应位置放置待焊接芯片；
步骤S30、采用回流焊方式将所述芯片焊接在所述引线框架上；
步骤S40、在所述引线框架上印刷结合材；
步骤S50、在所述引线框架上冲压定位齿；
步骤S60、将所述铜桥框架安装在所述引线框架上，并使所述定位齿插入到对应的所述定位孔内；
步骤S70、采用回流焊方式将所述铜桥框架焊接在所述引线框架上。
作为半导体生产方法的一种优选方案，所述步骤S40具体包括以下步骤：
步骤S41、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S42、将所述印刷钢网设置在所述引线框架安装有所述芯片的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧设置过量结合材；
步骤S43、控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架和所述芯片的表面。
优选的，所述步骤S43后还设置步骤S44，去除所述印刷钢网，显露出所述均匀分布的结合材。
进一步的，所述步骤S43所述的控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔为：通过机器刮刀将结合材由所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧刮到所述印刷钢网与所述引线框架之间，刮匀后先将多余的结合材用刮刀清理，再进入步骤S44。
作为半导体生产方法的一种优选方案，所述印刷钢网上设置有第一对位标识孔，所述引线框架上与所述第一对位标识孔对应的设置有第二对位标识孔，所述印刷钢网与所述引线框架通过第一对位标识孔、第二对位标识孔以及插接在两个标识孔内的对位插销进行对位。
作为半导体生产方法的一种优选方案，所述步骤S50具体包括以下步骤：
步骤S51、将印刷有结合材的所述引线框架放置在冲压折弯模具的模板上，并使结合材朝上设置；
步骤S52、启动所述冲压折弯模具的上模下移压住所述引线框架，并使所述上模上的避空位正对所述引线框架上的结合材和芯片；
步骤S53、启动所述冲压折弯模具的下模上移冲压所述引线框架，以在所述引线框架上折弯形成所述定位齿。
作为半导体生产方法的一种优选方案，所述步骤S20具体包括以下步骤：
步骤S21、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S22、将所述印刷钢网设置在所述引线框架的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧设置过量结合材；
步骤S23、控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架的表面；
步骤S24、在结合材相应位置放置待焊接的芯片。
优选的，所述步骤S23还包括去除所述印刷钢网，显露出所述均匀分布的结合材。
进一步的，所述步骤S23所述的控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔为：通过机器刮刀将结合材由所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧刮到所述印刷钢网与所述引线框架之间，刮匀后先将多余的结合材用刮刀清理，再清除所述印刷钢网。
本发明的有益效果为：通过在引线框架印刷结合材后冲压定位齿，可以利用此定位齿与铜桥框架上的定位孔插接实现铜桥框架的焊接定位，有效防止后期对铜桥框架进行回流焊时产生位置偏移等缺陷，保证铜桥框架在回流焊过程中不受干扰，提高产品的良率，且由于在印刷结合材后才冲压的定位齿，可以降低生产难度；采用印刷的方式在引线框架上设置结合材，可以使结合材具有平整的表面以及规则的形状，在回流焊时结合材流动更加规则，能够避免结合材分布不均匀导致回流焊时铜桥框架出现倾斜、结合材溢出、结合材中出现气孔等质量问题，同时印刷方式效率更高，降低了生产成本。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明实施例所述的引线框架的主视示意图。
图2为图1的A-A截面图。
图3为本发明实施例所述的铜桥框架的主视示意图。
图4为图3的B-B截面图。
图5为本发明实施例所述的铜桥框架焊接在引线框架上时的主视示意图。
图6为图5的C-C截面图。
图7为图6的D处局部放大示意图。
图中：
1、引线框架；11、定位齿；2、铜桥框架；21、定位孔；3、结合材；4、芯片。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1至7所示，于本实施例中，本发明的一种半导体生产方法，提供引线框架1和具有定位孔21的铜桥框架2，于所述引线框架1表面印刷结合材3，在印刷结合材3之后的所述引线框架1上冲压形成能与所述定位孔21插接配合的定位齿11，将所述引线框架1与所述铜桥框架2进行组装，采用回流焊的方式焊接所述引线框架1与所述铜桥框架2。通过在引线框架1印刷结合材3后冲压定位齿11，可以利用此定位齿11与铜桥框架2上的定位孔21插接实现铜桥框架2的焊接定位，有效防止后期对铜桥框架2进行回流焊时产生位置偏移等缺陷，保证铜桥框架2在回流焊过程中不受干扰，提高产品的良率，且由于在印刷结合材3后才冲压的定位齿11，可以降低生产难度；采用印刷的方式在引线框架1上设置结合材3，可以使结合材3具有平整的表面以及规则的形状，在回流焊时结合材3流动更加规则，能够避免结合材3分布不均匀导致回流焊时铜桥框架2出现倾斜、结合材3溢出、结合材3中出现气孔等质量问题，同时印刷方式效率更高，降低了生产成本。
另外，由于引线框架1冲压后定位齿11突出于引线框架1的表面，且冲压出来的定位齿11远离引线框架1的一端具有R脚，因此必须在冲压定位齿11之前进行印刷结合材3，否则将无法实现采用印刷方法铺设结合材3。
在本发明的一个优选的实施例中，在所述引线框架1冲压所述定位齿11之时对结合材3进行保护处理。
所述保护处理具体为：在冲压定位齿11的冲压折弯模具上对应结合材3和芯片的位置设置避空位。
为了保证定位齿11的冲压准确，使定位齿11和定位孔21的装配更加顺畅，可以对应定位齿11的冲压位置设置冲压标记。即在印刷结合材3之前对应所述定位齿11的冲压位置在所述引线框架1上设置冲压标记。
在本发明的另一个优选的实施例中，还可以在印刷时对冲压标记进行隔离，防止冲压标记处被印刷上结合材3，具体为：在所述引线框架1上印刷结合材3时，采用隔离件对所述冲压标记进行隔离，使印刷结合材3后的所述引线框架1在所述冲压标记处无结合材3。
在本发明的一个实施例中，半导体生产方法，包括以下步骤：
步骤S10、提供所述引线框架1和具有所述定位孔21的所述铜桥框架2；
步骤S20、在所述引线框架1上设置结合材3，并在结合材3相应位置放置待焊接芯片4；
步骤S30、采用回流焊方式将所述芯片4焊接在所述引线框架1上；
步骤S40、在所述引线框架1上印刷结合材3；
步骤S50、在所述引线框架1上冲压定位齿11；
步骤S60、将所述铜桥框架2安装在所述引线框架1上，并使所述定位齿11插入到对应的所述定位孔12内；
步骤S70、采用回流焊方式将所述铜桥框架2焊接在所述引线框架1上。
在本实施例中，所述步骤S40具体包括以下步骤：
步骤S41、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S42、将所述印刷钢网设置在所述引线框架1安装有所述芯片4的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架1的一侧设置过量结合材3；
步骤S43、控制所述过量结合材3的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架1和所述芯片4的表面。
优选的，所述步骤S43后还设置步骤S44，去除所述印刷钢网，显露出所述均匀分布的结合材3。
进一步的，所述步骤S43所述的控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔为：通过机器刮刀将结合材3由所述印刷钢网远离所述引线框架1的一侧刮到所述印刷钢网与所述引线框架1之间，刮匀后先将多余的结合材用刮刀清理，再进入步骤S44。
在本实施例中，所述步骤S50具体包括以下步骤：
步骤S51、将印刷有结合材3的所述引线框架1放置在冲压折弯模具的模板上，并使结合材3朝上设置；
步骤S52、启动所述冲压折弯模具的上模下移压住所述引线框架1，并使所述上模上的避空位正对所述引线框架1上的结合材3和芯片；
步骤S53、启动所述冲压折弯模具的下模上移冲压所述引线框架1，以在所述引线框架1上折弯形成所述定位齿11。
由于结合材3通常采用锡膏类的呈可流动状态的物体，而定位齿11与结合材3位于同侧面，在冲压时需要由引线框架1远离结合材3的一侧朝向靠近结合材3的一侧折弯，因此不能采用现有的下冲压方式的冲压定位齿，本发明实施例提供一种新的冲压方式，即由下至上冲压定位齿11的方式，这样的冲压方式可以保护引线框架1上结合材3不被冲压折弯模具破坏，进而保证后续的铜桥框架2的回流焊操作能够正常进行。
在其他实施例中，还可以对焊接芯片4也采用印刷的方式印刷结合材3，印刷出的结合材具有平整的表面、规则的形状、回流焊时结合材流动规则的优点，能够避免结合材分布不均匀导致回流焊时芯片出现较大倾斜、结合材溢出、结合材中出现气孔、使得芯片发生旋转等质量问题，同时印刷方式效率更高。
在本实施例中，所述步骤S20具体包括以下步骤：
步骤S21、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S22、将所述印刷钢网设置在所述引线框架1的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架1的一侧设置过量结合材3；
步骤S23、控制所述过量结合材3的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架1的表面；
步骤S24、在结合材3相应位置放置待焊接的芯片4。
优选的，所述步骤S23还包括去除所述印刷钢网，显露出所述均匀分布的结合材3。
进一步的，所述步骤S23所述的控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔为：通过机器刮刀将结合材3由所述印刷钢网远离所述引线框架1的一侧刮到所述印刷钢网与所述引线框架1之间，刮匀后先将多余的结合材3用刮刀清理，再去除所述印刷钢网。
在本发明的实施例中，结合材3为锡膏。
在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例中以合适的方式结合。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体生产方法，其特征在于，提供引线框架和具有定位孔的铜桥框架，于所述引线框架表面印刷结合材，在印刷结合材之后的所述引线框架上冲压形成能与所述定位孔插接配合的定位齿，将所述引线框架与所述铜桥框架进行组装，采用回流焊的方式焊接所述引线框架与所述铜桥框架；
在印刷结合材之前对应所述定位齿的冲压位置在所述引线框架上设置冲压标记；
在所述引线框架上印刷结合材时，采用隔离件对所述冲压标记进行隔离，使印刷结合材后的所述引线框架在所述冲压标记处无结合材。
2.根据权利要求1所述的半导体生产方法，其特征在于，在所述引线框架冲压所述定位齿之时对结合材进行保护处理。
3.根据权利要求2所述的半导体生产方法，其特征在于，所述保护处理具体为：在冲压定位齿的冲压折弯模具上对应结合材和芯片的位置设置避空位。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体生产方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤S10、提供所述引线框架和具有所述定位孔的所述铜桥框架；
步骤S20、在所述引线框架上设置结合材，并在结合材相应位置放置待焊接芯片；
步骤S30、采用回流焊方式将所述芯片焊接在所述引线框架上；
步骤S40、在所述引线框架上印刷结合材；
步骤S50、在所述引线框架上冲压定位齿；
步骤S60、将所述铜桥框架安装在所述引线框架上，并使所述定位齿插入到对应的所述定位孔内；
步骤S70、采用回流焊方式将所述铜桥框架焊接在所述引线框架上。
5.根据权利要求4所述的半导体生产方法，其特征在于，所述步骤S40具体包括以下步骤：
步骤S41、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S42、将所述印刷钢网设置在所述引线框架安装有所述芯片的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧设置过量结合材；
步骤S43、控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架和所述芯片的表面。
6.根据权利要求5所述的半导体生产方法，其特征在于，所述印刷钢网上设置有第一对位标识孔，所述引线框架上与所述第一对位标识孔对应的设置有第二对位标识孔，所述印刷钢网与所述引线框架通过第一对位标识孔、第二对位标识孔以及插接在两个标识孔内的对位插销进行对位。
7.根据权利要求4所述的半导体生产方法，其特征在于，所述步骤S50具体包括以下步骤：
步骤S51、将印刷有结合材的所述引线框架放置在冲压折弯模具的模板上，并使结合材朝上设置；
步骤S52、启动所述冲压折弯模具的上模下移压住所述引线框架，并使所述上模上的避空位正对所述引线框架上的结合材和芯片；
步骤S53、启动所述冲压折弯模具的下模上移冲压所述引线框架，以在所述引线框架上折弯形成所述定位齿。
8.根据权利要求4所述的半导体生产方法，其特征在于，所述步骤S20具体包括以下步骤：
步骤S21、提供设置有结合材印刷漏孔的印刷钢网；
步骤S22、将所述印刷钢网设置在所述引线框架的一侧，并在所述印刷钢网远离所述引线框架的一侧设置过量结合材；
步骤S23、控制所述过量结合材的一部分通过所述结合材印刷漏孔，均匀分布于所述引线框架的表面；
步骤S24、在结合材相应位置放置待焊接的芯片。
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