CN107110887A - 具有z轴锚跟踪的mems加速度计 - Google Patents

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Abstract

在一些示例性实施方案中，MEMS加速度计包括器件晶片，具有检测质量和附接至基材的多个跟踪锚点。各跟踪锚被构造为：对应于所述基材中的不对称变形偏转，和将对应于所述偏转产生的机械力转移，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。

Description

具有Z轴锚跟踪的MEMS加速度计
相关引用
本申请要求2014年10月3日提交的名称为“具有Z轴锚跟踪的MEMS加速度计”的美国专利申请14/505,928的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开通常涉及具有对应于基材中变形的跟踪锚的MEMS加速度计，特别地，跟踪锚施加力至耦合检测质量的扭转弹簧，以抵消变形的影响。
背景技术
加速度计是一种将加速力转换成电子信号的传感器。加速度计用于各种各样的器件和各种应用。例如，加速度计通常包括在各种汽车系统中，例如用于气囊展开和翻转检测。
加速度计通常还包括在许多计算机器件中，例如用于基于运动的感测(例如，丢弃检测)和控制(例如，用于游戏的基于运动的控制)。
微机电系统(“MEMS”，也称为“MEMS器件”)是越来越多应用中使用的特定类型的集成电路。例如，MEMS目前被实现为用于检测飞机的俯仰角的陀螺仪，并且作为加速度计选择性地在汽车中部署气囊。简单来说，这种MEMS器件通常具有悬挂在基材上方的可移动结构、以及相关联的电路，其检测悬挂结构的运动并将感测到的移动数据传送到一个或多个外部器件(例如，外部计算机)。外部设备处理感测数据以计算被测量的属性(例如俯仰角或加速度)。
通常来说，MEMS(微机电系统)加速度计通常包括检测质量和一个或多个传感器，用于感测由外部加速度引起的检测质量的移动或位置变化。加速度可以被构造为感测一个、两个、三个甚至更多的加速轴。通常，检测质量被构造在预定的设备平面中，并且灵敏度轴通常称为该设备平面。例如，沿着平行于器件平面的轴感测的加速度通常被称为X或Y轴加速度，而沿垂直于器件平面的轴感测的加速度通常被称为Z轴加速度。单轴加速度计可能被构造为仅检测X轴或Y轴加速度或仅检测Z轴加速度。双轴加速度计可以被构造为检测X轴和Y轴加速度，或者可以被构造为检测X轴和Z轴加速度。三轴加速度计可能被构造为检测X、Y和Z轴加速度。
Z轴加速度计的一个类别使用以“跷跷板”或“上下板”构造配置的检测质量，其中检测质量从基材支撑，使得检测质量相对于基材料在Z轴加速度下旋转。检测质量下方(例如，在底层基材上)或检测质量上下方的感应电极(在许多类型的加速度计中与检测质量电容耦合)用于感测检测质量的旋转，从而感测Z轴加速度。其他电气部件，例如反馈电极，也可以包括在检测质量的下面和/或上方。美国专利No.7610809和美国专利申请公开No.2013/0333471提供了具有在检测质量以上和以下的电极的差分跷跷板型Z轴加速度计的实例。美国专利No.6841992和美国专利No.5719336提供了这种跷跷板型加速度计的其他例子。美国专利No.8146425描述了一种具有可移动Z轴传感元件的MEMS传感器。这些参考文献的全部内容通过引用并入本文。
发明内容
在本发明的示例性实施方案中，MEMS加速度计包括：器件晶片，具有跷跷板检测质量和附接至基材的多个跟踪锚点。各跟踪锚被构造为：对应于所述基材中的不对称变形偏转，和将对应于所述偏转产生的机械力转移，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
在一些实施方案中，至少一个跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.5至约0.603。在其他实施方案中，至少一个跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.4784至约0.5。在一些实施方案中，所述比为约0.5。
在各种实施方案中，MEMS加速度计还可包括T-形光束、框架和扭转弹簧。至少一个跟踪锚可将对应于所述偏转产生的机械力转移至所述T-形光束。所述T-形光束可将其接收的机械力转移至所述框架。所述框架可将其接收的机械力转移至所述扭转弹簧。另外，所述扭转弹簧可施加扭矩至所述检测质量，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
在一些实施方案中，MEMS加速度计可包括多个光束，各光束将独特跟踪锚直接连接至框架。另外，各跟踪锚可将对应于所述偏转产生的机械力转移至其各自光束。各光束可将其接收的机械力转移至所述框架。所述框架可将其接收的机械力转移至所述扭转弹簧，和所述扭转弹簧可施加扭矩至所述检测质量的锚，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
而且，所述检测质量可以是跷跷板检测质量或倾斜模式检测质量。
可以公开和要求保护附加的实施例。
附图说明
通过参考附图的以下进一步的描述，可以更全面地理解本发明的前述内容和优点，其中：
图1A示意性地示出了正常操作中的Z轴加速度计；
图1B示意性地示出了Z轴加速度计的基材中的不对称变形如何产生零g偏置偏移；
图2示意性地描绘了本发明适用于检测质量以减轻图1B所示的零g偏置偏移的校正；
图3描绘了一种具有Z轴跟踪锚的示例性加速度计，其减少了基材中不对称变形的影响；
图4描绘了图3加速度计的透视图，其对应于基材变形；
图5描绘了已经位于加速度计上的跟踪锚的示意图，以评估基材中的变形；
图6图示了跟踪锚的偏转和加速度计的检测质量；和
图7描绘了另一个示例性的加速度计，其降低了基材中不对称变形的影响。
应当注意，前述附图和其中描述的元件不一定被绘制成一致的尺度或任何尺度。除非另有说明，否则相同的元件用相同的数字表示。
具体实施方式
定义
如本说明书和所附权利要求中所使用的，除非上下文另有要求，否则以下术语应具有所示的含义：
术语“零g偏置偏移”表示加速度计在没有外部加速度时输出非零加速度信号，并且加速度计应该输出零加速度信号。在本专利申请的上下文中，零g偏置可以由支撑加速度计的基材的变形引起，包括不对称变形。
在各种情况下，当加速度计使用时，MEMS加速度计的基材可能变形。例如，基材的特定部分可经受内部热机械应力或从外力(例如颠簸或弯曲力)吸收影响。当基材以不均匀的方式变形(例如不对称)时，变形可改变检测质量和一个或多个位置感测电极之间的标称距离(因此也可以改变电容)，从而将误差引入加速度计的测量(在本文中称为“零-g偏置偏移”)。例如，即使当没有外部加速度时，加速度计也可以基于由不对称变形引起的标称距离/电容的这种变化输出非零加速度信号。
尽管可以使用其他类型的加速度计，但是本文中参考使用差分电容感测的“跷跷板”型加速度计来描述某些示例性实施例。在正常操作下，跷跷板型加速度计根据位于检测质量上方和/或下方的检测质量和差分检测电极之间的电容变化确定Z轴加速度。例如，在美国专利申请公开No.US2013/0333471中描述的跷跷板型加速度计，其通过引用整体并入本文，使用在跷跷板检测质量下的一组差分感测电极以及跷跷板检测质量上的一组差分感应电极。
名义上，当基材经历没有变形并且没有外部Z轴加速度时，检测质量和每个底层差分感测电极之间的距离相等，因此检测质量与这些潜在差分感测电极中的每一个之间的电容相等。类似地，检测质量和每个上面差分感测电极之间的距离相等，因此检测质量与这些上面差分感测电极中的每一个之间的电容相等。由于每组差分感测电极的电容相等，它们彼此抵消，因此加速度计输出零加速度信号(即，不存在零-g偏置)。
通常来说，如果基材经历对称变形，则检测质量和每个检测电极之间的电容将经历相同的变化量。以这种方式，由变形引起的任何零g偏移偏移将被抵消。然而，在不对称变形的情况下，电容器表现出不同的变化。特别地，在检测质量的一侧倾斜将在另一侧产生相同的倾斜量。因为检测质量相反侧的差分电容因此经历不同的变化量，所以在加速度计的测量中将存在零g偏压。然而，由检测质量控制的倾斜量可以确保检测质量的相对侧上的差分感测电容表现出相同量的变化以消除(例如，减少或取消)零g偏置偏移。
图1描绘了不对称变形示例性跷跷板型加速度计100的影响，其中基材105上的图1A是没有基材偏转的加速度计100的剖视图，并且图1B是具有基材偏转的加速度计100的剖视图。加速度计100包括由锚114、基材105支撑的检测质量110。锚114连接至至少一个扭转弹簧(由标记为111的圆表示)，其又连接到检测质量110。基材上的差分电极101和102形成具有检测质量110的平行板电容器C1和C2。差分电路(未示出)基于这些平行板电容器的值产生加速度输出信号(即，输出＝C1-C2)。
当基材105没有变形并且没有外部Z轴加速度存在时，如图1A所示，基材105(标记为103)和检测质量110的顶表面彼此平行。在该标称位置，感测电极101和102与检测质量110等距，因此检测质量110和感测电极101之间的电容C1将等于检测质量110和感测电极102之间的电容C2。因此，在这个不受干扰的状态：C1＝C2。
加速度计的输出为零：
输出＝Cl－C2＝0。
加速度计100被构造为使得当外加速度在Z轴方向作用在加速度计100上时，检测质量110将围绕扭转弹簧111“跷跷板”运动，使得检测质量110与检测电极101之间的距离将变得不同于检测质量110和感测电极102之间的距离，从而改变电容C1和C2。电容的这些变化由差分电路处理以输出加速度信号：
输出＝Cl－C2≠0。
当基材105如图1B所示不对称变形并由附图标记103表示时，干扰导致基材105和检测质量110之间的距离在加速度计100中的不同位置变化。这导致检测质量110和感测电极101之间的标称距离不同于检测质量110和感测电极102之间的标称距离。由于电容与板之间的距离有关，所以检测质量110之间的电容与感测电极101和102中的每一个的电容将不同。与上面参考图1A讨论的C1和C2的标称值相比较，检测质量110和感测电极101之间的电容将为(C1+dCl)，并且检测质量110和检测电极102之间的电容将为(C2+dC2)，其中dC1和dC2通常是相反的符号(即，一个是正的，另一个是负的)，并且可以是不同的幅度(即|dCl︱≠|dC2︱)。此外，电容的变化将具有不同的幅度，从而改变基材105与检测质量110之间的整体电容：
ΔC＝(C1+dC1)-(C2+dC2)
＝dC1-dC2
≠0
结果，加速度计获得零g偏置偏移。此外，如图1B所示，检测质量110在基材变形时倾斜。然而，加速度计100仍然表现出零g偏置偏移，因为不对称变形导致差分电容在基材上不均匀地改变。
本发明通过倾斜检测质量110来跟随基材变形以减轻不对称变形的影响。该解决方案控制倾斜量，使得检测质量相对侧的差分电容变化相同的量，即dCl＝dC2。结果，ΔC＝0。
图2比较加速度计，其中检测质量110跟随和不跟随变形。当加速度计缺乏本解决方案且基材105不对称地变形时，检测质量110可倾斜到位置115。结果，在一个区域中的差分电容C2比另一个区域中的差分电容Cl改变不同的量。由于C1+dC1≠C2+dC2，加速度计100经历零g偏置偏移。
当加速度计100具有本解决方案时，检测质量110倾斜到位置120。由于检测质量110与基材105更紧密地形成平行板电容器，所以两者之间的电容在其各自表面上将更均匀。换句话说，具有本解决方案的加速度计100减轻了不对称基材变形的影响，从而在器件中更均匀地经历电容的变化：
(C1+dC1)～(C2+dC2)
结果，零g偏置偏移减小。
图3描绘了加速度计100，其降低了基材中不对称变形的影响。在本实施例中，加速度计100包括四个跟踪锚305a、305b、305c、305d(统称为“305”)。跟踪锚305a和305b中的两个连接到T形光束310a，另外两个跟踪锚305c和305d连接到另一个T-形光束310b。T形光束310a、310b(统称为“310”)连接到框架315上。反过来，此框架315又连接到耦合到检测质量110及其锚111的扭转弹簧320a、320b(统称为“320”)。特别地，因为这些元件只是由与检测质量110相同的材料层形成并且在跟踪锚305处锚定到基材105的光束和柱，所以它们容易地并入加速度计设计和制造工艺流程。因此，本发明的实施例在芯片上需要很少(如果有的话)额外的空间。
在操作中，当基材105经历不对称变形时，由偏转跟踪锚305产生的机械力通过加速计100的部件传播，直到力使检测质量110倾斜以跟随变形的方向。特别地，当跟踪锚305对应于变形偏转时，跟踪锚305将机械力传递到它们所连接的T形光束310。反过来，T-形光束310将其接收的力传播到框架315。框架315将力施加到扭矩弹簧320，扭矩弹簧320将扭矩施加到检测质量110。结果，检测质量110倾斜以跟随基材105的变形。
图4描绘了图3加速度计的剖视图，其对应于基材变形。该图包括表示为410的基材变形，其中颜色和/或灰度对应于在特定位置处的偏转的大小。在该实施例中，靠近跟踪锚305c和305d的基材的部分经历比靠近跟踪锚305a和305b的部分更大的变形。结果，如图4所示，T-形光束310b偏转多于T-形光束310a。然而，它们各自偏转产生的T-形光束310转移机械力来旋转框架315。作为响应，旋转的框架315将机械力传递到耦合到检测质量110的锚的扭转弹簧320，弹簧320将锚施加扭矩以相应地倾斜检测质量110。
跟踪锚305在基材105上的位置是解决方案的重要特征。特别地，锚305应定位成使得在偏转时，跟踪锚305在T形光束310上施加机械力，其代表横跨整个基材的变形。图5示出了以这种方式定位在基材上的跟踪锚的示意图。在该代表性实施例中，每个跟踪锚305已经从加速度计的中心轴线放置了相同的距离x0，而且跟踪锚305对称地位于该中心轴线上。
位置x0可以基于检测质量110和基材105之间的预期或期望的电容来确定。以下示例公式说明了对该电容建模时沿着z轴的基材变形：
其中Rsub是基材的曲率半径。
在该公式中，术语“x0”使公式能够解释z轴上的基材变形。当该积分等于预期或期望的电容(例如，方程右侧的表达式)并求解x0时，x0的值变为：
值得注意的是，为了减轻零g偏移偏移，检测质量110不偏离与跟踪锚305相同的程度或大小。尽管本发明方案倾斜检测质量110以跟随基材变形，但是该方案不会复制检测质量110中的基材变形的程度。实际上，检测质量110必须仅倾斜跟踪锚305的位移百分比以适当地减小偏移。
在一些实施方案中，为了确保差分电容在基材上均匀变化，检测质量110必须仅显示跟踪锚305的位移的50％。如下所示，如果检测质量110表现出这样的行为，则
C1＝C0+dC1-0.5*dC1
C2二C0+0.5*dC1
结果，偏移为C1-C2＝dC1-0.5*dC1-0.5*dC1＝0。
相反，如果检测质量110复制跟踪锚305的整体位移，则该装置不能正确地解决偏移偏移。当基材不对称地变形时，检测质量110周围的差分电容以下列方式变化：
C1＝C0+dC1
C2＝C0
因此，偏移为Cl－C2＝dCl.
如果检测质量110以复制在跟踪锚定305位置处的基材变形的方式倾斜，则该偏转将校正检测质量110的一侧上的差分电容C1的100％的变化。由于检测质量110倾斜，另一侧的差分电容C2也将变化相同量的dCl，但具有相反的极性：
C1＝C0+dC1-dC1
C2＝C0+dC1
因此，偏移为Cl－C2＝－dCl。在这种情况下，加速度计100仍将经历零g偏置偏移。
在一些实施方案中，检测质量110的运动与跟踪锚305的运动的比可以通过求解以下等式来获得：
在本发明的一个示例性实施方式中，该比为约0.603。在另一示例性实施方式中，图6中已经以图形方式描绘了结果，该比为约0.4784。在该图中，检测质量110耦合到锚605，同时将跟踪锚305a、305b附接到基材。在该特定实施例中，不对称基材变形使得跟踪锚305b偏移0.1019μm。代替偏转0.1019μm，检测质量110偏移0.048751μm。因此，检测质量110运动与基材运动的比例为0.048751μm/0.1019μm，约为0.4784。
图7示出了另一个示例性加速度计700，其减少了基材中不对称变形的影响。在该实施方案中，跟踪锚305各自直接连接到具有各自光束725的框架。以这种方式，每个跟踪锚305将由其偏转产生的机械力传递到框架，该框架将力传播到检测质量110。因此，检测质量110沿光束725方向直接倾斜，以抵消检测质量110和感测电极之间的差分电容的变化。与本文所述的加速度计一样，该实施例提供了对裸片踪迹的适度贡献的解决方案。
在各种实施方案中，片上或片外电路因此可以基于这些改变的电容信号来确定由加速度计感测的加速度的精确量。例如，片外电路可以包括实现为与加速度计在同一封装内的专用集成电路(ASIC)的另一个裸片，或者在另一个封装中。一些实施例可以以ASIC裸片在加速计裸片上形成盖子的方式组合加速计芯片和ASIC芯片。或者或另外，片外电路还可以包括分立元件和/或多个电路芯片。
如所述，加速度计通常具有保护其脆弱微结构的一些装置。因此，如所述，加速度计可以位于传统的半导体封装(例如陶瓷腔封装内)，预成型引线框架封装，载体封装或一些其它封装级装置。封装优选在各种实施方案中密封，并且包含缓冲和/或氧化缓解气体以进一步保护微结构。
其他实施例简单地使用电路管芯(例如，上述ASIC)或非活性帽来封装管芯。因此，任何一种类型的包装方法(即，包装级包装或芯片级封装等)也包括互连引线或焊盘，使得加速度计可以与封装外部的器件通信。例如，封装可以安装到可以在更大系统内的印刷电路板(例如表面安装、通孔连接或其他类型的连接)，例如汽车安全气囊控制系统或移动电话。
虽然关于跷跷板加速度计描述了各种实施例，但是本发明的实施例不限于这些类型。这些实施例可以包括倾斜模式加速度计或任何其他类型的加速度计，这是本领域普通技术人员所理解的。
本发明可以在不脱离本发明的真实范围的情况下以其他具体形式实施，并且基于本文的教导，许多变化和修改对于本领域技术人员将是显而易见的。除非上下文另有要求，否则对“发明”的任何引用旨在表示本发明的示例性实施例，并且不应被解释为指本发明的所有实施例。所描述的实施方案仅在所有方面被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (20)

1.MEMS加速度计，包括：
器件晶片，具有检测质量和附接至基材的多个跟踪锚点，其中各跟踪锚被构造为：(1)对应于所述基材中的不对称变形偏转，和(2)将对应于所述偏转产生的机械力转移，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
2.权利要求1所述的MEMS加速度计，其中至少一个跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.5。
3.权利要求1所述的MEMS加速度计，其中至少一个跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.5至约0.603。
4.权利要求1所述的MEMS加速度计，其中至少一个跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.4784至约0.5。
5.权利要求1所述的MEMS加速度计，还包括T-形光束、框架和扭转弹簧，其中
(1)至少一个跟踪锚将对应于所述偏转产生的机械力转移至所述T-形光束；
(2)所述T-形光束将其接收的机械力转移至所述框架；
(3)所述框架将其接收的机械力转移至所述扭转弹簧；和
(4)所述扭转弹簧施加扭矩至所述检测质量，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
6.权利要求1所述的MEMS加速度计，还包括多个光束，各光束将独特跟踪锚直接连接至框架，其中
(1)各跟踪锚将对应于所述偏转产生的机械力转移至其各自光束，
(2)各光束将其接收的机械力转移至所述框架；
(3)所述框架将其接收的机械力转移至所述扭转弹簧；和
(4)所述扭转弹簧施加扭矩至所述检测质量的锚，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
7.权利要求1所述的MEMS加速度计，其中所述检测质量是跷跷板检测质量或倾斜模式检测质量。
8.权利要求1所述的MEMS加速度计，其中至少下列之一：
(1)各跟踪锚定位距离所述加速度计的中间轴恒定距离；
(2)多个跟踪锚定位对称穿过所述加速度计的中间轴；或
(3)从任何给定跟踪锚至所述加速度计的中间轴的距离由下式定义：
<mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>12</mn> </mfrac> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>3</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>W</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <mn>12</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> </msup> </mrow>
其中W是所述检测质量的宽度并且L是所述检测质量的长度。
9.权利要求1所述的MEMS加速度计，还包括锚，其(1)支撑所述检测质量和(2)附接至所述基材。
10.权利要求9所述的MEMS加速度计，还包括至少一个扭转弹簧，通过其所述锚支撑所述检测质量。
11.权利要求1所述的MEMS加速度计，还包括电路，其输出表示所述检测质量相对所述基材的位置的信号，其中所述检测质量沿着所述基材中变形的方向的倾斜减少所述变形引起的零g偏置偏移。
12.权利要求6所述的MEMS加速度计，其中多个光束对称穿过所述加速度计的中间轴。
13.MEMS加速度计，包括：
基材；
通过附接至所述基材的检测质量；
使检测质量耦合框架的扭转弹簧；
连接所述框架的T-状光束，其中所述T-状光束的第一末端连接附接至所述基材的第一跟踪锚，并且所述T-状光束的第二末端连接附接至所述基材的第二跟踪锚；
其中所述第一和第二跟踪锚对应于所述基材中的不对称变形偏转，和将穿过T-状光束、框架和扭转弹簧的机械力转移，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
14.权利要求13所述的MEMS加速度计，其中至少一个第一和第二跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.4784至约0.603。
15.权利要求13所述的MEMS加速度计，其中至少下列之一：
(1)所述检测质量是跷跷板检测质量或倾斜模式检测质量；
(2)各跟踪锚定位距离所述加速度计的中间轴恒定距离；
(3)多个跟踪锚定位对称穿过所述加速度计的中间轴；或
(4)从任何给定跟踪锚至所述加速度计的中间轴的距离由下式定义：
<mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>12</mn> </mfrac> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>3</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>W</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <mn>12</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> </msup> </mrow>
其中W是所述检测质量的宽度并且L是所述检测质量的长度。
16.权利要求13所述的MEMS加速度计，还包括电路，其输出表示所述检测质量相对所述基材的位置的信号，其中所述检测质量沿着所述基材中变形的方向的倾斜减少所述变形引起的零g偏置偏移。
17.MEMS加速度计，包括：
用于支撑检测质量的构件；和
附接至基材的构件并且所述构件用于支撑所述检测质量，用于(1)对应于所述基材中的不对称变形偏转，和(2)将对应于所述偏转产生的机械力转移，以使所述检测质量沿着变形方向倾斜。
18.权利要求17所述的MEMS加速度计，其中其中至少一个第一和第二跟踪锚的检测质量的倾斜和偏转的比为约0.4784至约0.603。
19.权利要求17所述的MEMS加速度计，其中至少下列之一：
(1)所述检测质量是跷跷板检测质量或倾斜模式检测质量；
(2)各跟踪锚定位距离所述加速度计的中间轴恒定距离；
(3)多个跟踪锚定位对称穿过所述加速度计的中间轴；或
(4)从任何给定跟踪锚至所述加速度计的中间轴的距离由下式定义：
<mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>12</mn> </mfrac> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mn>3</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>W</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>+</mo> <mn>12</mn> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msup> <mi>L</mi> <mn>2</mn> </msup> <mo>)</mo> </mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> </msup> </mrow>
其中W是所述检测质量的宽度并且L是所述检测质量的长度。
20.权利要求17所述的MEMS加速度计，还包括电路，其输出表示所述检测质量相对所述基材的位置的信号，其中所述检测质量沿着所述基材中变形的方向的倾斜减少所述变形引起的零g偏置偏移。
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