CN107109635A - 溅射靶、靶制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。

Description

溅射靶、靶制备方法

技术领域

本发明涉及溅射靶和用于制备该溅射靶的靶制备方法。

背景技术

目前，LSI等半导体元件被搭载在层合有多层的在树脂的基体上形成有布线膜的单层基板的搭载装置上，因此要求在树脂的表面形成粘附性高的金属膜的技术。特别是虽然铜薄膜具有低电阻的优点，但是由于与树脂的粘附性低，所以在树脂与铜薄膜之间形成由其它的金属构成的粘附层。

图13的符号100为如上所述的现有技术的搭载装置，层合多个单层基板111₁、111₂。

该搭载装置100的各单层基板111₁、111₂具有由树脂构成的基体103，在基体103的表面设置布线膜110。另外，在基体103上设置连接孔102，在连接孔102的内部设置将层合的单层基板111₁、111₂的布线膜110彼此连接的金属插销119。

图11(a)为在单层基板111₁上粘贴成为最上层的单层基板111₂的基体103的状态。在基体103上设置连接孔102，在连接孔102的底面露出下层的单层基板111₁的布线膜110的表面。

首先，如图11(b)所示，溅射含有Ti等粘附用的金属的溅射靶，形成与基体103的表面、连接孔102的内周侧面和在底面露出的布线膜110接触的Ti薄膜等的粘附层118，接着溅射铜的溅射靶，在粘附层118的表面形成由铜薄膜构成的种子层115。

将按图案形成的抗蚀膜配置在种子层115的表面上，露出连接孔102的内部的种子层115和基体103的表面上的规定位置的种子层115，在镀敷液中进行浸渍，使露出的种子层115与镀敷液接触，在种子层115与镀敷液之间施加电压，通过电解镀敷法在露出的种子层115的表面析出铜，在连接孔102的内部和基体103的表面上，如图11(c)所示，形成铜薄膜106、107。在这种状态下，铜薄膜106、107与种子层115接触，用由铜构成的铜薄膜106填充连接孔102的内部，形成比种子层115厚的铜薄膜106、107。该图(c)的符号128为抗蚀膜。

在这种状态下，粘附层118和种子层115有坐落于铜薄膜106、107的下方的部分和坐落于抗蚀膜128的下方的部分，剥离抗蚀膜128，在露出坐落于抗蚀膜128的下方的种子层115后，首先在铜的蚀刻液中进行浸渍，如该图(d)所示，在铜薄膜106、107的下方，一面残留按图案形成的种子层105，一面蚀刻除去露出的种子层115，在除去的部分露出粘附层118。

接着，若在蚀刻Ti的蚀刻液中进行浸渍，则如图13所示，一面残留坐落于铜薄膜106、107和种子层105的下方的粘附层108，一面蚀刻除去露出的粘附层118，在除去的部分露出基体103。

用连接孔102内的粘附层108、种子层105和铜薄膜106构成填充连接孔102的金属插销119，另外用基体103的表面上的粘附层108、种子层105和铜薄膜107构成布线膜110。

铜薄膜106、107与在基体103表面露出的树脂之间的粘附性低，铜薄膜106、107容易从树脂剥离，但在作为Ti薄膜的粘附层108与树脂之间粘附性高，另外与作为铜薄膜的种子层105之间的粘附性也高，因此种子层105和铜薄膜106、107不会从基体103剥离。

这种情况下，为了形成铜薄膜106、107，需要形成粘附层108和种子层105这两层，因此布线膜110变为三层结构，制备工序增加。

另外，由于粘附层108含有大量的铜以外的Ti等元素，所以粘附层118和作为铜薄膜的种子层115无法用相同的蚀刻液蚀刻，蚀刻工序复杂。

因此，如下述专利文献2所述，制备在铜中含有镍和铝的Cu-Ni-Al靶，溅射Cu-Ni-Al靶，在露出树脂的基体的表面形成铜合金薄膜，若在铜合金薄膜的表面形成由纯铜构成的导电性薄膜作为布线膜，则铜合金薄膜与树脂的粘附性和铜合金薄膜与导电性薄膜之间的粘附性也良好，得到不会从基体剥离的布线膜。

但是，Cu-Ni-Al靶在溅射时的电弧放电的发生次数多，因此有形成的铜合金薄膜会成为缺陷的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-332697号公报

专利文献2：WO2014185301。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明为了解决上述现有技术的不便而开发，其目的在于，提供不发生电弧放电，而可在树脂露出的基体上形成不剥离的布线膜的溅射靶，和制备该溅射靶的靶制备方法。

解决课题的手段

本发明的发明人等切断Cu-Ni-Al靶并观察内部，结果发现在剖面产生大量的孔隙(也称为“缺陷”)。已知溅射靶中的如上所述的孔隙是电弧放电的原因，因此明确若减少孔隙，则电弧放电减少。

本发明为了解决如上所述的课题而开发，发现在将以规定比例含有铜、镍和铝的熔化物冷却固化时，只要在熔化物中含有Zn和Mn中的任一种或两种即可，从而开发本申请发明。

即，本申请发明为溅射靶，其含有：基材，所述基材含有Cu、Ni和Al，在将Cu、Ni和Al计为100原子%时，含有多于50原子%的Cu，以5原子%以上且40原子%以下的含有率含有Ni，且以3原子%以上且10原子%以下的含有率含有Al，和在所述基材中添加的添加物；其中，所述添加物由Zn和Mn中的任一种或两种构成，相对于100原子%的所述基材，以0.01原子%以上的含有率含有所述添加物。

本发明为将所述添加物中含有的Zn的含有率和Mn的含有率分别设为1.0原子%以下的溅射靶。

另外，本发明为靶制备方法，其是制备如上所述的溅射靶的靶制备方法，其中，将固体的上述基材和固体的上述添加物配置在相同的容器中，加热形成含有上述基材和上述添加物的熔化物，将上述熔化物冷却固化而形成上述溅射靶。

发明的效果

通过溅射靶中的孔隙少、电弧放电少的溅射形成的布线膜可通过一次的蚀刻工序来按图案形成。

另外，由于布线膜的电阻值不会变大，所以可得到电压损失小、不从树脂剥离的布线膜。

附图说明

[图1]是用于说明本发明的搭载装置的图;

[图2]是用于说明用于形成搭载装置的溅射装置的图；

[图3]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(1)；

[图4]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(2)；

[图5]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(3)；

[图6]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(4)；

[图7]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(5)；

[图8]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(6)；

[图9]是用于说明本发明的搭载装置的制备工序的图(7)；

[图10]是电弧放电的图；

[图11](a)~(d)是用于说明现有技术的搭载装置的制备工序的图；

[图12]是用于说明基体的图；

[图13]是表示现有技术的搭载装置的图。

实施发明的方式

图1的符号10表示通过本发明的靶的溅射得到的搭载装置，符号20表示电连接搭载装置10的主机板。

该搭载装置10具有支持基板14和在支持基板14的两面分别配置的第一、第二的多层基板11、12，第一、第二的多层基板11、12分别具有多个单层基板11₁~11₃、12₁~12₃。

在各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃中，若将与支持基板14近的基板称为下层，将远的基板称为上层，则其它的单层基板11₁、11₂、12₁、12₂或支持基板14坐落于各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的下一层的位置。

在图9中示出第一多层基板11的最上层的单层基板11₃和该单层基板11₃的下一层的单层基板11₂的一部分。

各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的结构相同，这些单层基板11₁~11₃、12₁~12₃分别具有板状的基体3、在基体3上形成的多个连接孔2、在基体3的一侧的表面(连接孔2的内周面和底面除外)配置的多个布线膜9和填充各连接孔2的金属插销8。

支持基板14具有由作为有机化合物的树脂构成的树脂基板14a、在树脂基板14a上形成的多个支持基板贯通孔14b、填充各支持基板贯通孔14b的内部的连接体14c和在树脂基板14a的两面配置的多个布线膜14d。连接体14c具有导电性，至少与一根布线膜14d电连接。

将各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的金属插销8在设置有布线膜9的表面与具有该金属插销8所坐落的连接孔2的基体3的布线膜9电连接。在图9中在未图示的位置连接。

另外，各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的连接孔2坐落于下层的单层基板11₁、11₂、12₁、12₂的布线膜9或支持基板14的布线膜14d上，将各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的金属插销8与下层的单层基板11₁、11₂、12₁、12₂的布线膜9或支持基板14的布线膜14d电连接。

因此，分别将第一、第二的多层基板11、12的最上层的单层基板11₃、12₃的布线膜9与支持基板14的一个面和另一个面的布线膜14d连接，将支持基板14的两面的布线膜14d之间通过连接体14c连接，因此也将最上层的单层基板11₃、12₃的布线膜9电连接。

主机板20具有主机板本体20a和在主机板本体20a上配置的布线膜20b。

在第一多层基板11的最上层的单层基板11₃的布线膜9上固定半导体装置13的端子13b，第二多层基板12的最上层的单层基板12₃的布线膜9通过金属体24与主机板20的布线膜20b电连接。

将半导体装置13的端子13b与在半导体装置本体13a的内部配置的半导体元件的集成电路电连接，因此将集成电路通过搭载装置10和金属体24与主机板20的布线膜20b电连接。

若对如上所述的各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的金属插销8和布线膜9进行说明，则首先各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃的基体3用由树脂构成的基板构成，或者由在将玻璃纤维编织的布状基板中含浸树脂得到的复合材料构成。

图12的基体3在树脂25中含有玻璃纤维26，该基体3的表面由树脂25的表面和玻璃纤维26的表面构成，露出树脂25和玻璃纤维26。

各金属插销8分别具有与连接孔2的内周表面接触配置的合金薄膜4和与该合金薄膜4的表面接触配置的导电膜6。另外，各布线膜9分别具有与基体3的表面接触配置的合金薄膜5和与该合金薄膜5的表面接触配置的导电膜7。

合金薄膜4、5以基体3的表面或连接孔2的内周表面与构成基体3的树脂25接触，在基体3含有玻璃纤维26的情况下，与构成基体3的树脂25和玻璃纤维26接触。

对上述搭载装置10的制备工序进行说明。在这里，假设已经在支持基板14的一面形成第二多层基板12，在相反的面形成并配置成为最上层的单层基板11₃以外的单层基板11₁、11₂。

图3表示该状态的加工基板31，在表面露出该加工基板31中的最上层的单层基板11₂。

首先，如图4所示，在该单层基板11₂的表面上粘贴基体3。

粘贴的基体3可在粘贴前形成连接孔2，或在粘贴基体3后形成连接孔2。

在该状态的加工基板32中，在成为最上层的基体3的连接孔2的底面露出下一层的单层基板11₂的布线膜9，接着在基体3的表面和连接孔2的内周侧面和底面形成合金薄膜4、5。

在图2中示出形成合金薄膜4、5的溅射装置50。

该溅射装置50具有搬出搬入室51a、前处理室51b和成膜室51c。

分别将真空排气装置58a~58c与各室51a~51c连接，关闭各室51a~51c之间的闸阀59a、59b，运行真空排气装置58b、58c，将前处理室51b的内部和成膜室51c的内部真空排气，分别预先在前处理室51b的内部和成膜室51c的内部形成真空气氛。

在搬出搬入室51a的内部配置搬送装置54，将露出基体3的加工基板32搬入至搬出搬入室51a的内部，安装在搬送装置54上。

关闭搬出搬入室51a的门，将内部气氛与空气阻隔并运行真空排气装置58a，将搬出搬入室51a的内部真空排气。

在搬出搬入室51a的内部配置加热装置56，一面进行真空排气，一面通过加热装置56加热在搬送装置54中配置的加工基板32。

在将加工基板32升温至规定温度后，打开闸阀59a，将加工基板32与搬送装置54一同从搬出搬入室51a的内部移动至前处理室51b的内部。

在前处理室51b的内部配置离子枪57，在关闭搬出搬入室51a与前处理室51b之间的闸阀59a后，若从气体导入系统对离子枪57供给惰性气体(在这里为Ar)，则在离子枪57的内部生成惰性气体离子。将生成的惰性气体的离子释放至前处理室51b的内部。

将加工基板32的基体3在前处理室51b的真空气氛中露出，若搬入至前处理室51b内，则朝向离子枪57，释放惰性气体离子。将惰性气体离子照射至基体3的表面、连接孔2的内周侧面、在连接孔2的底面露出的下层的单层基板11₂的导电膜7的表面，将照射的部分清洁，成为活化的状态。

若照射规定时间的离子，则结束前处理，打开与成膜室51c之间的闸阀59b，将进行过前处理的加工基板32与搬送装置54一同从前处理室51b的内部移动至成膜室51c的内部，关闭闸阀59b。

在成膜室51c的内部配置溅射靶55。

该溅射靶55是将含有下述基材和在该基材中添加的添加物的板状靶合金安装在阴极电极上而构成，所述基材含有铜、镍和铝。

关于其成分，在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，使得基材含有比50原子%多的铜，含有5原子%以上且40原子%以下的镍，且含有3原子%以上且10原子%以下的铝，另外含有由锌和锰中的任一种或两种构成的添加物。

相对于100原子%的基材，将添加物的含有率设为0.01原子%以上，另外将添加物中的锌的含有率设为1.0原子%以下，将添加物中的锰的含有率也设为1.0原子%以下。

若对溅射靶55的制备工序进行说明，则首先将分别作为固体的铜原料、镍原料、铝原料和添加物的原料配置在相同的熔化容器中。

铜原料、镍原料和铝原料如上所述，在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，使得含有比50原子%多的铜，以5原子%以上且40原子%以下的含有率含有镍，且以3原子%以上且10原子%以下的含有率含有铝，相对于100原子%的基材，添加物为0.01原子%以上，并且将添加物中的锌的含有率设为1.0原子%以下，将添加物中的锰的含有率也设为1.0原子%以下。

加热熔化容器，形成含有铜、镍、铝、添加物的熔化物。

在熔化物中，将铜、镍、铝、锌、锰均匀地分散，冷却熔化物，将固化物成型为板状，形成溅射靶。

若冷却熔化物，则得到靶合金。若将板状靶合金固定在阴极电极上，则得到溅射靶55。

熔化物和溅射靶55的组成与在熔化容器中配置的铜原料、镍原料、铝原料和组合物的原料所含有的铜、镍、铝和添加物的比例相同。

在成膜室51c的内部设置气体释放装置53，一面通过真空排气装置58c将成膜室51c的内部真空排气，一面从气体供给装置52向气体释放装置53供给由Ar等惰性气体构成的溅射气体，从气体释放装置53向成膜室51c的内部释放溅射气体，对溅射靶55施加电压，生成溅射气体的等离子体。

将进行过前处理的基体3的表面与溅射靶55相对，若通过生成的等离子体溅射溅射靶55的表面，则溅射粒子附着在基体3的进行过前处理的表面，铜、镍、铝、锌和锰的含有率与溅射靶55相同的合金薄膜在该表面生长。

若比较将铜原料、镍原料、铝原料和添加物原料一同熔化得到的熔化物固化的情况，和在不同的熔化容器中将铜原料、镍原料和铝原料分别熔化，放入相同的熔化容器中并添加添加物的原料后，将熔化物固化的情况，则发现在将各原料一同熔化的情况下孔隙变少。

因此，在将各原料一同熔化后进行固化的溅射靶55的内部孔隙变少，减少电弧放电的发生频率，因此通过溅射靶55的溅射，可得到缺陷少的合金薄膜。

图5的符号33为将该合金薄膜15形成为规定膜厚的加工基板，合金薄膜15的组成与溅射靶的组成相同。

合金薄膜15与基体3的表面(连接孔2的内部除外)、连接孔2的内周面和连接孔2的底面的导电膜7接触，在连接孔2的底面，与下一层的单层基板11₂的布线膜9接触，进行电连接。下一层的单层基板11₂的布线膜9由合金薄膜5和导电膜7构成。

需说明的是，由于在通过离子枪57照射离子的表面形成最上层的合金薄膜15，所以与未照射的情况相比，粘附强度升高。

在将合金薄膜15形成为规定膜厚后，停止对溅射靶55施加电压和导入溅射气体，结束溅射。

接着，打开闸阀59a、59b，形成有合金薄膜15的加工基板33通过前处理室51b，移动至内部设为真空气氛的搬出搬入室51a中。

在关闭闸阀59a、59b后，向搬出搬入室51a中导入气体，在搬出搬入室51a的内部变为大气压后，将形成有合金薄膜15的加工基板33从搬出搬入室51a取出。

接着，如图6所示，在合金薄膜15的表面配置按图案形成的抗蚀膜28。

在该抗蚀膜28上，在最上层的基体3的各连接孔2的上方和该基体3的表面上的合金薄膜15的规定位置的上方形成开口29，在开口29的底面下露出在各连接孔2的底面和内周侧面配置的合金薄膜15或坐落于基体3的表面上的合金薄膜15。

在该状态的加工基板33的开口29底面下露出的合金薄膜15的表面，与合金薄膜15接触而形成由铜的含有率(原子%)比合金薄膜15高、电阻率小的材料构成的导电膜。

关于导电膜的具体的形成方法，例如将在抗蚀膜28的开口29底面和基体3的表面的规定位置上露出合金薄膜15的状态的加工基板33浸渍在含有铜离子的镀敷液中，使露出的合金薄膜15与镀敷液接触，将在镀敷液中浸渍的铜电极和合金薄膜15与电源连接，运行电源，通过铜电极，在合金薄膜15与镀敷液之间施加电压，使镀敷液中的正的金属离子附着在合金薄膜15的与镀敷液接触的部分上，使含有的铜比合金薄膜15多的导电膜生长，如图7所示，制备在连接孔2上的开口29的底面下和基体3的表面上的开口29的底面下形成有导电膜6、7的加工基板34。

通常，与溅射法相比，电解镀敷法的生长速度变大，与用溅射法形成的合金薄膜15的膜厚相比，用电解镀敷法形成的导电膜6、7的膜厚加厚，在该加工基板34中，在连接孔2内的合金薄膜15的表面上形成的导电膜6填充连接孔2的内部，其上部与基体3的表面上的合金薄膜15的表面相比坐落于上方。

接着，如图8所示，若剥离抗蚀膜28，则在露出导电膜6、7的部分之间露出合金薄膜15。

将连接孔2的内部的导电膜6与基体3的表面上的导电膜7连接，虽然在基体3的表面上的导电膜7中含有相互分离的导电膜，但在剥离抗蚀膜28的状态下，内部的导电膜6和表面的导电膜7为通过合金薄膜15相互电连接的状态。

接着，若将该状态的加工基板34浸渍在蚀刻铜的蚀刻液中，则蚀刻除去露出的合金薄膜15，如图9所示，在除去合金薄膜15的部分露出坐落于合金薄膜15之下的基体3的表面，形成按图案形成有导电膜6、7的最上层的单层基板11₃。

在各单层基板11₁~11₃、12₁~12₃中，连接孔2的内部用连接孔2的内部的导电膜6和坐落于该导电膜6之下的合金薄膜4构成填充连接孔2的金属插销8，在基体3上用导电膜7和坐落于该导电膜7之下的合金薄膜5构成布线膜9。

相对于在基体3的表面露出的树脂25，纯铜的薄膜的粘附性差。

在本申请发明中，与树脂25接触的合金薄膜4、5如下述实验所示，在含有比50原子%多的铜的薄膜材料中含有铜以外的元素并测定粘附力，结果与纯铜或氧化铜的薄膜相比，含有5原子%以上且30原子%以下的镍、且含有3原子%以上且10原子%以下含有的铝的薄膜材料相对于树脂25的粘附性升高，作为添加物，在将铜、镍和铝的总原子数设为100%时，含有 0.01原子%以上且1.0原子%以下的锌和0.01原子%以上且1.0原子%以下的范围的锰中的任一种或两种。

关于添加物，由于不会使与树脂25的粘附性恶化，且基材的铜含有率比50原子%大，所以与纯铜的薄膜的粘附性也高，不会将金属插销8或布线膜9从基体3剥离，另外由于导电膜6、7的铜的含有率比合金薄膜4、5高，所以使得导电膜6、7也不会从合金薄膜4、5剥离。

实施例

在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，制备镍和铝的含有率不同的多种组成的试验用溅射靶，所述试验用溅射靶含有1原子%以上且50原子%以下的镍，含有1原子%以上且10原子%以下的铝，含有0.01%的由锌或锰中的任一种或两种构成的添加物，且将余量设为铜原子。

使用各溅射靶通过溅射形成与玻璃基板的表面接触的50nm的合金膜，形成1mm×1mm×100块的刮削图案，通过交错切割试验进行粘附性的评价。

将测定结果示出于表1中。

[表1]

表1 不同Al、Ni含量的粘附评价结果

。

在表1中，将通过交错切割试验产生膜的剥离的块为10个以上的情况记为“×”，将1~10个的情况记为“△”，将未观察到剥离的情况记为“○”。

由该结果可知，为了形成与玻璃基板之间的粘附力高的合金膜，镍的含量优选5原子%以上，铝的含量优选3原子%以上。

需要说明的是，在镍的含量比40原子%大的情况下，由于溅射靶的硬度超过145Hv，所以在加工上不优选，若含有比10原子%多的铝，则变得难以通过熔化法制备溅射靶，因而不优选。

接着，在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，将含有比50原子%多的铜、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有镍、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有铝的基材与由锌或锰中的任一种或两种构成的添加物的熔化物固化，制备锌和锰的含有率不同的多种组成的试验用溅射靶。

切断各溅射靶并观察剖面，测定孔隙数。测定的靶为100mmφ×10mm厚，切断后的剖面积为100mm×10mm，观察使用染色浸透探伤试验机，计数尺寸为0.5mmφ以上的孔隙。

将孔隙数的测定结果示出于表2中。

[表2]

表2 孔隙数

。

表2的数值为将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时的添加物的含有率(原子%)，对于观察到比3个/cm²多的孔隙数的溅射靶记为“×”，对于观察到1~3个/cm²的溅射靶记为“〇”，对于未观察到孔隙的溅射靶记为“◎”。

另外，图10的图的横轴为将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时的添加物含有率(原子%)，纵轴为将测定的孔隙数正态化得到的值，表示添加物含量与孔隙数之间的关系。

由表2和图10的图可预测，在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，若分别含有1.0%的锌和锰，则可减小孔隙数。

接着，制备以下溅射靶：以5原子%以上且40原子%以下的范围含有镍，以3原子%以上且8原子%以下的范围含有铝，以0原子%以上且1.2原子%以下的范围含有添加物，将余量设为铜原子，且添加物含有率不同。

这些溅射靶的添加物为锰或锌中的任一种，分别为在0原子%以上且1.2原子%以下的范围内不同的含有率。

使用各溅射靶通过溅射在玻璃基板上形成膜厚为50nm的溅射膜，在该溅射膜上使Cu镀敷膜生长为30μm的膜厚。形成其1mm×1mm×100块的刮削图案，通过交错切割试验进行粘附性的评价。

将测定结果示出于下述表3的不同Zn添加量的粘附评价结果和表4的不同Mn添加量的粘附评价结果中。

根据表2，若分别含有0.01原子%以上的锌和锰中的任一种或两种，则得到减少孔隙的效果，若分别含有0.25原子%以上的任一种或两种，则孔隙消失，因而优选。

[表3]

表3 不同Zn添加量的粘附评价结果

[表4]

表4 不同Mn添加量的粘附评价结果

。

在表3、表4中，由于交错切割试验，在镀敷膜从溅射膜剥离的情况下记为“×”，在未剥离的情况下记为“○”。

在表3和表4中的至少一个表中记为“×”的溅射靶无法使用。在表3和表4这两个表中记为“○”的溅射靶可使用。

根据表3和表4，相对于100原子%的基材，若以1.2原子%以上的含有率含有由锌和锰中的任一种或两种构成的添加物形成溅射靶，则相对于通过在溅射靶的溅射成膜的后续工序中进行的Cu镀敷法形成的导电膜6、7，无法得到良好的粘附性，若设为1.0原子%以下，则可形成具有良好的粘附性的合金薄膜4、5。

由表3、4可知，即使铝的含量增加，对粘附性也无影响，但若考虑利用熔化法的靶的制备性，则由以上结果可知，由锌和锰中的任一种或两种构成的添加物，在将铜、镍和铝的总原子数计为100原子%时，在含有比50原子%多的铜、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有镍、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有铝的基材中，相对于100原子%的基材，若分别以0.01原子%以上且1.0原子%以下的含有率含有锌和锰中的任一种或两种制成溅射靶，则得到加工性良好且孔隙少的溅射靶，相对于通过在溅射靶的溅射成膜的后续工序中进行的Cu镀敷法形成的导电膜6、7，可形成具有良好的粘附性的合金薄膜4、5，此外可形成与树脂的粘附性的良好的合金薄膜4、5。

符号说明

2……连接孔

3……基体

4、5……合金薄膜

6、7……导电膜

8……金属插销

9……布线膜

10……搭载装置

55……溅射靶。

Claims (3)

1. 溅射靶，其含有：

基材，所述基材含有Cu、Ni和Al，在将Cu、Ni和Al计为100原子%时，含有多于50原子%的Cu，以5原子%以上且40原子%以下的含有率含有Ni，且以3原子%以上且10原子%以下的含有率含有Al，和

在所述基材中添加的添加物；

其中，所述添加物由Zn和Mn中的任一种或两种构成，相对于100原子%的所述基材，以0.01原子%以上的含有率含有所述添加物。

2.权利要求1的溅射靶，其中，所述添加物中含有的Zn的含有率和Mn的含有率分别设为1.0原子%以下。

3.靶制备方法，其是制备权利要求1或2中任一项的溅射靶的靶制备方法，

其中，将固体的所述基材和固体的所述添加物配置在相同的容器中，

加热形成含有所述基材和所述添加物的熔化物，

将所述熔化物冷却固化而形成所述溅射靶。