CN107107300B - 磨粒的评价方法、及硅晶圆的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磨粒的评价方法及硅晶圆的制造方法。本发明的磨粒的评价方法是用于晶锭切割用浆料的磨粒的评价方法，所述磨粒的评价方法中，进行如下工序：评价溶液制作工序（S1），将包含研磨磨粒及杂质的磨粒溶于溶剂而制作评价溶液；沉淀工序（S3），静置装有评价溶液的容器使研磨磨粒沉淀；测量工序（S5），使用测量设备测量评价溶液的上清液的浊度；以及推断工序（S6），根据上清液的浊度的测量结果推断杂质的量。

Description

磨粒的评价方法、及硅晶圆的制造方法

技术领域

本发明涉及一种磨粒的评价方法、及硅晶圆的制造方法。

背景技术

以往，已知有从硅单晶锭制造硅晶圆的方法（例如，参考专利文献1）。

在专利文献1所记载的方法中，通过将包含平均粒径为13μm～15μm的研磨磨粒的浆料供给至金属线（Wire），同时向移动中的金属线按压硅锭而切割硅锭，制造硅晶圆。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-52816号公报。

发明内容

发明要解决的技术课题

如专利文献1所记载的方法中使用的研磨磨粒中，除了有助于切割的GC（绿色碳化硅）等研磨磨粒之外，还包含对切割不起作用的3μm以下的FC（游离碳）等杂质。若使用包含这种研磨磨粒的浆料切割晶锭，则杂质夹杂于研磨磨粒与晶锭之间，由此有可能导致线锯的切割能力下降，从而硅晶圆的品质下降。关于这种现象，由于在晶锭的切割结束为止无法确认，因此希望开发在晶锭切割之前能够适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆的方法。

本发明的目的在于提供一种在晶锭切割之前能够适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆的磨粒的评价方法、及硅晶圆的制造方法。

用于解决技术课题的手段

本发明的磨粒的评价方法是用于晶锭切割用浆料的磨粒的评价方法，所述磨粒的评价方法中，进行如下工序：评价溶液制作工序，将包含研磨磨粒及杂质的磨粒溶于溶剂而制作评价溶液；沉淀工序，静置装有所述评价溶液的容器而使所述研磨磨粒沉淀；测量工序，使用测量设备测量所述评价溶液的上清液的浊度；以及推断工序，根据所述上清液的浊度的测量结果推断所述杂质的量。

例如，用于晶锭切割用浆料的磨粒中，除了作为研磨磨粒的GC之外，还有包含作为杂质的FC等的情况。在该情况下，由于研磨磨粒的比重高于杂质的比重且研磨磨粒的尺寸与杂质的尺寸之间没有较大的差异，因此评价溶液中的研磨磨粒的沉淀速度变得比杂质的沉淀速度更快。

根据本发明，通过进行沉淀工序，沉淀研磨磨粒的同时不沉淀杂质而使其存在于上清液中，利用测量设备测量该上清液的浊度。因此，能够防止将杂质当作研磨磨粒而测量，且能够使根据上清液的浊度测量结果推断出的杂质的量与实际磨粒中包含的杂质的量大致一致。因此，在使用与该磨粒同批次的磨粒来切割晶锭之前，能够适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

在本发明的磨粒的评价方法中，所述溶剂优选为水或纯水或超纯水。

根据本发明，通过将水或纯水或超纯水用作溶剂，例如与将浆料的制作中所使用的油用作溶剂的情况相比，能够加速评价溶液中的研磨磨粒的沉淀速度。因此，能够缩短磨粒的评价时间。

在本发明的磨粒的评价方法中，优选在进行振荡装有所述评价溶液的容器的振荡工序之后进行所述沉淀工序。

根据本发明，通过进行振荡工序，能够使附着于研磨磨粒的杂质从该研磨磨粒分离。因此，与不进行振荡工序的情况相比，能够减小根据上清液的浊度测量结果推断出的杂质的量与实际磨粒中包含的杂质的量之差，而能够更适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

在本发明的磨粒的评价方法中，优选在进行稀释所述上清液的稀释工序之后进行所述测量工序。

在此，在不稀释上清液的情况下，若杂质的量较多，则浊度超过测量设备的测量范围上限，有时会有无法适当地推断杂质的量的情况。

相对于此，在本发明中，通过进行稀释工序，能够抑制浊度超过测量设备的测量范围上限的情况，且能够适当地推断杂质的量。

在本发明的磨粒的评价方法中，用于所述晶锭切割用浆料的磨粒优选为SiC。

根据本发明，能够适当地评价作为杂质而含有特别多的FC的量，与评价FC以外的杂质的量的情况相比，能够更适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

本发明的硅晶圆的制造方法是使用了线锯的硅晶圆的制造方法，其特征在于，进行如下工序：合格与否判定工序，根据上述磨粒的评价方法中所述推断工序中的推断结果，判定用于晶锭切割用浆料的磨粒的合格与否；浆料制作工序，使用判定为合格的磨粒制作所述晶锭切割用浆料；以及切割工序，使用所述线锯及所述晶锭切割用浆料切割晶锭而制造所述硅晶圆。

根据本发明，能够得到高品质的硅晶圆。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的线锯的示意图。

图2是表示所述一实施方式中的硅晶圆的制造方法的流程图。

图3是表示本发明的实施例的实验1中的将静置时间设为一定时间时的磨粒与浊度之间的关系的图表。

图4是表示所述实施例的实验2中的静置时间与磨粒与浊度之间的关系的图表。

图5是表示所述实施例的实验3中上清液的稀释率与磨粒与浊度之间的关系的图表。

图6是表示所述实施例的实验3中的稀释至10倍的上清液的浊度的测量值与各磨粒的小粒子率之间的关系的图表。

图7是表示所述实施例的实验4中的振荡条件与浊度之间的关系的图表。

图8是表示所述实施例的实验5中的振荡时间与浊度之间的关系的图表。

图9是表示所述实施例的实验6中的静置时间与浊度之间的关系的图表。

图10是表示所述实施例的实验7中的比较例的磨粒的粒度分布的图表。

图11是表示所述实施例的实验7中的比较例的磨粒的小粒子率的图表。

图12是表示所述实施例的实验7中的实施例的磨粒的浊度的图表。

图13是表示所述实施例的实验8中的硅晶圆的厚度偏差的图表。

具体实施方式

参照附图对本发明的一实施方式进行说明。

[线锯的结构]

首先，对线锯的结构进行说明。

如图1所示，线锯1具备总计3个主辊2，其中2个配置于同一水平面上，1个配置于这些2个的中间下方。在这些3个主辊2的圆周，沿着轴向卷绕有金属线7。在金属线7的两端侧，分别设置有经由多个（图1中，图示为各1个）导向辊3而送出或卷绕金属线7的绕线盘41、42。并且，在各导向辊3与绕线盘41、42之间，分别设置有转盘（traverser）43、44。转盘43、44具有调整金属线7的送出位置、卷绕位置的功能。而且，在上侧的2个主辊2（以下称为上侧主辊21）的上方，分别设置有向2个上侧主辊21的中间位置供给浆料G的喷嘴5。并且，在喷嘴5的上方，设置有保持晶锭T并使其升降的输送机构6。

并且，线锯1通过旋转多个主辊2，使金属线7在与主辊2的轴向大致正交的方向（左右方向）上移动，并在2个上侧主辊21之间供给浆料G的同时，使晶锭T下降而按压到移动中的金属线7，由此切割晶锭T而制造多个硅晶圆。

[硅晶圆的制造方法]

接下来，对硅晶圆的制造方法进行说明。

另外，在本实施方式中，例示说明磨粒中包含作为研磨磨粒的GC与作为杂质的FC的情况。并且，例示说明作为磨粒使用在晶锭T的切割中未曾利用过的未使用品的情况。

首先，如图2所示，在制作浆料G之前，进行用于浆料G的磨粒的评价。在该磨粒的评价中，进行评价溶液制作工序（步骤S1）、振荡工序（步骤S2）、沉淀工序（步骤S3）、稀释工序（步骤S4）、测量工序（步骤S5）以及推断工序（步骤S6）。

在步骤S1的评价溶液制作工序中，将比色管用作容器，通过将包含作为研磨磨粒的GC的磨粒溶于作为溶剂的纯水中而制作评价溶液。该评价溶液的制作可通过操作者的手工操作进行，也可通过设备进行。

在步骤S2的振荡工序中，振荡装有评价溶液的比色管。在振荡工序中，可以用人手振荡比色管，但考虑到振荡条件的再现性及操作者的操作负担等，优选使用设备。通过进行该振荡工序，能够将附着于GC的FC从该GC分离。

在步骤S3的沉淀工序中，静置装有评价溶液的比色管，而沉淀GC。沉淀GC的时间并无特别限定，但优选几乎所有的GC沉淀且上清液中存在FC的时间长度。

在步骤S4的稀释工序中，通过步骤S1中所使用的溶剂稀释评价溶液的上清液。稀释率并无特别限定，但根据评价溶液中的FC的浓度，稀释后的上清液的浊度优选不超过后述的测量设备的测量范围上限的值。

在步骤S5的测量工序中，使用测量设备测量评价溶液的上清液的浊度。作为测量设备并无特别限定，但能够使用能够将评价溶液中的混浊进行数值化的测量设备。作为测量设备，例如，能够使用为吸光光度计的一种的浊度计。

在步骤S6的推断工序中，根据上清液的浊度测量结果，推断磨粒中包含的FC的量。

在进行步骤S1～S6的处理之后，根据FC的量的推断结果，判定磨粒的合格与否（步骤S7：合格与否判定工序）。

例如，在对应于FC的推断量的浊度计的测量值为阈值以上的情况下，当使用与该磨粒同批次的磨粒来切割晶锭T时，由于FC较多而判断为无法得到高品质的硅晶圆，从而判定为不合格。另一方面，在浊度计的测量值小于阈值的情况下，由于FC较少而判断为能够得到高品质的硅晶圆，从而判定为合格。另外，步骤S7的处理可通过设备进行，也可通过操作者进行。

并且，在步骤S7中，当判定为合格时，使用与所评价的磨粒同批次的磨粒及油性或水溶性的油等制作浆料G（步骤S8：浆料制作工序）。之后，使用该浆料G切割晶锭T（步骤S9：切割工序），由此制造硅晶圆。

另一方面，在步骤S7中，当判定为不合格时，判断是否评价其他批次的磨粒（步骤S10）。在该步骤S10中，当判断为评价其他批次的磨粒时，进行对其他批次的磨粒的上述处理，当判断为不评价时，结束处理。

[实施方式的作用与效果]

如上所述，在上述实施方式中，能够达到如下的作用与效果。

（1）通过进行沉淀工序，由于一方面对GC进行沉淀，另一方面不对FC进行沉淀而使其存在于上清液，并测量该上清液的浊度，因此能够防止将FC当作GC来测量的情况，能够使根据上清液的浊度测量结果推断出的FC的量与实际上未使用的磨粒中所包含的FC的量大致一致。因此，在使用与该磨粒同批次的磨粒来切割晶锭T之前，能够适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

除此之外，即使在FC的量小于容许下限值的情况下，也能够掌握每批次的FC量的变化，并通过预先向制造商回馈该变化，能够利用于改善磨粒的制造状况。

（2）由于将纯水用作用于制作评价溶液的溶剂，例如与将使用于浆料G的制作的油用作溶剂的情况相比，能够加速评价溶液中的GC的沉淀速度，而能够缩短磨粒的评价时间。

（3）通过进行振荡工序，将附着于GC的FC从该GC分离，因此与不进行振荡工序的情况相比，能够减小根据上清液的浊度测量结果推断出的FC的量与实际上磨粒中所包含的FC的量之差，而能够更适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

（4）通过根据评价溶液中的FC的浓度进行稀释工序，能够抑制浊度超出测量设备的测量范围上限的情况，而能够适当地推断FC的量。

[其他实施方式]

另外，本发明并不仅限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可进行各种改良及设计的变更。

即，作为用于制作评价溶液的溶剂，可以是比纯水纯度高的超纯水，也可以是比纯水纯度低的水。以这种结构，也能够达到与上述实施方式相同的作用与效果。

并且，作为用于制作评价溶液的溶剂，只要研磨磨粒最终通过沉淀工序沉淀，则可以是油性或水溶性的油等。

例如，当已知附着于研磨磨粒的杂质的量对浊度测量结果不会产生较大的影响时，可以不进行振荡工序。

例如，在沉淀工序之后，当操作者视觉判断到上清液的浊度未超出测量设备的测量范围上限时，可以不进行稀释工序。

在稀释工序中，可以使用步骤S1中所使用的溶剂以外的溶剂进行稀释。例如，在上述实施方式中，可以使用高纯水或水进行稀释。

在上述实施方式中，评价了未使用品磨粒，但也可以评价再生磨粒。

实施例

接下来，通过实施例及比较例进一步详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些例子。

[稀释工序的研究]

＜实验1＞

首先，作为用于晶锭切割用浆料的未使用的磨粒，准备了制造商为A公司的磨粒A1、A2、B公司的磨粒B1、B2、C公司的磨粒C及D公司的磨粒D。磨粒A1的制造批次与磨粒A2的制造批次不同。同样地，磨粒B1的制造批次与磨粒B2的制造批次不同。各磨粒的粒度为#2000。

接下来，通过操作者的手工操作，混合30g磨粒A1与70ml作为溶剂的纯水，制作了评价溶液A1。并且，除了将磨粒A1分别变更为磨粒A2、B1、B2、C、D以外，在与评价溶液A1相同的条件下，制作了评价溶液A2、B1、B2、C、D。

然后，将装有评价溶液A1、A2、B1、B2、C、D的作为容器的比色管在常温下静置3小时以使研磨磨粒沉淀，并测量了各自的上清液的浊度。在浊度的测量中，使用了透射散射光比较测量方式的浊度计（LUTRON ELECTRONIC ENTERPRISE CO.,LTD.制，型号：TU-2016 测量范围：0ntu～1000ntu）。将其结果示于图3。另外，测量单位为ntu（NephelometricTurbidity Unit），其值越大表示混浊越强。

如图3所示，评价溶液B1、B2的浊度与其他评价溶液的浊度相比为较低的值。

但是，目视确认各评价溶液的结果时，评价溶液B1、B2的混浊明显比其他评价溶液的混浊更强，是与浊度的测量值相反的结果。另一方面，关于评价溶液A1、A2、C、D，浊度的测量值与通过目视的确认结果大致一致。

鉴于这些，关于评价溶液B1、B2，由于杂质较多，上清液的混浊强到超出浊度计的测量范围上限，认为没能正确测量浊度。并且，关于评价溶液A1、A2、C、D，上清液的混浊在浊度计的测量范围内的程度，认为有正确测量到浊度。

＜实验2＞

如上所述，有无法使用浊度计适当地测量评价溶液的上清液的混浊的情况。因此，通过延长制作评价溶液后的静置时间，确认上清液的混浊是否减弱至在浊度计的测量范围内的程度。

在制作与实验1相同的评价溶液A1、A2、B1、B2、C、D之后，分别在常温下静置3小时、12小时、24小时，用上述浊度计测量了各自的上清液的浊度。将其结果示于图4。并且，也进行了基于目视的浊度的确认。

另外，若静置时间设为24小时以上，则在进行磨粒的接收管理时，量产时的对应较难，因此静置时间的最大值设成了24小时。

如图4所示，关于评价溶液B1、B2，虽然基于浊度计的浊度的测量值与其他评价溶液相比为较低的值，但在目视下混浊比其他评价溶液强，与静置时间无关地，浊度的测量值与通过目视的确认结果不一致。

根据以上得知，仅通过延长静置时间是无法减弱上清液的混浊。

＜实验3＞

基于实验2的结果，即使在磨粒的杂质多的情况下，通过稀释评价溶液的上清液，确认使用浊度计是否能够适当地推断杂质的量。

在3个比色管中制作与实验1相同的评价溶液A1，在常温下静置3小时之后，用纯水将各自的上清液稀释至2倍、5倍、10倍。然后，用上述浊度计测量了该稀释过的上清液的浊度。并且，同样对将上清液稀释至2倍、5倍、10倍的评价溶液A2、B1、B2、C、D，也用上述浊度计测量了上清液的浊度。将其结果示于图5。

如图5所示，在2倍的稀释下，评价溶液B1、B2的上清液的测量值为低于评价溶液C、D的上清液的值，在5倍的稀释下，评价溶液B1的上清液的测量值与评价溶液D的上清液大致相等，在任一稀释率下，上清液的测量值与通过目视的确认结果均未一致。另一方面，在10倍的稀释下，评价溶液B1、B2的上清液的测量值为高于评价溶液A1、A2、C、D的上清液的值，上清液的测量值与通过目视的确认结果大致一致。

并且，使用粒度分布测量器（Sysmex股份有限公司制，型号：FPIA3000S）测量磨粒A1、A2、B1、B2、C、D的粒度分布，计算3μm以下的粒子相对于整体的比率作为小粒子率。另外，在粒度分布的测量中，若浓度高则凝聚磨粒变多，因此使用了用纯水将实验1中所使用的评价溶液再稀释5倍而成的混合液。图6中示出稀释至10倍的上清液的浊度的测量值与各磨粒的小粒子率之间的关系。

如图6所示，得知在浊度的测量值方面，虽然评价溶液C的值与评价溶液A1的值相比变大，但在小粒子率方面，磨粒A1与磨粒C大致一致，且浊度的测量值与根据粒度分布测量器的测量结果的小粒子率并不一致。另一方面，得知图6所示的浊度的测量值与目视各评价溶液的评价结果大致一致。

根据以上得知，即使在磨粒的杂质多的情况下，通过将评价溶液的上清液稀释至10倍，能够使用浊度计适当地测量上清液的浊度，且根据该结果，能够适当地推断杂质的量。

[振荡工序的研究]

＜实验4＞

在稀释工序的研究中，通过手工操作进行了评价溶液的制作，但为了混合磨粒与溶剂而振荡比色管的速度与时间的长度，有可能对浊度的测量值产生影响。因此，检验了通过手工操作振荡比色管的速度（次/min）及次数（1次=1次往返）与浊度的测量值之间的关系。

使用B公司的磨粒B在与上述实验1相同的条件下制作评价溶液之后，以图7所示的级别1～6的条件振荡比色管。通过手工操作的比色管的振幅为100mm～150mm。然后，通过静置比色管3小时而沉淀研磨磨粒之后，用纯水稀释上清液至10倍，用上述浊度计测量了该稀释过的上清液的浊度。将其结果示于图7。

如图7所示，振荡速度越快，振荡次数越多，则浊度的测量值越大。

根据以上得知，若制作评价溶液时的振荡比色管的速度与时间有偏差，则浊度的测量值也会有偏差。

＜实验5＞

若将实验4的结果考虑在内，则认为通过在评价溶液的制作中使用振荡器，能够抑制浊度的测量值的偏差。因此，研究了使用振荡器的最佳振荡条件。

与实验4同样地使用磨粒B制作评价溶液之后，以图8所示的各振荡时间振荡了比色管。作为振荡器，使用了TIETECH CO.,LTD.的小型振荡器往复式震荡机NR-1（规格：振荡速度20～200次/min，振幅10～40mm）。比色管的振幅、振荡速度分别为40mm、200次/min。然后，静置比色管3小时而沉淀研磨磨粒之后，用纯水稀释上清液至10倍，且用上述浊度计测量了该稀释过的上清液的浊度。将其结果示于图8。

如图8所示，在振荡时间小于20分钟的情况下，随着振荡时间变长浊度的测量值变大，但若超过20分钟，则即使振荡时间变长，浊度的测量值并没有较大的变化。

根据以上得知，使用上述振荡器将振幅、振荡速度、振荡时间分别设为40mm、200次/min、20分钟以上的条件下振荡比色管，由此能够抑制浊度的测量值的偏差。

＜实验6＞

根据实验5的结果，得知通过使用振荡器能够抑制浊度的测量值的偏差，但在硅晶圆制造现场的运用上，优选的是，即使将振荡比色管后的静置时间设为约3小时，对浊度的测量值所产生的影响也较少。

因此，检验了振荡比色管后的静置时间对浊度的测量值所产生的影响。

与实验4同样地使用磨粒B制作评价溶液之后，用实验5中所使用的振荡器振荡了比色管。比色管的振幅、振荡速度、振荡时间分别为40mm、200次/min、20分钟。然后，通过将比色管静置图9所示的各静置时间而沉淀研磨磨粒之后，用纯水稀释上清液至10倍，用上述浊度计测量了该稀释过的上清液的浊度。将其结果示于图9。

如图9所示，在静置时间小于3小时的情况下，随着静置时间变长浊度的测量值变小，但在3小时以上且4小时以下时，浊度的测量值没有较大的变化。另外，静置时间超过4小时时，静置时间对浊度的测量值所产生的影响为不明。

根据以上得知，若使用上述振荡器在将振幅、振荡速度、振荡时间分别设为40mm、200次/min、20分钟的条件下振荡比色管，且振荡之后的静置时间为3小时以上且4小时以下，则对浊度的测量值所产生的影响较少。

[磨粒的评价方法的有效性]

接下来，对本发明的磨粒的评价方法的有效性进行说明。

＜实验7＞

{比较例}

作为评价对象的磨粒，准备了E公司的磨粒E与F公司的磨粒F。各磨粒的粒度为#2000。

然后，使用上述实验3中所使用的粒度分布测量器测量磨粒E、F的粒度分布，计算出表示3μm以下的粒子的比率的小粒子率。另外，在粒度分布的测量中，基于与实验3相同的理由，使用了用纯水将30g磨粒与70ml纯水的混合液进一步稀释至5倍的混合液。将粒度分布的测量结果示于图10，将小粒子率的计算结果示于图11。

如图10与图11所示，对于粒度分布或小粒子率，磨粒E与磨粒F之间均看不出有较大的差异。

根据以上，得出在使用粒度分布测量器的测量中，磨粒E、F中微小粒子（研磨磨粒+杂质（FC等））的量没有较大的差异的结果。

{实施例}

准备了与上述比较例相同的磨粒E、F。然后，对磨粒E、F，进行了根据图2所示的本发明的磨粒的评价方法的步骤S1～S6的处理。

在步骤S1的评价溶液作成工序中，通过操作者的手工操作，混合30g磨粒E与70ml的纯水，制作了评价溶液E。同样地，制作了混合30g磨粒F与70ml纯水的评价溶液F。

在步骤S2的振荡工序中，使用上述实验5中所使用的振荡器，在振幅设为40mm、振荡速度设为200次/min、振荡时间设为20min的条件下，振荡了分别装有评价溶液E、F的比色管。

在步骤S3的沉淀工序中，将已完成振荡工序的比色管静置了3小时。

在步骤S4的稀释工序中，用纯水稀释已完成沉淀工序的评价溶液E、F至10倍。

在步骤S5的测量工序中，使用上述实验1中所使用的浊度计，测量已完成稀释工序的评价溶液E、F的上清液的浊度，在步骤S6的推断工序中，根据浊度测量结果，推断磨粒E、F所包含的杂质的量。

将浊度测量结果示于图12。

如图12所示，磨粒E的浊度约为磨粒F的浊度的5倍，在两者之间看到较大的差异。

根据以上，在基于本发明的磨粒的评价方法的处理中，根据浊度的测量结果，得到磨粒E所包含的杂质的量约为磨粒F的5倍的推测结果。然后，能够推测使用磨粒E制造的硅晶圆的品质比使用磨粒F制造的硅晶圆差。

＜实验8＞

接下来，使用磨粒E、F制造了硅晶圆。

具体而言，使用与所评价的磨粒E同批次的磨粒E与水溶性的油制作浆料，使用该浆料切割晶锭，由此制造了直径为300mm的硅晶圆。并且，同样地，通过使用磨粒F的浆料，切割晶锭，制造了硅晶圆。

利用厚度偏差评价了所制造的硅晶圆的切割面的品质。将其结果表示于图13。

另外，厚度偏差是指将硅晶圆的切割方向（图1的Z方向）的厚度截面（厚度截面）划分成每个为10mm的区间，计算每个区间的厚度的PV值（区间最大厚度-区间最小厚度），PV值超过厚度阈值的区间数。在此，厚度阈值设为1μm，区间数设为29个/枚（使用直径为300mm的硅晶圆，并且边缘5mm从评价对象中排除）。另外，作为厚度的测量装置，使用了KOBELCORESEARCH INSTITUTE.INC制的平坦度测量器SBW-330。

如图13所示，能够确认到使用磨粒E制造的硅晶圆的品质比使用磨粒F制造的硅晶圆的品质差。这与根据图12所示的测量结果推断的结果一致。

因此，得知通过进行基于本发明的磨粒的评价方法的处理，在使用与所评价的磨粒同批次的磨粒来切割晶锭之前，能够适当地判断是否能够得到高品质的硅晶圆。

附图标记说明

1-线锯，S1-评价溶液制作工序，S2-振荡工序，S3-沉淀工序，S4-稀释工序，S5-测量工序，S6-推断工序，S7-合格与否判定工序，S8-浆料制作工序，S9-切割工序，T-晶锭。

Claims (8)

1.一种磨粒的评价方法，所述磨粒用于晶锭切割用浆料，所述磨粒的评价方法的特征在于，进行如下工序：

评价溶液制作工序，将包含研磨磨粒及杂质的磨粒溶于溶剂而制作评价溶液；

沉淀工序，静置装有所述评价溶液的容器使所述研磨磨粒沉淀；

测量工序，使用测量设备测量所述评价溶液的上清液的浊度；以及

推断工序，根据所述上清液的浊度的测量结果推断所述杂质的量。

2.根据权利要求1所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

所述溶剂为水。

3.根据权利要求1所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

所述溶剂为纯水。

4.根据权利要求1所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

所述溶剂为超纯水。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

在进行振荡装有所述评价溶液的容器的振荡工序之后，进行所述沉淀工序。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

在进行稀释所述上清液的稀释工序之后，进行所述测量工序。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的磨粒的评价方法，其特征在于，

用于所述晶锭切割用浆料的磨粒为SiC。

8.一种使用了线锯的硅晶圆的制造方法，其特征在于，进行如下工序：

合格与否判定工序，根据权利要求1～7中任一项所述的磨粒的评价方法中所述推断工序中的推断结果，判定用于所述晶锭切割用浆料的磨粒的合格与否；

浆料制作工序，使用判定为合格的磨粒制作所述晶锭切割用浆料；以及

切割工序，使用所述线锯及所述晶锭切割用浆料切割晶锭而制造所述硅晶圆。