CN107107262A - 借助于物质转换进行的固体分离 - Google Patents

借助于物质转换进行的固体分离 Download PDF

Info

Publication number
CN107107262A
CN107107262A CN201580073507.2A CN201580073507A CN107107262A CN 107107262 A CN107107262 A CN 107107262A CN 201580073507 A CN201580073507 A CN 201580073507A CN 107107262 A CN107107262 A CN 107107262A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solid
modification portion
less
laser
modification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580073507.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107107262B (zh
Inventor
克里斯蒂安·拜尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltectra GmbH
Original Assignee
Siltectra GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltectra GmbH filed Critical Siltectra GmbH
Priority to CN202110994659.3A priority Critical patent/CN113770564A/zh
Publication of CN107107262A publication Critical patent/CN107107262A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107107262B publication Critical patent/CN107107262B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Solid Wastes (AREA)
  • Centrifugal Separators (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于在固体(1)中产生分离区域(2)以从所述固体(1)分离固体部分(2)、尤其固体层(12)的方法，其中待分离的固体部分(12)与减少了固体部分(12)的固体相比更薄。根据本发明的方法在此优选至少包括下述步骤：提供待加工的固体(1)，其中固体(1)由化学化合物构成；提供激光光源；给所述固体(1)加载激光光源的激光辐射，其中激光射束经由待分离的固体部分(12)的表面(5)进入固体(1)中，其中激光辐射以限定的方式对固体(1)的在固体(1)内部中预设的部分温度处理以构成一个分离区域(2)或者多个子分离区域(25，27，28，29)，其特征在于，在固体(1)的预设部分中通过激光射束所产生的温度高至以下程度：使得构成该预设部分的材料得到呈预定的物质转换部形式的修改部(9)。

Description

借助于物质转换进行的固体分离
技术领域
本发明根据权利要求1涉及一种用于在固体中产生分离区域以将固体部分从固体分离的方法，以及根据权利要求13涉及一种用于将至少一个固体部分与固体分开的方法。
背景技术
固体的、尤其晶片的分开典型地通过锯割产生。然而这种分开方法具有大量缺点。因此，在进行锯割时始终产生碎屑，所述碎屑由此是被损坏的基础材料。此外，被锯开的盘片的厚度波动在锯割高度增加时同样增加。此外，锯割元件引起：在彼此待分开的盘片的表面上产生线痕和表面损伤。
因此可见：分开方法“锯割”引起非常高的材料成本和再加工的成本。
此外，文献WO 2013/126927 A2公开了一种用于将设备层从初始晶片分出来的方法。根据WO 2013/126927 A2，在此由于激光加载进行对整个装置的非常强的加热。需要这种加热，以用来经由固体材料和“处理装置”的不同的热膨胀系数实现固体内部中的应力。在此可见：“处理装置”的耐热能力必须是非常高的，因为出现非常高的温度。此外，根据WO2013/126927 A2，激光束总是经由表面导入到固体中，所述表面不是待分出的层的组成部分。这同样引起强烈地加热固体。高的温度同样具有如下缺点：固体扭曲或者以不期望的方式膨胀，由此产生晶格修改部是非常不精确才可行的。
由此，根据WO 2013/126927 A2无法加工厚且大的固体。
发明内容
因此，本发明的目的是，提供一种替选的、用于将固体部分、尤其多个固体层与固体分开的方法。之前所提到的目的根据本发明通过一种用于在固体中产生分离区域以将固体部分、尤其固体层从固体分离的方法，其中待分离的固体部分与减少了固体部分的固体相比更薄。根据本发明，所述方法至少包括下述步骤：提供待加工的固体，其中固体由化学化合物构成；提供激光光源或激光射束源；对固体加载激光光源的激光辐射，其中激光射束经由待分开的固体层的表面进入到固体中，其中激光辐射以限定的方式对固体的在固体内部中的预设部分进行温度处理，以构成一个分离区域或者多个子分离区域。在固体的预设部分中通过激光射束所产生的温度尤其优选是高的，尤其高于200℃或者高于500℃或者高于800℃或者高于1000℃或者高于1500℃或者高于2000℃，使得构成预设部分的材料获得呈预定的物质转换部形式的修改部。
该解决方案是有利的，因为物质转换或者相变优选能够在不局部地破坏晶格的情况下产生，由此能够极其受控地在固体中产生薄弱部或者强度降低部。
其它优选的实施方式是从属权利要求和接下来的说明书部分的主题。
根据本发明的另一优选的实施方式，物质转换是化学化合物分解为多个组成部分或元素或者分解为所有单一的组成部分或元素。该实施方式是有利的，因为通过有针对性地分解固体的化学化合物能够以限定的方式设定最适合于分开固体部分的材料组合。
根据当前的描述，将固体-初始材料优选理解为单晶的、多晶的或者无定形的材料。优选地，由于强各向异性的原子键合力，具有强各向异性的结构的单晶体是适合的。固体-初始材料优选具有出自元素周期表的主族3、4、5和/或副族12中的一个族中的材料或者材料组合，尤其是由3、4、5主族和副族12的元素构成的组合，例如氧化锌或者碲化镉。
除了氮化硅外，半导体-初始材料例如也能够由硅、砷化镓GaAs、氮化镓GaN、碳化硅SiC、磷化铟InP、氧化锌ZnO、氮化铝AlN、锗、三氧化二镓Ga2O3、氧化铝Al2O3(蓝宝石)、磷化镓GaP、砷化铟InAs、氮化铟InN、砷化铝AlAs或者金刚石构成。
固体或者工件(例如晶片)优选具有出自元素周期表的主族3、4和5中的一族的材料或者材料组合，例如SiC、Si、SiGe、Ge、GaAs、InP、GaN、Al2O3(蓝宝石)、AlN。尤其优选的是，固体具有由存在于元素周期表的第四、第三和第五族中的元素构成的组合。可以考虑的材料或者材料组合在此例如是砷化镓、硅、碳化硅等。此外，固体能够具有陶瓷(例如Al2O3-氧化铝)或者由陶瓷构成，优选的陶瓷在此例如通常是钙钛矿陶瓷(例如含Pb、含O、含Ti/Zr的陶瓷)并且具体是铅-镁-铌酸盐、钛酸钡、钛酸锂、钇铝石榴石、尤其用于固体激光器应用的钇铝石榴石晶体、SAW(表面声波)-陶瓷、例如铌酸锂、磷酸镓、石英、钛酸钙等。固体因此优选具有半导体材料或者陶瓷材料，或尤其优选固体由至少一种半导体材料或者陶瓷材料构成。固体优选是铸块或者晶片。尤其优选地，固体是对于激光射束而言至少部分地透明的材料。由此，还可以考虑的是，固体具有透明的材料或者部分地由透明的材料构成或制成，所述透明的材料例如是蓝宝石。在此单独地作为固体材料或者在与另一材料组合地考虑作为固体材料的另外的材料例如是“宽带隙”材料、InAlSb、高温超导体，尤其稀土酮酸盐(例如YBa2Cu3O7)。附加地或者替选地，可以考虑的是，固体是光刻掩模，其中在当前情况下优选能够使用每个直至申请日已知的光刻掩模材料并且尤其优选使用它们的组合来作为光刻掩模材料。此外，固体能够替选地或者附加地具有碳化硅(SiC)或者由其构成。固体优选是铸块，所述铸块在初始状态中，即在将第一固体部分分开之前的状态中，优选称重超过5kg或者超过10kg或者超过15kg或者超过20kg或者超过25kg或者超过30kg或者超过35kg或者超过50kg。固体部分优选是固体层，尤其直径至少为300mm的晶片。
根据本发明的另一优选的实施方式，为了以限定的方式进行温度处理，将具有如下脉冲密度的激光辐射引入到固体中，所述脉冲密度在100nJ/μm2和10000nJ/μm2之间，优选在200nJ/μm2和2000nJ/μm2之间，并且尤其优选在500nJ/μm2和1000nJ/μm2之间。
根据本发明的另一优选的实施方式，容纳层具有聚合物或者由其构成，其中所述聚合物优选是聚二甲基硅氧烷(PDMS)或者弹性体或者环氧树脂或者它们的组合。
根据本发明的另一优选的实施方式，将激光器的，尤其fs激光器(飞秒激光器)的激光射束的能量选择为，使得固体中的或者晶体中的物质转换沿着至少一个方向小于或大于30倍的瑞利长度、或者20倍或者10倍或者5倍或者3倍的瑞利长度。
根据本发明的另一优选的实施方式，将激光器的、尤其飞秒激光器的激光射束的波长选择为，使得固体的或者材料的线性吸收小于10cm-1并且优选小于1cm-1并且尤其优选小于0.1cm-1。
根据本发明的另一优选的实施方式，固体经由固体表面与冷却装置连接，其中与冷却装置连接的固体表面平行于或者基本上平行于如下表面构成，激光射束经由所述表面进入到固体中，其中冷却装置根据激光加载，尤其根据通过激光加载产生的对固体进行的温度处理来运行。尤其优选地，固体经由其与冷却装置连接的表面，恰好与激光射束经由其进入到固体中的表面相对置。该实施方式是有利的，因为能够限制或者减少在产生修改部时所得到的固体温度提高。优选地，冷却装置运行为，使得通过激光射束引入到固体中的热量输入通过冷却装置从固体中抽出。这是有利的，因为由此能够显著地降低热引发的应力或者变形的出现。
根据本发明的另一优选的实施方式，冷却装置具有至少一个用于检测固体温度的传感器装置，并且根据预设的温度曲线引起对固体的冷却。该实施方式是有利的，因为通过传感器装置能够非常精确地检测固体的温度改变。优选地，温度的改变被用作为用于操控冷却装置的数据输入。
根据本发明的另一优选的实施方式，冷却装置耦联在旋转装置上，并且冷却装置与设置在其上的固体在修改部产生期间借助于旋转装置旋转，尤其以超过每分钟100转或者以超过每分钟200转或者以超过500转来旋转。
根据本发明的另一优选的实施方式，在固体的至少两个不同的区域中，每cm2所产生的修改部的数量不同，其中在第一区域中产生第一区块的修改线，其中每条线的各个修改部优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生，并且第一区块的各个线优选以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生，其中通过第一区块的修改部构成第一子分离区域，并且在第二区域中产生第二区块的修改线，其中每条线的各个修改优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生，并且第二区块的各个线优选以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生，其中通过第二区块的修改部构成第二子分离区域，其中第一区域和第二区域通过第三区域彼此间隔开，其中在第三区域中不产生或者基本不产生借助于激光射束得到的修改部，并且第一区域与第二区域间隔开大于20μm，尤其大于50μm或者大于100μm或者大于150μm或者大于200μm。该实施方式是有利的，因为通过局部地产生修改区块能够在固体中产生大的机械应力，使得要么能够进行固体的局部撕开或者由于另一触发事件、如对设置在固体上的容纳层进行热加载，在固体中产生裂纹。已经认识到：修改区块引起：裂纹也在两个修改区块之间的区域中稳定地引导。由于修改区块，能够以少量的修改部引起受控的并且极其精确的裂纹扩展。这具有显著的优点，因为缩短了加工时间，降低了能量消耗，并且降低了对固体的加热。
优选地，第一区块中的修改部以位于0.01μm和10μm之间的脉冲间距产生，和/或设有0.01μm和20μm之间的线间距，和/或设有16kHz和20MHz之间的脉冲重复频率。
根据本发明的另一方面，根据产生修改部的地点调整光学装置，借助于所述光学装置将激光射束从激光射束源引导至固体，由此引起数值孔径的至少一次改变，其中在固体的边缘区域中的地点处的数值孔径小于在固体的更靠近固体中心的另一地点处的数值孔径。该实施方式是有利的，因为产生具有不同特性的修改部。特别地，在边缘区域中，也就是说，在(沿着径向方向)远离边缘直至10mm或者直至5mm或者直至1mm的区域中，优选使用如下光学装置，所述光学装置的数值孔径在0.05和0.3之间，尤其基本上0.1或者恰好0.1的数值孔径。对于其余区域优选使用如下光学装置，在所述光学装置中，数值孔径位于0.2和0.6之间，优选在0.3和0.5之间并且尤其优选基本上为0.4或者恰好0.4。
根据本发明的另一优选的实施方式，对容纳层的热加载包括：将容纳层冷却到低于20℃的温度上，尤其低于10℃或者0℃，或者低于-10℃或者低于100℃，或者冷却到低于容纳层材料的玻璃转化温度的温度上。
通过温度处理，借助于激光产生修改部或者物质转换部，其中设有0.01μm和10μm之间的，尤其0.2μm的脉冲间距，和/或设有0.01μm和20μm之间，尤其3μm的线间距，和/或设有16kHz和20MHz之间的，尤其128kHz脉冲重复频率，和/或设有100nJ和2000nJ之间的，尤其400nJ的脉冲能量。尤其优选地，对于根据本发明的方法，尤其在加载碳化硅时，使用皮秒或者飞秒激光器，其中激光优选具有在800nm和1200nm之间的，尤其1030nm或者1060nm的波长。脉冲持续时间优选在100fs和1000fs之间，尤其为300fs。此外，优选使用用于对激光射束进行聚焦的镜头，其中所述镜头优选引起激光射束的20倍至100倍的缩小，尤其50倍的缩小或聚焦。此外，用于对激光射束进行聚焦的光学装置优选具有0.1至0.9，尤其0.65的数值孔径。
优选地，每个通过激光辐射产生的物质转换部是固体的材料的修改部，其中修改部附加地或者替选地例如能够理解为对固体的晶格的破坏部。根据本发明的另一优选的实施方式，固体相对于激光光源运动，尤其行进、尤其旋转。优选地，连续地进行固体相对于激光光源的运动，尤其旋转。在此出现的旋转速度优选超过每秒1转或者每秒5转或者每秒10转或者超过至少100mm/s的线性速度。固体对此优选设置在，尤其粘接在旋转台或者旋转夹盘上。每次旋转的每cm2固体表面的修改部的数量优选低于预设的最大数量，激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生修改部，其中每cm2的且每次旋转的修改部的最大数量优选根据固体材料和/或激光辐射的能量密度和/或根据激光辐射脉冲的持续时间来确定。优选地，提供如下控制装置，所述控制装置根据在上文中所提到的参数中的至少两个或者三个或者全部参数和优选其它参数，按照预设的数据和/或函数，来确定每次旋转的每cm2的待产生的修改部的最大数量。这是尤其有利的，因为已经认识到：当损伤密度过高时，产生有害的竖直裂纹，这由如下应力产生，所述应力在被加工的区域和尚未被加工的区域之间产生。
附加地或者替选地，在固体相对于激光光源依次旋转时，产生具有不同的图案，尤其在各个新产生的修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生修改部。特别地，要么激光器要么晶片或固体能够沿着XY方向移动，其中根据平移的XY移动产生修改部。根据一个优选的实施方式，使用XY工作台，固体在激光器运行期间已经设置在所述XY工作台上。优选地，通过已经提到的控制装置或者替选的控制装置，连续地或者分级地，尤其根据固体的运动，尤其固体的旋转，来重校准或者重新校准光学装置，借助于所述光学装置使激光射束转向。优选地，根据所述重校准或者重新校准，相对于在重校准或者重新校准之前所设定的第一激光射束曲线来设定第二激光射束曲线，所述第二激光射束曲线与第一激光射束曲线不同。由此，优选根据固体的旋转，通过控制装置来设定不同的激光射束曲线。尤其优选地，在此，分别重校准或者重新校准或改变激光扫描方向。优选地，替选地或者附加地，由控制装置操控激光光源、光学装置、尤其扫描仪、和/或将固体行进的装置、尤其旋转台或者旋转夹盘，使得每次旋转的能量输入保持不变或者减小，其中进入到固体中的能量输入优选连续地，也就是说随着每次旋转减小，或者分级地，也就是说分别在多次旋转之后减小。其中在能量输入分级地减小的情况中，每一级的旋转的数量能够彼此不同，因此第一级例如能够包括多于两次旋转，而另一级与第一级相比能够包括更多或更少的旋转。此外，可以考虑的是，所述级分别包括相同数量的旋转。此外，所述分级法也能够与连续法混合或者组合。
根据一个优选的实施方式，激光射束也能够对一条线多次加载修改部，使得在一条线或者一行中产生总体修改部。根据另一替选方案，在激光器进行加载时，线能够与修改部交叉或叠加，其中第一线尤其以预定的角度或者以其它可自由选择的角度与修改部相交，所述预定的角度例如是90°、45°、30°、60°。用于产生修改部的激光加载的线之间的交角在此能够以固体材料的晶格定向来取向，以便提高所安置的修改部的效率。
附加地或者替选地，激光光源构成为扫描仪，并且修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行。优选地，通过已经提到的控制装置或者替选的控制装置，根据预设的数据和/或函数，来控制对于修改部产生而言所需要的装置、尤其激光光源、光学装置、尤其扫描仪、和使固体行进的装置、尤其是旋转台或旋转夹盘，其中所述控制装置与在上文中所提到的参数中的至少两个或者三个参数并且优选其它参数相关。
附加地或者替选地，两个依次沿着修改部产生方向或者沿着固体的环周方向产生的修改部的中心之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
附加地或者替选地，依次沿着修改部产生方向或者沿着固体的环周方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
本发明还能够涉及一种用于在固体中产生分离区域以将固体部分从固体分离的方法，所述方法至少包括下述步骤：
提供待加工的固体；提供激光光源；给固体加载激光光源的激光辐射，其中激光辐射在固体中产生修改部，尤其晶格缺陷，其中设有控制装置，所述控制装置用于根据单个的或者多个特定的参数或者作为单个的或者多个所述参数的函数来操控激光光源和/或将固体行进的装置，尤其旋转台或者旋转夹盘，和/或光学装置，尤其扫描仪。
优选地，固体相对于激光光源旋转，并且每次旋转的每cm2固体表面的修改部的数量优选低于预设的最大数量，激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生修改部，其中每cm2的且每次旋转的修改部的最大数量优选根据固体材料和/或激光辐射的能量密度来确定，和/或在固体相对于激光光源依次旋转时，产生具有不同的图案，尤其在各个新产生的修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生修改部，和/或激光光源构成为扫描仪，并且修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，和/或两个依次沿着修改部产生方向或者沿着固体的环周方向产生的修改部的中心之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，和/或依次沿着修改部产生方向或者沿着固体的环周方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
优选地，在固体相对于光学装置的一个行进周期中，尤其在固体相对于光学装置的一次旋转中可产生的修改部的最大可行的数量，通过多个平行的、尤其沿着径向方向彼此间隔开的行并且通过每行最大可产生的修改部来确定，其中所述光学装置尤其是扫描仪。根据一个优选的实施方式，激光射束能够通过衍射的光学元件分为多个激光射束，以便由此同时根据激光射束的划分来产生相应数量的修改部。优选地，多个行包括至少两行并且优选至少10行并且尤其优选不超过50行或者不超过100行或者不超过200行。关于所产生的图案，在此可以考虑的是，在特定数量的行中，在第一行进周期中，例如仅每第x行或者每第x行和第y行或者每第x行和每第x-z行设有修改部。具体而言，例如每第5行能够设有修改部。替选地，每第5行和每第7行能够设有修改部。替选地，每第5行和每第5-2行例如能够设有修改部，这随后会引起：第3行、第5行、第8行、第10行、第13行、第15行等设有修改部。此外，可行的是，修改部分别逐个区块地产生，也就是说，例如50个彼此跟随的行的区块例如包含修改部，而紧接着的50行完全不包含修改部，其中在该不具有修改部的50行的区块之后又接有具有修改部的50行的区块。这意味着：多个行的修改部逐个区块地交替设置。根据另一实施方式，这种交替的区块的宽度能够根据样品边缘的间距变化，也就是说，例如在边缘的区域中，区块具有更小行数的修改部，并且朝向样品的中心，区块具有更高行数的修改部。附加地或者替选地，可以考虑的是，其中产生修改部的行之间的间距根据函数来改变。在第二行进周期中优选描述替选的行，所述替选的行优选彼此间隔开，所述第二行进周期优选在第一行进周期结束后出现，尤其在第一次旋转之后出现。在第二行进周期中并且在其它行进周期中，对于变量x、y、z于是能够设有不同的行数。此外，能够设有更多或更少的变量。替选地或者附加地，一行的各个修改部之间的间距能够根据图案来产生。优选地，一行中的修改部因此在第一行进周期中，尤其在第一次旋转中，例如仅在每第a个位置处(在所述位置处设有修改部)产生或者在每第a个位置处和第b个位置处产生或者在每第a个位置和每第a-c个位置处产生。附加地或者替选地，可以考虑的是，在其处产生修改部的位置之间的间距，根据函数来改变。在第二行进周期中，优选描述替选的位置，所述替选的位置优选彼此间隔开，所述第二行进周期优选在第一行进周期结束之后出现，尤其在第一次旋转之后出现。在第二行进周期中并且在其它行进周期中，于是对于变量a、b、c能够设有不同的行数。附加地或者替选地，可以考虑的是，处理过的行至少根据行进位置或者行进部位，尤其旋转部位并且根据旋转次数来确定，和/或行中的处理过(或在其上产生修改部)的位置至少根据行进位置或者行进部位，尤其旋转部位并且根据旋转次数来确定。特别地，在固体或者光学装置线性的行进路径中，能够产生彼此倾斜的、尤其彼此垂直的行或条带的修改部。
根据另一优选的实施方式，每个通过激光辐射产生的物质转换部是固体的材料的修改部，其中固体相对于激光光源沿着XY方向平移运动，并且每cm2固体表面的修改部的数量，激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生修改部，其中每cm2的且根据沿着XY方向的平移运动的修改部的最大数量优选根据固体材料和激光辐射的能量密度来确定，和/或根据固体相对于激光光源的沿着XY方向的平移运动，产生具有不同的图案，尤其在各个新产生的修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生修改部，和/或激光光源构成为扫描仪，并且修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，和/或两个依次沿着修改部产生方向产生的修改部的位移之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，和/或依次沿着修改部产生方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
根据另一优选的实施方式，激光辐射在固体中产生修改部，尤其晶格缺陷，其中固体相对于激光光源平移运动，并且每cm2固体表面的修改部的数量，激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生修改部，其中每cm2的并且根据沿着XY方向的平移运动的修改部的最大数量优选根据固体材料和激光辐射的能量密度来确定，和/或根据固体相对于激光光源的沿着XY方向的平移运动，产生具有不同的图案，尤其在各个新产生的修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生修改部，和/或激光光源构成为扫描仪，并且修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，和/或两个依次沿着修改部产生方向产生的修改部的位移之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，和/或依次沿着修改部产生方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
控制单元例如根据行进周期的数量和/或局部的热形成和/或固体的材料特性来控制修改部的产生，所述局部的热形成优选光学地和/或借助于传感器来检测，所述材料特性尤其是密度和/或强度和/或导热性。本发明此外涉及一种用于将至少一个固体部分与固体、尤其晶片分开的方法，其至少包括下述步骤：将容纳层设置在根据权利要求1至5中任一项所述的方法来处理的固体上；对容纳层进行热加载，以在固体中产生、尤其机械地产生裂纹扩展应力，其中通过裂纹扩展应力使裂纹在固体中沿着分离区域扩展。
附图说明
本发明的其他优点、目标和特性根据附图的下述描述来阐述，在所述附图中示例地示出根据本发明的分开方法。根据本发明的方法中优选使用的和/或在附图中至少在其功能方面基本上一致的构件或元件，在此能够以相同的附图标记表示，其中这些构件或者元件不必在所有附图中设有附图标记或者阐明。
其中示出：
图1示出在固体中根据本发明基于激光产生分离层的示意图；
图2示出用于将固体层与固体分开的一个优选的分开过程的示意图；
图3示出沿着彼此分开的固体部分的所产生的表面的分离区域的两个显微视图；
图4示出用于证明根据本发明的效果的视图；
图5a至5c示出三个示意的横截面视图，所述横截面视图分别示出固体中的修改部区块；
图5d至5e示出分别沿着已分开的固体的分离区域的两个示意图，其中根据图5d的视图未示出修改部剩余，而根据图5e的视图示出修改部剩余；
图6a至6c示出修改部区块和由此产生的局部的固体薄弱部或者局部的固体裂纹的三个示意图；
图7a至7c示出示例性的裂纹曲线的示意图；
图8a至8c示出将固体部分或固体层、尤其晶片与固体多次分开；
图9a至9f示出从提供固体直至由于对容纳层进行热加载而引起的裂纹触发的多个步骤；
图10a示出在将固体部分分开之后的状态的示意图；
图10b示出对剩余固体进行的另一激光加载以产生用于将另一固体层分开的修改部；
图10c示出设置在冷却装置上的剩余固体的示意图，其中冷却装置设置在行进装置，尤其旋转台上；
图10d示出在固体中产生修改部的示意图；
图11示出冷却装置，尤其冷却夹盘的示意图；
图12示出优选使用的光学装置的示意图；以及
图13示出在固体中产生修改部时的叠加的射束或射束部分的示意图。
具体实施方式
附图标记1在此表示固体。在固体1中根据本发明产生修改部9，以便构成分离区域2，在所述分离区域上或者沿着所述分离区域，固体1被分开成至少两个组成部分。修改部9在此是固体材料的物质转换部或相变部，通过所述物质转换部或者相变部实现分离区域2。修改部9通过至少一个激光射束4产生。激光射束4经由优选处理过的、尤其抛光过的表面5进入到优选至少部分地透明的固体1中。在表面5上，至少一个激光射束优选折射，这通过附图标记6表示。至少一个激光射束于是构成焦点8以产生修改部。被抛光的表面5也能够称为主表面18。
图2同样示出被处理的固体1，其中在固体1的至少一个表面上，尤其在表面5上，部分地或者完全地以覆盖或者叠加的方式设置有、尤其安置或者产生有容纳层140，所述容纳层用于将应力引入到固体1中。在将固体层或固体部分从固体1分裂出来之后，容纳层140首先保留在被分裂出来的固体部分上，从而用于容纳所述固体部分。容纳层140优选由聚合物材料构成或者具有聚合物材料，尤其PDMS。由于对容纳层140进行温度处理，尤其冷却，容纳层140收缩，从而将应力导入固体1中，通过所述应力触发裂纹和/或为了将固体部分与固体1分开而产生和/或引导裂纹。
固体1的激光加载尤其优选是对固体1的局部温度处理，尤其是在固体1的内部中。由于温度处理改变固体材料的化学键合，由此引起固体1在被加载的部分中的强度或稳定性改变，尤其下降。激光加载优选在穿过固体1的整个平面中进行，其中同样可以考虑的是，穿过固体1的平面的至少或最多30％或者50％或者60％或者70％或者80％或者90％得到根据本发明的修改部。
附图标记10表示在固体1断开之后的第一固体部分，而附图标记12表示在固体1断开之后的第二固体部分。附图标记11还表示如下表面，两个固体部分10、12已经沿着所述表面彼此分开。
图3示出第一固体部分10和第二固体部分12的表面11，其中第一固体部分11和第二固体部分12沿着表面11彼此分开。此外，图3示出固体1的未处理的区域51或未处理的部分以及固体1的处理过的区域52或处理过的部分。处理过的部分52通过根据本发明的激光加载产生，并且表明：固体1的材料在该区域中已经改变或者已经转换。
图4示出在固体部分12分开之后的拉曼频率(附图标记53)6H-SiC，其具有状态调节1B。附图标记54表示以％为单位的强度，并且附图标记56表示以cm-1为单位的波数。此外，附图标记61表示在图3中以附图表示51表示的未处理的材料部分的石墨烯，并且附图标记62表示在图3中以附图标记52表示的已处理的材料部分的石墨烯。从拉曼频谱53中可以得知，通过附图标记51和52表示的材料部分具有不同的材料特性，尤其是不同的物质。
根据本发明的激光加载引起以物质特定、空间分辨的方式蓄积能量输入，由此引起在一个或多个限定的地点处以及在限定的时间中以限定的方式对固体1进行温度处理。在具体应用中，固体1能够由碳化硅构成，由此优选以大强烈局部受限的方式对固体1进行温度处理，将其调节到例如大于2830+/-40℃的温度上。从这种温度处理中产生新的物质或相，尤其结晶的和/或无定形的相，其中所得出的相优选是Si(硅)和DLC(类似金刚石的碳)相，所述以明显降低的强度产生。通过这种强度降低的层，随后产生分离区域2。激光调节优选通过以空间分辨的方式进行的样品温度测量来在加工固体或晶片时进行，以避免边缘效应。
图5a示出：在固体1的至少两个不同的区域中，每cm2所产生的修改部的数量是不同的。在此在第一区域中，产生第一区块91的修改部，其中每条线的各个修改部9优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生。第一修改部区块91的各个线优选以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生。通过第一区块91的修改部91在固体1中产生机械应力。
在第二区域中产生第二区块92的修改部线，其中每条线的各个修改部9优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生。第二区块92的各个线优选以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生。通过第二区块92的修改部92在固体1中产生机械应力。
第一区域和第二区域通过第三区域彼此间隔开，其中在第三区域中不产生或者基本上不产生借助于激光射束得出的修改部，并且第一区域与第二区域间隔开大于20μm，尤其大于50μm或者大于100μm或者大于150μm或者大于200μm。
修改部9在此优选经由随后的固体层12的表面5进入到固体1中。表面5与修改部9之间的间距优选小于修改部9距固体1的另一表面7的间距，其中经由所述表面5引入激光射束，其中所述另一表面7与表面5间隔开并且优选平行地定向。
可见的是：分离区域2根据该视图一方面位于所有修改部9的下方或上方，尤其沿着固体纵向方向位于所有修改部的下方或上方，并且优选与修改部9间隔开。
图5b示出类似的基本构造。然而，根据图5b，分离区域2延伸穿过修改部9。
此外，图5c示出，分离区域2也能够穿过修改部9的中心。
分离区域2的伸展在此例如可经由修改部9的数量和/或修改部9的大小和/或区块91、92的各个修改部9的间距来设定。
图5d示出在沿着图5a中示出的分离区域2将固体层12分开之后的剩余固体1。因为在这种情况下修改部9完全从剩余固体1移除，所以剩余固体1不显示这些修改部9的剩余。
而从图5e中可见修改部9的剩余。当固体1沿着在图5b或5c中示出的分离区域2分开时，产生这些修改部剩余。此外能够识别出：修改部区块91、92优选通过不具有修改部的或者具有每cm2少量的修改部的场910、902、903彼此间隔开。不具有修改部9的或者具有少量的修改部9的场在此优选能够小于或者等于产生修改部区块91、92的区域。优选地，产生修改部区块91、92的区域中的至少单独的、多个或者多个区域，比不产生修改部9或者产生少量修改部9的区域大数倍，尤其为至少1.1倍或者为1.5倍或者为1.8倍或者为2倍或者为2.5倍或者为3倍或者为4倍。
图6a至6c示出本发明的另一实施方式。根据这些视图，修改部区块91、92用于产生局部的材料薄弱部或者局部的固体裂纹或者局部的应力提高。附图标记25在此表示第一子分离区域或者裂纹部分，在所述第一子分离区域或者裂纹部分中出现局部的材料薄弱部或者局部的固体裂纹或者局部的应力提高，而附图标记27在此表示第二子分离区域或裂纹部分，在所述第二子分离区域或者裂纹部分中同样出现局部的材料薄弱部或者局部的固体裂纹或者局部的应力提高。各个子分离区域或者裂纹部分优选构成端部71、72，相应的子分离区域或者裂纹部分能够经由所述端部增大。子分离区域或者裂纹部分的增大优选由于借助于容纳层140(参见图2)引起的力导入来进行。
图7a至7c示出如下实施方式，根据所述实施方式，分离区域2的伸展由于修改部区块91、92、93的产生而被控制为，使得产生或者均衡预定的图案或者厚度改变。分离区域2的伸展在此例如可经由修改部9的数量和/或修改部的大小和/或区块91、92、93的各个修改部9的间距来设定。
在图7a中，分离区域2通过接下来提到的组成部分形成：外棱边和第一修改部区块91之间的裂纹31，第一裂纹部分25连接到所述裂纹上，所述第一裂纹部分直接通过第一区块91的修改部9产生，两个修改部区块91和92之间的裂纹32连接到所述第一裂纹部分上，第二裂纹部分27连接到两个修改部区块之间的裂纹上，所述第二裂纹部分直接通过第二区块92的修改部9产生，修改部区块92和固体1的其它外棱边之间的裂纹33连接到所述第二裂纹部分上。由此可见：分离区域2能够被预设为，使得用于将固体层12与固体1分开的裂纹能够部段地在不同的平面上伸展。
根据图7b可见：分离区域2能够被选择为，使得裂纹伸展包含多个几何拐点。
图7c纯示例性地示出分离区域2的另一可能的设计方案。
关于图7a至7c能够确定：波状的伸展的构成能够在进一步处理露出的表面时，尤其在后续的打磨和/或抛光步骤中提供优点。由于修改部9的实际上非常小的高度，关于此而产生的实际的波度仅以非常高的分辨率才可以检测。然而，借助于修改部区块，例如区块91、92、93，在不产生修改部9或者产生少量的修改部9的区域中也可非常好地以受控的方式引导裂纹。
图8a至8c示出对固体1的，尤其对铸块的多次加工，其中固体1分别被打薄掉固体部分12，尤其固体层12。在这些视图中，如在图2中那样，未示出可能待安置的容纳层140。然而，就本发明而言，用于容纳固体部分12并且用于触发和/或增强裂纹的容纳层140同样能够设置在表面5、502、504上。
图8a至8c因此分别示出对固体1加载激光光源的激光辐射，其中激光射束经由待分离的固体层12的表面5、502、504进入到固体1中。通过激光辐射以限定的方式对固体1的在固体1的内部中的预设部分进行温度处理，以构成一个分离区域2或者多个子分离区域，在固体1的预设部分中所产生的温度在此优选高至以下程度：使得构成预设部分的材料获得呈预定的物质转换部形式的修改部9。修改部9的数量和设置在此是可进行设定的并且优选被预设。在将固体部分12分开之后，重新给剩余固体1加载激光光源的激光辐射，其中激光辐射以限定的方式对剩余固体1的在剩余固体1的内部中的预设部分进行温度处理，以构成分离区域2，并且在剩余固体1的预设部分中产生的温度再次高至以下程度：，使得构成预设部分的材料经受预定的物质转换。由此，例如能够将同样厚的、类似厚的或者不同厚的固体部分12、尤其固体层12、尤其晶片与固体1分开。优选地，固体1具有的长度使得多个、尤其多于2个或者多于5个或者多于10个或者多于20个或者多于50个或者多于100个或者多于150个或者多于200个固体层12可与所述固体分开，所述固体层具有小于1000μm的，尤其小于800μm的或者小于500μm的或者小于300μm的或者小于200μm的或者小于150μm的或者小于110μm的或者小于75μm的或者小于50μm的厚度。优选地，在每次将固体层12分开之后，以切削的方式加工剩余固体1的新露出的表面502、504。
图9a至9f示出不同的过程情况的示意图，如所述过程情况能够按照根据本发明的用于制造固体层12的方法而出现。
图9a示出提供固体1，尤其铸块。
根据图9b，所提供的固体1设置在冷却装置3上。优选地，冷却装置3是冷却夹盘。尤其优选地，固体1耦联或者粘接或者焊接或者旋接或者夹紧在工具载体(夹盘)上，其中工具载体优选包括冷却功能从而优选成为冷却装置3。工具载体优选由合金构成，所述合金具有如下组分：45％至60％的，尤其54％的铁，20％至40％的，尤其29％的镍和10％至30％的，尤其17％的钴。百分比说明在此表示占总质量的部分。优选的冷却装置3的一个实例在图11中示出。固体1和冷却装置3优选具有相同的或者类似的热膨胀。在此，优选将在-200℃至200℃的温度范围中温度增加10℃时的每次热膨胀理解为类似的热膨胀，其中固体1和冷却装置3的热膨胀的差小于最强膨胀的物体(冷却装置或者铸块)的热膨胀的50％，尤其小于25％或者小于10％。固体1的热膨胀优选小于10ppm/K，尤其小于8ppm/K或者小于5ppm/K，例如小于4ppm/K或者基本上为4ppm/K或者恰好为4ppm/K。
固体1优选沿着纵向方向以其下侧7固定在、尤其粘接在冷却装置3上，所述下侧优选沿着纵向方向与表面5相对置。由此，激光射束经由表面5朝向冷却装置3的方向导入固体1中，以产生修改部9，所述表面是待分离的固体层12的组成部分。
图9c示意性地示出借助于激光射束产生修改部9。冷却装置3在此引起：通过激光射束引入到固体1中的能量或热量至少部分地并且优选大多数从固体1中导出。
图9d示出在产生修改部9之后固体1的示意剖视图。根据该实例，可识别出修改部9的4个区块，所述区块引起四个裂纹部分25、27、28、29。邻接于具有修改部9的区块，附图标记41、42、43、44和45分别表示不具有修改部9的区域或者与产生修改部9的区块的区域相比产生更少的修改部9的区域。
图9e示出如下状态，根据所述状态容纳层140，尤其具有聚合物材料的容纳层设置在表面5上或者在其上产生，激光射束经由所述表面进入到固体1中。容纳层140优选作为薄膜产生并且在其产生之后粘接到表面5上。然而同样可行的是，通过将液态聚合物施加到表面5上并且随后凝固来构成容纳层140。
图9f示意性地示出对容纳层140的温度处理。优选地，容纳层140被温度处理到，尤其被冷却到低于环境温度的温度上，尤其被冷却到低于20℃或者低于1℃或者低于0℃或者低于-10℃或者低于-50℃或者低于-100℃的温度上。其中，容纳层140的材料由于冷却而经受玻璃转化。优选地，对容纳层140进行温度处理借助于液氮来进行。由于温度处理，尤其由于玻璃转化，容纳层140收缩，由此在固体1中产生机械应力。由于机械应力，触发将裂纹部分25、27、28、29连接的裂纹，通过所述裂纹将固体部分12与固体1分开。
图10a示出在图9中示出的对容纳层140进行温度处理之后的视图。固体部分12借助于还设置在其上的容纳层140与固体1分开。
图10b示出将修改部9进入到剩余固体1中的再一次的步骤，所述剩余固体的长度至少减少了已经分开的固体层12。
图10c示意性地示出另一优选的设计方案。冷却装置3在此一方面与固体1耦联而另一方面与行进装置30耦联，尤其与X/Y行进装置或者旋转台耦联。行进装置30引起固体1的运动，由此该固体能够相对于周围环境和激光光学装置，尤其扫描仪以限定的方式运动。
图10d示出图10c的另一详细的示意图。行进装置30内部的圆形箭头表示：该行进装置是可旋转的。此外在固体1和冷却装置3之间设有耦联层，尤其粘接层。耦联层30在此优选构成为，使得所述耦联层在机械负荷和热负荷高时承受多个加工周期，尤其多于200个或者多于300个或者多于500个加工周期。此外，能够从该视图中得出：激光射束源401将激光射束优选沿着第一激光射束导体402导向光学装置40，从该处起激光射束借助于另一激光射束导体403到达扫描仪。然而在此替选地同样可以考虑的是：至少设有激光射束源401和扫描仪400。
图11示出冷却装置3。冷却装置3优选具有传导-支撑-结构，所述传导-支撑-结构优选通过工具载体，尤其夹盘形成。传导-支撑-结构优选具有圆形的基本形状。这是有利的，因为关于旋压工艺能够更容易地避免不平衡。此外，圆形的基本形状优选设有削平部95至98。这些削平部是有利的，因为它们允许或简化了粗对准和/或外部包饰(Kassettierung)。
优选地，冷却装置3，尤其冷却装置3的传导-支撑-结构具有良好的导热性。此外，冷却装置3优选具有阳极氧化铝，由此降低或者防止了磨蚀颗粒。这是有利的，因为由此提高了无尘室兼容性。此外，夹盘优选与分离过程是兼容的。
此外优选设有至少两个定向元件65至68。优选地，定向元件65至68构成为定向孔或者切口或者栓。定向元件65至68优选构成为用于力配合的和/或形状配合的旋转传递的带动件。优选地，定向元件65至68具有钢插件或者陶瓷插件，由此实现了高的抗磨损性。定向元件65至68优选用于使冷却装置3与行进装置30耦联。
此外，能够设有配合销，所述配合销例如能够构成为支顶器，由此例如可产生与传导-支撑-结构的力配合和/或形状配合。
此外优选地是，在冷却装置3上设有凹口、槽或者标记部76。该特征是有利的，因为由此可见固体定向，尤其铸块定向。关于固体，尤其关于铸块的取向的了解能够被充分利用，以便能够使借助于激光射束产生的修改部9匹配于晶体学的取向。
附图标记75纯示例性地表示可选的数据载体元件和/或数据传输元件和/或数据检测元件。优选地，通过附图标记75表示的元件构成为条形码和/或RFID元件和/或SAW传感器。这尤其允许集成到制造执行系统(MES)中。
此外，在传导-支撑-结构上或者在其中优选设有或者构成有用于传导冷却流体的冷却通道。一个或多个冷却通道78能够用于对固体1、冷却装置3和/或机器支架，尤其行进装置30进行温度处理。冷却流体，尤其液体能够经由入口77被输送到冷却通道78中并且经由出口79移除。固体1和冷却装置3之间的边界面或耦联层优选具有高的导热性，尤其具有如下导热性，所述导热性对应于固体1或者冷却装置3的导热性。附加地或替选地，冷却装置3能够经由空气边界面冷却。在行进装置30的转速高或者行进速度高时，围绕冷却装置3构成的空气层是非常薄的，由此热可非常良好地导出。
此外，优选将主动的温度处理装置集成到MES中。附加地或替选地，进行对不同的基底大小和厚度的过程监控。
优选地，在借助于按压牢固地进行支承或者在借助于例如中央的环密封件进行旋转时，进行对流体通道的密封。
附图标记69表示可选的传感器装置，所述传感器装置优选构成为温度传感器。优选地，传感器装置是SAW温度传感器。
图12示出优选用于产生修改部9的光学装置40、608。由此，根据本发明的方法优选同样包括提供光学装置40、608的步骤，其中光学装置608优选具有至少两个转向元件610、612，以使光射束部分616、618转向。光射束616、618优选通过激光射束源401产生和发射。此外，根据本发明的方法优选包括如下步骤：借助于转向元件610、612、613使被发射的光射束606的至少两个彼此不同的光射束部分616、618转向，其中光射束部分616、618转向为，使得所述光射束部分进入到固体1中，并且其中彼此不同的转向的光射束部分616、618在固体1内部的焦点620中会聚，并且通过在焦点620中会聚的光射束部分616、618产生物理的修改部9，尤其呈晶体缺陷形式的修改部，或者包括如下步骤：通过激光射束源或者辐射源装置401产生和发射至少两个光射束606。此外，根据本发明的方法优选包括如下步骤：借助于转向元件610、612、613使光射束606转向，其中光射束606转向为，使得所述光射束进入到固体1中，并且其中彼此不同的转向的光射束606在固体1内部的焦点620中会聚并且通过在焦点620中会聚的光射束(6)产生物理的修改部9，尤其呈晶体缺陷形式的修改部。
附加地可以考虑的是，至少一个发射的光射束606的至少两个彼此不同的光射束部分616、618，尤其多个发射的光射束的光射束部分，或者多个发射的光射束606，借助于转向元件610、612、613转向，其中光射束部分616、618或者光射束606转向为，使得它们进入到固体1中，并且其中彼此不同的转向的光射束部分616、618或者彼此不同的转向的光射束606在固体1内部的焦点620中会聚并且通过在焦点620中会聚的光射束部分616、618或者光射束606产生物理的修改部9，尤其呈晶体缺陷形式的修改部。
此外，按照根据本发明的方法，在多个同时产生的光射束606中，至少两个光射束606并且优选所有光射束606能够被划分为彼此不同的光射部分616、618，所述光射束部分经过尤其经过不同的路径并且在固体1的彼此间隔开的表面部分622、624处进入到固体1中，其中相应的光射束的光射束部分616、186借助于彼此不同的转向元件610、612、613转向。
光学装置608优选具有至少一个光射束分解机构633，尤其单向镜或者分束器，并且至少一个光射束606至少借助于光射束分解机构633分解为至少两个光射束部分616、618。优选地，光射束606借助于光射束分解机构633、尤其单向镜分解为至少两个光射束部分616、618，其中光射束部分616借助于至少两个转向元件610、612、613、尤其镜转向为，使得所述光射束部分与另一光射束部分618在固体1的内部中会聚，以形成焦点620来产生物理的修改部9。尤其优选的是，产生多个物理的修改部9，其中物理的修改部9优选形成或者描述物体的平面和/或轮廓和/或廓像和/或外部的造型。
至少一个由激光射束源401发射的光射束606优选由相干光构成，并且在焦点620中会聚的光射束部分616、618的光波优选具有相同的相位和相同的频率。
尤其优选地，至少一个光射束部分616、618或者至少一个光射束606通过构成为抛物面镜的转向元件610、612、613转向和聚焦。
此外，至少一个光射束部分616、618或者至少一个光射束606在转向和聚焦之前优选穿过转向元件610、612、613，尤其抛物面镜、射束成形装置，尤其一维望远镜，以改变焦点形状。
通过激光射束源401优选产生至少两个或者恰好两个光射束，其中光射束606根据固体1的材料的带隙以彼此不同的颜色产生，使得修改部9通过双光子过程产生。
优选地，通过第一光射束606产生第一激光场，其中第一光射束606具有如下光子，所述光子具有第一能量，并且通过第二光射束606优选构成第二激光场，其中第二激光射束606具有如下光子，所述光子具有第二能量，其中第一激光场弱于第二激光场，并且第一能量大于第二能量。
图13示出借助于两个激光射束或者两个激光射束部分产生修改部的示意图。修改部9在此优选具有小于50μm的并且优选小于30μm的并且尤其优选小于20μm的竖直扩展。
焦点620优选与固体1的进入表面626间隔开小于1000μm并且优选小于500μm并且尤其优选小于200μm，其中至少个别光射束部分616、618经由进入表面626进入到固体1中，以产生物理的修改部9。
焦点620优选在至少两个交叉的光射束部分630、632的叠加部分中产生，其中光射束部分630、632通过光射束部分616、618或者光射束606产生。
由此，描述了一种用于在固体中产生分离区域以将固体部分、尤其固体层从固体分离的方法，其中待分离的固体部分与减少了固体部分的固体相比更薄。根据本发明的方法在此优选至少包括下述步骤：提供待加工的固体，其中固体由化学化合物构成；提供激光光源源；对固体加载激光光源的激光辐射，其中激光射束经由待分开的固体部分的表面进入到固体中，其中激光辐射以限定的方式对固体的在固体内部中的预设部分进行温度处理，以构成一个分离区域或者多个子分离区域，其特征在于，在固体的预设部分中通过激光射束产生的温度高至以下程度：，使得构成所述预设部分的材料得到呈预定的物质转换部形式的修改部。
此外，描述了一种用于在固体中产生分离区域以将固体部分从固体分离的方法，所述方法至少包括下述步骤：提供待加工的固体，其中固体由化学化合物构成；提供激光光源；对固体加载激光光源的激光辐射，其中激光辐射以限定的方式对固体的在固体内部中的预设部分进行温度处理，以构成分离区域，其中在固体的预设部分中产生的温度高至以下程度：，使得构成所述预设部分的材料得到预定的物质转换部。
附图标记列表
1 固体
2 分离区域
4 激光射束
5 抛光的表面
6 固体中的激光射束
7 固体的下侧
8 焦点
9 修改部
10 第一固体部分
11 固体层
12 第二固体部分
17 基准长度
18 主表面
25 第一裂缝部分
27 第二裂纹部分
28 第三裂纹部分
29 第四裂纹部分
30 旋转台
31 外棱边和第一修改部区块之间的裂纹
32 两个修改部区块之间的裂纹
33 修改部区块和另一修改部区块或外棱边之间的裂纹
34 修改部区块和外棱边之间的裂纹
40 光学装置
41 不具有修改部区块的第一区域
42 不具有修改部区块的第二区域
43 不具有修改部区块的第三区域
44 不具有修改部区块的第四区域
45 不具有修改部区块的第五区域
51 未改变的物质
52 改变的物质
53 拉曼频谱
54 以％为单位的强度
56 以cm-1为单位的波长
61 未改变的物质部分的图形
62 改变的物质部分的图形
65 第一定向元件
66 第二定向元件
67 第三定向元件
68 第四定向元件
69 传感器机构
75 数据载体元件和/或数据传输元件
76 槽
77 流体入口
78 流体管道
79 流体出口
80 传导-支撑-结构
71 裂纹部分的第一端
72 裂纹部分的第二端
91 第一区块的修改部
92 第二区块的修改部
112 第二固体层
113 第三固体层
140 容纳层
150 温度处理流体
161 容纳层的变形方向
300 耦联层
400 扫描仪
401 激光射束源
402 激光射束导体
403 其它激光射束传导器
501 第一固体层的露出的表面
502 第二固体层的激光进入表面
503 第二固体层的露出的表面
504 第三固体层的激光进入表面
505 第三固体层的露出的表面
606 光射束
608 光学装置
610 第一转向元件
612 第二转向元件
613 第三转向元件
616 第一光射束部分
618 第二光射束部分
620 焦点
622 第一表面部分
624 第二表面部分
630 光射束部分
632 光射束部分
901 不具有修改部的第一场
902 不具有修改部的第二场
903 不具有修改部的第三场

Claims (15)

1.一种用于在固体(1)中产生分离区域(2)以从所述固体(1)分离固体部分(2)、尤其固体层(12)的方法，其中待分离的所述固体部分(12)与减少了所述固体部分(12)的固体相比更薄，所述方法至少包括下述步骤：
提供待加工的固体(1)，其中所述固体(1)由化学化合物构成；
提供激光光源；
对所述固体(1)加载所述激光光源的激光辐射，
其中所述激光射束经由待分离的所述固体部分(12)的表面(5)进入所述固体(1)中，
其中所述激光辐射以限定的方式对所述固体(1)的在所述固体(1)内部中的预设部分进行温度处理，以构成一个分离区域(2)或者多个子分离区域(25，27，28，29)，
其特征在于，
在所述固体(1)的所述预设部分中通过所述激光射束所产生的温度高至以下程度：使得构成所述预设部分的材料得到呈预定的物质转换部形式的修改部(9)。
2.根据权利要求1所述的方法，
其特征在于，
所述固体(1)由化学化合物、如碳化硅构成，其中所述化学化合物优选具有选自元素周期表的第三主族、第四主族和/或第五主族和/或元素周期表的第12副族的一种物质或多种物质。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述固体(1)经由固体表面(7)与冷却装置(3)连接，其中与所述冷却装置(3)连接的所述固体表面(7)以平行于或者基本平行于所所述表面(5)的方式构成，所述激光射束经由所述表面进入所述固体(1)中，
其中所述冷却装置(3)根据所述激光加载、尤其根据通过所述激光加载产生的对所述固体(1)进行的温度处理来运行。
4.根据权利要求3所述的方法，
其特征在于，
所述冷却装置(3)具有至少一个用于检测所述固体(1)的温度的传感器装置(69)，并且根据预设的温度曲线引起对所述固体(1)的冷却。
5.根据权利要求3或4所述的方法，
其特征在于，
所述冷却装置(3)耦联在旋转装置(30)上，并且所述冷却装置(3)与设置在其上的所述固体(1)在修改部产生期间借助于所述旋转装置(30)旋转，尤其以大于每分钟100转或者以大于每分钟200转或者以大于每分钟500转来旋转。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
每个通过所述激光辐射引起的物质转换是所述固体的材料的修改，
其中所述固体(1)相对于所述激光光源旋转，并且
每次旋转的、每cm2所述固体表面的修改部的数量低于预设的最大数量，所述激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生所述修改部，其中每cm2的并且每次旋转的所述修改部的最大数量优选根据所述固体材料和所述激光辐射的能量密度来确定，
和/或
在所述固体相对于所述激光光源依次旋转时，产生具有不同的图案，尤其是在各个新产生的所述修改部之间的间距；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生修改部，
和/或
所述激光光源构成为扫描仪，并且所述修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，
和/或
两个依次沿着修改部产生方向或者沿着所述固体的环周方向产生的所述修改部的中心之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，
和/或
依次沿着修改部产生方向或者沿着所述固体的环周方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
在所述固体(1)的至少两个不同的区域中，每cm2所产生的所述修改部(9)的数量不同，
其中在第一区域中产生第一区块(91)的修改线，其中每条线的各个修改(9)优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生，
并且
所述第一区块(91)的各个线以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生，
其中通过所述第一区块(91)的修改部(9)构成第一子分离区域(25)，
并且
在第二区域中产生第二区块(92)的修改线，其中每条线的各个修改部(9)优选以彼此间间隔开小于10μm，尤其小于5μm或者小于3μm或者小于1μm或者小于0.5μm的方式产生，
并且
所述第二区块(92)的各个线以彼此间间隔开小于20μm，尤其小于15μm或者小于10μm或者小于5μm或者小于1μm的方式产生，其中通过所述第二区块(92)的修改部(9)构成第二子分离区域(27)，
其中所述第一区域和所述第二区域通过第三区域彼此间隔开，其中在所述第三区域中不产生或者基本不产生借助于激光射束得到的修改部或者借助于激光射束产生相对于所述第一区域或第二区域每cm2更少的修改部，并且所述第一区域与所述第二区域间隔开大于20μm，尤其大于50μm或者大于100μm或者大于150μm或者大于200μm。
8.根据权利要求7所述的方法，
其特征在于，
至少在所述第一区块(91)中和所述第二区块(92)中以0.01μm和10μm之间的脉冲间距产生所述修改部(9)，和/或设有0.01μm和20μm之间的线间距，和/或设有16kHz和20MHz之间的脉冲重复频率。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
根据产生修改部(9)的地点调整光学装置(40)，借助于所述光学装置将所述激光射束从激光射束源(401)引导至所述固体(1)，由此引起数值孔径的至少一次改变，其中在所述固体(1)的边缘区域中的地点处的数值孔径比在所述固体(1)的更靠近所述固体(1)的中心的另一地点处的数值孔径更小。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述激光辐射在所述固体中产生修改部，尤其晶格缺陷，
其中所述固体(1)相对于所述激光光源旋转，并且
每次旋转的、每cm2所述固体表面的所述修改部的数量低于预设的最大数量，所述激光辐射穿过所述固体表面进入所述固体中以产生所述修改部，其中每cm2且每次旋转的所述修改部的最大数量优选根据所述固体材料和所述激光辐射的能量密度来确定，
和/或
所述固体相对于所述激光光源的依次旋转时产生具有不同的图案，尤其是各个新产生的所述修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生所述修改部，
和/或
所述激光光源构成为扫描仪，并且所述修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，
和/或
两个依次沿着修改部产生方向或者沿着所述固体的环周方向产生的所述修改部的中心之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，
和/或
依次沿着修改部产生方向或者沿着所述固体的环周方向产生的所述修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
每个通过所述激光辐射引起的物质转换部是所述固体的材料的修改部，
其中所述固体(1)相对于所述激光光源沿着XY方向平移运动，并且
每cm2所述固体表面的所述修改部的数量，激光辐射穿过所述固体表面进入固体中以产生所述修改部，其中每cm2的且根据沿着XY方向的平移运动的所述修改部的最大数量优选根据所述固体材料和/或所述激光辐射的能量密度来确定，
和/或
根据所述固体相对于所述激光光源沿着XY方向的平移运动产生具有不同的图案，尤其各个新产生的所述修改部之间的间距的修改部；和/或以改变的能量输入，尤其降低的能量输入产生所述修改部，
和/或
所述激光光源构成为扫描仪，并且所述修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，
和/或
两个依次沿着修改部产生方向产生的修改部的位移之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，
和/或
依次沿着修改部产生方向产生的修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其特征在于，
所述激光辐射在所述固体中产生修改部，尤其晶格缺陷，
其中所述固体(1)相对于所述激光光源平移运动，并且
每cm2所述固体表面的所述修改部的数量，所述激光辐射穿过所述固体表面进入所述固体中以产生所述修改部，其中每cm2且根据沿着XY方向的平移运动的所述修改部的最大数量优选根据所述固体材料和所述激光辐射的能量密度来确定，
和/或
所述固体相对于所述激光光源沿着XY方向的所述平移运动产生如下修改部，所述修改部具有：不同的图案，尤其各个新产生的所述修改部之间的间距；和/或改变的能量输入，尤其降低的能量输入，
和/或
所述激光光源构成为扫描仪，并且所述修改部的产生根据激光扫描方向、激光极化方向和晶格取向来进行，
和/或
两个依次沿着修改部产生方向产生的位移之间的间距小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm，
和/或
依次沿着修改部产生方向产生的所述修改部的外边界彼此间间隔开小于10000nm，尤其小于1000nm，尤其小于100nm。
13.一种用于将至少一个固体部分(12)与固体(1)、尤其晶片分开的方法，所述方法至少包括下述步骤：
将容纳层(140)设置在根据权利要求1至12中任一项所述的方法处理的固体(1)上，
对所述容纳层(140)进行热加载，以在所述固体(1)中尤其机械地产生裂纹扩展应力，其中通过所述裂纹扩展应力使裂纹在所述固体(1)中沿着所述分离区域扩展。
14.根据权利要求13所述的方法，
其特征在于，
在将所述固体部分(12)分开之后，重新对剩余固体(1)加载所述激光光源的激光辐射，
其中所述激光辐射以限定的方式对所述剩余固体(1)在所述固体(1)的内部中的预设部分进行温度处理，以及
在所述固体(1)的所述预设部分中产生的温度高至以下程度：使得构成所述预设部分的材料经由预定的物质转换。
15.根据权利要求13或14所述的方法，
其特征在于，
对所述容纳层(140)进行热加载包括：将所述容纳层(140)冷却到低于20℃的温度上，尤其低于10℃或者0℃的温度上，或者低于-10℃的温度上或者低于-100℃或者低于-125℃的温度上，或者冷却到低于容纳层(140)的材料的玻璃转化温度的温度上。
CN201580073507.2A 2015-01-15 2015-11-27 借助于物质转换进行的固体分离 Active CN107107262B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110994659.3A CN113770564A (zh) 2015-01-15 2015-11-27 在固体中产生分离区域的方法和从固体中分离出固体部分的方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015000449.2A DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2015-01-15 Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
DE102015000449.2 2015-01-15
PCT/EP2015/077979 WO2016113030A2 (de) 2015-01-15 2015-11-27 Festkörperteilung mittels stoffumwandlung

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110994659.3A Division CN113770564A (zh) 2015-01-15 2015-11-27 在固体中产生分离区域的方法和从固体中分离出固体部分的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107107262A true CN107107262A (zh) 2017-08-29
CN107107262B CN107107262B (zh) 2021-09-21

Family

ID=54782683

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580073507.2A Active CN107107262B (zh) 2015-01-15 2015-11-27 借助于物质转换进行的固体分离
CN202110994659.3A Pending CN113770564A (zh) 2015-01-15 2015-11-27 在固体中产生分离区域的方法和从固体中分离出固体部分的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110994659.3A Pending CN113770564A (zh) 2015-01-15 2015-11-27 在固体中产生分离区域的方法和从固体中分离出固体部分的方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20180133834A1 (zh)
EP (2) EP4234148A3 (zh)
CN (2) CN107107262B (zh)
DE (1) DE102015000449A1 (zh)
WO (1) WO2016113030A2 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015000449A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
KR20200006641A (ko) * 2014-11-27 2020-01-20 실텍트라 게엠베하 재료의 전환을 이용한 고체의 분할
JP6698468B2 (ja) * 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10940611B2 (en) 2018-07-26 2021-03-09 Halo Industries, Inc. Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) * 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
DE102019208024A1 (de) * 2019-06-03 2020-12-03 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Rückseite eines Leistungstransistors und Leistungstransistor

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155069A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Saitama Univ 基板加工方法
CN102325717A (zh) * 2008-12-23 2012-01-18 西尔特克特拉有限责任公司 生产具有结构化表面的薄的、独立式固态材料层的方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
WO2013126927A2 (en) * 2012-02-26 2013-08-29 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
CN103380482A (zh) * 2011-02-10 2013-10-30 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
CN103459082A (zh) * 2010-11-29 2013-12-18 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 用垂直于分离面的激光束分离半导体晶体的表面层的方法
JP2014042921A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5714306A (en) * 1990-09-26 1998-02-03 Canon Kabushiki Kaisha Processing method and apparatus
JPH06124913A (ja) 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
DE19849658A1 (de) * 1998-10-29 2000-05-04 Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt Verfahren und Einrichtung zum Ablösen eines Ausschnittes einer Materialschicht
US7052978B2 (en) * 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
US20080070340A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Nicholas Francis Borrelli Image sensor using thin-film SOI
AU2008325223A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-14 President And Fellows Of Harvard College Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer
CN101740331B (zh) 2008-11-07 2012-01-25 东莞市中镓半导体科技有限公司 利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法
US8432021B2 (en) * 2009-05-26 2013-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate
DE102010030358B4 (de) * 2010-06-22 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6004339B2 (ja) 2011-02-10 2016-10-05 信越ポリマー株式会社 内部応力層形成単結晶部材および単結晶基板製造方法
JP5950269B2 (ja) 2011-02-10 2016-07-13 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法及び基板
JP5722127B2 (ja) 2011-06-07 2015-05-20 株式会社小松製作所 作業車両の周辺監視装置
RU2469433C1 (ru) 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP2013046924A (ja) 2011-07-27 2013-03-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP5843393B2 (ja) 2012-02-01 2016-01-13 信越ポリマー株式会社 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法
JP6044919B2 (ja) * 2012-02-01 2016-12-14 信越ポリマー株式会社 基板加工方法
JP5995045B2 (ja) 2012-02-06 2016-09-21 信越ポリマー株式会社 基板加工方法及び基板加工装置
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
WO2014113503A1 (en) * 2013-01-16 2014-07-24 QMAT, Inc. Techniques for forming optoelectronic devices
DE112014001676T5 (de) 2013-03-27 2015-12-24 Hamamatsu Photonics K.K. Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
DE102013007672A1 (de) 2013-05-03 2014-11-06 Siltectra Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
CN103380842B (zh) 2013-08-09 2015-03-18 山西省农业科学院经济作物研究所 利用绿豆全株粉制备保健早茶的方法
JP6531885B2 (ja) 2013-10-07 2019-06-19 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
DE102014013107A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren
DE102015000449A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
KR20200006641A (ko) 2014-11-27 2020-01-20 실텍트라 게엠베하 재료의 전환을 이용한 고체의 분할

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102325717A (zh) * 2008-12-23 2012-01-18 西尔特克特拉有限责任公司 生产具有结构化表面的薄的、独立式固态材料层的方法
JP2011155069A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Saitama Univ 基板加工方法
CN103459082A (zh) * 2010-11-29 2013-12-18 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔 用垂直于分离面的激光束分离半导体晶体的表面层的方法
CN103380482A (zh) * 2011-02-10 2013-10-30 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
WO2013126927A2 (en) * 2012-02-26 2013-08-29 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP2014042921A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200262008A1 (en) 2020-08-20
EP3253529B1 (de) 2023-04-26
WO2016113030A3 (de) 2016-09-09
US11014199B2 (en) 2021-05-25
US10661392B2 (en) 2020-05-26
US20180133834A1 (en) 2018-05-17
DE102015000449A1 (de) 2016-07-21
US20200061752A1 (en) 2020-02-27
EP4234148A3 (de) 2023-10-18
EP3253529A2 (de) 2017-12-13
WO2016113030A2 (de) 2016-07-21
EP4234148A2 (de) 2023-08-30
CN107107262B (zh) 2021-09-21
CN113770564A (zh) 2021-12-10
WO2016113030A4 (de) 2016-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107107262A (zh) 借助于物质转换进行的固体分离
CN108838562A (zh) 借助于材料转化的固体分开
US11527441B2 (en) Method for producing a detachment area in a solid body
CN106531623B (zh) 加工衬底的方法
CN107427958A (zh) 借助于激光束连续地处理固体的设备和方法
JP6818273B2 (ja) 基板加工方法
CN107206626B (zh) 不平坦的晶片和用于制造不平坦的晶片的方法
CN106041330A (zh) 用于制造固体层的方法和设备以及根据该方法制造的晶片
JP2015123466A (ja) 基板加工装置及び基板加工方法
JP2016043401A (ja) 基板加工方法及び基板
CN110945630B (zh) 层叠型元件的制造方法
KR20010016934A (ko) 소자 일괄 제조용 지그 및 이를 이용한 소자 일괄 제조방법
CN107799406B (zh) 用于加工晶片的方法和用于加工载体的方法
KR102535989B1 (ko) 적층형 소자의 제조 방법
JP2011171382A (ja) 分割方法
Onuki et al. Micro Raman Tomographic Imaging on Laser Beam Internal Damage into Sapphire for Laser Cleaving Process

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant