CN107093610A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107093610A CN107093610A CN201710374501.XA CN201710374501A CN107093610A CN 107093610 A CN107093610 A CN 107093610A CN 201710374501 A CN201710374501 A CN 201710374501A CN 107093610 A CN107093610 A CN 107093610A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive part
- protection portion
- metal
- array base
- base palte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 146
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- VTLYHLREPCPDKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-3-(2,3-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C(=C(Cl)C=CC=2)Cl)=C1Cl VTLYHLREPCPDKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请公开阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，阵列基板包括基板和依次设置在基板上的第一金属层、第二金属层及第三金属层，还包括：显示区域，包括栅极线、数据线及触控走线，栅极线设置在第一金属层，数据线设置在第二金属层，触控走线设置在第三金属层；非显示区域，围绕显示区域设置，非显示区域包括绑定区，在绑定区设置有多个彼此绝缘的金属衬垫，金属衬垫用于与柔性电路板电连接；每个金属衬垫包括第一导电部和第一保护部，第一导电部设置在第二金属层，第一保护部设置在第三金属层，第一保护部位于第一导电部背离基板一侧的表面并与第一导电部电连接。如此方式将第一导电部进行了保护，有利于提升绑定区的抗拉能力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示器，具备机身轻薄、节省空间、省电、低辐射、画面柔和等优点，已逐渐在人们的工作和生活中普及。
通常，在显示器的基板400上会设定一个绑定区，图1所示为现有技术中位于显示器基板的绑定区的一种截面图，图2所示为现有技术中位于显示区基板的显示区的一种截面图。绑定区上设置有多个电连接部，柔性电路板通过该绑定区绑定到基板上，与绑定区上的电连接部电连接，其中电连接部通常通过第一连接金属401与柔性电路板电连接，第一连接金属401通常设置在显示器的第二金属层411，构成材料通常会包括Al。为节约生产流程，通常会将绑定区的构成部分的制作过程与显示器显示区的各构成部分的制作过程同时进行，在绑定区形成第一连接金属401后，会在第一连接金属所在的第二金属层411之上形成一层平坦化膜层412，然后再在平坦化膜层412之上形成第三金属层413，第三金属层413的构成材料通常也会包括Al。为实现绑定区的第一连接金属401与柔性电路板之间的电连接，通常会将第一连接金属401所在的第二金属层411之上的平坦化膜层412和第三金属层413进行刻蚀，以将第一连接金属401裸露出来。平坦化膜层412一般为有机膜，通常采用干刻的方法进行刻蚀，该刻蚀过程不会对第一连接金属401造成影响；由于第三金属层413中包含Al，对第三金属层413的刻蚀通常会采用湿刻的方式用酸性溶液来进行刻蚀，使得酸性溶液与Al发生反应进而达到刻蚀的效果。考虑到第一连接金属401的构成材料中也包括Al，在采用湿刻的方式对第三金属层413进行刻蚀的过程中，酸性溶液难免会与第一连接金属401中的Al发生反应，从而导致第一连接金属401出现被腐蚀的现象，第一连接金属401被腐蚀会大大降低与柔性电路板电连接的绑定区的的抗拉能力。
发明内容
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种显示面板及显示装置，将绑定区的第一导电部进行了保护，有利于提升绑定区的抗拉能力。
为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：
第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：基板和依次设置在所述基板上的第一金属层、第二金属层及第三金属层，其特征在于，包括：
显示区域，包括栅极线、数据线及触控走线，所述栅极线设置在所述第一金属层，所述数据线设置在所述第二金属层，所述触控走线设置在所述第三金属层；
非显示区域，围绕所述显示区域设置，所述非显示区域包括绑定区，在所述绑定区设置有多个彼此绝缘的金属衬垫，所述金属衬垫用于与柔性电路板电连接；每个所述金属衬垫包括第一导电部和第一保护部，所述第一导电部设置在所述第二金属层，所述第一保护部设置在所述第三金属层，所述第一保护部位于所述第一导电部背离所述基板一侧的表面并与所述第一导电部电连接。
可选地，其中：
所述第一保护部覆盖在所述第一导电部的表面并延拓至所述第一导电部的侧面。
可选地，其中：
所述第一导电部在所述基板上的正投影具有第一边界，所述第一保护部在所述基板上的正投影具有第二边界，所述第一边界与所述第二边界之间的最短距离为D，5≤D≤15um。
可选地，其中：
D＝10um。
可选地，其中：
所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述第三金属层背离所述第二金属层的表面；
所述金属衬垫还包括第二保护部，所述第二保护部设置于所述钝化层；
所述第二保护部覆盖所述第一保护部的部分表面并延拓至所述第一保护部的侧面。
可选地，其中：
所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层位于所述钝化层背离所述第三金属层的表面；
所述金属衬垫还包括第二导电部，所述第二导电部设置于所述像素电极层；
所述第二导电部覆盖在所述第一保护部的剩余表面和所述第二保护部的表面并延拓至所述第二保护部的侧面。
可选地，其中：
所述柔性电路板通过热熔胶绑定在所述第二导电部的表面。
可选地，其中：
所述热熔胶中掺杂有导电颗粒，所述柔性电路板通过所述导电颗粒与所述金属衬垫电连接。
可选地，其中：
所述第二金属层为三层结构，包括依次设置的第一钛层、第一铝层和第二钛层。
可选地，其中：
所述第三金属层为三层结构，包括依次设置的第一钼层、第二铝层和第二钼层。
可选地，其中：
所述金属衬垫还包括支撑部，所述支撑部设置在所述第一金属层，所述支撑部位于所述基板与所述第一导电部之间。
第二方面，本申请提供一种显示面板，包括本申请中的阵列基板。
第三方面，本申请提供一种显示装置，包括本申请中的显示面板。
与现有技术相比，本申请所述的显示面板及显示装置，达到了如下效果：
本发明所提供的阵列基板、显示面板及显示装置，在阵列基板的绑定区的第一导电部背离基板一侧的表面设置第一保护部，利用第一保护部将第一导电部进行保护，避免第一导电部受到外界因素的腐蚀而损坏，同时也有利于提高阵列基板绑定区的抗拉能力。而且，本申请中的第一保护部与第一导电部电连接，柔性电路板可通过第一保护部与第一导电部电连接，因此即使为第一导电部增加了起保护作用的第一保护部也不会影响柔性电路板与第一导电部之间的信号传输。另外，本申请将第一导电部设置在第二金属层，将第一保护部设置在第三金属层，在生产过程中，在形成第二金属层和第三金属层的同时即可完成绑定区中第一导电部和第一保护部的制作，无需单独制作第一导电部和第一保护部，从而有利于节约制程，提高本申请阵列基板的生产效率。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1所示为现有技术中位于显示器基板的绑定区的一种截面图；
图2所示为现有技术中位于显示区基板的显示区的一种截面图；
图3所示为本申请所提供的阵列基板的第一种俯视图；
图4为图3所示阵列基板的显示区域的一种截面图；
图5所示为本申请所提供的阵列基板的第二种俯视图；
图6所示为本申请所提供的阵列基板的绑定区的一种俯视图；
图7所示为本申请所提供阵列基板的绑定区绑定柔性电路板的示意图；
图8所示为本申请所提供的阵列基板的绑定区中一个金属衬垫的一种截面图；
图9所示为本申请所提供的阵列基板绑定区的一个金属衬垫中第一导电部和第一保护部在基板上的正投影示意图；
图10所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
图3所示为本申请所提供的阵列基板的第一种俯视图，图4为图3所示阵列基板的显示区域的一种截面图，图5所示为本申请所提供的阵列基板的第二种俯视图，图6所示为本申请所提供的阵列基板的绑定区的一种俯视图，图7所示为本申请所提供阵列基板的绑定区绑定柔性电路板的示意图，图8所示为本申请所提供的阵列基板的绑定区中一个金属衬垫的一种截面图。结合图3-图8，本申请提供一种阵列基板100，包括：基板20和依次设置在基板20上的第一金属层21、第二金属层22及第三金属层23，参见图4，具体还包括：
显示区域11，包括栅极线25、数据线24及触控走线26，参见图5，栅极线25设置在第一金属层21，数据线24设置在第二金属层22，触控走线26设置在第三金属层23；
非显示区域12，围绕显示区域11设置，参见图3，非显示区域12包括绑定区30，在绑定区30设置有多个彼此绝缘的金属衬垫31，参见图6，金属衬垫31用于与柔性电路板40电连接，参见图7；参见图8，每个金属衬垫31包括第一导电部51和第一保护部61，第一导电部51设置在第二金属层22，第一保护部61设置在第三金属层23，第一保护部61位于第一导电部51背离基板一侧的表面并与第一导电部51电连接。
具体请参见图6和图8，本申请在绑定区30的第一导电部51背离基板一侧的表面设置第一保护部61，利用第一保护部61将第一导电部51进行保护，相当于是在现有技术的基础上保留了位于绑定区的如图2中的第三金属层413(相当于本申请中的第一保护部61)和如图1中的第一连接金属401(相当于本申请中的第一导电部51)，不对位于如图1中的第一连接金属401之上的第三金属层413进行刻蚀，而是仅将现有技术中(参见图2)位于第二金属层411和第三金属层413之间的平坦化膜层412进行刻蚀，由于对平坦化膜层412的刻蚀过程采用干刻的方式进行，因此不会对本申请第一保护部61造成影响，因此本申请中保留第一保护部61不对其进行刻蚀，有利于避免刻蚀过程中的酸性溶液与第一导电部51发生反应而导致第一导电部61发生腐蚀，因此有利于提高阵列基板100绑定区30的抗拉能力。而且，本申请中的第一保护部61与第一导电部51电连接，柔性电路板40可通过第一保护部61与第一导电部51电连接，因此即使为第一导电部51增加了起保护作用的第一保护部61也不会影响柔性电路板40与第一导电部51之间的信号传输。另外，本申请将第一导电部51设置在第二金属层22，将第一保护部61设置在第三金属层23，在生产过程中，在形成第二金属层22和第三金属层23的同时即可完成绑定区30中第一导电部51和第一保护部61的制作，无需单独制作第一导电部51和第一保护部61，从而有利于节约制程，提高本申请阵列基板100的生产效率。
需要说明的是，图6所示实施例仅示意性的说明绑定区30中金属衬垫31的一种排布形式，在实际应用中可根据实际情况灵活调整金属衬垫31的排布方式及数量，本申请对此不作限定。
可选地，本申请金属衬垫31中的第一保护部61覆盖在第一导电部51的表面并延拓至第一导电部51的侧面，具体请参见图8，第一保护部61除将第一导电部51背离基板的表面进行覆盖外，还将第一导电部51的侧面也进行了覆盖，也就是说，在实际生产过程中，仅仅将现有技术即图2中位于绑定区的第二金属层411和第三金属层413之间的平坦化膜层412进行刻蚀，不仅保留第一导电部51背离基板的表面的第一保护部61(对应现有技术中如图1和图2所示的位于绑定区第二金属层411的第一连接金属401)，还将位于第一导电部51侧面的第一保护部61也一并保留，完全不对绑定区的第一保护部61(对应现有技术图2中的绑定区的第三金属层413)进行刻蚀，因此从根本上避免了第一导电部51与酸性溶液发生反应的可能，第一保护部61将第一导电部51完全包裹，使第一导电部51没有任何部分裸露在外面，从而使得第一导电部51完全与外界隔离，进一步避免了第一导电部51受外界环境的影响而发生腐蚀或损毁的现象，同时也进一步提升了阵列基板100绑定区30的抗力能力。
可选地，图9所示为本申请所提供的阵列基板绑定区的一个金属衬垫中第一导电部和第一保护部在基板上的正投影示意图，从图9所示实施例可看出，第一导电部51在基板上的正投影具有第一边界58，第一保护部61在基板上的正投影具有第二边界68，第一边界58与第二边界68之间的最短距离为D，5≤D≤15um。也就是说，第一保护部61将第一导电部51的表面完全覆盖后，还对第一导电部51的侧面进行了覆盖，而且第一保护部61对第一导电部51覆盖后超出第一导电部51边缘的尺寸为5≤D≤15um。将第一保护部61超出第一导电部51的边缘的尺寸取为5≤D≤15um，既能保证第一保护部61将第一导电部51完全覆盖，使得第一导电部51完全与外界隔绝，避免第一导电部51受到外界因素的腐蚀影响，又能确保延拓至第一导电部51侧面的第一保护部61不会与相邻金属衬垫中的第一保护部61发生接触而电连接，保证柔性电路板能够与各金属衬垫之间正常电连接。
可选地，请继续参见图9，本申请各金属衬垫中，第一保护部61对第一导电部51覆盖后超出第一导电部51边缘的尺寸为D＝10um。将第一保护部61超出第一导电部51的边缘的尺寸取为10um时，各个金属衬垫之间将会留有一定的空隙，不会发生短路，能够确保柔性电路板与各金属衬垫之间正常电连接，而且第一保护部61还能降第一导电部51完全覆盖，使第一导电部51完全与外部隔绝，有效避免第一导电部51受外界因素的影响而发生腐蚀或损毁的现象，大大提升了阵列基板绑定区的抗拉能力。
可选地，请参见图4和图8，从图4所示实施例可看出，阵列基板100还包括钝化层27，钝化层27位于第三金属层23背离第二金属层22的表面；从图8可看出，金属衬垫31还包括第二保护部62，第二保护部62设置于钝化层27；第二保护部62覆盖第一保护部61的部分表面并延拓至第一保护部61的侧面。本申请在第一保护部61的基础上引入了第二保护部62，而且第二保护部62除覆盖第一保护部61的部分表面外还覆盖了第一保护部61的侧面，现有技术中的技术方案，参见图1和图2，第一连接金属401很容易与刻蚀绑定区第三金属层413的过程中所使用的酸性溶液发生反应，使得第一连接金属401出现腐蚀现象，对应到本申请中，若第一导电部51出现了腐蚀现象，覆盖第一导电部51的第二保护部62与第一导电部51之间将会出现裂缝，二者之前的粘附力将大大降低，从而会大大降低绑定区的抗拉能力。而本申请通过保留第一保护部61，不对第一保护部61进行刻蚀，避免了第一导电部51与酸性溶液发生反应的现象，从而避免了第一导电部51被腐蚀的可能，如此第一导电部51与第二保护部62之间将不会出现裂缝，第一导电部51与第二保护部62之间的粘附力将得到增强，在受到外界拉力时，柔性电路板与绑定区的连接将更加稳固，因此大大增加了本申请绑定区与柔性电路板之间的抗拉能力。此外，本申请将第二保护部62设置于钝化层27，在生产过程中，在形成钝化层27的同时即可完成第二保护部62的制作，无需加入单独制作第二保护部62的流程，因此节约了生产流程，有利于提高阵列基板的生产效率。
需要说明的是，本申请中的钝化层可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。
可选地，请继续参见图4和图8，从图4所示实施例可看出阵列基板100还包括像素电极层28，像素电极层28位于钝化层27背离第三金属层23的表面；从图8所示实施例可看出，金属衬垫31还包括第二导电部52，第二导电部52设置于像素电极层28；第二导电部52覆盖在第一保护部61的剩余表面和第二保护部62的表面并延拓至第二保护部62的侧面。本申请将第二导电部52设置于像素电极层28，并且覆盖第一保护部61的剩余表面，这样第二导电部52就能与第一保护部61电连接，进一步可与第一导电部51电连接。柔性电路板可通过该第二导电部52实现与第一导电部51的电连接及信号传输。另外，将第二导电部52设置于像素电极层28，在生产过程中，在形成像素电极层28的同时即可完成第二导电部52的制作，无需单独制作第二导电部52，节约了生产流程，同时也有利于提高阵列基板的生产效率。
本申请中的像素电极层可以由各种导电材料形成，例如，像素电极层可以根据它的用途形成为透明电极或反射电极。当像素电极层形成为透明电极时，第一电极可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等，当像素电极层形成为反射电极时，反射层可以由Ag、镁(Mg)、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、铱(Ir)、Cr或者它们的混合物形成，并且ITO、IZO、ZnO或In2O3等可以形成在该反射层上。
可选地，柔性电路板40通过热熔胶绑定在第二导电部52的表面。柔性电路板上可设置有与绑定区的各金属衬垫一一对应的电连接部，各电连接部分别通过热熔胶绑定在金属衬垫上，如此则将柔性电路板绑定在了阵列基板的绑定区上。
可选地，上述热熔胶中掺杂有导电颗粒，柔性电路板通过导电颗粒与金属衬垫电连接。通常，柔性电路板上的电连接部呈凸起状，热熔胶中掺杂的导电颗粒在受压的情况下才能发挥导电作用，当将柔性电路板通过热熔胶绑定到阵列基板上的绑定区后，对柔性电路板进行施压时，柔性电路板上凸起状的电连接部将会对热熔胶中的导电颗粒施压，使得导电颗粒发挥导电作用，从而实现电连接部与金属衬垫中的第二导电部的电连接，由于第二导电部与第一保护部和第一导电部三者电连接，因此，柔性电路板通过其电连接部与金属衬垫中的第一导电部实现了电连接。
可选地，本申请中的第二金属层为三层结构，包括依次设置的第一钛层、第一铝层和第二钛层，由于第一导电部设置在第二金属层，因此第一导电部与第二金属层的构成相同。现有技术中在将阵列基板的绑定区如图2所示的第三金属层413进行刻蚀的过程中，由于第二金属层411上未设置有保护部，位于绑定区的第二金属层411中的第一铝层将会存在被腐蚀的风险，当绑定区的第二金属层411中的第一铝层被腐蚀时，对应到本申请，参见图8，若未设置第一保护部61，第一导电部51中的第一铝层将会通过第一导电部51的侧面与第二保护部62直接接触，若第一导电部51中的第一铝层与酸性溶液发生反应而被腐蚀时，第一导电部51的侧面与第二保护部62之间将会产生裂缝，大大降低了第一导电部51与第二保护部62之间的粘附力，由于第一导电部51与第二保护部62之间的粘附力降低，在受到外界拉力时，柔性电路板将很容易从绑定区脱落，因此大大降低了绑定区的抗拉能力。而本申请在阵列基板绑定区的第一导电部51的表面设置了第一保护部61，第一保护部61将第一导电部51覆盖，不对第一保护部61进行刻蚀，有效避免了第一导电部51中的第一铝层与刻蚀所用的酸性溶液发生反应而被腐蚀的现象，而且第一保护部61和第二保护部62之间可靠粘附，因此有利于提升阵列基板绑定区的抗拉能力。
可选地，本申请中的第三金属层为三层结构，包括依次设置的第一钼层、第二铝层和第二钼层。由于本申请金属衬垫中的第一保护部设置在第三金属层，因此与第三金属层结构相同。采用此种结构形成本申请中的第一保护部，不仅能与第一导电部电连接，还能将第一导电部进行覆盖，避免外界因素对第一导电部造成腐蚀影响。
可选地，请参见图8，本申请中的金属衬垫31还包括支撑部70，支撑部70设置在第一金属层21，支撑部70位于基板20与第一导电部51之间。在第一导电部51与基板20之间设置支撑部70，能够将第一导电部51以及位于第一导电部51之上的第一保护部61、第二保护部62和第二导电部52垫高，此种垫高设置更加有利于实现柔性电路板与金属衬垫31的电连接；此外，本申请将支撑部70设置在第一金属层21，在生产过程中，在形成第一金属层21的同时即可完成支撑部70的制作，节约了生产流程，有利于提高阵列基板的生产效率。
基于同一发明构思，本申请还提供一种显示面板，包括本申请实施例中的阵列基板。本申请显示面板的实施例可参见上述阵列基板的实施例，重复之处此处不再赘述。
可选地，图10所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图。基于同一发明构思，本申请还提供一种显示装置300，包括本申请中的显示面板200。本申请所提供的显示装置300可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本申请中显示装置300的实施例可参见上述显示面板的实施例，重复之处此处不再赘述。
通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：
本发明所提供的阵列基板、显示面板及显示装置，在阵列基板的绑定区的第一导电部背离基板一侧的表面设置第一保护部，利用第一保护部将第一导电部进行保护，避免第一导电部受到外界因素的腐蚀而损坏，同时也有利于提高阵列基板绑定区的抗拉能力。而且，本申请中的第一保护部与第一导电部电连接，柔性电路板可通过第一保护部与第一导电部电连接，因此即使为第一导电部增加了起保护作用的第一保护部也不会影响柔性电路板与第一导电部之间的信号传输。另外，本申请将第一导电部设置在第二金属层，将第一保护部设置在第三金属层，在生产过程中，在形成第二金属层和第三金属层的同时即可完成绑定区中第一导电部和第一保护部的制作，无需单独制作第一导电部和第一保护部，从而有利于节约制程，提高本申请阵列基板的生产效率。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (13)
1.一种阵列基板，包括：基板和依次设置在所述基板上的第一金属层、第二金属层及第三金属层，其特征在于，包括：
显示区域，包括栅极线、数据线及触控走线，所述栅极线设置在所述第一金属层，所述数据线设置在所述第二金属层，所述触控走线设置在所述第三金属层；
非显示区域，围绕所述显示区域设置，所述非显示区域包括绑定区，在所述绑定区设置有多个彼此绝缘的金属衬垫，所述金属衬垫用于与柔性电路板电连接；每个所述金属衬垫包括第一导电部和第一保护部，所述第一导电部设置在所述第二金属层，所述第一保护部设置在所述第三金属层，所述第一保护部位于所述第一导电部背离所述基板一侧的表面并与所述第一导电部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第一保护部覆盖在所述第一导电部的表面并延拓至所述第一导电部的侧面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述第一导电部在所述基板上的正投影具有第一边界，所述第一保护部在所述基板上的正投影具有第二边界，所述第一边界与所述第二边界之间的最短距离为D，5≤D≤15um。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：D＝10um。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述第三金属层背离所述第二金属层的表面；
所述金属衬垫还包括第二保护部，所述第二保护部设置于所述钝化层；
所述第二保护部覆盖所述第一保护部的部分表面并延拓至所述第一保护部的侧面。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层位于所述钝化层背离所述第三金属层的表面；
所述金属衬垫还包括第二导电部，所述第二导电部设置于所述像素电极层；
所述第二导电部覆盖在所述第一保护部的剩余表面和所述第二保护部的表面并延拓至所述第二保护部的侧面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述柔性电路板通过热熔胶绑定在所述第二导电部的表面。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述热熔胶中掺杂有导电颗粒，所述柔性电路板通过所述导电颗粒与所述金属衬垫电连接。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层为三层结构，包括依次设置的第一钛层、第一铝层和第二钛层。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第三金属层为三层结构，包括依次设置的第一钼层、第二铝层和第二钼层。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述金属衬垫还包括支撑部，所述支撑部设置在所述第一金属层，所述支撑部位于所述基板与所述第一导电部之间。
12.一种显示面板，包括权利要求1-11之任一所述的阵列基板。
13.一种显示装置，包括权利要求12所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710374501.XA CN107093610B (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710374501.XA CN107093610B (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107093610A true CN107093610A (zh) | 2017-08-25 |
| CN107093610B CN107093610B (zh) | 2020-09-25 |
Family
ID=59640327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710374501.XA Active CN107093610B (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107093610B (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109491159A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-19 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN110018597A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-07-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110032298A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 苏州欧菲光科技有限公司 | 电容式触摸屏及其制作方法 |
| CN110109300A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN111045533A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 致伸科技股份有限公司 | 触控板模块以及具有触控板模块的电子计算机 |
| CN111725436A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111769080A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN112542086A (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-23 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114185210A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1753030A2 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-14 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
| CN102569340A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
| CN103985718A (zh) * | 2008-09-19 | 2014-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| US20140225071A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Se-Hun Park | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US20150171152A1 (en) * | 2011-06-28 | 2015-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| CN103091914B (zh) * | 2011-11-03 | 2016-01-20 | 乐金显示有限公司 | 边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法 |
| US20160020422A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| CN105278187A (zh) * | 2014-06-24 | 2016-01-27 | 乐金显示有限公司 | 集成有触摸屏面板的显示装置及其制造方法 |
| US20160247870A1 (en) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same |
| CN106229310A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-12-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
-
2017
- 2017-05-24 CN CN201710374501.XA patent/CN107093610B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1753030A2 (en) * | 2005-08-11 | 2007-02-14 | Samsung SDI Co., Ltd. | Flat panel display and method of manufacturing the same |
| CN103985718A (zh) * | 2008-09-19 | 2014-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN102569340A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-11 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示设备及其制造方法 |
| US20150171152A1 (en) * | 2011-06-28 | 2015-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| CN103091914B (zh) * | 2011-11-03 | 2016-01-20 | 乐金显示有限公司 | 边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法 |
| US20140225071A1 (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Se-Hun Park | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN105278187A (zh) * | 2014-06-24 | 2016-01-27 | 乐金显示有限公司 | 集成有触摸屏面板的显示装置及其制造方法 |
| US20160020422A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| US20160247870A1 (en) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same |
| CN106229310A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-12-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110032298A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 苏州欧菲光科技有限公司 | 电容式触摸屏及其制作方法 |
| CN111045533A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 致伸科技股份有限公司 | 触控板模块以及具有触控板模块的电子计算机 |
| CN109491159A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-19 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN109491159B (zh) * | 2018-11-21 | 2022-02-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN110018597B (zh) * | 2019-03-18 | 2022-01-07 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110018597A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-07-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110109300A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN110109300B (zh) * | 2019-04-23 | 2021-12-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN112542086A (zh) * | 2019-09-23 | 2021-03-23 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111725436A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111769080A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN111769080B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN114185210A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107093610B (zh) | 2020-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107093610A (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| US9377654B2 (en) | System for display images | |
| CN106847774B (zh) | 一种显示面板及显示面板的制备方法 | |
| CN102854664B (zh) | 影像显示系统 | |
| CN104698636A (zh) | 一种显示面板和电子设备 | |
| TW200411266A (en) | Touch panel liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| CN105158964B (zh) | 液晶面板、液晶显示器及电子设备 | |
| US9563082B2 (en) | Display panel and display device comprising the same | |
| CN101900898B (zh) | 光电池整合液晶显示器及光电池整合平面显示器 | |
| CN205485145U (zh) | 一种显示面板和电子设备 | |
| US9899629B2 (en) | Organic light-emitting diode display panel and display apparatus | |
| CN103474436A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2013029767A (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN208284480U (zh) | 显示基板、显示装置 | |
| CN101833905A (zh) | 一种面板装置 | |
| CN105912167A (zh) | 一种触控模组及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN110187792A (zh) | 触控显示设备、触控传感器、触控模组及制备方法 | |
| CN101800008A (zh) | 面板装置 | |
| CN108535927A (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
| CN203480178U (zh) | 阵列基板和显示装置 | |
| CN207676908U (zh) | 一种柔性显示面板及显示装置 | |
| CN204009842U (zh) | 触控显示面板 | |
| CN109256413A (zh) | 柔性显示面板及装置 | |
| CN101989018B (zh) | 薄膜晶体管基板 | |
| CN204009829U (zh) | 面板结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |