CN107074745A

CN107074745A - 化合物和组合物

Info

Publication number: CN107074745A
Application number: CN201580055924.4A
Authority: CN
Inventors: 飞田宪之; 大川春树
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2014-10-17
Filing date: 2015-10-14
Publication date: 2017-08-18
Anticipated expiration: 2035-10-14
Also published as: WO2016060172A1; JP2020109520A; TW201619297A; KR102564608B1; KR20170070084A; TWI674297B; CN107074745B; JPWO2016060172A1; US10160734B2; KR102707715B1; JP6874874B2; KR20230119247A; US20170226071A1

Abstract

提供在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥作为二向色性色素的功能的化合物。式(1)所示的化合物。式(1)中，R¹表示碳数1～20的烷基等，R²表示碳数1～20的酰基等，R³表示氢原子等，Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团。式(Y1)中，*表示与N的键合部位。式(Y2)中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示‑S‑等，Q¹和Q²各自独立地表示＝N‑等。

Description

化合物和组合物

技术领域

本发明涉及化合物和组合物。

背景技术

专利文献1中记载了一种包含在发生取向的聚合性液晶化合物中分散的二向色性色素的偏振膜。

专利文献2中，作为在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的二向色性色素，记载了一种具有1，4-萘基结构的双偶氮系色素。然而，包含该二向色性色素的偏振膜的二向色性比低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2007-510946号公报

专利文献2：日本专利1454637号公报(日本特公昭63-1357号公报)

发明内容

发明要解决的问题

需求在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥作为二向色性色素的功能的化合物。

用于解决问题的手段

本发明包括以下的发明。

[1]式(1)所示的化合物，

[式中，R¹表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R¹¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，R¹⁰与R¹¹可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环。构成上述烷基、上述烷氧基、上述酰基、上述烷氧羰基、上述酰氧基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-，R²⁰表示氢原子或碳数1～20的烷基。

R⁷和R⁸是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个的氢原子可以经卤原子或羟基取代，p和q各自独立地为0～2的整数。

R²表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R³表示氢原子或碳数1～20的烷基，R²与R³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环。构成上述酰基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²¹-，R²¹表示氢原子或碳数1～20的烷基。

Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团。

(式中，*表示与N的键合部位。R⁹是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，r为0～2的整数。)

(式中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示-S-、-O-或-N(R¹²)-，R¹²表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q¹和Q²各自独立地表示＝N-或＝CH-。)]。

[2]如[1]所述的化合物，其中，p、q和r为0。

[3]一种组合物，其包含聚合性液晶化合物和[1]或[2]所述的化合物。

[4]如[3]所述的组合物，其中，聚合性液晶化合物显示近晶型液晶相。

[5]如[3]或[4]所述的组合物，其中，还包含聚合引发剂。

[6]一种偏振膜，其包含[1]或[2]所述的化合物。

[7]一种偏振膜，其由[3]～[5]中任一项所述的组合物形成。

[8]如[6]或[7]所述的偏振膜，所述偏振膜的最大吸收波长(λ_max1)比式(1)所示的化合物的最大吸收波长(λ_max2)更大。

[9]如[8]所述的偏振膜，其λ_max1与λ_max2之差为15nm以上。

[10]如[6]～[9]中任一项所述的偏振膜，其在X射线衍射测定中显示布拉格峰。

[11]一种液晶显示装置，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜。

[12]一种液晶单元，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜、液晶层和基体。

[13]如[12]所述的液晶单元，其中，偏振膜配置于基体与液晶层之间。

[14]如[13]所述的液晶单元，其中，在基体与液晶层之间还配置有滤色器。

[15]一种圆偏振板，其具有[6]～[10]中任一项所述的偏振膜和1/4波片。

[16]一种有机EL显示装置，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜和有机EL元件。

[17]一种有机EL显示装置，其具备[15]所述的圆偏振板和有机EL元件。

[18]式(1)所示的化合物的制造方法，

[式中，R¹、R²、R³、R⁷、R⁸和Y表示与上文相同的含义。]

所述制造方法中，使式(2)所示的化合物与式(3)所示的化合物进行反应，

[式中，X表示氯原子、溴原子或碘原子。

R¹表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R¹¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，R¹⁰与R¹¹可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环。构成上述烷基、上述烷氧基、上述酰基、上述烷氧羰基、上述酰氧基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-，R²⁰表示氢原子或碳数1～20的烷基。

R⁷是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，p为0～2的整数。

Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团。

(式中，*表示与N的键合部位。表示碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代、r为0～2的整数。)

(式中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示-S-、-O-或-N(R¹²)-，R¹²表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q¹和Q²各自独立地表示＝N-或＝CH-。)。]

[式中，R²表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R³表示氢原子或碳数1～20的烷基，R²与R³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环。构成上述酰基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²¹-，R²¹表示氢原子或碳数1～20的烷基。

R⁸是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，q为0～2的整数。

R⁴和R⁵各自独立地表示氢原子或碳数1～10的烷基，R⁴与R⁵可以相互键合并与它们所键合的氧原子和硼原子一起形成包含-O-B-O-的环。]

发明的效果

本发明的化合物为在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥作为二向色性色素的功能的新型化合物，能够由包含该化合物的组合物形成二向色性比高的偏振膜。

附图说明

图1是表示本发明的偏振膜的连续性制造方法的示意图。

图2是具有本发明的偏振膜的圆偏振板的连续性制造方法的示意图。

图3是具备本发明的偏振膜的液晶单元的示意图。

图4是具备本发明的偏振膜的液晶单元的示意图。

图5是具备本发明的偏振膜的液晶单元的示意图。

具体实施方式

＜式(1)所示的化合物＞

本发明的式(1)所示的化合物(以下有时称作化合物(1))的偶氮基优选为反式的偶氮基。

式(1)中，R¹表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)。

碳数1～20的烷基可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等无取代的(不具有取代基的)直链状或支链状的碳数1～20的烷基。

构成该碳数1～20的烷基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷基可以举出：氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、九氟丁基等碳数1～20的卤烷基、羟甲基、2-羟基乙基等碳数1～20的羟烷基、氨基甲基、2-(N，N-二甲基氨基)乙基等具有无取代或有取代基的氨基的碳数1～20的烷基。

构成上述烷基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-，R²⁰表示氢原子或碳数1～20的烷基，碳数1～20的烷基可以举出与上文同样的基团。碳原子间插入有-O-或-NR²⁰-的烷基可以举出：甲氧基甲基、2-乙氧基乙基、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基、2-[2-(乙氨基)乙基)氨基]乙基等。

碳数1～20的烷氧基可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等无取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基。

构成该碳数1～20的烷氧基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷氧基可以举出：氟甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、九氟丁氧基等碳数1～20的卤烷氧基、羟基甲氧基、2-羟基乙氧基等碳数1～20的羟基烷氧基、氨基甲氧基、2-(N，N-二甲基氨基)乙氧基等具有无取代或有取代基的氨基的碳数1～20的烷氧基。

构成上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-，碳原子间插入有-O-或-NR²⁰-的烷氧基可以举出：甲氧基甲氧基、2-乙氧基乙氧基、2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基、2-[2-(乙氨基)乙基)氨基]乙氧基等。

碳数1～20的酰基可以举出：甲酰基、乙酰基、乙基羰基、正丙基羰基、异丙基羰基、正丁基羰基、异丁基羰基、叔丁基羰基、正戊基羰基、异戊基羰基、新戊基羰基、正己基羰基、正庚基羰基、正辛基羰基、正壬基羰基、正癸基羰基等无取代的碳数1～20的酰基。构成该酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的酰基可以举出：三氟乙酰基、五氟乙基羰基、九氟丁基羰基等碳数1～20的卤酰基等。

碳数2～20的烷氧羰基可以举出：甲氧羰基、乙氧羰基、正丙氧羰基、异丙氧羰基、正丁氧羰基、异丁氧羰基、叔丁氧羰基、正戊氧羰基、异戊氧羰基、新戊氧羰基、正己氧羰基、正庚氧羰基、正辛氧羰基、正壬氧羰基、正癸氧羰基等无取代的碳数2～20的烷氧羰基。构成该烷氧羰基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷氧羰基可以举出：氟甲氧羰基、三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、九氟正丁氧羰基等碳数2～20的卤烷氧羰基。

碳数1～20的酰氧基可以举出：乙酰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、异丙基羰氧基、正丁基羰氧基、异丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、正戊基羰氧基、异戊基羰氧基、新戊基羰氧基、正己基羰氧基、正庚基羰氧基、正辛基羰氧基、正壬基羰氧基、正癸基羰氧基等无取代的碳数1～20的酰氧基。构成该酰氧基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的酰氧基可以举出：氟乙酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟乙基羰氧基、九氟丁基羰氧基等碳数1～20的卤酰氧基。

-N(R¹⁰)(R¹¹)中的R¹⁰表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R¹¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，R¹⁰与R¹¹可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环。构成R¹⁰中的酰基、烷磺酰基和芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。构成R¹¹中的烷基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-。R¹⁰中的碳数1～20的酰基可以举出与上述的R¹中的碳数1～20的酰基同样的基团，构成该酰基的一个以上的氢原子经卤原子等取代的酰基可以举出与上述R¹中的基团同样的基团。

碳数1～20的烷磺酰基可以举出：甲磺酰基、乙磺酰基、正丙磺酰基等无取代的碳数1～20的烷磺酰基，构成该烷磺酰基的一个以上的氢原子经卤原子等取代的基团可以举出：三氟甲磺酰基、五氟乙磺酰基、七氟正丙磺酰基等碳数1～20的卤烷磺酰基。

碳数6～20的芳磺酰基可以举出苯磺酰基、对甲苯磺酰基等，构成该芳磺酰基的一个以上的氢原子经卤原子等取代的基团可以举出对三氟甲基苯磺酰基等。

R¹¹中的碳数1～20的烷基可以举出与上述的R¹中的碳数1～20的烷基同样的基团，构成该烷基的一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷基可以举出与上述R¹中的基团同样的基团。

-N(R¹⁰)(R¹¹)的具体例可以举出：酰氨基、乙基羰基氨基、正丙基羰基氨基、异丙基羰基氨基、正丁基羰基氨基、异丁基羰基氨基、叔丁基羰基氨基、正戊基羰基氨基、异戊基羰基氨基、新戊基羰基氨基、正己基羰基氨基、正庚基羰基氨基、正辛基羰基氨基、正壬基羰基氨基、正癸基羰基氨基、三氟酰氨基。

R¹⁰与R¹¹相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成的包含-N-CO-或-N-SO₂-的环优选为4～10元环，更优选为5～7元环。具体来说，可以举出2-吡咯烷酮-1-基等。

R¹优选为可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～10的烷基、在构成的碳原子间插入有-O-的碳数1～20的烷基、可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～10的烷氧基、在构成的碳原子间插入有-O-的碳数1～20的烷氧基、可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～10的酰基、可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数2～10的烷氧羰基、可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～10的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰优选为可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～20的酰基，R¹¹优选为氢原子。

R¹更优选为可以具有氟原子的直链状的碳数1～10的烷基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰更优选为可以具有氟原子的碳数1～10的酰基，R¹¹优选为氢原子。

R¹特别优选为可以具有氟原子的直链状的碳数1～10的烷基。

式(1)中，对于二个亚苯基而言，各自的构成该亚苯基的至少一个的氢原子经氢以外的取代基R⁷或R⁸取代。R⁷和R⁸各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基。对于R⁷和R⁸而言，各自可以取代亚苯基的任一位置的氢原子。

碳数1～4的烷基可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等不具有取代基的直链状或支链状的烷基。

构成该碳数1～4的烷基的至少一个的氢原子可以经氟原子等卤原子或羟基取代。其例子可以举出：氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、九氟丁基等碳数1～4的卤烷基；羟甲基、2-羟基乙基等碳数1～4的羟烷基；。

碳数1～4的烷氧基可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基等不具有取代基的直链状或支链状的烷氧基。

构成该碳数1～4的烷氧基的至少一个的氢原子可以经氟原子等卤原子或羟基取代。其例子可以举出：氟甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、九氟丁氧基等碳数1～4的卤烷氧基；羟基甲氧基、2-羟基乙氧基等碳数1～4的羟基烷氧基。

式(1)中，R²表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R³表示氢原子或碳数1～20的烷基，R²与R³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环，构成上述酰基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²¹-，R²¹表示氢原子或碳数1～20的烷基。

R²中的碳数1～20的酰基可以举出与上述的R¹同样的酰基。

R²中的碳数1～20的烷磺酰基和碳数6～20的芳磺酰基各自可以举出与上述的R¹⁰中的碳数1～20的烷磺酰基和碳数6～20的芳磺酰基同样的基团。

R²与R³相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成的包含-N-CO-或-N-SO₂-的环优选为4～10元环，更优选为5～7元环。具体来说，可以举出2-吡咯烷酮-1-基等。

R²¹中的碳数1～20的烷基可以举出与上文同样的烷基。

R²优选为可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～20的酰基或可以具有卤原子(优选为氟原子)的碳数1～20的烷磺酰基，更优选为可以具有氟原子的碳数1～10的酰基或可以具有氟原子的碳数1～10的烷磺酰基。

R³优选为氢原子。

式(1)中，Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团。

(式中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示-S-、-O-或-N(R¹²)-，R¹²表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q¹和Q²各自独立地表示＝N-或＝CH-。)

R⁹可以举出与上述R⁷和R⁸中例示的基团相同的基团。

P¹优选为-S-。

P²优选为-S-。

R¹²中的碳数1～4的烷基可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基。

Q¹优选为＝CH-。

Q²优选为＝N-。

式(1)中的p、q和r各自独立地为0～2的整数，优选为0。

化合物(1)的具体例可以举出下述式(1-1)～式(1-24)所示的化合物。

其中，优选式(1-1)、式(1-4)、式(1-11)和式(1-12)所示的化合物，更优选式(1-4)和式(1-12)所示的化合物。

化合物(1)可以通过使式(2)所示的化合物(以下有时称作化合物(2))与式(3)所示的化合物(以下有时称作化合物(3))进行反应由此制造。

[式中，X表示氯原子、溴原子或碘原子。

R¹、R⁷、p和Y各自表示与上文相同的含义。]

[式中，R²、R³、R⁸和q各自表示与上文相同的含义，R⁴和R⁵各自独立地表示氢原子或碳数1～10的烷基，R⁴与R⁵可以相互键合并与它们所键合的氧原子和硼原子一起形成包含-O-B-O-的环。)

化合物(2)中的X优选为溴原子。

化合物(3)中的R⁴所示的碳数1～10的烷基和R⁵所示的碳数1～10的烷基可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等无取代的直链状或支链状的碳数1～10的烷基。

R⁴与R⁵相互键合并与它们所键合的氧原子和硼原子一起形成的包含-O-B-O-的环可以举出下述的环。下述式中，*表示与苯环的连接键。

-B(OR⁴)(OR⁵)可以举出下述基团，优选-B(OH)₂。

下述式中，*表示与苯环的连接键。

化合物(2)可以是市售品，也可以依据Synthesis，1997，6，681、Journal ofChemical Society，1970，35，505中记载的方法合成。也可以从依据日本特开昭58-38756号公报中记载的方法合成的氨基体出发通过Sandmeyer反应合成。Sandmeyer反应可以通过Journal of Chemical society，Perkin Trans.1998，685中记载的方法进行实施。

化合物(2)的具体例可以举出下述式(2-1)～式(2-18)所示的化合物。

化合物(3)的具体例可以举出下述式(3-1)～式(3-7)所示的化合物。

化合物(3)可以是市售品，也可以依据Journal of Organic Chemistry，1995，60，7508中记载的方法合成。

化合物(2)与化合物(3)的反应可以依据Chemical Reviews，1995，95(7)，2457中记载的方法进行。

反应结束后，可以通过重结晶、再沉淀、萃取、各种色谱等通常的提取手段提取化合物(1)。

化合物(1)为发挥作为二向色性色素的功能的化合物，尤其通过与聚合性液晶化合物共同进行取向由此显示更高的二向色性。因此，化合物(1)与聚合性液晶化合物共同进行取向的偏振膜显示更高的二向色性。化合物(1)在波长350nm～510nm的范围、优选为波长400nm～500nm的范围、更优选为波长410nm～490nm的范围、进一步优选为波长420nm～480nm的范围具有最大吸收。另外，化合物(1)具有耐光性，因此包含本发明的化合物的偏振膜的耐光性优异。

偏振膜的耐光性例如可以通过以下的方法进行判断。

在所形成的偏振膜表面配置保护膜，从其上方以下述条件照射光。根据耐光性试验后的偏振膜的最大吸收波长501nm的偏振膜的吸光度相对于试验前的偏振膜的最大吸收波长501nm的偏振膜的吸光度的比例，判断耐光性。

例如，使用日本特开2013-101328号公报所述的式(1-10)所示的二向色性色素形成偏振膜并进行耐光性试验，则该偏振膜的最大吸收波长548nm下的耐光性试验后的该偏振膜的吸光度为试验前的47％。

(耐光性试验中的光的照射条件)

使用设备：ATLAS公司制Santest XLS+

使用光源：氙弧灯

曝光条件：250mW/m²

试验时间：120小时

暴露量：108000KJ/m²

温度：60℃

接着，对于包含聚合性液晶化合物和化合物(1)的本发明的组合物进行说明。

本发明的组合物可以包含二种以上的化合物(1)。

＜聚合性液晶化合物＞

聚合性液晶化合物是指，在分子内具有聚合性基团且通过进行取向由此可显示液晶相的化合物，优选为通过单独进行取向由此可显示液晶相的化合物。

聚合性基团是指参与聚合反应的基团，优选为光聚合性基团。此处，聚合性基团是指，借助由后述的聚合引发剂产生的活性自由基、酸等由此可参与聚合反应的基团。聚合性基团可以举出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙基和氧杂环丁基。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯基氧基、环氧乙基和氧杂环丁基，更优选丙烯酰氧基。

聚合性液晶化合物可以是热致液晶型，也可以是溶致液晶型。

聚合性液晶化合物可以为显示向列型液晶相的聚合性液晶化合物，也可以为显示近晶型液晶相的聚合性液晶化合物，也可以为显示向列型液晶相和近晶型液晶相这两者的聚合性液晶化合物。优选显示近晶型液晶相，更优选显示高度有序的近晶型液晶相。包含显示近晶型液晶相的聚合性液晶化合物的本发明的组合物可以提供偏振性能更优异的偏振膜。本发明的组合物可以包含二种以上的聚合性液晶化合物。

化合物(1)即便是由显示近晶型液晶相的聚合性液晶化合物形成的在密集的分子链间分散的状态，也能够显示高的二向色性，包含化合物(1)的组合物可以提供二向色性比高的偏振膜。

高度有序的近晶型液晶相可以举出近晶B相、近晶D相、近晶E相、近晶F相、近晶G相、近晶H相、近晶I相、近晶J相、近晶K相和近晶L相。其中，优选近晶B相、近晶F相和近晶I相。若聚合性液晶化合物显示的近晶型液晶相为这些高度有序的近晶相，则可得到取向有序度更高的偏振膜。由包含显示取向有序度高的高度有序的近晶型液晶相的聚合性液晶化合物的组合物得到的偏振膜在X射线衍射测定中显示源自于六方(Hexatic)相或结晶(Cystal)相之类高度有序结构的布拉格峰。布拉格峰是指，源自于分子取向的面周期结构的峰。由本发明的组合物得到的偏振膜具有的周期间隔优选为(0.30nm～0.50nm)。

聚合性液晶化合物显示的液晶相的种类例如可以如下进行确认。准备适当的基材，在该基材上涂布包含聚合性液晶化合物和溶剂的溶液而形成涂布膜后，进行加热处理或减压处理由此除去涂布膜中含有的溶剂。接着，将形成于基材上的涂布膜加热至各向同性相温度，逐渐进行冷却由此显现出液晶相，对于该液晶相，通过利用偏光显微镜的纹理观察、X射线衍射测定或差示扫描量热进行考察。在该考察中，例如可以确认冷却至第1温度由此显示向列型液晶相，继而逐渐冷却至第2温度由此显示近晶型液晶相。

聚合性液晶组合物优选为式(4)所示的化合物(以下有时称作化合物(4))。

U¹-V¹-W¹-X¹-Y¹-X²-Y²-X³-W²-V²-U² (4)

[式(4)中，

X¹、X²和X³相互独立地表示可具有取代基的1，4-亚苯基或可具有取代基的环己烷-1，4-二基。但是，X¹、X²和X³之中至少一个为可具有取代基的1，4-亚苯基。构成环己烷-1，4-二基的-CH₂-可以被置换成-O-、-S-或-NR-。R表示碳数1～6的烷基或苯基。

Y¹和Y²相互独立地表示-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCOO-、单键、-N＝N-、-CR^a＝CR^b-、-C≡C-或-CR^a＝N-。R^a和R^b相互独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基。

U¹表示氢原子或聚合性基团。

U²表示聚合性基团。

W¹和W²相互独立地表示单键、-O-、-S-、-COO-或-OCOO。

V¹和V²相互独立地表示可具有取代基的碳数1～20的烷烃二基，构成该烷烃二基的-CH₂-可以置换成-O-、-S-或-NH-。]

化合物(4)中，X¹、X²和X³之中至少一个优选为可具有取代基的1，4-亚苯基。

可具有取代基的1，4-亚苯基优选为不具有取代基的1，4-亚苯基。可具有取代基的环己烷-1，4-二基优选为可具有取代基的反式-环己烷-1，4-二基。可具有取代基的反式-环己烷-1，4-二基优选为不具有取代基的反式-环己烷-1，4-二基。

可具有取代基的1，4-亚苯基或可具有取代基的环己烷-1，4-二基任选具有的取代基可以举出：甲基、乙基、正丁基等碳数1～4的烷基、氰基和卤原子。

Y¹优选为-CH₂CH₂-、-COO-或单键，Y²优选为-CH₂CH₂-或-CH₂O-。

U²为聚合性基团。U¹为氢原子或聚合性基团，优选为聚合性基团。U¹和U²优选均为聚合性基团，更优选均为光聚合性基团。具有光聚合性基团的聚合性液晶化合物在可在更低温条件下进行聚合的方面有利。

U¹和U²所示的聚合性基团相互可以不同，优选相同。聚合性基团可以举出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、环氧乙基和氧杂环丁基。其中，优选丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯基氧基、环氧乙基和氧杂环丁基，更优选丙烯酰氧基。

V¹和V²所示的烷烃二基可以举出亚甲基、亚乙基、丙烷-1，3-二基、丁烷-1，3-二基、丁烷-1，4-二基、戊烷-1，5-二基、己烷-1，6-二基、庚烷-1，7-二基、辛烷-1，8-二基、癸烷-1，10-二基、十四烷-1，14-二基和二十烷-1，20-二基。V¹和V²优选为碳数2～12的烷烃二基，更优选为碳数6～12的烷烃二基。

可具有取代基的碳数1～20的烷烃二基任选具有的取代基可以举出氰基和卤原子。该烷烃二基优选为不具有取代基的烷烃二基，更优选为不具有取代基且直链状的烷烃二基。

W¹和W²优选相互独立地为单键或-O-。

化合物(4)的具体例可以举出下述式(4-1)～式(4-43)所示的化合物。在化合物(4)具有环己烷-1，4-二基的情况下，该环己烷-1，4-二基优选为反式。

其中，优选选自式(4-5)、式(4-6)、式(4-7)、式(4-8)、式(4-9)、式(4-10)、式(4-11)、式(4-12)、式(4-13)、式(4-14)、式(4-15)、式(4-22)、式(4-24)、式(4-25)、式(4-26)、式(4-27)、式(4-28)和式(4-29)所示的化合物中的至少1种。

本发明的组合物可以包含二种以上的化合物(4)。组合二种以上的聚合性液晶化合物的情况下，优选其中的至少1种为化合物(4)，更优选其中的二种以上为化合物(4)。通过组合，有时即便在液晶-晶体相转变温度以下的温度也能够暂时保持液晶相。组合二种聚合性液晶化合物的情况下的混合比通常为1∶99～50∶50，优选为5∶95～50∶50，更优选为10∶90～50∶50。

化合物(4)例如能够通过Lub et al.Recl.Trav.Chim.Pays-Bas，115，321-328(1996)、日本专利第4719156号等公知文献记载的方法进行制造。

从提高聚合性液晶化合物的取向性的观点出发，本发明的组合物中的聚合性液晶化合物的含有比例相对于本发明的组合物的固体成分100质量份优选为70～99.5质量份，更优选为80～99质量份，进一步优选为80～94质量份，特别优选为80～90质量份。此处，固体成分是指，本发明的组合物中的溶剂以外的成分的合计量。

本发明的组合物优选包含聚合引发剂和溶剂，可以包含光敏剂、阻聚剂和流平剂。

本发明的组合物中的化合物(1)的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为50质量份以下，优选为0.1质量份以上且10质量份以下，更优选为0.1质量份以上且5质量份以下。若化合物(1)相对于聚合性液晶化合物100质量份的含量为50质量份以下，则有可得到聚合性液晶化合物和化合物(1)的取向紊乱少的偏振膜的倾向。

＜溶剂＞

溶剂优选可完全溶解聚合性液晶化合物和化合物(1)的溶剂。另外，优选为对聚合性液晶化合物的聚合反应为惰性的溶剂。

溶剂可以举出：甲醇、乙醇、乙二醇、异丙醇、丙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇丁醚、丙二醇单甲醚等醇溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁内酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶剂；丙酮、甲乙酮、环戊酮、环己酮、2-庚酮、甲基异丁基酮等酮溶剂；戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烃溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃溶剂；乙腈等腈溶剂；四氢呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶剂；以及氯仿、氯苯等含氯溶剂。这些溶剂可以单独使用，也可以组合使用多种。

在本发明的组合物包含溶剂的情况下，溶剂的含有比例相对于本发明的组合物的总量优选为50～98质量％。换言之，本发明的组合物中的固体成分优选为2～50质量％。若该固体成分为50质量％以下，则有本发明的组合物的粘度降低，由本发明的组合物得到的偏振膜的厚度变得大致均匀，该偏振膜变得不易产生不匀的倾向。该固体成分可以考虑欲制造的偏振膜的厚度进行确定。

＜聚合引发剂＞

聚合引发剂是可引发聚合性液晶化合物的聚合反应的化合物。聚合引发剂优选为在光的作用下产生活性自由基的光聚合引发剂。

聚合引发剂可以举出：苯偶姻化合物、二苯甲酮化合物、烷基苯基酮化合物、酰基氧化膦化合物、三嗪化合物、碘鎓盐和锍盐。

苯偶姻化合物可以举出：苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚和苯偶姻异丁醚。

二苯甲酮化合物可以举出：二苯甲酮、邻苯甲酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4’-甲基二苯硫醚、3，3’，4，4’-四(叔丁基过氧基羰基)二苯甲酮和2，4，6-三甲基二苯甲酮。

烷基苯基酮化合物可以举出：二乙氧基苯乙酮、2-甲基-2-吗啉基-1-(4-甲硫基苯基)丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉基苯基)丁烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1，2-二苯基-2，2-二甲氧基乙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮和2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮的低聚物。

酰基氧化膦化合物可以举出2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦和双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦。

三嗪化合物可以举出：2，4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-1，3，5-三嗪和2，4-双(三氯甲基)-6-[2-(3，4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1，3，5-三嗪。

碘鎓盐和锍盐例如可以举出下述式所示的盐。

聚合引发剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。

聚合引发剂可以使用市售的聚合引发剂。市售的聚合引发剂可以举出：IRGACURE(イルガキユァ)(注册商标)907、184、651、819、250和369(Ciba Specialty Chemicals株式会社制)；SEIKUOL(注册商标)BZ、Z和BEE(精工化学株式会社制)；KAYACURE(カヤキユァ一)(注册商标)BP100和UVI-6992(Dow Chemical公司制)；ADEKA OPTMER SP-152和SP-170(株式会社ADEKA制)；TAZ-A和TAZ-PP(日本SiberHegner公司制)；和TAZ-104(Sanwa Chemical公司制)。

在本发明的组合物包含聚合引发剂的情况下，从不易扰乱聚合性液晶化合物的取向的观点出发，本发明的组合物中的聚合引发剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份通常为0.1～30质量份，优选为0.5～10质量份，更优选为0.5～8质量份。

＜光敏剂＞

在本发明的组合物包含光聚合引发剂的情况下，本发明的组合物优选含有光敏剂。本发明的组合物通过含有光聚合引发剂和光敏剂，由此有聚合性液晶化合物的聚合反应进一步得到促进的倾向。该光敏剂可以举出：呫吨酮和噻吨酮等呫吨酮化合物(例如2，4-二乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮)；蒽和含烷氧基的蒽(例如二丁氧基蒽)等蒽化合物；吩噻嗪和红荧烯。

在本发明的组合物包含光敏剂的情况下，本发明的组合物中的光敏剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份优选为0.1～30质量份，更优选为0.5～10质量份，进一步优选为0.5～8质量份。

＜阻聚剂＞

阻聚剂可以举出对苯二酚、含烷氧基的对苯二酚、含烷氧基的儿茶酚(例如丁基儿茶酚)、邻苯三酚、2，2，6，6-四甲基-1-哌啶氧自由基等自由基捕捉剂；苯硫酚类；β-萘基胺类和β-萘酚类。

通过本发明的组合物包含阻聚剂，可以控制聚合性液晶化合物的聚合反应的进行程度。

在本发明的组合物包含阻聚剂的情况下，本发明的组合物中的阻聚剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份优选为0.1～30质量份，更优选为0.5～10质量份，进一步优选为0.5～8质量份。

＜流平剂＞

流平剂是指具有如下功能的物质：调整本发明的组合物的流动性，使得涂布本发明的组合物而得到的涂布膜更平坦。例如可以列举表面活性剂。优选的流平剂为以聚丙烯酸酯化合物为主要成分的流平剂和以含氟原子的化合物作为主要成分的流平剂。

以聚丙烯酸酯化合物作为主要成分的流平剂可以举出：BYK-350、BYK-352、BYK-353、BYK-354、BYK-355、BYK-358N、BYK-361N、BYK-380、BYK-381和BYK-392(BYK ChemieGmbH制)。

以含氟原子的化合物作为主要成分的流平剂可以举出：Megafac(注册商标)R-08、R-30、R-90、F-410、F-411、F-443、F-445、F-470、F-471、F-477、F-479、F-482、F-483(DIC株式会社制)；Surflon(注册商标)S-381、S-382、S-383、S-393、SC-101、SC-105、KH-40和SA-100(AGC Seimi Chemical公司制)；E1830和E5844(Daikin Fine Chemical Laboratory公司制)；F top EF301、EF303、EF351和EF352(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals公司制)。

在本发明的组合物包含流平剂的情况下，流平剂的含量相对于聚合性液晶化合物100质量份优选为0.3质量份以上且5质量份以下，更优选为0.5质量份以上且3质量份以下。

若流平剂的含量为上述的范围内，则有容易使聚合性液晶化合物进行水平取向，并且所得的偏振膜变得更平滑的倾向。若流平剂相对于聚合性液晶化合物的含量超过上述的范围，则有所得偏振膜容易发生不匀的倾向。本发明的组合物可包含二种以上的流平剂。

＜偏振膜的制造方法＞

包含化合物(1)的偏振膜例如可以通过涂布本发明的组合物而得到。可优选地通过包含下述工序(A)～(C)的制造方法进行制造。

工序(A)：在基材或形成有取向膜的基材的表面涂布本发明的组合物的工序

工序(B)：使所形成的涂布膜中包含的聚合性液晶化合物和化合物(1)进行取向的工序

工序(C)：通过对发生取向的聚合性液晶化合物照射活性能量射线由此使聚合性液晶化合物聚合的工序

＜工序(A)＞

＜基材＞

基材可以为玻璃基材也可以为树脂基材，优选为树脂基材。通过使用包含树脂的膜基材，可以得到薄的偏振板。

树脂基材优选为透明树脂基材。透明树脂基材是指，具有可透过光、尤其可见光的透光性的基材，透光性是指，对于波长380nm～780nm中全部光线的视觉灵敏度修正透射率(視感度補正透過率)为80％以上的特性。

基材优选为具有1/4波片功能的相位差膜(以下有时称作1/4波片)。通过基材使用1/4波片，可以得到圆偏振板。

此时，优选以使得偏振膜的透射轴与1/4波片的慢轴(光轴)实质上呈45°的方式进行层叠。实质上45°通常是指45±5°的范围。

另外，通过使偏振膜与1/4波片的光轴一致或正交，由此可以得到发挥作为光学补偿膜的功能的偏振膜。

1/4波片通常具有式(40)所示的光学特性，优选具有式(40-1)所示的光学特性。

100nm＜Re(550)＜160nm (40)

130nm＜Re(550)＜150nm (40-1)

Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。

此外，1/4波片优选具有逆波长分散特性。逆波长分散特性是指，短波长下的面内相位差值比长波长下的面内相位差值更大，优选满足式(50)和式(51)所示的光学特性。Re(λ)表示对于波长λnm的光的面内相位差值。具备具有式(50)和式(51)所示的光学特性的1/4波片的圆偏振板由于对于可见光区域中的各波长的光可得到一样的偏振转换的特性，因此有防反射特性优异的倾向。

Re(450)/Re(550)≤1.00 (50)

1.00≤Re(630)/Re(550) (51)

基材可以为具有1/2波片功能的相位差膜。

构成基材的树脂例如可以举出：聚乙烯、聚丙烯、降冰片烯系聚合物等聚烯烃；环状烯烃系树脂；聚乙烯醇；聚对苯二甲酸乙二酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；三乙酰基纤维素、二乙酰基纤维素和乙酸丙酸纤维素等纤维素酯；聚萘二甲酸乙二酯；聚碳酸酯；聚砜；聚醚砜；聚醚酮；聚苯硫醚；和聚苯醚等。优选为纤维素酯、环状烯烃系树脂、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸酯。

纤维素酯是纤维素中包含的羟基的至少一部分经酯化后的物质，可以从市场获得。另外，包含纤维素酯的基材也可以从市场获得。市售的包含纤维素酯的基材可以举出：Fujitac(注册商标)膜(富士胶片株式会社制)、KC8UX2M、KC8UY和KC4UY(Konica MinoltaOpto株式会社制)等。

环状烯烃系树脂是指，包含降冰片烯或多环降冰片烯系单体等环状烯烃的聚合物或它们的共聚物的树脂。该环状烯烃系树脂可包含开环结构，另外，可以为对包含开环结构的环状烯烃系树脂进行加氢后的树脂。另外，该环状烯烃系树脂可以在不显著损害透明性、不显著增大吸湿性的范围内包含源自于链状烯烃和乙烯基化芳香族化合物的结构单元。另外，该环状烯烃系树脂可以在其分子内导入有极性基团。

链状烯烃可以举出乙烯和丙烯等，乙烯基化芳香族化合物可以举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯和烷基取代苯乙烯等。

环状烯烃系树脂为环状烯烃与链状烯烃或乙烯基化芳香族化合物的共聚物的情况下，源自于环状烯烃的结构单元的含量相对于共聚物的全部结构单元通常为50摩尔％以下，优选为15～50摩尔％。

环状烯烃系树脂为环状烯烃、链状烯烃与乙烯基化芳香族化合物的三元共聚物的情况下，源自于链状烯烃的结构单元的含量相对于共聚物的全部结构单元通常为5～80摩尔％，源自于乙烯基化芳香族化合物的结构单元的含有比例相对于共聚物的全部结构单元通常为5～80摩尔％。这样的三元共聚物具有能够相对地减少价格昂贵的环状烯烃的使用量的优点。

环状烯烃系树脂可从市场获得。市售的环状烯烃系树脂可以举出：Topas(注册商标)(Ticona公司(德国)制)、Arton(注册商标)(JSR株式会社制)、ZEONOR(ゼオノァ)(注册商标)(日本瑞翁株式会社制)、ZEONEX(ゼオネツクス)(注册商标)(日本瑞翁株式会社制)和APEL(注册商标)(三井化学株式会社制)等。可以将这样的环状烯烃系树脂通过例如溶剂流延、熔融挤出法等公知的手段进行制膜并作为基材。市售的包含环状烯烃系树脂的基材可以举出：エスシ一ナ(注册商标)(积水化学工业株式会社制)、SCA40(注册商标)(积水化学工业株式会社制)、ZEONOR膜(注册商标)(Optes株式会社制)和Arton膜(注册商标)(JSR株式会社制)等。

可以对基材实施表面处理。表面处理的方法例如可以举出：在真空至大气压的气氛下，利用电晕或等离子体对基材的表面进行处理的方法；对基材表面进行激光处理的方法；对基材表面进行臭氧处理的方法；对基材表面进行皂化处理的方法；对基材表面进行火焰处理的方法；在基材表面涂布偶联剂的方法；对基材表面进行底涂处理的方法；和将反应性单体、具有反应性的聚合物附着于基材表面后照射放射线、等离子体或紫外线使之反应的接枝聚合法等。其中，优选为：在真空至大气压的气氛下对基材表面进行电晕或等离子体处理的方法。

利用电晕或等离子体进行基材的表面处理的方法可以举出：在大气压附近的压力下，在对向的电极间设置基材，产生电晕或等离子体从而进行基材的表面处理的方法；在对向的电极间流通气体，在电极间将气体等离子体化，将等离子体化的气体喷吹至基材的方法；和在低压条件下产生辉光放电等离子体来进行基材的表面处理的方法。

其中，优选：在大气压附近的压力下，在对向的电极间设置基材，产生电晕或等离子体来进行基材的表面处理的方法；或者在对向的电极间流通气体，在电极间将气体等离子体化，将等离子体化的气体喷吹至基材的方法。该利用电晕或等离子体的表面处理通常通过市售的表面处理装置进行。

基材可以在与涂布本发明的组合物的面相反的面具有保护膜。保护膜可以举出：聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯和聚烯烃等的膜、以及在该膜上进一步具有粘合层的膜等。其中，由于干燥时的热变形小，因此优选聚对苯二甲酸乙二酯。通过在与涂布本组合物的面相反的面具有保护膜，能够抑制基材传送时的膜的晃动和涂布面的轻微振动，能够提高涂膜的均匀性。

从为可进行实用操作的程度的重量的观点考虑，基材的厚度优选薄，若过薄则有强度下降、加工性变差的倾向。基材的厚度通常为5～300μm，优选为20～200μm。

基材的长度方向的长度通常为10～3000m，优选为100～2000m。基材的短边方向的长度通常为0.1～5m，优选为0.2～2m。

＜取向膜＞

本发明中的取向膜是指，具有使聚合性液晶化合物沿所期望的方向取向的取向限制力的膜。

取向膜优选具有不会因本发明的组合物的涂布等而溶解的溶剂耐性、并且具有在用于溶剂的除去、聚合性液晶化合物的取向的加热处理中的耐热性。这样的取向膜可以举出：包含取向性聚合物的取向膜、光取向膜和在表面形成凹凸图案和/或多个槽来使得发生取向的沟槽取向膜等。

取向性聚合物可以举出：在分子内具有酰胺键的聚酰胺或明胶类；在分子内具有酰亚胺键的聚酰亚胺及作为其水解物的聚酰胺酸、聚乙烯醇、烷基改性聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、聚噁唑、聚亚乙基亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸和聚丙烯酸酯类。其中，优选聚乙烯醇。可以组合使用2种以上的取向性聚合物。

包含取向性聚合物的取向膜通常如下形成：将在溶剂中溶解有取向性聚合物的组合物(以下有时称作取向性聚合物组合物)涂布于基材，除去溶剂，由此形成于基材的表面；或者，将取向性聚合物组合物涂布于基材，除去溶剂，进行摩擦(摩擦法)，由此形成于基材的表面。

上述溶剂可以举出：水、甲醇、乙醇、乙二醇、异丙醇、丙二醇、甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、丙二醇单甲醚等醇溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁内酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶剂；丙酮、甲乙酮、环戊酮、环己酮、甲基戊基酮、甲基异丁基酮等酮溶剂；戊烷、己烷、庚烷等脂肪族烃溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃溶剂；乙腈等腈溶剂；四氢呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶剂；和氯仿、氯苯等氯化烃溶剂。这些溶剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。

取向性聚合物组合物中的取向性聚合物的浓度只要为取向性聚合物材料能够完全溶于溶剂的范围即可，相对于溶液，以固体成分计优选为0.1～20质量％，进一步优选为0.1至10质量％左右。

取向性聚合物组合物可以直接使用市售的取向膜材料。市售的取向膜材料可以举出Sunever(注册商标、日产化学工业株式会社制)、OPTMER(注册商标、JSR株式会社制)等。

作为将取向性聚合物组合物涂布于基材的方法，可以举出：旋涂法、挤出法、凹版涂布法、模涂法、狭缝涂布法、棒涂法、敷抹器法等涂布法、柔性版印刷法等印刷法等公知的方法。在通过后述的卷对卷(Roll to Roll)形式的连续性制造方法制造本发明的偏振膜的情况下，该涂布方法通常采用凹版涂布法、模涂法或柔性版印刷法等印刷法。

作为除去取向性聚合物组合物中包含的溶剂的方法，可以举出自然干燥法、通风干燥法、加热干燥和减压干燥法等。

为了对取向膜赋予取向限制力，根据需要进行摩擦(摩擦法)。

通过选择进行摩擦的方向，可以任意控制取向限制力的方向。

通过摩擦法赋予取向限制力的方法可以举出：使将取向性聚合物组合物涂布于基材并进行退火由此形成于基材表面的取向性聚合物的膜、与卷绕有摩擦布并进行旋转的摩擦辊接触的方法。

光取向膜通常如下形成：将包含具有光反应性基团的聚合物或单体、和溶剂的组合物(以下有时称作“光取向膜形成用组合物”)涂布于基材，照射光(优选为偏振UV)由此形成于基材的表面。从通过选择照射的光的偏振方向可以任意控制取向限制力的方向的观点考虑，更优选光取向膜。

光反应性基团是指，通过光照射产生液晶取向能力的基团。具体来说，可以举出：参与通过光照射产生的分子的取向诱导或者异构化反应、二聚化反应、光交联反应或光分解反应等作为液晶取向能力起源的光反应的基团。其中，参与二聚化反应或光交联反应的基团从取向性优异的观点考虑是优选的。光反应性基团优选为具有不饱和键、尤其双键的基团，特别优选为具有选自碳-碳双键(C＝C键)、碳-氮双键(C＝N键)、氮-氮双键(N＝N键)和碳-氧双键(C＝O键)中的至少一种键的基团。

具有C＝C键的光反应性基团可以举出：乙烯基、多烯基、茋基、芪唑基(stilbazole)、芪唑盐基(stilbazolium)、查尔酮基和肉桂酰基。具有C＝N键的光反应性基团可以举出具有芳香族席夫碱、芳香族腙等结构的基团。具有N＝N键的光反应性基团可以举出：偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族杂环偶氮基、双偶氮基、甲臜(formazan)基和具有氧化偶氮苯结构的基团。具有C＝O键的光反应性基团可以举出二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基和马来酰亚胺基。这些基团可以具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧羰基、羟基、磺酸基、卤代烷基等取代基。

其中，优选参与光二聚化反应的光反应性基团，从容易得到光取向所需偏振光照射量较少且热稳定性和经时稳定性优异的光取向膜的观点考虑，优选肉桂酰基和查尔酮基。具有光反应性基团的聚合物特别优选为：该聚合物侧链的末端部具有可形成肉桂酸结构的肉桂酰基的聚合物。

光取向膜形成用组合物中包含的溶剂可以举出与上述的取向性聚合物组合物中包含的溶剂同样的溶剂，可以根据具有光反应性基团的聚合物或单体的溶解性进行适当选择。

光取向膜形成用组合物中的具有光反应性基团的聚合物或单体的含量可以根据聚合物或单体的种类和作为目标的光取向膜的厚度进行适当调节，优选至少为0.2质量％，更优选为0.3～10质量％的范围。在不显著损害光取向膜的特性的范围内，光取向膜形成用组合物可以包含聚乙烯醇、聚酰亚胺等高分子材料、光敏剂。

将光取向膜形成用组合物涂布于基材的方法可以举出与将取向性聚合物组合物涂布于基材的方法同样的方法。从所涂布的光取向膜形成用组合物除去溶剂的方法例如可以举出与从取向性聚合物组合物除去溶剂的方法相同的方法。

为了照射偏振光，在从在基板上涂布的光取向膜形成用组合物除去溶剂后，可以利用直接照射偏振UV的形式，也可以利用从基材侧照射偏振光，使偏振光透过而进行照射的形式。另外，该偏振光特别优选实质上为平行光。进行照射的偏振光的波长是具有光反应性基团的聚合物或单体的光反应性基团可吸收光能的波长区域的波长为宜。具体来说，特别优选波长250～400nm的范围的UV(紫外线)。用于该偏振光照射的光源可以举出氙灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、KrF、ArF等紫外激光等，更优选高压汞灯、超高压汞灯和金属卤化物灯。这些灯由于波长313nm的紫外线的发光强度大，因而是优选的。通过使来自上述光源的光穿过适当的偏振片来进行照射，由此可以照射偏振UV。所述偏振片可以使用偏振滤波器、格兰-汤姆逊(Glan-thompson)、格兰-泰勒(Glan-Taylor)等偏振棱镜、线栅型的偏振片。

需要说明的是，如果在进行摩擦或偏振光照射时进行掩膜，则也可以形成液晶取向的方向不同的多个区域(图案)。

沟槽取向膜是可利用膜表面的凹凸图案或多个槽而得到液晶取向的膜。由H.V.Kennel等报道了如下事实：将液晶分子置于具有多个以等间隔排列的直线状的沟槽(槽)的基材的情况下，液晶分子以沿着该槽的方向进行取向(Physical Review A24(5)、2713页、1981年)。

在基材的表面形成沟槽取向膜的具体方法可以举出：对于感光性聚酰亚胺表面，隔着具有周期性图案形状的狭缝的曝光用掩模进行曝光后，进行显影和漂洗处理而除去不需要的聚酰亚胺膜从而形成凹凸图案的方法；在表面具有槽的板状的原盘上形成UV固化树脂层，将树脂层转移至基材膜后进行固化的方法；传送形成有UV固化树脂层的基材膜，将具有多个槽的辊状的原盘抵靠于UV固化树脂层表面而形成凹凸后进行固化的方法等，可以使用日本特开平6-34976号公报、日本特开2011-242743号公报记载的方法等。

上述方法中，优选：将具有多个槽的辊状的原盘抵靠于UV固化树脂层表面而形成凹凸后进行固化的方法。辊状原盘从耐久性的观点出发可以使用不锈钢(SUS)。

UV固化树脂可以使用单官能丙烯酸酯的聚合物、多官能丙烯酸酯的聚合物或它们的混合物的聚合物。

单官能丙烯酸酯是指，在分子内具有1个选自丙烯酰氧基(CH2＝CH-COO-)和甲基丙烯酰氧基(CH2＝C(CH3)-COO-)中的基团(以下有时也记作(甲基)丙烯酰氧基)的化合物。

具有1个(甲基)丙烯酰氧基的单官能丙烯酸酯可以举出：碳数4至16的(甲基)丙烯酸烷基酯、碳数2至14的(甲基)丙烯酸β羧基烷基酯、碳数2至14的烷基化(甲基)丙烯酸苯酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和(甲基)丙烯酸异冰片酯等。

多官能丙烯酸酯通常是指，在分子内具有2个至6个(甲基)丙烯酰氧基的化合物。

具有2个(甲基)丙烯酰氧基的二官能丙烯酸酯可例示：1，3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯；1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯；乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯；三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯；双酚A的双(丙烯酰氧乙基)醚；乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯；丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯和3-甲基戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。

具有3个至6个(甲基)丙烯酰氧基的多官能丙烯酸酯可以举出：

三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯；三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；

季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物；

三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物；

己内酯改性三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；己内酯改性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物；己内酯改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物；以及己内酯改性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯与酸酐的反应产物等。需要说明的是，在此示出的多官能丙烯酸酯的具体例中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。另外，己内酯改性是指，在(甲基)丙烯酸酯化合物的源自醇的部位与(甲基)丙烯酰氧基之间导入了己内酯的开环体或开环聚合体。

该多官能丙烯酸酯也可以使用市售品。

其市售品可以列举：A-DOD-N、A-HD-N、A-NOD-N、APG-100、APG-200、APG-400、A-GLY-9E、A-GLY-20E、A-TMM-3、A-TMPT、AD-TMP、ATM-35E、A-TMMT、A-9550、A-DPH、HD-N、NOD-N、NPG、TMPT(新中村化学株式会社制)、“ARONIX M-220””、“ARONIX M-325”、“ARONIX M-240”、“ARONIX M-270”“ARONIX M-309”“ARONIX M-310”、“ARONIX M-321”、“ARONIX M-350”、“ARONIX M-360”、“ARONIX M-305”、“ARONIX M-306”、“ARONIX M-450”、“ARONIX M-451”、“ARONIX M-408”、“ARONIX M-400”、“ARONIX M-402”、“ARONIX M-403”、“ARONIX M-404”、“ARONIX M-405”、“ARONIX M-406”(东亚合成株式会社制)、“EBECRYL 11”、”EBECRYL145”、“EBECRYL 150”、”EBECRYL 40”、”EBECRYL140”、“EBECRYL 180”、DPGDA、HDDA、TPGDA、HPNDA、PETIA、PETRA、TMPTA、TMPEOTA、DPHA、EBECRYL系列(Daicel-Cytec株式会社制)等。

作为沟槽取向膜的凹凸，凸部的宽度优选为0.05～5μm，凹部的宽度优选为0.1～5μm，凹凸的阶差的深度为2μm以下，优选为0.01～1μm以下。如果为该范围，则可以得到取向紊乱小的液晶取向。

取向膜的厚度通常为10nm～10000nm，优选为10nm～1000nm，更优选为10nm～500nm。

作为涂布本发明的组合物的方法可以举出：与作为将取向性聚合物组合物涂布于基材的方法所例示的方法相同的方法。

＜工序(B)＞

在本发明的组合物包含溶剂的情况下，通常从所形成的涂布膜除去溶剂。

溶剂的除去方法可以举出：自然干燥法、通风干燥法、加热干燥和减压干燥法等。

所形成的涂布膜中包含的聚合性液晶化合物通常通过加热至转变为溶液状态的温度以上，接着冷却至发生液晶取向的温度由此发生取向而形成液晶相。

所形成的涂布膜中包含的聚合性液晶化合物发生取向的温度可以预先通过使用包含该聚合性液晶化合物的组合物的纹理观察等求出。另外，也可以同时进行溶剂的除去和液晶取向。对于此时的温度而言，也与要除去的溶剂、聚合性液晶化合物的种类有关，优选为50～200℃的范围，基材为树脂基材的情况下，更优选为80～130℃的范围。

使用作为1/4波片的基材来得到具有本发明的偏振膜和该1/4波片的圆偏振板的情况下，聚合性液晶化合物的取向方向可以设置使得所得偏振膜的透射轴与该基材的慢轴(光轴)实质上呈45°。

＜工序(C)＞

通过对发生取向的聚合性液晶化合物照射活性能量射线，由此使聚合性液晶化合物聚合。

通过发生取向的聚合性液晶化合物进行聚合，由此可得到包含以发生取向的状态聚合的聚合性液晶化合物、和与该聚合性液晶化合物共同进行取向的化合物(1)的偏振膜。

相比于以往的主客体型偏振膜、即在保持向列型液晶相的状态下使聚合性液晶化合物等聚合而得到的偏振膜，包含在保持近晶型液晶相的状态下聚合的聚合性液晶化合物的偏振膜的偏振性能高，另外，相比于仅涂布二向色性色素或溶致液晶型的液晶化合物的偏振膜，偏振性能和强度优异。

活性能量射线的光源只要是产生紫外线、电子射线、X射线等的光源即可。优选为低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、化学灯、黑光灯、微波激发汞灯、金属卤化物灯等在波长400nm以下具有发光分布的光源。

活性能量射线的照射能量优选进行设定使得对聚合引发剂的活性化有效的波长区域的照射强度达到10～5000mJ/cm²，更优选为100～2000mJ/cm²。若照射能量低于10mJ/cm²，则有聚合性液晶化合物的固化变得不充分的倾向。

如此形成的本发明的偏振膜的厚度优选为0.5μm以上且10μm以下的范围，进一步优选为1μm以上且5μm以下。本发明的偏振膜的厚度可以利用干涉膜厚计、激光显微镜或触针式膜厚计的测定求出。

本发明的偏振膜特别优选在X射线衍射测定中可得到布拉格峰。这样的可得到布拉格峰的本发明的偏振膜例如可以举出显示源自于六方相或结晶相的衍射峰的偏振膜。

本发明的偏振膜的最大吸收(λ_max1)优选存在于350～550nm的范围，更优选存在于410～540nm的范围，进一步优选存在于430～530nm的范围。另外，相比于将本发明的偏振膜中包含的化合物(1)溶于适当溶剂进行测定的最大吸收(λ_max2)，λ_max1优选发生了长波长位移。该长波长位移是在利用发生聚合的聚合性液晶化合物所形成的分子链间分散有化合物(1)时表现出的，显示了化合物(1)与该分子链发生强的相互作用。长波长位移是指，最大吸收的差值(λ_max1-λ_max2)为正的值，该差优选为15nm以上，更优选为30nm以上。

本发明的偏振膜显示的二向色性比优选为15以上，更优选为25以上。

在所使用的基材并非1/4波片的情况下，通过将所得到的本发明的偏振膜与1/4波片进行层叠由此可以得到圆偏振板。此时，优选进行层叠使得本发明的偏振膜的透射轴与1/4波片的慢轴(光轴)实质上呈45°。另外，通过使本发明的偏振膜的透射轴与1/4波片等相位差膜的光轴一致或正交，由此还可以得到发挥作为光学补偿膜的功能的偏振板。

本发明的偏振膜与1/4波片的层叠也可以与形成有本发明的偏振膜的基材或形成有取向膜的基材一起进行，也可以除去基材、或者基材和取向膜来进行。形成于基材或形成有取向膜的基材的表面的本发明的偏振膜与1/4波片的层叠例如可以如下进行：使用粘接剂将形成有本发明的偏振膜的面与1/4波片贴合后，除去该基材或形成有取向膜的基材，由此进行。此时，粘接剂可以涂布于本发明的偏振膜，也可以涂布于1/4波片。

＜本发明的偏振膜的连续性制造方法＞

本发明的偏振膜优选通过卷对卷形式连续地进行制造。参照图1，对通过卷对卷形式连续地制造本发明的偏振膜的方法的主要部分的一例进行说明。

在第1卷芯210A上卷绕有基材的第1辊210例如可以从市场容易地获得。可以以这样的辊的形态从市场获得的基材在已例示的基材之中，可以举出：包含纤维素酯、环状烯烃系树脂、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸酯的膜等。

接着，从上述第1辊210卷出基材。卷出基材的方法如下进行：对该第1辊210的卷芯210A设置适当的旋转单元，通过该旋转单元使第1辊210旋转由此进行。另外，也可以是在从第1辊210传送基材的方向设置适当的辅助辊300，利用该辅助辊300的旋转单元卷出基材的形式。此外，也可以是对第1卷芯210A和辅助辊300均设置旋转单元，由此一边对基材赋予适度的张力一边卷出基材的形式。

从上述第1辊210卷出的基材在通过涂布装置211A时，在其表面上，利用该涂布装置211A涂布光取向膜形成用组合物。用于如此连续地涂布光取向膜形成用组合物的涂布装置211A优选凹版涂布法、模涂法和柔性版印刷法。

通过涂布装置211A的基材被传送至干燥炉212A，利用干燥炉212A进行干燥，在基材表面连续地形成第一涂布膜。干燥炉212A例如可使用组合了通风干燥法与加热干燥法的热风式干燥炉。干燥炉212A的设定温度根据上述光取向膜形成用组合物中包含的溶剂的种类等进行确定。干燥炉212A可以包含设定温度相互不同的多个区域，也可以是串联设置的设定温度相互不同的多个干燥炉。

通过偏振UV照射装置213A对所得到的第一涂布膜照射偏振光，由此可得到光取向膜。

接着，形成有光取向膜的基材通过涂布装置211B。利用涂布装置211B在光取向膜上涂布包含溶剂的本发明的组合物后，通过干燥炉212B，可得到该本发明的组合物中包含的聚合性液晶化合物发生取向的第二涂布膜。干燥炉212B担负如下作用：从涂布在光取向膜上的包含溶剂的本发明的组合物除去溶剂的作用，以及给予热能使得该组合物中包含的聚合性液晶化合物发生取向的作用。干燥炉212B与干燥炉212A同样地，可以包含设定温度相互不同的多个区域，也可以是串联设置的设定温度相互不同的多个干燥炉。

在第二涂布膜中包含的聚合性液晶化合物发生了取向的状态下，传送至活性能量射线照射装置213B。在活性能量射线照射装置213B中，进一步进行活性能量射线照射。通过利用活性能量射线照射装置213B的活性能量射线照射，在聚合性液晶化合物发生了取向的状态下进行聚合从而得到偏振膜。

如此连续地制造的该偏振板卷绕于第2卷芯220A，可得到第2辊220的形态。需要说明的是，在卷取时，可以进行使用适当的间隔物的共卷绕。

如此，基材从第1辊210出发依次通过涂布装置211A、干燥炉212A、偏振UV照射装置213A、涂布装置211B、干燥炉212B、活性能量射线照射装置213B，由此可以借助卷对卷(Rollto Roll)形式连续地制造该偏振板。

另外，在图1所示的制造方法中，示出了连续地制造本发明的偏振膜的方法，例如也可以使基材从第1辊出发依次通过涂布装置211A、干燥炉212A、偏振UV照射装置213A，将其卷绕于卷芯由此制造辊状的基材与光取向膜的层叠体，进一步将该辊状的层叠体卷出，依次通过涂布装置211B、干燥炉212B、活性能量射线照射装置213B，由此可以连续地制造本发明的偏振膜。

以第2辊220的形态制造本发明的偏振膜的情况下，从第2辊220出发卷出长条的本发明的偏振膜，裁切成规定的尺寸后，将1/4波片贴合于所裁切的偏振膜，由此可以制造圆偏振板。另外，也可以准备在卷芯上卷绕有长条的1/4波片的第3辊，由此连续地制造长条的圆偏振板。

对于连续地制造长条的圆偏振板的方法，参照图2进行说明。该制造方法包括如下工序：

从第2辊220连续地卷出本发明的偏振膜，并且从卷绕有长条的1/4波片的第3辊230连续地卷出长条的1/4波片的工序；

连续地贴合本发明的偏振膜与上述长条的1/4波片由此得到长条的圆偏振板的工序；和

将所得到的长条的圆偏振板卷绕于第4卷芯240A，得到第4辊240的工序。该方法为所谓的卷对卷贴合。需要说明的是，贴合可以使用粘接剂。

＜本发明的偏振膜的用途＞

本发明的偏振膜和具有本发明的偏振膜和1/4波片的圆偏振板可以用于各种各样的显示装置。

显示装置是指，具有显示元件的装置，包含作为发光源的发光元件或发光装置。具备本偏振板的显示装置例如可以举出液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置、无机电致发光(EL)显示装置、电子发射显示装置(例如场发射显示装置(FED)、表面电场发射显示装置(SED))、电子纸(使用电子墨、电泳元件的显示装置、等离子体显示装置、投射型显示装置(例如光栅光阀(GLV)显示装置、具有数字微镜器件(DMD)的显示装置)和压电陶瓷显示器等。液晶显示装置包括透射型液晶显示装置、半透射型液晶显示装置、反射型液晶显示装置、直视型液晶显示装置和投影型液晶显示装置等中的任一种。这些显示装置可以是显示二维图像的显示装置，也可以是显示三维图像的立体显示装置。

本发明的偏振膜尤其可以有效地用于液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置和无机电致发光(EL)显示装置。

具有本发明的偏振膜和1/4波片的圆偏振板尤其可以有效地用于有机电致发光(EL)显示装置和无机电致发光(EL)显示装置。

将本发明的偏振膜用于液晶显示装置的情况下，本发明的偏振膜可以设置在液晶单元的外部，也可以设置在液晶单元内部。

尤其设置于透射型的有源矩阵的彩色液晶显示装置的液晶单元内部的情况下的第一构成使用图3如下进行说明。该显示装置30由第一基体31、第一的本发明的偏振膜32、滤色器层33、平坦化层34、ITO电极层35、第一取向膜36、液晶层37、第二取向膜38、第二的本发明的偏振膜39、包含薄膜晶体管电路和像素电极的TFT层40、以及第二基体41构成。

滤色器层表示，从来自基盘41侧的入射光提取所期望的波长的光的层，例如可以是从白色光吸收所期望的波长以外的波长的光而仅使所期望的波长的光透过的层，可以是对入射光的波长进行波长转化而射出所期望的波长的光的层。

上述第一和第二的本发明的偏振膜各自可以在第一和第二基体侧包含取向膜。取向膜可以是摩擦取向膜，也可以使用光取向膜。

并且，第一的本发明的偏振膜可以包含相位差层。

接着，对于第二构成，使用图4进行以下说明。该显示装置60由第一基体61、第一的本发明的偏振膜62、滤色器层63、平坦化层64、ITO电极层65、第一取向膜66、液晶层67、第二取向膜68、包含薄膜晶体管电路和像素电极的TFT层70、以及第二基体71、第二偏振膜72构成。

位于第二基盘71的与TFT层70的相反侧的第二偏振膜72可以是本发明的偏振膜，也可以是对聚乙烯醇用碘染色进行拉伸而制成的偏振膜。

使用图5如下说明第三构成。该显示装置80由第一基体81、滤色器层82、第一的本发明的偏振膜83、平坦化层84、ITO电极层85、第一取向膜86、液晶层87、第二取向膜88、包含薄膜晶体管电路和像素电极的TFT层90、以及第二基体91、第二偏振膜92构成。

第三构成之中，第二偏振膜92可以是本发明的偏振膜，也可以是对聚乙烯醇用碘染色并进行拉伸而制成的偏振膜。第二偏振膜92是本发明的偏振膜的情况下，第二偏振膜与第一构成同样地可以位于第二基体91与TFT层90之间。

另外，第三构成之中，滤色器层82可以位于第一基体81的与液晶层的相反侧。

由于滤色器层中包含的粒子，偏振光发生散射而可发生消偏振。因此，第一～第三构成之中，更优选：本发明的第一偏振膜位于滤色器层的液晶层侧的第三构成。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行进一步详细说明。例中的“％”和“份”只要没有特别记载，就为质量％和质量份。

实施例1

将式(2A)所示的化合物0.15g、式(3A)所示的化合物0.10g、磷酸钾0.50g、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)0.0087g、三叔丁基磷鎓四氟硼酸盐0.011g和1，4-二氧六环3g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于100℃搅拌18小时。对所得到的反应混合物进行浓缩后，利用硅胶柱色谱(溶出液：氯仿)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1A)所示的化合物(以下称作化合物(1A))0.03g。

Mw：371(GC-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝360nm(氯仿溶液)

实施例2

将式(2B)所示的化合物0.30g、式(3A)所示的化合物0.21g、乙酸钾0.38g、[1，1’-双(二苯膦基)二茂铁]二氯钯(II)0.129g和二乙二醇二甲醚18.0g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于140℃搅拌3小时。对所得到的反应混合物进行浓缩后，利用硅胶柱色谱(溶出液：氯仿)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1B)所示的化合物(以下称作化合物(1B))0.010g。

Mw：434(LC-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝437nm(氯仿溶液)

实施例3

将式(2C)所示的化合物0.40g、式(3A)所示的化合物0.25g、乙酸钾0.45g、[1，1’-双(二苯膦基)二茂铁]二氯钯(II)0.150g和二乙二醇二甲醚24.0g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于140℃搅拌3小时。对所得到的反应混合物进行浓缩后，利用硅胶柱色谱(溶出液：氯仿)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1C)所示的化合物(以下称作化合物(1C))0.032g。

Mw：490(LC-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝438nm(氯仿溶液)

[聚合性液晶化合物]

使用下述式(4-6)所示的化合物[以下称作化合物(4-6)]、下述式(4-8)所示的化合物[以下称作化合物(4-8)]、下述式(4-14)所示的化合物[以下称作化合物(4-14)]和下述式(4-17)所示的化合物[以下称作化合物(4-17)]。

需要说明的是，化合物(4-6)利用Lub et al.Recl.Trav.Chim.Pays-Bas，115，321-328(1996)记载的方法进行合成。另外，依据该方法制造化合物(4-8)。

化合物(4-14)和化合物(4-17)依据日本专利第4719156号记载的方法进行制造。

化合物(4-6)：

[相转变温度的测定]

化合物(4-6)的相转变温度通过求出由化合物(4-6)构成的膜的相转变温度而求出。该操作如下所述。

在形成了取向膜的玻璃基板上形成由化合物(4-6)构成的膜，一边进行加热，一边通过利用偏光显微镜(BX-51、奥林巴斯公司制)的纹理观察确认相转变温度。化合物(4-6)在升温至120℃后，在降温时，在112℃相转变为向列相，在110℃相转变为近晶A相，在94℃相转变为近晶B相。

化合物(4-8)：

[相转变温度的测定]

与化合物(4-6)的相转变温度测定同样地进行，确认了化合物(4-8)的相转变温度。化合物(4-8)在升温至140℃后，在降温时，在131℃相转变为向列相，在80℃相转变为近晶A相，在68℃相转变为近晶B相。

化合物(4-14)：

[相转变温度的测定]

与化合物(4-6)的相转变温度测定同样地进行，确认了化合物(4-14)的相转变温度。化合物(4-14)在升温至140℃后，在降温时，在106℃相转变为向列相，在103℃相转变为近晶A相，在86℃相转变为近晶B相。

化合物(4-17)：

[相转变温度的测定]

与化合物(4-6)的相转变温度测定同样地进行，确认了化合物(4-17)的相转变温度。化合物(4-17)在升温至140℃后，在降温时，在119℃相转变为向列相，在100℃相转变为近晶A相，在77℃相转变为近晶B相。

实施例4

[组合物的制备]

将下述的成分混合，在80℃搅拌1小时，由此得到组合物(1)。

聚合性液晶化合物：化合物(4-6) 75份

化合物(4-8) 25份

化合物(1)：化合物(1A) 2.5份

聚合引发剂：

2-二甲氨基-2-苄基-1-(4-吗啉基苯基)丁烷-1-酮(IRGACURE369；CibaSpeciality Chemicals公司制) 6份

流平剂：

聚丙烯酸酯化合物(BYK-361N；BYK-Chemie公司制)

1.5份

溶剂：氯仿 250份

[相转变温度的测定]

与化合物(4-6)同样地，求出组合物(1)中包含的成分的相转变温度。该成分在升温至140℃后，在降温时，在115℃相转变为向列相，在105℃相转变为近晶A相，在75℃相转变为近晶B相。

[偏振膜的制造及其评价]

1.取向膜的形成

通过旋涂法在玻璃基板上涂布聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型、和光纯药工业株式会社制)的2质量％水溶液，干燥后，形成厚度100nm的膜。接着，对所得到的膜的表面实施摩擦处理由此形成取向膜。摩擦处理使用半自动摩擦装置(商品名：LQ-008型、常阳工学株式会社制)，利用布(商品名：YA-20-RW、吉川化工株式会社制)以压入量0.15mm、转速500rpm、16.7mm/s的条件进行。通过该摩擦处理，得到了在玻璃基板上形成有取向膜的层叠体1。

2.偏振膜的形成

通过旋涂法在层叠体1的取向膜上涂布组合物(1)，在120℃的加热板上进行1分钟的加热干燥后，迅速冷却至室温，形成了包含在上述取向膜上取向的聚合性液晶化合物的干燥覆膜。接着，使用UV照射装置(SPOT CURE SP-7：牛尾电机株式会社制)，以曝光量2000mJ/cm²(365nm基准)对干燥覆膜照射紫外线，由此使该干燥覆膜中包含的聚合性液晶化合物在保持取向状态的情况下聚合，由该干燥覆膜形成偏振膜(1)从而得到了层叠体2。此时的偏振膜的厚度通过激光显微镜(奥林巴斯株式会社制OLS3000)进行测定，结果为1.7μm。

3.X射线衍射测定

对于偏振膜(1)，使用X射线衍射装置X’Pert PRO MPD(Spectris株式会社制)进行X射线衍射测定。将使用Cu作为靶在X射线管电流40mA、X射线管电压45kV的条件下产生的X射线经由固定发散狭缝1/2°从摩擦方向(预先求出位于偏振膜下的取向膜的摩擦方向)入射，在扫描范围2θ＝4.0～40.0°的范围内以2θ＝0.01671°步长进行扫描来进行测定，结果在2θ＝20.1°附近得到半峰宽(FWHM)＝约0.31°的尖锐衍射峰(布拉格峰)。另外，即便是由摩擦垂直方向的入射也得到了同等的结果。根据峰位置求出的有序周期(d)为约可知形成了反映高度有序的近晶相的结构。

4.二向色性比的测定

使用在分光光度计(岛津制作所株式会社制UV-3150)中安置了具备层叠体2的支架的装置，利用双光束法测定最大吸收波长处的透射轴方向的吸光度(A¹)和吸收轴方向的吸光度(A²)。对于该支架而言，在参比侧设置了将光量50％截止的网(mesh)。根据所测定的透射轴方向的吸光度(A¹)和吸收轴方向的吸光度(A²)的值，算出比(A²/A¹)作为二向色性比。最大吸收波长(λ_max1)为376nm，该波长下的二向色性比显示高达38的值。可以说二向色性比越高，则作为偏振膜越有用。根据化合物(1A)的最大吸收波长(λ_max2)为360nm，确认发生了长波长位移。该长波长位移的结果显示：在本发明的偏振膜中，聚合性液晶化合物聚合而成的密集分子链间分散有化合物(1A)时，该化合物(1A)与其分子链发生强的相互作用。

另外，在所形成的偏振膜(1)表面配置保护膜(40μmTAC(Konica Minolta株式会社制“KC4UY”))，从其上以下述条件照射光，由此评价耐光性。所形成的偏振膜的耐光性优异。

耐光性试验中的光的照射条件如下所述。

使用设备：ATLAS公司制Santest XLS+

使用光源：氙弧灯

曝光条件：250mW/m²

试验时间：120小时

暴露量：108000KJ/m²

温度：60℃

实施例5

在实施例4中，使用化合物(1B)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行实施，由此得到包含化合物(1B)的组合物和偏振膜。

实施例6

在实施例4中，使用化合物(1C)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行实施，由此得到包含化合物(1C)的组合物和偏振膜。

实施例7

在实施例1中，使用式(2D)所示的化合物代替式(2A)所示的化合物，除此以外与实施例1同样地实施，由此得到式(1D)所示的化合物。

实施例8

在实施例4中，使用化合物(1D)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行实施，由此得到包含化合物(1D)的组合物和偏振膜。

实施例9

将式(2E)所示的化合物0.30g、式(3A)所示的化合物0.25g、乙酸钾0.45g、[1，1’-双(二苯膦基)二茂铁]二氯钯(II)0.15g和二乙二醇二甲醚18g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于140℃搅拌3小时。对所得到的反应混合物进行浓缩后，用硅胶柱色谱(溶出液：四氢呋喃)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1E)所示的化合物(以下称作化合物(1E))0.14g。产率以化合物(2E)基准计为40％。

M/Z：384(EI-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝363nm(氯仿溶液)

¹H-NMR(DMSO-d6)：δ(ppm)2.06(s、3H)、7.73(m、4H)、7.95(m、4H)、8.03(m、4H)、10.1(s、1H)。

实施例10

使用化合物(1E)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行，制作了偏振膜。同样地测定最大吸收波长以及二向色性比，结果最大吸收波长(λ_max1)为392nm，二向色性比显示高达30的值。另外，如实施例9中所述，最大吸收波长(λ_max2)为363nm，因此判断发生了长波长位移。其结果显示：在偏振膜中，在聚合性液晶化合物聚合而成的密集的分子链间分散有化合物(1E)时，该化合物(1E)与其分子链发生强的相互作用。

实施例11

在实施例1中，使用式(2F)所示的化合物代替式(2A)所示的化合物，除此以外与实施例1同样地进行实施，由此得到式(1F)所示的化合物。

实施例12

在实施例4中，使用化合物(1F)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行实施，由此得到包含化合物(1F)的组合物和偏振膜。

实施例13

将式(2G)所示的化合物0.30g、式(3A)所示的化合物0.22g、乙酸钾0.39g、[1，1’-双(二苯膦基)二茂铁]二氯钯(II)0.13g和二乙二醇二甲醚18g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于140℃搅拌3小时。将所得到的反应混合物进行浓缩后，利用硅胶柱色谱(溶出液：四氢呋喃)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1G)所示的化合物(以下称作化合物(1G))0.26g。产率以化合物(2G)基准计为76％。

M/Z：428(EI-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝360nm(氯仿溶液)

¹H-NMR(CDCl₃)：δ(ppm)0.88(t、3H)、1.30(m、10H)、1.63(t、2H)、2.21(s、3H)、2.68(t、2H)、7.25(d、2H)、7.33(d、2H)、7.67(m、4H)、7.85(d、2H)、7.96(d、2H)。

实施例14

使用化合物(1G)代替化合物(1A)，除此以外与实施例4同样地进行，制作了偏振膜。同样地测定了最大吸收波长以及二向色性比，结果最大吸收波长(λ_max1)为380nm，二向色性比显示高达60的值。另外，如实施例13中所述，最大吸收波长(λ_max2)为360nm，因此判断发生了长波长位移。其结果显示：在偏振膜中，聚合性液晶化合物聚合而成的密集的分子链间分散有化合物(1G)时，该化合物(1G)与其分子链发生强的相互作用。

实施例15

将式(2G)所示的化合物0.30g、式(3B)所示的化合物0.30g、磷酸钾0.85g、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)0.0147g、三叔丁基磷鎓四氟硼酸盐0.0187g和1，4-二氧六环6g混合。将所得到的混合物在氮气氛下于100℃搅拌5小时。将所得到的反应混合物进行浓缩后，利用硅胶柱色谱(溶出液：四氢呋喃)进行纯化。将所得到的固体用乙腈洗涤后，进行干燥，由此得到作为橙色固体的式(1H)所示的化合物(以下称作化合物(1H))0.11g。产率以化合物(2G)基准计为28％。

M/Z：482(EI-MS)

最大吸收波长(λ_max2)＝355nm(氯仿溶液)

产业上的可利用性

本发明的新型化合物是在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收、发挥作为二向色性色素的功能的化合物，包含该化合物的本发明的组合物可提供二向色性比高的偏振膜。

符号说明

210 第1辊

210A 卷芯

220 第2辊

220A 卷芯

211A，211B 涂布装置

212A，212B 干燥炉

213A 偏振UV照射装置

213B 活性能量射线照射装置

300 辅助辊

230 第3辊

230A 卷芯

240 第4辊

240A 卷芯

300 辅助辊。

Claims

1.式(1)所示的化合物，

式(1)中，R¹表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R¹¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，R¹⁰与R¹¹可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环，

构成所述烷基、所述烷氧基、所述酰基、所述烷氧羰基、所述酰氧基、所述烷磺酰基和所述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代，

构成所述烷基和所述烷氧基的碳原子间可插入有-O-或-NR²⁰-，R²⁰表示氢原子或碳数1～20的烷基，

R⁷和R⁸是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，p和q各自独立地为0～2的整数，

R²表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R³表示氢原子或碳数1～20的烷基，R²与R³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环，构成所述酰基、所述烷磺酰基和所述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代，

构成所述烷基和所述烷氧基的碳原子间可插入有-O-或-NR²¹-，R²¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，

Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团，

式(Y1)中，*表示与N的键合部位，

R⁹是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，r为0～2的整数，

式(Y2)中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示-S-、-O-或-N(R¹²)-，R¹²表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q¹和Q²各自独立地表示＝N-或＝CH-。

2.如权利要求1所述的化合物，其中，p、q和r为0。

3.一种组合物，其包含聚合性液晶化合物和权利要求1或2所述的化合物。

4.如权利要求3所述的组合物，其中，聚合性液晶化合物显示近晶型液晶相。

5.如权利要求3或4所述的组合物，其中，还包含聚合引发剂。

6.一种偏振膜，其包含权利要求1或2所述的化合物。

7.一种偏振膜，其由权利要求3～5中任一项所述的组合物形成。

8.如权利要求6或7所述的偏振膜，所述偏振膜的最大吸收波长λ_max1比式(1)所示的化合物的最大吸收波长λ_max2更长。

9.如权利要求8所述的偏振膜，其λ_max1与λ_max2之差为15nm以上。

10.如权利要求6～9中任一项所述的偏振膜，其在X射线衍射测定中显示布拉格峰。

11.一种液晶显示装置，其具备权利要求6～10中任一项所述的偏振膜。

12.一种液晶单元，其具备权利要求6～10中任一项所述的偏振膜、液晶层和基体。

13.如权利要求12所述的液晶单元，其中，偏振膜配置于基体与液晶层之间。

14.如权利要求13所述的液晶单元，其中，在基体与液晶层之间还配置有滤色器。

15.一种圆偏振板，其具有权利要求6～10中任一项所述的偏振膜和1/4波片。

16.一种有机EL显示装置，其具备权利要求6～10中任一项所述的偏振膜和有机EL元件。

17.一种有机EL显示装置，其具备权利要求15所述的圆偏振板和有机EL元件。

18.式(1)所示的化合物的制造方法，

式(1)中，R¹、R²、R³、R⁷、R⁸和Y表示与上文相同的含义，

式(2)中，X表示氯原子、溴原子或碘原子，

R¹表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R¹⁰)(R¹¹)，R¹⁰表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R¹¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，R¹⁰与R¹¹可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环，

构成所述烷基和所述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²⁰-，R²⁰表示氢原子或碳数1～20的烷基，

R⁷是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，p为0～2的整数，Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团，

式(Y1)中，*表示与N的键合部位，

表示碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，r为0～2的整数，

式(Y2)中，*表示与N的键合部位，P¹和P²各自独立地表示-S-、-O-或-N(R¹²)-，R¹²表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q¹和Q²各自独立地表示＝N-或＝CH-，

式(3)中，R²表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R³表示氢原子或碳数1～20的烷基，R²与R³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO₂-的环，构成所述酰基、所述烷磺酰基和所述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代，

构成所述烷基和所述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR²¹-，R²¹表示氢原子或碳数1～20的烷基，

R⁸是氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4的烷氧基的至少一个氢原子可以经卤原子或羟基取代，q为0～2的整数，

R⁴和R⁵各自独立地表示氢原子或碳数1～10的烷基，R⁴与R⁵可以相互键合并与它们所键合的氧原子和硼原子一起形成包含-O-B-O-的环。