CN107045220A - 可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,包括以下步骤:首先,提供一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、一形成于高分子液晶分散层上之透明导电层及一形成于透明导电层上之透明基板;接着,对光学复合膜进行图案化加工,移除透明导电层的一部分以形成一导电线路图案及多条由导电线路图案一侧弯折延伸而成的引线,并形成一贯穿透明基板、透明导电层及高分子液晶分散层的接线缺口;然后,对经图案化的光学复合膜进行至少一次表面修复程序;最后,在接线缺口处形成一电性接点。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学复合膜的制造方法,尤指一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法。
背景技术
高分子分散液晶膜(Polymer Dispersed Liquid Crystal,PDLC)是由次微米大小的液晶微粒(Liquid Crystal droplet)均匀分散于高分子材质中所组成,由于其“可利用外加电场操作在光散射状态或光穿透状态”的机制,因此可使用于导电玻璃上,例如将PDLC封装于导电玻璃中,如此便可透过电场的变化(开关),使透光结构呈现透明或不透明的变化效果,此内建PDLC的导电玻璃即市场上所称之智能玻璃(Smart Windows)。
随着工艺技术与材料升级,PDLC的应用性已被大大地提升,例如,可利用软性导电透明塑料来封装高分子分散液晶,并结合透明黏合层以将此软性导电塑料结构贴合于建筑玻璃、车窗、冰柜、或投影墙上。为了在智能玻璃上呈现动态的透光变化,内建的PDLC复合层在制作时,须先依客户所需要的图案对透明导电膜进行线路蚀刻,而后再进行封装作业,始能利用电性操控产生图案变化。然而,现有的工艺仅能应用于片状PDLC复合层的加工,并无法达到连续性生产之效率,造成生产成本较高和生产周期较长。
发明内容
针对现有技术的不足之处,本发明之一目的在于提供一种可使用卷对卷(R2R)工艺技术以提高生产效率之可控制透光图案变化的光学复合膜结构之制造方法。
为达上述的目的,本发明采用以下技术方案:一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,包括以下步骤:提供设定尺寸的一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、形成于该高分子液晶分散(PDLC)层之一表面的第一透明导电层及形成于该第一透明导电层上的第一透明基板;对该光学复合膜进行图案化加工,移除该第一透明导电层的一部分以形成第一导电线路图案及多条由该第一导电线路图案的一侧弯折延伸而成的第一引线,再于该第一透明基板、该第一透明导电层及该高分子液晶分散层形成第一接线缺口;对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序;以及在该第一接线缺口处形成一电性接点。
优选地,在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤中,该光学复合膜还包括一形成于该高分子液晶分散层之另一表面的第二透明导电层及一形成于该第二透明导电层上的第二透明基板。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,还包括:移除该第二透明导电层的一部分以形成第二导电线路图案及多条由该第二导电线路图案之一侧弯折延伸而成的第二引线,再于该第二透明基板、该第二透明导电层及该高分子液晶分散层形成第二接线缺口。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用激光蚀刻方式在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用一切割刀具在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
优选地,在对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序的步骤中,还包括:利用一清洁配方接触该第一接线缺口、该第一接线缺口的周边、该第二接线缺口及该第二接线缺口的周边。
优选地,在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤与对该光学复合膜进行图案化加工的步骤之间,还包括:利用该清洁配方接触该光学复合膜之周缘表面。
优选地,该清洁配方包括一有机溶剂,该有机溶剂包括醇、氨基化合物、醚或其等的组合,且该有机溶剂占该清洁配方中之大于80wt%。
优选地,在该第一接线缺口处形成间隔排列的电性接点的步骤中,还包括:在该第二接线缺口处形成一电性接点,且该第一接线缺口的该电性接点及该第二接线缺口的该电性接点是利用网印方式,并按设定的图案将一导电胶涂布于该第一接线缺口及该第二接线缺口内而形成。
优选地,第一透明导电层及第二透明导电层之材料为纳米碳管、聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、纳米银、铟锡氧化物(ITO)、或其等的组合,第一透明导电层及第二透明导电层之厚度介于100nm至10μm,第一透明基板及第二透明基板之材料为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚氨酯(PU)、或压克力,第一透明基板及第二透明基板之厚度介于10μm至500μm。
本发明的有益效果在于:本发明透过“先将未经蚀刻的透明导电层与PDLC层结合封装,或是制成PDLC复合膜卷材后,再利用激光蚀刻进行透明导电层的线路化制作”的流程步骤改良,可搭配卷对卷(R2R)制造技术,以实现内建PDLC层之光学复合膜结构的大规模连续生产。
为使能更进一步了解本发明之特征及技术内容,请参阅以下有关本发明之详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明,而非对本发明的权利范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法的流程示意图。
图2A至图9为对应本发明第一实施例的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法的工艺示意图。
图10为本发明第二实施例的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法的流程示意图。
图11为对应本发明第二实施例的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法的工艺示意图。
[图的符号的简单说明]
S100~S106 流程步骤
具体实施方式
针对现有的工艺中“先以蚀刻方式进行触控线路与PDLC线路结构中之各导电层的线路化制作,而后再与PDLC层结合封装”的流程步骤存在 的缺失,本发明所揭露的内容主要是关于一种内建PDLC层之光学复合膜结构的新工艺,其特点在于,先将未经蚀刻的透明导电层与PDLC层结合封装,或是制成PDLC复合膜卷材后,再利用激光蚀刻进行透明导电层的线路化制作;依此方式,本发明的新工艺可搭配卷对卷(R2R)制造技术,以实现内建PDLC层之光学复合膜结构的大规模连续生产。
在下文将参看随附图式更充分地描述各种例示性实施例,在随附图式中展示一些例示性实施例。然而,本发明概念可能以许多不同形式来体现,且不应解释为限于本文中所阐述之例示性实施例。确切而言,提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整,且将向熟习此项技术者充分传达本发明概念的范畴。在诸图式中,可为了清楚而夸示层及区之大小及相对大小。类似数字始终指示类似元件。
应理解,虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或信号等,但此等元件或信号不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一元件与另一元件,或者一信号与另一信号。另外,如本文中所使用,术语“或”视实际情况可能包括相关联之列出项目中之任一者或者多者之所有组合。
[第一实施例]
请参阅图1,为本发明第一实施例之可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法的流程示意图。并请配合参阅图2A至图9,为对应本实施例之制造方法的工艺示意图。
本实施例之制造方法适用于制造具有高分子分散液晶(PDLC)层的光学复合膜结构,其中高分子分散液晶层上由于形成有导电线路图案与引线线路,且引线线路可经由排线与外部的控制单元电性连接,因此所述光学复合膜结构可透过控制单元令高分子分散液晶层上与导电线路图案相关 区的区域产生局部透光或不透光的变化,达到可控制透光图案变化之目的。
如图1所示,本实施例之制造方法包括:步骤S100,提供一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、一形成于高分子液晶分散层上的透明导电层及一形成于透明导电层上的透明基板;步骤S102,对光学复合膜进行图案化加工,移除第一透明导电层的一部分以形成一导电线路图案及多条由导电线路图案一侧弯折延伸而成的引线,再于透明基板、透明导电层及高分子液晶分散层形成接线缺口;步骤S104,对图案化后的光学复合膜进行至少一次表面修复程序;以及步骤S106,在接线缺口处形成电性接点。
请一并参阅图2A至图4,步骤S100中,光学复合膜100a、100b为经过预先封装的片状材料层叠结构(即待加工件),且具有特定尺寸和外形,例如,长宽分别为400mm、400mm的方形待加工件(如图2所示),或是长宽分别为400mm、200mm的矩形待加工件(如图3所示),然本发明并不以此举例为限;光学复合膜100a、100b的尺寸大小可根据产品需求而调整。优选地,步骤S100于实际实施时可先利用卷对卷方式制备光学复合膜卷材100’,然后再使用激光、切割刀具、冲切等裁切对象的手段或工具,从光学复合膜卷材100’上裁切出小片光学复合膜100a、100b来进行后续的加工作业。在下面的描述中,将以光学复合膜100b为例说明步骤S102至步骤S106的具体实施方式,合先叙明。
从结构上来看,如图4所示,光学复合膜100b主要包括高分子液晶分散层1、第一透明导电层2、第二透明导电层3、第一透明基板4、及第二透明基板5。其中,第一和第二透明导电层2、3分别形成于高分子液晶分散层1之相对二表面上,第一透明基板4形成于第一透明导电层2上,第二透明基板5形成于第二透明导电层3上。在不影响光学复合膜100b之使用效果的前提下,可再于第一透明导电层2与第一透明基板4之间设 置第一光学硬化层6,以及于第二透明导电层3与第二透明基板5之间设置第二光学硬化层7。
更进一步来说,高分子液晶分散层1主要由液晶与树脂(如UV型或热固型树脂)所组成,并混入二氧化硅或玻璃珠之间隙物(spacer),间隙物的厚度可介于5μm至100μm,优选为20μm。第一和第二透明基板4、5为可透光的塑料或玻璃基板,其中可透光的塑料的具体例包括:聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚氨酯(PU)、压克力等;第一和第二透明基板4、5的厚度可介于10μm至500μm,优选为20μm。
第一和第二光学硬化层6、7是分别于第一和第二透明基板4、5之内侧表面进行硬化处理而形成,第一和第二光学硬化层6、7可为压克力、环氧树脂、二氧化硅、或以上材料组合制成,且厚度可介于1μm至5μm。第一和第二透明导电层2、3可利用涂布或蒸镀方式分别形成于第一和第二光学硬化层6、7之内侧表面,第一和第二透明导电层2、3可为有机或无机导电材料制成,且厚度可介于100nm至10μm;有机导电材料的具体例包括:纳米碳管、聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)等,无机导电材料的具体例包括:银、纳米银、铟锡氧化物(ITO)等。
请一并参阅图5至图7,步骤S102中,光学复合膜100b的第一和第二透明导电层2、3可藉由激光蚀刻方式予以图案化,以形成PDLC线路、电极线路与触控线路。具体地说,考虑到如何降低工艺难度与成本,同时不需要高精密度的激光蚀刻设备,本实施例采用接续蚀刻方式,亦即对第一和第二透明导电层2、3上不同位置的多个作业区块循序地进行激光蚀刻,以去除第一透明导电层2的一部分,以形成第一导电线路图案21及多条由第一导电线路图案21之一侧弯折延伸而成的第一引线22,并去除第二透明导电层3的一部分,以形成第二导电线路图案31及多条由第二导电线路图案31之一侧弯折延伸而成的第二引线32。
须说明的是,第一和第二透明导电层2、3可单独或同时进行激光蚀刻作业;若选择同时对第一和第二透明导电层2、3进行蚀刻,可采用如下激光光源条件:光点(spot size)直径为1~100μm;能量为1~5W,优选为2~4W;脉冲频率(PRR)为50~500kHz,优选为200~400kHz;作用时间(pulse duration)为1~500ns,优选为5~200ns;激光行进速率为800~4000mm/sec。配合前述最佳的覆盖次数,行进速率相对于PRR以7±4为佳,以确保同位置之脉冲重复覆盖重复次数小于20次,其中以3至16次为佳。
再者,为了在光学复合膜100b上设置FPC排线,以建构其与外部的控制单元之间的电性连结,步骤S102于实际施行时,可以在导电层线路化的同时,或是在完成上述所有线路的制作之后,进一步于光学复合膜100b一侧的周缘处形成贯穿第一透明基板4、第一透明导电层2及高分子液晶分散层1的第一接线缺口23,以对应第二透明基板5之第二引线32之第二接线区322,并于光学复合膜100b另一侧的周缘处形成贯穿第二透明基板5、第二透明导电层3及高分子液晶分散层1的第二接线缺口33,以对应第一透明基板4之第一引线22之第一接线区222,作为FPC排线之贴合区域。本实施例中,第一和第二接线缺口23、33的位置呈左右对应关系,而形成第一和第二接线缺口23、33的手段包括使用切割刀具或激光实施切割,在未经蚀刻或蚀刻后的光学复合膜100b上切出断面略呈U状的第一和第二接线缺口23、33,然本发明并不以此举例为限。
更进一步来说,如图5及图6所示,第一导电线路图案21包括多条横向间隔排列的第一电极线211(如PDLC电极线),该多条第一引线22一端分别连接于该多个第一电极线211末端,且该多条第一引线22另一端延伸至对应的第二接线缺口33,用以与FPC排线(图中未显示)电性连结;第二导电线路图案31包括多条纵向间隔排列的第二电极线311,该多条第二引线32一端分别连接于该多个第二电极线311末端,且该多条第二引线32另一端延伸至对应的第一接线缺口23,用以与FPC排线(图中未显示)。
虽然在图5中所示的第一导电线路图案21与在图6中所示第二导电线路图案31两者并不相同,具体地说,第一导电线路图案21所包含的第一电极线211与第二导电线路图案31所包含的第二电极线311相互垂直,但是对于本实施例之其它实施态样,位于高分子液晶分散层1之相对二表面上的第一导电线路图案21亦可与第二导电线路图案31相同且相对应;所以说,在图5中所示的第一导电线路图案21与在图6中所示第二导电线路图案31仅供参考与说明之使用,并非用以限制本发明。
请参阅图8,步骤S104中,表面修复程序指的是使用一清洁配方接触第一接线缺口23、第一接线缺口23的周边、第二接线缺口33、及第二接线缺口33的周边,对该多个区域作进一步清洁处理,以将蚀刻残渣和其它污染物完全去除,如此可大幅提升产品的使用效果。本实施例中,清洁配方与该多个区域接触的手段包括使用一擦拭元件(如擦拭棒)沾附清洁配方,然后对该多个区域轻轻擦拭,直到蚀刻残渣和其它污染物完全消失;清洁配方之主成分为有机溶剂(含量大于80wt%),其可选自于醇、氨基化合物、醚或其等的组合。
请参阅图9,步骤S106中,第一和第二接线缺口23、33可藉由注射或印刷导电胶(如异方向性导电胶)方式形成电性接点24、34;具体地说,可先利用网版印刷方式将导电胶转印到第一和第二接线缺口23、33处,然后再进行热压接合,过程中胶体于受压后会往四周流动,且留下的导电粒子晶于加压后产生形变,以提供电流讯号传递的通路。在完成步骤S106后,即可制成可控制透光图案变化的光学复合膜结构。
[第二实施例]
请参阅图10,为本发明第二实施例之可控制透光图案变化的光学复合膜结构之制造方法的流程示意图。如图10所示,本实施例之制造方法包括:步骤S200,提供一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、一形成于高分子液晶分散层上的透明导电层及一形成于透明导电层上的透明 基板;步骤S202,对光学复合膜进行至少一次表面修复程序;步骤S204,对表面修复后的光学复合膜进行图案化加工,移除第一透明导电层的一部分以形成一导电线路图案及多条由导电线路图案一侧弯折延伸而成的引线,再于透明基板、透明导电层及高分子液晶分散层形成接线缺口;步骤S206,对图案化后的光学复合膜再进行至少一次表面修复程序;以及步骤S208,在接线缺口处形成电性接点。步骤S200至步骤S208的具体实施方式可参考第一实施例所述,故在此不加以赘述。
请配合参阅图11,本实施例之制造方法与第一实施例相比,差别在于:在提供光学复合膜的步骤(步骤S200)与对光学复合膜进行图案化加工的步骤(步骤S204)之间,进一步增加了一个活化与表面清洁步骤(步骤S202)。步骤S202中,表面修复程序指的是使用上述的清洁配方接触未经蚀刻的光学复合膜100b之周缘表面,以将残留的污染物完全去除。
[实施例的可能功效]
首先,本发明透过“先将未经蚀刻的透明导电层与PDLC层结合封装,或是制成PDLC复合膜卷材后,再利用激光蚀刻进行透明导电层的线路化制作”的流程步骤改良,可搭配卷对卷(R2R)制造技术,以实现内建PDLC层之光学复合膜结构的大规模连续生产。
承上述,本发明不但可将工艺予以精简化,降低了工艺技术的困难度和复杂度,使内建PDLC层之光学复合膜结构的工艺时间和生产成本大幅降低,而且所形成的各种线路图案皆具有高均一性。
再者,本发明所使用的设备取得容易且购置成本较低,完全不需要高精密度的激光蚀刻设备,因此适合工业化量产。
以上所述仅为本发明的实施例,其并非用以限定本发明的专利保护范围。任何熟习相像技艺者,在不脱离本发明的精神与范围内,所作的更动及润饰的等效替换,仍为本发明的专利保护范围内。
【符号说明】
100a、100b 光学复合膜
100’ 光学复合膜卷材
1 高分子液晶分散层
2 第一透明导电层
21 第一导电线路图案
211 第一电极线
22 第一引线
222 第一接线区
23 第一接线缺口
24 电性接点
3 第二透明导电层
31 第二导电线路图案
311 第二电极线
32 第二引线
322 第二接线区
33 第二接线缺口
34 电性接点
4 第一透明基板
5 第二透明基板
6 第一光学硬化层
7 第二光学硬化层
8 擦拭元件
S100~S106 流程步骤
S200~S208 流程步骤。
Claims (10)
1.一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其特征在于,所述可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法包括以下步骤:
提供设定尺寸的一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、形成于该高分子液晶分散(PDLC)层的一表面的第一透明导电层及形成于该第一透明导电层上的第一透明基板;
对该光学复合膜进行图案化加工,移除该第一透明导电层的一部分以形成第一导电线路图案及由该第一导电线路图案的一侧弯折延伸而成的多条第一引线,再于该第一透明基板、该第一透明导电层及该高分子液晶分散层形成第一接线缺口;
对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序;以及
在该第一接线缺口处形成电性接点。
2.根据权利要求1所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤中,该光学复合膜还包括一形成于该高分子液晶分散层的另一表面的第二透明导电层及一形成于该第二透明导电层上的第二透明基板。
3.根据权利要求2所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,还包括:移除该第二透明导电层的一部分以形成第二导电线路图案及由该第二导电线路图案的一侧弯折延伸而成的多条第二引线,再于该第二透明基板、该第二透明导电层及该高分子液晶分散层形成第二接线缺口。
4.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用激光蚀刻方式在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
5.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用一切割刀具在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
6.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序的步骤中,还包括:利用一清洁配方接触该第一接线缺口、该第一接线缺口的周边、该第二接线缺口及该第二接线缺口的周边。
7.根据权利要求6所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤与对该光学复合膜进行图案化加工的步骤之间,还包括:利用该清洁配方接触该光学复合膜之周缘表面。
8.根据权利要求7所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中该清洁配方包括一有机溶剂,该有机溶剂包括醇、氨基化合物、醚或其等的组合,且该有机溶剂在该清洁配方中的含量大于80wt%。
9.根据权利要求6所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中在该第一接线缺口处形成间隔排列的电性接点的步骤中,还包括:在该第二接线缺口处形成一电性接点,且该第一接线缺口的该电性接点及该第二接线缺口的该电性接点是利用网印方式,并按设定的图案将一导电胶涂布于该第一接线缺口及该第二接线缺口内而形成。
10.根据权利要求1所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,其中第一透明导电层及第二透明导电层之材料为纳米碳管、聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、纳米银、铟锡氧化物(ITO)、或其等的组合,第一透明导电层及第二透明导电层的厚度介于100nm至10μm,第一透明基板及第二透明基板之材料为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚氨酯(PU)、或压克力,第一透明基板及第二透明基板之厚度介于10μm至500μm。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170815 |
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