CN107039598B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置。其中基板划分为生成不同颜色的光的多个子像素。在基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素的发光区对应的部分上设置有防漏光层。在基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素对应的部分上设置有覆盖层，并且覆盖层包括具有多个凹部或多个凸部的微透镜。在覆盖层上设置有有机电致发光装置。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年10月30日提交的韩国专利申请号10-2015-0152630和2016年8月31日提交的韩国专利申请号10-2016-0112123的优先权，在此通过引用将其如本文中完全阐述的一样并入本文中用于所有目的。
技术领域
本公开一般性涉及有机发光显示装置，并且更具体地涉及能够防止漏光的有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置可以制造为相对轻薄，这是由于在其中使用能够自身发光的有机电致发光(EL)装置或有机发光二极管(OLED)，所以不需要单独的光源。此外，有机发光显示装置不仅在功耗方面有优势(由于它们在低电压下驱动)，而且具有所期望的品质例如实现一系列颜色、快速响应速度、宽视角和高对比度的能力。因而，已经对用于下一代显示器的有机发光显示装置进行了积极的研究。
通过有机发光显示装置的有机发光层生成的光穿过有机发光显示装置的若干个部件从有机发光显示装置发射出。然而，通过有机发光层生成的光的一部分可能无法从有机发光显示装置射出，并且可能俘获在有机发光显示装置内，从而引起有机发光显示装置的光提取效率低的问题。
具体地，在具有底部发光结构的有机发光显示装置的情况下，通过有机发光层生成的光的约50％通过阳电极的全内反射或光吸收可俘获在有机发光显示装置内，同时通过有机发光层生成的光的约30％通过基板的全内反射或光吸收可俘获在有机发光显示装置内。也就是说，通过有机发光层生成的光的约80％可俘获在有机发光显示装置内，并且仅约20％的光可以向外发射，从而导致光提取效率差。
为了提高有机发光显示装置的光提取效率，已经提出了将微透镜阵列(MLA)附接至有机发光显示装置的覆盖层的方法或在有机发光显示装置的覆盖层上形成微透镜的方法。
当在有机发光显示装置的基板外设置MLA或者在覆盖层上形成微透镜时，通过有机发光层生成的光穿过基板到达偏振器，并且然后从偏振器反射为重新取向为朝向基板。此处，光的朝向基板行进的部分可以到达在其上生成不同颜色的光的相邻像素的微透镜处，从而引起漏光，这是有问题的。
发明内容
本公开的各个方面提供一种能够防止漏光同时提高光提取效率的有机发光显示装置。
在本公开的一个方面，一种有机发光显示装置可以包括：基板，其划分为生成不同颜色的光的多个子像素；防漏光层，其设置在基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素的发光区对应的部分上；覆盖层，其设置在基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素对应的部分上并且包括具有多个凹部或多个凸部的微透镜；以及设置在覆盖层上的有机电致发光装置。
至少在本公开的一些实施方案中，所述多个子像素可以划分为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。防漏光层可以包括分别设置在多个子像素中的第一防漏光层至第四防漏光层。第一防漏光层至第四防漏光层中的至少两个防漏光层可以允许相同颜色的光从中通过。可替代地，第一防漏光层至第四防漏光层中的至少一个防漏光层可以允许与穿过第一防漏光层至第三防漏光层中的剩余防漏光层的至少一种颜色的光互补的至少一种颜色的光从中通过。
微透镜可以包括第一微透镜和第二微透镜，第二微透镜设置在多个子像素中的未设置有第一微透镜的至少一个子像素中，第二微透镜与第一微透镜相同或不同。微透镜还可以包括与第一微透镜或第二微透镜相同或与第一微透镜和第二微透镜不同的第三微透镜。
至少在本公开的一些实施方案中，在有机发光显示装置中，在多个子像素中的至少一个子像素中可以未设置有防漏光层。在多个子像素中的至少一个子像素中可以未设置有第一微透镜。
根据如上阐述的本公开，有机发光显示装置包括设置在与多个子像素中的至少一个子像素的发光区对应的区域中的防漏光层，以防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光，同时防止由有机发光(EL)装置生成的光的提取效率降低。
此外，在根据本公开的有机发光显示装置中，多个像素中的每一个像素包括多个子像素，其中多个子像素设置有不同的微透镜或多个子像素中的至少一个子像素未设置有微透镜，从而可以根据子像素调整光提取效率并且可以防止漏光。
附图说明
当结合附图时，本公开的上述和其他目的、特征和优点将通过下面的详细描述而得到更清楚的理解，在附图中：
图1是示意性示出根据示例性实施方案的显示装置的框图；
图2是示出根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图3是根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图；
图4是示出根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图5是根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图4的线C-D截取的截面图；
图6是示出根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图7是根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图6的线E-F截取的截面图；
图8是示出根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图9是根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图8的线G-H截取的截面图；
图10是示出根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图11是根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图10的线I-J截取的截面图；
图12是示出根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图13是根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图12的线K-L截取的截面图；
图14是示出根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图；
图15是根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图14的线M-N截取的截面图；
图16示出了根据一个替代实施方案的设置在第四子像素中的第四防漏光层和绝缘层的构造；以及
图17是示出本实施例和比较例中的有机发光显示装置的反射率降低效果的图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的实施方案，其实例在附图中示出。提供本文所阐述的实施方案用于说明的目的以向本领域的技术人员充分传达本公开的构思。本公开不应该被解释为限于这些实施方案，并且可以以许多不同的形式来实施。在附图中，为清楚起见装置的尺寸和厚度可以被放大。贯穿整个文件，相同的附图标记和符号将用于指代相同或类似的部件。
参照附图和实施方案的详细描述本公开的优点和特征及其实现方法将变得明显。本公开不应该被理解为限于本文所阐述的实施方案，而是可以以许多不同的形式来实施。确切地说，提供这些实施方案使得本公开将更透彻和完整，并且将向本领域的技术人员更好地传达本公开的范围。本公开的范围应当由所附的权利要求来限定。贯穿整个文件，相同的附图标记和符号将用于指代相同或类似的部件。在附图中，为清楚起见层和区域的尺寸和相对尺寸可以被夸大。
应理解的是，当元件或层称为在另一元件或层“上”时，它不仅可以“直接在”另一元件或层上，它也可以经由“介于中间的”元件或层“间接地在”另一元件或层上。相比之下，当元件或层称为“直接在”另一元件或层上时，应当理解的是，未插入介于中间的元件或层。
为了方便描述如附图中所示元件或部件与另一元件或其他部件的关系，在本文中可以使用空间相关的术语，例如“在…下方”、“在…之下”、“在…下”、“下部”、“在…上方”和“上部”。空间相关的术语应当理解为包括除了附图中描述的取向之外的元件在使用或操作时的不同取向的术语。例如，当附图中所示的元件翻转时，则描述为在另一元件“下方”、“之下”或“下”的元件将定向为在另一元件“上方”。因此，示例性术语“在…下方”、“在…之下”或“在…下”可以包括上方和下方两个取向。
此外，在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”的术语来描述部件。然而，应当理解的是，这些术语仅用于区分一个部件与另一部件，并且部件的实质、次序、顺序或数量不受这些术语的限制。
图1是示意性示出根据示例性实施方案的显示装置的框图。参照图1，根据示例性实施方案的显示装置1000包括：显示面板1100，在其上沿第一方向即附图中的垂直方向布置有多个第一线VL1至VLm，并且沿第二方向即附图中的水平方向布置有多个第二线HL1至HLn；将第一信号提供至多个第一线VL1至VLm的第一驱动器电路1200；将第二信号提供至多个第二线HL1至HLn的第二驱动器电路1300；以及控制第一驱动器电路1200和第二驱动器电路1300的定时控制器1400。
通过沿第一方向布置的多个第一线VL1至VLm与沿第二方向布置的多个第二线HL1至HLn的交叉在显示面板1100上限定多个像素P。
第一驱动器电路1200和第二驱动器电路1300中的每一个可以包括至少一个驱动器集成电路(IC)以输出图像显示信号。
例如，沿第一方向布置在显示面板1100上的多个第一线VL1至VLm可以是沿垂直方向布置的数据线以将数据电压(即第一信号)传送至沿垂直方向布置的像素列。第一驱动器电路1200可以是将数据电压提供至数据线的数据驱动器电路。
此外，例如，沿第二方向布置在显示面板1100上的多个第二线HL1至HLn可以是沿水平方向布置的栅极线以将扫描信号(即第二信号)传送至沿水平方向布置的像素行。第二驱动器电路可以是将扫描信号提供至栅极线的栅极驱动器。
显示面板1100具有设置在其上的焊盘，焊盘使得显示面板1100连接至第一驱动器电路1200和第二驱动器电路1300。当第一驱动器电路1200将第一信号提供至多个第一线VL1至VLm时，焊盘将第一信号传送至显示面板1100。以相同的方式，当第二驱动器电路1300将第二信号提供至多个第二线HL1至HLn时，焊盘将第二信号传送至显示面板1100。
每个像素包括一个或更多个子像素。由子像素限定的颜色可以是红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)以及选择性地白色(W)，但本公开不限于此。
在显示面板中，连接至控制每一个子像素以生成光的薄膜晶体管(TFT)的电极称为第一电极，而设置在显示面板的前表面上或覆盖两个或更多个像素的电极称为第二电极。当第一电极是阳极时，第二电极是阴极，反之亦然。下文中，第一电极将称为阳极并且第二电极将称为阴极，但本公开不限于此。
有机发光显示装置可以根据电致发光装置的结构被分类为顶部发光型或底部发光型。尽管将参照底部发光型有机发光显示装置对下面的实施方案进行描述，但本公开不限于此。
每一个子像素可以是其上设置有或未设置有具有单一颜色的滤色器的基底。滤色器将单个有机发光层的颜色转换成特定波长的颜色。此外，在每一个子像素中可以设置有光散射层以提高有机发光层的光提取效率。光散射层可以称为微透镜阵列、纳米图案、漫射图案、二氧化硅珠等。
下文中，将参照微透镜阵列对散射层的实施方案进行描述。然而，本公开的示例性实施方案不限于此，并且用于散射光的各种结构可以与其相结合。
下文中，将参照图2对根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图2是示出根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图。
参照图2，在根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置中，单个像素P包括多个子像素。具体地，单个像素P可以包括四(4)个子像素。在下面的示例性实施方案中，单个像素P将被描述为包括四个子像素。然而，示例性实施方案不限于此，并且可以全面地包括其中单个像素P包括两(2)个子像素至四(4)个子像素的所有配置。
多个子像素(例如四个子像素)分别包括发光区EA11、EA21、EA31和EA41。例如，第一子像素包括第一发光区EA11，第二子像素包括第二发光区EA21，第三子像素包括第三发光区EA31，以及第四子像素包括第四发光区EA41。
虽然第一发光区至第四发光区EA11、EA21、EA31和EA41可以是从其中发射出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)波长范围的光的区，但是示例性实施方案不限于此。确切地说，可以采用在其中四个发光区EA11、EA21、EA31和EA41中的至少两个发光区发射与上述红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)不同颜色的光的配置。
在发光区EA11、EA21、EA31和EA41中的每一个中设置有多个微透镜。设置在发光区EA11、EA21、EA31和EA41中的微透镜的形状可以是相同的，例如具有截面限定为例如直线、曲线或抛物线的锥状。微透镜可以提高有机EL装置的外部光提取效率。多个微透镜包括形成在覆盖层120中的多个第一凹部201和多个第一连接部202，多个第一连接部202中的每一个连接相邻的第一凹部201。
具有相同形状的微透镜布置在第一发光区至第四发光区EA11、EA21、EA31和EA41中。现将参照图3对此配置进行描述。
图3是根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图。参照图3，根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置包括第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4。
当由EL装置生成的光向基板100行进时，一部分光可以到达生成不同颜色的光的相邻子像素的微透镜或另一相邻像素的微透镜，从而引起漏光。具体地，当显示装置设置有不具有滤色器的子像素时，由其他子像素所生成的大量的漏光成分可以到达不具有滤色器的子像素的微透镜以在视觉上被感知。具体地，当在白色(W)子像素中未设置滤色器时，通过另一子像素生成的漏光成分可以到达白色子像素的微透镜以被观察者视觉上感知，这是有问题的。
为了克服这个问题，根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置包括设置在分为第一子像素SP1至第四子像素SP4的基板100上的防漏光层110、111、112和113。更一般地，防漏光层是配置为防止或基本上减少不同子像素之间漏光的层，例如通过防止或基本上减少在子像素中产生的光的至少一部分到达不同子像素或相邻子像素。根据一些实施方案，防漏光层可以包括各种类型的防漏光层。在一些实施方案中，防漏光层可以包括如下中的至少一个：I型防漏光层，其配置为允许特定波长的光从中通过同时吸收剩余波长的光；II型防漏光层，其配置为允许特定波长的光从中通过同时吸收可见光的一部分以允许剩余的可见光从中通过；III型防漏光层，其配置为允许光从中通过或被反射同时改变光的光轴，然后通过偏振器吸收具有改变的光轴的光。在实施方案中，I型防漏光层选择性地允许特定颜色的光从中通过同时吸收剩余波长的光，从而大部分(例如至少60％)特定颜色的光从中通过，同时吸收大部分(例如至少60％)剩余波长的光。在实施方案中，III型防漏光层允许光从中通过或被反射，同时改变例如至少50％的光的光轴。具体地，第一防漏光层110设置在第一子像素SP1上，第二防漏光层111设置在第二子像素SP2上，第三防漏光层112设置在第三子像素SP3上，并且第四防漏光层113设置在第四子像素SP4上。
在包括第一防漏光层110至第四防漏光层113的基板100上设置有覆盖层120。在覆盖层120上设置有包括第一电极130、有机发光层140、和第二电极150的有机电致发光装置EL。
有机电致发光装置EL可以配置为与覆盖层120中的微透镜相对应，以提高发光区EA11、EA21、EA31和EA41中的外部光提取效率。发光区EA11、EA21、EA31和EA41由堤部图案160限定，堤部图案160配置为露出第一电极130的顶表面的预定部分。
具体地，在发光区EA11、EA21、EA31和EA41中的每一个中覆盖层120包括多个微透镜。多个微透镜由多个第一凹部201和多个连接部202构成，连接部中的每一个连接相邻的第一凹部201。当在发光区EA11、EA21、EA31和EA41中有机电致发光装置EL配置为具有多个微透镜时，由于图案的特性，形成在覆盖层120中的多个凹部201赋予有机电致发光装置EL的表面凹陷弯曲部。
第一防漏光层110至第四防漏光层113设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4的对应于发光区EA11、EA21、EA31、和EA41的区域中。利用这种配置，根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置可以防止或减少不同的子像素之间的漏光。此处，第一防漏光层110至第四防漏光层113可以允许特定波长的光从中通过，同时吸收剩余波长的光。此外，在第一防漏光层110至第四防漏光层113中的至少一个防漏光层比其他防漏光层薄，以提高其透射率以比其他防漏光层的透射率高。
下文中，通过利用第一防漏光层110至第四防漏光层113对防止漏光的原理进行详细描述，有机电致发光装置EL的第一电极130和有机发光层140的折射率可以比基板100和覆盖层120的折射率高。例如，基板100和覆盖层120的折射率为约1.5，而有机电致发光装置EL的第一电极130和有机发光层140的折射率在1.7至2.0的范围内。
由有机发光层140生成的光800的一部分经第二电极150反射并且重新取向为朝向第一电极130，同时由有机发光层140生成的光的剩余部分朝向第一电极130发射。也就是说，由有机发光层140生成的光的大部分取向为朝向第一电极130。
由于有机发光层140的折射率基本上等于第一电极130的折射率，所以由有机发光层140生成的光的路径在有机发光层140与第一电极130之间的边界处未改变。由于第一电极130与覆盖层120之间的折射率的差异，当以等于或大于阈值角度的角度入射时，穿过第一电极130的光可以在第一电极130与覆盖层120之间的边界处完全反射。
在这种情况下，在第一电极130与覆盖层120之间的边界处完全反射的光被第二电极150再次反射，并且穿过有机发光层140和第一电极130，然后穿过基板100(基板100的折射率与覆盖层120的折射率基本上相同)到达设置在基板100的后表面上的偏振器(未示出)。然后光经偏振器(未示出)反射以重新取向为朝向基板100。
此外，在根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置中，第一防漏光层110至第四防漏光层113设置在基板100上，更具体地，设置在对应于发光区EA11、EA21、EA31和EA41的区域中，以防止以大于全反射阈值角度的角度行进的光到达相邻子像素或另一像素的微透镜。
具体地，由有机发光层140生成的光800的一部分在第一电极130与覆盖层120之间的边界处被完全反射，并且然后经第二电极150反射以重新取向为朝向基板100。在这种情况下，以小于全反射阈值角度的角度行进的光800的一部分穿过覆盖层120和基板100，并且然后在基板100与偏振器(未示出)之间的边界处再反射以重新取向为朝向基板100。
随后，重新取向为朝向基板100的光的部分再次穿过基板100以到达设置在基板100上的第一防漏光层110至第四防漏光层113中之一。当光的所述部分到达第一防漏光层110至第四防漏光层113中之一时，光的所述部分由此被吸收。由于如上所述通过不同子像素或不同像素生成的光被防漏光层吸收，所以可以防止或减少从包括多个微透镜的有机发光显示装置的漏光。
由于根据本实施方案的第一防漏光层110至第四防漏光层113的特征在于允许特定波长的光从中通过，同时吸收剩余波长的光，第一防漏光层110至第四防漏光层113可以允许漏光成分中特定波长的光从中通过，同时吸收漏光成分中剩余波长的光。例如，当允许蓝色光B从中通过的第四防漏光层113设置在第四子像素SP4中时，第四防漏光层113允许具有蓝色波长范围的光的漏光成分从中通过同时吸收具有剩余波长范围的光。在这种情况下，可以从第四子像素SP4发射出带蓝色的光。在蓝色光的效率低的显示装置的情况下，这因此可以补偿蓝色光。
可替代地，第一防漏光层110至第四防漏光层113中的至少两个防漏光层可以允许相同颜色的光从中通过。例如，第一防漏光层110、第二防漏光层111和第三防漏光层112允许不同颜色的光从中通过，而第四防漏光层113允许与第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112允许从中通过的光的颜色相同的颜色的光从中通过。
更具体地，第一防漏光层110允许红色(R)光从中通过，第二防漏光层111允许绿色(G)光从中通过，并且第三防漏光层112允许蓝色(B)光从中通过，同时第四防漏光层113允许红色光、绿色光和蓝色光中之一从中通过。在另一示例性实施方案或不同的示例性实施方案中，第四防漏光层113可以配置为比第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112中的任一个薄以能够不仅允许红色光、绿色光、和蓝色光中的一个或更多个而且允许其他的可见光从中通过。此处，第一防漏光层至第三防漏光层110、111、和112中的每一个防漏光层对于特定波长范围的光的透射率可以为60％或更大，同时第四防漏光层113对于可见光的透射率可以为60％或更大。第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112中的每一个防漏光层允许一种颜色的光从中通过，同时吸收其他颜色的光。
当第一防漏光层110和第四防漏光层113允许相同颜色的光从中通过并且由第二子像素SP2或第三子像素SP3生成的漏光成分被取向为朝向第四子像素SP4时，漏光成分被第四防漏光层113吸收。这可以防止不同子像素或不同像素之间的漏光。此外，由于第四防漏光层113配置为比第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112中的任一个薄，所以第四防漏光层113的可见光的透射率可以相对高。由于第四子像素SP4设置有相对薄的第四防漏光层113，所以第四子像素SP4可以具有比其他子像素高的水平的光透射率，同时能够防止漏光。
此外，当由第二子像素SP2或第三子像素SP3生成的绿色漏光成分或蓝色漏光成分被取向为朝向第四子像素SP4时，第四防漏光层113吸收绿色光或蓝色光，从而能够防止漏光。第四防漏光层113选择性地允许红色光从中通过，从而能够吸收由第二子像素SP2或第三子像素SP3生成的光。
此外，第一防漏光层110可以吸收由第二子像素SP2或第三子像素SP3生成的绿色漏光成分或蓝色漏光成分，并且第二防漏光层111可以吸收由第一子像素SP1或第三子像素SP3生成的红色漏光成分或蓝色漏光成分，同时第三防漏光层112可以吸收由第一子像素SP1或第二子像素SP2生成的红色漏光成分或绿色漏光成分。
尽管在如上所述配置中第四防漏光层113已经示出为允许与第一防漏光层110允许从中通过的光的颜色相同的颜色的光从中通过，但是根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置不限于此。确切地说，第四防漏光层113允许从中通过的光的颜色可以与第二防漏光层111或第三防漏光层112允许从中通过的光的颜色相同。
由于如上所述通过不同子像素或不同像素生成的光被防漏光层吸收，所以可以防止或减少从包括多个微透镜的有机发光显示装置的漏光。
此外，第一防漏光层110至第四防漏光层113不限于如上所示的配置。此处，第一防漏光层110至第四防漏光层113中的至少一个防漏光层允许从中通过的光的颜色可以与第一防漏光层110至第四防漏光层113中的其他防漏光层允许从中通过的光的颜色互补。
例如，第一防漏光层110、第二防漏光层111和第三防漏光层112可以允许不同颜色的光从中通过，而第四防漏光层113可以允许与穿过第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112中之一的光的颜色互补的一种或多种颜色的光从中通过。
具体地，第四防漏光层113可以允许与绿色光互补的波长范围的光从中通过。换句话说，第四防漏光层113可以允许对应于在1931CIE-xy颜色坐标系中的坐标(0.35,0.1)至(0.55,3)的颜色的光(或波长范围的光)从中通过。
利用该配置，第四防漏光层113可以通过吸收由第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3生成的红色漏光成分、绿色漏光成分或蓝色漏光成分来防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光。具体地，第四防漏光层113允许对应于在1931CIE-xy颜色坐标系中的坐标(0.35,0.1)至(0.55,3)的波长范围的光从中通过，同时吸收其他颜色的光，从而使漏光最小化。
由于第四防漏光层113允许对应于在1931CIE-xy颜色坐标系中的坐标(0.35,0.1)至(0.55,3)的波长范围的光从中通过，所以第四防漏光层113可以防止或减少由设置在第四子像素SP4中的有机电致发光装置EL生成的光的损失。具体地，由于蓝色光和红色光的低效率吸收被最小化，所以可以防止在第四子像素SP4中的有机电致发光装置EL的发光效率被第四防漏光层113降低。
尽管根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的第四防漏光层113已经被描述为配置为允许与绿色光互补的波长范围的光从中通过，但是根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置的第四防漏光层113不限于此，并且可以配置为允许与红色光或蓝色光互补的波长范围的光从中通过。
如上所述，由于在第一子像素SP1至第四子像素SP4的对应于第一发光区至第四发光区EA11、EA21、EA31和EA41的区域中设置有第一防漏光层110至第四防漏光层113，所以根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置可以防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光。
此外，由于第四防漏光层113允许对应于1931CIE-xy颜色坐标系中的坐标(0.35,0.1)至(0.55,3)的颜色的光(或波长范围的光)从中通过，所以根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置可以防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光，同时防止有机电致发光装置的发光效率降低。
下文中，将参照图4和图5对根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图4是示出根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图。
根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件。将省略一些部件的描述，这是因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图4，根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置与根据第一示例性实施方案的有机发光显示装置基本相同，除了设置在至少一个发光区中的微透镜的形状之外。
具体地，第一子像素至第四子像素中的每一个子像素包括第一发光区至第四发光区EA11、EA21、EA32和EA41。布置在第一发光区至第四发光区EA11、EA21、EA32和EA41中的至少一个发光区中的微透镜的形状可以与布置在剩余的发光区上的微透镜的那些形状不同。
参照图4，第一微透镜布置在第一发光区EA11、第二发光区EA21和第四发光区EA41中，同时第二微透镜布置在第三发光区EA32中。第一微透镜的形状可以与第二微透镜的形状不同。
具体地，第一微透镜包括多个第一凹部201和多个第一连接部202，第一连接部中的每一个连接相邻的第一凹部201。第二微透镜包括多个第二凹部301和多个第二连接部302，第二连接部中的每一个连接相邻的第一凹部301。
此处，第一凹部201的直径D(最大直径)、深度H、半峰宽(FWHM)、相邻凹部之间的间隙G、坡度S、以及纵横比A/R中的至少一个可以与第二凹部301的对应的一个不同。FWHM是指凹部在最大深度的一半处测量的凹部的全宽度。纵横比A/R是指由凹部的深度H除以凹部的最大半径D/2所得的值。
尽管在图4和图5中第二微透镜的第二凹部301的直径D2示出为小于第一微透镜的第一凹部201的直径D1，但是第二示例性实施方案不限于此。可以采用其中第一凹部201的形状与第二凹部301的形状不同的任何配置。
现将参照图5对此配置进行详细描述。图5是根据第二示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图4的线C-D截取的截面图。参照图5，具有相同形状的第一微透镜布置在第一发光区EA11、第二发光区EA21和第四发光区EA41中。具有与第一微透镜不同的形状的第二微透镜布置在第三发光区EA32中。
第二微透镜的第二凹部301的直径D2可以小于第一微透镜的第一凹部201的直径D1。微透镜的凹部装配到覆盖层120中以提高外部光提取效率，并且根据微透镜的凹部的形状的光路的改变是提高光提取效率的主要因素。因此，光效率可以根据微透镜的凹部的直径D而不同。
具体地，由于布置在第三发光区EA32中的第二微透镜的第二凹部301的直径D2小于布置在第一发光区EA11、第二发光区EA21和第四发光区EA41中的第一微透镜的第一凹部201的直径D1，所以在从有机电致发光装置EL的第三发光区EA32产生的光到达微透镜结构处的频率可以增加。由此，可以进一步提高其中可以设置有具有低效率的有机电致发光装置EL的子像素的光提取效率。
此外，由于在第一子像素至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中设置有第一防漏光层110至第四防漏光层113，所以可以防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光。
下文中，将参照图6和图7对根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图6是示出根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图，并且图7是根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图6的线E-F截取的截面图。
根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件，除非另外说明。将省略一些部件的描述，这是因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图6和图7，在根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置中，包括在单个像素P中的四个发光区EA11、EA21、EA33和EA42中的至少一个发光区可以具有未设置防漏光层的区域。此外，四个发光区EA11、EA21、EA33和EA42中的至少一个发光区可以具有未设置微透镜的区域。
例如，第一发光区EA11和第二发光区EA21中的每一个发光区包括防漏光层，而第三发光区EA33或第四发光区EA42不包括防漏光层。此外，第一发光区EA11和第二发光区EA21中的每一个发光区包括微透镜，而第三发光区EA33或第四发光区EA42不包括微透镜。也就是说，包括其中未设置有防漏光层的区域的发光区可以未包括微透镜。
根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置不限于此，并且包括防漏光层的发光区可以未包括微透镜。
具体地，第一发光区EA11和第二发光区EA21中的每一个发光区包括第一防漏光层110和第二防漏光层111。相比之下，第三发光区EA33或第四发光区EA42都不包括防漏光层。
在第一发光区EA11和第二发光区EA21中，覆盖层220设置有具有相同形状的微透镜。此外，在第三发光区EA33和第四发光区EA42中，覆盖层220可以未设置微透镜。
也就是说，在第三发光区EA33和第四发光区EA42中，覆盖层220可以形成为平坦的。因此，第一电极230、有机发光层240和第二电极250也形成为平坦的。
此处，在第四发光区EA42中未设置防漏光层或微透镜。由于在最易受漏光的第四子像素SP4中未设置微透镜，所以可以防止由生成不同颜色的光的子像素生成的漏光成分通过设置在第四子像素SP4中的微透镜被提取，由此没有漏光成分被视觉上感知。
如上所述，为防止漏光在第四子像素SP4中未设置微透镜，从而使得可以省略第四子像素SP4中的防漏光层的配置。
尽管在图6和图7中示出了其中在第三发光区EA33中既不设置防漏光层也不设置微透镜的配置，但是根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置不限于此。确切地说，不仅在第四子像素SP4中而且在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中的一个中可以既不设置微透镜也不设置防漏光层。
由此不仅在第四子像素中而且在易受漏光的其他子像素中可以防止将以其他方式引起漏光的光通过微透镜被向外提取。
下文中，将参照图8和图9对根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图8是示出根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图，并且图9是根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图8的线G-H截取的截面图。
根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件，除非另外说明。将省略一些部件的描述，因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图8和图9，根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置具有布置在包括于单个像素P中的多个发光区EA12、EA21、EA33和EA42中的至少两个发光区中的微透镜。根据第四示例性实施方案的有机发光显示装置与根据第三示例性实施方案的有机发光显示装置的不同之处在于布置在至少一个发光区中的微透镜的形状与布置在剩余的发光区上的微透镜的形状不同。
具体地，第一子像素至第四子像素分别包括第一发光区EA12、第二发光区EA21、第三发光区EA33和第四发光区EA42。微透镜布置在第一发光区至第四发光区EA12、EA21、EA33和EA42中的至少两个发光区中。在至少两个发光区中，布置在一个发光区中的微透镜的形状可以与布置在剩余的发光区上的微透镜的形状不同。此外，防漏光层和微透镜可以布置在至少一个发光区中。
例如，在第一发光区EA12中布置有第二微透镜，在第二发光区EA21中布置有第一微透镜，并且在第三发光区EA33和第四光发光区EA42中没有布置微透镜。此处，第一微透镜的形状可以与第二微透镜的形状不同。
具体地，设置在第一发光区EA12中的第二微透镜的第二凹部301的直径D2小于第一微透镜的第一凹部201的直径D1。因此，每单位面积的第一发光区EA12中第二微透镜的数目大于每单位面积的第二发光区EA21中第一微透镜的数目。
如上所述，布置在其中设置有具有较低效率的电致发光装置的第一发光区EA12中的微透镜的数目比布置在第二发光区EA21中的微透镜的数目大，从而增加了由电致发光装置EL(330、340和350)生成的光到达微透镜的频率。这可以因此增加第一发光区EA12的发光效率，从而降低功耗。
下文中，将参照图10和图11对根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图10是示出根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图，并且图11是根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图10的线I-J截取的截面图。
根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件，除非另外说明。将省略一些部件的描述，因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图10和图11，根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置具有布置在包括于单个像素P中的多个发光区EA12、EA21、EA34和EA42中的至少三个发光区中的覆盖层420上的微透镜。
设置在至少一个发光区中的微透镜的形状可以与布置在剩余的发光区上的微透镜的形状不同。在一些实施方案中，设置在至少一个发光区中的微透镜的形状可以与布置在剩余发光区中的一个发光区上的微透镜的形状相同。
在包括在像素P中的多个发光区EA12、EA21、EA34和EA42中，在至少一个发光区中设置有微透镜，而在剩余的发光区中未设置微透镜。
例如，在第一发光区EA12、第二发光区EA21和第三发光区EA34中设置有微透镜，而在第四发光区EA42中未设置微透镜。
在第一发光区EA12、第二发光区EA21和第三发光区EA34中分别设置有第二微透镜、第一微透镜和第三微透镜。第一微透镜至第三微透镜的形状彼此不同。
具体地，第一微透镜的第一凹部201的直径D1大于第二微透镜的第二凹部301的直径D2，而第二微透镜的第二凹部301的直径D2大于第三微透镜的第三凹部401的直径D3。
因此，每单位面积的第三发光区EA34中的微透镜的数目大于每单位面积的第一发光区EA12中的微透镜的数目，每单位面积的第一发光区EA12中的微透镜的数目大于每单位面积的第二发光区EA21中的微透镜的数目。
由第三发光区EA34中的电致发光装置EL(430、440、450)生成的光将到达微透镜的频率大于由第一发光区EA12或第二发光区EA21中的电致发光装置EL生成的光将到达微透镜的频率，而由第一发光区EA12中的电致发光装置EL生成的光将到达微透镜的频率大于由第二发光区EA21中的电致发光装置EL生成的光将到达微透镜的概率。
也就是说，根据第五示例性实施方案的有机发光显示装置根据设置在发光区中的电致发光装置的效率而具有不同形状的微透镜，从而发光效率可以根据发光区而得到提高。
尽管在图10和图11中所示的配置中第一微透镜的第一凹部201、第二微透镜的第二凹部301和第三微透镜的第三凹部401已被描述为具有不同的直径，但是本公开不限于此，并且可以具有如下任何配置：其中第一凹部至第三凹部中的一个凹部的直径、深度、FWHM、相邻凹部之间的间隙、坡度、以及纵横比中的至少一个与其他凹部中对应的一个不同。
下文中，将参照图12和图13对根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图12是示出根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图，并且图13是根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图12的线K-L截取的截面图。
根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件，除非另外说明。将省略一些部件的描述，因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图12和图13，在根据第六示例性实施方案的有机发光显示装置中，单个像素P包括多个发光区EA11、EA22、EA31和EA41，其中在第一发光区EA11、第三发光区EA31和第四发光区EA41中布置有微透镜，而在第二发光区EA22中没有布置微透镜。
在基板100的对应于发光区EA11、EA22、EA31、EA41的部分上设置有第一防漏光层110、第二防漏光层111、第三防漏光层112和第四防漏光层113。
当用于生成绿色光的电致发光装置EL(530、540、550)设置在第二发光区EA22中时，多个微透镜设置在发光效率比第二发光区EA22的发光效率低的第一发光区EA11、第三发光区EA31和第四发光区EA41中。由此，可以提高发光效率。
下文中，将参照图14和图15对根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置进行描述。图14是示出根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置的平面图，并且图15是根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置的沿图14的线M-N截取的截面图。
根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置可以包括与前述实施方案的那些有机发光显示装置相同的部件，除非另外说明。将省略一些部件的描述，因为它们与前述实施方案的那些描述是相同的。此外，下文中相同的附图标记或符号将用于指代相同或类似的部件。
参照图14，根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置具有布置在包括于单个像素P中的多个发光区EA11、EA21、EA31和EA43中的每一个中的微透镜。此外，在包括在单个像素P的子像素中，防漏光层可以设置在包括微透镜的覆盖层320之下。
在单个像素P中，设置在至少一个子像素中的防漏光层可以由与设置在其他子像素中的防漏光层的材料不同的材料形成。这可以因此减小特定子像素的反射率并且减少漏光。
现将参照图15对此配置进行描述。参照图15，在根据第七示例性实施方案的有机发光显示装置中，设置在单个像素的多个子像素中的至少一个子像素中的第四防漏光层210可以由光反射材料形成。此外，设置在单个像素中的多个子像素的其他子像素中的第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112分别允许红色光、绿色光和蓝色光从中通过。
具体地，在有机发光显示装置的基板100上设置有绝缘层200。第一防漏光层至第四防漏光层110、111、112和210设置在绝缘层200的对应于子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发光区EA11、EA21、EA31和EA43的部分上。设置在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中的第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112分别允许红色光、绿色光、蓝色光从中通过。此外，设置在第四子像素SP4中的第四防漏光层210可以反射光。
设置在第四子像素SP4中的第四防漏光层210可以由两个或更多个层构成。具体地，设置在第四子像素SP4中的第四防漏光层210包括设置在绝缘层200上的第一金属层211和设置在第一金属层211上的第二金属层212。此处，绝缘层200可以是由选自但不限于硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)中之一形成的无机绝缘层。
由于如上所述由两个或更多个金属层构成的第四防漏光层210设置在第四子像素SP4中，所以由除了第四子像素SP4之外的子像素生成的漏光成分可以经第一金属层211或第二金属层212反射以重新取向为朝向基板100，从而到达设置在基板100之下的偏振器(未示出)。
经第一金属层211或第二金属层212反射的漏光成分被重新取向，使得其路径与偏振器(未示出)的光轴不同，由此被俘获在显示装置内而没有从基板100中提取。也就是说，由第一金属层211或第二金属层212重新取向的漏光成分被俘获在显示装置内，从而漏光成分不被观察者在视觉上感知。
换句话说，当在第四子像素SP4中未设置第四防漏光层210时，由剩余的子像素所生成的漏光成分可以在基板100与偏振器(未示出)之间的边界处被重新取向以到达第四子像素SP4的微透镜。已经到达微透镜的光可以由微透镜从基板100提取，从而导致漏光。也就是说，微透镜可以将已经到达微透镜的光的光轴转换成与偏振器(未示出)的光轴同轴，由此光可以从基板100中提取以被观察者视觉上感知。
另外，当外部光850从基板100的外侧进入第四子像素SP4时，外部光850可以经第一金属层211或第二金属层212反射以重新取向为朝向基板100。由于外部光850的光轴改变，同时外部光850被第一金属层211或第二金属层212反射，所以外部光850未穿过设置在基板100的底表面上的偏振器(未示出)。由于外部光850不能射出该显示装置，所以可以减小外部光850的反射率。
第一金属层211可以由具有负电容率/介电常数(permittivity)或负介电常数的材料形成。第一金属层211的介电常数的绝对值可以大于绝缘层200的介电常数的绝对值。
第一金属层211可以由具有负介电常数的碱土金属形成，其绝对值大于绝缘层200的介电常数的绝对值。然而，根据本实施方案的第一金属层211的材料不限于此。例如，第一金属层211可以由具有负介电常数的选自如下的至少一种材料形成：铍(Be)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、镭(Ra)、锂(Li)、钠(Na)、和镁(Mg)。
由金属形成的第二金属层212设置在第一金属层211上。第二金属层212可以由选自银(Ag)、铝(Al)和金(Au)中的至少一种形成。
当光到达绝缘层与具有高介电常数的金属层之间的边界处时，入射光可以由金属层吸收或其大部分可以由于非发射等离子体模式而损失，从而降低透射率。根据非发射等离子体模式，光损失是由以下引起的：用作反射器的金属层的表面上的电子振荡和由有机电致发光装置生成的光的波长的干涉，以及金属层的吸收。也就是说，当用作反射器的绝缘层和金属层被设置成彼此接触时，光在绝缘层与金属层之间的边界处损失，从而降低了透射率。
相比之下，设置在绝缘层200与第二金属层212之间的第四子像素SP4中设置有具有负介电常数的第一金属层211，并且第一金属层211的介电常数的绝对值大于绝缘层200的介电常数的绝对值。这种配置可以因此减少光损失量，从而提高第四子像素SP4的透射率。因此，由电致发光装置EL生成的光可以从基板100通过由第一金属层211和第二金属层212构成的第四防漏光层210向外提取。
具体地，由于第一金属层211的介电常数是负的，所以第一金属层211的折射率可以是负的。更具体地，折射率可以表示为介电常数和磁导率的乘积的平方根。由于第一金属层211的介电常数为负值，所以第一金属层211的折射率也可以是负值。
具有负折射率的材料允许光从中通过而不反射或吸收入射光。此外，第一金属层211和第二金属层212可以配置为显著薄。例如，第一金属层211和第二金属层212中的每一个金属层的厚度可以可在1nm至30nm的范围内。由于第一金属层211和第二金属层212形成为薄的，所以第四防漏光层210的透射率可以得到提高。
当由电致发光装置EL生成的光通过覆盖层320到达第四防漏光层210中的第二金属层212时，所述光的一部分经第二金属层212反射，而所述光的剩余部分通过第二金属层212到达第一金属层211。如上所述，第一金属层211不反射或吸收光，使得光可以从基板100通过第一金属层211向外提取。
因此，由于设置在基板100上的绝缘层200和设置在绝缘层200上的第一金属层211和第二金属层212，可以减少漏光成分和反射率，同时通过电致发光装置EL生成的光的透射率可以得到提高。
绝缘层200和设置在第四子像素SP4中的第四防漏光层210的配置不限于上述结构。
下文中，将参照图16对根据可替代的实施方案的绝缘层和设置在第四子像素中的第四防漏光层进行描述。图16示出了根据可替代的实施方案的绝缘层和设置在第四子像素中的第四防漏光层的结构。
参照图16，在根据可替代的实施方案的显示装置中，绝缘层300设置在基板100的对应于第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3的部分上，并且在绝缘层300上设置有第一防漏光层至第三防漏光层110、111、和112。
在设置在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中的第一防漏光层至第三防漏光层110、111和112上设置有包括微透镜的覆盖层420。在覆盖层420上设置有包括第一电极430、有机发光层440和第二电极450的电致发光装置EL。
此外，在基板100的对应于第四子像素SP4的部分上设置有第四防漏光层310。第四防漏光层310包括第三金属层311和第四金属层312。在第四金属层312上设置有绝缘层300的一部分，所述绝缘层300的一部分与设置在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中的绝缘层300的部分一体地形成。也就是说，待设置在第四子像素SP4中的绝缘层300可以使用在第一子像素至第三子像素SP1、SP2和SP3中形成绝缘层300的过程来形成，而无任何另外的过程。
包括微透镜的覆盖层420设置在第四子像素SP4的绝缘层300上，并且包括第一电极430、有机发光层440、以及第二电极450的电致发光装置EL设置在覆盖层420上。设置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的第一电极430、有机发光层440、以及第二电极450的形状可以基于设置在覆盖层420上的微透镜的形貌来确定。
设置在第四子像素SP4中的第三金属层311和第四金属层312中的每一个可以由一个或更多个层构成。第三金属层311可以由金属形成。例如，第三金属层311可以由选自银(Ag)、铝(Al)和金(Au)中的至少一种形成。
第四金属层312可以由具有负介电常数的碱土金属形成，其绝对值大于绝缘层300的介电常数的绝对值。然而，根据本实施方案的第四金属层312的材料不限于此。例如，第四金属层312可以由具有负介电常数的选自如下的至少一种材料形成：铍(Be)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、镭(Ra)、锂(Li)、钠(Na)和镁(Mg)。
此外，第三金属层311和第四金属层312可以配置为显著薄。例如，第三金属层311和第四金属层312中的每一个的厚度可以在1nm至30nm的范围内。由于第三金属层311和第四金属层312形成为薄的，所以第四防漏光层310的透射率可以得到提高。
如上所述，在第四子像素SP4中，第三金属层311设置在基板100上，第四金属层312设置在第三金属层311上，并且绝缘层300设置在第四金属层312上。这可以因此减少漏光成分和反射率，同时提高由有机电致发光装置EL生成的光的透射率。
在有机发光显示装置中，可以使用任何配置，只要设置在至少一个子像素中的防漏光层是由金属形成的两个或更多个层构成即可，其中具有负介电常数(其绝对值大于绝缘层的介电常数的绝对值)的一个金属层设置在绝缘层与具有较高水平的反射率的另一金属层之间。
下文中，将对本实施例的有机发光显示装置的反射率降低效果与比较例的有机发光显示装置的反射率降低效果进行比较。图17是示出本实施例和比较例中的有机发光显示装置的反射率降低效果的图。
参照图17，将对其中每个有机发光显示装置仅具有高水平反射率的金属层被设置为防漏光层的有机发光显示装置(比较例)与其中每个有机发光显示装置的防漏光层包括彼此堆叠的第一金属层和第二金属层的有机发光显示装置(本实施例)进行比较，其中第一金属层具有负介电常数，其绝对值大于与防漏光层接触的绝缘层的介电常数的绝对值，并且第二金属层具有较高水平的反射率。
在图17中，x轴表示外部光到有机发光显示装置的入射角度，y轴表示有机发光显示装置的反射率。具有较高水平的反射率的金属层由银(Ag)形成，并且具有负介电常数(其绝对值大于与防漏光层接触的绝缘层的介电常数的绝对值)的金属层由钙(Ca)形成。
在具有微透镜的有机发光显示装置中，当外部光以大角度(例如40°或更大的角度)入射时，外部光通过微透镜扩散以在视觉上被观察者感知。因此，如在上述实施方案中，需要通过使用防漏光层等改变外部光的光轴来防止入射到有机发光显示装置的外部光射出显示装置。
然而，如图17所示，当外部光以大角度(例如40°或更大的角度)入射到有机发光显示装置时，应当理解，比较例的包括仅由银(Ag)形成的5nm和10nm的防漏光层的有机发光显示装置反射约5％至约30％的外部光。这意味着入射到显示装置的外部光的光轴与偏振器的光轴的差异比率仅为约5％至约30％。
相比之下，应当理解，本实施例的包括其中钙(Ca)和银(Ag)分别以5nm至10nm的厚度分层的防漏光层的有机发光显示装置反射约50％至约80％的以大角度入射的外部光。这意味着入射到显示装置的外部光的光轴与偏振器的光轴的差异比率为约50％至约80％。
如上所述，应当理解，本实施例的有机发光显示装置的每个防漏光层比比较例的有机发光显示装置的每个防漏光层反射的外部光量大。也就是说，通过设置在本实施例的有机发光显示装置的每一个中的防漏光层反射的外部光的量的增加使外部光的光轴与偏振器的光轴不同，由此减少了射出显示装置的光的量。因此，这能够降低外部光的反射率。
根据以上所阐述的本公开，有机发光显示装置包括设置在对应于多个子像素中的至少一个子像素中的发光区的区域中的防漏光层，以防止或减少不同子像素或不同像素之间的漏光，同时防止由有机电致发光(EL)装置生成的光的提取效率降低。
此外，在根据本公开的有机发光显示装置中，多个像素中的每一个像素包括多个子像素，其中多个子像素包括不同的微透镜或多个子像素中的至少一个子像素未设置有微透镜，从而可以根据子像素调整光提取效率并且可以防止漏光。
在本公开中描述的特征、结构和效果包括在至少一个实施方案中，但不必限于特定实施方案。本领域技术人员可以通过组合或修改这些特征、结构和效果来将在特定实施方案中所示的特征、结构和效果应用于另一实施方案。应当理解，所有这样的组合和修改都包括在本公开的范围内。
虽然为了说明的目的对本公开的示例性实施方案进行了描述，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的实质特征的情况下，各种修改和应用都是可以的。例如，可以对示例性实施方案的具体部件进行各种修改。

Claims (26)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，所述基板划分为生成不同颜色的光的多个子像素；
防漏光层，所述防漏光层设置在所述基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素的发光区对应的部分上；
覆盖层，所述覆盖层设置在所述基板的与所述多个子像素中的至少一个子像素对应的部分上，并且包括具有多个凹部或多个凸部的微透镜；以及
设置在所述覆盖层上的有机电致发光装置，
其中所述防漏光层包括分别设置在所述多个子像素中的第一防漏光层至第四防漏光层，所述第一防漏光层至所述第四防漏光层中的至少一个防漏光层比所述第一防漏光层至所述第四防漏光层中的其他防漏光层薄。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中
所述多个子像素划分为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第一防漏光层至所述第四防漏光层中的至少两个防漏光层允许相同颜色的光从中通过。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第一防漏光层至所述第四防漏光层中的至少一个防漏光层允许与穿过所述第一防漏光层至所述第四防漏光层中的剩余防漏光层的至少一种颜色的光互补的至少一种颜色的光从中通过。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述微透镜包括第一微透镜和第二微透镜，所述第二微透镜设置在所述多个子像素中未设置有所述第一微透镜的至少一个子像素中，所述第二微透镜与所述第一微透镜相同或不同。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述第二微透镜的所述多个凸部的直径、高度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凸部之间的距离中的至少一个不同于所述第一微透镜的所述多个凸部的直径、高度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凸部之间的距离中的对应者。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述第二微透镜的所述多个凹部的直径、深度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凹部之间的距离中的至少一个不同于所述第一微透镜的所述多个凹部的直径、深度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凹部之间的距离中的对应者。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述微透镜还包括设置在所述多个子像素中的未设置有所述第一微透镜也未设置有所述第二微透镜的至少一个子像素中的第三微透镜，所述第三微透镜设置为与所述第一微透镜或所述第二微透镜相同或与所述第一微透镜和所述第二微透镜不同。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中所述第三微透镜的所述多个凸部的直径、高度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凸部之间的距离中的至少一个不同于所述第一微透镜或所述第二微透镜的所述多个凸部的直径、高度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凸部之间的距离中的对应者。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中第三微透镜的所述多个凹部的直径、深度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凹部之间的距离中的至少一个不同于所述第一微透镜和所述第二微透镜的所述多个凹部的直径、深度、半峰宽、坡度和纵横比、以及相邻凹部之间的距离中的对应者。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述多个子像素划分为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的至少一个子像素中未设置有所述防漏光层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的未设置有所述防漏光层的所述至少一个子像素中未设置所述微透镜。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的未设置有所述防漏光层也未设置有所述微透镜的所述至少一个子像素为白色子像素。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述多个子像素中的至少一个子像素中未设置有所述微透镜。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中设置在所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述防漏光层包括第一金属层和第二金属层或者包括第三金属层和第四金属层。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，还包括：
设置在所述基板上的绝缘层；以及
设置在所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述第一金属层和所述第二金属层，所述第一金属层设置在所述绝缘层上并且包括一个或更多个层，所述第二金属层设置在所述第一金属层上并且包括一个或更多个层。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述第一金属层的介电常数为负的，所述第一金属层的介电常数的绝对值比所述绝缘层的介电常数的绝对值大。
18.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述第二金属层由选自银(Ag)、铝(Al)和金(Au)中的至少之一形成，以及所述第一金属层由选自铍(Be)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、镭(Ra)、锂(Li)、钠(Na)和镁(Mg)中的至少之一形成。
19.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，包括：
设置在所述基板上的在所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述第三金属层；
设置在所述第三金属层上的所述第四金属层；以及
设置在所述第四金属层上的绝缘层。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中所述第四金属层的介电常数为负的，所述第四金属层的介电常数的绝对值比所述绝缘层的介电常数的绝对值大。
21.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中所述第三金属层由选自银(Ag)、铝(Al)和金(Au)中的至少之一形成，以及所述第四金属层由选自铍(Be)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)、镭(Ra)、锂(Li)、钠(Na)和镁(Mg)中的至少之一形成。
22.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中在所述多个子像素中不同于所述至少一个子像素的剩余子像素中，所述绝缘层设置在所述基板上，以及所述防漏光层设置在所述绝缘层上，
其中所述绝缘层的设置在所述至少一个子像素中的部分与所述绝缘层的设置在所述剩余子像素中的剩余部分一体地形成。
23.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述防漏光层包括如下中的至少之一：I型防漏光层，所述I型防漏光层配置为允许特定波长的光从中通过同时吸收剩余波长的光；II型防漏光层，所述II型防漏光层配置为允许特定波长的光从中通过同时吸收可见光的一部分以允许剩余的可见光从中通过；以及III型防漏光层，所述III型防漏光层配置为允许光从中通过或被反射同时改变光的光轴，具有改变的光轴的光能够随后为偏振器吸收。
24.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述防漏光层包括II型防漏光层和III型防漏光层中的至少之一、以及至少一个I型防漏光层。
25.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述I型防漏光层选择性地允许特定颜色的光从中通过同时吸收剩余波长的光，由此大部分的所述特定颜色从中通过同时大部分的所述剩余波长的光被吸收。
26.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述III型防漏光层允许光从中通过或被反射同时改变所述光的光轴。
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