CN107564936A - 阵列基板和包括该阵列基板的显示面板 - Google Patents

阵列基板和包括该阵列基板的显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107564936A
CN107564936A CN201710519910.4A CN201710519910A CN107564936A CN 107564936 A CN107564936 A CN 107564936A CN 201710519910 A CN201710519910 A CN 201710519910A CN 107564936 A CN107564936 A CN 107564936A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
pixel
color
filter layer
insulating barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710519910.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107564936B (zh
Inventor
林炫秀
李康柱
金秀刚
具沅会
张志向
崔民根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN107564936A publication Critical patent/CN107564936A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107564936B publication Critical patent/CN107564936B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3035—Edge emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了阵列基板和包括该阵列基板的显示面板。所述阵列基板包括包含多个子像素的基板，所述多个子像素中的至少一个子像素是白色子像素。阵列基板还包括：绝缘层，所述绝缘层设置在基板上，并且设置在所述多个子像素中的每个子像素中；以及多个滤色器层，其设置在绝缘层上，所述多个滤色器层中的每个滤色器层分别设置在所述多个子像素中的相应子像素中。所述多个滤色器层中的至少两个滤色器层具有相同的颜色并且分别设置在白色子像素以及与所述白色子像素邻近的子像素中的至少一个子像素中。绝缘层在白色子像素与和所述白色子像素邻近的子像素中的至少一个子像素之间的边界处具有斜坡。

Description

阵列基板和包括该阵列基板的显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2016-0083117号的利益和优先权，出于所有目的其在此通过引用并入本文中，就如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及能够降低反射率同时简化处理的阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板。
背景技术
针对信息社会的发展，对能够显示图像的各种类型的显示装置的需求日益增加。近来，已经广泛使用几种类型的显示装置如液晶显示器(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)装置。
在包括白色(W)子像素的显示装置中，没有滤色器层的这样的白色子像素的反射率可以显著高于包括滤色器层的红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)子像素的反射率，从而增加面板的总反射率。
为了克服这个问题，已经提出了将滤色器层添加到白色子像素的结构。然而，这可能引起其他潜在的问题。例如，可能需要附加的掩模以将滤色器层添加到白色子像素上，制造处理可能变得更加复杂，并且制造成本可能增加。
发明内容
因此，本公开内容涉及阵列基板和包括该阵列基板的显示面板，其基本上避免了由相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本公开内容的各个方面提供了一种能够降低有机发光显示装置的反射率、简化了制造工艺并且降低了制造成本的阵列基板和包括该阵列基板的显示面板。
本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述显而易见，或者可以通过本公开内容的实施来了解。本公开内容的目的和其他优点将通过在书面说明书及其权利要求和附图中特别指出的示例结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如实施和广泛描述的，用于显示装置的阵列基板包括：基板，其包括多个子像素，所述多个子像素中的至少一个子像素是白色子像素；绝缘层，所述绝缘层设置在基板上，并且设置在所述多个子像素中的每个子像素中；以及多个滤色器层，其设置在绝缘层上，所述多个滤色器层中的每个滤色器层分别设置在所述多个子像素中的对应一个子像素中，其中，所述多个色器层中的至少两个滤色器层具有相同的颜色并且分别设置在白色子像素以及与所述白色子像素邻近的子像素的至少一个子像素中，并且绝缘层在白色子像素和与所述白色子像素邻近的子像素的至少一个子像素之间的边界处具有斜坡。
在另一方面中，一种显示面板包括：基板，其包括多个子像素，所述多个子像素至少包括彼此邻近并且被配置成提供彼此不同颜色的光的第一子像素和第二子像素；绝缘层，其设置在基板上，并且设置在第一子像素和第二子像素中的每个子像素中；以及第一滤色器层和第二滤色器层，其设置在绝缘层上，并且分别设置在第一子像素和第二子像素中，第一滤色器层和第二滤色器层具有相同的颜色，其中，绝缘层在第一子像素与第二子像素之间的边界处具有斜坡。
应当理解的是，上述一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供本发明的进一步说明而不进行限制。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被合并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了示例实施方式，并与说明书一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：
图1是示出了可以应用示例实施方式的显示面板的一部分的平面视图；
图2是沿着图1中的线A-B的横截面视图，示出了根据第二示例实施方式的显示面板的一部分；
图3是示出了根据第一示例实施方式的第三滤色器层的另一形状的横截面视图；
图4是沿着图1中的线A-B的横截面视图，示出了根据第二示例实施方式的显示面板的一部分；
图5是沿着图1中的线A-B的横截面视图，示出了根据第三示例实施方式的显示面板的一部分；
图6是沿着图1中的线A-B的横截面视图，示出了根据第四示例实施方式的显示面板的一部分；
图7是沿着图1中的线A-B的横截面视图，示出了根据第五示例实施方式的显示面板的一部分；
图8是示出了可以应用根据包括第一示例实施方式至第五示例实施方式的示例实施方式的显示面板的具有散射层的有机发光显示面板的一部分的平面视图；以及
图9是沿着图8中的线C-D的横截面视图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的实施方式，其示例在附图中示出。提供本文所阐述的实施方式用于说明的目的，以向本领域技术人员全面传达本公开内容的概念。本发明不应被解释为限于这些实施方式，并且可以以许多不同形式来实施。本发明的范围应该由所附权利要求来限定。在附图中，为了清楚起见，装置的尺寸和厚度可以被夸大。贯穿本文献，将使用相同的附图标记和符号来表示相同或相似的部件。
应当理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，不仅可以“直接”在其他元件或层“上”，而且也可以经由“中介”元件或层“间接地”在其他元件或层“上”。相反，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”时，应当理解为没有中介元件或层被插入。
本文可以使用空间相对术语如“在......之下”、“下面”、“以下”、“下部”、“在......之上”、“上面”和“上部”，以便于描述如附图中所示的元件或部件与另一元件或其他部件的关系。除了附图中描绘的取向以外，空间相对术语应该解释为包括元件在使用或操作中的不同取向的术语。例如，当附图中所示的元件被翻转时，被描述为在另一元件“之下”、“下面”或“以下”的元件将被定向为在其他元件“之上”或“上面”。因此，示例术语“在......之下”、“下面”或“以下”可以包括在......之上和在......之下两个取向。
另外，本文可以使用术语如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”来描述部件。然而，应当理解的是，这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件，并且不限定或不限制部件的物质、顺序、次序或数目。
图1是示出了可以应用示例实施方式的显示面板的一部分的平面视图。如图1所示，显示面板中的单个像素P可以包括多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以限定在沿第一方向延伸的栅极线(未示出)与沿第二方向延伸的数据线(未示出)相交的区域中。
具体地，单个像素P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。在此，第一子像素至第四子像素中的至少一个子像素可以是从其发射白(W)光的子像素。
尽管图1中示出了其中单个像素P包括四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的配置作为示例，但是根据示例实施方式的显示面板不限于此。例如，单个像素P可以包括两个或三个子像素，或者包括在两个或更多个邻近像素P中的多个子像素中的至少一个子像素，其中子像素中的至少一个子像素可以是发射白光的子像素。也就是说，示例实施方式可以应用于包括发射白光的至少一个子像素的任何显示面板。
在下文中，为了便于描述，将主要描述其中像素P包括四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的显示面板，但是如上所述，显示面板不限于此。像素P的四个子像素SP1、SP2、SP3和SP4将被称为第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。子像素SP1、SP2、SP3和SP4可以分别产生不同颜色的光。
此外，为了便于参考下面的示例实施方式，将第一子像素SP1将描述为发射红(R)光的子像素，将第二子像素SP2描述为发射白(W)光的子像素，将第三子像素SP3描述为发射蓝(B)光的子像素，并且将第四子像素SP4描述为发射绿(G)光的子像素。
子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个子像素可以包括发射区域EA和电路区域CA。在OLED面板中，例如有机发光二极管(OLED)或有机电致发光器件设置在发射区域EA中，并且驱动OLED所需的电路例如至少一个薄膜晶体管(TFT)设置在电路区域CA中。显示面板不限于OLED面板，也可以是其他类型的显示面板，例如LCD面板。
尽管设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的OLED可以是发射白光的OLED，但是示例实施方式不限于此。例如，发射红光的OLED(或红色OLED)可以设置在发射红光的子像素中，发射绿光的OLED(或绿色OLED)可以设置在发射绿光的子像素中，发射蓝光的OLED(或蓝色OLED)可以设置在发射蓝光的子像素中，以及发射白光的OLED可以设置在发射白光的子像素中。
在下文中，为了方便描述，设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的所有OLED将主要被描述为发射白光的OLED。
子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域可以彼此尺寸不同。考虑到显示面板的颜色坐标、OLED的寿命等可以调整子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发射区域的尺寸。
滤色器层200、201、202和203可以分别设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，以与发射区域EA交叠。具体地，第一滤色器层200可以设置在第一子像素SP1中，第二滤色器层201可以设置在第二子像素SP2中，第三滤色器层202可以设置在第三子像素SP3中，第四滤色器层203可以设置在第四子像素SP4中。
然而，在包括白色子像素的有机发光显示器件中，可能不需要在白色子像素中设置滤色器。在没有滤色器层的白色子像素的情况下，白色子像素的反射率可以显著高于包括滤色器层的红色、绿色和蓝色子像素中的每一个或至少一个的反射率。这可能因此增加面板的反射率。尽管可以在白色子像素中设置白色滤色器层以克服该问题，但是将采用附加掩模工艺来提供白色滤色器层，从而增加了显示面板的制造时间和成本。
在包括白色子像素的有机发光显示器件中，示例实施方式提供了能够在简化制造工艺的同时降低反射率的有机发光显示器件。
具体地，如图1所示，第二滤色器层201可以设置在发射白光的第二子像素SP2中。在此，第二滤色器层201可以具有与设置在与第二子像素SP2邻近的另一子像素中的滤色器层相同的颜色。
例如，第二滤色器层201可以具有与设置在第一子像素SP1中的第一滤色器层200或设置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的第三滤色器层202相同的颜色。这样可以从而降低第二子像素SP2的反射率，但不会使制造工艺复杂化或增加制造成本。在此，第二滤色器层201的厚度可以小于第一滤色器层200、第三滤色器层202和第四滤色器层203中的一个或更多个的厚度。
在根据第一示例实施方式的显示面板中，第二滤色器层201被公开为具有与设置在第三子像素SP3中的第三滤色器层202相同的颜色。在该示例实施方式中，第二滤色器层201被公开为比第一滤色器SP1、第三滤色器SP3和第四滤色器SP4中的每一个更薄。
尽管第二滤色器层201比第三滤色器层202更薄，但是第二滤色器层201的顶表面与显示面板的基板100的顶表面之间的距离(参见图2)可以基本上等于第三滤色器层202的顶表面与基板100的顶表面之间的距离。这使得能够以相同的制造工艺形成第二滤色器层201和第三滤色器层202，从而简化了工艺。
将参照图2更详细地描述该配置。图2是沿着图1中的线A-B的横截面视图。
如图2所示，在根据第一示例实施方式的显示面板中，基板100划分为多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4。可以在基板100上设置包括层110、120和130中的至少一个层的绝缘层。具体地，在根据第一示例实施方式的显示面板中，绝缘层中的层或者多层绝缘层可以包括缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130。在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，滤色器层200、201、202和203可以设置在绝缘层110、120和/或130上。层110、120和130中的一个或更多个可以设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的一些子像素但非全部子像素中。例如，如图2所示，层110和120可以设置在子像素SP1、SP2和SP4中而不设置在子像素SP3中。
设置在单个像素P的子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少一个子像素中的绝缘层的厚度可以不同于设置在剩余子像素中的每个子像素中的绝缘层的厚度。子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的绝缘层的厚度可以基于从基板100的顶表面分别到滤色器层200、201、202和203的距离来确定。
具体地，设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少一个子像素中的绝缘层的厚度可以小于设置在剩余子像素中的每个子像素中的绝缘层的厚度。
更具体地，设置在与第二子像素SP2邻近设置的子像素中的至少一个子像素中的绝缘层的厚度可以小于设置在剩余子像素中的每个子像素中的绝缘层的厚度。例如，设置在第三子像素SP3中的绝缘层130的厚度可以小于设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP4中的多层绝缘层110、120和130的厚度。
在此，设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP4中的每一个中的绝缘层比设置在第三子像素SP3中的绝缘层至少多一层，使得设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP4中的多层绝缘层110、120和130的厚度大于设置在第三子像素SP3中的绝缘层130的厚度。
在根据第一示例实施方式的显示面板中，在与要设置第三滤色器层的区域对应的区域中的第三子像素SP3中，仅在基板100上设置层间电介质130。另外，在与要分别设置第一滤色器层、第二滤色器层和第四滤色器层的区域对应的区域中的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP4中，在基板100上依次设置缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130。缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130可以彼此厚度不同。
当将第三子像素SP3与其他子像素进行比较时，既不设置缓冲区110也不设置栅极电介质120。因此，设置在第三子像素SP3中的绝缘层130的厚度与设置在剩余子像素中的多层绝缘层110、120和130的厚度相差与缓冲区110和栅极电介质120的组合厚度相等的量。
如上所述，与第二子像素SP2邻近设置的第三子像素SP3的绝缘层130的厚度小于设置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130的厚度，使得单个像素P可以在绝缘层中具有至少一个斜坡300。具体地，可以在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处，在设置在基板100上的绝缘层上形成斜坡300。
在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，滤色器层200、201、202和203分别设置在绝缘层110、120和/或130上。具体地，在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP4中，第一滤色器层200、第二滤色器层201和第四滤色器层203各自设置在缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130上。在第三子像素SP3中，第三滤色器层202设置在层间电介质130上。
在此，设置在第三子像素SP3中的绝缘层130的厚度小于通常设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第四子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130的厚度，使得第三滤色器层202的底表面与基板100的顶表面之间的距离可以比第一滤色器层200、第二滤色器层201和第四滤色器层203中的每一个的底表面与基板100的顶表面之间的距离短。
在根据第一示例实施方式的显示面板中，第二滤色器层201和第三滤色器层202可以具有相同的颜色。因此，第二滤色器层201和第三滤色器层202可以在相同的制造工艺中形成。
具体地，形成第二滤色器层201和第三滤色器层202的工艺可以包括：将有机材料、第二滤色器层201和第三滤色器层202的部件施加到基板100，接着是曝光、显影和固化。在施加第二滤色器层201和第三滤色器层202的有机材料的过程中，可以将有机材料施加到与要设置第二滤色器层201和第三滤色器层202的区域对应的区域。
在此，施加的有机材料可以是流体材料。当将有机材料施加到与要设置第二滤色器层201和第三滤色器层202的区域对应的区域时，在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处，在设置在基板100上的绝缘层中设置至少一个斜坡300，使得施加的有机材料的一部分可以沿着斜坡300流动。
具体地，第二滤色器层201和第三滤色器层202的有机材料被施加到第二子像素SP2和第三子像素SP3。另外，由于设置在第三子像素SP3中的绝缘层130的厚度小于设置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130的厚度，所以施加在设置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130上的有机材料的一部分可以流动到第三子像素SP3。随后，施加到第二子像素SP2和第三子像素SP3的有机材料可以被曝光、显影和固化，从而分别在第二子像素SP2和第三子像素SP3中形成第二滤色器层201和第三滤色器层202。
尽管在图2中第二滤色器层201与第三滤色器层202被示出为在子像素之间的边界处分离，但示例实施方式不限于此。例如，示例实施方式可以包括以下配置：第二滤色器层201和第三滤色器层202在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处连接。如图2所示，在第二滤色器层201与第三滤色器层202在子像素之间的边界处分离的配置中，当对固化的有机材料进行图案化以形成分别设置在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的第二滤色器层201和第三滤色器层202时，可以通过对第二滤色器层201与第三滤色器层202之间的边界进行图案化来分离两个滤色器层。
施加在第二子像素SP2中的有机材料的一部分流动到第三子像素SP3，使得最终形成在第二子像素SP2中的第二滤色器层201的厚度可以小于最终形成在第三子像素SP3中的第三滤色器层202的厚度。
具体地，第三滤色器层202的厚度可以在0.5μm至3μm的范围内，并且第二滤色器层201的厚度可以小于第三滤色器层202的厚度。如果第三滤色器层202的厚度小于0.5μm，则由第三子像素SP3发出的光的色纯度可以降低。另外，如果第三滤色器层202的厚度超过3μm，则形成第三滤色器层202的工艺可能是困难的。
第二滤色器层201和第三滤色器层202可以以相同的工艺形成。也就是说，可以使用由于分别调整第二子像素SP2和第三子像素SP3中的绝缘层110、120和/或130的厚度而形成的斜坡300来调整第二滤色器层201和第三滤色器层202的不同厚度。
根据第一示例实施方式的显示面板的第三滤色器层202的形状不限于图2所示的形状，并且可以具有如图3所示的形状，或者可以具有第二滤色器层201的厚度小于第三滤色器层202的厚度的类似形状。
图3示出了根据第一示例实施方式的第三滤色器层的另一形状。如图3所示，梯状部212a可以形成在设置在第三子像素SP3中的绝缘层130上的第三滤色器层212的至少一部分中，其中绝缘层130的厚度小于至少在第二子像素SP2中的多层绝缘层的厚度。
虽然在图3中示出了在第三滤色器层212的一部分中设置梯状部212a的一种可能配置，但是示例实施方式不限于此。第三滤色器层212可以在靠近第三子像素SP3的边界的两个或更多个部分中具有两个或更多梯状部。
在形成第二滤色器层201和第三滤色器层212的过程中，第二滤色器层201和第三滤色器层212的有机材料可以从第二子像素SP2流动到第三子像素SP3。因此，在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3的区域中，梯状部212a可以设置在第三滤色器层212的一部分中。
第三滤色器层212的上述形状可以通过以下操作来获得：通过在第二子像素SP2和第三子像素SP3中分别调整绝缘层110、120和130的厚度和/或存在来以相同工艺形成第二滤色器层201和第三滤色器层212。
在下文中，将参照图4来描述根据第二示例实施方式的显示面板。图4是示出了根据第二示例实施方式的显示面板的一部分的横截面视图。根据第二示例实施方式的显示面板可以包括与如上述示例实施方式中相同或相似的部件。在一些部件和功能的描述与上面讨论的示例实施方式中的那些部件和功能的描述相同的情况下，不再重复对它们的描述。另外，将使用相同的附图标记和符号来表示相同或相似的部件。
如图4所示，在根据第二示例实施方式的显示面板中，布置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的绝缘层110的厚度可以小于布置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130的厚度。具体地，缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130依次设置在第二子像素SP2中的基板100上。相反，只有缓冲区110设置在第三子像素SP3中的基板100上。
也就是说，如果将第二子像素SP2中的绝缘层的厚度与第三子像素SP3中的绝缘层的厚度进行比较，则设置在第三子像素SP3中的绝缘层110的厚度可以比设置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120和130的厚度小了与栅极电介质120和层间电介质130的组合厚度相等的量。
由于第二子像素SP2中的绝缘层与第三子像素SP3中的绝缘层之间的厚度的差，可以在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处的绝缘层中设置斜坡310。
在根据示例实施方式的显示面板中，在缓冲区110的厚度小于层间电介质130的厚度的情况下，根据第二示例实施方式的斜坡310的倾斜度可以大于根据第一示例实施方式的斜坡300的倾斜度。
因此，如例如图4中所示的第二示例实施方式中的第二滤色器层211的厚度可以小于如例如图2中所示的第一示例实施方式中的第二滤色器层201的厚度。另外地或替选地，如例如图4中所示的第二示例实施方式中的第三滤色器层222的厚度可以大于如例如图2中所示的第一示例实施方式中的第三滤色器层202的厚度。
由于根据第二示例实施方式的斜坡310的倾斜度可以大于根据第一示例实施方式的斜坡300的倾斜度，所以根据第二示例实施方式的第二滤色器层211和第三滤色器层212的有机材料有更多可以沿斜坡310流动到布置在第三子像素SP3中的绝缘层110。
因此，根据第二示例实施方式的第二滤色器层211的厚度可以小于根据第一示例实施方式的第二滤色器层211的厚度，以及/或者根据第二示例实施方式的第三滤色器层222的厚度可以大于根据第一示例实施方式的第三滤色器层202的厚度。
也就是说，可以通过调整与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的绝缘层110的厚度或第二子像素SP2中的缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130中的一个或更多个的厚度或存在，改变布置在第二子像素SP2和第三子像素SP3中的绝缘层的斜坡310的倾斜度。如上所述，在通过改变斜坡的倾斜度来形成第二滤色器层211和第三滤色器层222的工艺中，可以调整第二滤色器层211和第三滤色器层222的有机材料的流量或流速，从而调整第二滤色器层211的厚度和第三滤色器层222的厚度。
在下文中，将参考图5来描述根据第三示例实施方式的显示面板。图5是示出根据第三示例实施方式的显示面板的一部分的横截面视图。根据第三示例实施方式的显示面板可以包括与上述示例实施方式中描述的部件相同的部件。在一些组件和功能的描述与上述任何示例实施方式中的那些部件和功能的描述相同的情况下，不重复这些组件和功能的描述。另外，相同的附图标记和符号将用于表示相同或相似的部件。
如图5所示，在根据第三实施方式的显示面板中，布置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的绝缘层120的厚度可以小于布置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120、130的厚度。具体地，在第二子像素SP2中，缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130顺序地布置在基板100上。相反，在第三子像素SP3中，在基板100上仅布置有栅极电介质120。
由于布置在第二子像素SP2中的绝缘层与布置在第三子像素SP3中的绝缘层之间的厚度差，所以在第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处的绝缘层的一部分中设置有斜坡320。
在根据示例实施方式的显示面板中，当栅极电介质120的厚度大于缓冲区110和层间电介质130的厚度时，根据第三示例实施方式的斜坡320的倾斜度可以小于根据第一和第二示例实施方式的斜坡300和310中的每一个的倾斜度。
因此，图5所示的第二滤色器层221的厚度可以大于图2和图4中分别示出的第二滤色器层201和211中的每一个的厚度。另外，图2中所示的第三滤色器层202的厚度可以大于图4所示的第三滤色器层222的厚度。
由于第三示例实施方式中的斜坡320的倾斜度可以小于根据第一和第二示例实施方式的斜坡300和310中的每一个的倾斜度，所以与第一和第二示例实施方式相比，根据第三示例实施方式的第二滤色器层221和第三滤色器层232的有机材料有更少量可以沿斜坡320流动到布置在第三子像素SP3中的绝缘层120上。
因此，根据第三示例实施方式的第二滤色器层221的厚度可以大于根据第一和第二示例实施方式的第二滤色器层201和211中的每一个的厚度，以及/或者第三滤色器层232的厚度可以小于根据第一和第二示例实施方式的第三滤色器层202和222中的每一个的厚度。
如上所述，在通过改变斜坡320的倾斜度来形成第二滤色器层221和第三滤色器层232的工艺中，可以调整第二滤色器层221和第三滤色器层232的有机材料的流量，从而调整第二滤色器层221和第三滤色器层232的厚度。
根据示例实施方式的显示面板的配置不限于上述配置，并且可以采用其他配置。例如，可以采用图6所示的配置。图6是示出根据第四示例实施方式的显示面板的一部分的横截面视图。根据第四实施方式的显示面板可以包括与上述示例实施方式中相同或相似的部件。在一些组件和功能的描述与上述任何示例实施方式中的那些组件和功能的描述相同的情况下，不重复这些组件和功能的描述。此外，使用相同的附图标记和符号来表示相同或相似的部件。
如图6所示，在根据第四示例实施方式的显示面板中，布置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的多层绝缘层110和120的厚度可以小于布置在第二子像素SP2中的多层绝缘层110、120、130的厚度。具体地，可以顺序地将缓冲区110、栅极电介质120和层间电介质130布置在第二子像素SP2中的基板100上。相反，只有缓冲区110和栅极电介质120可以布置在第三子像素SP3中的基板100上。
尽管在图6中示出了缓冲区110和栅极电介质120顺序地布置在第三子像素SP3中的基板100上的配置，但示例实施方式不限于此。例如，在第三子像素SP3中，缓冲区110和层间电介质130可以顺序地布置在基板100上，或者栅极电介质120和层间电介质130可以顺序地布置在基板100上。
布置在第三子像素SP3中的多层绝缘层110和120的厚度可以大于根据第一至第三示例实施方式的第三子像素SP3中的每个绝缘层的厚度。因此，根据第四示例实施方式的第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处的绝缘层的斜坡330的倾斜度可以小于根据第一至第三示例实施方式的斜坡300、310和320中的每一个的倾斜度。
因此，根据第四示例实施方式的第二滤色器层231的厚度可以大于第一至第三示例实施方式中的第二滤色器层201、211和221中的每一个的厚度。附加地或替代地，根据第四示例实施方式的第三滤色器层242的厚度可以小于第一至第三示例实施方式中的第三滤色器层202、222和232中的每一个的厚度。
如上面关于第一至第四示例实施方式所述，布置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的第三滤色器层下方的绝缘层的厚度可以小于布置在第二子像素SP2中的第二滤色器层下方的绝缘层的厚度。因此，可以用相同工艺将第二滤色器层的厚度减小到小于第三滤色器层的厚度。
在根据第一至第四示例实施方式的显示面板中，可以通过调整布置在第三滤色器层下方的绝缘层的厚度来改变第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处的绝缘层的斜坡的倾斜度。这使得可以控制有机材料的流速或流量，从而调整第二滤色器层的厚度和/或第三滤色器层的厚度。
在根据第一至第四实施方式的第二子像素SP2中，布置在第二滤色器层下方的绝缘层的厚度可以大于布置在与第二子像素SP2邻近的至少一个子像素的滤色器层下方的绝缘层的厚度。因此，布置在第二子像素SP2中的滤色器层的厚度可以小于布置在与第二子像素SP2邻近的至少一个子像素中的滤色器层的厚度。具体地，由于第二子像素SP2的绝缘层的厚度可以大于布置在与第二子像素SP2邻近的至少一个子像素中的绝缘层的厚度，所以在形成滤色器层的过程中，施加到第二子像素SP2的有机材料可以流到所述至少一个邻近的子像素。因此，最终在第二子像素SP2中形成的滤色器层的厚度可以小于布置在与第二子像素SP2邻近的子像素中的一个或更多个子像素中的滤色器层的厚度。
由于布置在第二子像素SP2中的滤色器层的厚度可以小于布置在其他子像素中的一个或更多个中的滤色器层的厚度，所以可以减少显示面板的反射率而不会降低显示面板的发光效率。
具体地，例如预期使第二滤色器层变厚以有助于防止或减轻第二子像素SP2的高反射率时，或者当预期第二子像素SP2的反射率进一步降低时，可以通过减少第二子像素SP2与邻近子像素(例如第三子像素SP3)之间的边界处的绝缘层的斜坡的倾斜度来调整有机材料的流速或流量。由于沿斜坡流动至第三子像素SP3的用于制造第二滤色器层和第三滤色器层的有机材料的量减少，所以可以增加得到的第二滤色器层的厚度。然而，所得到的第二滤色器层的厚度仍将小于第三滤色器层的厚度。
此外，当例如预期第二滤色器层变薄以有助于防止第二子像素SP2的效率由于第二滤色器层而变得太低时，可以通过增加第二子像素SP2与邻近子像素(例如第三子像素SP3)之间的边界处的绝缘层的斜坡的倾斜度来增大有机材料的流速或流量。由于沿斜坡流动至第三子像素SP3的用于制造第二滤色器层和第三滤色器层的有机材料的量增加，所以可以减少得到的第二滤色器层的厚度。
尽管上面关于第一至第四示例实施方式描述了调整布置在与第二子像素SP2邻近的第三子像素SP3中的绝缘层的厚度的各种配置，但是示例实施方式不限于此，并且可以采用其他配置。例如，可以采用图7所示的利用与第二子像素SP2邻近的不同子像素的示例配置。
图7是示出根据第五示例实施方式的显示面板的一部分的横截面视图。根据第五示例实施方式的显示面板可以包括与上述示例实施方式中相同或相似的部件。在一些部件和功能的描述与上述任何示例实施方式的那些组件和功能的描述相同的情况下，不重复这些组件和功能的描述。此外，使用相同的附图标记和符号来表示相同或相似的部件。
如图7所示，在根据第五示例实施方式的显示面板中，布置在与第二子像素SP2邻近的第一子像素SP1中的绝缘层130的厚度可以小于多层绝缘层110、120和130的厚度。也就是说，布置在第一滤色器层210下方的绝缘层130的厚度可以小于布置在第二滤色器层241下方的多层绝缘层110、120和130的厚度。因此，绝缘层可以在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间的边界处具有斜坡340。
在根据第五示例实施方式的显示面板中，第一滤色器层210和第二滤色器层241可以具有相同的颜色。由于在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间的边界处设置了斜坡340，所以第一滤色器层210和第二滤色器层241的有机材料可以沿斜坡340流动到第一子像素SP1。因此，可以省略用于形成第二滤色器层241和调整滤色器层241的厚度的分开的过程。
除了图7所示的配置之外，可以采用第一子像素SP1中的绝缘层和第一子像素SP1与第二子像素SP2之间的边界处的斜坡的各种其他配置。例如，如上面针对第一至第四示例实施方式描述的与第三子像素SP3中的绝缘层和第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的边界处的斜坡有关的示例配置类似地能够应用于第一子像素SP1中的绝缘层，其中使用相同有机材料来形成第一滤色器层210和第二滤色器层241。
根据示例实施方式的显示面板可以应用于包括OLED或有机电致发光器件的有机发光显示面板。例如，可以将示例实施方式应用于下述有机发光显示面板，在该有机发光显示面板中，在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中设置有光散射层以提高有机发光显示装置的光提取效率。在下文中，将参照图8来论述这样的示例配置。
图8是示出根据示例实施方式的显示面板被应用于的具有散射层的有机发光显示面板的一部分的平面图。有机发光显示面板可以包括与上述任何示例实施方式中描述的部件相同或相似的部件。在一些部件和功能的描述与上述任何示例实施方式中的相同组件和功能的描述相同的情况下，不重复这些部件和功能的描述。此外，使用相同的附图标记和符号来表示相同或相似的部件。
如图8所示，根据示例实施方式的显示面板可以应用于具有散射层的有机发光显示面板。散射层可以设置在外涂层(overcoat layer)250的顶部上。散射层可以是选自微透镜阵列、纳米图案、漫射图案和硅珠中的一者。在下文中，为了便于描述，将散射层称为微透镜阵列，但也可以采用任何其他类型。
尽管图8示出了微透镜是圆形的构造，但是示例实施方式不限于此。相反，微透镜可以具有各种形状，例如六边形、半球形、半椭圆形和四边形。微透镜阵列用于向外提取否则将被捕获在有机发光显示面板内的光，从而提高有机发光显示面板的光提取效率。
将参照图9详细描述该配置。图9是沿图8的C-D线所取的横截面视图。
如图9所示，可以在子像素SP1、SP2、SP3和SP4的滤色器层200、201、202和203上布置外涂层250。可以在外涂层250上设置多个微透镜。有机电致发光器件(或OLED)EL可以布置在具有多个微透镜的外涂层250上。每个有机电致发光器件EL包括第一电极260、有机发光层270和第二电极280。子像素使用有机电致发光器件EL发光。
第一电极260可以包括透明导电材料，而第二电极可以包括具有高水平反射率的不透明导电材料。因此，可以提供底部发光的有机发光显示面板。
在上述配置中，有机电致发光器件EL的第一电极260或有机发光层270的折射率可以高于基板100或外涂层250的折射率。例如，基板100和外涂层250的折射率可以为约1.5，而有机电致发光器件EL的第一电极260或有机发光层270的折射率可以为1.7至2.0。
由有机发光层270发出的光的一部分可以被第二电极280反射以朝向第一电极260重定向，而剩余部分的光可以朝向第一电极260发出。因此由有机发光层270发出的大部分光可以指向第一电极260。
由于有机发光层270的折射率可以与第一电极260的折射率基本相同，所以由有机发光层270产生的光的路径可以在有机发光层270与第一电极260之间的边界处未改变。已经穿过第一电极260的一部分光以等于或小于总反射临界角的角度射到有机发光层270与第一电极260之间的边界上，这部分光可以通过布置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的滤色器层200、201、202和203离开基板100。
由于根据示例实施方式的有机发光显示面板可以包括具有微透镜阵列的外涂层250，所以可以增加外部光反射率。
具体地，可以在基板100的底表面上布置在预定方向上具有偏振轴的偏振器和具有预定相位延迟值的偏振器，使得两个偏振器彼此重叠。当通过基板的底部进入的外部光线射到偏振器上时，允许沿与偏振轴相同方向的那部分光通过。在进入基板100之前，在特定方向上偏振的光可以在预定相位延迟值处被圆偏振。已经进入基板100的光可以被有机电致发光器件EL的第二电极280反射，使得其相位可以相对于已经通过偏振器的光的相位延迟180度。相位延迟的光可以朝向基板100被重定向。
由于外涂层250可以具有微透镜阵列，所以有机电致发光器件EL的第一电极260、有机发光层270和第二电极280也可以成形为使得突起与凹陷交替。第二电极280反射从基板100入射的光，使得一部分反射光在与偏振器的偏振轴相反的方向上被转换。
然而，由于在该示例中第二电极280不平坦，所以从基板100入射的剩余那部分光可以以与偏振器的偏振轴相同的状态被反射。这因此能够提高有机发光显示装置的反射率。
分别布置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的滤色器层200、201、202和203可以用于吸收这种外部光，从而减少外部光反射。具体地，在包括微透镜阵列的有机发光显示面板中，滤色器层200、201、202和203可以有利地布置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，从而不仅提高色纯度并且减少外部光反射率。
除了图9所示的配置之外，可以采用绝缘层以及第二子像素与一个或更多个邻近子像素之间的边界处的斜坡的各种其他配置。例如，如上面针对第一至第五示例实施方式描述的与第一子像素SP1或第三子像素SP3中的绝缘层和与第二子像素SP2的边界的斜坡相关的示例配置类似地可以应用于如图8和9所示的具有散射层和有机电致发光器件EL的示例实施方式。
在根据示例实施方式的显示面板中，当相同颜色的滤色器层布置在两个或更多个邻近子像素中时，布置在一个滤色器层下方的绝缘层的厚度可以与布置在邻近滤色器层下方的绝缘层的厚度不同。邻近子像素中的至少一个子像素可以是白色子像素。这允许绝缘层在邻近子像素之间的边界处具有斜坡。该斜坡允许用于制造滤色器层的有机材料在绝缘层比邻近子像素更薄的子像素的方向上流动。这因此能够允许调整滤色器层的厚度，从而简化制造工艺。
也就是说，布置在白色子像素中的滤色器层下方的绝缘层可以包括多个部件绝缘层，并且布置在至少一个邻近子像素中的绝缘层可以包括单层或包括比布置在白色子像素中的绝缘层更少的部件层。因此，在与白色子像素邻近的至少一个子像素中，绝缘层的厚度可以小于布置在白色子像素中的绝缘层的厚度。厚度差形成斜坡，其用于简化形成滤色器层的工艺。
在本公开内容中描述为在至少一个示例实施方式中采用的特征、结构和效果不一定限于该特定实施方式。本领域技术人员可以通过组合或修改这些特征、结构和效果，将一个特定示例实施方式中所示的特征、结构和效果应用于其他示例实施方式。应当理解，所有这些组合和修改都包括在本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本公开内容的阵列基板和包括该阵列基板的显示面板做出各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖上述示例实施方式、配置、部件和功能的修改和变型，只要它们落入所附权利要求书及其等同方案的范围内即可。

Claims (21)

1.一种用于显示装置的阵列基板，包括：
基板，所述基板包括多个子像素，所述多个子像素中的至少一个子像素是白色子像素；
绝缘层，所述绝缘层设置在基板上，并且设置在所述多个子像素中的每个子像素中；以及
多个滤色器层，所述多个滤色器层设置在所述绝缘层上，所述多个滤色器层中的每个滤色器层分别设置在所述多个子像素中的相应子像素中，
其中，所述多个滤色器层中的至少两个滤色器层具有相同的颜色并且分别设置在所述白色子像素以及与所述白色子像素邻近的子像素的至少一个子像素中，并且所述绝缘层在所述白色子像素和与所述白色子像素邻近的子像素的所述至少一个子像素之间的边界处具有斜坡。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中的所述绝缘层的一部分比在所述白色子像素中的所述绝缘层的另一部分更薄。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述白色子像素中的滤色器层的底表面与所述基板的顶表面之间的距离大于与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中的滤色器层的底表面和所述基板的顶表面之间的距离。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，设置在所述白色子像素中的滤色器层比设置在与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中的滤色器层更薄。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，设置在与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中的滤色器层的厚度为0.5μm至3μm。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，设置在与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中的滤色器层在靠近所述边界的至少一个部分中具有阶梯部。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述绝缘层包括缓冲区、栅极电介质和层间电介质中至少之一。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述绝缘层在所述白色子像素中包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述绝缘层在与所述白色子像素邻近的所述至少一个子像素中仅包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质中的一个或两个。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多个滤色器层中的所述至少两个滤色器层由流体有机材料制成。
11.一种显示面板，包括：
基板，所述基板包括多个子像素，所述多个子像素至少包括彼此邻近并且被配置成提供彼此不同颜色的光的第一子像素和第二子像素；
绝缘层，所述绝缘层设置在基板上，并且设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每个子像素中；以及
第一滤色器层和第二滤色器层，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层设置在绝缘层上，并且分别设置在所述第一子像素和所述第二子像素中，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层具有相同的颜色；
其中，所述绝缘层在所述第一子像素与所述第二子像素之间的边界处具有斜坡。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，在所述第一子像素中的所述绝缘层的部分比在所述第二子像素中的所述绝缘层的另一部分更厚。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述绝缘层在所述第一子像素中包括缓冲区、栅极电介质和层间电介质，而在所述第二子像素中仅包括所述缓冲区、所述栅极电介质和所述层间电介质中的一个或两个。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一滤色器层比所述第二滤色器层更薄。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第二滤色器层在靠近所述边界的至少一个部分中具有阶梯部。
16.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层由流体有机材料制成。
17.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一子像素是白色子像素。
18.根据权利要求11所述的显示面板，还包括在所述第一滤色器层和所述第二滤色器层上的外涂层，所述外涂层包括光散射层。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述光散射层包括微透镜阵列。
20.根据权利要求18所述的显示面板，还包括设置在所述外涂层上的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括第一电极、所述第一电极上的有机发光层以及所述有机发光层上的第二电极。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其中，所述第一电极包括透明导电材料，并且所述第二电极包括具有高水平反射率的不透明导电材料。
CN201710519910.4A 2016-06-30 2017-06-30 阵列基板和包括该阵列基板的显示面板 Active CN107564936B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083117A KR102530801B1 (ko) 2016-06-30 2016-06-30 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시패널
KR10-2016-0083117 2016-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107564936A true CN107564936A (zh) 2018-01-09
CN107564936B CN107564936B (zh) 2020-09-15

Family

ID=60807918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710519910.4A Active CN107564936B (zh) 2016-06-30 2017-06-30 阵列基板和包括该阵列基板的显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10050127B2 (zh)
KR (1) KR102530801B1 (zh)
CN (1) CN107564936B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021134867A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240021639A1 (en) * 2022-07-18 2024-01-18 Visera Technologies Company Ltd. Image sensor and manufacturing method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1841469A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 三洋电机株式会社 显示装置
CN101262724A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
CN101262726A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
US20100053043A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Fujifilm Corporation Color display and method for producing the same
US20110198629A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Apparatus
CN105319763A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 三星显示有限公司 液晶显示器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101649224B1 (ko) * 2008-12-16 2016-08-18 엘지디스플레이 주식회사 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치
TWI381216B (zh) 2009-03-20 2013-01-01 Au Optronics Corp 顯示面板、光電裝置及其製造方法
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR102178863B1 (ko) * 2014-06-27 2020-11-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 표시 장치
KR102190429B1 (ko) * 2014-07-31 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10175543B2 (en) 2015-06-12 2019-01-08 Samsung Display Co., Ltd. Display substrate and liquid crystal display having the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1841469A (zh) * 2005-03-30 2006-10-04 三洋电机株式会社 显示装置
CN101262724A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
CN101262726A (zh) * 2007-03-08 2008-09-10 精工爱普生株式会社 发光装置及其制造方法以及电子设备
US20100053043A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Fujifilm Corporation Color display and method for producing the same
US20110198629A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Apparatus
CN105319763A (zh) * 2014-07-31 2016-02-10 三星显示有限公司 液晶显示器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021134867A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11714322B2 (en) 2020-01-03 2023-08-01 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20180323286A1 (en) 2018-11-08
US10522659B2 (en) 2019-12-31
CN107564936B (zh) 2020-09-15
US10050127B2 (en) 2018-08-14
US20180006137A1 (en) 2018-01-04
KR102530801B1 (ko) 2023-05-10
KR20180003744A (ko) 2018-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039598B (zh) 有机发光显示装置
US10983388B2 (en) Display device
US11289682B2 (en) Organic light emitting diode display device
US20190312233A1 (en) Organic light emitting diode display device
TWI596763B (zh) 有機發光二極體顯示裝置
US9601554B2 (en) Transparent display device and method of manufacturing the same
CN103794735B (zh) 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备
JP7067927B2 (ja) 反射減少構造及びその製造方法、ディスプレイ装置及びその製造方法
CN105319760A (zh) 液晶显示面板
CN106816454A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN104656330A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
WO2016055897A1 (en) Display device
CN106873260A (zh) 显示基板和包括该显示基板的液晶显示装置
US11605680B2 (en) Display device
CN107887411A (zh) 显示装置及其制造方法和包括该显示装置的头戴式显示器
CN106972041A (zh) 有机发光二极管显示装置
CN104570469A (zh) 一种显示装置及其驱动方法
CN110429126A (zh) 显示面板和显示装置
US11476446B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN107564936A (zh) 阵列基板和包括该阵列基板的显示面板
CN111969025B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN109375411A (zh) 液晶面板及其制作方法
US10877310B2 (en) Transparent display apparatus
US20230157063A1 (en) Organic Light Emitting Display Apparatus
US20160223858A1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant