KR20230032512A - 발광 표시 장치 - Google Patents

발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230032512A
KR20230032512A KR1020210115437A KR20210115437A KR20230032512A KR 20230032512 A KR20230032512 A KR 20230032512A KR 1020210115437 A KR1020210115437 A KR 1020210115437A KR 20210115437 A KR20210115437 A KR 20210115437A KR 20230032512 A KR20230032512 A KR 20230032512A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
disposed
light emitting
patterns
layer
Prior art date
Application number
KR1020210115437A
Other languages
English (en)
Inventor
민주훈
김진련
윤지수
이성래
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210115437A priority Critical patent/KR20230032512A/ko
Priority to US17/896,826 priority patent/US20230066878A1/en
Priority to DE102022121903.8A priority patent/DE102022121903A1/de
Priority to GB2212573.6A priority patent/GB2612675A/en
Priority to CN202211048590.6A priority patent/CN115734652A/zh
Publication of KR20230032512A publication Critical patent/KR20230032512A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 발광 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판, 발광 영역에 배치된 굴곡부를 포함하는 광 추출부, 광 추출부 상에 배치되고 광 출사면으로 광을 방출하도록 구성된 발광 소자층, 및 광 출사면에 배치되고 광 굴절 패턴부를 갖는 광 가이드부를 포함할 수 있다.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 명세서는 발광 표시 장치에 관한 것이다.
발광 표시 장치는 고속의 응답 속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원이 필요하지 않는 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.
발광 표시 장치는 2개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 발광 소자층의 발광을 통해서 영상을 표시한다.
그러나, 발광 표시 장치는 발광 소자층에서 발광된 광 중 일부의 광이 발광 소자층과 전극 사이의 계면 및/또는 기판과 공기층 사이의 계면에서의 전반사 등으로 인하여 외부로 방출되지 못함에 따라 광추출 효율이 감소하게 된다. 이에 따라, 발광 표시 장치는 낮은 광추출 효율로 인하여 휘도가 저하되고, 소비 전력이 증가하는 문제점이 있다.
본 명세서는 발광 소자층에서 발광된 광의 광추출 효율이 향상될 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 본 명세서는 외부 광의 반사에 의한 블랙 시감 특성의 저하가 감소될 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 명세서의 예에 따른 해결하고자 하는 과제들은 위에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재 내용으로부터 본 명세서의 기술 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 발광 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판, 발광 영역에 배치된 굴곡부를 포함하는 광 추출부, 광 추출부 상에 배치되고 광 출사면으로 광을 방출하도록 구성된 발광 소자층, 및 광 출사면에 배치되고 광 굴절 패턴부를 갖는 광 가이드부를 포함할 수 있다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 발광 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판, 기판 상에 배치된 평탄화층; 발광 영역의 평탄화층에 배치되고 복수의 오목부와 복수의 오목부 사이의 볼록부를 포함하는 광 추출부, 광 추출부 상에 배치되고 광 출사면으로 광을 방출하도록 구성된 발광 소자층, 상기 광 출사면에 배치되고 광 굴절 패턴부를 갖는 광 가이드부를 포함하며, 광 굴절 패턴부는 복수의 오목부와 상기 볼록부 중 적어도 하나 이상과 중첩된 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 광 굴절 패턴부는 복수의 돌출 패턴 및 복수의 돌출 패턴 사이의 복수의 함몰 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴 각각은 삼각 단면 구조를 가지며, 기판의 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향 중 적어도 하나 이상의 방향을 따라 나란하게 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 볼록부는 인접한 3개의 오목부 사이에 있는 정점부, 및 인접한 2개의 오목부 사이에 있고 인접한 2개의 정점부 사이에 연결된 능선부를 포함하며, 능선부는 기판의 제 1 방향과 나란하게 배치되며, 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 제 1 방향과 나란하게 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴 사이의 거리는 복수의 오목부 사이의 거리와 동일하거나 작을 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 함몰 패턴 각각은 볼록부에만 중첩될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 함몰 패턴 각각은 기판의 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향, 제 1 방향과 제 2 방향 사이의 제 1 대각선 방향, 및 제 2 방향을 기준으로 제 1 대각선 방향과 대칭되는 제 2 대각선 방향 중 하나 이상의 방향과 나란하게 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴 각각은 복수의 오목부 각각과 중첩되며, 복수의 함몰 패턴 각각은 복수의 오목부와 상기 볼록부 각각과 중첩될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 볼록부는 평면적으로 벌집 형태를 가지며, 함몰 패턴은 볼록부와 동일한 벌집 형태를 가질 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴 각각은 복수의 오목부 각각과 중첩되며, 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 볼록부에만 중첩될 수 있다.
위에서 언급된 과제의 해결 수단 이외의 본 명세서의 다양한 예에 따른 구체적인 사항들은 아래의 기재 내용 및 도면들에 포함되어 있다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 발광 소자층에서 발광된 광의 광추출 효율이 향상될 수 있다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 외부 광의 반사에 의한 블랙 시감 특성의 저하가 감소되고, 이에 의해 비구동 또는 오프 상태에서 리얼 블랙(real black)을 구현할 수 있다.
위에서 언급된 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과의 내용은 청구범위의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구범위의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 하나의 화소를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 'A'부분의 확대도이다.
도 4a는 비교예에 따른 발광 표시 장치에서 외부 광의 반사 광에 대한 회절 분산 스펙트럼을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 4b는 본 명세서에 따른 발광 표시 장치에서 외부 광의 반사 광에 대한 회절 분산 스펙트럼을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 5에 도시된 광 가이드부의 다양한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 평탄화층의 광 추출부를 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 9에 도시된 선 I-I'의 단면도이다.
도 12 내지 도 17은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 17에 도시된 선 II-II'의 단면도이다.
도 19는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 20a 내지 도 20d는 실험예에 따른 발광 표시 장치의 블랙 시감 특성과 본 명세서의 몇몇 실시 예에 따른 발광 표시 장치의 블랙 시감을 나타내는 사진이다.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 "포함한다", "갖는다", 또는 "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 오차 범위에 대한 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, "상에", "상부에", "하부에", 또는 "옆에" 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, 예를 들면, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합", 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 간접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있는 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
"적어도 하나"는 연관된 구성요소의 하나 이상의 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 예를 들면, "제 1, 제 2, 및 제 3 구성요소의 적어도 하나"의 의미는 제 1, 제 2, 또는 제 3 구성요소뿐만 아니라, 제 1, 제 2, 및 제 3 구성요소의 두 개 이상의 모든 구성요소의 조합을 포함한다고 할 수 있다.
본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 명세서의 실시예를 살펴보면 다음과 같다. 도면에 도시된 구성요소들의 스케일은 설명의 편의를 위해 실제와 다른 스케일을 가지므로, 도면에 도시된 스케일에 한정되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 발광 표시 패널(10), 제어 회로(30), 데이터 구동 회로(50), 및 게이트 구동 회로(70)를 포함할 수 있다.
발광 표시 패널(10)은 표시 영역과 비표시 영역을 포함할 수 있다. 표시 영역은 영상이 표시되는 영역으로, 화소 어레이 영역, 활성 영역, 화소 어레이부, 표시부, 또는 화면일 수 있다. 예를 들어, 표시 영역은 표시 패널의 중앙 부분에 배치될 수 있다. 비표시 영역은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 주변 회로 영역, 신호 공급 영역, 비활성 영역, 또는 베젤 영역일 수 있다. 비표시 영역은 표시 영역을 둘러싸도록 구성될 수 있다.
발광 표시 패널(10)은 기판 상에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL), 및 복수의 게이트 라인(GL)과 복수의 데이터 라인(DL)에 의해 정의되는 화소 영역에 형성된 복수의 화소(SP)를 포함한다.
복수의 화소(SP) 각각은 인접한 게이트 라인(GL)으로부터 공급되는 게이트 신호와 인접한 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 데이터 신호에 따라 영상을 표시한다. 일 실시예에 따른 복수의 화소(SP) 각각은 화소 영역에 마련된 화소 회로, 및 화소 회로에 연결된 발광 소자를 포함할 수 있다.
복수의 화소(SP) 각각은 부화소일 수 있으며, 광을 방출하는 점 광원으로 정의될 수 있다. 일 예에 따르면, 복수의 화소(SP) 중 서로 인접하게 배치된 적어도 3개의 화소(SP)는 하나의 단위 화소(UP)를 구성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 단위 화소(12)는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소를 포함할 수 있으며, 백색 화소를 더 포함할 수 있다. 부가적으로, 하나의 단위 화소(UP)는 화소 주변에 배치된 광 투과부를 더 포함할 수 있다.
제어 회로(30)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터를 기반으로 복수의 화소(SP) 각각에 대응되는 화소별 화소 데이터를 생성할 수 있다. 상기 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 데이터 제어 신호를 생성해 데이터 구동 회로(50)에 제공할 수 있다. 제어 회로(30)는 타이밍 동기 신호를 기반으로 게이트 제어 신호를 생성해 게이트 구동 회로(70)에 제공할 수 있다.
데이터 구동 회로(50)는 발광 표시 패널(10)에 마련된 복수의 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 데이터 구동 회로(50)는 제어 회로(30)로부터 제공되는 화소별 화소 데이터와 데이터 제어 신호를 수신하고, 전원 회로로부터 제공되는 복수의 기준 감마 전압을 수신할 수 있다. 이러한 데이터 구동 회로(50)는 데이터 제어 신호와 복수의 기준 감마 전압을 이용하여 화소별 화소 데이터를 화소별 데이터 신호(또는 전압)로 변환하고, 변환된 화소별 데이터 신호를 해당 데이터 라인(DL)에 공급할 수 있다.
게이트 구동 회로(70)는 발광 표시 패널(10)에 마련된 복수의 게이트 라인(GL)과 연결될 수 있다. 게이트 구동 회로(70)는 제어 회로(30)로부터 공급되는 게이트 제어 신호를 기반으로 정해진 순서에 따라 게이트 신호를 생성하여 해당하는 게이트 라인(GL)에 공급할 수 있다.
일 실시예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 박막 트랜지스터의 제조 공정에 따라 발광 표시 패널(10)의 일측 비표시 영역 또는 양측 비표시 영역에 집적되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동 회로는 공지의 쉬프트 레지시터를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따른 게이트 구동 회로(70)는 집적 회로로 구성되어 기판에 실장되거나 연성 회로 필름에 실장되어 복수의 게이트 라인(GL)과 일대일로 연결될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 하나의 화소를 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 'A'부분의 확대도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(또는 발광 표시 패널)는 복수의 화소(또는 부화소)(SP)를 포함할 수 있다.
복수의 화소(SP) 각각은 화소 영역(PA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 화소 영역(PA)은 회로 영역(CA)과 발광 영역(EA)을 포함할 수 있다. 회로 영역(CA)은 회로 영역(CA)은 화소 영역(PA) 내에서 발광 영역(EA)과 공간적으로 분리될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 회로 영역(CA)의 적어도 일부는 화소 영역(PA) 내에서 발광 영역(EA)과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 회로 영역(CA)은 화소 영역(PA) 내에서 발광 영역(EA) 전체와 중첩되거나 발광 영역(EA) 아래에 배치될 수 있다. 발광 영역(EA)은 개구 영역 또는 광 방출 영역일 수 있다. 예를 들어, 회로 영역(CA)은 비발광 영역 또는 비개구 영역일 수 있다. 다른 실시예에 따른 화소 영역(PA)은 발광 영역(EA)과 회로 영역(CA) 중 적어도 하나의 주변에 배치된 광 투과부를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 단위 화소는 복수의 화소(SP) 각각에 대응되는 화소별 발광 영역, 및 복수의 화소(SP) 각각의 주변에 배치된 광 투과부를 포함할 수 있으며, 이 경우, 발광 표시 장치는 광 투과부의 광 투과로 인하여 투명 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(또는 발광 표시 패널)는 기판(100), 봉지부(200), 대향 기판(300), 및 광 가이드부(400)를 포함할 수 있다.
기판(100)은 박막 트랜지스터를 포함하는 것으로, 제 1 기판, 베이스 기판, 하부 기판, 투명 글라스 기판, 투명 플라스틱 기판, 또는 베이스 부재일 수 있다.
기판(100)은 화소 회로층(110), 평탄화층(130), 및 발광 소자층(150)을 포함할 수 있다.
화소 회로층(110)은 버퍼층(112), 화소 회로, 및 보호층(118)을 포함할 수 있다.
버퍼층(112)은 기판(100)의 제 1 면(또는 앞면) 전체에 배치될 수 있다. 버퍼층(112)은 박막 트랜지스터의 제조 공정 중 고온 공정시 기판(100)에 함유된 물질이 트랜지스터층으로 확산되는 것을 차단하는 역할을 하거나 외부의 수분이나 습기가 발광 소자층(150) 쪽으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 겸할 수 있다. 선택적으로, 버퍼층(112)은 경우에 따라서 생략될 수도 있다.
화소 회로는 각 화소(P)(또는 부화소)의 회로 영역(CA)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(Tdr)를 포함할 수 있다. 구동 박막 트랜지스터(Tdr)는 액티브층(113), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(115), 층간 절연막(116), 드레인 전극(117a), 및 소스 전극(117b)을 포함할 수 있다.
액티브층(113)은 비정질 실리콘(amorphous silicon), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물(oxide) 및 유기물(organic material) 중 어느 하나를 기반으로 하는 반도체 물질로 구성될 수 있다. 액티브층(113)은 채널 영역(113c), 드레인 영역(113d), 및 소스 영역(113s)을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(114)은 액티브층(113)의 채널 영역(113c) 상에 형성될 수 있다. 일 예로서, 게이트 절연막(114)은 액티브층(113)의 채널 영역(113c) 상에만 섬 형태로 형성되거나 액티브층(113)을 포함하는 기판(100) 또는 버퍼층(112)의 전면(前面) 전체에 형성될 수 있다.
게이트 전극(115)은 액티브층(113)의 채널 영역(113c)과 중첩되도록 게이트 절연막(114) 상에 배치될 수 있다.
층간 절연막(116)은 게이트 전극(115)과 액티브층(113)의 드레인 영역(113d) 및 소스 영역(113s) 상에 형성될 수 있다. 층간 절연막(116)은 기판(100) 또는 버퍼층(112)의 전면(前面) 전체에 형성될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(116)은 무기 물질로 이루어지거나 유기 물질로 이루어질 수 있다.
드레인 전극(117a)은 액티브층(113)의 드레인 영역(113d)과 전기적으로 연결되도록 층간 절연막(116) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(117b)은 액티브층(113)의 소스 영역(113d)과 전기적으로 연결되도록 층간 절연막(116) 상에 배치될 수 있다.
화소 회로는 구동 박막 트랜지스터(Tdr)와 함께 회로 영역(CA)에 배치된 적어도 하나의 커패시터, 및 적어도 하나의 스위칭 박막 트랜지스터를 더 포함한다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지스터(Tdr), 제 1 스위칭 박막 트랜지스터, 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터 중 적어도 하나의 액티브층(113)의 아래에 마련된 차광층(111)을 더 포함할 수 있다. 차광층(111)은 외부 광에 의한 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변화를 최소화 내지 방지하도록 구성될 수 있다.
보호층(118)은 화소 회로를 덮도록 기판(100) 위에 마련된다. 예를 들어, 보호층(118)은 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극(117a)과 소스 전극(117b) 및 층간 절연막(116)을 덮도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(118)은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 패시베이션층 등의 용어로 표현될 수도 있다.
평탄화층(130)은 화소 회로층(110)을 덮도록 기판(100) 위에 마련될 수 있다. 평탄화층(130)은 비표시 영역 중 패드 영역을 제외한 나머지 영역 및 표시 영역 전체에 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(130)은 표시 영역으로부터 패드 영역을 제외한 나머지 비표시 영역 쪽으로 연장되거나 확장된 연장부(또는 확장부)를 포함할 수 있다. 따라서, 평탄화층(130)은 표시 영역보다 상대적으로 넓은 크기를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 평탄화층(130)은 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 형성되어 화소 회로층(110) 위에 평탄면(130a)을 제공할 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(130)은 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene), 폴리 이미드(polyimide), 및 불소 수지 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다.
평탄화층(130)은 각 화소(P)에 배치된 광 추출부(131)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광 추출부(131)는 각 화소(P)의 화소 영역(PA)에 정의된 발광 영역(EA)과 중첩되도록 평탄화층(130)에 형성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 광 추출부(131)는 평탄화층(130) 전체에 형성될 수 있다.
광 추출부(131)는 굴곡부(또는 비평탄부)를 가지도록 평탄화층(130)에 형성될 수 있다. 광 추출부(131)는 굴곡(또는 요철) 형태를 가지도록 평탄화층(130)에 형성될 수 있다. 광 추출부(131)는 발광 영역(EA)보다 넓은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 광 추출부(131)는 굴곡 패턴부, 요철 패턴부, 마이크로 렌즈, 또는 광 산란부일 수 있다.
일 실시예에 따른 광 추출부(131)는 복수의 오목부(131a). 및 복수의 오목부(131a) 각각의 주변에 배치된 볼록부(131b)를 포함할 수 있다.
복수의 오목부(131a) 각각은 평탄화층(130)의 상면(130a)(또는 평탄면)으로부터 오목하게 구현될 수 있다. 복수의 오목부(131a) 각각은, 평탄화층(130)의 상면(130a)을 기준으로, 서로 동일한 깊이를 가질 수 있지만, 복수의 오목부(131a) 중 일부는 다른 깊이를 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 오목부(131a) 각각의 바닥면은 평탄화층(130)의 상면(130a)과 기판(100) 사이에 위치할 수 있다.
볼록부(131b)는 복수의 오목부(131a) 사이에서 서로 연결되도록 형성될 수 있다. 볼록부(131b)는 복수의 오목부(131a) 각각을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 볼록부(131b)는 복수의 오목부(131a) 각각을 개별적으로 둘러싸도록 구현될 수 있다. 이에 의해, 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화층(130)은 볼록부(131b)에 의해 둘러싸이는 복수의 오목부(131a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 오목부(131a)를 둘러싸는 볼록부(131b)는 복수의 오목부(131a) 각각의 배치 구조에 따라 평면적으로 사각 형태, 벌집 형태, 허니콤 형태, 또는 서클 형태를 가질 수 있다.
볼록부(131b)는 발광 소자층(150)의 유효 발광 영역을 기반으로 화소에서 발생되는 광의 외부 추출 효율을 최대화할 수 있는 형상을 가지도록 발광 영역(EA)과 중첩되는 평탄화층(130)에 마련될 수 있다. 볼록부(131b)는 발광 소자층(150)에서 발광된 광의 진행 경로를 광 출사면 쪽으로 변경하고, 발광 소자층(150) 내에서 전반사되는 광을 광 출사면 쪽으로 출사시킴으로써 발광 소자층(150) 내에 갇히는 광에 의한 광추출 효율의 저하를 방지하거나 최소화한다.
일 실시예에 따른 볼록부(131b)는 바닥부(또는 밑면), 바닥부 상의 상부(또는 윗면)(131v), 및 바닥부와 상부(131v) 사이의 경사부(131s)를 포함할 수 있다.
볼록부(131b)의 상부(131v)는 볼록한 곡면 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 볼록부(131b)의 상부(131v)는 볼록한 단면 형상의 돔(dome) 또는 벨(bell) 구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
볼록부(131b)의 경사부(131s)는 바닥부와 상부(131v) 사이의 곡면 형태를 가질 수 있다. 볼록부(131b)의 경사부(131s)는 오목부(131a)를 형성하거나 구현할 수 있다. 예를 들어, 볼록부(131b)의 경사부(131s)는 경사면 또는 곡면부일 수 있다. 일 실시예에 따른 볼록부(131b)의 경사부(131s)는 가우시안 곡선의 단면 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 볼록부(131b)의 경사부(131s)는 바닥부에서 상부(131v)까지 점점 증가하다가 점점 감소하는 접선 기울기를 가질 수 있다.
발광 소자층(150)은 각 화소(P)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 광 추출부(131) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 발광 소자층(150)은 제 1 전극(E1), 발광층(EL), 및 제 2 전극(E2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 전극(E1)과 발광층(EL), 및 제 2 전극(E2)은 하부 발광(bottom emission) 방식에 따라 기판(100) 쪽으로 광을 방출하도록 구성될 수 있다.
제 1 전극(E1)은 화소 영역(PA)의 평탄화층(130) 상에 형성되어 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극(117b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로 영역(CA)과 인접한 제 1 전극(E1)의 일단은 평탄화층(130)과 보호층(118)에 마련된 전극 컨택홀(CH)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극(119s)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제 1 전극(E1)은 광 추출부(131)과 직접적으로 접촉되기 때문에 광 추출부(131)의 형상을 따르는 형상을 갖는다. 제 1 전극(E1)은 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 평탄화층(130) 상에 형성(또는 증착)되기 때문에 볼록부(131b)와 복수의 오목부(131a)를 포함하는 광 추출부(131)의 표면 형상(morphology)(또는 제 1 표면 형상)을 그대로 따르는 표면 형상(또는 제 2 표면 형상)을 갖는다. 예를 들어, 제 1 전극(E1)은 투명 도전 물질의 증착 공정에 의해 광 추출부(131)의 표면 형상(또는 모폴로지)을 그대로 따르는 등각(conformal) 형태로 형성됨으로써 광 추출부(131)와 동일한 형태의 단면 구조를 가질 수 있다.
발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 상에 형성되어 제 1 전극(E1)과 직접적으로 접촉될 수 있다. 발광층(EL)은 제 1 전극(E1) 대비 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 제 1 전극(E1) 상에 형성(또는 증착)됨으로써 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각의 표면 형상 또는 제 1 전극(E1)의 표면 형상과 다른 표면 형상(또는 제3 표면 형상)을 갖는다. 예를 들어, 발광층(EL)은 증착 공정에 의해 제 1 전극(E1)의 표면 형상(또는 모폴로지)을 그대로 따르지 않는 비등각(non-conformal) 형태로 형성됨으로써 제 1 전극(E1)과 다른 단면 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 발광층(EL)은 볼록부(131b) 또는 오목부(131a)의 바닥면으로 갈수록 점점 두꺼운 두께를 갖는다. 예를 들어, 발광층(EL)은 볼록부(131b)의 정상부(131v) 위에 제 1 두께(t1)로 형성될 수 있고, 오목부(131a)의 바닥면 위에 제 1 두께(t1)보다 두꺼운 제 2 두께(t2)를 형성될 수 있으며, 볼록부(131b)의 경사면(또는 곡면부)(131s) 위에 제 1 두께(t1)보다 얇은 제 3 두께(t3)를 가지도록 형성될 수 있다. 여기서, 제 1 내지 제 3 두께(t1, t2, t3) 각각은 제 1 전극(E1)과 제 2 전극(E2) 사이의 최단 거리에 대응될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광층(EL)은 화이트 광을 방출하기 위한 2 이상의 유기 발광층을 포함한다. 일 예로서, 발광층(EL)은 제 1 광과 제 2 광의 혼합에 의해 화이트 광을 방출하기 위한 제 1 유기 발광층과 제 2 유기 발광층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광층은 제 1 광을 방출하기 위하여, 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층, 황색 유기 발광층, 및 황록색 유기 발광층 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 유기 발광층은 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 적색 유기 발광층, 황색 유기 발광층, 및 황록색 유기 발광층 중 제 1 광과의 혼합에 의해 화이트 광을 구현하기 위한 제 2 광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따른 발광층(EL)은 청색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 및 적색 유기 발광층 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 상에 형성되어 발광층(EL)과 직접적으로 접촉될 수 있다. 제 2 전극(E2)은 발광층(EL) 대비 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 발광층(EL) 상에 형성(또는 증착)될 수 있다. 제 2 전극(E2)은 상대적으로 얇은 두께를 가지도록 발광층(EL) 상에 형성(또는 증착)됨으로써 발광층(EL)의 표면 형상을 그대로 따르는 표면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(E2)은 증착 공정에 의해 발광층(EL)의 표면 형상(또는 모폴로지)을 그대로 따르는 등각(conformal) 형태로 형성됨으로써 발광층(EL)과 동일한 단면 구조를 가질 수 있으며, 광 추출부(131)와 다른 단면 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 제 2 전극(E2)은 발광층(EL)에서 방출되어 입사되는 광을 기판(100) 쪽으로 반사시키기 위해 반사율이 높은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 전극(E2)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 또는 바륨(Ba) 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단일층 구조 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 제 2 전극(E2)은 반사성이 높은 불투명 도전물질을 포함할 수 있다.
발광층(EL)에서 발생되는 광의 외부 추출 효율은 광 추출부(131)에 의해 증가될 수 있다. 광 추출부(131)는 발광 소자층(150)에서 발광된 광의 진행 경로를 변경하여 광 추출 효율을 증가시킨다. 광 추출부(131)의 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)는 발광층(EL)에서 발생되는 광의 외부 추출 효율을 최대화할 수 있는 형상을 가지도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 광 추출부(131)의 볼록부(131b)는 발광 소자층(150)에서 발광된 광의 진행 경로를 광 출사면(또는 광 추출면)으로 변경함으로써 발광부(EP)에서 발광된 광의 외부 추출 효율을 증가시킨다. 예를 들어, 볼록부(131b)은 발광 소자층(150)에서 발광된 광이 광 출사면으로 진행하지 못하고, 발광 소자층(150)의 제 1 전극(E1)과 제 2 전극(E2) 사이에서 전반사를 반복하여 발광 소자층(150) 내에 갇히는 광에 의한 광추출 효율의 저하를 방지하거나 최소화한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 각 화소(P)의 발광 영역(EA)을 정의하는 뱅크층(170)을 더 포함할 수 있다.
뱅크층(170)은 제1 전극(E1)의 가장자리와 평탄화층(130) 상에 배치될 수 있다. 뱅크층(170)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계(acryl) 수지 또는 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 유기물로 형성할 수 있다. 뱅크층(170)은 검정색 안료를 포함하는 감광제로 형성할 수 있으며, 이 경우 뱅크층(170)은 인접한 화소 사이의 차광 부재의 역할을 겸할 수 있다.
뱅크층(170)은 각 화소(P)의 회로 영역(CA) 상으로 연장된 제1 전극(E1)의 가장자리를 덮도록 평탄화층(130)의 상면(130a) 상에 배치될 수 있다. 뱅크층(170)에 의해 정의되는 발광 영역(EA)은 평면적으로 평탄화층(130)의 광 추출부(130)의 영역보다 좁은 크기를 가질 수 있다.
발광 소자층(150)의 발광층(EL)은 제 1 전극(E1), 뱅크층(170), 및 제 1 전극(E1)과 뱅크층(170) 사이의 단차부 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 발광층(EL)이 제 1 전극(E1)과 뱅크층(170) 사이의 단차부에 상대적으로 얇은 두께로 형성될 때, 제 2 전극(E2)이 제 1 전극(E1)과 전기적인 접촉(또는 쇼트)될 수 있다. 이러한 문제점을 방지하기 위하여, 발광 영역(EA)에 인접한 뱅크층(170)의 끝단(또는 최외곽 뱅크 라인)은 광 추출부(131)의 가장자리 부분을 덮을 수 있도록 배치될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(E1)과 뱅크층(170) 사이의 단차부에 배치된 뱅크층(170)의 끝단으로 인하여, 제 1 전극(E1)과 제 2 전극(E2) 간의 전기적인 접촉(또는 쇼트)이 방지될 수 있다.
본 명세서에 따른 발광 표시 장치는 컬러 필터층(120)을 더 포함할 수 있다.
컬러 필터층(120)은 적어도 하나의 발광 영역(EA)과 중첩되도록 기판(100)과 평탄화층(130) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)과 중첩되도록 보호층(118)과 평탄화층(130) 사이에 배치될 수 있다. 다른 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)과 중첩되도록 층간 절연막(116)과 보호층(118) 사이에 배치되거나 기판(100)과 층간 절연막(116) 사이에 배치될 수 있다.
컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)보다 넓은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)보다 크고, 평탄화층(130)의 광 추출부(131)보다 작은 크기를 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않고 평탄화층(130)의 광 추출부(131)보다 큰 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)의 가장자리 부분은 뱅크층(170)과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)은 각 화소(P)의 화소 영역(PA) 전체에 대응되는 크기를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 소자층(150)으로부터 기판(100) 쪽으로 방출(또는 추출)되는 광 중 화소(P)(또는 부화소)에 설정된 색상의 파장만을 투과시키는 컬러필터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)은 적색, 녹색, 또는 청색의 파장만을 투과시킬 수 있다. 하나의 단위 화소가 인접한 제 1 내지 제 4 화소(P)로 구성될 때, 제 1 화소에 마련된 컬러 필터층은 적색 컬러필터, 제 2 화소에 마련된 컬러 필터층은 녹색 컬러필터, 및 제 3 화소에 마련된 컬러 필터층은 청색 컬러필터를 각각 포함할 수 있다. 제 4 화소는 컬러 필터층을 포함하지 않거나 단차 보상을 위한 투명 물질을 포함할 수 있으며, 이에 의해 백색 광을 방출할 수 있다.
다른 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 소자층(150)으로부터 기판(100) 쪽으로 방출되는 청색 광에 따라 해당하는 화소(P)(또는 부화소)에 설정된 색상의 광을 방출하는 양자점을 포함할 수 있다. 선택적으로, 다른 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 복수의 화소(P)(또는 부화소)의 발광 영역(EA)과 중첩되도록 배치된 양자점층을 포함하는 시트(또는 필름) 형태로 구현되고 광출사면에 부착될 수 있다.
봉지부(200)는 발광 소자층(150)을 덮도록 기판(100) 위에 형성될 수 있다. 봉지부(200)는 제 2 전극(E2)을 덮도록 기판(100) 위에 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지부(200)은 표시 영역을 둘러쌀 수 있다. 봉지부(200)는 외부 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 발광층(EL) 등을 보호하고, 산소 또는/및 수분 나아가 이물들(particles)이 발광층(EL)으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예에 따른 봉지부(200)는 복수의 무기 봉지층을 포함할 수 있다. 그리고, 봉지부(200)는 복수의 무기 봉지층 사이에 개재된 적어도 하나의 유기 봉지층을 더 포함할 수 있다. 유기 봉지층은 이물질 커버층(particle cover layer)으로 표현될 수 있다.
다른 실시예에 따른 봉지부(200)는 표시 영역을 전체적으로 둘러싸는 충진재로 변경될 수 있으며, 이 경우, 대향 기판(300)은 충진재를 매개로 하여 기판(100)과 합착될 수 있다. 충진재는 산소 또는/및 수분 등을 흡수하는 게터 물질을 포함할 수 있다.
대향 기판(300)은 봉지부(200)에 결합될 수 있다. 대향 기판(300)은 플라스틱 재질, 유리 재질, 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 봉지부(200)가 복수의 무기 봉지층을 포함할 때, 대향 기판(300)은 생략될 수 있다.
선택적으로, 봉지부(200)가 충진재로 변경될 때, 대향 기판(300)은 충진재와 결합될 수 있으며, 이 경우, 대향 기판(300)은 플라스틱 재질, 유리 재질, 또는 금속 재질로 이루어질 수 있다.
광 가이드부(400)는 발광 표시 장치 또는 표시 패널의 출사면(100a)에 배치되거나 구성될 수 있다. 광 가이드부(400)는 기판(100)의 제 1 면과 반대되는 제 2 면(또는 광 출사면)에 배치되거나 구성될 수 있다. 광 가이드부(400)는 각 화소에 있는 광 추출부(131)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 광 가이드부(400)와 광 추출부(131) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 접착 부재(또는 제 1 투명 접착 부재)(450)를 매개로 기판(100)의 제 2 면(100a)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400)는 접착 부재(450)를 매개로 기판(100)의 제 2 면(100a) 전체에 결합될 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400)는 기판(100)의 제 2 면(100a)과 동일한 크기를 가질 수 있다.
광 가이드부(400)는 발광 표시 장치의 비구동 또는 오프 상태에서, 외부 광의 반사로 인한 표시 패널의 블랙 시감 특성의 저하를 감소시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 외부 광이 광 추출부(131)로 입사될 때, 광 추출부(131)의 굴곡부(또는 굴곡 패턴)에 의한 2중 반사 광이 발생되고, 이는 박막의 복굴절성 효과에 따라 광 출사면을 통해 외부로 출광될 수 있다. 이러한 반사 광은 발광 소자층(150)의 재질 특성과 층별 굴절률 차이로 인한 파장별 굴절 각도의 차이에 따른 빛의 분산 특성으로 인하여 무지개 색상을 가지면서 방사 형태로 퍼지는 무지개 패턴(rainbow pattern)(또는 무지개 얼룩 패턴)을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 반사 광은 광의 상쇄 간섭 및/또는 보강 간섭에 따라 방사 형태의 무지개 패턴을 발생시켜 블랙 시감 특성을 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 방사 형태의 무지개 패턴은 도 4a에 도시된 바와 같이, 반사 회절 격자 법칙(또는 방정식)에 따라 회절 격자 패턴의 역할을 하는 광 추출부(131)의 굴곡부(또는 굴곡 패턴)에 의한 반사 광의 회절 차수(m1, m2, m3)에 따른 회절 분산 스펙트럼이 규칙적으로 배열되어 발생된다. 방사 형태의 무지개 패턴은 광 추출부(131)의 굴곡부를 중심으로 방사 형태로 퍼지며, 반사 회절 격자 법칙에 따라 분산되는 광들(또는 회절 분산 스펙트럼)의 크기 및 세기는 광 추출부의 굴곡부를 중심으로 달라질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 굴절률 차이를 갖는 단면 형상에 따른 광 굴절 원리를 바탕으로, 광 추출부(131)의 굴곡부로부터 발생되는 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 추가로 재분산시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400)는 도 4b에 도시된 바와 같이, 광 추출부(131)의 패턴에 따라 발생되는 반사 광의 회절 분산 스펙트럼의 세기를 저하시키거나 회절 분산 스펙트럼을 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 반사 광의 회절 차수(m1, m2, m3)에 따른 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400)는 광 가이드 패턴부, 광 굴절부, 광 굴절 부재, 스펙트럼 분산부, 스펙트럼 저감부, 또는 회절 스펙트럼 분산부일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치 또는 발광 표시 패널(10)은 광 가이드부(400) 위에 배치된 편광 부재(500)를 더 포함할 수 있다.
편광 부재(500)는 광 추출부(131)와 화소 회로 등에 의해 반사되는 외부 광을 차단하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 편광 부재(500)는 원편광 부재 또는 원편광 필름일 수 있다.
편광 부재(500)는 결합 부재(또는 제 2 투명 접착 부재)(550)를 매개로 광 가이드부(400)의 후면에 배치되거나 결합될 수 있다. 이에 따라, 광 가이드부(500)는 광 출사면(100a)과 편광 부재(500) 사이에 배치될 수 있다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 도 2에 도시된 광 가이드부와 편광 부재를 나타내는 단면도이다. 도 6a 내지 도 6c는 도 5에 도시된 광 가이드부의 다양한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 일정한 굴절율을 갖는 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400)는 제 1 굴절율을 갖는 플라스틱 재질로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 베이스 부재(411) 및 광 굴절 패턴부(413)를 포함할 수 있다.
베이스 부재(411)는 일정한 굴절율을 갖는 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재(411)는 제 1 굴절율을 갖는 플라스틱 필름으로 구성될 수 있다. 베이스 부재(411)는 접착 부재(또는 제 1 투명 접착 부재)를 매개로 기판(100)의 제 1 면(100a)에 배치되거나 결합될 수 있다. 예를 들어, 광 가이드부(400) 또는 베이스 부재(411)의 제 1 면(400a)은 접착 부재(또는 제 1 투명 접착 부재)를 매개로 기판(100)의 제 1 면(100a)에 배치되거나 결합될 수 있다. 예를 들어, 베이스 부재(411)는 기판(100)의 제 1 면(100a) 전체를 덮을 수 있다.
광 굴절 패턴부(413)는 굴절률 차이에 따라 입사되는 광을 굴절시키도록 구성될 수 있다. 광 굴절 패턴부(413)는 굴절률 차이에 따라 입사되는 광의 파장별 진행 경로를 변경시키도록 구성될 수 있다. 광 굴절 패턴부(413)는 굴절률 차이에 따라 입사되는 광의 회절 분산 스펙트럼을 추가로 분산시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 굴절 패턴부(413)는 제 1 굴절 매질 또는 고굴절 매질일 수 있다.
광 굴절 패턴부(413)는 베이스 부재(411)의 제 2 면(400b)에 구성될 수 있다. 일 실시예에 따른 광 굴절 패턴부(413)는 베이스 부재(411)의 두께 방향(Z)을 따라 베이스 부재(411)의 제 2 면(400b)으로부터 돌출된 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 광 굴절 패턴부(413)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 베이스 부재(411)의 두께 방향(Z)을 따라 베이스 부재(411)의 제 2 면(400b)으로부터 돌출될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 일정한 길이와 일정한 폭을 갖는 라인 형상을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴(413a)은 정삼각형 또는 이등변 삼각형 등의 삼각 단면 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 프리즘일 수 있다. 예를 들어, 돌출 패턴(413a)은 제 1 굴절 매질, 고굴절 매질, 광 굴절 패턴, 산 패턴, 또는 산 부분일 수 있다.
일 실시예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 길이 방향은 제 1 방향(X)과 나란할 수 있다. 예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X)을 따라 길게 연장되고, 제 1 방향(X)과 교차하는 제 2 방향(Y)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y)의 교차 각도는 동일 평면에서 90도일 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)은 발광 표시 패널과 기판(100) 및 베이스 부재(411) 중 어느 하나의 가로 길이 방향 또는 장변 길이 방향일 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)은 발광 표시 패널과 기판(100) 및 베이스 부재(411) 중 어느 하나의 세로 길이 방향 또는 단변 길이 방향일 수 있다.
다른 실시예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 길이 방향은 제 1 방향(X)과 교차하는 제 2 방향(Y)과 나란할 수 있다. 예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같이, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고, 제 1 방향(X)을 따라 나란하게 배치될 수 있다.
다른 실시예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 6c에 도시된 바와 같이, 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각을 따라 나란하게 배치되며 사각뿔 구조 또는 피라미드 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 다른 실시예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 6a에서 설명한 제 1 방향(X)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)과 도 6b에서 설명한 제 2 방향(Y)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)의 교차에 의해 사각뿔 구조 또는 피라미드 구조로 구현될 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 하면(또는 밑면)은 최상면(또는 정상부)보다 기판(100)과 가깝게 배치될 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 베이스 부재(411)로부터 돌출되어 형성됨으로써 베이스 부재(411)와 동일한 물질 또는 동일한 굴절율을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a)은 베이스 부재(411)의 제 2 면(400b)에 코팅된 굴절 물질층에 의해 구현될 수도 있다. 굴절 물질층은 베이스 부재(411)와 동일하거나 다른 굴절율을 가질 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 복수의 돌출 패턴(413a)의 배치 구조에 따라 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y) 중 적어도 하나의 방향을 따라 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 2 굴절 매질, 저굴절 매질, 골 패턴 또는 골 부분일 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 편광 부재(500)는 결합 부재(또는 제 2 투명 접착 부재)(550)를 매개로 광 가이드부(400)와 결합될 수 있다.
결합 부재(550)의 제 1 면은 편광 부재(500)에 결합되고, 결합 부재(550)의 제 2 면은 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)에 결합될 수 있다. 결합 부재(550)의 제 2 면은 광 굴절 패턴부(413)에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
결합 부재(550)는 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413) 전체를 덮거나 광 굴절 패턴부(413)에 충진될 수 있다. 결합 부재(550)는 공극 없이 복수의 함몰 패턴(413b) 각각에 완전히 충진되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 결합 부재(550)는 공극 없이 복수의 함몰 패턴(413b) 각각에 완전이 충진되고 복수의 돌출 패턴(413a) 각각을 완전히 둘러싸도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 결합 부재(550)의 제 1 면은 복수의 돌출 패턴(413a) 각각으로부터 이격될 수 있다.
결합 부재(550)는 광 가이드부(400)(또는 광 굴절 패턴부)와 다른 굴절율을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 결합 부재(500)는 광 가이드부(400)(또는 광 굴절 패턴부)보다 낮은 제 2 굴절율을 가질 수 있다. 이에 따라, 결합 부재(550)가 충진된 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 2 굴절 매질 또는 저굴절 매질을 구현할 수 있다.
일 실시예에 따른 결합 부재(550)는 아크릴 수지(acrylic resin)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 아크릴 수지는 아세톤과 사이안산 및 메타크릴산메틸에스터(메타크릴산메틸)의 중합체로서 중합 조건에 의해 광 가이드부(400)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부(400)에 입사되는 반사 광은 상대적으로 높은 굴절율을 갖는 복수의 돌출 패턴(413a) 각각에서 상대적으로 낮은 굴절율 갖는 결합 부재(550)로 진행함으로써 돌출 패턴(413a)과 결합 부재(500)의 계면(또는 굴절면)에서 파장별 굴절 각도의 차이에 따라 색 분리 또는 회절 분산 스펙트럼의 추가로 분산될 수 있다. 특히, 돌출 패턴(413a)과 결합 부재(500)의 계면(또는 굴절면)에서 파장별 굴절각에 따른 색 분산이 커질수록 장파장 대비 단파장의 굴절각이 커짐에 따라 단파장과 장파장의 색 분리 현상이 극대화될 수 있다. 이에 따라, 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 결합 부재(550)에 대한 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 굴절율 차이를 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 분산 스펙트럼 세기를 저하시키거나 회절 분산 스펙트럼을 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이를 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에 따른 광 가이드부(400)를 포함하는 발광 표시 장치는 비구동 또는 오프 상태에서 리얼 블랙(real black)을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 제 1 방향(X)과 나란한 길이 방향을 갖는 복수의 돌출 패턴(413a)을 포함하는 광 가이드부(400)는 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 2 방향(Y) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제 2 방향(Y)과 나란한 길이 방향을 갖는 복수의 돌출 패턴(413a)을 포함하는 광 가이드부(400)는 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 1 방향(X) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 1 방향(X)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 도 6c에 도시된 바와 같이, 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각을 따라 배치된 복수의 돌출 패턴(413a)을 포함하는 광 가이드부(400)는 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면으로서, 이는 도 2에 도시된 광 가이드부와 편광 부재를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 7을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 베이스 부재(411), 광 굴절 패턴부(413), 및 커버층(415)을 포함할 수 있다.
베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각은 도 5 내지 도 6c에서 설명한 베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각과 실질적으로 동일하므로, 이에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 이들에 대한 설명은 생략한다.
커버층(415)은 광 굴절 패턴부(413) 전체를 덮거나 광 굴절 패턴부(413)에 충진될 수 있다. 커버층(415)은 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b) 각각을 완전히 덮도록 형성됨으로써 광 굴절 패턴부(413) 위에 평탄면(400a)을 구현할 수 있다. 예를 들어, 커버층(415)은 공극 없이 복수의 함몰 패턴(413b) 각각에 완전이 충진되고 복수의 돌출 패턴(413a) 각각을 완전히 둘러싸도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 커버층(415)의 평탄면(400a)은 복수의 돌출 패턴(413a) 각각으로부터 이격될 수 있으며, 이에 의해 커버층(415)은 외부 충격으로부터 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 손상을 방지하거나 보호할 수 있다. 예를 들어, 커버층(415)은 오버코트층, 평탄화 굴절층, 패턴 커버층, 패턴 평탄화층, 또는 패턴 보호층일 수 있다.
커버층(415)은 광 굴절 패턴부(413)와 다른 굴절율을 가질 수 있다. 커버층(415)의 굴절율은 광 굴절 패턴부(413)의 굴절율보다 낮을 수 있다. 일 실시예에 따른 커버층(415)는 복수의 돌출 패턴(413a)보다 낮은 제 2 굴절율을 가질 수 있다. 이에 따라, 커버층(415)은 제 2 굴절 매질 또는 저굴절 매질을 구현할 수 있다.
일 실시예에 따른 커버층(415)은 아크릴 수지(acrylic resin)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 아크릴 수지는 아세톤과 사이안산 및 메타크릴산메틸에스터(메타크릴산메틸)의 중합체로서 중합 조건에 의해 돌출 패턴(413a)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다.
커버층(415)은 결합 부재(550)를 매개로 편광 부재(500)와 결합될 수 있다. 결합 부재(550)는 커버층(415)의 평탄면(400c)에 결합되고, 이에 의해 편광 부재(500)와 광 가이드부(400) 간의 결합력이 증가될 수 있다.
결합 부재(550)는 PSA(pressure sensitive adhesive), OCA(optical clear adhesive) 또는 OCR(optical clear resin)을 포함할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)에 입사되는 반사 광은 상대적으로 높은 굴절율을 갖는 복수의 돌출 패턴(413a) 각각에서 상대적으로 낮은 굴절율 갖는 커버층(415)으로 진행함으로써 돌출 패턴(413a)과 커버층(415)의 계면(또는 굴절면)에서 파장별 굴절 각도의 차이에 따라 색 분리 또는 회절 분산 스펙트럼의 추가로 분산될 수 있다. 특히, 돌출 패턴(413a)과 커버층(415)의 계면(또는 굴절면)에서 파장별 굴절각에 따른 색 분산이 커질수록 장파장 대비 단파장의 굴절각이 커짐에 따라 단파장과 장파장의 색 분리 현상이 극대화될 수 있다. 이에 따라, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 복수의 돌출 패턴(413a) 각각과 커버층(415) 간의 굴절율 차이를 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 분산 스펙트럼 세기를 저하시키거나 회절 분산 스펙트럼을 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이를 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)를 포함하는 발광 표시 장치는 비구동 또는 오프 상태에서 리얼 블랙(real black)을 구현할 수 있다.
도 8은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 제 1 광 가이드 부재(410) 및 제 2 광 가이드 부재(430)를 포함할 수 있다.
제 1 광 가이드 부재(410)는 하부 광 가이드부일 수 있다. 일 실시예에 따른 제 1 광 가이드 부재(410)는 베이스 부재(411) 및 광 굴절 패턴부(413)를 포함할 수 있다. 이러한 제 1 광 가이드 부재(410)의 베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각은 도 5 및 도 6a에서 설명한 베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각과 실질적으로 동일하므로, 이에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 이들에 대한 설명은 생략한다. 이와 같은, 제 1 광 가이드 부재(410)는 광 굴절 패턴부(413)를 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분산시킴으로써 제 2 방향(Y)으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화할 수 있다.
제 2 광 가이드 부재(430)는 제 1 광 가이드 부재(410) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 광 가이드 부재(430)는 제 1 광 가이드 부재(410)와 편광 부재(500) 사이에 배치될 수 있다. 제 2 광 가이드 부재(430)는 상부 광 가이드부일 수 있다. 일 실시예에 따른 제 2 광 가이드 부재(430)는 베이스 부재(411) 및 광 굴절 패턴부(413)를 포함할 수 있다. 이러한 제 2 광 가이드부(410)의 베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각은 도 5 및 도 6b에서 설명한 베이스 부재(411)와 광 굴절 패턴부(413) 각각과 실질적으로 동일하므로, 이에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 이들에 대한 설명은 생략한다. 이와 같은, 제 2 광 가이드 부재(430)는 제 1 광 가이드 부재(410)에 의해 1차로 재분산된 회절 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시킴으로써 제 1 방향(X)으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 서로 교차하도록 배치된 제 1 광 가이드 부재(410)에 배치된 복수의 돌출 패턴(413a)과 제 2 광 가이드 부재(430)에 배치된 복수의 돌출 패턴(413a)을 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
선택적으로, 제 1 광 가이드 부재(410)와 제 2 광 가이드 부재(430) 각각의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 예를 들어, 제 2 광 가이드 부재(430)는 제 1 광 가이드 부재(410) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 광 가이드 부재(410)는 제 2 광 가이드 부재(430)와 편광 부재(500) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우에도, 광 가이드부(400)는 서로 교차하도록 배치된 제 1 광 가이드 부재(410)에 배치된 복수의 돌출 패턴(413a)과 제 2 광 가이드 부재(430)에 배치된 복수의 돌출 패턴(413a)을 통해 광 추출부(131)에 의한 반사 광의 회절 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
부가적으로, 제 1 광 가이드 부재(410)와 제 2 광 가이드 부재(430) 각각은 광 굴절 패턴부(413)를 덮는 커버층을 더 포함할 수 있다. 커버층은 도 7에서 설명한 커버층(415)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
도 9는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 평탄화층의 광 추출부를 나타내는 평면도이며, 도 11은 도 9에 도시된 선 I-I'의 단면도이다. 도 9는 도 2에 도시된 발광 표시 장치에서 평탄화층의 광 추출부와 광 가이드부의 배치 구조를 나타내는 평면도이다.
도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(400)는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)의 배치 구조(또는 형상)에 대응되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)는 반사 회절 격자 법칙(또는 방정식)에 따라 회절 격자 패턴의 역할을 할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 외부 반사 광은 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)에서의 2중 반사에 따라 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)를 중심으로 반사 회절 격자 법칙에 따라 분사 스펙트럼을 발생시킬 수 있다. 이에, 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)에서 발생되는 분사 스펙트럼을 억제(또는 최소화)하거나 재분산시키기 위하여, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 광 추출부(131)의 오목부(131a) 또는 볼록부(131b)에 대응되거나 중첩되도록 배치될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 광 추출부(131)는 복수의 오목부(131a) 및 볼록부(131b)를 포함할 수 있다. 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각은 도 2 및 도 3에서 설명한 바와 동일하므로, 이들에 대한 중복 설명은 생략하거나 간략히 한다.
복수의 오목부(131a) 각각은 제 2 방향(Y)을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 배치되고 제 1 방향(X)을 따라 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 2 방향(Y)과 나란한 직선(SL)에 위치하거나 정렬될 수 있다.
복수의 오목부(131a) 각각은 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 사이의 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 1 대각선 방향(DD1)과 나란한 제 1 대각선(DDL1)에 위치하거나 정렬될 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)과 제 1 대각선 방향(DD1) 사이의 각도는 150도일 수 있고, 제 2 방향(Y)과 제 1 대각선 방향(DD1) 사이의 각도는 60도일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 오목부(131a) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)과 교차하는 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 일정한 간격을 가지도록 나란하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 2 대각선 방향(DD2)과 나란한 제 2 대각선(DDL2)에 위치하거나 정렬될 수 있다. 예를 들어, 제 1 대각선 방향(DDL1)과 제 2 대각선 방향(DDL2)은 제 2 방향(Y)과 나란한 직선(SL)과 대칭일 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)과 제 2 대각선 방향(DD2) 사이의 각도는 30도일 수 있고, 제 2 방향(Y)과 제 2 대각선 방향(DD2) 사이의 각도는 120도일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 1 방향(X)을 따라 지그재그 형태를 갖는 지그재그 선(ZL)에 위치하거나 정렬될 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 1 대각선(DDL1)과 제 2 대각선(DDL2)이 교대로 반복되는 지그재그 선(ZL)에 위치하거나 정렬될 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)과 나란한 짝수번째 수직 라인에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 제 1 방향(X)을 따라 인접한 홀수번째 수직 라인에 배치된 복수의 오목부(131a) 사이의 중심부에 배치될 수 있다. 이에 의해, 광 추출 부(131)는 단위 면적당 보다 많은 개수의 오목부들(131a)을 포함할 수 있고, 이로 인하여 발광 소자층에서 발광된 광의 외부 추출 효율이 증가될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 인접한 3개의 오목부들(131a) 각각의 중심부(CP)는 삼각 형태(TS)를 이룰 수 있다. 또한, 하나의 오목부(131a)의 주변에 배치되거나 하나의 오목부(131a)를 둘러싸는 6개의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP)는 평면적으로 6각 형태(HS)를 이룰 수 있다. 예를 들어, 복수의 오목부(131a) 각각은 평면적으로 벌집 구조 또는 허니콤 구조로 배치되거나 배열될 수 있다.
복수의 오목부(131) 사이의 제 1 거리(또는 피치)(D1)는 서로 동일할 수 있다. 여기서, 제 1 거리(D1)는 인접한 2개의 오목부(131a) 각각의 중심부(CP) 간의 거리(또는 간격)일 수 있다. 제 1 거리(D1)는 제 2 방향(Y)과 제 1 및 제 2 대각선 방향(DD1, DD2) 각각을 따라 인접한 2개의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)는 동일할 수 있다.
볼록부(131b)는 복수의 오목부(131a) 각각을 개별적으로 둘러싸도록 구현될 수 있다. 하나의 오목부(131a)를 둘러싸는 볼록부(131b)는 평면적으로 벌집 형태, 허니콤 형태, 또는 서클 형태를 가질 수 있다.
하나의 오목부(131) 사이에 두고 배치된 2개의 볼록부(131b) 사이의 거리는 복수의 오목부(131) 사이의 제 1 거리(D1)와 동일할 수 있다. 제 2 방향(Y)과 제 1 및 제 2 대각선 방향(DD1, DD2) 각각을 따라 하나의 오목부(131) 사이에 두고 배치된 2개의 볼록부(131b) 사이의 거리는 인접한 2개의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)는 동일할 수 있다.
일 실시예에 따른 볼록부(131b)는 복수의 정점부(131b1) 및 복수의 능선부(131b2)를 더 포함할 수 있다.
복수의 정점부(131b1) 각각은 인접한 3개의 오목부들(131a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 정점부(131b1) 각각은 인접한 3개의 오목부들(131a) 사이의 중심부일 수 있다. 복수의 정점부(131b1) 각각은 인접한 3개의 오목부(131a) 각각을 둘러싸는 볼록부들(131b)이 서로 만나는 부분일 수 있다. 예를 들어, 복수의 정점부(131b1) 각각은 광 추출부(131)에서 가장 높은 부분일 수 있다. 이에 의해, 복수의 정점부(131b1) 각각은 최정상부, 피크부, 삼중점, 멀티 포인트, 또는 트리플 포인트 등으로 표현될 수도 있다. 예를 들어, 하나의 오목부(131a)를 둘러싸는 볼록부(131b)는 5개의 정점부(131b1)를 포함할 수 있다.
복수의 능선부(131b2) 각각은 인접한 2개의 오목부(131a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 능선부(131b2) 각각은 인접한 2개의 오목부(131a) 사이에서 인접한 2개의 정점부(131b2) 사이에 배치되거나 연결될 수 있다. 복수의 능선부(131b2) 각각은 인접한 2개의 정점부(131b1) 사이에 배치된 볼록부(131b)의 상부일 수 있다. 이에 의해, 복수의 정점부(131b1) 각각은 인접한 3개의 능선부(131b2)가 서로 연결되는 부분일 수 있다. 오목부(131a) 주변의 정점부들(131b1)와 6개의 능선부(131b2)는 평면적으로 6각 형태(HS)를 이룰 수 있다. 예를 들어, 복수의 능선부(131b2) 각각은 연결부 또는 정점 연결부 등으로 표현될 수도 있다.
복수의 능선부(131b2) 중 하나의 오목부(131a)를 사이에 두고 서로 나란한 한 쌍의 능선부(131b2)는 제 1 방향(X)과 나란하거나 제 2 방향(Y)과 나란할 수 있다. 예를 들어, 복수의 능선부(131b2) 중 하나의 오목부(131a)를 사이에 두고 서로 나란한 한 쌍의 능선부(131b2)는 도 10에 도시된 바와 같이, 제 1 방향(X)과 나란할 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 광 가이드부(400)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분산시키고, 제 1 방향(X) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제함으로써 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에 따르면, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 중 적어도 하나와 중첩된 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 광 굴절 패턴부(413)(또는 굴절 패턴)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X)을 따라 길게 연장되고, 제 1 방향(X)과 교차하는 제 2 방향(Y)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 이러한 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 6a에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 바닥면(또는 밑변), 꼭지점(또는 정상부), 및 경사면(또는 빗변)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 프리즘일 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 2 방향(Y)을 기준으로, 정삼각형 또는 이등변 삼각형 등의 삼각 단면 구조를 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 2 거리(또는 피치)(D2)를 가지도록 이격되거나 배치될 수 있다. 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 사이는 제 2 거리(D2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 사이는 제 2 거리(D2)를 가질 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 사이의 제 2 거리(D2)는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 사이의 제 2 거리(D2)는 복수의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 1 거리(D1)와 제 2 거리(D2)는 제조 공정에서의 공정 오차 범위 내에서 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 사이의 제 2 거리(D2)는 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 바닥면의 폭과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 2 방향(Y)을 기준으로, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 바닥면은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이의 제 2 거리(D2)와 동일한 폭을 가질 수 있다. 이에 의해, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 바닥면의 폭은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)와 동일할 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a)의 중심부(CP) 및 제 1 방향(X)을 따라 복수의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 1 방향(X)과 나란한 복수의 오목부(131a) 각각의 중심 라인과 중첩되고, 인접한 4개의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 인접한 4개의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)에서, 제 1 방향(X)을 따라 배치된 2개의 정점부(131b1)과 2개의 정점부(131b1) 사이의 능성부(131b2)는 돌출 패턴(413a)의 꼭지점 라인과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 2 방향(Y) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 1 방향(X)과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 각각과 중첩되는 오목부(131a)과 볼록부(131b) 각각과 다른 오목부(131a)과 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 1 방향(X)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a)의 중심부(CP) 및 제 1 방향(X)을 따라 복수의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 1 방향(X)과 나란한 복수의 오목부(131a) 각각의 중심 라인과 중첩되고, 인접한 4개의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 인접한 4개의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)에서, 제 1 방향(X)을 따라 배치된 2개의 정점부(131b1)과 2개의 정점부(131b1) 사이의 능성부(131b2)는 함몰 패턴(413b)의 바닥면과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 2 방향(Y) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 12는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 12는 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10 및 도 12를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(140)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 방향(Y)으로 재분산시키고, 제 2 방향(Y) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제함으로써 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 2 방향(Y)을 따라 길게 연장되고, 제 1 방향(X)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 이러한 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 6b에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 3 거리(또는 피치)(D3)를 가지도록 이격되거나 배치될 수 있다. 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 사이는 제 3 거리(D3)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)을 따라 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 사이는 제 3 거리(D3)를 가질 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 사이의 제 3 거리(D3)는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제 1 방향(X)을 따라 인접한 2개의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 사이의 제 3 거리(D3)는 복수의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)보다 작을 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 2 방향(Y)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a)의 중심부(CP) 및 제 2 방향(Y)을 따라 복수의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 2 방향(Y)과 나란한 복수의 오목부(131a) 각각의 중심 라인과 중첩되고, 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 2개의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 1 방향(X)과 나란한 볼록부(131b)의 능선부(131b2)를 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 1 방향(X) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 1 방향(X)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 2 방향(Y)과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 2 방향(Y)을 따라 배치된 지그재그 형태로 엇갈리게 배치된 인접한 오목부(131a) 사이의 블록부(131b)와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 2 방향(Y)을 따라 블록부(131b)에만 중첩되고 하나 이상의 오목부(131a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 인접한 2개의 오목부(131a) 사이의 제 1 거리(D1)보다 작은 제 3 거리(D3)를 가지도록 배치된 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치됨으로써 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 2 방향(Y)을 따라 블록부(131b)에만 중첩되고 하나 이상의 오목부(131a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 1 방향(X) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 1 방향(X)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 13은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 13은 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10 및 도 13을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(140)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각을 따라 나란하게 배치되며 사각뿔 구조 또는 피라미드 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 6c에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 다른 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 9에서 설명한 제 1 방향(X)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)과 도 12에서 설명한 제 2 방향(Y)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)의 교차에 의해 사각뿔 구조 또는 피라미드 구조로 구현될 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 인접한 4개의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점은 하나의 오목부(131a)와 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점은 오목부(131a)에만 중첩되고 하나 이상의 블록부(131b)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 각각과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 격자 형태로 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y) 각각을 따라 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 제 2 방향(Y)과 나란한 복수의 함몰 패턴(413b) 중 일부는 블록부(131b)에만 중첩되고, 나머지는 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 도 13에 도시된 광 굴절 패턴부(413)를 예로 들면, 제 1 방향(X)을 따라 서로 나란하게 배치된 복수의 함몰 패턴(413b) 중에서, 홀수번째 함몰 패턴(413b)은 블록부(131b)에만 중첩되고, 짝수번째 함몰 패턴(131b)은 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)와 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 14는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 14는 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10 및 도 14를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 사이의 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 길게 연장되고, 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 이러한 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 길게 연장되고 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 나란하게 배치되는 것을 제외하고는 도 12에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략하거나 간략히 한다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a)의 중심부(CP) 및 제 2 방향(Y)을 따라 복수의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 2 대각선 방향(DD2) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 블록부(131b)에만 중첩되고 하나 이상의 오목부(131a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 2 대각선 방향(DD2) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 15는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 15는 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10 및 도 15를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 방향(X)과 제 2 방향(Y) 사이의 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 길게 연장되고, 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 이러한 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 길게 연장되고 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 나란하게 배치되는 것을 제외하고는 도 14에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략하거나 간략히 한다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각의 꼭지점 라인은 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 배치된 복수의 오목부(131a)의 중심부(CP) 및 제 2 방향(Y)을 따라 복수의 오목부(131a) 사이에 배치된 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 1 대각선 방향(DD1) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 2 대각선 방향(DD2)과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 2 대각선 방향(DD1)을 따라 블록부(131b)에만 중첩되고 하나 이상의 오목부(131a)와 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시키고, 제 1 대각선 방향(DD1) 이외의 다른 방향으로 퍼지는 회절 분산 스펙트럼을 억제하거나 최소화함으로써 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 16은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 16은 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10 및 도 16을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(140)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)과 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)과 제 2 대각선 방향(DD2) 각각을 따라 나란하게 배치되며 사각뿔 구조를 가질 수 있으며, 평면적으로 마름모 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평면적으로 마름모 구조를 가지는 것을 제외하고는 도 6c에서 설명한 복수의 돌출 패턴(413a)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 다른 실시예에 따르면, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 도 14에서 설명한 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)과 도 15에서 설명한 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 길게 연장된 복수의 돌출 패턴(413a)의 교차에 의해 사각뿔 구조로 구현될 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 중에서 제 1 방향(X)을 따라 배치된 돌출 패턴(413a)의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 중에서 제 2 방향(Y)을 따라 배치된 돌출 패턴(413a)의 꼭지점(또는 산 부분 또는 산 중심부)은 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b)로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2) 각각과 나란하게 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 제 1 대각선 방향(DD1)과 나란한 복수의 제 1 대각선과 제 2 대각선 방향(DD2)과 나란한 복수의 제 2 대각선의 교차되는 격자 형태로 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 도 5에서 설명한 바와 같이 결합 부재(550)에 의해 덮이거나 도 7에서 설명한 커버층(415)에 의해 덮일 수 있다.
본 명세서의 실시 예에 따른 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면(또는 바닥 중심부, 또는 골 부분, 또는 골 중심부)은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥면은 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2) 각각을 따라 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 제 1 대각선 방향(DD1) 또는 제 2 대각선 방향(DD2)과 나란한 복수의 함몰 패턴(413b) 중 일부는 블록부(131b)에만 중첩되고, 나머지는 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 도 16에 도시된 광 굴절 패턴부(413)를 예로 들면, 제 1 대각선 방향(DD1)을 따라 서로 나란하게 배치된 복수의 함몰 패턴(413b) 중에서, 홀수번째 함몰 패턴(413b)은 블록부(131b)에만 중첩되고, 짝수번째 함몰 패턴(131b)은 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 또한, 도 16에 도시된 광 굴절 패턴부(413)를 예로 들면, 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 서로 나란하게 배치된 복수의 함몰 패턴(413b) 중에서, 홀수번째 함몰 패턴(413b)은 블록부(131b)에만 중첩되고, 짝수번째 함몰 패턴(131b)은 복수의 오목부(131a) 각각의 중심부와 블록부(131b) 각각과 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)와 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)으로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 제 1 대각선 방향(DD1) 및 제 2 대각선 방향(DD2)을 따라 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 17은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이며, 도 18은 도 17에 도시된 선 II-II'의 단면도이다. 도 17 및 도 18은 도 9 내지 도 11에 도시된 광 가이드부를 변경한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 광 가이드부를 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 10, 도 17 및 도 18을 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 평탄화층(130)에 배치된 광 추출부(131)는 도 9 내지 도 11에서 설명한 광 추출부(131)와 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(140)는 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 볼록부(131b)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 방사 형태로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 광 가이드부(400)의 광 굴절 패턴부(413)는 복수의 돌출 패턴(413a) 및 복수의 함몰 패턴(413b)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 대응되거나 동일한 형상을 가질 수 있다. 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 대응되거나 중첩되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a) 각각과 개별적으로 또는 일대일로 중첩될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 오목부(131a) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 방사 형태로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)와 대응되거나 동일한 형상을 가질 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩되도록 배치될 수 있다. 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)에만 중첩되고 복수의 오목부(131a) 각각과 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 바닥부(또는 밑면), 바닥부 상의 상부(또는 윗면), 및 바닥부와 상부 사이의 경사부(또는 곡면부)를 포함할 수 있다. 이러한 복수의 함몰 패턴(413b) 각각의 바닥부와 상부 및 경사부 각각은 광 추출부(131)에 배치된 볼록부(131b)의 바닥부(또는 밑면), 바닥부 상의 상부, 및 바닥부와 상부 사이의 경사부 각각과 동일한 형상(또는 구조)를 가질 수 있다.
복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 각각을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 본 명세서의 일 실시예에 따르면, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평면적으로 6각 형태를 이룰 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 평면적으로 벌집 구조 또는 허니콤 구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따르면, 복수의 함몰 패턴(413b)은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이의 골 부분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 복수의 돌출 패턴(413a) 사이에 배치되어 서로 연결됨으로써 하나의 함몰 패턴(또는 골 패턴)을 구성할 수 있다. 이에 의해, 하나의 함몰 패턴(413b)은 복수의 돌출 패턴(413a) 각각을 둘러싸도록 배치됨으로써 평면적으로 6각 형태를 이룰 수 있다. 예를 들어, 하나의 함몰 패턴(413b)은 평면적으로 벌집 구조 또는 허니콤 구조를 가질 수 있다. 따라서, 복수의 함몰 패턴(413b) 각각은 광 추출부(131)의 복수의 볼록부(131b) 각각으로부터 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 방사 형태로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있다.
이와 같은, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 배치된 복수의 오목부(131a)와 볼록부(131b) 각각과 대응되거나 중첩되는 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 구비하는 광 가이드부(400)를 포함함으로써 복수의 돌출 패턴(413a)과 복수의 함몰 패턴(413b)을 통해 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되는 반사 광의 분산 스펙트럼을 방사 형태로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
도 19는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 19는 도 2 및 도 3에 도시된 발광 표시 장치를 상부 발광 구조로 변경한 것이다. 이에 따라, 발광 표시 장치의 상부 발광 구조와 관련된 구성을 제외한 나머지 구성들에 대한 중복 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 19를 참조하면, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 기판(100), 봉지부(200), 대향 기판(300), 및 광 가이드부(400)를 포함할 수 있다.
기판(100)은 화소 회로층(110), 광 추출부(131)를 포함하는 평탄화층(130), 및 발광 소자층(150)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광 추출부(131)는 기판(100)과 광 가이드부(400) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 기판(100)은 발광 소자층(150)의 제 1 전극(E1)이 반사 전극 물질로 이루어지고, 제 2 전극(E2)이 투명 전극 물질로 이루어지는 것을 제외하고는 도 2 및 도 3에서 설명한 기판(100)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
봉지부(200)는 발광 소자층(150)을 보호하도록 기판(100) 위에 배치되는 것으로, 이는 도 2 및 도 3에서 설명한 봉지부(200)와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
대향 기판(300)은 봉지부(200)를 보호하도록 기판(100) 위에 배치되는 것으로, 이는 도 2 및 도 3에서 설명한 대향 기판(300)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 대향 기판(300)은 투명 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 봉지부(200)와 대향 기판(300) 사이에 배치된 컬러 필터층(180)을 더 포함할 수 있다.
컬러 필터층(180)은 적어도 하나의 발광 영역(EA)과 중첩되도록 봉지부(200)와 대향 기판(300) 사이에 배치될 수 있다. 컬러 필터층(180)은 발광 소자층(150)으로부터 기판(100) 쪽으로 방출(또는 추출)되는 광 중 화소(P)(또는 부화소)에 설정된 색상의 파장만을 투과시키는 컬러필터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)과 중첩되도록 봉지부(200)의 상면에 직접 형성될 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)은 봉지부(200)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 다른 실시예에 따른 컬러 필터층(120)은 발광 영역(EA)과 중첩되도록 봉지부(200)의 상면과 마주하는 대향 기판(300)의 내측면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터층(120)을 갖는 대향 기판(300)은 투명 접착 부재를 매개로 봉지부(200)와 결합될 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 컬러 필터층(180)의 컬러필터 사이에 배치된 블랙 매트릭스(190)를 더 포함할 수 있다.
블랙 매트릭스(190)는 각 화소(P)의 발광 영역(EA)을 제외한 나머지 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다. 대안적으로, 각 화소(P)의 발광 영역(EA)을 제외한 나머지 영역은 블랙 매트릭스(190) 대신에 적어도 2 이상의 컬러필터의 적층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 화소(P)의 발광 영역(EA)을 제외한 나머지 영역은 적색 컬러필터와 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터 중 적어도 2 이상의 컬러필터의 적층 구조를 포함할 수 있다. 적어도 2 이상의 컬러필터의 적층 구조는 블랙 매트릭스(190)를 대신하여 인접한 화소(P) 간의 혼색을 방지할 수 있다.
광 가이드부(400)는 접착 부재(또는 제 1 투명 접착 부재)(450)를 매개로 광 출사면(300a)에 결합될 수 있다. 광 가이드부(400)는 접착 부재(450)를 매개로 대향 기판(300)의 상면인 광 출사면(300a)에 결합될 수 있다. 이러한 광 가이드부(400)는 대향 기판(300)의 상면인 광 출사면(300a)에 결합되는 것을 제외하고는 도 3 내지 도 18에서 설명한 광 가이드부(400) 어느 하나와 실질적으로 동일하므로, 이에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 대안적으로, 상부 발광 구조를 갖는 발광 표시 장치에서, 광 가이드부(400)에 배치된 복수의 돌출 패턴(413a) 각각은 광 추출부(131)의 오목부(131a)와 대응되거나 중첩되고, 광 가이드부(400)에 배치된 함몰 패턴(413b)은 광 추출부(131)의 볼록부(131b)와 대응되거나 중첩되도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서, 광 가이드부(400)는 평탄화층(130)의 광 추출부(131)에 의해 반사되어 대향 기판(300)으로 진행하는 반사 광의 분산 스펙트럼을 방사 형태로 재분산시켜 스펙트럼의 크기를 크게 확장시킴으로써 인접한 스펙트럼 간의 믹싱을 통해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생을 억제하거나 최소화할 수 있으며, 이에 의해, 광 추출부(131)에 의한 반사 광에 의한 블랙 시감 특성의 저하를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 광 가이이드부(400) 위에 배치된 편광 부재(500)를 더 포함할 수 있다.
편광 부재(500)는 광 추출부(131)와 화소 회로 등에 의해 반사되는 외부 광을 차단하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 편광 부재(500)는 원편광 부재 또는 원편광 필름일 수 있다.
편광 부재(500)는 결합 부재(또는 제 2 투명 접착 부재)(550)를 매개로 광 가이드부(400)의 상면에 배치되거나 결합될 수 있다. 이에 따라, 광 가이드부(500)는 광 출사면(300a)과 편광 부재(500) 사이에 배치될 수 있다.
도 20a는 실험예에 따른 발광 표시 장치의 블랙 시감 특성을 나타내는 사진이며, 도 20b 내지 도 20d는 본 명세서의 몇몇 실시 예에 따른 발광 표시 장치의 블랙 시감을 나타내는 사진이다. 실험에서는 발광 표시 장치로부터 대략 30cm 거리에서 화이트 광을 조사하여 블랙 시감 특성을 촬영하였다. 도 20a 내지 도 20d 각각에서 가장 밝은 화이트 영역은 반사 광 중 가장 강한 세기를 갖는 파장에 의해 발생되는 것이며, 주변의 화이트 영역은 실험 장소의 실내 조명등에 의한 반사 광이다.
도 20a에 도시된 실험예에 따른 발광 표시 장치는 본 명세서의 실시예에 따른 광 가이드부가 없이 평탄화층에 배치된 광 추출부만을 포함한다. 도 20b에 도시된 발광 표시 장치는 평탄화층에 배치된 광 추출부와 도 9에 도시된 광 가이드부를 포함하고, 도 20c에 도시된 발광 표시 장치는 평탄화층에 배치된 광 추출부와 도 13에 도시된 광 가이드부를 포함하며, 도 20d에 도시된 발광 표시 장치는 평탄화층에 배치된 광 추출부와 도 17에 도시된 광 가이드부를 포함한다.
도 20a에서 알 수 있듯이, 실험예에 따른 발광 표시 장치는 평탄화층에 배치된 광 추출부에 의해 반사되는 반사 광에 의해 방사 형태의 무지개 패턴이 발생하고, 이로 인하여 블랙 시감 특성이 저하됨을 알 수 있다.
도 20b 내지 도 20d에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 실시예에 따른 발광 표시 장치는 광 가이드부의 광 가이드에 따라 평탄화층에 배치된 광 추출부에 의해 반사되는 반사 광에 의해 방사 형태의 무지개 패턴의 발생이 억제되거나 최소화되고, 이로 인하여 블랙 시감 특성의 저하가 감소됨을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 명세서는 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 명세서의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 명세서의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 명세서의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 표시 패널 100: 기판
130: 평탄화층 131: 광 추출부
131a: 오목부 131b: 볼록부
150: 발광 소자층 400: 광 가이드부
410: 제 1 광 가이드부 411: 베이스 부재
413: 광 굴절 패턴부 413a: 돌출 패턴
413b: 함몰 패턴 415: 커버층
500: 편광 부재 550: 결합 부재

Claims (20)

  1. 발광 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판;
    상기 발광 영역에 배치된 굴곡부를 포함하는 광 추출부;
    상기 광 추출부 상에 배치되고 광 출사면으로 광을 방출하도록 구성된 발광 소자층; 및
    상기 광 출사면에 배치되고 광 굴절 패턴부를 갖는 광 가이드부를 포함하는, 발광 표시 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 굴절 패턴부는 복수의 돌출 패턴 및 상기 복수의 돌출 패턴 사이의 복수의 함몰 패턴을 포함하는, 발광 표시 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 돌출 패턴 각각은 삼각 단면 구조를 가지며, 상기 기판의 제 1 방향 및 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향 중 적어도 하나 이상의 방향을 따라 나란하게 배치된, 발광 표시 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 광 가이드부는,
    상기 광 굴절 패턴부를 갖는 제 1 광 가이드 부재; 및
    상기 광 굴절 패턴부를 갖는 제 2 광 가이드 부재를 포함하며,
    상기 제 1 광 가이드 부재의 광 굴절 패턴부에 배치된 복수의 돌출 패턴 각각은 상기 제 1 광 가이드 부재의 상기 광 굴절 패턴부에 배치된 복수의 돌출 패턴 각각과 교차하는, 발광 표시 장치.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 광 추출부는,
    복수의 오목부; 및
    상기 복수의 오목부 각각의 주변에 배치된 볼록부를 포함하는, 발광 표시 장치.
  6. 발광 영역을 갖는 복수의 화소를 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 평탄화층;
    상기 발광 영역의 평탄화층에 배치되고 복수의 오목부와 상기 복수의 오목부 사이의 볼록부를 포함하는 광 추출부;
    상기 광 추출부 상에 배치되고 광 출사면으로 광을 방출하도록 구성된 발광 소자층; 및
    상기 광 출사면에 배치되고 광 굴절 패턴부를 갖는 광 가이드부를 포함하며,
    상기 광 굴절 패턴부는 상기 복수의 오목부와 상기 볼록부 중 적어도 하나 이상과 중첩된 굴절 패턴을 포함하는, 발광 표시 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 광 굴절 패턴부는 복수의 돌출 패턴 및 상기 복수의 돌출 패턴 사이의 복수의 함몰 패턴을 포함하는, 발광 표시 장치.
  8. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 볼록부는,
    인접한 3개의 오목부 사이에 있는 정점부; 및
    인접한 2개의 오목부 사이에 있고 인접한 2개의 정점부 사이에 연결된 능선부를 포함하며,
    상기 능선부는 상기 기판의 제 1 방향과 나란하게 배치되며,
    상기 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 제 1 방향과 나란하게 배치된, 발광 표시 장치.
  9. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 돌출 패턴 사이의 거리는 상기 복수의 오목부 사이의 거리와 동일하거나 작은, 발광 표시 장치.
  10. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 볼록부에만 중첩된, 발광 표시 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 기판의 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향, 상기 제 1 방향과 상기 제 2 방향 사이의 제 1 대각선 방향, 및 상기 제 2 방향을 기준으로 상기 제 1 대각선 방향과 대칭되는 제 2 대각선 방향 중 하나 이상의 방향과 나란하게 배치된, 발광 표시 장치.
  12. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 돌출 패턴 각각은 상기 복수의 오목부 각각과 중첩되며,
    상기 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 복수의 오목부와 상기 볼록부 각각과 중첩된, 발광 표시 장치.
  13. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 볼록부는 평면적으로 벌집 형태를 가지며,
    상기 함몰 패턴은 상기 볼록부와 동일한 벌집 형태를 갖는, 발광 표시 장치.
  14. 청구항 5 또는 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 돌출 패턴 각각은 상기 복수의 오목부 각각과 중첩되며,
    상기 복수의 함몰 패턴 각각은 상기 볼록부에만 중첩된, 발광 표시 장치.
  15. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    결합 부재를 매개로 상기 광 가이드부와 결합된 편광 부재를 더 포함하며,
    상기 결합 부재의 굴절율은 상기 광 굴절 패턴부의 굴절율보다 낮은, 발광 표시 장치.
  16. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 가이드부는,
    상기 광 굴절 패턴부를 덮는 커버층을 더 포함하며,
    상기 커버층의 굴절율은 상기 광 굴절 패턴부의 굴절율보다 낮은, 발광 표시 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 광 가이드부와 결합된 편광 부재를 더 포함하는, 발광 표시 장치.
  18. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 광 가이드부와 상기 광 추출부 사이에 배치되거나 상기 광 추출부는 상기 기판과 상기 광 가이드부 사이에 배치된, 발광 표시 장치.
  19. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 추출부와 상기 기판 사이에 배치된 컬러 필터층을 더 포함하며,
    상기 기판은 상기 광 가이드부와 상기 광 추출부 사이에 배치된, 발광 표시 장치.
  20. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 추출부의 배치 영역은 상기 발광 영역보다 넓은, 발광 표시 장치.
KR1020210115437A 2021-08-31 2021-08-31 발광 표시 장치 KR20230032512A (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210115437A KR20230032512A (ko) 2021-08-31 2021-08-31 발광 표시 장치
US17/896,826 US20230066878A1 (en) 2021-08-31 2022-08-26 Light Emitting Display Device
DE102022121903.8A DE102022121903A1 (de) 2021-08-31 2022-08-30 Lichtemittierende anzeigevorrichtung
GB2212573.6A GB2612675A (en) 2021-08-31 2022-08-30 Light emitting display device
CN202211048590.6A CN115734652A (zh) 2021-08-31 2022-08-30 发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210115437A KR20230032512A (ko) 2021-08-31 2021-08-31 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230032512A true KR20230032512A (ko) 2023-03-07

Family

ID=83931648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210115437A KR20230032512A (ko) 2021-08-31 2021-08-31 발광 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230066878A1 (ko)
KR (1) KR20230032512A (ko)
CN (1) CN115734652A (ko)
DE (1) DE102022121903A1 (ko)
GB (1) GB2612675A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240048790A (ko) * 2022-10-07 2024-04-16 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016116119B4 (de) * 2015-08-31 2021-03-18 Lg Display Co., Ltd. Organische Licht emittierende Dioden-Anzeigevorrichtung
KR20170052455A (ko) * 2015-10-30 2017-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102518130B1 (ko) * 2016-08-04 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102650669B1 (ko) * 2018-07-19 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
GB202212573D0 (en) 2022-10-12
GB2612675A (en) 2023-05-10
US20230066878A1 (en) 2023-03-02
CN115734652A (zh) 2023-03-03
DE102022121903A1 (de) 2023-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101805552B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR102676050B1 (ko) 유기발광 표시장치
WO2023246492A1 (zh) 显示面板、显示装置和车载显示系统
KR20230058882A (ko) 유기발광표시장치
KR20230032512A (ko) 발광 표시 장치
US20230189556A1 (en) Light Emitting Display Apparatus
EP4016657B1 (en) Light emitting display apparatus
US12082440B2 (en) Display apparatus including plurality of subpixels with light emission area
KR20220089997A (ko) 발광 표시 장치
KR101968570B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20230157063A1 (en) Organic Light Emitting Display Apparatus
KR20240107686A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20240260412A1 (en) Organic light emitting display apparatus
US20240260422A1 (en) Organic light emitting display apparatus
US20240260415A1 (en) Organic light emitting display apparatus
KR20240048790A (ko) 발광 표시 장치
KR20240102567A (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240103301A (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240091630A (ko) 발광 표시 장치
KR20240085493A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20240133275A (ko) 발광 다이오드 표시 장치
CN117769306A (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal