CN107039568A - 一种复合高导热绝缘金属基板 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明公开一种复合高导热绝缘金属基板，包括第一金属层，设置在第一金属层下层的第一绝缘层，设置在第一绝缘层下层的第二金属层，设置在所述第一金属层上层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上层的电路层，以及钻孔。其中第一金属层形成共阳极电路，第一金属层下层的第一绝缘层将共阳极电路与外部导体绝缘，从而使本发明复合高导热绝缘金属基板，既可以有金属基板的高散热性能，也可以有良好的绝缘性能，解决了目前超大功率LED光源对高导热性和高绝缘性基板的需求，提供了一种高导热、绝缘、紧凑的超大功率半导体LED光源基板设计方案。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光源封装及半导体芯片制造领域。
背景技术
半导体光源，如发光二极管LED光源等，具有启动时间短、亮度高、能耗低、体积小、寿命长、安全性高等优点，正在逐步取代传统卤钨灯、氙灯等能耗高、寿命短的光源，获得了广泛的应用。
普通大功率LED模组的基板，传热性和绝缘性是矛盾的，如为了实现良好的导热，LED基板一般设计成共阳极的导电结构；而为了实现良好的绝缘性，又不得不牺牲热传导性。本发明就是设计一种复合高导热绝缘金属基板，解决上述问题。
发明内容
附图说明
图1为传统半导体基板结构示意图
图2为本发明一种复合高导热绝缘金属基板结构示意图
主要元件标记说明：
1、第一金属层
2、第一绝缘层
3、第二金属层
4、第二绝缘层
5、电路层
6、钻孔
具体实施方式：
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案进行具体的说明。
如图1展示了传统半导体基板结构示意图，其中第一金属层1上层为第二绝缘层4，第二绝缘层4设置有开口，使电路层5的阳极与第一金属层1形成通路，构成以第一金属层1为阳极的共阳极结构。该传统结构的特点是第一金属层1的材料为高导热性的铜、铝，或合金材料，具有良好的导热性，从而能够满足大功率半导体光源的散热问题，但是以第一金属层1为阳极的共阳极结构，造成该基板绝缘性能差，容易造成漏电、短路等，安装使用不方便。
如图2展示了本发明一种复合高导热绝缘金属基板结构示意图，包括第一金属层1，设置在第一金属层1下层的第一绝缘层2，设置在第一绝缘层2下层的第二金属层3，设置在所述第一金属层上层的第二绝缘层4，设置在第二绝缘层4上层的电路层5，以及钻孔6。其中，本发明基板的设置，主要创新点在于在原来的金属基板的基础上，在底面加上至少一层绝缘层和一层金属层，使得上下两层铜基板绝缘，即基板既通过第一金属层1形成了共阳极结构，又通过第一绝缘层2与外界实现了电绝缘。所述第一金属层厚度为0.8-1mm，所述第二金属层厚度为0.8-1mm，从而保证了良好的导热性，而所述绝缘层厚度控制在0.1mm以内，兼具良好的导热性和电绝缘性。所述第一金属层1下方的绝缘层与金属层，数量可以根据需要增加，至少各为一层。所述金属基板上的钻孔深度至少到达第二金属层，从而保证电绝缘性。
以上实施方案只为说明本发明技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明新型的内容并加以实施，并不能以此限制本发明新型的保护范围，凡根据本发明新型精神实质所做的等小变化或修饰均涵盖在本发明新型的保护范围内。
Claims (6)
1.一种复合高导热绝缘金属基板，包括第一金属层，设置在第一金属层下层的第一绝缘层，设置在第一绝缘层下层的第二金属层，设置在所述第一金属层上层的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上层的电路层，以及钻孔，其特征在于：所述第一金属层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，所述第二金属层位于第二绝缘层下方。
2.根据权利要求1所述的复合高导热绝缘金属基板，其特征在于：所述第一金属层下方至少有一层绝缘层和一层金属层。
3.根据权利要求1所述的复合高导热绝缘金属基板，其特征在于：所述金属基板上的钻孔深度至少到达第二金属层。
4.根据权利要求1所述的复合高导热绝缘金属基板，其特征在于：所述第一金属层厚度为0.8-1mm，所述第二金属层厚度为0.8-1mm。
5.根据权利要求1所述的复合高导热绝缘金属基板，其特征在于：所述绝缘层厚度控制在0.1mm以内。
6.根据权利要求1所述的复合高导热绝缘金属基板，其特征在于：所述金属层材料为铜、铝、铜合金或铝合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610075457.8A CN107039568A (zh) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 一种复合高导热绝缘金属基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610075457.8A CN107039568A (zh) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 一种复合高导热绝缘金属基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107039568A true CN107039568A (zh) | 2017-08-11 |
Family
ID=59532231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610075457.8A Pending CN107039568A (zh) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 一种复合高导热绝缘金属基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN107039568A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107527988A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-29 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种复合高导热绝缘金属基板以及封装 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202363517U (zh) * | 2011-12-01 | 2012-08-01 | 珠海全宝电子科技有限公司 | 一种用于led的铝基板散热机构 |
| CN202977519U (zh) * | 2012-10-10 | 2013-06-05 | 罗维鸿 | 具有高导热效率的电器元件基板 |
| CN103972380A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-08-06 | 阿博建材（昆山）有限公司 | 一种led电路板 |
| CN204785723U (zh) * | 2015-07-15 | 2015-11-18 | 郑州希硕信息科技有限公司 | 一种采用敷铜降温的led灯板 |
| CN105163485A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-16 | 湖南三一电控科技有限公司 | 发热装置和发热器件的导热基板及其制作方法 |
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2016
- 2016-02-03 CN CN201610075457.8A patent/CN107039568A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202363517U (zh) * | 2011-12-01 | 2012-08-01 | 珠海全宝电子科技有限公司 | 一种用于led的铝基板散热机构 |
| CN202977519U (zh) * | 2012-10-10 | 2013-06-05 | 罗维鸿 | 具有高导热效率的电器元件基板 |
| CN103972380A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-08-06 | 阿博建材（昆山）有限公司 | 一种led电路板 |
| CN204785723U (zh) * | 2015-07-15 | 2015-11-18 | 郑州希硕信息科技有限公司 | 一种采用敷铜降温的led灯板 |
| CN105163485A (zh) * | 2015-09-25 | 2015-12-16 | 湖南三一电控科技有限公司 | 发热装置和发热器件的导热基板及其制作方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107527988A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-29 | 苏州科医世凯半导体技术有限责任公司 | 一种复合高导热绝缘金属基板以及封装 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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