CN107039326A - 载置台和等离子体处理装置 - Google Patents

载置台和等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107039326A
CN107039326A CN201610849464.9A CN201610849464A CN107039326A CN 107039326 A CN107039326 A CN 107039326A CN 201610849464 A CN201610849464 A CN 201610849464A CN 107039326 A CN107039326 A CN 107039326A
Authority
CN
China
Prior art keywords
valve
refrigerant
pipe arrangement
heat transfer
cooling bench
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610849464.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107039326B (zh
Inventor
小岩真悟
工藤恭久
小泉克之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN107039326A publication Critical patent/CN107039326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107039326B publication Critical patent/CN107039326B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成用于对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触，将基座和第一弹性部件挟持在冷却台与紧固部件之间。

Description

载置台和等离子体处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及载置台和等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件等的电子器件的制造中，使用基板处理装置。基板处理装置一般来说包括处理容器、载置台和气体供给部。载置台设置在处理容器内。载置台包括用于在其之上载置基板的主体部和在其内部形成有制冷剂用的流路的冷却台。主体部设置在冷却台上。另外，主体部内置有加热器。气体供给部对处理容器内供给基板处理用的气体。
在使用这样的基板处理装置的基板处理中，基板的温度有时设定为例如超过200℃的高温。因此，在下述的专利文献1中提出了具有提高了冷却台与主体部之间的隔热性的构造的载置台。
专利文献1中记载的载置台除了冷却台和主体部之外，还包括多个隔热材料和边缘环。多个隔热材料设置在冷却台与主体部之间和冷却台与边缘环之间。边缘环是大致筒状的部件，隔着隔热材料固定在冷却台的周缘部，在该边缘环与冷却台之间夹持主体部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5482282号说明书
发明内容
发明所要解决的技术课题
但是，作为基板处理装置的一种使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的载置台具有静电吸盘。另外，在等离子体处理装置中，为了等离子体生成和/或者离子引入，对静电吸盘的导电性的基座供给高频电力。在这样的等离子体处理装置中，要求在高温下对基板进行处理。因此，在等离子体处理装置中，也考虑采用使静电吸盘与冷却台隔开间隔的结构。在采用该结构的载置台中，也需要设置对静电吸盘的基座供给高频电力的供电路径。另外，需要抑制该供电路径中的高频电力的损失。
用于解决技术课题的技术方案
在一实施方式中提供一种载置台。载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。冷却台是金属制，在其内部形成有制冷剂用的流路。供电体是铝或者铝合金制，构成传送来自高频电源的高频电力的供电路径的一部分，与冷却台连接。静电吸盘具有基座和吸附部。基座具有导电性，设置在冷却台之上。另外，吸附部是陶瓷制，内置有吸附用电极和加热器。吸附部设置在基座之上，通过金属接合与基座结合。第一弹性部件设置在冷却台与基座之间，使静电吸盘与冷却台隔开间隔。第一弹性部件与冷却台和基座一起形成对冷却台与基座之间供给传热气体的传热空间。紧固部件是金属制，与冷却台和基座接触。紧固部件将基座和第一弹性部件夹持在冷却台与紧固部件之间。
在一实施方式的载置台中，利用第一弹性部件使冷却台和基座彼此隔开间隔。另外，在该载置台中，基座和吸附部的接合不使用粘接剂。因此，能够将静电吸盘的温度设定为超过200℃的高温。另外，由于能够经由供给到传热空间的传热气体进行静电吸盘与冷却台之间的热交换，所以也能够将静电吸盘的温度设定为低温。另外，在该载置台中，利用供电体、冷却台和紧固部件，确保对静电吸盘的基座供给高频电力的供电路径。而且，由于供电体不与静电吸盘的基座直接连接，而与冷却台连接，所以作为该供电体的构成材料能够采用铝或者铝合金。因此，即使在使用13.56MHz以上的高频率的高频电力的情况下，也能够抑制供电体中的高频电力的损失。
在一实施方式中，冷却台包括第一中央部和第一周缘部。第一周缘部与第一中央部相连，相对于该第一中央部在径向外侧沿周向延伸。静电吸盘的基座设置在冷却台的第一中央部之上。基座包括第二中央部和第二周缘部。第二周缘部与第二中央部相连，相对于第二中央部在径向外侧沿周向延伸。紧固部件包括筒状部和环状部。筒状部包括第一下表面。环状部包括第二下表面，从筒状部的上侧部分在径向内侧延伸。紧固部件以第一下表面与冷却台的第一周缘部的上表面接触、第二下表面与基座的第二周缘部的上表面接触的方式固定在冷却台的第一周缘部。
在一实施方式中，载置台还可以包括第二弹性部件。第二弹性部件为绝缘性的O形环，设置在紧固部件的环状部的内缘部与基座的第二周缘部的上表面之间。由于基座的第二周缘部的上表面和紧固部件的第二下表面相互接触，所以在上述的接触部位产生摩擦，产生颗粒(例如金属粉)。即使产生那样的颗粒，第二弹性部件也能够抑制颗粒附着在吸附部和载置于该吸附部上的基板。
在一实施方式中，第一弹性部件构成为该第一弹性部件产生的反作用力比第二弹性部件产生的反作用力大。由此，能够可靠地使静电吸与冷却台隔开间隔。
在一实施方式中，第一弹性部件具有比对传热空间供给He气体时的该传热空间的热阻高的热阻。根据该实施方式，在静电吸盘与冷却台之间，与隔着第一弹性部件的热传导相比，隔着传热空间的热传导变得优良。因此，静电吸盘的温度分布能够均匀化。在一实施方式中，第一弹性部件可以为由全氟弹性体形成的O形环。该第一弹性部件具有高耐热性，且具有低热传导率。
在一实施方式中，在吸附部形成有用于对该吸附部与载置在该吸附部上的基板之间供给传热气体的第一气体路径，在冷却台形成有用于供给需要供给到第一气体路径的传热气体的第二气体路径，该载置台还包括连接第一气体路径和第二气体路径的套管。套管至少在其表面具有绝缘性，该套管的该表面由陶瓷形成。基座和冷却台提供用于配置套管的收纳空间。基座具有形成收纳空间的面，在该面形成有绝缘性陶瓷制的覆膜。载置台在该覆膜与冷却台之间还具有封闭收纳空间的绝缘性的O形环即第三弹性部件。根据该实施方式，供给到基板与吸附部之间的传热气体用的气体路径不使用粘接剂地形成。另外，形成套管的收纳空间的基座的面被陶瓷制的绝缘性陶瓷的覆膜覆盖，且以封闭该收纳空间的方式在该覆膜与冷却台之间设置有绝缘性的第三弹性部件，由此能够抑制等离子体侵入基座与冷却台之间和伴随其产生的基座的绝缘破坏。
在一实施方式中，载置台还包括第四弹性部件。第四弹性部件是绝缘性的O形环，设置在第三弹性部件的外侧且冷却台与基座之间，与第一弹性部件一起形成上述传热空间。在一实施方式中，第四弹性部件可以由全氟弹性体形成。
在一实施方式中，紧固部件可以由钛形成。钛具有低的热传导率，所以能够抑制经由冷却台与基座之间的紧固部件进行的热传导。
在一实施方式中，构成吸附部的陶瓷可以为氧化铝。氧化铝在高温环境下具有较高的体积电阻率，所以通过采用由氧化铝形成的吸附部，即使在超过200℃的高温下，也能够发挥充足的吸附力。
在另一实施方式中，提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括处理容器、载置台和高频电源。载置台是在处理容器内支承基板的部件，为上述的一实施方式和各个实施方式的载置台中的任一者。高频电源与载置台的供电体电连接。
在一实施方式中，等离子体处理装置还可以包括传热介质供给系统，其构成为对载置台的传热空间选择性地供给传热气体或者制冷剂。在该实施方式的等离子体处理装置中，在将静电吸盘的温度设置为高温的情况下，能够对传热空间供给传热气体(例如He气体)。另外，在使静电吸盘的温度降低时，能够对传热空间供给制冷剂。对传热空间供给制冷剂的情况下的静电吸盘的降温速度，比对传热空间供给传热气体(例如He气体)的情况下的静电吸盘的降温速度高。因此，该等离子体处理装置适合于将静电吸盘的温度急速冷却的用途。
在一实施方式中，制冷剂是液状制冷剂。传热介质供给系统包括供给部、第一罐、第一干式泵、第一～第七配管、第一～第六阀、冷却机构、第二罐、第二干式泵、第一～第六制冷剂配管和第一～第四制冷剂阀。供给部是用于对传热空间供给传热气体的机构。第一配管具有与供给部连接的一端和另一端。第一阀设置在第一配管的中途。第二配管具有与第一配管的另一端连接的一端和与传热空间连接的另一端。第二阀设置在第二配管的中途。第三配管具有与第一配管的另一端连接的一端和另一端。第三阀设置在第三配管的中途。第四配管具有与第一配管的另一端连接的一端和与第三配管的另一端连接的另一端。第四阀设置在第四配管的中途。第五配管具有在第二阀与传热空间之间与第二配管连接的一端和与第一罐连接的另一端。第五阀设置在第五配管的中途。第六配管具有与第一罐连接的一端和与第一干式泵连接的另一端。第六阀设置在第六配管的中途。第七配管具有与第三配管的另一端连接的一端和在第六阀与第一干式泵之间与第六配管连接的另一端。冷却机构是供给制冷剂的机构。第一制冷剂配管是用于对冷却台的流路供给制冷剂的配管，将冷却台的流路和冷却机构连接。第二制冷剂配管是用于从冷却台的流路回收制冷剂的配管，将冷却台的流路和冷却机构连接。第三制冷剂配管具有与传热空间连接的一端和另一端。第四制冷剂配管具有与传热空间连接的一端和与第三制冷剂配管的另一端连接的另一端。第一制冷剂阀设置在第一制冷剂配管的中途，将冷却机构选择性地与冷却台的流路或者第三制冷剂配管连接。第二制冷剂阀设置在第二制冷剂配管的中途，将冷却机构选择性地与冷却台的流路或者第四制冷剂配管连接。第五制冷剂配管具有与第三制冷剂配管的另一端连接的一端和与第二罐连接的另一端。第三制冷剂阀设置在第五制冷剂配管的中途。第六制冷剂配管连接第二罐和第二干式泵。第四制冷剂阀具有第六制冷剂阀。
在一实施方式中，等离子体处理装置还包括加热器用的加热器电源和控制传热介质供给系统及加热器电源的控制部。
控制部(i)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀和第四阀打开，第三阀、第五阀和第六阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，第三制冷剂阀和第四制冷剂阀关闭，加热器设定为ON；
(ii)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第四阀、第五阀和第六阀关闭，第二阀和第三阀打开，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，第三制冷剂阀和第四制冷剂阀关闭，加热器设定为OFF；
(iii)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀、第四阀、第五阀和第六阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和传热空间连接，第三制冷剂阀和第四制冷剂阀关闭，加热器设定为OFF；
(iv)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀、第四阀、第五阀和第六阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，第三制冷剂阀和第四制冷剂阀关闭，加热器设定为OFF；
(v)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀和第四阀关闭，第五阀和第六阀打开，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和载置台的流路连接，第三制冷剂阀和第四制冷剂阀打开，加热器设定为OFF。
在一实施方式中，制冷剂是氢氟烃类的制冷剂。传热介质供给系统包括供给部、第一干式泵、第一～第六配管、第一～第五阀、冷却机构、第一～第四制冷剂配管和第一～第二制冷剂阀。供给部是用于对传热空间供给传热气体的机构。第一配管具有与供给部连接的一端和另一端。第一阀设置在第一配管的中途。第二配管具有与第一配管的另一端连接的一端和与传热空间连接的另一端。第二阀设置在第二配管的中途。第三配管具有与第一配管的另一端连接的一端和另一端。第三阀设置在第三配管的中途。第四配管具有与第一配管的另一端连接的一端和与第三配管的另一端连接的另一端。第四阀设置在第四配管的中途。第五配管具有在第二阀与传热空间之间与第二配管连接的一端和与第一干式泵连接的另一端。第五阀设置在第五配管的中途。第六配管具有与第三配管的另一端连接的一端和在第五阀与第一干式泵之间与第五配管连接的另一端。冷却机构是供给制冷剂的机构。第一制冷剂配管是用于对冷却台的流路供给制冷剂的配管，将冷却台的流路和冷却机构连接。第二制冷剂配管是用于从冷却台的流路回收制冷剂的配管，连接冷却台的流路和冷却机构。第三制冷剂配管具有与传热空间连接的一端。第四制冷剂配管具有与传热空间连接的一端。第一制冷剂阀设置在第一制冷剂配管的中途，将冷却机构选择性地与冷却台的流路或者第三制冷剂配管连接。第二制冷剂阀设置在第二制冷剂配管的中途，将冷却机构选择性地与冷却台的流路或者第四制冷剂配管连接。
在一实施方式中，等离子体处理装置还包括加热器用的加热器电源和控制传热介质供给系统及加热器电源的控制部。
控制部(i)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀和第四阀打开，第三阀和第五阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，加热器设定为ON；
(ii)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第四阀和第五阀关闭，第二阀和第三阀打开，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，加热器设定为OFF；
(iii)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀、第四阀和第五阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和传热空间连接，加热器设定为OFF；
(iv)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀、第四阀和第五阀关闭，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，加热器设定为OFF；
(v)控制传热介质供给系统和加热器电源，形成如下所述的状态：第一阀、第二阀、第三阀和第四阀关闭，第五阀打开，第一制冷剂阀和第二制冷剂阀将冷却机构和冷却台的流路连接，加热器设定为ON。
发明效果
如以上的说明，在具有使静电吸盘与冷却台隔开间隔的构造的载置台中，形成对静电吸盘的基座供给高频电力的供电路径。另外，能够抑制该供电路径中的高频电力的损失。
附图说明
图1是概略地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。
图2是将图1所示的等离子体处理装置的载置台的一部分放大表示的截面图。
图3是将图1所示的等离子体处理装置的载置台的另一部分放大表示的截面图。
图4是表示一实施方式的传热介质供给系统的构成的图。
图5是用于说明图4所示的传热介质供给系统的动作的图。
图6是用于说明图4所示的传热介质供给系统的动作的图。
图7是用于说明图4所示的传热介质供给系统的动作的图。
图8是用于说明图4所示的传热介质供给系统的动作的图。
图9是用于说明图4所示的传热介质供给系统的动作的图。
图10是表示另一实施方式的传热介质供给系统的构成的图。
图11是用于说明图10所示的传热介质供给系统的动作的图。
图12是用于说明图10所示的传热介质供给系统的动作的图。
图13是用于说明图10所示的传热介质供给系统的动作的图。
图14是用于说明图10所示的传热介质供给系统的动作的图。
图15是用于说明图10所示的传热介质供给系统的动作的图。
附图标记说明
10…等离子体处理装置；12…处理容器；14…载置台；16…上部电极；32…排气装置；34…冷却台；36…静电吸盘；40…供电体；42…高频电源；44…高频电源；50…基座；52…吸附部；54…吸附用电极；56、58…加热器；68…弹性部件(第一弹性部件)；70…紧固部件；74…弹性部件(第二弹性部件)；92…套管；94…覆膜；96…弹性部件(第三弹性部件)；98…弹性部件(第四弹性部件)；100…传热介质供给系统。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。其中，在各附图中，对同一或者相当的部分标注相同的符号。
图1是概率地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置10是电容耦合型的等离子体处理装置，包括处理容器12和载置台14。处理容器12具有大致圆筒形状，提供用于等离子体处理的内部空间。处理容器12例如由铝构成。在处理容器12的内部空间侧的表面形成有耐酸铝膜和/或者氧化钇等具有耐等离子体性的陶瓷制的覆膜。该处理容器12接地。另外，在处理容器12的侧壁形成有用于将基板(以下称为“晶片W”)送入处理容器12内、并且从处理容器12的内部搬出的开口12p。该开口12p能够利用闸阀GV进行开闭。
载置台14构成为在处理容器12内的内部空间支承晶片W。载置台14具有吸附晶片W的功能、调节晶片W的温度的功能和对静电吸盘的基座传送高频电力的构造。关于该载置台14的详细在后文叙述。
等离子体处理装置10还包括上部电极16。上部电极16配置在处理容器12的上部开口内，与后述的载置台14的下部电极大致平行地配置。在上部电极16与处理容器12之间设置有绝缘性的支承部件18。
上部电极16具有顶板20和支承体22。顶板20具有大致圆盘状形状。顶板20能够具有导电性。顶板20例如由硅形成。或者，顶板20由铝形成，在其表面形成有耐等离子体性的陶瓷覆膜。在该顶板20形成有多个气体排出孔20a。气体排出孔20a在大致铅垂方向上延伸。
支承体22可拆装地支承顶板20。支承体22例如由铝形成。在支承体22形成有气体扩散室22b。从该气体扩散室22b延伸有分别与气体排出孔20a连通的多个连通孔22a。另外，配管24经由接口22c与气体扩散室22b连接。该配管24与气体供给源26连接。另外，在配管24的中途设置有质量流量控制器等流量控制器28和阀30。
另外，等离子体处理装置10还包括排气装置32。排气装置32包括涡轮分子泵、干式泵等一个以上的泵和压力调节阀。该排气装置32与形成于处理容器12的排气口连接。
另外，等离子体处理装置10还包括控制部MCU。控制部MCU控制等离子体处理装置10的各部。例如，控制部MCU能够为包括处理器和存储器等存储装置的计算机装置。控制部MCU通过依照存储在存储装置的程序和处理方案进行动作，能够控制等离子体处理装置10的各部。
在使用该等离子体处理装置10时，晶片W被载置在载置台14上，由该载置台14保持。另外，来自气体供给源26的处理气体被供给到处理容器12内，排气装置32工作而将处理容器12内的空间的压力减压。另外，在上部电极16与载置台14的下部电极之间形成有高频电场。由此，处理气体解离，利用处理气体中的分子和/或者原子的活性种处理晶片W。在这样的处理中，等离子体处理装置10的各部被控制部MCU控制。
以下，除了图1之外，还参照图2和图3，对载置台14和附带于该载置台14的等离子体处理装置10的构成要素进行详细说明。图2是将图1所示的等离子体处理装置的载置台的一部分放大表示的截面图。图3是将图1所示的等离子体处理装置的载置台的另一部分放大表示的截面图。
载置台14包括冷却台34和静电吸盘36。冷却台34被从处理容器12的底部延伸的支承部件38支承。该支承部件38是绝缘性的部件，例如由氧化铝(alumina)形成。另外，支承部件38具有大致圆筒形状。
冷却台34由具有导电性的金属例如铝形成。冷却台34具有大致圆盘形状。冷却台34具有中央部34a即第一中央部和周缘部34b即第一周缘部。中央部34a具有大致圆盘形状。中央部34a提供冷却台34的第一上表面34c。第一上表面34c为大致圆形的面。
周缘部34b与中央部34a相连，在径向(相对于在铅垂方向上延伸的轴线Z的辐射方向)上在中央部34a的外侧沿周向(相对于轴线Z的周向)延伸。在一实施方式中，周缘部34b与中央部34a一起提供冷却台34的下表面34d。另外，周缘部34b提供第二上表面34e。第二上表面34e是带状的面，在径向上在第一上表面34c的外侧沿周向延伸。另外，第二上表面34e在铅垂方向上位于比第一上表面34c靠近下表面34d的位置。
冷却台34与供电体40连接。在一实施方式中，供电体40是供电棒，与冷却台34的下表面34d连接。供电体40由铝或者铝合金形成。
供电体40与设置在处理容器12的外部的高频电源42和高频电源44电连接。高频电源42是产生等离子体生成用的第一高频电力的电源。第一高频电力的频率例如是40MHz。高频电源44是产生离子引入用的第二高频电力的电源。第二高频电力的频率例如是13.56MHz。
高频电源42经由匹配器46与供电体40连接。匹配器46具有用于使高频电源42的负载侧的阻抗与高频电源42的输出阻抗匹配的匹配电路。高频电源44经由匹配器48与供电体40连接。匹配器48具有用于使高频电源44的负载侧的阻抗与高频电源44的输出阻抗匹配的匹配电路。
在冷却台34形成有制冷剂用的流路34f。流路34f在冷却台34内例如螺旋状地延伸。从冷却机构TU对该流路34f供给制冷剂。供给到流路34f的制冷剂是在等离子体处理装置10的使用温度范围、例如20℃以上250℃以下的温度带为液体的液状制冷剂。或者，制冷剂可以为通过该气化而吸热来进行冷却的制冷剂，例如可以为氢氟烃类的制冷剂。
静电吸盘36设置在冷却台34之上。具体来说，静电吸盘36设置在冷却台34的第一上表面34c之上。静电吸盘36具有基座50和吸附部52。基座50构成下部电极，设置在冷却台34之上。基座50具有导电性。基座50例如可以为对氮化铝或者碳化硅赋予导电性的陶瓷制，或者也可以为金属(例如钛)制。
基座50形成为大致圆盘形状，包括中央部50a即第二中央部和周缘部50b即第二周缘部。中央部50a具有大致圆盘形状。中央部50a提供基座50的第一上表面50c。第一上表面50c为大致圆形的面。
周缘部50b与中央部50a相连，在径向上在中央部50a的外侧沿周向延伸。在一实施方式中，周缘部50b与中央部50a一起提供基座50的下表面50d。另外，周缘部50b提供第二上表面50e。该第二上表面50e为带状的面，在径向上在第一上表面50c的外侧沿周向延伸。另外，第二上表面50e在铅垂方向上位于比第一上表面50c靠近下表面50d的位置。
吸附部52设置在基座50上，通过利用设置在该吸附部52与基座50之间的金属的金属接合，与基座50结合。吸附部52具有大致圆盘形状，由陶瓷形成。构成吸附部52的陶瓷能够是在室温(例如、20度)以上400℃以下的温度范围中具有1×1015Ω·cm以上的体积电阻率的陶瓷。作为这样的陶瓷例如能够使用氧化铝(alumina)。通过采用具有该体积电阻率的陶瓷制的吸附部52，即使在超高跟200℃的高温下，也能够发挥充分的吸附力。
吸附部52内置有吸附用电极54、加热器56和加热器58。吸附用电极54是电极膜，该吸附用电极54与直流电源60电连接。当将来自直流电源60的直流电压施加在吸附用电极54时，吸附部52产生库仑力等静电力，利用该静电力保持晶片W。
加热器56设置在比加热器58靠吸附部52的中央侧的位置。换言之，加热器58设置在吸附部52的周缘区域内，加热器56设置在加热器58的内侧。加热器56和加热器58与加热器电源62电连接。该加热器电源62是3个系统的加热器电源。在加热器56与和加热器电源62之间为了防止高频侵入加热器电源62而设置有滤波器64。另外，在加热器58与加热器电源62之间为了防止高频侵入加热器电源62而设置有滤波器66。
在基座50与冷却台34之间设置有弹性部件68即第一弹性部件。弹性部件68使静电吸盘36与冷却台34向上方隔开间隔。该弹性部件68是O形环。弹性部件68部分地配置在由冷却台34的第一上表面34c提供的槽中，与第一上表面34c和基座50的下表面50d接触。另外，弹性部件68与冷却台34和基座50一起在冷却台34的第一上表面34c与基座50的下表面50d之间形成传热空间DS。另外，弹性部件68在冷却台34与基座50之间封闭传热空间DS。从供给部GP对该传热空间DS供给传热气体，例如He气体。
传热空间DS的铅垂方向上的长度依赖于等离子体处理装置10的使用时的静电吸盘36的设定温度范围，但是，例如设定为0.1mm以上2.0mm以下的长度。作为一个例子，在静电吸盘36的设定温度范围在80℃以上250℃以下的情况下，传热空间DS的铅垂方向上的长度设定为0.5mm。另外，在静电吸盘36的设定温度范围的下限值为比80℃低的温度的情况下，传热空间DS的铅垂方向上的长度设定为比0.5mm短的长度。
在一实施方式中，弹性部件68构成为具有比对传热空间DS供给He气体时的该传热空间DS的热阻高的热阻。传热空间DS的热阻依赖于传热气体的热传导率、传热空间DS的铅垂方向的长度和传热空间DS的面积。另外，弹性部件68的热阻依赖于弹性部件68的热传导率、弹性部件68的铅垂方向上的厚度和弹性部件68的面积。因此，根据传热空间DS的热阻决定弹性部件68的材料、厚度和面积。此外，弹性部件68要求较低的热传导率和较高的耐热性。这样的弹性部件68例如能够由全氟弹性体形成。
载置台14还包括紧固部件70。紧固部件70由金属形成，将基座50和弹性部件68夹持在该紧固部件70与冷却台34之间。在一实施方式中，紧固部件70为了抑制基座50与冷却台34之间的来自该紧固部件70的热传导而由具有低热传导率的材料例如钛形成。
在一实施方式中，紧固部件70包括筒状部70a和环状部70b。筒状部70a具有大致圆筒形状，在其下端提供第一下表面70c。第一下表面70c是在周向上延伸的带状的面。
环状部70b具有大致环状板形状，与筒状部70a的上侧部分的内缘相连，从该筒状部70a在径向内侧延伸。该环状部70b提供第二下表面70d。第二下表面70d是在周向上延伸的带状的面。
紧固部件70配置成第一下表面70c与冷却台34的第二上表面34e检测，第二下表面70d与基座50的第二上表面50e接触。另外，紧固部件70利用螺钉72固定在冷却台34的周缘部34b。通过调节该螺钉72对紧固部件70的螺合，来调节弹性部件68的压缩量。由此，调节传热空间DS的铅垂方向上的长度。
在一实施方式中，在紧固部件70的环状部70b的内缘部下表面与基座50的第二上表面50e之间设置有弹性部件74、即第二弹性部件。该弹性部件74为O形环，抑制因紧固部件70的第二下表面70d与基座50的第二上表面50e的摩擦而产生的颗粒(例如金属粉)在吸附部52侧移动。
另外，弹性部件74产生比弹性部件68产生的反作用力小的反作用力。换言之，弹性部件68构成为该弹性部件68产生的反作用力比弹性部件74产生的反作用力大。而且，该弹性部件74，作为具有高耐热性且具有低热传导率的材料，由全氟弹性体形成。
在紧固部件70之上设置有加热器76。该加热器76在周向上延伸，经由滤波器78与加热器电源62连接。滤波器78是为了防止高频侵入加热器电源62而设置的。
加热器76设置在第一膜80与第二膜82之间。第一膜80相对于第二膜82设置在紧固部件70侧。第一膜80具有比第二膜82的热传导率低的热传导率。例如，第一膜80能够为氧化锆制的喷涂膜，第二膜82能够为氧化钇(yttria)制的喷涂膜。另外，加热器76能够为钨的喷涂膜。
在第二膜82上设置有聚焦环84。该聚焦环84被来自加热器76的热加热。另外，来自加热器76的热通量的大部分与第一膜80相比更朝向第二膜82，隔着该第二膜82朝向聚焦环84。因此，聚焦环84被有效地加热。
另外，载置台14的冷却台34、紧固部件70等在其外周侧被一个以上的绝缘性部件86覆盖。一个以上的绝缘性部件86例如由氧化铝或者石英形成。
并且，如图3所示，在载置台14的冷却台34和静电吸盘36提供用于对晶片W与吸附部52之间供给传热气体(例如He气体)的气体路径90。该气体路径90与传热气体的供给部91连接。
如图3所示，气体路径90包括气体路径90a(第一气体路径)、气体路径90b和气体路径90c(第二气体路径)。气体路径90a形成于吸附部52。另外，气体路径90c形成于冷却台34。气体路径90a和气体路径90c经由气体路径90b连接。该气体路径90b由套管92提供。该套管92为大致筒状的部件，至少在其表面具有绝缘性，该表面由陶瓷形成。在一个例子中，套管92由绝缘性的陶瓷形成。例如，套管92由氧化铝(alumina)形成。在另一例中，套管92可以是在表面实施了绝缘处理的金属制的部件。例如，套管92可以具有铝制的主体和设置在该主体的表面的耐酸铝覆膜。
基座50和冷却台34提供用于收纳套管92的收纳空间。在形成该收纳空间的基座50的面50f形成有绝缘性陶瓷的覆膜94。覆膜94例如能够为氧化铝(alumina)的喷涂膜。
在覆膜94与冷却台之间设置有封闭套管92的收纳空间的弹性部件96、即第三弹性部件。该弹性部件96为O形环，具有绝缘性。弹性部件96例如由全氟弹性体形成。另外，在弹性部件96的外侧设置有弹性部件98、即第四弹性部件。该弹性部件98为O形环，与冷却台34的第一上表面34c和基座50的下表面50d接触相接，封闭传热空间DS。弹性部件98例如由全氟弹性体形成。
如以上说明，在载置台14中，通过弹性部件68将冷却台34和基座50彼此分开。另外，在该载置台14中，基座50与吸附部52的接合不使用粘接剂。因此，能够将静电吸盘36的温度设定为250℃等超过200℃的高温。另外，能够经由供给到传热空间DS的传热气体进行静电吸盘36与冷却台34之间的热交换，因此能够将静电吸盘36的温度设定为低温(例如80℃)。另外，在该载置台14中，利用供电体40、冷却台34和紧固部件70，确保对静电吸盘36的基座50的高频电力的供电路径。而且，供电体40不与静电吸盘36的基座50直接连接，而与冷却台34连接，因此作为该供电体40的构成材料能够采用铝或者铝合金。因此，即使在使用13.56MHz以上的高频率的高频电力的情况下，也能够抑制供电体40中的高频电力的损失。
另外，如上所述，在一实施方式中，在紧固部件70的环状部70b的内缘部下表面与基座50的第二上表面50e之间设置有弹性部件74。基座50的周缘部50b的第二上表面50e和紧固部件70的第二下表面70d彼此接触，所以，在上述的接触部位产生摩擦，从而产生颗粒(例如金属粉)。即使产生这样的颗粒，弹性部件74也能够抑制颗粒附着在吸附部52和载置在该吸附部52上的晶片W。
另外，弹性部件68构成为该弹性部件68产生的反作用力比弹性部件74产生的反作用力大。由此，能够可靠地使静电吸盘36与冷却台34分开。
另外，在一实施方式中，弹性部件68构成为具有比对传热空间DS供给He气体时的该传热空间DS的热阻高的热阻。另外，弹性部件68例如由全氟弹性体形成。通过采用这样的弹性部件68，在静电吸盘36与冷却台34之间，与隔着弹性部件68的热传导相比，隔着传热空间DS的热传导占优势。因此，静电吸盘36的温度分布能够均匀化。
另外，在一实施方式中，对晶片W与吸附部52之间供给的传热气体用的气体路径90不使用粘接剂地形成。另外，形成用于配置部分地构成该气体路径90的套管92的收纳空间的基座50的面50f被覆膜94覆盖，且以封闭该收纳空间的方式在覆膜94与冷却台34之间设置有绝缘性的弹性部件96。由此，能够抑制等离子体侵入基座50与冷却台34之间和伴随此产生的基座50的绝缘破坏。
另外，通过采用具有上述载置台14的等离子体处理装置10，能够在从80℃以下等低的温度至250℃等超过200℃的高温度为止的温度带，对晶片W进行等离子体处理。
以下，对等离子体处理装置10中能够采用的传热介质供给系统进行说明。以下说明的传热介质供给系统是对传热空间DS选择性地供给传热气体或者制冷剂的机构。图4是表示一实施方式的传热介质供给系统的构成的图。
图4所示的传热介质供给系统100包括上述供给部GP和冷却机构TU。供给部GP包括传热气体(例如He气体)的供给源102和压力调节器104。来自供给源102的传热气体经由压力调节器104被输出。在该压力调节器104中，传热气体的压力被调节。在传热介质供给系统100中，冷却机构TU是利用液状制冷剂的冷却机构，该液状制冷剂例如是氟类的液状制冷剂。具有这样利用液状制冷剂的冷却机构TU的传热介质供给系统100还包括配管L11(第一配管)、配管L12、配管L13、配管L14、配管L15、配管L16、配管L17、阀V11、阀V12、阀V13、阀V14、阀V15、阀V16、配管L21、配管L12、配管L23、配管L24、配管L25、配管L26、阀V21、阀V22、阀V25、阀V26、罐T1、罐T2、干式泵P1和干式泵P2。
压力调节器104与配管L11的一端连接。在配管L11的中途设置有阀V11。配管L11的另一端与配管L12的一端、配管L13的一端和配管L14的一端连接。在配管L12的中途设置有阀V12，在配管L13的中途设置有阀V13，在配管L14的中途设置有阀V14。
配管L12的另一端与传热空间DS连接。在传热空间DS与阀V12之间，配管L12与配管L15的一端连接。在配管L15的中途设置有阀V15。在该阀V15的下游侧，配管L15与罐T1连接。即，配管L15的另一端与罐T1连接。该罐T1与配管L16的一端连接。在配管L16的中途设置有阀V16。另外，在配管L16的下游设置有干式泵P1。即，配管L16的另一端与干式泵P1连接。
配管L13和配管L14在它们的另一端合流。在配管L13的另一端和配管L14的另一端与配管L17的一端连接。配管L17的另一端在阀V16与干式泵P1之间与配管L16连接。
冷却机构TU经由配管L21与流路34f连接。即，配管L21的一端与冷却机构TU连接，配管L21的另一端与流路34f连接。该配管L21是用于对流路34f供给制冷剂的配管。另外，冷却机构TU经由配管L22与流路34f连接。即，配管L22的一端与冷却机构TU连接，配管L22的另一端与流路34f连接。该配管L22是用于从流路34f回收制冷剂的配管。在配管L21的中途设置有阀V21。另外，在配管L22的中途设置有阀V22。阀V21与配管L23连接，另外，阀V22与配管L24连接。配管L23的一端和配管L24的一端与传热空间DS连接。阀V21构成为将冷却机构TU选择性地与流路34f或者配管L23连接。阀V22构成为将冷却机构TU选择性地与流路34f或者配管L24连接。阀V21和阀V22例如为三方阀。另外，配管L23的另一端和配管L24的另一端彼此合流，配管L23的另一端和配管L24的另一端与配管L25的一端连接。在该配管L25的中途设置有阀V25。另外，在该阀V25的下游侧，配管L25与罐T2连接。即，配管L25的另一端与罐T2连接。该罐T2与配管L26的一端连接。在该配管L26的中途设置有阀V26。另外，在配管L26的下游设置有干式泵P2。即，配管L26的另一端与干式泵P2连接。
以下，参照图5～图9对静电吸盘36降温时的传热介质供给系统100的动作进行说明。以下说明的动作中，传热介质供给系统100和加热器电源62由控制部MCU控制。此外，在图5～图9中，用涂黑的图形表示的加热器56和加热器58为上述加热器成为ON的状态，即对上述加热器供给电流的状态。用中空的图形表示的热器56和加热器58为上述加热器成为OFF的状态。另外，用中空的图形表示的阀为打开的状态，用涂黑的图形表示的阀为关闭的状态。
首先，如图5所示，在加热器56和加热器58为ON的状态、即静电吸盘36被加热的状态下，阀V11、阀V12和阀V14设定为打开的状态，阀V13、阀V15和阀V16设定为打开的状态。另外，阀V25和阀V26设定为关闭的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，来自供给部GP的传热气体被供给到传热空间DS。另外，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂进行循环。
根据图5所示的状态，为了使静电吸盘36降温，如图6所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V12和阀V13设定为打开的状态，阀V11、阀V14、阀V15和阀V16设定为关闭的状态。另外，阀V25和阀V26设定为关闭的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，传热气体从传热空间DS排出到干式泵P1。另外，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂进行循环。
接着，如图7所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V11、阀V12、阀V13、阀V14、阀V15和阀V16设定为关闭的状态。另外，阀V25和阀V26设定为关闭的状态。另外，阀V21设定为对于流路34f关闭的状态，设定为对于冷却机构TU和配管L23打开的状态。另外，阀V22设定为对于流路34f关闭的状态，设定为对于冷却机构TU和配管L24打开的状态。即，阀V21和阀V22设定为连接冷却机构TU和传热空间DS。由此，制冷剂在冷却机构TU与传热空间DS之间循环。此外，制冷剂可以被供给到流路34f和传热空间DS双方。
当静电吸盘36的温度成为目标温度时，接着，如图8所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V11、阀V12、阀V13、阀V14、阀V15和阀V16设定为关闭的状态。另外，阀V25和阀V26设定为关闭的状态。另外，阀V21和阀V22设定为关闭的状态使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂再次进行循环。
接着，如图9所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V11、阀V12、阀V13和阀V14设定为关闭的状态，阀V15和阀V16设定为打开的状态。另外，阀V25和阀V26设定为打开的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，在冷却机构TU与流路34f之间维持制冷剂进行循环的状态。另外，传热空间DS内的制冷剂(液状制冷剂)被排出到罐T1和罐T2。
然后，如图5所示，再次将来自供给部GP的传热气体供给到传热空间DS，能够将加热器56和加热器58设定为ON。
根据具有该传热介质供给系统100的等离子体处理装置10，在静电吸盘36降温时，能够对传热空间DS供给液状制冷剂。液状制冷剂被供给到传热空间DS的情况下的静电吸盘36的降温速度，比传热气体(例如He气体)被供给到传热空间DS的情况下的静电吸盘36的降温速度高。例如，在对传热空间DS供给作为液状制冷剂的氟类的液状制冷剂的情况下的静电吸盘36的降温速度，为相对于对传热空间DS供给He气体的情况下的静电吸盘36的降温速度为大约2倍的降温速度。这样，根据具有传热介质供给系统100的等离子体处理装置10，能够使静电吸盘36的温度高速降低。
以下，对在等离子体处理装置10中能够采用的另一传热介质供给系统进行说明。图10是表示另一实施方式的传热介质供给系统的构成的图。在图10所示的传热介质供给系统100A中，冷却机构TU利用通过气化而吸热来进行冷却的制冷剂。这样的制冷剂是氢氟烃类的制冷剂。具有这样利用制冷剂的冷却机构TU的传热介质供给系统100A与传热介质供给系统100相比，不具有罐T1、配管L16、阀V16、配管L25、阀V25、罐T2、配管L26、阀V26和干式泵P2。因此，传热介质供给系统100A与传热介质供给系统100相比，能够由较少的部件构成。这是因为，在传热介质供给系统100中需要将液状的制冷剂从传热空间DS排出，与此不同，在传热介质供给系统100A中，能够在使供给到传热空间DS的制冷剂气化的状态下进行排气。
在传热介质供给系统100A中，配管L15的另一端与干式泵P1连接。配管L17的另一端在阀V15与干式泵P1之间与配管L15连接。另外，配管L23的另一端与阀V21连接，配管L24的另一端与阀V22连接。
以下，参照图11～图15对静电吸盘36降温时的传热介质供给系统100A的动作进行说明。在以下说明的动作中，传热介质供给系统100和加热器电源62由控制部MCU控制。此外，在图11～图15中，用涂黑的图形表示的加热器56和加热器58处于上述加热器成为接通的状态、即上述加热器被供给电流的状态。用中空的图形表示的加热器56和加热器58处于上述加热器成为OFF的状态。另外，用中空的图形表示的阀为打开的状态，用涂黑的图形表示的阀为关闭的状态。
首先，如图11所示，在加热器56和加热器58为ON的状态、即静电吸盘36被加热的状态下，阀V11、阀V12和阀V14设定为打开的状态，阀V13和阀V15设定为打开的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。并且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，来自供给部GP的传热气体被供给到传热空间DS。另外，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂进行循环。
从图11所示的状态开始，为了使静电吸盘36降温，如图12所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V12和阀V13设定为打开的状态，阀V11、阀V14和阀V15设定为关闭的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，传热气体从传热空间DS排出到干式泵P1。另外，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂进行循环。
接着，如图13所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V11、阀V12、阀V13、阀V14和阀V15设定为关闭的状态。另外，阀V21设定为对于流路34f为关闭的状态，且对于冷却机构TU和配管L23为打开的状态。另外，阀V22设定为对于流路34f为关闭的状态，且对于冷却机构TU和配管L24为打开的状态。即，阀V21和阀V22设定为连接冷却机构TU和传热空间DS。由此，制冷剂在冷却机构TU与传热空间DS之间循环。此外，制冷剂可以供给到流路34f和传热空间DS双方。
当静电吸盘36的温度成为目标温度时，接着，如图14所示，加热器56和加热器58设定为OFF。另外，阀V11、阀V12、阀V13、阀V14和阀V15设定为关闭的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23为关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24为关闭的状态。由此，在冷却机构TU与流路34f之间制冷剂再次循环。
接着，使传热空间DS内的制冷剂可靠地气化，为了将气化了的制冷剂排出，如图15所示，将加热器56和加热器58设定为ON。另外，阀V11、阀V12、阀V13和阀V14设定为关闭的状态，阀V15设定为打开的状态。另外，阀V21和阀V22设定为使冷却机构TU与流路34f连通的状态。而且，阀V21设定为对于配管L23关闭的状态，阀V22设定为对于配管L24关闭的状态。由此，在冷却机构TU与流路34f之间维持制冷剂进行循环的状态。另外，传热空间DS内的制冷剂气化，气化了的制冷剂被干式泵P1排出。
然后，再次，如图11所示，将来自供给部GP的传热气体供给到传热空间DS，能够将加热器56和加热器58设定为ON。
在具有该传热介质供给系统100A的等离子体处理装置10中，对传热空间DS供给制冷剂的情况下的静电吸盘36的降温速度，相对于对传热空间DS供给He气体的情况下的静电吸盘36的降温速度为大约3倍的降温速度。这样，根据具有传热介质供给系统100A的等离子体处理装置10，能够使静电吸盘36的温度进一步高速降低。
以上，对各实施方式进行了说明，但是不限于上述实施方式，能够构成各种变形实施方式。例如，高频电源42可以经由匹配器46与上部电极16连接。另外，上述载置台14能够用于电容耦合型的等离子体处理装置以外的任意的等离子体处理装置，例如电感耦合型的等离子体处理装置、将微波等表面波用于等离子体的生成的等离子体处理装置。

Claims (16)

1.一种载置台，其特征在于，包括：
形成有制冷剂用的流路的金属制的冷却台；
与所述冷却台连接的供电体，是传送来自高频电源的高频电力的铝或者铝合金制的供电体；
静电吸盘，包括设置在所述冷却台之上的导电性的基座和陶瓷制的吸附部，所述吸附部内置吸附用电极和加热器，并且设置在所述基座之上，通过金属接合与该基座结合；
绝缘性的第一弹性部件，设置在所述冷却台与所述基座之间，使所述静电吸盘与所述冷却台隔开间隔，且与该冷却台和该基座一起形成用于对所述冷却台与所述基座之间供给传热气体的传热空间；和
金属制的紧固部件，与所述冷却台和所述基座接触，将所述基座和所述第一弹性部件夹持在所述冷却台与该紧固部件之间。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述冷却台包括：第一中央部；和第一周缘部，其与所述第一中央部相连，相对于该第一中央部在径向外侧沿周向延伸，
所述基座设置在所述第一中央部之上，包括：第二中央部；和第二周缘部，其与所述第二中央部相连，相对于该第二中央部在径向外侧沿周向延伸，
所述紧固部件包括包含第一下表面的筒状部和包含第二下表面的、从所述筒状部的上侧部分在径向内侧延伸的环状部，所述紧固部件以所述第一下表面与所述第一周缘部的上表面接触、所述第二下表面与所述第二周缘部的上表面接触的方式被固定在所述第一周缘部。
3.如权利要求2所述的载置台，其特征在于：
还包括第二弹性部件，该第二弹性部件是设置在所述环状部的内缘部与所述第二周缘部的所述上表面之间的绝缘性的O形环。
4.如权利要求3所述的载置台，其特征在于：
所述第一弹性部件产生的反作用力比所述第二弹性部件产生的反作用力大。
5.如权利要求1～4中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述第一弹性部件是由全氟弹性体形成的O形环。
6.如权利要求1～5中任一项所述的载置台，其特征在于：
在所述吸附部形成有用于对该吸附部与载置在该吸附部上的基板之间供给传热气体的第一气体路径，
在所述冷却台形成有用于供给要供给到所述第一气体路径的传热气体的第二气体路径，
该载置台还包括将所述第一气体路径和所述第二气体路径连接的套管，
所述套管至少在其表面具有绝缘性，该套管的该表面由陶瓷形成，
所述基座和所述冷却台提供用于配置所述套管的收纳空间，
所述基座具有形成所述收纳空间的面，在该面形成有绝缘性陶瓷制的覆膜，
该载置台在所述覆膜与所述冷却台之间还具有封闭所述收纳空间的由绝缘性的O形环形成的第三弹性部件。
7.如权利要求6所述的载置台，其特征在于：
还包括由绝缘性的O形环形成的第四弹性部件，该第四弹性部件设置在所述第三弹性部件的外侧且所述冷却台与所述基座之间，与所述第一弹性部件一起形成所述传热空间。
8.如权利要求7所述的载置台，其特征在于：
所述第四弹性部件由全氟弹性体形成台。
9.如权利要求1～8任一项所述的载置台，其特征在于：
所述紧固部件由钛形成。
10.如权利要求1～9任一项所述的载置台，其特征在于：
构成所述吸附部的陶瓷是氧化铝。
11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
在所述处理容器内用于支承基板的权利要求1～10中任一项所述的载置台；和
与所述载置台的所述供电体电连接的高频电源。
12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括选择性地对所述传热空间供给传热气体或者制冷剂的传热介质供给系统。
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述制冷剂是液状制冷剂，
所述传热介质供给系统包括：
用于对所述传热空间供给所述传热气体的供给部；
第一罐；
第一干式泵；
具有与所述供给部连接的一端和另一端的第一配管；
设置在所述第一配管的中途的第一阀；
第二配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和与所述传热空间连接的另一端；
设置在所述第二配管的中途的第二阀；
第三配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和另一端；
设置在所述第三配管的中途的第三阀；
第四配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和与所述第三配管的所述另一端连接的另一端；
设置在所述第四配管的中途的第四阀；
第五配管，其具有在所述第二阀与所述传热空间之间与所述第二配管连接的一端和与所述第一罐连接的另一端；
设置在所述第五配管的中途的第五阀；
第六配管，其具有与所述第一罐连接的一端和与所述第一干式泵连接的另一端；
设置在所述第六配管的中途的第六阀；
第七配管，其具有与所述第三配管的所述另一端连接的一端和在所述第六阀与所述第一干式泵之间与所述第六配管连接的另一端；
供给所述制冷剂的冷却机构；
第二罐；
第二干式泵；
第一制冷剂配管，其用于对所述冷却台的所述流路供给所述制冷剂，将所述冷却台的所述流路和所述冷却机构连接；
第二制冷剂配管，其用于从所述冷却台的所述流路回收所述制冷剂，将所述冷却台的所述流路和所述冷却机构连接；
第三制冷剂配管，其具有与所述传热空间连接的一端和另一端；
第四制冷剂配管，其具有与所述传热空间连接的一端和与所述第三制冷剂配管的所述另一端连接的另一端；
第一制冷剂阀，其设置在所述第一制冷剂配管的中途，将所述冷却机构选择性地与所述冷却台的所述流路或者所述第三制冷剂配管连接；
第二制冷剂阀，其设置在所述第二制冷剂配管的中途，将所述冷却机构选择性地与所述冷却台的所述流路或者所述第四制冷剂配管连接；
第五制冷剂配管，其具有与所述第三制冷剂配管的所述另一端连接的一端和与所述第二罐连接的另一端；
设置在所述第五制冷剂配管的中途的第三制冷剂阀；
将所述第二罐和所述第二干式泵连接的第六制冷剂配管；和
设置在所述第六制冷剂配管的中途的第四制冷剂阀。
14.如权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
所述加热器用的加热器电源；和
控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源的控制部，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀和所述第四阀打开，所述第三阀、所述第五阀和所述第六阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述第三制冷剂阀和所述第四制冷剂阀关闭，所述加热器设定为ON，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第四阀、所述第五阀和所述第六阀关闭，所述第二阀和所述第三阀打开，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述第三制冷剂阀和所述第四制冷剂阀关闭，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、所述第四阀、所述第五阀和所述第六阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述传热空间连接，所述第三制冷剂阀和所述第四制冷剂阀关闭，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、所述第四阀、所述第五阀和所述第六阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述第三制冷剂阀和所述第四制冷剂阀关闭，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀和所述第四阀关闭，所述第五阀和所述第六阀打开，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述载置台的所述流路连接，所述第三制冷剂阀和所述第四制冷剂阀打开，所述加热器设定为OFF。
15.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述制冷剂是氢氟烃类的制冷剂，
所述传热介质供给系统包括：
用于对所述传热空间供给所述传热气体的供给部；
第一干式泵；
具有与所述供给部连接的一端和另一端的第一配管；
设置在所述第一配管的中途的第一阀；
第二配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和与所述传热空间连接的另一端；
设置在所述第二配管的中途的第二阀；
第三配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和另一端；
设置在所述第三配管的中途的第三阀；
第四配管，其具有与所述第一配管的所述另一端连接的一端和与所述第三配管的所述另一端连接的另一端；
设置在所述第四配管的中途的第四阀；
第五配管，其具有在所述第二阀与所述传热空间之间与所述第二配管连接的一端和与所述第一干式泵连接的另一端；
设置在所述第五配管的中途的第五阀；
第六配管，其具有与所述第三配管的所述另一端连接的一端和在所述第五阀与所述第一干式泵之间与所述第五配管连接的另一端；
供给所述制冷剂的冷却机构；
第一制冷剂配管，其用于对所述冷却台的所述流路供给所述制冷剂，将所述冷却台的所述流路和所述冷却机构连接；
第二制冷剂配管，其用于从所述冷却台的所述流路回收所述制冷剂，将所述冷却台的所述流路和所述冷却机构连接；
具有与所述传热空间连接的一端的第三制冷剂配管；
具有与所述传热空间连接的一端的第四制冷剂配管；
第一制冷剂阀，其设置在所述第一制冷剂配管的中途，将所述冷却机构选择性地与所述冷却台的所述流路或者所述第三制冷剂配管连接；
第二制冷剂阀，其设置在所述第二制冷剂配管的中途，将所述冷却机构选择性地与所述冷却台的所述流路或者所述第四制冷剂配管连接。
16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
所述加热器用的加热器电源；和
控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源的控制部，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀和所述第四阀打开，所述第三阀和所述第五阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述加热器设定为ON，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第四阀和所述第五阀关闭，所述第二阀和所述第三阀打开，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、所述第四阀和所述第五阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述传热空间连接，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀、所述第四阀和所述第五阀关闭，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述冷却台的所述流路连接，所述加热器设定为OFF，
所述控制部控制所述传热介质供给系统和所述加热器电源，形成如下所述的状态：所述第一阀、所述第二阀、所述第三阀和所述第四阀关闭，所述第五阀打开，所述第一制冷剂阀和所述第二制冷剂阀将所述冷却机构和所述载置台的所述流路连接，所述加热器设定为ON。
CN201610849464.9A 2015-09-25 2016-09-23 载置台和等离子体处理装置 Active CN107039326B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015187827 2015-09-25
JP2015-187827 2015-09-25
JP2015247630A JP6541565B2 (ja) 2015-09-25 2015-12-18 載置台及びプラズマ処理装置
JP2015-247630 2015-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107039326A true CN107039326A (zh) 2017-08-11
CN107039326B CN107039326B (zh) 2020-06-23

Family

ID=58429017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610849464.9A Active CN107039326B (zh) 2015-09-25 2016-09-23 载置台和等离子体处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6541565B2 (zh)
KR (1) KR102540156B1 (zh)
CN (1) CN107039326B (zh)
TW (1) TWI693624B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524850A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 东京毅力科创株式会社 载置台和基片处理装置
CN111834190A (zh) * 2019-04-17 2020-10-27 日本电产株式会社 等离子处理装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP6667386B2 (ja) * 2016-06-28 2020-03-18 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7033926B2 (ja) * 2017-04-26 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102143290B1 (ko) * 2017-11-21 2020-08-11 램 리써치 코포레이션 하단 링 및 중간 에지 링
US20190272983A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Substrate halo arrangement for improved process uniformity
JP7020238B2 (ja) * 2018-03-29 2022-02-16 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN112136202B (zh) * 2018-06-08 2024-04-12 应用材料公司 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备
CN111326390B (zh) * 2018-12-17 2023-09-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 射频电极组件和等离子体处理设备
US11875970B2 (en) 2018-12-17 2024-01-16 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
JP7306195B2 (ja) * 2019-09-27 2023-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置及びステージをクリーニングする方法
KR102615216B1 (ko) * 2020-05-15 2023-12-15 세메스 주식회사 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN215932363U (zh) * 2020-06-04 2022-03-01 信越化学工业株式会社 防护薄膜框架、防护薄膜及包括其的装置及系统
JP2023005203A (ja) 2021-06-28 2023-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板支持体、基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置
JP7429208B2 (ja) 2021-08-17 2024-02-07 日本碍子株式会社 ウエハ載置台

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101276734A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101419907A (zh) * 2007-07-13 2009-04-29 应用材料股份有限公司 用于等离子体蚀刻的高温阴极
US20090159588A1 (en) * 2007-09-10 2009-06-25 Ngk Insulators, Ltd. Heating apparatus
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
US20130286533A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
JP2003124296A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd サセプタ及びその製造方法
US6646233B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
US20040045813A1 (en) * 2002-09-03 2004-03-11 Seiichiro Kanno Wafer processing apparatus, wafer stage, and wafer processing method
JP5829509B2 (ja) * 2011-12-20 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US9281226B2 (en) * 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
JP5996340B2 (ja) * 2012-09-07 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101276734A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101419907A (zh) * 2007-07-13 2009-04-29 应用材料股份有限公司 用于等离子体蚀刻的高温阴极
US20090159588A1 (en) * 2007-09-10 2009-06-25 Ngk Insulators, Ltd. Heating apparatus
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
US20130286533A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524850A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 东京毅力科创株式会社 载置台和基片处理装置
CN111524850B (zh) * 2019-02-01 2024-03-08 东京毅力科创株式会社 载置台和基片处理装置
CN111834190A (zh) * 2019-04-17 2020-10-27 日本电产株式会社 等离子处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017063011A (ja) 2017-03-30
JP6541565B2 (ja) 2019-07-10
TWI693624B (zh) 2020-05-11
TW201724159A (zh) 2017-07-01
CN107039326B (zh) 2020-06-23
KR102540156B1 (ko) 2023-06-07
KR20170037526A (ko) 2017-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107039326A (zh) 载置台和等离子体处理装置
US10665491B2 (en) Processing apparatus for thermally processing a workpiece in a chamber
US10515786B2 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
CN108346553B (zh) 等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法
CN113936987B (zh) 等离子体处理装置
CN108389771A (zh) 被加工物的处理装置
TW565623B (en) Temperature control system for process chamber
CN108346568B (zh) 处理被加工物的方法
TWI676234B (zh) 具有凸起的頂板及冷卻通道的靜電夾盤
CN108987233A (zh) 等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序
CN109300763B (zh) 基片处理装置和基片处理装置的运用方法
KR102508315B1 (ko) 급전 부재 및 기판 처리 장치
JP2016082077A (ja) 載置台及び載置台の製造方法
TW202127564A (zh) 熱媒循環系統及基板處理裝置
US20230073711A1 (en) Substrate support assembly and plasma processing apparatus
TW202107950A (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
JP2010159493A (ja) プラズマ処理装置、インピーダンス整合器、結合器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant